JP2001089236A - バルク音響波フィルタ - Google Patents

バルク音響波フィルタ

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JP2001089236A
JP2001089236A JP2000207106A JP2000207106A JP2001089236A JP 2001089236 A JP2001089236 A JP 2001089236A JP 2000207106 A JP2000207106 A JP 2000207106A JP 2000207106 A JP2000207106 A JP 2000207106A JP 2001089236 A JP2001089236 A JP 2001089236A
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filter
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JP2000207106A
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Hans-Peter Loebl
ハンス‐ペーター、レプル
Mareike Dr Klee
マライケ、クレー
Lukas Leyten
ルーカス、ライテン
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Koninklijke Philips Electronics NV
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 各々がキャリア基板上に存在するバルク音響
波共振器ユニットを有する電子構成要素並びにフィルタ
構成について述べる。 【解決手段】 生成された振動の音響絶縁のために、キ
ャリア基板（１）とバルク音響波共振器ユニットの間
に、反射要素（２）を設ける。この反射要素（２）は、
交互に高インピーダンスと低インピーダンスであるいく
つかの層で構成されるかか、または音響反射物質のイン
ピーダンスが十分に低い場合は、単一の層で構成される
かいずれかである。さらに、電子構成要素を製造する方
法並びに移動電話装置、送信機、受信機、および無線デ
ータ伝送システムについて述べる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はキャリア基板と、共
振器ユニットと、キャリア基板および共振器ユニットの
間の反射要素とを有するフィルタ構成に関する。また、
本発明はキャリア基板と、共振器ユニットと、キャリア
基板および共振器ユニットの間の反射要素とを有する電
子構成要素、およびそのような構成要素を製造する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】移動電話技術の分野の非常に急速な発展
およびコードレス電話装置の絶え間のない小型化によ
り、個々の構成要素に課せられる要求は増加して来てい
る。このようにして、他のシステムによる数が増加して
いる潜在的な干渉信号から受信機を保護するために、高
周波数領域での高い選択性が必要になっている。
【０００３】現在、セラミック電磁共振器を備えたフィ
ルタが、高周波領域でこの目的のために使用されてい
る。しかし、これらのフィルタの小型化は、電磁波長に
よって制限されている。表面音響波（ＳＡＷ）フィルタ
は、実質的に小さくなるように構成することができる。
これは、音響波長が電磁波長よりも４〜５桁小さいため
である。しかし、短所は、表面音響波フィルタは、多く
の場合に構造が複雑で、複雑なハウジングで保護しなけ
れならないことである。
【０００４】代わりの物がバルク音響波（ＢＡＷ）フィ
ルタで作られる。バルク音響波フィルタは、その大き
さ、パワー、およびＩＣ適合性に関しては有利である。
バルク音響波フィルタは、様々なタイプのバルク音響波
共振器で実現することができる。したがって、例えば、
単結晶共振器、膜を備えた共振器またはエアギャップを
有する共振器を使用することができる。
【０００５】原理的には、バルク音響波共振器は、３つ
の構成要素から作られる。第１の構成要素は圧電層を含
み、音響波を発生する。圧電層の上と下に構成された２
つの電極が、第２の構成要素である。第３の構成要素
は、圧電層で発生された振動からキャリア基板を音響的
に絶縁する働きをする。
【０００６】音響絶縁の可能性は、キャリア基板と共振
器ユニットの間に設けられる反射層で形成される。その
ような反射層は、交互に高音響インピーダンスと低音響
インピーダンスを有する層で構成される。個々の層の厚
さは、共振波長の４分の１である。これらの層の目的
は、それぞれの境界表面でできるだけ音響波を反射し、
このようにして音響エネルギーを共振器ユニットの内部
に保持することである。必要な層の数は、一方では、個
々の層の間の音響インピーダンスの差に依存し、他方で
は、達成すべき共振器の品質Ｑに依存する。
【０００７】個々の反射層は、様々な材料で作ることが
できる。多くの場合に使用される低音響インピーダンス
の材料は、音響インピーダンスが１３Ｇｇｍ−２ｓ−１
のＳｉＯ２である。高音響インピーダンスを有する層の
材料としては、音響インピーダンスが３４Ｇｇｍ−２ｓ
−１のＡｌＮ、音響インピーダンスが１０１Ｇｇｍ− ２
ｓ−１のＷ、および音響インピーダンスが４０Ｇｇｍ
−２ｓ−１のＨｆＯ２が用いられる。
【０００８】バルク音響波共振器は、ＷＯ９８／１６９
５７から知られ、そこには、例えばポリイミドのような
重合体が反射層の低音響インピーダンスの材料として使
用されている。低音響インピーダンスが２Ｇｇｍ−２ｓ
−１であるために、音響絶縁に必要な反射層の数を減ら
すことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、改良
されたバルク音響波フィルタを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的は、キャリア基
板と、共振器ユニットと、キャリア基板および共振器ユ
ニットの間の反射要素とを備え、その反射要素が音響反
射物質の層を含むことを特徴とするフィルタ構成で達成
される。
【００１１】音響反射物質は、重合体および多孔質物質
のグループに属することが好ましい。
【００１２】多孔質または重合体の音響反射物質は、音
響インピーダンスの値が小さいので、全音響エネルギー
を反射するのに一層のみで十分可能になる。この場合に
は、層の厚さが共振波長の４分の１でなければならない
という条件は省くこともできる。これによって、構造が
簡単になり、フィルタ構成の製造が安くなる。
【００１３】音響反射物質は、エーロゲル、キセロゲ
ル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂または
低密度の合成樹脂であることが特に好ましい。
【００１４】これらの材料の利点は、使用される材料に
依存して、インピーダンス値が最小で１０−２Ｇｇｍ
−２ｓ−１と非常に小さいことである。したがって、音
響インピーダンスは、最も好都合な場合には、空気の音
響インピーダンス（４・１０− ４Ｇｇｍ−２ｓ−１）よ
りも２桁の大きいだけである。
【００１５】反射要素は、低音響インピーダンスのどの
層にも音響反射物質を使用した交互に高音響インピーダ
ンスの層と低音響インピーダンスの層を含むのが好まし
いだろう。
【００１６】重合体および多孔質の音響反射物質の音響
インピーダンス値が低いので、全音響エネルギーを反射
するために必要な反射要素の層は非常に少なくてよい。
