JP2001217675A - フィルタ構成、その製造方法、これを用いた移動電話機、受信機、送信機、データ伝送システム - Google Patents
フィルタ構成、その製造方法、これを用いた移動電話機、受信機、送信機、データ伝送システムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 帯域フィルタとノッチフィルタを有するフィ
ルタ構成を改良する。 【解決手段】 キャパシタとインダクタンスを有するノ
ッチフィルタの、共振器を有する帯域フィルタへの接続
は帯域外での良好な抑制を達成する。２つのフィルタは
基板（１）上に小さいスペースで薄膜技術を用いて製造
できる。さらに、このようなフィルタ構成を有する送信
機、受信機、移動電話機器、無線データ伝送システム、
このフィルタ構成の製造方法と同様に開示される。
ルタ構成を改良する。 【解決手段】 キャパシタとインダクタンスを有するノ
ッチフィルタの、共振器を有する帯域フィルタへの接続
は帯域外での良好な抑制を達成する。２つのフィルタは
基板（１）上に小さいスペースで薄膜技術を用いて製造
できる。さらに、このようなフィルタ構成を有する送信
機、受信機、移動電話機器、無線データ伝送システム、
このフィルタ構成の製造方法と同様に開示される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフィルタの構成に関
する。本発明はさらにフィルタ構成を有する送信器、受
信器、移動電話器、および無線データ送信システム、さ
らにフィルタ構成を製造する方法にも関する。
する。本発明はさらにフィルタ構成を有する送信器、受
信器、移動電話器、および無線データ送信システム、さ
らにフィルタ構成を製造する方法にも関する。
【０００２】
【従来の技術】移動電話技術の分野の非常に急速な発展
およびコードレス電話装置の絶え間のない小型化によ
り、個々の構成要素に課せられる要求は増加して来てい
る。他のシステムからの干渉信号の数の増加に対して受
信機を保護するために、高周波数領域での高い選択性が
必要になっている。これは、例えば、限られた帯域の周
波数のみを通過させ、その帯域よりも上あるいは下のす
べての周波数を抑制する帯域フィルタにより達成され
る。
およびコードレス電話装置の絶え間のない小型化によ
り、個々の構成要素に課せられる要求は増加して来てい
る。他のシステムからの干渉信号の数の増加に対して受
信機を保護するために、高周波数領域での高い選択性が
必要になっている。これは、例えば、限られた帯域の周
波数のみを通過させ、その帯域よりも上あるいは下のす
べての周波数を抑制する帯域フィルタにより達成され
る。
【０００３】現在、この目的のために使用されている素
子として、セラミック電磁共振器を備えたフィルタがあ
る。しかし、これらのフィルタの小型化は、電磁波長に
よって制限されている。いわゆる表面音響波（ＳＡＷ）
フィルタにより、より小さい設計が達成されている。こ
れは、音響波長が電磁波長よりも４〜５桁小さいためで
ある。しかしながら、短所は、表面音響波フィルタは、
多くの場合に構造が複雑で、複雑なハウジングで保護し
なけれならないことである。代わりの物がバルク音響波
（ＢＡＷ）フィルタで作られる。バルク音響波フィルタ
は、その大きさ、パワー、およびＩＣ適合性に関しては
有利である。
子として、セラミック電磁共振器を備えたフィルタがあ
る。しかし、これらのフィルタの小型化は、電磁波長に
よって制限されている。いわゆる表面音響波（ＳＡＷ）
フィルタにより、より小さい設計が達成されている。こ
れは、音響波長が電磁波長よりも４〜５桁小さいためで
ある。しかしながら、短所は、表面音響波フィルタは、
多くの場合に構造が複雑で、複雑なハウジングで保護し
なけれならないことである。代わりの物がバルク音響波
（ＢＡＷ）フィルタで作られる。バルク音響波フィルタ
は、その大きさ、パワー、およびＩＣ適合性に関しては
有利である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際、
このフィルタは通過帯域より外にある周波数を完全に除
くことはできず、一定の割合で残る。これは例えば移動
電話や基地局の高周波部分における信号フィルタリング
などの特定の用途には不十分である。
このフィルタは通過帯域より外にある周波数を完全に除
くことはできず、一定の割合で残る。これは例えば移動
電話や基地局の高周波部分における信号フィルタリング
などの特定の用途には不十分である。
【０００５】本発明の目的は通過帯域の外側での改良さ
れた抑制を示す帯域フィルタリング機能を有するフィル
タを提供することである。
れた抑制を示す帯域フィルタリング機能を有するフィル
タを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的は、基板上に互
いに接続された帯域フィルタおよびノッチフィルタが設
けられるフィルタ構成により達成される。
いに接続された帯域フィルタおよびノッチフィルタが設
けられるフィルタ構成により達成される。
【０００７】ノッチフィルタは、帯域フィルタの入力と
接地間、あるいは帯域フィルタの出力と接地間に接続さ
れることが有利である。
接地間、あるいは帯域フィルタの出力と接地間に接続さ
れることが有利である。
【０００８】帯域フィルタとノッチフィルタの接続は、
所望の周波数で帯域フィルタの遮断帯域におけるより良
い抑制を得ることが可能となる。
所望の周波数で帯域フィルタの遮断帯域におけるより良
い抑制を得ることが可能となる。
【０００９】帯域フィルタおよびノッチフィルタは薄膜
フィルタであることが好ましい。
フィルタであることが好ましい。
【００１０】基板上に薄膜技術によって２つのフィルタ
を実現することは、このようなフィルタ構成が小さい寸
法の中に収まることを意味する。
を実現することは、このようなフィルタ構成が小さい寸
法の中に収まることを意味する。
【００１１】帯域フィルタは共振器のフィルタ構成を有
していることが特に好ましい。
していることが特に好ましい。
【００１２】フィルタ構成はバルク音響波共振器、表面
音響波共振器、またはセラミック電磁共振器を有してい
ることがさらに好ましい。
音響波共振器、またはセラミック電磁共振器を有してい
ることがさらに好ましい。
【００１３】共振器のフィルタ構成からなる帯域フィル
タは通過帯域においてより低い損失を示す。これは、例
えば、ＬＣフィルタよりも良い品質係数Ｑを有するから
である。さらに、共振器を有する帯域フィルタは比較対
象のＬＣの組み合わせよりも通過帯域の端部においてよ
り急峻な傾きを示す。
タは通過帯域においてより低い損失を示す。これは、例
えば、ＬＣフィルタよりも良い品質係数Ｑを有するから
である。さらに、共振器を有する帯域フィルタは比較対
象のＬＣの組み合わせよりも通過帯域の端部においてよ
り急峻な傾きを示す。
【００１４】バルク音響波共振器は共振器ユニットと、
この共振器ユニットと基板間に配置された反射要素を有
している。
この共振器ユニットと基板間に配置された反射要素を有
している。
【００１５】このようなバルク音響波フィルタは薄膜技
術を用いて単純に、とりわけ小さなスペースで製造する
ことができる。さらに、このようなバルク音響波共振器
は、も単結晶共振器、膜を備えた共振器またはエアギャ
ップを有する共振器などの他形式のバルク音響波共振器
よりも明らかに強靱である。
術を用いて単純に、とりわけ小さなスペースで製造する
ことができる。さらに、このようなバルク音響波共振器
は、も単結晶共振器、膜を備えた共振器またはエアギャ
ップを有する共振器などの他形式のバルク音響波共振器
よりも明らかに強靱である。
【００１６】ノッチフィルタはキャパシタとインダクタ
ンスを備えることがさらに有利である。
ンスを備えることがさらに有利である。
【００１７】そのようなノッチフィルタは薄膜技術を用
いて帯域フィルタと同一基板上に単純に、安価に、小さ
なスペースで製造することができる。
いて帯域フィルタと同一基板上に単純に、安価に、小さ
なスペースで製造することができる。
【００１８】本発明はさらに、基板と、その上に設けら
れたバルク音響波フィルタおよびノッチフィルタを有す
るフィルタ構成を製造する方法に関するもので、この方
法は、−第２の電極であるピエゾ電気層および第１の電
極がキャリア層の上に設けられ、少なくとも１つの共振
器ユニット、キャパシタ、およびインダクタンスが形成
されるように構成され、−共振器ユニットに属する第１
の電極の部分に反射要素が堆積され、−基板は全体の組
み立てに固定され、キャリア層は除去される。
れたバルク音響波フィルタおよびノッチフィルタを有す
るフィルタ構成を製造する方法に関するもので、この方
法は、−第２の電極であるピエゾ電気層および第１の電
極がキャリア層の上に設けられ、少なくとも１つの共振
器ユニット、キャパシタ、およびインダクタンスが形成
されるように構成され、−共振器ユニットに属する第１
の電極の部分に反射要素が堆積され、−基板は全体の組
み立てに固定され、キャリア層は除去される。
【００１９】本発明は、基板およびその上に設けられ、
互いに接続された帯域フィルタおよびノッチフィルタを
有するフィルタ構成を有する、送信機、受信機、移動電
話機器、無線データ伝送システムにも関する。
互いに接続された帯域フィルタおよびノッチフィルタを
有するフィルタ構成を有する、送信機、受信機、移動電
話機器、無線データ伝送システムにも関する。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明は３つの添付図面と３つの
実施例から明らかになる。
実施例から明らかになる。
【００２１】図１において、帯域フィルタおよびノッチ
フィルタを有するフィルタ構成は、例えば、セラミック
材料、ガラス平坦化層を有するセラミック材料、ガラス
−セラミック材料、ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓま
たはサファイアで作られたキャリア基板１を含む。シリ
コンまたはＧａＡｓがキャリア基板１として使用される
場合には、例えばＳｉＯ２またはガラスの保護層（パッ
シベーション層）がさらに形成される。重合体および多
孔質物質を含むグループからの音響反射物質の層である
第１の反射要素２が、キャリア基板１上に存在する。使
用される可能性のある音響反射物質は、例えば、エーロ
ゲル、キセロゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡
合成樹脂または低密度の合成樹脂である。使用される可
能性のあるエーロゲルは、例えば、シリカゲルまたは多
孔質ＳｉＯ２構造体で作られた無機エーロゲル、または
例えば、レゾシノール−ホルムアルデヒドエーロゲル、
メラミン−ホルムアルデヒドエーロゲルまたはフェノー
ル−ホルムアルデヒドエーロゲルのような有機エーロゲ
ルである。使用される可能性のあるキセロゲルは、例え
ば、高濃縮ポリ珪酸のような無機キセロゲル、接着剤ま
たは寒天のような有機キセロゲルである。使用される可
能性のある発泡物質は、例えば、ポリスチロール、ポリ
カーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポリイ
ソシアネート、ポリイソシアヌレート、ポリカルボジイ
ミド、ポリメタクリルイミド、ポリアクリルイミド、ア
クリル−ブタジエン−スチロール共重合体、ポリプロピ
レンまたはポリエステルのような化学的に発泡された重
合体または物理的に発泡された重合体である。さらに、
