DE102018107489B4 - BAW-Resonator mit verbesserter Kopplung, HF-Filter, das einen BAW-Resonator umfasst, und Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators - Google Patents

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Abstract

Ein verbesserter BAW-Resonator mit einer erhöhten elektroakustischen Kopplung ist bereitgestellt. Der Resonator weist ein monokristallines piezoelektrisches Material zwischen einer unteren Elektrode und einer oberen Elektrode auf.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf BAW-Resonatoren (BAW: Bulk Acoustic Wave - akustische Volumenwelle) mit einer verbesserten elektroakustischen Kopplung, auf HF-Filter, die solche Resonatoren umfassen, und auf Verfahren zum Herstellen solcher Resonatoren.
  • BAW-Resonatoren können in HF-Filtern, z. B. von Mobilkommunikationsvorrichtungen, verwendet werden, wo sie zwischen HF-Signalen und akustischen Wellen umwandeln, um gewollte HF-Signale aus ungewollten HF-Signalen auswählen. Insbesondere können Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit steilen Bandpassflanken mit BAW-Resonatoren realisiert werden.
  • Ein BAW-Resonator weist typischerweise ein piezoelektrisches Material auf, das in einer Sandwichanordnung zwischen einer unteren Elektrode und einer oberen Elektrode liegt. Die Dicke des piezoelektrischen Materials ist üblicherweise gleich der halben Wellenlänge λ/2 der entsprechenden akustischen Welle, die in der Sandwich-Konstruktion propagiert. Das piezoelektrische Material ist als ein Dünnfilm bereitgestellt, der auf der unteren Elektrode mittels Dünnfilmabscheidungstechniken, typischerweise mittels Sputtern, abgeschieden ist.
  • Jedoch werden, insbesondere auf großen Wafern und mit Bezug auf BAW-Resonatoren, die in HF-Filtern für hohe Frequenzen verwendet werden sollten, die Dicke der entsprechenden piezoelektrischen Schicht und die Homogenität der Dicke wichtig. Gewollt ist eine hohe Schichtgleichförmigkeit und Dickengleichförmigkeit und eine Gleichförmigkeit der Materialeigenschaften des piezoelektrischen Materials über den gesamten Bereich des Wafers.
  • Aus dem Beitrag „Variable property crystal resonators by direct bonding techniques“ (O. Kawasaki et al., 1996 IEEE Ultrasonics Symposium 1996, Volume 2, Seiten 897-900) sind BAW-Resonatoren mit einkristallinem piezoelektrischem Material bekannt.
  • Aus dem Beitrag „ High frequency bulk acoustic wave resonator using thinned monocrystalline Lithium Niobate“ (D. Gachon et al., Proceedings of the 20th European Frequency and Time Forum, 2006, Seiten 14-17) sind ebenfalls solche BAW-Resonatoren und Schritte zur Herstellung bekannt.
  • Entsprechend der aktuellen Entwicklung bei Mobilkommunikationsvorrichtungen wird der Bereich verwendeter Frequenzen auf niedrigere Frequenzen und insbesondere auf höhere Frequenzen erweitert. Höhere Frequenzen erfordern dünnere piezoelektrische Schichten. Dünnere piezoelektrische Schichten weisen höhere relative Variationen der Schichtdicke auf. Dementsprechend wird die Entwicklung zu hohen Frequenzen hin mit typischen BAW-Resonatoren problematisch.
  • Eine andere typische Charakteristik eines piezoelektrischen Materials eines BAW-Resonators ist seine piezoelektrische Eigenschaft. Die piezoelektrische Eigenschaft des piezoelektrischen Materials hängt von der Kristallqualität ab. Die erzielbare Bandbreite eines HF-Filters, der BAW-Resonatoren umfasst, hängt von dem elektroakustischen Kopplungsfaktor ab. Dementsprechend könnte die Bandbreite des entsprechenden HF-Filters mit einer verbesserten Kristallqualität erhöht werden.
  • Dementsprechend ist ein BAW-Resonator gewollt, der eine erhöhte Bandbreite ermöglicht, wenn er in HF-Filtern enthalten ist, und der der Entwicklung zu höheren Frequenzbereichen folgt.
  • Zu diesem Zweck sind ein BAW-Resonator, ein HF-Filter, das einen BAW-Resonator umfasst, und ein Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators gemäß den unabhängigen Ansprüchen bereitgestellt. Abhängige Ansprüche stellen bevorzugte Ausführungsformen bereit.
  • Der BAW-Resonator umfasst eine untere Elektrode in einer unteren Elektrodenschicht und eine obere Elektrode in einer oberen Elektrodenschicht. Ferner umfasst der BAW-Resonator ein piezoelektrisches Material in einer piezoelektrischen Schicht zwischen der unteren Elektrodenschicht und der oberen Elektrodenschicht. Das piezoelektrische Material ist ein monokristallines piezoelektrisches Material.