【００１７】高インピーダンスの材料は、ＨｆＯ２、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ、ＷｘＴｉ
１−ｘ（１≦ｘ≦１）、ダイアモンド、Ｔａ２Ｏ５、Ｐ
ｔ、Ｔｉ／Ｐｔまたは高密度の合成樹脂を含むのが好ま
しい。
【００１８】材料は、例えば化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）、物理的気相成長（ＰＣＶＤ）のような反応性スパ
ッタまたは真空堆積またはスピンコーティングのような
薄膜プロセスで形成することができる。
【００１９】さらに、このフィルタ構成では、層の厚さ
はいつも共振波長の４分の１であることが好ましい。
【００２０】共振波長の４分の１の層厚さで結合された
交互に高インピーダンスと低インピーダンスである一連
の層では、各層の反射は共振波長で同相で結合する。
【００２１】別の反射要素が共振器ユニットに構成され
るのが好ましい。
【００２２】共振器に別の反射要素を設けることは、一
方で、フィルタ構成の上の面に達する音響振動がなくな
るという利点がある。他方で、反射要素は、塵粒子など
による汚染から共振器ユニットを守る。共振器ユニット
の上および下に、最も好都合な場合には一層のみからな
る反射要素を設けることで、例えば半気密容器のような
他の保護方法よりも安価になる。
【００２３】また、有機および／または無機材料の保護
層をフィルタ構成の上に形成するのが好ましい。
【００２４】フィルタ構成は、保護層によって機械的荷
重および水分による腐食から保護される。
【００２５】キャリア基板が、セラミック材料、ガラス
平坦化層を有するセラミック材料、ガラス−セラミック
材料、ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサファイ
アを含むことが好ましい。
【００２６】セラミック材料、ガラス平坦化層を有する
セラミック、ガラス−セラミック材料またはガラス材料
のキャリア基板は、安価に製造することができ、これら
の構成要素のプロセスコストを安くすることができる。
フィルタ構成をＩＣに集積化する場合は、半導体材料で
作られたキャリア基板に、場合によっては、例えばＳｉ
Ｏ２またはガラスの不動態化層を設けることができる。
【００２７】さらに、共振器ユニットは、ランタン２％
をドープしたＰｂＺｒ０．１５Ｔｉ ０．８５Ｏ３の圧電
層を含むことが好ましい。
【００２８】ランタン２％をドープしたＰｂＺｒ
０．１５Ｔｉ０．８５Ｏ３は、フィルタ構成で特に優れ
た圧電特性を持っている。
【００２９】接着層を、キャリア基板と反射要素の間に
構成することが好ましい可能性がある。
【００３０】この層は、反射要素をキャリア基板に固定
するのに役立つ。
【００３１】さらに、本発明は、キャリア基板と、共振
器ユニットと、キャリア基板および共振器ユニットの間
の反射要素とを含み、その反射要素が音響反射物質の層
を含むフィルタ構成を備えた移動電話機器、送信機、受
信機、および無線データ伝送システムに関する。
【００３２】また、本発明は、キャリア基板と、共振器
ユニットと、キャリア基板および共振器ユニットの間の
反射要素とを備え、その反射要素が音響反射物質の層を
含む電子構成要素に関する。
【００３３】例えば、バルク音響波共振器のような安価
な構成要素は、反射要素として非常に低インピーダンス
の重合体および多孔質の音響反射物質を使用して製造す
ることができる。製造コストの低減は、第１に、反射要
素に１つの層を設けるだけでよいこと、さらに、この層
の厚さは必ずしも共振波長の４分の１である必要がない
ことで達成される。
【００３４】さらに、本発明は、キャリア基板、共振器
ユニット、音響反射物質で作られた反射要素を有する電
子構成要素を製造する方法に関し、その方法では、共振
器ユニットが基板層に形成され、音響反射物質の反射要
素が、共振器ユニットに形成され、キャリア基板が反射
要素に固定され、さらに、基板層が取り除かれる。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１において、バルク音響波フィ
ルタの構成は、例えば、セラミック材料、ガラス平坦化
層を有するセラミック材料、ガラス−セラミック材料、
ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサファイアで作
られたキャリア基板１を含む。シリコンまたはＧａＡｓ
がキャリア基板１として使用される場合には、例えばＳ
ｉＯ２またはガラスの不動態化層がさらに形成される。
重合体および多孔質物質を含むグループからの音響反射
物質の層である第１の反射要素２が、キャリア基板１上
に存在する。使用される可能性のある音響反射物質は、
例えば、エーロゲル、キセロゲル、ガラス発泡体、発泡
型接着剤、発泡合成樹脂または低密度の合成樹脂であ
る。使用される可能性のあるエーロゲルは、例えば、シ
リカゲルまたは多孔質ＳｉＯ２構造体で作られた無機エ
ーロゲル、または例えば、レゾシノール−ホルムアルデ
ヒドエーロゲル、メラミン−ホルムアルデヒドエーロゲ
ルまたはフェノール−ホルムアルデヒドエーロゲルのよ
うな有機エーロゲルである。使用される可能性のあるキ
セロゲルは、例えば、高濃縮ポリ珪酸のような無機キセ
ロゲル、にかわまたは寒天のような有機キセロゲルであ
る。使用される可能性のある発泡物質は、例えば、ポリ
スチロール、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ
ウレタン、ポリイソシアネート、ポリイソシアヌレー
ト、ポリカルボジイミド、ポリメタクリルイミド、ポリ
アクリルイミド、アクリル−ブタジエン−スチロール共
重合体、ポリプロピレンまたはポリエステルのような化
学的に発泡された重合体または物理的に発泡された重合
体である。さらに、例えば、フェノール−ホルムアルデ
ヒド樹脂またはフラン樹脂のような発泡合成樹脂が使用
される可能性があり、これらは炭化により高い多孔度を
持つ。使用される可能性のある低密度の合成樹脂は、例
えば、架橋ポリビニルエーテル、架橋ポリアリールエー
テル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ（ｐ−キシリ
レン）、ポリ（２−クロロ−ｐ−キシリレン）、ポリ
（ジクロロ−ｐ−キシリレン）、ポリベンゾシクロブテ
ン、スチロール−ブタジエン共重合体、エチレン−酢酸
ビニル重合体または有機シロキサン共重合体である。各
々が第１の電極３、圧電層４、および第２の電極５を有
する２個の共振器ユニットを、第１の反射要素２の上に
形成する。電極３と５は、低音響減衰の良導電性材料で
作られるのが好ましく、例えば、Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０
＜ｘ＜１），Ｐｔ（５０ｎｍ〜１μｍ），Ｔｉ（１〜２
０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ），Ｔｉ（１〜２０
ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ）／Ｔｉ（１〜２０ｎ
ｍ），Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされたＡｌ，
数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセント
のＭｇがドープされたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔ
ｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ
／Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘ
Ｐｄｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜
ｘ＜１），Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａ
ｇ／Ｐｔ１−ｘＡｌ ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒ
ｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ
／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜
ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ／ＲｕｙＰｔ
１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ
ｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／Ｐｔ
ｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１− ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜
１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔ
ｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒ
ｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ
／ＰｔｚＲｈ１−ｚ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ
＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜
１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜
ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１ −ｘ／Ｐｔ
ｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
ｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ
１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），
Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／
Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ
／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔ
ｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＷｘＴ
ｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ
１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ
／Ａｌ（０＜ｘ＜１），またはＴｉ／Ｃｕを含む可能性
がある。
【００３６】圧電層４に使用される材料は、例えば、Ａ
ｌＮ、ＺｎＯ、ＬａまたはＭｎのドーパントを含むまた
は含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１）、
ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＰｂＮｂ２Ｏ６またはポ
リフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）である可能性がある。
第２の反射要素６、例えば、エーロゲル、キセロゲル、
ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂または低密
度の合成樹脂の層を、圧電層４並びに第１の電極３およ
び第２の電極５の部分に形成する。代替えの構造は、当
業者によく知られている。有機および／または無機材料
の保護層７を、フィルタ構成全体の上に形成する。使用
される有機材料は、例えば、ポリベンゾシクロブテンま
たはポリイミドである可能性があり、および使用される
無機材料は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２またはＳｉ
ｘＯｙＮｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で
ある可能性がある。
【００３７】もしくは、反射要素２および６は、交互に
高インピーダンスと低インピーダンスであるいくつかの
層で構成することができる。その時に、低インピーダン
スの材料は、例えば、有機または無機のエーロゲル、有
機または無機のキセロゲル、ガラス発泡体、発泡型接着
剤、発泡合成樹脂または低密度の合成樹脂である可能性
がある。高音響インピーダンスの材料は、例えば、Ｈｆ
Ｏ２、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ、
ＷｘＴｉ１−ｘ（０≦ｘ≦１）、ダイアモンド、Ｔａ２
Ｏ５、Ｐｔ、Ｔｉ／Ｐｔ、または例えば高密度ポリエチ
レン（ＨＤＰＥ）のような高密度の合成樹脂である可能
性がある。
【００３８】さらに、本発明の別の実施形態では、第２
の反射要素６および／または保護層７を省略することが
できる。
【００３９】他の方法では、例えばアクリル酸にかわま
たはエポキシドにかわで作られた追加の接着層を、反射
要素２とキャリア基板１の間に形成する。アクリル酸に
かわは、例えば、接着工程中に重合するアクリルまたは
メタクリル単量体を含むことができる。
【００４０】さらに、層の厚さが３０から３００ｎｍの
間であるＳｉＯ２の層を、多孔質ＳｉＯ２で作られた反
射要素２の上および／または下に形成することができ
る。
【００４１】さらに、フィルタ構成に、少なくとも１つ
の第１および少なくとも１つの第２の電流供給用コンタ
クトを設けることができる。例えば、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｎｉ
／ＳｎまたはＣｒ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ
／Ｎｉ、Ｐｂ／Ｓｎの電気メッキＳＭＤエンドコンタク
トまたはバンプエンドコンタクト、またはコンタクト表
面が、電流供給用コンタクトとして使用できる。
【００４２】図２は総計９個の共振器ユニットＭ１から
Ｍ５およびＮ１からＮ４のフィルタ構成を示す。５個の
共振器ユニットＭ１からＭ５は、入力８と出力９の間に
直列に接続されている。４個の別の共振器ユニットＮ１
からＮ４は、並列に前記５個の共振器ユニットＭ１から
Ｍ５に接続されている。４個の共振器ユニットＮ１から
Ｎ４の各々の１つの端子は、接地電位に接続されてい
る。共振器ユニットＮ１の他の端子は、共振器ユニット
Ｍ１とＭ２の間に接続されている。共振器ユニットＮ２
の他の端子は、共振器ユニットＭ２とＭ３の間に接続さ
れている。共振器ユニットＮ３の他の端子は、共振器ユ
ニットＭ３とＭ４の間に接続され、最後に、共振器ユニ