例えば、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂またはフラ
ン樹脂のような発泡合成樹脂が使用される可能性があ
り、これらは炭化により高い多孔度を持つ。使用される
可能性のある低密度の合成樹脂は、例えば、架橋ポリビ
ニルエーテル、架橋ポリアリールエーテル、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（２
−クロロ−ｐ−キシリレン）、ポリ（ジクロロ−ｐ−キ
シリレン）、ポリベンゾシクロブテン、スチロール−ブ
タジエン共重合体、エチレン−酢酸ビニル重合体または
有機シロキサン共重合体である。
フィルタを有するフィルタ構成は、例えば、セラミック
材料、ガラス平坦化層を有するセラミック材料、ガラス
−セラミック材料、ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓま
たはサファイアで作られたキャリア基板１を含む。シリ
コンまたはＧａＡｓがキャリア基板１として使用される
場合には、例えばＳｉＯ２またはガラスの保護層（パッ
シベーション層）がさらに形成される。重合体および多
孔質物質を含むグループからの音響反射物質の層である
第１の反射要素２が、キャリア基板１上に存在する。使
用される可能性のある音響反射物質は、例えば、エーロ
ゲル、キセロゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡
合成樹脂または低密度の合成樹脂である。使用される可
能性のあるエーロゲルは、例えば、シリカゲルまたは多
孔質ＳｉＯ２構造体で作られた無機エーロゲル、または
例えば、レゾシノール−ホルムアルデヒドエーロゲル、
メラミン−ホルムアルデヒドエーロゲルまたはフェノー
ル−ホルムアルデヒドエーロゲルのような有機エーロゲ
ルである。使用される可能性のあるキセロゲルは、例え
ば、高濃縮ポリ珪酸のような無機キセロゲル、接着剤ま
たは寒天のような有機キセロゲルである。使用される可
能性のある発泡物質は、例えば、ポリスチロール、ポリ
カーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポリイ
ソシアネート、ポリイソシアヌレート、ポリカルボジイ
ミド、ポリメタクリルイミド、ポリアクリルイミド、ア
クリル−ブタジエン−スチロール共重合体、ポリプロピ
レンまたはポリエステルのような化学的に発泡された重
合体または物理的に発泡された重合体である。さらに、
例えば、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂またはフラ
ン樹脂のような発泡合成樹脂が使用される可能性があ
り、これらは炭化により高い多孔度を持つ。使用される
可能性のある低密度の合成樹脂は、例えば、架橋ポリビ
ニルエーテル、架橋ポリアリールエーテル、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（２
−クロロ−ｐ−キシリレン）、ポリ（ジクロロ−ｐ−キ
シリレン）、ポリベンゾシクロブテン、スチロール−ブ
タジエン共重合体、エチレン−酢酸ビニル重合体または
有機シロキサン共重合体である。
【００２２】共振器ユニットは第１の電極３、圧電層
４、および第２の電極５を反射要素２の上に有する。電
極３と５は、低音響減衰の良導電性材料で作られるのが
好ましく、例えば、Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），
Ｐｔ（５０ｎｍ〜１μｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎｍ）／Ｐ
ｔ（２０〜６００ｎｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎｍ）／Ｐｔ
（２０〜６００ｎｍ）／Ｔｉ（１〜２０ｎｍ），Ａｌ，
数パーセントのＣｕがドープされたＡｌ，数パーセント
のＳｉがドープされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドー
プされたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐ
ｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ
／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰ
ｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｄｘ（０＜ｘ
＜１），Ｔｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ
１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ１−ｘ
Ａｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ
／Ｉｒ／ＩｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／
ＲｕＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰ
ｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰ
ｔ１−ｘ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ
／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ ｘ／ＲｕｙＰｔ１−ｙ（０＜ｘ＜
２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＲｕｘＰｔ１ −ｘ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ１−ｘ（０＜ｘ＜
１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０
＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯ
ｘ）１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲ
ｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ／ＰｔｚＲｈ１−ｚ
（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
ｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ
１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），
Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜
１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ
（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔ
ｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／
Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）
（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１− ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜
ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），また
はＴｉ／Ｃｕを含む可能性がある。
４、および第２の電極５を反射要素２の上に有する。電
極３と５は、低音響減衰の良導電性材料で作られるのが
好ましく、例えば、Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），
Ｐｔ（５０ｎｍ〜１μｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎｍ）／Ｐ
ｔ（２０〜６００ｎｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎｍ）／Ｐｔ
（２０〜６００ｎｍ）／Ｔｉ（１〜２０ｎｍ），Ａｌ，
数パーセントのＣｕがドープされたＡｌ，数パーセント
のＳｉがドープされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドー
プされたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐ
ｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ
／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰ
ｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｄｘ（０＜ｘ
＜１），Ｔｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ
１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ１−ｘ
Ａｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ
／Ｉｒ／ＩｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／
ＲｕＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰ
ｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰ
ｔ１−ｘ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ
／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯ ｘ／ＲｕｙＰｔ１−ｙ（０＜ｘ＜
２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＲｕｘＰｔ１ −ｘ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ１−ｘ（０＜ｘ＜
１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０
＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯ
ｘ）１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲ
ｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ／ＰｔｚＲｈ１−ｚ
（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
ｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ
１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），
Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜
１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ（０
＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ
（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ
／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔ
ｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／
Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）
（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１− ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜
ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），また
はＴｉ／Ｃｕを含む可能性がある。
【００２３】圧電層４に使用される材料は、例えば、Ａ
ｌＮ、ＺｎＯ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｓｒ、Ｎｉま
たはこれらのドーパントの組み合わせを含むまたは含ま
ないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１）、ＬｉＮ
ｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＰｂＮｂ２Ｏ６、Ｐｂ（Ｚｎ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍｇ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｓｃ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｚｎ１
／３Ｎｂ２／３）１−ｘ−ｙ（Ｍｎ１／２Ｎｂ１／２）
ｘＴｉｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｐｂ（Ｉｎ
１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｓｒ３ＴａＧ
ａ３Ｓｉ２Ｏ１４，Ｋ（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）２Ｎｂ５Ｏ
１５（０＜ｘ＜１），Ｎａ（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）２Ｎｂ
５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），ＢａＴｉＯ３，（Ｋ １−ｘＮ
ａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１），（Ｂｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｐ
ｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３，Ｂｉ７
Ｔｉ４ＮｂＯ２１，（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３−（Ｂ
ｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｐｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），
ａ（Ｂｉ ｘＮａ１−ｘ）ＴｉＯ３−ｂ（ＫＮｂ
Ｏ３−ｃ）１／２（Ｂｉ２Ｏ３−Ｓｃ２Ｏ ３）（０＜ｘ
＜１，ａ＋ｂ＋ｃ＝１），（ＢａａＳｒｂＣａｃ）Ｔｉ
ｘＺｒ１− ｘＯ３，（０＜ｘ＜１，ａ＋ｂ＋ｃ＝１），
（ＢａａＳｒｂＬａｃ）Ｂｉ４Ｔｉ ４Ｏ１５（ａ＋ｂ＋
ｃ＝１），Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２，Ｌａ３Ｇａ５．５Ｎｂ
０． ５Ｏ１４，Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４，Ｌａ３Ｇａ
５．５Ｔａ０．５Ｏ１４またはポリフッ化ビニリデン
（ＰＶＤＦ）である可能性がある。
ｌＮ、ＺｎＯ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｓｒ、Ｎｉま
たはこれらのドーパントの組み合わせを含むまたは含ま
ないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１）、ＬｉＮ
ｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、ＰｂＮｂ２Ｏ６、Ｐｂ（Ｚｎ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍｇ１
／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｓｃ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｚｎ１
／３Ｎｂ２／３）１−ｘ−ｙ（Ｍｎ１／２Ｎｂ１／２）
ｘＴｉｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｐｂ（Ｉｎ
１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｓｒ３ＴａＧ
ａ３Ｓｉ２Ｏ１４，Ｋ（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）２Ｎｂ５Ｏ
１５（０＜ｘ＜１），Ｎａ（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）２Ｎｂ
５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），ＢａＴｉＯ３，（Ｋ １−ｘＮ
ａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１），（Ｂｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｐ
ｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３，Ｂｉ７
Ｔｉ４ＮｂＯ２１，（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３−（Ｂ
ｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｐｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），
ａ（Ｂｉ ｘＮａ１−ｘ）ＴｉＯ３−ｂ（ＫＮｂ
Ｏ３−ｃ）１／２（Ｂｉ２Ｏ３−Ｓｃ２Ｏ ３）（０＜ｘ
＜１，ａ＋ｂ＋ｃ＝１），（ＢａａＳｒｂＣａｃ）Ｔｉ
ｘＺｒ１− ｘＯ３，（０＜ｘ＜１，ａ＋ｂ＋ｃ＝１），
（ＢａａＳｒｂＬａｃ）Ｂｉ４Ｔｉ ４Ｏ１５（ａ＋ｂ＋
ｃ＝１），Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２，Ｌａ３Ｇａ５．５Ｎｂ
０． ５Ｏ１４，Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４，Ｌａ３Ｇａ
５．５Ｔａ０．５Ｏ１４またはポリフッ化ビニリデン
（ＰＶＤＦ）である可能性がある。
【００２４】電極３および５および圧電層４は一方で
は、バルク音響波共振器の構成を含む帯域フィルタが構
成され、他方ではインダクタンスとキャパシタとを含む
ノッチフィルタが異なる場所で帯域フィルタに隣接する
ように構成される。ノッチフィルタは帯域フィルタの入
力または出力と接地間に接続される。キャパシタは圧電
層４から構成される誘電体、および２つの電極を有して
いる。インダクタンスは第１の電極または第２の電極の
適当なデザインによりキャパシタに直列に形成される。
は、バルク音響波共振器の構成を含む帯域フィルタが構
成され、他方ではインダクタンスとキャパシタとを含む
ノッチフィルタが異なる場所で帯域フィルタに隣接する
ように構成される。ノッチフィルタは帯域フィルタの入
力または出力と接地間に接続される。キャパシタは圧電
層４から構成される誘電体、および２つの電極を有して
いる。インダクタンスは第１の電極または第２の電極の
適当なデザインによりキャパシタに直列に形成される。
【００２５】代わりに、キャパシタの誘電体は圧電層４
により構成せず、２＜ε＜３００の低い誘電率を有する
他の誘電体、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＯｙ
Ｎｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、Ｔａ２
Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ ３，Ｔａ２Ｏ５−Ｎｂ２Ｏ
５，Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２，ｏｒ ＴｉＯ２．で構成さ
れても良い。
により構成せず、２＜ε＜３００の低い誘電率を有する
他の誘電体、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＯｙ
Ｎｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、Ｔａ２
Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ ３，Ｔａ２Ｏ５−Ｎｂ２Ｏ
５，Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２，ｏｒ ＴｉＯ２．で構成さ
れても良い。
【００２６】同様に、キャパシタの電極は別々の導電層
から形成されても良い。
から形成されても良い。
【００２７】有機または無機材料またはこれらの材料の
組み合わせからなる保護膜６がフィルタ構成の全面に設
けられる。使用される有機材料は、例えば、ポリベンゾ
シクロブテンまたはポリイミドである可能性があり、お
よび使用される無機材料は、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ
４、ＳｉｘＯｙＮｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ
≦１）である可能性がある。
組み合わせからなる保護膜６がフィルタ構成の全面に設
けられる。使用される有機材料は、例えば、ポリベンゾ
シクロブテンまたはポリイミドである可能性があり、お
よび使用される無機材料は、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ
４、ＳｉｘＯｙＮｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ
≦１）である可能性がある。
【００２８】もしくは、反射要素２は、交互に高インピ
ーダンスと低インピーダンスであるいくつかの層で構成