  • Die Verwendung eines monokristallinen piezoelektrischen Materials liefert mehrere Vorteile. Die Kristallinität eines monokristallinen piezoelektrischen Materials ist höher als die Qualität herkömmlicher piezoelektrischer Materialien, die aus abgeschiedenen Schichten aus polykristallinen piezoelektrischen Domänen bestehen.
  • Infolge der Verwendung eines monokristallinen piezoelektrischen Materials ist die piezoelektrische Achse des Materials viel genauer definiert und die Richtung einer Orientierung der piezoelektrischen Achse kann durch Wählen der entsprechenden Schnittwinkel angepasst werden.
  • Außerdem liefert die Verwendung eines monokristallinen piezoelektrischen Materials eine verbesserte Genauigkeit der Schichtdicke. Dickenvariationen sind im Vergleich zu den piezoelektrischen Schichten, die abgeschiedenes Material umfassen, reduziert.
  • Dementsprechend werden BAW-Resonatoren erhalten, deren elektrische und akustische Eigenschaften besser und reproduzierbarer gesteuert werden. Entsprechend können HF-Filter, wie etwa Bandpassfilter oder Bandsperrfilter, mit einer breiteren Bandbreite, steileren Filterflanken und einer reduzierten Einfügedämpfung in einem Durchlassband bereitgestellt werden.
  • Mit solchen verbesserten BAW-Resonatoren können HF-Filter eingerichtet werden, die akustische Volumenwellen nutzen, z. B. anstelle von SAW-Resonatoren, die akustische Oberflächenwellen einsetzen. Infolgedessen können HF-Filter mit einer verbesserten Leistungshandhabung und einem höheren Gütefaktor, insbesondere bei hohen Frequenzen, bereitgestellt werden.
  • Es ist möglich, dass das piezoelektrische Material aus LiTaO3 (Lithiumtantalat), LiNbO3 (Lithiumniobat) und Quarz ausgewählt wird.
  • Die piezoelektrischen Eigenschaften von Lithiumtantalat, Lithiumniobat und Quarz sind wohlbekannt. Insbesondere sind Materialeigenschaften von monokristallinem Lithiumtantalat, Lithiumniobat und Quarz aus dem Bereich von SAW-Resonatoren (im Vergleich zu BAW-Resonatoren setzen SAW-Resonatoren einen anderen Typ von Wandler ein und nutzen ein anderes Arbeitsprinzip) wohlbekannt. Insbesondere sind bevorzugte Schnittwinkel (z. B. durch Euler-Winkel definiert) bekannt.
  • Es ist möglich, dass der BAW-Resonator dazu bereitgestellt ist, mit einer akustischen Longitudinal-Wellenmode zu arbeiten.
  • Aufgrund unterschiedlicher Arbeitsprinzipien und unterschiedlicher Konstruktionen von BAW-Resonatoren und SAW-Resonatoren ist die Möglichkeit, mit akustischen Longitudinal-Wellenmode zu arbeiten, einzigartig für BAW-Resonatoren. In solchen akustischen Wellenmoden ist die Auslenkung von Atomen oder Ionen des piezoelektrischen Materials parallel und antiparallel zu der Propagationsrichtung der entsprechenden Wellenmode.
  • Die entsprechende Welle wird in einer vertikalen Richtung jeweils zwischen der unteren Elektrode und einem akustischen Spiegel an der unteren Seite des piezoelektrischen Materials und der oberen Elektrode an der oberen Seite des piezoelektrischen Materials reflektiert.
  • Es ist möglich, dass das piezoelektrische Material, d. h. das monokristalline piezoelektrische Material, einen Schnittwinkel aufweist, der aus (0°, 0° ≤ µ < 360°, 0°), (0°, 90°, 0°) und (0°, 300°, 0°) ausgewählt ist.
  • In diesem Fall sind die Euler-Winkel (λ, µ, 0) wie folgt definiert: ein Satz von Achsen x, y, z, die die kristallografischen Achsen des Substrats sind, wird zuerst als eine Basis genommen.
  • Der erste Winkel, λ, spezifiziert den Betrag, um den die x-Achse und die y-Achse um die z-Achse rotiert werden, wobei die x-Achse in der Richtung der y-Achse rotiert wird. Ein neuer Satz von Achsen x', y', z' entsteht entsprechend, wobei z = z' gilt.
  • In einer weiteren Rotation werden die z'-Achse und die y'-Achse um die x'-Achse um den Winkel µ rotiert. In diesem Fall wird die y'-Achse in der Richtung der z'-Achse rotiert. Ein neuer Satz von Achsen x'', y'', z'' entsteht entsprechend, wobei x' = x'' gilt.
  • In einer dritten Rotation werden die x''-Achse und die y''-Achse um die z''-Achse um den Winkel θ rotiert. In diesem Fall wird die x''-Achse in der Richtung der y"-Achse rotiert. Ein dritter Satz von Achsen x''', y''', z''' entsteht dementsprechend, wobei z'' = z''' gilt.
  • In diesem Fall sind die x'''-Achse und die y'''-Achse parallel zu der Oberfläche des Substrats. Die z'''-Achse ist die Normale zu der Oberfläche des Substrats. Die x'''-Achse spezifiziert die Propagationsrichtung der akustischen Wellen.