ットＮ４の他の端子は、共振器ユニットＭ４とＭ５の間
に接続されている。
【００４３】図３で、電子構成要素は、例えば、セラミ
ック材料、ガラス平坦化層を有するセラミック材料、ガ
ラス−セラミック材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサフ
ァイアで作られたキャリア基板１を含む。シリコンまた
はＧａＡｓがキャリア基板１として使用される場合は、
例えば、ＳｉＯ２またはガラスの追加の不動態化層を形
成する。いくつかの層、すなわち、底の層１０、中央の
層１１および上の層１２を含む反射要素２を、キャリア
基板１の上に形成する。個々の層の厚さは、共振波長の
４分の１である。底の層１０および上の層１２は低音響
インピーダンスの材料で作られ、重合体および多孔質物
質のグループからの音響反射物質を含む。使用される音
響反射物質は、例えば、エーロゲル、キセロゲル、ガラ
ス発泡体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂または低密度の
合成樹脂である可能性がある。使用されるエーロゲル
は、例えば、シリカゲルまたは多孔質ＳｉＯ２構造体で
作られた無機エーロゲル、または例えば、レゾシノール
−ホルムアルデヒドエーロゲル、メラミン−ホルムアル
デヒドエーロゲルまたはフェノール−ホルムアルデヒド
エーロゲルのような有機エーロゲルである可能性があ
る。使用されるキセロゲルは、例えば、高濃縮ポリ珪酸
のような無機キセロゲル、にかわまたは寒天のような有
機キセロゲルである可能性がある。発泡物質は、例え
ば、ポリスチロール、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニ
ル、ポリウレタン、ポリイソシアネート、ポリイソシア
ヌレート、ポリカルボジイミド、ポリメタクリルイミ
ド、ポリアクリルイミド、アクリル−ブタジエン−スチ
ロール共重合体、ポリプロピレンまたはポリエステルの
ような化学的に発泡された重合体または物理的に発泡さ
れた重合体である可能性がある。さらに、例えば、フェ
ノール−ホルムアルデヒド樹脂またはフラン樹脂のよう
な発泡合成樹脂が使用される可能性があり、これらは、
炭化により高い多孔度を持つ。使用される低密度の合成
樹脂は、例えば、架橋ポリビニルエーテル、架橋ポリア
リールエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
（ｐ−キシリレン）、ポリ（２−クロロ−ｐ−キシリレ
ン）、ポリ（ジクロロ−ｐ−キシリレン）、ポリベンゾ
シクロブテン、スチロール−ブタジエン共重合体、エチ
レン−酢酸ビニル重合体または有機ポリシロキサン重合
体である可能性がある。中央の層１１の音響インピーダ
ンスは、底の層１０および上の層１２の音響インピーダ
ンスよりも高い。中央の層１１は、例えば、ＨｆＯ２、
Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ、ＷｘＴ
ｉ１−ｘ、ダイアモンド、Ｔａ２Ｏ５、Ｐｔ、Ｔｉ／Ｐ
ｔ、または例えば、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）の
ような高密度の合成樹脂のような高音響インピーダンス
を有する材料で作る。第１の電極３、圧電層４、および
第２の電極５を、上の層１２の上に形成する。電極３と
５は、低音響減衰の良導電性材料で作るのが好ましく、
例えばＡｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ（５０ｎ
ｍ〜１μｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６
００ｎｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６０
０ｎｍ）／Ｔｉ（１〜２０ｎｍ），Ａｌ，数パーセント
のＣｕがドープされたＡｌ，数パーセントのＳｉがドー
プされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドープされたＡ
ｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，
Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔ
ｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜
ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｄｘ（０＜ｘ＜１），Ｔ
ｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ１−ｘＡｌ
ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／Ｉ
ｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ
ｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ
１−ｘ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／
Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ／ＲｕｙＰｔ１−ｙ（０＜ｘ＜
２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ１−ｘ（０＜ｘ＜
１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０
＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯ
ｘ）１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲ
ｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ／ＰｔｚＲｈ１−ｚ
（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
ｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ
１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），
Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１− ｘ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜
１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ
（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔ
ｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／
Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ １−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）
（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜
ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），また
はＴｉ／Ｃｕを含む可能性がある。圧電層４に使用され