することができる。その時に、低インピーダンスの材料
は、例えば、有機または無機のエーロゲル、有機または
無機のキセロゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡
合成樹脂または低密度の合成樹脂である可能性がある。
高音響インピーダンスの材料は、例えば、ＨｆＯ２、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ、ＷｘＴｉ
１−ｘ（０≦ｘ≦１）、ダイアモンド、Ｔａ２Ｏ５、Ｐ
ｔ、Ｔｉ／Ｐｔ、または例えば高密度ポリエチレン（Ｈ
ＤＰＥ）のような高密度の合成樹脂である可能性があ
る。
ーダンスと低インピーダンスであるいくつかの層で構成
することができる。その時に、低インピーダンスの材料
は、例えば、有機または無機のエーロゲル、有機または
無機のキセロゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡
合成樹脂または低密度の合成樹脂である可能性がある。
高音響インピーダンスの材料は、例えば、ＨｆＯ２、Ｍ
ｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ、ＷｘＴｉ
１−ｘ（０≦ｘ≦１）、ダイアモンド、Ｔａ２Ｏ５、Ｐ
ｔ、Ｔｉ／Ｐｔ、または例えば高密度ポリエチレン（Ｈ
ＤＰＥ）のような高密度の合成樹脂である可能性があ
る。
【００２９】例えば、単結晶共振器、膜を備えた共振器
またはエアギャップを有する共振器などをバルク音響波
共振器の代わりに用いることができる。
またはエアギャップを有する共振器などをバルク音響波
共振器の代わりに用いることができる。
【００３０】バルク音響波フィルタを離れて、表面音響
波フィルタやセラミック電磁共振器も用いることができ
る。
波フィルタやセラミック電磁共振器も用いることができ
る。
【００３１】さらに、本発明の他の実施の形態では、第
２の反射要素を上部電極５の上に設けることができる。
２の反射要素を上部電極５の上に設けることができる。
【００３２】他の方法では、例えばアクリル酸接着剤ま
たはエポキシ接着剤で作られた追加の接着層を、反射要
素２とキャリア基板１の間に形成する。アクリル酸接着
剤は、例えば、接着工程中に重合するアクリルまたはメ
タクリル単量体を含むことができる。
たはエポキシ接着剤で作られた追加の接着層を、反射要
素２とキャリア基板１の間に形成する。アクリル酸接着
剤は、例えば、接着工程中に重合するアクリルまたはメ
タクリル単量体を含むことができる。
【００３３】さらに、層の厚さが３０から３００ｎｍの
間であるＳｉＯ２の層を、多孔質ＳｉＯ２で作られた反
射要素２の上および／または下に形成することができ
る。これらのＳｉＯ２の層、反射要素２，第２の反射要
素は基板１の全体領域上に設けられる。
間であるＳｉＯ２の層を、多孔質ＳｉＯ２で作られた反
射要素２の上および／または下に形成することができ
る。これらのＳｉＯ２の層、反射要素２，第２の反射要
素は基板１の全体領域上に設けられる。
【００３４】さらに、フィルタ構成に、少なくとも１つ
の第１および少なくとも１つの第２の電流供給用コンタ
クトを設けることができる。例えば、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｎｉ
／ＳｎまたはＣｒ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ
／Ｎｉ、Ｐｂ／Ｓｎの電気メッキＳＭＤエンドコンタク
トまたはバンプエンドコンタクト、またはコンタクトパ
ッドが、電流供給用コンタクトとして使用できる。
の第１および少なくとも１つの第２の電流供給用コンタ
クトを設けることができる。例えば、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｎｉ
／ＳｎまたはＣｒ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ
／Ｎｉ、Ｐｂ／Ｓｎの電気メッキＳＭＤエンドコンタク
トまたはバンプエンドコンタクト、またはコンタクトパ
ッドが、電流供給用コンタクトとして使用できる。
【００３５】構成および集積に関する代替実施例は当業
者に知られている。
者に知られている。
【００３６】そのようなフィルタ構成は、信号のフィル
タリングが必要とされる、移動電話の分野および他のあ
らゆる無線通信（例えば、ＤＥＣＴまたはＣＴコードレ
ス電話、無線中継装置、ポケットベル（登録商標））の
分野で用いられる。
タリングが必要とされる、移動電話の分野および他のあ
らゆる無線通信（例えば、ＤＥＣＴまたはＣＴコードレ
ス電話、無線中継装置、ポケットベル（登録商標））の
分野で用いられる。
【００３７】図２は帯域フィルタおよびノッチフィルタ
を有するフィルタ構成を有する回路を示す。入力７およ
び出力８の間には、例えば図５に示される回路を有する
帯域フィルタＢが存在する。直列接続されたインダクタ
ンスＩとキャパシタＣを有するノッチフィルタは帯域フ
ィルタＢの出力と接地間に配置される。キャパシタＣの
第２の端子は接地電位に接続される。
を有するフィルタ構成を有する回路を示す。入力７およ
び出力８の間には、例えば図５に示される回路を有する
帯域フィルタＢが存在する。直列接続されたインダクタ
ンスＩとキャパシタＣを有するノッチフィルタは帯域フ
ィルタＢの出力と接地間に配置される。キャパシタＣの
第２の端子は接地電位に接続される。
【００３８】代わりに、この回路は２つあるいはそれ以
上の、帯域フィルタＢの入力と接地間、あるいは帯域フ
ィルタの出力と接地間、あるいは帯域フィルタの入力と
接地間に接続されたノッチフィルタを有することができ
る。
上の、帯域フィルタＢの入力と接地間、あるいは帯域フ
ィルタの出力と接地間、あるいは帯域フィルタの入力と
接地間に接続されたノッチフィルタを有することができ
る。
【００３９】図３は帯域フィルタおよびノッチフィルタ
を有するフィルタ構成の回路図である。帯域フィルタＢ
は入力７と出力８との間に接続され、例えば、図５に示
された回路構成を有している。インダクタンスＬとキャ
パシタＣが並列接続されたノッチフィルタは帯域フィル
タの出力と出力８との間に存在する。
を有するフィルタ構成の回路図である。帯域フィルタＢ
は入力７と出力８との間に接続され、例えば、図５に示
された回路構成を有している。インダクタンスＬとキャ
パシタＣが並列接続されたノッチフィルタは帯域フィル
タの出力と出力８との間に存在する。
【００４０】図４は帯域フィルタと２つのノッチフィル
タを有するフィルタ構成を示す回路図である。並列接続
されたインダクタンスＬ１およびキャパシタＣは、入力
７と、例えば図５に示される回路構成を有する帯域フィ
ルタＢの入力との間に配置されている。並列接続された
インダクタンスＬ２およびキャパシタＣ２を備えた第２
のノッチフィルタは帯域フィルタＢの出力と出力との間
に存在する。
タを有するフィルタ構成を示す回路図である。並列接続
されたインダクタンスＬ１およびキャパシタＣは、入力
７と、例えば図５に示される回路構成を有する帯域フィ
ルタＢの入力との間に配置されている。並列接続された
インダクタンスＬ２およびキャパシタＣ２を備えた第２
のノッチフィルタは帯域フィルタＢの出力と出力との間
に存在する。
【００４１】帯域フィルタＢとノッチフィルタが直列接
続されたこれらの回路構成においては、インダクタンス
ＬはｎＨのレンジに、キャパシタＣはｐＦのレンジにあ
るようにできる。寄生ラインインダクタンスはインダク
タンスＬを実現するのに用いることができる。
続されたこれらの回路構成においては、インダクタンス
ＬはｎＨのレンジに、キャパシタＣはｐＦのレンジにあ
るようにできる。寄生ラインインダクタンスはインダク
タンスＬを実現するのに用いることができる。
【００４２】図５は総計９個の共振器ユニットＭ１〜Ｍ
５およびＮ１〜Ｎ４のフィルタ構成を示す。５個の共振
器ユニットＭ１からＭ５は、入力９と出力１０の間に直
列に接続されている。４個の別の共振器ユニットＮ１か
らＮ４は、並列に前記５個の共振器ユニットＭ１からＭ
５に接続されている。４個の共振器ユニットＮ１からＮ
４の各々の１つの端子は、接地電位に接続されている。
共振器ユニットＮ１の他の端子は、共振器ユニットＭ１
とＭ２の間に接続されている。共振器ユニットＮ２の他
の端子は、共振器ユニットＭ２とＭ３の間に接続されて
いる。共振器ユニットＮ３の他の端子は、共振器ユニッ
トＭ３とＭ４の間に接続され、最後に、共振器ユニット
Ｎ４の他の端子は、共振器ユニットＭ４とＭ５の間に接
続されている。
５およびＮ１〜Ｎ４のフィルタ構成を示す。５個の共振
器ユニットＭ１からＭ５は、入力９と出力１０の間に直
列に接続されている。４個の別の共振器ユニットＮ１か
らＮ４は、並列に前記５個の共振器ユニットＭ１からＭ
５に接続されている。４個の共振器ユニットＮ１からＮ
４の各々の１つの端子は、接地電位に接続されている。
共振器ユニットＮ１の他の端子は、共振器ユニットＭ１
とＭ２の間に接続されている。共振器ユニットＮ２の他
の端子は、共振器ユニットＭ２とＭ３の間に接続されて
いる。共振器ユニットＮ３の他の端子は、共振器ユニッ
トＭ３とＭ４の間に接続され、最後に、共振器ユニット
Ｎ４の他の端子は、共振器ユニットＭ４とＭ５の間に接
続されている。
【００４３】帯域フィルタおよびノッチフィルタを有す
るフィルタ構成を形成する可能性は、第１のステップで
キャリア層の上に共振器ユニットを堆積させることであ
る。この共振器ユニットは逆の順で第２の電極５，圧電
層４、および第１の電極を含む。キャリア層は、例え
ば、セラミック材料、ガラス平坦化層を有するセラミッ
ク材料、ガラス−セラミック材料、シリコン、ＧａＡｓ
またはサファイアを含む。シリコンまたはＧａＡｓがキ
ャリア基板１として使用される場合は、例えば、ＳｉＯ
２またはガラスの追加の保護層が設けられる。
るフィルタ構成を形成する可能性は、第１のステップで
キャリア層の上に共振器ユニットを堆積させることであ
る。この共振器ユニットは逆の順で第２の電極５，圧電
層４、および第１の電極を含む。キャリア層は、例え
ば、セラミック材料、ガラス平坦化層を有するセラミッ
ク材料、ガラス−セラミック材料、シリコン、ＧａＡｓ
またはサファイアを含む。シリコンまたはＧａＡｓがキ
ャリア基板１として使用される場合は、例えば、ＳｉＯ
２またはガラスの追加の保護層が設けられる。
【００４４】電極３と５は、低音響減衰の良導電性材料
で作るのが好ましく、例えばＡｇ１ −ｘＰｔｘ（０＜ｘ
＜１），Ｐｔ（５０ｎｍ〜１μｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎ
ｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎ
ｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ）／Ｔｉ（１〜２０ｎ
ｍ），Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされたＡｌ，
数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセント
のＭｇがドープされたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔ
ｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ
／Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘ
Ｐｄｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌ ｘ（０＜
ｘ＜１），Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａ
ｇ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒ
ｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ
／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ／ＲｕＯ ｙ（０＜ｘ＜１，０＜
ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ／ＲｕｙＰｔ
１− ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ
ｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／Ｐｔ
ｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ） １−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜
１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔ
ｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒ
ｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ
／ＰｔｚＲｈ１−ｚ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ
＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜
１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜
ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｐｔ
ｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
ｘＰｔ１ −ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ
１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），
Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／
Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ
／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔ
ｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｗ ｘＴ
ｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ
１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ
／Ａｌ（０＜ｘ＜１），またはＴｉ／Ｃｕを含む可能性
がある。圧電層４に使用される材料は、例えば、Ａｌ
Ｎ，ＺｎＯ，Ｌａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｓｒ、Ｎｉのド
ーパントまたはこれらの組み合わせを含むか含まないＰ
ｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３（０＜ｘ＜１），ＬｉＮｂ
Ｏ３，ＬｉＴａＯ ３，ＰｂＮｂ２Ｏ６，Ｐｂ（Ｚｎ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｓｃ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｚｎ
１／３Ｎｂ２／３）１−ｘ−ｙ（Ｍｎ１／２Ｎ
ｂ１／２）ｘＴｉｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），
Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｓ
ｒ３ＴａＧａ３Ｓｉ２Ｏ１４，Ｋ（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）
２Ｎｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），Ｎａ（Ｓｒ１−ｘＢａ
ｘ）２Ｎｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），ＢａＴｉＯ３，
（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１），（Ｂｉ，
Ｎａ，Ｋ，Ｐｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ）Ｔｉ
Ｏ３，Ｂｉ７Ｔｉ４ＮｂＯ２１，（Ｋ１ −ｘＮａｘ）Ｎ
ｂＯ３−（Ｂｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｐｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３（０
＜ｘ＜１），ａ（ＢｉｘＮａ１−ｘ）ＴｉＯ３−ｂ（Ｋ
ＮｂＯ３−ｃ）１／２（Ｂｉ２Ｏ ３−Ｓｃ２Ｏ３）（０
＜ｘ＜１，ａ＋ｂ＋ｃ＝１），（ＢａａＳｒｂＣａｃ）
ＴｉｘＺｒ１−ｘＯ３，（０＜ｘ＜１，ａ＋ｂ＋ｃ＝
１），（ＢａａＳｒｂＬａｃ）Ｂｉ４Ｔｉ４Ｏ１５（ａ
＋ｂ＋ｃ＝１），Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２，Ｌａ３Ｇａ５
．５Ｎｂ０．５Ｏ１４，Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４，Ｌａ
３Ｇａ５．５Ｔａ０．５Ｏ１４またはポリフッ化ビニリ
デン（ＰＶＤＦ）でありうる。
で作るのが好ましく、例えばＡｇ１ −ｘＰｔｘ（０＜ｘ
＜１），Ｐｔ（５０ｎｍ〜１μｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎ
ｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ），Ｔｉ（１〜２０ｎ
ｍ）／Ｐｔ（２０〜６００ｎｍ）／Ｔｉ（１〜２０ｎ
ｍ），Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされたＡｌ，
数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセント
のＭｇがドープされたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔ
ｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ
／Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘ
Ｐｄｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌ ｘ（０＜
ｘ＜１），Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａ
ｇ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒ
ｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ
／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／
Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ／ＲｕＯ ｙ（０＜ｘ＜１，０＜
ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ／ＲｕｙＰｔ
１− ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ
ｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ
１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／Ｐｔ
ｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ） １−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜
１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔ
ｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒ
ｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ
／ＰｔｚＲｈ１−ｚ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ
＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜
１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜
ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｐｔ
ｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ
ｘＰｔ１ −ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ
１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），
Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／
Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ
／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔ
ｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｗ ｘＴ
ｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ
１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ
／Ａｌ（０＜ｘ＜１），またはＴｉ／Ｃｕを含む可能性
がある。圧電層４に使用される材料は、例えば、Ａｌ
Ｎ，ＺｎＯ，Ｌａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｓｒ、Ｎｉのド
ーパントまたはこれらの組み合わせを含むか含まないＰ
ｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３（０＜ｘ＜１），ＬｉＮｂ