  • Die Definition stimmt mit dem internationalen Standard IEC 62276, 2005-05, Anhang A1 überein.
  • Die gegebenen Winkel λ, µ und 0 können Toleranzen von ± 5° oder ± 10° aufweisen: (0°± 5°, µ, 0°± 5°), (0°± 5°, 90°± 5°, 0°± 5°), (0°± 5°, 300°± 5°, 0°± 5°) und (0°± 5°, 120°± 5°, 0°± 5°) oder (0°± 10°, µ, 0°± 10°), (0°± 10°, 90°± 10°, 0°± 10°), (0°± 10°, 300°± 10°, 0°± 10°) und (0°± 10°, 120°± 10°, 0°± 10°).
  • Es ist möglich, dass der BAW-Resonator ferner einen akustischen Spiegel unterhalb der unteren Elektrode oder einen Hohlraum unterhalb der unteren Elektrode umfasst.
  • BAW-Resonatoren mit einem akustischen Spiegel unterhalb der unteren Elektrode sind BAW-Resonatoren des SMR-Typs (SMR: Solidly Mounted Resonator - solide montierter Resonator). Resonatoren mit einem Hohlraum unterhalb der unteren Elektrode sind Resonatoren des FBAR-Typs (FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator - Film-akustische-Volumenwelle-Resonator).
  • In beiden Fällen entkoppelt entweder der akustische Spiegel oder der Hohlraum den Resonatorbereich von den Trägersubstrat, auf dem der Resonatorbereich angeordnet ist. Ohne Entkopplung würde die akustische Energie in das Substrat dissipieren und wäre eine Resonanz mit einem für HF-Filter erforderlichen Gütefaktor nicht möglich.
  • Es ist möglich, dass oberhalb der oberen Elektrode keine weitere Materie, außer zum Beispiel eines Gases, vorhanden ist, um den Resonanzbereich an der Oberseite zu entkoppeln.
  • Entsprechend ist es möglich, dass der BAW-Resonator ferner ein Trägersubstrat unterhalb der unteren Elektrode umfasst. Das Trägersubstrat kann direkt unterhalb der unteren Elektrodenschicht angebracht sein, z. B. in dem Fall eines Resonators eines FBAR-Typs. Ferner ist es möglich, dass in dem Fall eines Resonators eines SMR-Typs ein akustischer Spiegel zwischen der unteren Elektrode und dem Trägersubstrat angeordnet ist.
  • Der akustische Spiegel umfasst einen Schichtenstapel, wobei Schichten mit einer niedrigen akustischen Impedanz und Schichten mit einer hohen akustischen Impedanz zueinander alternierend angeordnet sind. Eine solche Konfiguration richtet einen Bragg-Spiegel für die charakteristische Resonanzfrequenz des BAW-Resonators ein.
  • Schichten, die eine hohe akustische Impedanz umfassen, können Wolfram umfassen. Schichten einer niedrigen akustischen Impedanz können ein Siliciumoxid, z. B. Siliciumdioxid, umfassen.
  • Es ist dementsprechend möglich, dass der BAW-Resonator ein Trägersubstrat, eine erste Ti(Titan)-Schicht auf dem Trägersubstrat, eine erste W(Wolfram)-Schicht auf der ersten Titanschicht, eine erste Siliciumdioxidschicht auf der ersten Wolframschicht umfasst. Ferner kann der Resonator eine zweite Titanschicht auf der ersten Wolframschicht, eine zweite Wolframschicht auf der zweiten Titanschicht und ein zweites Siliciumdioxid auf der zweiten Wolframschicht umfassen.
  • Die Siliciumdioxidschichten richten Schichten einer niedrigen akustischen Impedanz ein. Die Wolframschichten richten Schichten einer hohen akustischen Impedanz ein. Die Titanschichten richten Zwischenschichten ein, die eine gute Haftung zwischen den Schichten bereitstellen und die eine gute Kristallqualität der entsprechenden Schichten oberhalb der Titanschichten ermöglichen.
  • Es ist möglich, dass der BAW-Resonator eine AlN(Aluminiumnitrid)-Schicht umfasst. Die untere Elektrodenschicht kann auf der Aluminiumschicht angeordnet sein. Die piezoelektrische Schicht kann auf der unteren Elektrodenschicht angeordnet sein und die obere Elektrodenschicht kann auf der piezoelektrischen Schicht angeordnet sein.
  • Die Aluminiumnitridschicht kann als eine Basis zum Bereitstellen einer guten Kristallqualität der unteren Elektrodenschicht verwendet werden.
  • Die Aluminiumnitridschicht kann auf einem akustischen Spiegel, z. B. auf einer oberen Schicht, die Wolfram umfasst, angeordnet sein. Jedoch ist es möglich, dass die Aluminiumnitridschicht auf einem Trägersubstrat angeordnet ist, z. B. in einem BAW-Resonator des FBAR-Typs.