る材料は、例えば、ＡｌＮ，ＺｎＯ，ＬａまたはＭｎの
ドーパントを含むか含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３
（０＜ｘ＜１），ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＰｂＮ
ｂ２Ｏ６，Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），
［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ−［ＰｂＴｉ
Ｏ３］１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＢａＴｉＯ３，Ｋ１−ｘ
ＮａｘＮｂＯ３（０＜ｘ＜１），（Ｃｄ，Ｎａ）ＮｂＯ
３，（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ，Ｐｂ，Ｂ
ａ）ＴｉＯ３，Ｂｉ７Ｔｉ４ＮｂＯ２１，（Ｂａ１−ｘ
Ｓｒｘ）２ＮａＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），（Ｂａ
１−ｘＳｒｘ）２ＫＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１）， ａ）Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３， ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３， ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３， ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３， ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３， ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３，化合物ａ）か
らｆ）とＰｂＴｉＯ３との組合せ、および、過剰な鉛を
含むおよび含まないＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３
またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）でありうる。
【００４４】もしくは、別の反射要素６を第２の電極５
の上に形成することができる。その反射要素は、非常に
低い音響インピーダンスの材料の層かまたは交互に高イ
ンピーダンスと低インピーダンスであるいくつかの層か
いずれかを含む。
【００４５】また、反射要素２は、層厚さが共振波長の
４分の１である必要が必ずしもない単一の層だけまたは
３層よりも多い層を含むことができる。
【００４６】さらに、層厚さが３０から３００ｎｍの間
のＳｉＯ２の層を、多孔質ＳｉＯ２の反射要素２の上お
よび下に形成することができる。
【００４７】さらに、有機および／または無機材料の保
護層を、構成要素全体の上に形成することができる。使
用される有機材料は、例えば、ポリベンゾシクロブテン
またはポリイミドである可能性があり、および使用され
る無機材料は、例えば、Ｓｉ ３Ｎ４、ＳｉＯ２またはＳ
ｉｘＯｙＮｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）
である可能性がある。
【００４８】さらに他の実施形態では、例えば、アクリ
ル酸にかわまたはエポキシドにかわの追加の接着層を、
反射要素２とキャリア基板１の間に形成する。アクリル
酸にかわは、例えば、接着工程中に重合するアクリルま
たはメタクリル単量体を含む可能性がある。
【００４９】電子構成要素の互いに対向する面に、少な
くとも１つの第１および少なくとも１つの第２の電流供
給用コンタクトを設けることができる。使用される電流
供給用コンタクトは、例えば、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｎｉ／Ｓｎ
またはＣｒ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｎ
ｉ、Ｐｂ／Ｓｎの電気メッキＳＭＤエンドコンタクトま
たはバンプエンドコンタクトまたはコンタクト表面であ
る可能性がある。
【００５０】製造された構成要素は、例えば、バルク音
響波共振器である可能性がある。これらのバルク音響波
共振器のいくつかを結合して、バルク音響波フィルタの
構成にすることができる。
【００５１】図４は、本発明による電子構成要素を製造
する可能性を示す。ここで、第１のステップで、第１の
電極３、圧電層４、および第２の電極５を含む共振器ユ
ニットが基板層１３に堆積される（図４のステップ
１）。基板層１３は、例えば、セラミック材料、ガラス
平坦化層を有するセラミック材料、ガラス−セラミック
材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサファイアで作られる
可能性がある。シリコンまたはＧａＡｓが基板層１３に
使用される場合には、例えばＳｉＯ２またはガラスの不
動態化層が追加して形成される。電極３および５は、低
音響減衰の良導電性材料で作られるのが好ましく、例え
ば、Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ（５０ｎｍ
〜１μｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６０
０ｎｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎｍ）／Ｐｔ（２０〜６００
ｎｍ）／Ｔｉ（１〜２０ｎｍ），Ａｌ，数パーセントの
ＣｕがドープされたＡｌ，数パーセントのＳｉがドープ
されたＡｌ，数パーセントのＭｇがドープされたＡｌ，
Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ
／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／
Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜
１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｄｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／
Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ１−ｘＡｌ
ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／Ｉ
ｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ
ｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ
１−ｘ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／
Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ／ＲｕｙＰｔ１−ｙ（０＜ｘ＜
２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ１−ｘ（０＜ｘ＜
１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０
＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯ
ｘ）１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲ
ｈ１− ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１ −ｙ／ＰｔｚＲｈ１−ｚ
（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
ｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ
１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），
Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜
１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ
（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔ
ｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／
Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）
（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜
ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），また
はＴｉ／Ｃｕを含む可能性がある。圧電層４に使用され
る材料は、例えばＡｌＮ，ＺｎＯ，ＬａまたはＭｎのド
ーパントを含むか含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ
３（０＜ｘ＜１），ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，Ｐｂ
Ｎｂ２Ｏ６，Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜
１），［Ｐｂ（Ｍｇ１／ ３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ−［Ｐ
ｂＴｉＯ３］１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＢａＴｉＯ ３，Ｋ
１−ｘＮａｘＮｂＯ３（０＜ｘ＜１），（Ｃｄ，Ｎａ）
ＮｂＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ，Ｐ
ｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３，Ｂｉ７Ｔｉ４ＮｂＯ ２１，（Ｂａ
１−ｘＳｒｘ）２ＮａＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），
（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）２ＫＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜
１）， ａ）Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３， ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３， ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３， ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３， ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３， ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３，化合物ａ）か
らｆ）とＰｂＴｉＯ３との組合せ、および、過剰な鉛を
含むおよび含まないＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３
またはポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）でありうる。
重合体および多孔質物質のグループからの音響反射物質
で作られた反射要素２を、第２の電極５の上に形成する
（図４のステップ２）。使用される音響反射物質は、例
えば、エーロゲル、キセロゲル、ガラス発泡体、発泡型
接着剤、発泡合成樹脂または低密度の合成樹脂である可
能性がある。エーロゲルは、例えば、シリカゲルまたは
多孔質ＳｉＯ２構造体で作られた無機エーロゲル、また
は例えば、レゾシノール−ホルムアルデヒドエーロゲ
ル、メラミン−ホルムアルデヒドエーロゲルまたはフェ
ノール−ホルムアルデヒドエーロゲルのような有機エー
ロゲルである可能性がある。使用されるキセロゲルは、
例えば、高濃縮ポリ珪酸のような無機キセロゲル、また
はにかわまたは寒天のような有機キセロゲルである可能
性がある。発泡合成樹脂は、例えば、ポリスチロール、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポ
リイソシアネート、ポリイソシアヌレート、ポリカルボ
ジイミド、ポリメタクリルイミド、ポリアクリルイミ
ド、アクリル−ブタジエン−スチロール共重合体、ポリ
プロピレンまたはポリエステルのような化学的または物
理的に発泡された重合体である可能性がある。さらに、
例えば、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂またはフラ
ン樹脂のような発泡合成樹脂が使用される可能性があ
り、これらは、炭化により高い多孔度を持つ。使用され
る低密度の合成樹脂は、例えば、架橋ポリビニルエーテ
ル、架橋ポリアリールエーテル、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（２−クロロ−
ｐ−キシリレン）、ポリ（ジクロロ−ｐ−キシリレ
ン）、ポリベンゾシクロブテン、スチロール−ブタジエ
ン共重合体、エチレン−酢酸ビニル重合体または有機シ
ロキサン重合体である可能性がある。ガラス、ガラス−
セラミック材料、ガラス平坦化層を有するガラス−セラ
ミック材料、ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサ
ファイアで作られたキャリア基板１を、使用される材料
の接着特性を使用して、または例えば、アクリル酸にか
わまたはエポキシドにかわの追加の接着層を使用して、
この反射要素２に固定する（図４のステップ３）。キャ
リア基板１に、シリコンまたはＧａＡｓが使用される場
合は、例えばＳｉＯ２またはガラスで作られた追加の不
動態化層を形成する。次に、基板１３を、機械的または
化学的に取り除く（図４のステップ４）。
【００５２】ＬａまたはＭｎのドーパントを含むまたは
含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１）を圧
電材料４の材料として使用する場合は、ＴｉＯ２、Ａｌ
２Ｏ ３またはＺｒＯ２の反射防止層を基板層１３と第１
の電極３の間に形成することができる。
【００５３】本発明による電子構成要素を製造する他の
方法では、反射要素２を所望のキャリア基板１上に直接
に堆積する。その後で、第１の電極３、第２の電極５お
よび圧電層４で構成される共振器ユニットを形成する。