Ｏ３，ＬｉＴａＯ ３，ＰｂＮｂ２Ｏ６，Ｐｂ（Ｚｎ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｓｃ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｐｂ（Ｚｎ
１／３Ｎｂ２／３）１−ｘ−ｙ（Ｍｎ１／２Ｎ
ｂ１／２）ｘＴｉｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），
Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３，Ｓ
ｒ３ＴａＧａ３Ｓｉ２Ｏ１４，Ｋ（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）
２Ｎｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），Ｎａ（Ｓｒ１−ｘＢａ
ｘ）２Ｎｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），ＢａＴｉＯ３，
（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１），（Ｂｉ，
Ｎａ，Ｋ，Ｐｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ）Ｔｉ
Ｏ３，Ｂｉ７Ｔｉ４ＮｂＯ２１，（Ｋ１ −ｘＮａｘ）Ｎ
ｂＯ３−（Ｂｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｐｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３（０
＜ｘ＜１），ａ（ＢｉｘＮａ１−ｘ）ＴｉＯ３−ｂ（Ｋ
ＮｂＯ３−ｃ）１／２（Ｂｉ２Ｏ ３−Ｓｃ２Ｏ３）（０
＜ｘ＜１，ａ＋ｂ＋ｃ＝１），（ＢａａＳｒｂＣａｃ）
ＴｉｘＺｒ１−ｘＯ３，（０＜ｘ＜１，ａ＋ｂ＋ｃ＝
１），（ＢａａＳｒｂＬａｃ）Ｂｉ４Ｔｉ４Ｏ１５（ａ
＋ｂ＋ｃ＝１），Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２，Ｌａ３Ｇａ５
．５Ｎｂ０．５Ｏ１４，Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４，Ｌａ
３Ｇａ５．５Ｔａ０．５Ｏ１４またはポリフッ化ビニリ
デン（ＰＶＤＦ）でありうる。
【００４５】圧電層４および電極３および５は一方で
は、バルク音響波共振器の構成を含む帯域フィルタが形
成されるように堆積および構成され、他方では２つの電
極３および５と圧電層４が、圧電層４から構成される誘
電体および２つの電極３および５を有するキャパシタが
帯域フィルタに隣接するようにキャリアの異なる場所で
構成される。インダクタンスは第１の電極３または第２
の電極５の適当なデザインによりキャパシタに直列に形
成される。
は、バルク音響波共振器の構成を含む帯域フィルタが形
成されるように堆積および構成され、他方では２つの電
極３および５と圧電層４が、圧電層４から構成される誘
電体および２つの電極３および５を有するキャパシタが
帯域フィルタに隣接するようにキャリアの異なる場所で
構成される。インダクタンスは第１の電極３または第２
の電極５の適当なデザインによりキャパシタに直列に形
成される。
【００４６】重合体および多孔質物質のグループに属す
る音響反射面を有する反射要素２はバルク音響波共振器
ユニットが存在する領域で第１の電極上に設けられる。
音響反射物質は、エーロゲル、キセロゲル、ガラス発泡
体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂または低密度の合成樹
脂であることが好ましい。
る音響反射面を有する反射要素２はバルク音響波共振器
ユニットが存在する領域で第１の電極上に設けられる。
音響反射物質は、エーロゲル、キセロゲル、ガラス発泡
体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂または低密度の合成樹
脂であることが好ましい。
【００４７】エーロゲルは、例えば、シリカゲルまたは
多孔質ＳｉＯ２構造体で作られた無機エーロゲル、また
は例えば、レゾシノール−ホルムアルデヒドエーロゲ
ル、メラミン−ホルムアルデヒドエーロゲルまたはフェ
ノール−ホルムアルデヒドエーロゲルのような有機エー
ロゲルである可能性がある。使用されるキセロゲルは、
例えば、高濃縮ポリ珪酸のような無機キセロゲル、また
は接着剤または寒天のような有機キセロゲルである可能
性がある。発泡合成樹脂は、例えば、ポリスチロール、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポ
リイソシアネート、ポリイソシアヌレート、ポリカルボ
ジイミド、ポリメタクリルイミド、ポリアクリルイミ
ド、アクリル−ブタジエン−スチロール共重合体、ポリ
プロピレンまたはポリエステルのような化学的または物
理的に発泡された重合体である可能性がある。さらに、
例えば、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂またはフラ
ン樹脂のような発泡合成樹脂が使用される可能性があ
り、これらは、炭化により高い多孔度を持つ。使用され
る低密度の合成樹脂は、例えば、架橋ポリビニルエーテ
ル、架橋ポリアリールエーテル、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（２−クロロ−
ｐ−キシリレン）、ポリ（ジクロロ−ｐ−キシリレ
ン）、ポリベンゾシクロブテン、スチロール−ブタジエ
ン共重合体、エチレン−酢酸ビニル重合体または有機シ
ロキサン重合体である可能性がある。ガラス、ガラス−
セラミック材料、ガラス平坦化層を有するガラス−セラ
ミック材料、ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサ
ファイアで作られたキャリア基板１を、使用される材料
の接着特性を使用して、または例えば、アクリル酸接着
剤またはエポキシド接着剤の追加の接着層を使用して、
この反射要素２に固定する。キャリア基板１に、シリコ
ンまたはＧａＡｓが使用される場合は、例えばＳｉＯ２
またはガラスで作られた追加の保護層を形成する。次
に、基板１３を、機械的または化学的に取り除く。
多孔質ＳｉＯ２構造体で作られた無機エーロゲル、また
は例えば、レゾシノール−ホルムアルデヒドエーロゲ
ル、メラミン−ホルムアルデヒドエーロゲルまたはフェ
ノール−ホルムアルデヒドエーロゲルのような有機エー
ロゲルである可能性がある。使用されるキセロゲルは、
例えば、高濃縮ポリ珪酸のような無機キセロゲル、また
は接着剤または寒天のような有機キセロゲルである可能
性がある。発泡合成樹脂は、例えば、ポリスチロール、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポ
リイソシアネート、ポリイソシアヌレート、ポリカルボ
ジイミド、ポリメタクリルイミド、ポリアクリルイミ
ド、アクリル−ブタジエン−スチロール共重合体、ポリ
プロピレンまたはポリエステルのような化学的または物
理的に発泡された重合体である可能性がある。さらに、
例えば、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂またはフラ
ン樹脂のような発泡合成樹脂が使用される可能性があ
り、これらは、炭化により高い多孔度を持つ。使用され
る低密度の合成樹脂は、例えば、架橋ポリビニルエーテ
ル、架橋ポリアリールエーテル、ポリテトラフルオロエ
チレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（２−クロロ−
ｐ−キシリレン）、ポリ（ジクロロ−ｐ−キシリレ
ン）、ポリベンゾシクロブテン、スチロール−ブタジエ
ン共重合体、エチレン−酢酸ビニル重合体または有機シ
ロキサン重合体である可能性がある。ガラス、ガラス−
セラミック材料、ガラス平坦化層を有するガラス−セラ
ミック材料、ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサ
ファイアで作られたキャリア基板１を、使用される材料
の接着特性を使用して、または例えば、アクリル酸接着
剤またはエポキシド接着剤の追加の接着層を使用して、
この反射要素２に固定する。キャリア基板１に、シリコ
ンまたはＧａＡｓが使用される場合は、例えばＳｉＯ２
またはガラスで作られた追加の保護層を形成する。次
に、基板１３を、機械的または化学的に取り除く。
【００４８】ＬａまたはＭｎのドーパントを含むまたは
含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１）を圧
電材料４の材料として使用する場合は、ＴｉＯ２、Ａｌ
２Ｏ ３またはＺｒＯ２の反射防止層を基板層１３と第１
の電極３の間に形成することができる。
含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１）を圧
電材料４の材料として使用する場合は、ＴｉＯ２、Ａｌ
２Ｏ ３またはＺｒＯ２の反射防止層を基板層１３と第１
の電極３の間に形成することができる。
【００４９】本発明による電子構成要素を製造する他の
方法では、反射要素２を所望のキャリア基板１上に直接
に堆積する。その後で、第１の電極３、第２の電極５お
よび圧電層４で構成される共振器ユニットを形成する。
あるいは、反射要素２は、交互に高インピーダンスと低
インピーダンスであるいくつかの層を含むことができ
る。
方法では、反射要素２を所望のキャリア基板１上に直接
に堆積する。その後で、第１の電極３、第２の電極５お
よび圧電層４で構成される共振器ユニットを形成する。
あるいは、反射要素２は、交互に高インピーダンスと低
インピーダンスであるいくつかの層を含むことができ
る。
【００５０】代わりに、キャパシタの誘電体は圧電層４
により構成されず、２＜ε＜３００の低い誘電率を有す
る他の誘電体、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＯ
ｙＮ ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、Ｔａ
２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５−Ｎｂ２
Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２，ｏｒ ＴｉＯ２．が製造
方法に応じて第１の電極あるいは第２の電極の適当な部
分に設けられる。
により構成されず、２＜ε＜３００の低い誘電率を有す
る他の誘電体、例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＯ
ｙＮ ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）、Ｔａ
２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５−Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５−Ｎｂ２
Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５−ＴｉＯ２，ｏｒ ＴｉＯ２．が製造
方法に応じて第１の電極あるいは第２の電極の適当な部