  • Die Aluminiumnitridschicht kann als eine Keimschicht für untere Elektroden, die aus Wolfram bestehen, bevorzugt werden.
  • Ein Trägersubstrat kann eine Dicke von 150 µm aufweisen. Eine erste Titanschicht kann eine Dicke von 32 nm aufweisen. Eine erste Wolframschicht kann eine Dicke von 510 nm aufweisen. Eine erste Schicht niedriger Impedanz kann eine Dicke von 620 nm aufweisen. Eine zweite Titanschicht kann eine Dicke von 32 nm aufweisen. Eine zweite Wolframschicht kann eine Dicke von 490 nm aufweisen. Eine zweite Schicht niedriger Impedanz kann eine Dicke von 680 nm aufweisen. Eine Aluminiumnitridschicht kann eine Dicke von 30 nm aufweisen. Eine untere Elektrode kann Molybdän umfassen oder daraus bestehen und eine Dicke von 300 nm aufweisen. Das piezoelektrische Material kann eine Dicke von 610 nm aufweisen und die obere Elektrode kann Molybdän umfassen oder daraus bestehen und eine Dicke von 300 nm aufweisen.
  • In dem Fall eines BAW-Resonators des FBAR-Typs kann die Dicke des piezoelektrischen Materials 600 nm betragen.
  • In einem solchen BAW-Resonator können die Euler-Winkel 0°, 300°, 0° sein. Ein solcher Schichtenstapel weist eine Resonanzfrequenz von näherungsweise 2 GHz auf.
  • Es ist möglich, dass der BAW-Resonator oder einige solche BAW-Resonatoren verwendet werden, um ein HF-Filter einzurichten.
  • Entsprechend ist es möglich, dass ein HF-Filter einen BAW-Resonator oder einige BAW-Resonatoren, wie oben beschrieben, umfasst.
  • Die Resonatoren können elektrisch in einer abzweigtypartigen (Ladder-Type artigen) Topologie oder einer kreuzgliedtypartigen (Lattice-Type artigen) Topologie verbunden sein.
  • In einer abzweigtypartigen Topologie sind zwei oder mehr Reihenresonatoren elektrisch in einem Signalpfad zwischen einem Eingangsport und einem Ausgangsport in Reihe verbunden. Zwei oder mehr Parallelpfade verbinden den Signalpfad elektrisch mit Masse und umfassen einen oder einige Resonatoren.
  • Die Verwendung von BAW-Resonatoren mit einem elektroakustischen Kopplungsfaktor κ2 ermöglicht die Erschaffung von HF-Filtern mit einer breiten Bandbreite, die auch vorteilhaft ist, um der Entwicklung zu höheren Frequenzen zu folgen, die in modernen Mobilkommunikationsvorrichtungen verwendet werden.
  • In dem HF-Filter können die Resonatoren elektrisch mit Impedanzelementen verbunden sein.
  • Dementsprechend ist es möglich, dass das HF-Filter ferner ein oder mehrere Impedanzelemente umfasst. Die Impedanzelemente können als PoG (PoG: Passive Elemente auf Glas) realisiert werden.
  • In PoG-Elementen sind Elektrodenstrukturen von Impedanzelementen mit einem Glasmaterial kombiniert, um von den elektrischen Eigenschaften des Glasmaterials zu profitieren.
  • Entsprechend können das eine oder die mehreren Impedanzelemente aus Widerstandselementen, Induktivitätselementen und Kapazitätselementen ausgewählt werden.
  • Es ist möglich, Silicium oder ein dotiertes Silicium als Material für das Trägersubstrat zu verwenden. Jedoch ist es auch möglich, ein Glasmaterial für das Trägersubstrat zu verwenden. Dann können PoG-Elemente auf dem oder oberhalb des Trägersubstrats neben der Schichtkonstruktion angeordnet werden, die den BAW-Resonator oder einige BAW-Resonatoren einrichtet. Dementsprechend kann die Integrationsdichte elektroakustischer und elektrischer Schaltkreiselemente erhöht werden und können kleinere Komponenten bereitgestellt werden.
  • Das Trägersubstrat kann in Form eines Trägerwafers bereitgestellt werden. Mehrere Resonatoren können gleichzeitig hergestellt werden, indem ein einziger Wafer verarbeitet wird oder indem mehrere Wafer verarbeitet werden.
  • Ein Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators umfasst die folgenden Schritte:
    • - Bereitstellen eines piezoelektrischen monokristallinen Substrats mit einer strukturierten unteren Elektrode,
    • - Bereitstellen eines Trägersubstrats,
    • - Separieren eines Stücks von dem piezoelektrischen monokristallinen Substrat, wobei das Stück die strukturierte untere Elektrode auf einer ersten Seite aufweist,
    • - Verbinden des Stücks mittels eines Waferbondverfahrens mit dem Trägersubstrat,
    • - Strukturieren einer oberen Elektrode auf der zweiten Seite des Stücks.