あるいは、反射要素２は、交互に高インピーダンスと低
インピーダンスであるいくつかの層を含むことができ
る。
【００５４】全ての場合に、有機および／または無機材
料の保護層７を、構成要素全体の上に形成することがで
きる。使用される有機材料は、例えば、ポリベンゾシク
ロブテンまたはポリイミドである可能性があり、無機材
料は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２またはＳｉｘＯｙ
Ｎｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）である可
能性がある。
【００５５】もしくは、反射要素を、構成要素の共振器
ユニットの下または上に形成することができる。別の反
射要素６は、非常に低い音響インピーダンスを有する材
料の層かまたは交互に高インピーダンスと低インピーダ
ンスであるいくつかの層かいずれかを含む。
【００５６】さらに、層厚さが３０から３００ｎｍの間
であるＳｉＯ２の層を、多孔質ＳｉＯ２の反射要素２ま
たは６の上および／または下に形成することができる。
【００５７】少なくとも１つの第１と少なくとも１つの
第２の電流供給用コンタクトを、電子構成要素の互いに
対向する面に形成することができる。電流供給用コンタ
クトは、例えば、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／
Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｎｉ、Ｐｂ／Ｓｎ
の電気メッキＳＭＤエンドコンタクトまたはバンプエン
ドコンタクトまたはコンタクト表面である可能性があ
る。
【００５８】本発明を実現する方法の例を示す本発明の
実施形態を以下に詳細に説明する。
【００５９】実施形態１ 最初に、アクリル酸にかわの接着層をガラスのキャリア
基板１に堆積し、その上に多孔質ＳｉＯ２の層を反射要
素２として堆積する。Ｐｔの第１の電極３を反射要素２
の所定部分に堆積する。ＡｌＮの圧電層４を第１の電極
３および反射要素２のある部分に形成する。Ａｌの第２
の電極５を圧電層４および反射要素２のある部分に堆積
する。圧電層４および２つの電極３、５を堆積し、総計
９個の共振器ユニットＭ１からＭ５およびＮ１からＮ４
を含む図２によるフィルタ構成が作られるように構成す
る。５個の共振器ユニットＭ１からＭ５は直列に接続
し、４個の別の共振器ユニットＮ１からＮ４は、並列
に、これらの５個の共振器ユニットＭ１からＭ５に接続
する。４個の共振器ユニットＮ１からＮ４の各々の一方
の端子は、接地電位に接続し、他方で、共振器ユニット
Ｎ１からＮ４の他方の端子各々は、５個の共振器ユニッ
トＭ１からＭ５のそれぞれの対の間に位置つける。Ｓｉ
Ｏ２の保護層７を、フィルタ構成全体の上に形成する。
第２電極５へのコンタクトホールを、エッチングを用い
て保護層７に開ける。Ｃｒ／Ｃｕのバンプエンドコンタ
クトをコンタクトホールに成長する。このようにして得
られたフィルタ構成は、移動電話で帯域フィルタとして
使用される。
【００６０】実施形態２ いくつかの層を含む反射要素２を持つフィルタ構成を実
現するために、最初に、アクリル酸にかわの接着層をガ
ラスのキャリア基板１の上に堆積し、その上に多孔質Ｓ
ｉＯ２の下の層１０を堆積する。Ｔａ２Ｏ５の中央の層
１１を下の層１０の上に堆積する。その後で、多孔質Ｓ
ｉＯ２の上の層１２を中央の層１１の上に形成する。Ｍ
ｏの第１の電極３を上の層１２のある部分に堆積する。
ＡｌＮの圧電層４を第１の電極３および上の層１２のあ
る部分に形成する。Ａｌの第２の電極５を圧電層４およ
び上の層１２のある部分に堆積する。圧電層４および２
つの電極３、５を堆積し、総計９個の共振器ユニットＭ
１からＭ５およびＮ１からＮ４を含む図２によるフィル
タ構成が作られるように構成する。５個の共振器ユニッ
トＭ１からＭ５は直列に接続し、４個の別の共振器ユニ
ットＮ１からＮ４は、並列に、これらの５個の共振器ユ
ニットＭ１からＭ５に接続する。４個の共振器ユニット
Ｎ１からＮ４の各々の一方の端子は、接地電位に接続
し、一方で、共振器ユニットＮ１からＮ４の他方の端子
は、５個の共振器ユニットＭ１からＭ５のそれぞれの対
の間に位置つける。ＳｉＯ２の保護層７は、フィルタ構
成全体の上に形成する。第２電極５へのコンタクトホー
ルは、エッチングを用いて保護層７に開ける。Ｃｒ／Ｃ
ｕのバンプエンドコンタクトをコンタクトホールに成長
する。このようにして得られたフィルタ構成は、移動電
話で帯域フィルタとして使用される。
【００６１】実施形態３ いくつかの層を含む反射要素２を持つ電子構成要素を実
現するために、最初に、アクリル酸にかわの接着層をガ
ラスのキャリア基板１の上に堆積し、その上に多孔質Ｓ
ｉＯ２の下の層１０を堆積する。Ｔａ２Ｏ５の中央の層
１１を下の層１０の上に堆積する。その後で、多孔質Ｓ
ｉＯ２の上の層１２を中央の層１１の上に形成する。Ｐ
ｔの第１の電極３を上の層１２上に形成し、ＰｂＺｒ
０．３５Ｔｉ０．６５Ｏ３の圧電層４を電極の上に堆積
する。Ｐｔ／Ｔｉの第２の電極５を圧電層４の上に形成
する。構成要素全体にＳｉＯ２の保護層を設ける。さら
に、電流供給用コンタクトとして働くように、Ｃｒ／Ｃ
ｕ、Ｎｉ／ＳｎのＳＭＤエンドコンタクトを構成要素の
互いに対向する面に固定する。
【００６２】実施形態４ バルク音響波共振器は、第１の電極３、圧電層４、およ
び第２の電極５を含む共振器ユニットを、ＳｉＯ２の不
動態化層を有するＳｉ基板層１３の上に形成することで
製造される。第１の電極３は、Ｔｉ／Ｐｔを含み、一方
で、第２の電極５はＰｔで作る。圧電層４は、ＡｌＮを
含む。次のステップで、反射要素２として働く多孔質Ｓ
ｉＯ２の層を第２の電極５の上に形成する。アクリル酸
にかわを用いて、ガラスのキャリア基板１をこの反射要
素２に固定する。次に、基板層１３のＳｉ層をエッチン
グ除去する。第１の電極３にコンタクトをとるためのコ
ンタクトホールを残っているＳｉＯ２層にエッチングす
る。次に、Ｃｒ／Ｃｕのバンプエンドコンタクトを、コ
ンタクトホールに成長する。
【００６３】実施形態５ バルク音響波共振器を製造するために、第１の電極３、
圧電層４、および第２の電極５を含む共振器ユニット
を、ＳｉＯ２の不動態化層を有するＳｉの基板１３の上
に形成する。第１の電極３は、Ｔｉ／Ｐｔを含み、一方
で、第２の電極５はＰｔで作る。圧電層４は、ＰｂＺｒ
０．３５Ｔｉ０．６５Ｏ３を含む。次のステップで、反
射要素２として働くように多孔質ＳｉＯ２の層を第２の
電極５の上に形成する。アクリル酸にかわを用いて、ガ
ラスのキャリア基板１をこの反射要素２に固定する。次
に、基板１３のＳｉ層をエッチング除去する。第１の電
極３にコンタクトをとるためのコンタクトホールをＳｉ
Ｏ２の残っている層にエッチングする。次に、Ｃｒ／Ｃ
ｕのバンプエンドコンタクトを、コンタクトホールに成
長する。
【００６４】実施形態６ バルク音響波共振器を製造するために、第１の電極３、
圧電層４、および第２の電極５を含む共振器ユニット
を、ＳｉＯ２の不動態化層を有するＳｉの基板１３の上
に形成する。第１の電極３は、Ｔｉ／Ｐｔを含み、第２
の電極５はＰｔを含む。圧電層４は、ＰｂＺｒ０．１５
Ｔｉ０．８５Ｏ３を含み、スピニング工程で製造され
る。次のステップで、厚さ３０ｎｍのＳｉＯ２の層、多
孔質ＳｉＯ２の反射要素２および厚さ３００ｎｍのＳｉ
Ｏ２の層を、第２の電極５の上に形成する。アクリル酸
にかわを用いて、ガラスのキャリア基板１をこの組立品
に固定する。次に、基板１３のＳｉ層をエッチング除去
する。第１の電極３にコンタクトをとるためのコンタク
トホールをＳｉＯ２の残っている層にエッチングする。