分に設けられる。
【００５１】同様に、キャパシタの電極は別々の導電層
の堆積により形成されても良い。
の堆積により形成されても良い。
【００５２】すべての場合において、有機および／また
は無機材料の保護層を、構成要素全体の上に形成するこ
とができる。使用される有機材料は、例えば、ポリベン
ゾシクロブテンまたはポリイミドである可能性があり、
および使用される無機材料は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓ
ｉＯ２またはＳｉｘＯｙＮｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、０≦ｚ≦１）である可能性がある。
は無機材料の保護層を、構成要素全体の上に形成するこ
とができる。使用される有機材料は、例えば、ポリベン
ゾシクロブテンまたはポリイミドである可能性があり、
および使用される無機材料は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓ
ｉＯ２またはＳｉｘＯｙＮｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、０≦ｚ≦１）である可能性がある。
【００５３】代わりに、反射要素６をフィルタ構成の共
振器ユニットの下または上に形成することができる。こ
の追加反射要素は、非常に低い音響インピーダンスの材
料の層かまたは交互に高インピーダンスと低インピーダ
ンスである複数層を含む。
振器ユニットの下または上に形成することができる。こ
の追加反射要素は、非常に低い音響インピーダンスの材
料の層かまたは交互に高インピーダンスと低インピーダ
ンスである複数層を含む。
【００５４】さらに、層厚さが３０から３００ｎｍの間
のＳｉＯ２の層を、多孔性の反射要素２あるいは追加の
反射要素の上および下に形成することができる。これら
のＳｉＯ２の層、反射要素２，および第２の反射要素は
基板１の全領域上に形成することができる。
のＳｉＯ２の層を、多孔性の反射要素２あるいは追加の
反射要素の上および下に形成することができる。これら
のＳｉＯ２の層、反射要素２，および第２の反射要素は
基板１の全領域上に形成することができる。
【００５５】少なくとも１つの第１および少なくとも１
つの第２の電流供給用コンタクトをフィルタ構成の反対
面に設けることができる。可能な電流供給用コンタクト
は、例えば、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｃ
ｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｎｉ、Ｐｂ／Ｓｎの
電気メッキＳＭＤエンドコンタクトまたはバンプエンド
コンタクト、またはコンタクトパッドである。
つの第２の電流供給用コンタクトをフィルタ構成の反対
面に設けることができる。可能な電流供給用コンタクト
は、例えば、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｃ
ｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｎｉ、Ｐｂ／Ｓｎの
電気メッキＳＭＤエンドコンタクトまたはバンプエンド
コンタクト、またはコンタクトパッドである。
【００５６】以下に本発明が実際にどのように実施され
るかを示す実施例が以下に詳細に説明される。
るかを示す実施例が以下に詳細に説明される。
【００５７】実施例１ 帯域フィルタとノッチフィルタのフィルタ構成は３００
ｎｍ厚でガラス基板１上に濃いＳｉＯ２層が堆積され、
次に反射要素２としてのエーロゲルの形態の多孔性Ｓｉ
Ｏ２層を接着工程で形成された。それぞれ第１の電極
３，圧電層４，および第２の電極５を有する９つの共振
器ユニットがこの反射要素２の上に設けられた。
ｎｍ厚でガラス基板１上に濃いＳｉＯ２層が堆積され、
次に反射要素２としてのエーロゲルの形態の多孔性Ｓｉ
Ｏ２層を接着工程で形成された。それぞれ第１の電極
３，圧電層４，および第２の電極５を有する９つの共振
器ユニットがこの反射要素２の上に設けられた。
【００５８】第１の電極３はＰｔよりなっていた。第２
の電極５はＴｉ接着層とＰｔ層を含んでいた。圧電層４
はＰｂＺｒ０．３５Ｔｉ０．６５Ｏ３の構成を有してい
た。圧電層４および２つの電極３および５は一方で全部
で９つのバルク音響波共振器を有する帯域フィルタが形
成されるように堆積され、構成された。他方では、２つ
の電極３および５および圧電層４はバルク音響波共振器
の構成の近くに、圧電層４と２つの電極３および５によ
り形成される誘電体により構成されるキャパシタを構成
するように構成された。下側の電極３は接地に接続され
た。同時に、第１の電極３と第２の電極５の設計と対応
長さによりキャパシタに直列にインダクタが形成され
た。構成要素全体にＳｉＯ２の保護層６が堆積された。
続いて、第１の電極３および第２の電極５にコンタクト
するためのコンタクト孔がエッチングされ、バンプエン
ドコンタクトがそこに成長された。
の電極５はＴｉ接着層とＰｔ層を含んでいた。圧電層４
はＰｂＺｒ０．３５Ｔｉ０．６５Ｏ３の構成を有してい
た。圧電層４および２つの電極３および５は一方で全部
で９つのバルク音響波共振器を有する帯域フィルタが形
成されるように堆積され、構成された。他方では、２つ
の電極３および５および圧電層４はバルク音響波共振器
の構成の近くに、圧電層４と２つの電極３および５によ
り形成される誘電体により構成されるキャパシタを構成
するように構成された。下側の電極３は接地に接続され
た。同時に、第１の電極３と第２の電極５の設計と対応
長さによりキャパシタに直列にインダクタが形成され
た。構成要素全体にＳｉＯ２の保護層６が堆積された。
続いて、第１の電極３および第２の電極５にコンタクト
するためのコンタクト孔がエッチングされ、バンプエン
ドコンタクトがそこに成長された。
【００５９】このようなフィルタ構成は移動電話の高周
波部分における信号フィルタリングに用いられた。
波部分における信号フィルタリングに用いられた。
【００６０】実施例２ 帯域フィルタおよびノッチフィルタを有するフィルタ構
成を製造するために、まず、薄いチタン接着層およびＰ
ｔ層を有する第２の電極５がシリコンのキャリア層の上
に設けられ、ＳｉＯ２の保護層６を伴った。ＡｌＮの圧
電層４がこの第２の電極５上に設けられた。続いて、Ｐ
ｔを含む第１の電極が圧電層４の上に設けられた。９つ
の共振器ユニットおよびＡｌＮの誘電体と電極３，５を
有する１つのキャパシタが形成され、インダクタンスも
形成された。下の電極３は接地に接続された。３０ｎｍ
厚で濃いＳｉＯ２層、その上の反射要素２としてのエー
ロゲルの形態の多孔性ＳｉＯ２層、そしてこの反射要素
の上に３００ｎｍの厚さのＳｉＯ２層が共振器が存在し
ている場所において第１の電極上に堆積された。ガラス
基板１は全体の組立にアクリレート接着剤で固定され
た。次に、キャリア層のシリコン層がエッチング除去さ
れた。残りのＳｉＯ２層に第１の電極３および第２の電
極５にコンタクトするためのコンタクト孔がエッチング
された。Ｃｒ／Ｃｕのバンプエンドコンタクトがコンタ
クト孔内に成長された。
成を製造するために、まず、薄いチタン接着層およびＰ
ｔ層を有する第２の電極５がシリコンのキャリア層の上
に設けられ、ＳｉＯ２の保護層６を伴った。ＡｌＮの圧
電層４がこの第２の電極５上に設けられた。続いて、Ｐ
ｔを含む第１の電極が圧電層４の上に設けられた。９つ
の共振器ユニットおよびＡｌＮの誘電体と電極３，５を
有する１つのキャパシタが形成され、インダクタンスも
形成された。下の電極３は接地に接続された。３０ｎｍ
厚で濃いＳｉＯ２層、その上の反射要素２としてのエー
ロゲルの形態の多孔性ＳｉＯ２層、そしてこの反射要素
の上に３００ｎｍの厚さのＳｉＯ２層が共振器が存在し
ている場所において第１の電極上に堆積された。ガラス
基板１は全体の組立にアクリレート接着剤で固定され
た。次に、キャリア層のシリコン層がエッチング除去さ
れた。残りのＳｉＯ２層に第１の電極３および第２の電
極５にコンタクトするためのコンタクト孔がエッチング
された。Ｃｒ／Ｃｕのバンプエンドコンタクトがコンタ
クト孔内に成長された。
【００６１】このようなフィルタ構成は移動電話の高周
波部分における信号フィルタリングに用いられた。
波部分における信号フィルタリングに用いられた。
【００６２】実施例３ 帯域フィルタおよびノッチフィルタを有するフィルタ構
成を製造するために、まず、薄いチタン接着層およびＰ
ｔ層を有する第２の電極５がシリコンのキャリア層の上
に設けられ、ＳｉＯ２の保護層６を伴った。ＰｂＺｒ
０．３５Ｔｉ０． ６５Ｏ３の圧電層４がこの第２の電極
５の上に設けられた。続いて、Ｐｔの第１の電極が圧電
層４の上に設けられた。これらの３つの層は一方で９つ
の共振器ユニットが形成されるように構成された。第２
の電極５は共振器ユニットの横の場所でエッチングによ
り露出された。第２の電極５はキャパシタの電極である
と同時にその設計と長さによるインダクタンスとして作
用する。０．５μｍ厚のＳｉ ３Ｎ４層が全体の構成上に
体積され、キャパシタの場所のみにおいて誘電体として
作用すべく残存するように構成された。別に、Ｃｕがド
ープされた導電性アルミニウムが、Ｓｉ３Ｎ４層上に設
けられ、キャパシタの第２の電極をなすように構成され
る。この追加の導電性層は接地される。３０ｎｍ厚の濃
いＳｉＯ２層はシステム全体の上に設けられ、このＳｉ
Ｏ２層にエーロゲルの形態でその上に３００ｎｍのＳｉ
Ｏ２層が堆積された多孔性ＳｉＯ２層の反射要素２が設
けられる。ガラスの基板はアクリレート接着剤で全体の
組み立て体に固定された。続いてキャリア層のシリコン
層はエッチング除去された。第２の電極５とＣｕがドー
プされたＡｌの追加導電層とをコンタクトするコンタク
トホールが層内にエッチング形成された。そして、Ｃｒ
／Ｃｕのバンプエンドコンタクトがコンタクト孔内に成
長された。
成を製造するために、まず、薄いチタン接着層およびＰ
ｔ層を有する第２の電極５がシリコンのキャリア層の上
に設けられ、ＳｉＯ２の保護層６を伴った。ＰｂＺｒ
０．３５Ｔｉ０． ６５Ｏ３の圧電層４がこの第２の電極
５の上に設けられた。続いて、Ｐｔの第１の電極が圧電
層４の上に設けられた。これらの３つの層は一方で９つ
の共振器ユニットが形成されるように構成された。第２
の電極５は共振器ユニットの横の場所でエッチングによ
り露出された。第２の電極５はキャパシタの電極である
と同時にその設計と長さによるインダクタンスとして作
用する。０．５μｍ厚のＳｉ ３Ｎ４層が全体の構成上に
体積され、キャパシタの場所のみにおいて誘電体として
作用すべく残存するように構成された。別に、Ｃｕがド
ープされた導電性アルミニウムが、Ｓｉ３Ｎ４層上に設
けられ、キャパシタの第２の電極をなすように構成され
る。この追加の導電性層は接地される。３０ｎｍ厚の濃
いＳｉＯ２層はシステム全体の上に設けられ、このＳｉ
Ｏ２層にエーロゲルの形態でその上に３００ｎｍのＳｉ
Ｏ２層が堆積された多孔性ＳｉＯ２層の反射要素２が設
けられる。ガラスの基板はアクリレート接着剤で全体の
組み立て体に固定された。続いてキャリア層のシリコン
層はエッチング除去された。第２の電極５とＣｕがドー
プされたＡｌの追加導電層とをコンタクトするコンタク
トホールが層内にエッチング形成された。そして、Ｃｒ
／Ｃｕのバンプエンドコンタクトがコンタクト孔内に成
長された。
【００６３】このようなフィルタ構成は移動電話の高周
波部分における信号フィルタリングに用いられた。
