JP4930595B2 - 圧電共振子 - Google Patents
圧電共振子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4930595B2 JP4930595B2 JP2009531158A JP2009531158A JP4930595B2 JP 4930595 B2 JP4930595 B2 JP 4930595B2 JP 2009531158 A JP2009531158 A JP 2009531158A JP 2009531158 A JP2009531158 A JP 2009531158A JP 4930595 B2 JP4930595 B2 JP 4930595B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic impedance
- layer
- film
- piezoelectric resonator
- high acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02133—Means for compensation or elimination of undesirable effects of stress
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明は圧電共振子に関し、詳しくは、一対の電極の間に圧電薄膜が挟まれた振動部を基板から音響的に分離して支持するために音響反射器部を備えた圧電共振子に関する。
従来、圧電薄膜の厚み振動を利用する圧電共振子（ＢＡＷ共振子）や圧電共振子で構成された圧電フィルタには、一対の電極の間に圧電薄膜が挟まれた振動部を基板から音響的に分離して支持するため、キャビティを設けるタイプや、音響反射器部を備えるタイプのものがある。
後者のタイプには、図８の断面図に示す圧電共振子１００のように、一対の電極１１５，１１７の間に圧電薄膜１１６が挟まれた振動部１２０と基板１１２との間に、音響反射器部１２２が設けられている。音響反射器部１２２は、音響インピーダンスが相対的に小さい材料からなる低音響インピーダンス層１１４ａ，１１４ｂと、音響インピーダンスが相対的に大きい材料からなる高音響インピーダンス層１１３ａ，１１３ｂとが、交互に積層されている。音響反射器部１２２は、振動部１２０からの振動を反射し、振動が基板１１２に伝わらないように、振動部１２０と基板１１２とを音響的に分離する。例えば、高音響インピーダンス層には金属材料（Ｗ、Ｍｏ）を用い、低音響インピーダンス層には誘電材料（ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４）を用いる（例えば、特許文献１参照）。
また、非特許文献１には、図９の断面図に示すように、低音響インピーダンス層にはＳｉＯ２、高音響インピーダンス層にはＷ、シード層にＡｌＮを用いることが開示されている。
特開２００２−２５１１９０号公報
R. Lanz， C. Lambert, E. Kuegler, L. Gabathuler, L. Senn and K. 0nuki、"The 8th International Symposium on Sputtering and Plasma Process"予稿集、「Properties of sputter deposited AIN， Mo， W and SiO2 thin-films for Bulk-Acoustic-Wave applications on 200mm Si substrates」
特許文献１の圧電共振子は、高音響インピーダンス層の金属（例えば、Ｗ）をエッチングする際に、その下の低音響インピーダンス層までエッチングしてしまう可能性がある。このようなオーバーエッチングにより振動部の電極同士が対向する部分の周辺に形成される段差が大きくなると、電極が断線しやすくなる。また、高音響インピーダンス層の膜厚が厚い場合には、膜がはがれたり、基板が割れる危険性が増大する。そのため、品質の安定した製造が難しい。
非特許文献１では、音響反射器部の応力調整のためにＷ膜を引張応力にしている。引張応力のＷ膜は結晶性が悪く、疎な膜となりやすく、共振特性を劣化させる。
本発明は、かかる実情に鑑み、品質が安定し、共振特性を改善することができる圧電共振子を提供しようとするものである。
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した圧電共振子を提供する。
圧電共振子は、基板と、一対の電極の間に圧電薄膜が挟まれた振動部と、前記基板と前記振動部との間に配置された音響反射器部とを備える。前記音響反射器部は、（ａ）前記基板と前記振動部との間において交互に配置された、音響インピーダンスが相対的に低い材料からなる複数の低音響インピーダンス層及び音響インピーダンスが相対的に高い材料からなる複数の高音響インピーダンス層と、（ｂ）前記高音響インピーダンス層と当該高音響インピーダンス層の前記基板側に当該高音響インピーダンス層の次に配置されている前記低音響インピーダンス層との間に配置され、前記高音響インピーダンス層の音響インピーダンスと前記低音響インピーダンス層の音響インピーダンスとの中間の値の音響インピーダンスを有する調整層とを含む。前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とは圧縮応力を有し、前記調整層は引張応力を有する。前記調整層がフッ素系ガスにエッチングされにくい材料からなる。