次に、Ｃｒ／Ｃｕのバンプエンドコンタクトを、コンタ
クトホールに成長する。
【００６５】実施形態７ バルク音響波共振器を製造するために、第１の電極３、
圧電層４、および第２の電極５を含む共振器ユニット
を、ＳｉＯ２の不動態化層を有するＳｉの基板１３上に
形成する。第１の電極３は、Ｔｉ／Ｐｔを含み、第２の
電極５はＷ０．９Ｔｉ０．１／Ａｌ（Ｃｕ）を含む。圧
電層４は、ＰｂＺｒ０．３５Ｔｉ０．６５Ｏ３を含み、
スピニング工程で製造される。次のステップで、厚さ３
０ｎｍのＳｉＯ２の層、多孔質ＳｉＯ２の反射要素２お
よび厚さ３００ｎｍのＳｉＯ２の層を、第２の電極５の
上に形成する。アクリル酸にかわを用いて、ガラスのキ
ャリア基板１をこの組立品に固定する。次に、基板１３
のＳｉ層をエッチング除去する。第１の電極３のコンタ
クトをとるためのコンタクトホールをＳｉＯ２の残って
いる層にエッチングする。次に、Ｃｒ／Ｃｕのバンプエ
ンドコンタクトを、コンタクトホールに成長する。
【００６６】実施形態８ バルク音響波共振器を製造するために、第１の電極３、
圧電層４、および第２の電極５を含む共振器ユニット
を、ＳｉＯ２不動態化層を有するＳｉの基板１１上に形
成する。第１および第２の電極各々は、Ｔｉ／Ｐｔを含
む。圧電層４は、ランタン２％をドーピングした組成Ｐ
ｂＺｒ０．１５Ｔｉ０．８５Ｏ３のＰＬＺＴ層を含む。
次のステップで、厚さ３０ｎｍのＳｉＯ２の層、多孔質
ＳｉＯ２の反射要素２および厚さ３００ｎｍのＳｉＯ２
の層を、第２の電極５の上に形成する。アクリル酸にか
わを用いて、ガラスのキャリア基板１をこの組立品に固
定する。次に、基板１３のＳｉ層をエッチング除去す
る。第１の電極３のコンタクトをとるためのコンタクト
ホールをＳｉＯ２の残っている層にエッチングする。次
に、Ｃｒ／Ｃｕのバンプエンドコンタクトを、コンタク
トホールに成長する。
【００６７】４つの図と８個の実施形態を参照して、上
により詳細に本発明を説明した。
【図面の簡単な説明】
【図１】バルク音響波フィルタの構成の実施形態を断面
図で示す。
【図２】バルク音響波フィルタの構成の回路図を示す。
【図３】２つの反射要素を有するバルク音響波共振器を
断面図で示す。
【図４】バルク音響波共振器の製造を表す流れ図であ
る。
フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 マライケ、クレー ドイツ連邦共和国ヒッケルホーフェン、ラ ンデラター、ウェーク、27 (72)発明者 ルーカス、ライテン オランダ国5611、ハーイェー、アインドー フェン、ペーエル．ヘントリックシュトラ ート、99

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】キャリア基板と、共振器ユニットと、前記
    キャリア基板および前記共振器ユニットの間の反射要素
    とを有するフィルタ構成であって、前記反射要素が音響
    反射物質の層を含むことを特徴とするフィルタ構成。
  2. 【請求項２】前記音響反射物質が、重合体および多孔質
    物質のグループから選ばれることを特徴とする、請求項
    １に記載のフィルタ構成。
  3. 【請求項３】前記音響反射物質が、エーロゲル、キセロ
    ゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂また
    は低密度の合成樹脂であることを特徴とする、請求項１
    に記載のフィルタ構成。
  4. 【請求項４】前記反射要素が、交互に高音響インピーダ
    ンスの層と低音響インピーダンスの層を含み、音響反射
    物質が低インピーダンスのどの層にも使用されることを
    特徴とする、請求項１に記載のフィルタ構成。
  5. 【請求項５】高インピーダンスの材料が、ＨｆＯ２、Ｍ
    ｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ、ＷｘＴｉ
    １−ｘ（０≦ｘ≦１）、ダイアモンド、Ｔａ２Ｏ５、Ｐ
    ｔ、Ｔｉ／Ｐｔまたは高密度の合成樹脂を含むことを特
    徴とする、請求項３に記載のフィルタ構成。
  6. 【請求項６】各々の層の厚さが、共振波長の４分の１で
    あることを特徴とする、請求項３に記載のフィルタ構
    成。
  7. 【請求項７】別の反射要素が、前記共振器に構成される
    ことを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ構成。
  8. 【請求項８】有機および／または無機材料の保護層が前
    記フィルタ構成の上に形成されることを特徴とする、請
    求項１に記載のフィルタ構成。
  9. 【請求項９】前記キャリア基板が、セラミック材料、ガ
    ラス平坦化層を有するセラミック材料、ガラス−セラミ
    ック材料、ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサフ
    ァイアを含むことを特徴とする、請求項１に記載のフィ
    ルタ構成。
  10. 【請求項１０】 前記共振器ユニットが、ランタン２％
    をドープしたＰｂＺｒ０．１５Ｔｉ０．８５Ｏ３の圧電
    層を含むことを特徴とする、請求項１に記載のフィルタ
    構成。
  11. 【請求項１１】ＳｉＯ２の層が、反射要素の上および下
    に存在することを特徴とする、請求項１に記載のフィル
    タ構成。
  12. 【請求項１２】接着層が、前記キャリア基板と前記反射
    要素の間に構成されることを特徴とする、請求項１に記
    載のフィルタ構成。
  13. 【請求項１３】キャリア基板と、共振器ユニットと、前
    記キャリア基板および前記共振器ユニットの間の反射要
    素とを有し、前記反射要素が音響反射物質の層を含むこ
    とを特徴とする、フィルタ構成を設けた移動電話装置。
  14. 【請求項１４】キャリア基板と、共振器ユニットと、前
    記キャリア基板および前記共振器ユニットの間の反射要
    素とを有し、前記反射要素が音響反射物質の層を含むこ
    とを特徴とする、フィルタ構成を設けた送信機。
  15. 【請求項１５】キャリア基板と、共振器ユニットと、前
    記キャリア基板および前記共振器ユニットの間の反射要
    素とを有し、前記反射要素が音響反射物質の層を含むこ
    とを特徴とする、フィルタ構成を設けた受信機。
  16. 【請求項１６】キャリア基板と、共振器ユニットと、前
    記キャリア基板および前記共振器ユニットの間の反射要
    素とを有し、前記反射要素が音響反射物質の層を含むこ
    とを特徴とする、フィルタ構成を設けた無線データ伝送
    システム。
  17. 【請求項１７】キャリア基板と、共振器ユニットと、前
    記キャリア基板および前記共振器ユニットの間の反射要
    素とを有する電子構成要素であって、前記反射要素が音
    響反射物質の層を含むことを特徴とする、フィルタ構成
    を設けた電子構成要素。
  18. 【請求項１８】キャリア基板、共振器ユニット、および
    音響反射物質で作られた反射要素を有する電子構成要素
    を製造する方法であって、基板層の上に共振器ユニット
    を設けるステップと、音響反射物質で作られた反射要素
    を前記共振器ユニットに設けるステップと、キャリア基
    板を前記反射要素に固定し、それから前記基板層を取り
    除くステップとを含む方法。
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