  • Es ist möglich, dass das Verfahren zum Separieren des Stücks von dem piezoelektrischen monokristallinen Substrat ferner die folgenden Schritte umfasst:
    • - Implantieren von Ionen unterhalb der piezoelektrischen monokristallinen Substratoberfläche oder
    • - Schleifen des piezoelektrischen monokristallinen Substrats auf seiner Seite, die der Seite mit der unteren Elektrode gegenüberliegt.
  • Der Trägerwafer kann mit einer gewissen Dicke, z. B. zwischen 700 µm und 750 µm, z. B. mit einer Dicke von 725 µm, bereitgestellt werden. Während der Herstellung kann die Dicke auf eine Dicke zwischen 100 µm und 200 µm, z. B. auf 150 µm, reduziert werden. Die Dickenreduktion kann durch Dünnen realisiert werden.
  • In dem Fall des Einrichtens eines BAW-Resonators des SMR-Typs kann das Trägersubstrat auch gestapelte Schichten für den akustischen Spiegel umfassen.
  • In dem Fall eines BAW-Resonators des FBAR-Typs sind weitere Konstruktionsschritte zum Strukturieren des Hohlraums unterhalb der unteren Elektrode möglich.
  • Die weiteren Schritte zum Einrichten des Hohlraums können reaktives Ionentiefätzen umfassen. Eine Schicht unterhalb der unteren Elektrode, z. B. eine Aluminiumnitridschicht, kann als eine Ätzstoppschicht fungieren.
  • Außerdem ist ein Bosch-Prozess zum Passivieren von Elektrodenstrukturen an den Flanken der Elektroden möglich.
  • Wenn Ionen in das monokristalline piezoelektrische Material implantiert werden, sodass sich das Material des späteren piezoelektrischen Materials des Resonators zwischen der unteren Elektrode und dem Bereich, in dem die Ionen implantiert sind, befindet, schwächen die implantierten Ionen dann die strukturelle Stabilität des Kristallgitters. Temperaturänderungen, z. B. durch Erwärmen des Kristalls, können verwendet werden, um das Stück mechanisch von dem Kristall zu separieren.
  • Außerdem ist es möglich, eine mechanische Scherkraft zu verwenden, um das Stück von dem Kristall zu separieren.
  • Außerdem ist es möglich, thermische Mittel und mechanische Mittel zum Separieren des Stücks von dem Kristall zu verwenden.
  • Zentrale Aspekte des BAW-Resonators, des HF-Filters und des Verfahrens zum Herstellen eines BAW-Resonators und Einzelheiten bevorzugter Ausführungsformen sind in den begleitenden schematischen Figuren gezeigt.
  • In den Figuren gilt:
    • 1 zeigt einen Basisschichtstapel eines Resonators des FBAR-Typs;
    • 2 zeigt eine Basisschichtkonstruktion eines BAW-Resonators des SMR-Typs;
    • 3 bis 11 zeigen mögliche Schritte zum Herstellen eines BAW-Resonators;
    • 12 bis 20 zeigen mögliche Schritte zum Herstellen eines BAW-Resonators;
    • 21 und 22 zeigen eine Simulation der Resonanz;
    • 23 zeigt den Vergleich zwischen zwei unterschiedlichen Simulationen;
    • 24 und 25 zeigen simulierte Dispersionen;
    • 26 und 27 zeigen simulierte Resonanzen eines freistehenden Resonators; und
    • 28 und 29 zeigen simulierte Dispersionen eines freistehenden Resonators.
  • 1 zeigt Einzelheiten einer Basiskonstruktion eines BAW-Resonators BAWR. Der Resonator umfasst eine untere Elektrode BE in einer unteren Elektrodenschicht und eine obere Elektrode TE in einer oberen Elektrodenschicht. Zwischen der unteren Elektrodenschicht und der oberen Elektrodenschicht ist das piezoelektrische Material angeordnet. Das piezoelektrische Material ist als ein monokristallines piezoelektrisches Material MCPM, im Gegensatz zu dem polykristallinen piezoelektrischen Material, das unter Nutzung von Abscheidungstechniken in herkömmlichen BAW-Resonatoren bereitgestellt wird, bereitgestellt.
  • Die Verwendung eines monokristallinen piezoelektrischen Materials liefert die oben beschriebenen Vorteile, obwohl das Verfahren zum Herstellen eines entsprechenden BAW-Resonators komplexer als für Resonatoren unter Nutzung eines gesputterten piezoelektrischen Materials zwischen den Elektroden ist.
  • Unterhalb der unteren Elektrode BE ist ein Hohlraum CV bereitgestellt, um den Resonator akustisch von seiner Umgebung zu entkoppeln. Dementsprechend ist der in 1 gezeigte BAW-Resonator BAWR ein Resonator eines FBAR-Typs.