上記構成において、低音響インピーダンス層と高音響インピーダンス層とは圧縮応力であるので、引張応力である場合よりも膜が緻密になり、結晶性が良い。そのため、弾性波にとっては低損失であり、弾性波の不要な散乱が少なく、圧電共振子の共振特性が向上する。
圧縮応力の絶対値が大きいと膜ハガレが起きやすいが、引張応力の調整層により、音響反射器部の全応力を調整できるため、膜ハガレが起きないようにすることができる。また、調整層によって、高音響インピーダンス層の結晶性、低音響インピーダンス層のオーバーエッチング量を調整できる。
したがって、圧電共振子の品質が安定し、圧電共振子の共振特性を改善することができる。
さらに、調整層がフッ素系ガスにエッチングされにくい材料からなる場合、高音響インピーダンス層のエッチングの際に、調整層でエッチングが止まり、その下の低音響インピーダンス層がエッチングされないようにすることができる。これによって、振動部の電極同士が対向する部分の周囲に形成される段差の高さを最小限に抑え、電極の断線を防ぐことができる。これにより、圧電共振子の品質がさらに安定する。
さらに、調整層がフッ素系ガスにエッチングされにくい材料からなる場合、高音響インピーダンス層のエッチングの際に、調整層でエッチングが止まり、その下の低音響インピーダンス層がエッチングされないようにすることができる。これによって、振動部の電極同士が対向する部分の周囲に形成される段差の高さを最小限に抑え、電極の断線を防ぐことができる。これにより、圧電共振子の品質がさらに安定する。
好ましくは、前記音響反射器部は、前記基板と前記振動部との間において、前記高音響インピーダンス層と前記調整層との間に配置された密着層を含む。
この場合、調整層と高音響インピーダンス層との密着性が向上し、膜ハガレや基板割れが起きにくくなる。これにより、圧電共振子の品質がより安定する。
好ましくは、前記低音響インピーダンス層に酸化シリコン、前記高音響インピーダンス層にタングステン、前記調整層に窒化アルミニウムを用いる。
この場合、品質が安定し共振特性が改善された圧電共振子を、容易に製造することができる。窒化アルミニウムは、結晶性を維持したままでの応力の調整範囲が広いので、調整層に好適である。
好ましくは、前記密着層にチタンを用いる。
この場合、品質が安定し共振特性が改善された圧電共振子を、容易に製造することができる。
本発明の圧電共振子は、品質が安定し、共振特性を改善することができる。
２，２ａ，２ｂ，２ｃ 振動部
４，４ａ，４ｂ，４ｃ 音響反射器部
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ 圧電共振子
１２ 基板
１３ｓ，１３ｔ 調整層（窒化アルミニウム膜）
１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ 下部電極
１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ 圧電薄膜
１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ 上部電極
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 高音響インピーダンス層（タングステン膜）
２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ 高音響インピーダンス層（タングステン膜）
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ 低音響インピーダンス層（酸化シリコン膜）
３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ 低音響インピーダンス層（酸化シリコン膜）
３４，３４ａ，３４ｂ，３４ｃ 低音響インピーダンス層（酸化シリコン膜）
４０，４２ 密着層（チタン膜）
４，４ａ，４ｂ，４ｃ 音響反射器部
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ 圧電共振子
１２ 基板
１３ｓ，１３ｔ 調整層（窒化アルミニウム膜）
１５，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ 下部電極
１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ 圧電薄膜
１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ 上部電極
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 高音響インピーダンス層（タングステン膜）
２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ 高音響インピーダンス層（タングステン膜）
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ 低音響インピーダンス層（酸化シリコン膜）