波部分における信号フィルタリングに用いられた。
【００６４】実施例４ 帯域フィルタおよびノッチフィルタを有するフィルタ構
成を製造するために、まず、ＣｕがドープされたＡｌの
導電層がＳｉＯ２の保護層６を伴ったシリコンのキャリ
ア層の上に堆積された。このＣｕがドープされたＡｌの
導電層は接地された。０．５μｍ厚のＳｉ３Ｎ４層がＣ
ｕがドープされたＡｌの導電層上に堆積された。続い
て、ＣｕがドープされたＡｌの第２の電極を、共振器ユ
ニット中の第２の電極、インダクタンス、およびキャパ
シタの第２の電極としても作用するように設け、構成し
た。ＡｌＮの圧電層４がこの第２の電極５の上に設けら
れた。続いて、ＣｕをドープしたＡｌの第１の電極が圧
電層４の上に設けられた。これらの３つの層は一方で９
つの共振器ユニットが形成されるように構成された。全
体のシステムは３０ｎｍ厚の厚いＳｉＯ２層の上に設け
られた。エーロゲルの形態の多孔性ＳｉＯ２層は反射要
素２としてのＳｉＯ２層の上に設けられ、この反射要素
２の上に３００ｎｍのＳｉＯ２層が堆積された。基板１
はアクリレート接着剤で全体の組み立て体に固定され
た。続いてキャリア層のシリコン層はエッチング除去さ
れた。第２の電極５とＣｕがドープされたＡｌの追加導
電層とをコンタクトするコンタクトホールが層内にエッ
チング形成された。そして、Ｃｒ／Ｃｕのバンプエンド
コンタクトがコンタクト孔内に成長された。
成を製造するために、まず、ＣｕがドープされたＡｌの
導電層がＳｉＯ２の保護層６を伴ったシリコンのキャリ
ア層の上に堆積された。このＣｕがドープされたＡｌの
導電層は接地された。０．５μｍ厚のＳｉ３Ｎ４層がＣ
ｕがドープされたＡｌの導電層上に堆積された。続い
て、ＣｕがドープされたＡｌの第２の電極を、共振器ユ
ニット中の第２の電極、インダクタンス、およびキャパ
シタの第２の電極としても作用するように設け、構成し
た。ＡｌＮの圧電層４がこの第２の電極５の上に設けら
れた。続いて、ＣｕをドープしたＡｌの第１の電極が圧
電層４の上に設けられた。これらの３つの層は一方で９
つの共振器ユニットが形成されるように構成された。全
体のシステムは３０ｎｍ厚の厚いＳｉＯ２層の上に設け
られた。エーロゲルの形態の多孔性ＳｉＯ２層は反射要
素２としてのＳｉＯ２層の上に設けられ、この反射要素
２の上に３００ｎｍのＳｉＯ２層が堆積された。基板１
はアクリレート接着剤で全体の組み立て体に固定され
た。続いてキャリア層のシリコン層はエッチング除去さ
れた。第２の電極５とＣｕがドープされたＡｌの追加導
電層とをコンタクトするコンタクトホールが層内にエッ
チング形成された。そして、Ｃｒ／Ｃｕのバンプエンド
コンタクトがコンタクト孔内に成長された。
【００６５】このようなフィルタ構成は移動電話の高周
波部分における信号フィルタリングに用いられた。
波部分における信号フィルタリングに用いられた。
【００６６】実施例５ 図３に示される帯域フィルタとノッチフィルタのフィル
タ構成は、３００ｎｍ厚の厚く濃いＳｉＯ２層がガラス
基板上に堆積され、次に反射要素２としてのエーロゲル
の形態の多孔性ＳｉＯ２層が接着工程で形成された。そ
れぞれ第１の電極３，圧電層４，および第２の電極５を
有する９つの共振器ユニットがこの反射要素２の上に設
けられた。第１の電極３はＰｔよりなっていた。第２の
電極５はＴｉ接着層とＰｔ層を含んでいた。圧電層４は
ＫＮｂＯ３の構成を有していた。圧電層４および２つの
電極３および５は一方で全部で９つのバルク音響波共振
器を有する帯域フィルタが形成されるように堆積され、
構成された。他方では、２つの電極３および５および圧
電層４はバルク音響波共振器の構成の近くに、圧電層４
と２つの電極３および５により形成される誘電体により
構成されるキャパシタを構成するように構成された。同
時に、第１の電極３と第２の電極５の設計と対応長さに
よりキャパシタに直列にインダクタが形成された。下の
電極３と上の電極５はフィルタ出力８を構成するように
電気的に内部接続された。構成要素全体にＳｉＯ２の保
護層６が堆積された。続いて、第１の電極３および第２
の電極５にコンタクトするためのコンタクト孔がエッチ
ングされ、バンプエンドコンタクトがそこに成長され
た。このようなフィルタ構成は移動電話の高周波部分に
おける信号フィルタリングに用いられた。
タ構成は、３００ｎｍ厚の厚く濃いＳｉＯ２層がガラス
基板上に堆積され、次に反射要素２としてのエーロゲル
の形態の多孔性ＳｉＯ２層が接着工程で形成された。そ
れぞれ第１の電極３，圧電層４，および第２の電極５を
有する９つの共振器ユニットがこの反射要素２の上に設
けられた。第１の電極３はＰｔよりなっていた。第２の
電極５はＴｉ接着層とＰｔ層を含んでいた。圧電層４は
ＫＮｂＯ３の構成を有していた。圧電層４および２つの
電極３および５は一方で全部で９つのバルク音響波共振
器を有する帯域フィルタが形成されるように堆積され、
構成された。他方では、２つの電極３および５および圧
電層４はバルク音響波共振器の構成の近くに、圧電層４
と２つの電極３および５により形成される誘電体により
構成されるキャパシタを構成するように構成された。同
時に、第１の電極３と第２の電極５の設計と対応長さに
よりキャパシタに直列にインダクタが形成された。下の
電極３と上の電極５はフィルタ出力８を構成するように
電気的に内部接続された。構成要素全体にＳｉＯ２の保
護層６が堆積された。続いて、第１の電極３および第２
の電極５にコンタクトするためのコンタクト孔がエッチ
ングされ、バンプエンドコンタクトがそこに成長され
た。このようなフィルタ構成は移動電話の高周波部分に
おける信号フィルタリングに用いられた。
【図１】フィルタ構成の帯域フィルタおよびノッチフィ
ルタのバルク音響波共振器の構成の断面図である。
ルタのバルク音響波共振器の構成の断面図である。
【図２】帯域フィルタと、１つまたは２つのノッチフィ
ルタを有するフィルタ構成の回路図を示す。
ルタを有するフィルタ構成の回路図を示す。
【図３】帯域フィルタと、１つまたは２つのノッチフィ
ルタを有するフィルタ構成の回路図を示す。
ルタを有するフィルタ構成の回路図を示す。
【図４】帯域フィルタと、１つまたは２つのノッチフィ
ルタを有するフィルタ構成の回路図を示す。
ルタを有するフィルタ構成の回路図を示す。
【図５】共振器を有する帯域フィルタの回路図を示す。
１ 基板 ２ 反射要素 ３ 第１の電極 ４ 圧電層 ５ 第２の電極 ６ 保護層 ７ 入力 ８ 出力
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ハンス、ペーター、レーブル ドイツ連邦共和国モンシャウ‐インゲンブ ロイヒ、マティアス、オーフェルマンシュ トラーセ、22
Claims (12)
- 【請求項１】互いに接続された帯域フィルタとノッチフ
ィルタがその上に設けられた基板を有するフィルタ構
成。 - 【請求項２】請求項１に記載のフィルタ構成において、
前記ノッチフィルタは前記帯域フィルタの入力と接地
間、あるいは前記帯域フィルタの出力と接地間に接続さ
れたことを特徴とするフィルタ構成。 - 【請求項３】請求項１に記載のフィルタ構成において、
前記帯域フィルタおよび前記ノッチフィルタは薄膜フィ
ルタであることを特徴とするフィルタ構成。 - 【請求項４】請求項１に記載のフィルタ構成において、
前記帯域フィルタは共振器のフィルタ構成を含むことを
特徴とするフィルタ構成。 - 【請求項５】請求項３に記載のフィルタ構成において、
前記フィルタ構成はバルク音響波共振器、表面音響波共
振器、セラミック電磁共振器を含むことを特徴とするフ
ィルタ構成。 - 【請求項６】請求項４に記載のフィルタ構成において、
前記バルク音響波共振器は、共振器ユニットと、前記基
板と前記音響波共振器の間に配置された反射要素を備え
たことを特徴とするフィルタ構成。 - 【請求項７】請求項１に記載のフィルタ構成において、
前記ノッチフィルタはキャパシタおよびインダクタンス
を備えたことを特徴とするフィルタ構成。 - 【請求項８】基板およびその上に設けられたバルク音響
波共振器を含む帯域フィルタとノッチフィルタを備えた
フィルタ構成の製造方法であって、 第１の電極、圧電層、第２の電極をキャリア層上に少な
くとも１つの共振器ユニットとキャパシタとインダクタ
ンスが形成されるように設け、 反射要素を積共振器ユニットに属する第１の電極の部分
に堆積し、 前記基板を全体の組み立てに固定して、前記キャリア層
を除去する過程を含むフィルタ構成の製造方法。 - 【請求項９】互いに接続された帯域フィルタとノッチフ
ィルタがその上に設けられた基板を有するフィルタ構成
を備えた移動電話器。 - 【請求項１０】互いに接続された帯域フィルタとノッチ
フィルタがその上に設けられた基板を有するフィルタ構
成を備えた受信機。 - 【請求項１１】互いに接続された帯域フィルタとノッチ
フィルタがその上に設けられた基板を有するフィルタ構
成を備えた送信機。 - 【請求項１２】互いに接続された帯域フィルタとノッチ
フィルタがその上に設けられた基板を有するフィルタ構
成を備えた無線データ送信システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19962028.8 | 1999-12-22 | ||
| DE19962028A DE19962028A1 (de) | 1999-12-22 | 1999-12-22 | Filteranordnung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217675A true JP2001217675A (ja) | 2001-08-10 |
Family
ID=7933824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000391285A Pending JP2001217675A (ja) | 1999-12-22 | 2000-12-22 | フィルタ構成、その製造方法、これを用いた移動電話機、受信機、送信機、データ伝送システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6768396B2 (ja) |
| EP (1) | EP1111780A3 (ja) |
| JP (1) | JP2001217675A (ja) |
| DE (1) | DE19962028A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6948710B2 (en) | 2002-02-08 | 2005-09-27 | Ricoh Company, Ltd. | Method and apparatus for sheet feeding and image forming apparatus incorporating the same |
| JP2005538643A (ja) * | 2002-09-12 | 2005-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | バルク弾性波フィルタにおける通過帯域リップルを抑制する手段を有するバルク弾性波共振器 |
| JP2006109431A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電共振器を用いたフィルタモジュール、共用器及び通信機器並びにその製造方法 |
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