  • 2 veranschaulicht eine mögliche Ausführungsform eines BAW-Resonators BAWR des SMR-Typs. Der Resonator weist das monokristalline piezoelektrische Material MCPM zwischen der unteren Elektrode BE und einer unteren Elektrodenschicht und der oberen Elektrode TE und der oberen Elektrodenschicht auf. Jedoch ist die untere Elektrode BE auf einem akustischen Spiegel angeordnet, der sich unterhalb der unteren Elektrode BE befindet. Der akustische Spiegel umfasst Schichten niedriger akustischer Impedanz LAI und Schichten hoher akustischer Impedanz HAI. Der akustische Spiegel ist auf einem Trägersubstrat CS angeordnet. Der akustische Spiegel entkoppelt das elektroakustische aktive Gebiet, das die Elektroden und das piezoelektrische Material enthält, akustisch von dem Trägersubstrat CS. Dementsprechend sind keine weiteren Strukturierungsschritte, die auf das Trägersubstrat CS anwendbar sind, notwendig.
  • Haftschichten ADL können zwischen den Schichten niedriger akustischer Impedanz und hoher akustischer Impedanz bereitgestellt werden. Ferner kann eine Grenzschicht INL zwischen einer zweiten Schicht niedriger akustischer Impedanz und der unteren Elektrode BE bereitgestellt werden. Die Grenzschicht INL kann verwendet werden, um die Kristallqualität des Materials der unteren Elektrode BE zu verbessern.
  • 3 bis 11 zeigen Schritte zum Herstellen eines BAW-Resonators, wobei 11 das Ergebnis der Herstellung zeigt.
  • In 3 ist ein monokristallines piezoelektrisches Material MCPM bereitgestellt. Das Material kann aus einem Einkristall bestehen. Der Einkristall kann einen bevorzugten Schnittwinkel aufweisen. Zum Beispiel ist die Oberfläche des Kristalls mit Bezug auf die piezoelektrische Achse des Kristalls in einer bevorzugten Orientierung angeordnet.
  • 4 zeigt eine untere Elektrode BE, die auf der oberen Seite des monokristallinen piezoelektrischen Materials MCPM strukturiert ist. Es ist anzumerken, dass die 4 als die obere Seite gezeigte Seite des Materials MCPM die untere Seite des späteren Resonators wird.
  • 5 zeigt, dass eine Zwischenschicht IML auf der Oberfläche des kristallinen Materials, auf der die untere Elektrode angeordnet ist, und auf der unteren Elektrode abgeschieden ist.
  • 6 zeigt, dass die Zwischenschicht IML planarisiert ist. Dementsprechend ist eine ebenflächige Oberfläche bereitgestellt und weist das Material auf der unteren Elektrode eine definierte Schichtdicke auf.
  • 7 zeigt den Implantationsprozess. Ionen, die das Kristallgitter des piezoelektrischen Materials in einer definierten Tiefe schwächen sollten, werden implantiert.
  • 8 zeigt die Bereitstellung des Trägersubstrats CS, auf dem ein akustischer Spiegel AM bereits strukturiert wurde.
  • 9 zeigt, dass die Zwischenschicht IML der in 7 gezeigten Schichtkonstruktion an eine entsprechende Zwischenschicht IML wafergebondet ist, die das Material niedriger akustischer Impedanz des akustischen Spiegels AM einrichtet. Typische Waferbondverfahren können genutzt werden, um die zwei Schichtkonstruktionen zu verbinden, um eine einzige Schichtkonstruktion zu erhalten.
  • Die entsprechende einzige Schichtkonstruktion ist in 10 gezeigt. 10 zeigt ferner den Schritt des Entfernens des überschüssigen Materials des monokristallinen piezoelektrischen Materials. Das Gebiet in der spezifischen Tiefe, in der die Ionen implantiert wurden, schwächt die Kristallgitterstruktur und thermische oder mechanische Mittel können verwendet werden, um das Stück des monokristallinen piezoelektrischen Materials MCPM zu separieren, das auf dem akustischen Spiegel verbleiben sollte.
  • Schließlich zeigt 11 das Ergebnis nach dem Abscheiden einer oberen Elektrode TE auf dem monokristallinen piezoelektrischen Material MCPM in dem Bereich oberhalb der unteren Elektrode BE.
  • In dem Randbereich der Elektroden, die durch Rechtecke hervorgehoben sind, können weitere Herstellungsschritte durchgeführt werden, um z. B. die Flanken zu passivieren.
  • 3 bis 11 zeigen Herstellungsschritte zum Einrichten eines Resonators eines SMR-Typs. 12 bis 20 zeigen jeweils Schritte zum Einrichten eines BAW-Resonators des FBAR-Typs.
  • 12 zeigt den Schritt des Bereitstellens des monokristallinen piezoelektrischen Materials MCPM.
  • 13 zeigt den Schritt des Strukturierens der unteren Elektrode BE auf der Seite des piezoelektrischen Materials, die die untere Seite des piezoelektrischen Materials werden wird.
  • 14 zeigt den entsprechenden Schritt des Abscheidens von Material einer Zwischenschicht IML, die später zum Waferbonden des Teils, der das piezoelektrische Material umfasst, an das Trägersubstrat verwendet werden kann.
  • 15 zeigt den entsprechenden Teil nach einem Planarisierungsschritt, um eine ebenflächige Oberfläche und eine vordefinierte Dicke der Zwischenschicht IML bereitzustellen.