３２，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ 低音響インピーダンス層（酸化シリコン膜）
３４，３４ａ，３４ｂ，３４ｃ 低音響インピーダンス層（酸化シリコン膜）
４０，４２ 密着層（チタン膜）
以下、本発明の実施の形態として実施例１〜４について、図１〜図７を参照しながら説明する。
＜実施例１＞ 実施例１の圧電共振子１０について、図１〜図４を参照しながら説明する。
図１の断面図に示すように、圧電共振子１０は、上部電極１７と下部電極１５との間に圧電薄膜１６が挟まれた振動部２を備え、振動部２は音響反射器部４を介して基板１２から音響的に分離されている。
音響反射器部４は、３層の低音響インピーダンス層３０，３２，３４と２層の高音響インピーダンス層２０，２２とが交互に配置されている。１層目の低音響インピーダンス層３０は基板１２に接し、３層目の低音響インピーダンス層３４は下部電極１５に接している。
さらに、１層目の高音響インピーダンス層２０と１層目の低音響インピーダンス層３０との間に調整１３ｓが、２層目の高音響インピーダンス層２２と２層目の低音響インピーダンス層３２との間に調整層１３ｔが、それぞれ配置されている。
低音響インピーダンス層３０，３２，３４は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）を用いて形成する。高音響インピーダンス層２０，２２は、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）などの金属で形成する。調整層１３ｓ，１３ｔは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボンを用いて形成する。
例えば、低音響インピーダンス層３０，３２，３４はＳｉＯ２（例えば、８２０μｍ）、高音響インピーダンス層２０，２２はＷ（例えば、８２０μｍ）、調整層１３ｓ，１３ｔはＡｌＮ（例えば、３０〜２００μｍ）によって形成される。次の表１に、各層の材料の音響インピーダンスを示す。
調整層１３ｓ，１３ｔにＡｌＮを用いる場合は、Ｃ軸結晶性が悪く、圧電性が無い、もしくは非常に小さい方が望ましい。なぜなら、ＡｌＮの圧電性によって発生した電荷が、高音響インピーダンス層２０，２２でオーミック損として消費されるからである。
高音響インピーダンス層２０，２２は、隣の共振子との容量結合を防ぐため、振動部２の直下及びその近傍にのみ配置されるようにパターニングされている。
例えば、基板１２上に各層を順に積層する工程中において、高音響インピーダンス層２０，２２を形成するためのＷ膜が、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングされ、高音響インピーダンス層２０，２２がパターニングされる。調整層１３ｓ，１３ｔがフッ素系ガスにエッチングされにくいＡｌＮ膜であると、エッチングは調整層１３ｓ，１３ｔで止まり、調整層１３ｓ，１３ｔの下の低音響インピーダンス層３０，３２のＳｉＯ２膜はエッチングされない。
下部電極１５の膜構成は、Ｐｔ／Ｔｉ／ＡｌＣｕ／Ｔｉとする。ＡｌＣｕとは、ＡｌとＣｕの合金であり、Ｃｕ濃度は０．５％〜１０％程度が好ましい。圧電薄膜１６にはＡｌＮを用いる。上部電極１７の膜構成は、ＡｌＣｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉとする。
次に、圧電共振子１０の製造方法の一例について、図３及び図４を参照しながら説明する。図３及び図４の左側の（１ａ）〜（１１ａ）は、参考例の圧電共振子の製造工程を示す断面図であり、右側の（１ｂ）〜（１１ｂ）は実施例１の圧電共振子１０の製造工程を示す断面図である。実施例１の圧電共振子１０には調整層１３ｓ，１３ｔが形成されるが、参考例の圧電共振子には調整層が形成されない。
まず、図３（１ａ）及び（１ｂ）に示すように、基板１２を準備する。基板１２には、安価で加工性に優れた基板を用いる。表面が平坦なＳｉやガラス基板はなお良い。
次いで、図３（２ａ）及び（２ｂ）に示すように、基板１２上に、スパッタリング法や熱酸化法などの手法を用いて、音響反射器部４の１層目の低音響インピーダンス層３０になるＳｉＯ２膜を、基板１２全面に形成する。
次いで、実施例１のみ、図３（３ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜３０の上に、さらに調整層１３ｓとしてＡｌＮ膜を成膜する。
次いで、図３（４ａ）及び（４ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜３０又はＡｌＮ膜１３ｓの上に、パッタリング法などの手法を用いて、音響反射器部の１層目の高音響インピーダンス層２０になるＷ膜２０ｋを形成する。
次いで、図３（５ａ）及び（５ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング（例えば、反応性イオンエッチング）によるパターニングを用いることにより、少なくともフィルタの共振子間で絶縁が可能なように、共振子部分以外のＷ膜を除去し、残ったＷ膜で１層目の高音響インピーダンス層２０を形成する。
エッチングの際、参考例では、図３（５ａ）に示すように、ＳｉＯ２膜３０は、高音響インピーダンス層２０の周囲の部分３０ｘがエッチングされ、膜厚が薄くなりやすい。これに対して、実施例１では図３（５ｂ）に示すように、エッチングは調整層１３ｓのＡｌＮ膜によって阻止されるので、ＳｉＯ２膜３０が薄くなることはない。
以下、同様に、ＳｉＯ２膜、ＡｌＮ膜、Ｗ膜の成膜等を繰り返す。
すなわち、図３（６ａ）及び（６ｂ）に示すように、音響反射器部４の２層目の低音響インピーダンス層３２になるＳｉＯ２膜を形成する。次いで、実施例１のみ、図４（７ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜３２の上に調整層１３ｔになるＡｌＮ膜を成膜する。
次いで、図４（８ａ）及び（８ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜３２又はＡｌＮ膜１３ｔの上に、音響反射器部の２層目の高音響インピーダンス層２２になるＷ膜２２ｋを形成し、次いで、図４（９ａ）及び（９ｂ）に示すように、Ｗ膜２２ｋをエッチングして、２層目の高音響インピーダンス層２２をパターニングする。
エッチングの際、参考例では、図４（９ａ）に示すように、ＳｉＯ２膜３２は、高音響インピーダンス層２２の周囲の部分３２ｘがエッチングされ、膜厚が薄くなりやすい。これに対して、実施例１では図４（９ｂ）に示すように、エッチングは調整層１３ｔによって阻止されるので、ＳｉＯ２膜３２が薄くなることはない。
次いで、図４（１０ａ）及び（１０ｂ）に示すように、音響反射器部の３層目の低音響インピーダンス層３４になるＳｉＯ２膜を形成する。これによって、音響反射器部が完成する。
図４（１０ａ）及び（１０ｂ）において矢印３ａ，３ｂで示すように、ＳｉＯ２膜３０，３２，３４が重なっている周辺部分と、ＳｉＯ２膜３０，３２，３４とＷ膜２０，２２とが重なっている中心部分との間の段差の大きさは、実施例１の方が参考例よりも小さくなる。参考例では、この段差が大きかったため、図（１１ａ）に示すように、音響反射器部の上に形成される下部電極１５は、段差が生じる部分で断線しやすい。これに対して、実施例１では段差の高さが最小限に抑えられるため、下部電極１５は、段差が生じる部分で断線しにくくなる。
図２は、実施例１の圧電共振子１０の音響反射器部４の要部拡大断面図である。図２において矢印８０，８２で示すように、ＳｉＯ２膜の低音響インピーダンス層３０，３２，３４とＷ膜の高音響インピーダンス層２０，２２は、膜応力が圧縮応力になり、ＡｌＮ膜の調整層１３ｓ，１３ｔについては、矢印９０で示すように、膜応力が引張応力となるように形成する。
ＡｌＮ膜の成膜方法は、公知文献、例えば、K.Umeda et.a1.、vacuum 80 (2006) p.658-661に記載されている。この文献では、ＲＦマグネトロンスパッタ法によってＡｌＮを形成している。その場合、ＲＦパワー、ガス圧、基板バイアスによってＡｌＮ膜の応力を圧縮から引張まで調整し、なおかつそのときのＡｌＮの結晶性は略一定であることが分かっている。
Ｗ膜の結晶性を向上させるには、その下地の調整層の結晶性を良くする必要がある。よって、結晶性を維持したままでの応力の調整範囲が広いＡｌＮ膜が、調整層に適している。
次の表２に、膜厚が約３００ｎｍのＷ膜について、実験により得た応力と結晶性、表面粗さの関係を示す。
表２より、音響反射器の高音響インピーダンス層には、圧縮応力が大きいＷ膜（１）が好ましい。
Ｗ膜の圧縮応力の絶対値が大きいほど膜が緻密になり、膜表面が平坦になり、結晶性が良い。このように結晶性がよいと、弾性波にとっては低損失であり、弾性波の不要な散乱が少なく、圧電共振子の共振特性が向上するからである。
圧縮応力の絶対値が大きいと膜ハガレが起きやすいが、引張応力の調整層により、音響反射器部の全応力を調整できるため、膜ハガレが起きないようにすることができる。
したがって、高品質な圧縮応力を持ったＷ膜を音響反射器部の高音響インピーダンス層に用いても、引張応力のＡｌＮの調整層によって音響反射器部全体の応力を緩和できる。さらに、調整層によって、高音響インピーダンス層の結晶性、低音響インピーダンス層のオーバーエッチング量を調整できる。
したがって、品質が安定し、共振特性が改善された圧電共振子１０を製造することができる。
＜実施例２＞ 実施例２の圧電共振子１０ａについて、図５を参照しながら説明する。
図５の断面図に示すように、実施例２の圧電共振子１０ａは、図１に示した実施例１の圧電共振子１０と略同様に構成され、実施例１と同じ効果が得られる。以下では、実施例１との相違点を中心に説明し、実施例１と同様の構成部分には同じ符号を用いる。
実施例２の圧電共振子１０ａは、音響反射器部４ａの構成が実施例１とは相違する。具体的には、実施例２の音響反射器部４ａは、調整層１３ｓ，１３ｔと高音響インピーダンス層２０ａ，２２ａとの間に密着層４０，４２が配置されている。密着層４０，４２は、その上の高音響インピーダンス層２０ａ，２２ａとともに、同時にエッチング等によりパターニングする。
例えば、高音響インピーダンス層２０ａ，２２ａがＷ、低音響インピーダンス層３０ａ，３２ａ，３３ａがＳｉＯ２、調整層１３ｓ，１３ｔがＡｌＮの場合、密着層４０，４２にはＴｉが望ましい。
密着層４０，４２により、高音響インピーダンス層２０ａ，２２ａと調整層１３ｓ，１３ｔとの密着性が向上して、膜ハガレや基板割れが起こりにくくなり、圧電共振子１０ａの品質がより安定する。