  • 16 (oberer Teil) zeigt den Schritt des Implantierens von Ionen, um einen vorbestimmten Bruchpunkt bei einer vordefinierten Tiefe innerhalb des monokristallinen piezoelektrischen Materials bereitzustellen. Der untere Teil aus 16 zeigt die Bereitstellung des Trägersubstrats CS, auf dem weiteres Material einer Zwischenschicht IML angeordnet werden kann, um den Waferbondschritt durchzuführen.
  • Der Waferbondschritt ist in 17 gezeigt, wo Material der Zwischenschicht IML zum Waferbonden des Teils, der das piezoelektrische Material umfasst, an den Teil, der das Trägersubstrat umfasst, verwendet wird.
  • 18 zeigt den Schritt des Entfernens des überschüssigen piezoelektrischen Materials.
  • 19 zeigt die obere Elektrode TE, die auf dem piezoelektrischen Material in dem Bereich der unteren Elektrode BE strukturiert ist.
  • 20 zeigt den Resonator nach einem Schritt zum Einrichten des Hohlraums CV unterhalb der unteren Elektrode BE.
  • Um den Schritt des Beschaffens des Hohlraums CV unterhalb der unteren Elektrode BE zu verbessern, kann eine (in den Figuren nicht gezeigte) Ätzstoppschicht bereitgestellt werden.
  • 21 zeigt die Resonanz gemäß einer Simulation in dem Resonatorbereich. Eine Resonanzfrequenz von 2000 MHz und eine Antiresonanzfrequenz von näherungsweise 2250 MHz wurden erhalten.
  • 22 zeigt eine entsprechende Simulation der Resonanz in der horizontalen Umgebung des Resonatorbereichs. Die Resonanzfrequenz ist weit genug von der Resonanz in dem Resonatorbereich entfernt, um die Erschaffung von HF-Filtern ohne Störungen in dem Durchlassband oder Sperrband, die durch resonierende Teile des Außenbereichs des Resonators verursacht werden, zu ermöglichen.
  • 23 zeigt das Ergebnis unterschiedlicher Simulationen hinsichtlich einer speziellen Schichtkonstruktion, das eine gute Übereinstimmung zwischen unterschiedlichen Simulationen angibt.
  • 24 und 25 zeigen simulierte Dispersionen in dem Resonatorbereich (24) bzw. in dem Außenbereich angrenzend an den Resonatorbereich (25). Die Figuren zeigen klar, dass keine Modenpropagation in dem Außenbereich der Resonanzfrequenz FS des Resonatorbereichs vorhanden ist.
  • 26 und 27 zeigen eine entsprechende Resonanz ( 26) und die Abwesenheit einer Resonanz (27) eines simulierten freistehenden Resonators.
  • 28 und 29 zeigen die entsprechenden Dispersionen für den Resonatorbereich bzw. den Außenbereich eines freistehenden Resonators.
  • Der Resonator, das HF-Filter und das Verfahren zum Herstellen eines Resonators sind nicht durch die technischen Einzelheiten und Ausführungsformen, die in den Figuren gezeigt und oben beschrieben sind, beschränkt. Resonatoren können weitere Schichten oder strukturierte Elemente umfassen. HF-Filter können weitere Schaltkreiselemente umfassen. Herstellungsverfahren können weitere Schritte umfassen.
  • Bezugszeichenliste
    • ADL:
    Haftschicht
    AM:
    akustischer Spiegel
    BAWR:
    BAW-Resonator
    BE:
    untere Elektrode
    CS:
    Trägersubstrat
    CV:
    Hohlraum
    f:
    Frequenz
    FO:
    Antiresonanzfrequenz
    FS:
    Resonanzfrequenz
    HAI:
    Schicht hoher akustischer Impedanz
    IML:
    Zwischenschicht
    INL:
    Grenzschicht
    kx:
    Longitudinalwellenvektorkomponente
    LAI:
    Schicht niedriger akustischer Impedanz
    MCPM:
    monokristallines piezoelektrisches Material
    S21:
    Transfermatrixelement
    TE:
    obere Elektrode

Claims (11)

  1. BAW-Resonator (BAWR), der Folgendes umfasst: - eine untere Elektrode (BE) in einer unteren Elektrodenschicht, eine obere Elektrode (TE) in einer oberen Elektrodenschicht und ein piezoelektrisches Material (MCPM) in einer piezoelektrischen Schicht zwischen der unteren Elektrodenschicht und der oberen Elektrodenschicht, wobei - das piezoelektrische Material (MCPM) ein monokristallines piezoelektrisches Material ist, - das piezoelektrische Material (MCPM) einen vorbestimmten Bruchpunkt hat, - die obere Elektrode (TE) am vorbestimmten Bruchpunkt angeordnet ist und - das piezoelektrische Material (MCPM) zwischen der unteren Elektrode (BE) und der oberen Elektrode (TE) angeordnet ist.
  2. BAW-Resonator nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das piezoelektrische Material (MCPM) aus LiTaO3, LiNbO3, Quarz ausgewählt ist.