＜実施例３＞ 実施例３の圧電共振子１０ｂについて、図６を参照しながら説明する。
図６の断面図に示すように、実施例３の圧電共振子１０ｂは、図１に示した実施例１の圧電共振子１０と略同様に構成されており、実施例１と同じ効果が得られる。
図６に示すように、実施例３の圧電共振子１０ｂは、実施例１と異なり、基板１２側の高音響インピーダンス層２０ｂの幅が、振動部２ｂ側の高音響インピーダンス層２２ｂの幅よりも大きい。このような寸法の異なる高音響インピーダンス層２０ｂ，２２ｂは、高音響インピーダンス層２０ｂ，２２ｂごとに、寸法の異なるフォトマスクを用いることにより、形成することができる。
これにより、振動部２ｂの周囲に延在している音響反射器部４ｂの最上面４ｓ（すなわち、基板１２から最も遠い低音響インピーダンス層３４ｂが下部電極１５ｂ又は圧電薄膜１６ｂに接する面）に形成される段差が、１段から２段に増える。そのため、１段あたり高さが小さくなり、下部電極１５ｂの断線や薄化は、段差が１段の場合に比べると、より起こりにくくなる。したがって、圧電共振子１０ｂの品質は、より安定する。
＜実施例４＞ 実施例４の圧電共振子１０ｃについて、図７を参照しながら説明する。
図７の断面図に示すように、実施例４の圧電共振子１０ｃは、図６に示した実施例３の圧電共振子１０ｂと略同様に構成され、実施例３と同じ効果が得られる。
実施例３と異なる点は、高音響インピーダンス層２０ｃ，２２ｃのエッチング端面２０ｋ、２２ｋを曲面状に加工している点にある。
例えば、高音響インピーダンス層２０ｃ，２２ｃのエッチング加工の前に、次の手順で、フォトレジストのマスクパターンを形成する。
（１）フォトレジスト塗布
（２）ベーキング（加熱)
（３）露光
（４）現像
（５）ベーキング２回目(加熱)
２回目のベーキングを行うことで、フォトレジストの端面に順テーパーが形成される。このフォトレジストを用いてエッチングすることにより、高音響インピーダンス層２０ｃ，２２ｃのエッチング端面２０ｋ、２２ｋを曲面状に加工することができる。
（２）ベーキング（加熱)
（３）露光
（４）現像
（５）ベーキング２回目(加熱)
２回目のベーキングを行うことで、フォトレジストの端面に順テーパーが形成される。このフォトレジストを用いてエッチングすることにより、高音響インピーダンス層２０ｃ，２２ｃのエッチング端面２０ｋ、２２ｋを曲面状に加工することができる。
音響反射器部４ｃは、振動部２の周囲に形成される段差の角４ｋが曲面状に加工されるため、急激な角度の変化がなくなり、その上に形成される下部電極１５ｃの断線や薄化がより起こりにくくなる。
したがって、圧電共振子１０ｃの品質は、より一層安定する。
＜まとめ＞ 以上に説明したように、圧縮応力の高音響インピーダンス層及び低音響インピーダンス層と引張応力の調整層とを用いて音響反射器部を構成することにより、音響反射器の全応力が緩和でき、層間の膜ハガレが抑制できる。
音響反射器部の全応力を緩和できるので、ウェハの反りを小さくすることができる。これにより、共振子部の作成工程において、例えばフォトリソ工程で用いる露光装置において、ウェハを真空チャックで固定でき、パターニング・位置精度が向上する。
また、音響反射器部の全応力を緩和できるため、基板割れを防ぎ、製品の歩留まりを向上することができる。
高音響インピーダンス層にタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）を用い、低音響インピーダンス層に酸化シリコン（ＳｉＯ２）、炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ）、密着層にＴｉを用いる場合、いずれの層もＣＦ４のようなフッ素系のガスで容易にエッチングできる。そのため、例えば、音響反射器部の交互に配置される高音響インピーダンス層と低音響インピーダンス層とに、Ｗ／ＳｉＯ２の積層構造やＷ／Ｔｉ／ＳｉＯ２の積層構造を用いる場合、Ｗ層又はＷ／Ｔｉ層をエッチングする場合、オーバーエッチングにより下地のＳｉＯ２層をエッチングしてしまう。このような場合、Ｗ膜又はＷ／Ｔｉ膜とＳｉＯ２層の間に、調整層としてフッ素系ガスにエッチングされにくい材料（例えばＡｌＮ）を用いると、エッチングが下地に進行するのを阻止することができる。
調整層としてフッ素系ガスにエッチングされにくい材料（例えばＡｌＮ）を用いると、オーバーエッチングが防げるため、音響反射器の段差が大きくならず、下部電極の断線を防ぐことができる。
Ｗ膜の結晶性を向上した場合、強圧縮応力になる。圧縮応力が大きいと、膜ハガレが生じやすい。しかし、本発明では調整層によって全応力の調整ができるため、膜ハガレが起きず、弾性波の損失が小さいＷ膜を利用できるため、共振特性が向上する。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
Claims (4)
- 基板と、
一対の電極の間に圧電薄膜が挟まれた振動部と、
前記基板と前記振動部との間に配置された音響反射器部と、
を備え、
前記音響反射器部は、
前記基板と前記振動部との間において交互に配置された、音響インピーダンスが相対的に低い材料からなる複数の低音響インピーダンス層及び音響インピーダンスが相対的に高い材料からなる複数の高音響インピーダンス層と、