  3. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der dazu bereitgestellt ist, mit einer akustischen Longitudinal-Wellenmode zu arbeiten.
  4. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das monokristalline piezoelektrische Material (MCPM) einen Schnittwinkel aufweist, der aus (0°, 0° ≤ µ < 360°, 0°), (0°, 90°, 0°) und (0°, 300°, 0°) ausgewählt ist.
  5. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der ferner Folgendes umfasst: - einen akustischen Spiegel unterhalb der unteren Elektrode oder - einen Hohlraum (CV) unterhalb der unteren Elektrode.
  6. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der ferner ein Trägersubstrat (CS) unterhalb der unteren Elektrode umfasst.
  7. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der Folgendes umfasst: - ein Trägersubstrat (CS), - eine erste Ti-Schicht auf dem Trägersubstrat (CS), - eine erste W-Schicht (HAI) auf der ersten Ti-Schicht, - eine erste SiO2-Schicht (LAI) auf der ersten W-Schicht (HAI), - eine zweite Ti-Schicht auf der ersten SiO2-Schicht (LAI), - eine zweite W-Schicht (HAI) auf der zweiten Ti-Schicht, - eine zweite SiO2-Schicht (LAI) auf der zweiten W-Schicht (HAI) .
  8. BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der Folgendes umfasst: - eine AlN-Schicht (INL), - die untere Elektrodenschicht (BE) auf der AlN-Schicht (INL), - die piezoelektrische Schicht (MCPM) auf der unteren Elektrodenschicht (BE), - die obere Elektrodenschicht (TE) auf der piezoelektrischen Schicht (MCPM).
  9. HF-Filter, das einen BAW-Resonator nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfasst.
  10. HF-Filter nach dem vorhergehenden Anspruch, das ferner ein Impedanzelement umfasst, das als ein POG-Element realisiert ist.
  11. Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators, das die folgenden Schritte umfasst: - Bereitstellen eines piezoelektrischen monokristallinen Substrats (MCPM) mit einer strukturierten unteren Elektrode (BE), - Bereitstellen eines Trägersubstrats (CS), - Separieren eines Stücks von dem piezoelektrischen monokristallinen Substrat (MCPM), wobei das Stück die strukturierte untere Elektrode (BE) auf einer ersten Seite aufweist, - Verbinden des Stücks (MCPM) mittels eines Waferbondverfahrens mit dem Trägersubstrat (CS), - Strukturieren einer oberen Elektrode (TE) auf der zweiten Seite des Stücks, wobei das Verfahren zum Separieren des Stücks von dem piezoelektrischen monokristallinen Substrat (MCPM) fernerein Implantieren von Ionen unterhalb der Oberfläche des piezoelektrischen monokristallinen Substrats (MCPM) umfasst.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210193900A1 (en) * 2019-12-20 2021-06-24 Frore Systems Inc. Method and system for fabricating a piezoelectric device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5647932A (en) * 1993-05-18 1997-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of processing a piezoelectric device
DE19962028A1 (de) * 1999-12-22 2001-06-28 Philips Corp Intellectual Pty Filteranordnung
KR100518616B1 (ko) * 2001-01-18 2005-10-04 노키아 코포레이션 필터디바이스 및 필터디바이스를 제조하는 방법
US6767749B2 (en) * 2002-04-22 2004-07-27 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for making piezoelectric resonator and surface acoustic wave device using hydrogen implant layer splitting
JP4756461B2 (ja) * 2005-10-12 2011-08-24 宇部興産株式会社 窒化アルミニウム薄膜およびそれを用いた圧電薄膜共振子
JP4930595B2 (ja) * 2007-09-06 2012-05-16 株式会社村田製作所 圧電共振子
CN101689841A (zh) * 2007-12-25 2010-03-31 株式会社村田制作所 复合压电基板的制造方法
JP4582235B2 (ja) * 2008-10-31 2010-11-17 株式会社村田製作所 圧電デバイスの製造方法
KR101661361B1 (ko) * 2010-01-14 2016-09-29 엔지케이 인슐레이터 엘티디 복합 기판, 및 그것을 이용한 탄성 표면파 필터와 탄성 표면파 공진기
DE102010032365B4 (de) * 2010-07-27 2012-06-21 Epcos Ag Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator mit stabiler Dispersion und Verfahren zur Herstellung
US20140035702A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Hybrid filter including lc- and mems-based resonators

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
D. Gachon et al., Proceedings of the 20th European Frequency and Time Forum, 2006, Seiten 14-17
D. Gachon; u.A.: High frequency bulk acoustic wave resonator using thinned monocrystalline Lithium Niobate. Proceedings of the 20th European Frequency and Time Forum, 2006, Seiten 14 - 17 *
O. Kawasaki et al., 1996 IEEE Ultrasonics Symposium 1996, Volume 2, Seiten 897-900
O. Kawasaki; u.A.: Variable property crystal resonators by direct bonding techniques. 1996 IEEE Ultrasonics Symposium, Proceedings, 1996 , Volume 2, Seiten 897 - 900 *

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