前記高音響インピーダンス層と当該高音響インピーダンス層の前記基板側に当該高音響インピーダンス層の次に配置されている前記低音響インピーダンス層との間に配置され、前記高音響インピーダンス層の音響インピーダンスと前記低音響インピーダンス層の音響インピーダンスとの中間の値の音響インピーダンスを有する調整層と、
を含み、
前記低音響インピーダンス層と前記高音響インピーダンス層とは圧縮応力を有し、前記調整層は引張応力を有し、
前記調整層がフッ素系ガスにエッチングされにくい材料からなることを特徴とする圧電共振子。 - 前記低音響インピーダンス層に酸化シリコン、前記高音響インピーダンス層にタングステン、前記調整層に窒化アルミニウムを用いることを特徴とする、請求項１に記載の圧電共振子。
- 前記音響反射器部は、
前記基板と前記振動部との間において、前記高音響インピーダンス層と前記調整層との間に配置された密着層を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の圧電共振子。 - 前記密着層にチタンを用いることを特徴とする、請求項３に記載の圧電共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009531158A JP4930595B2 (ja) | 2007-09-06 | 2008-07-10 | 圧電共振子 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007231854 | 2007-09-06 | ||
| JP2007231854 | 2007-09-06 | ||
| JP2009531158A JP4930595B2 (ja) | 2007-09-06 | 2008-07-10 | 圧電共振子 |
| PCT/JP2008/062464 WO2009031358A1 (ja) | 2007-09-06 | 2008-07-10 | 圧電共振子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009031358A1 JPWO2009031358A1 (ja) | 2010-12-09 |
| JP4930595B2 true JP4930595B2 (ja) | 2012-05-16 |
Family
ID=40428681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009531158A Active JP4930595B2 (ja) | 2007-09-06 | 2008-07-10 | 圧電共振子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7868519B2 (ja) |
| JP (1) | JP4930595B2 (ja) |
| DE (1) | DE112008002283B4 (ja) |
| WO (1) | WO2009031358A1 (ja) |
Families Citing this family (86)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2951023B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2012-03-09 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication d'oscillateurs monolithiques a resonateurs baw |
| FR2951024B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2012-03-23 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de resonateur baw a facteur de qualite eleve |
| FR2951026B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2011-12-02 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de resonateurs baw sur une tranche semiconductrice |
| US9634642B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-04-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising vertically extended acoustic cavity |
| KR101923572B1 (ko) * | 2015-03-16 | 2018-11-29 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102157602B1 (ko) | 2015-10-23 | 2020-09-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
| WO2017212774A1 (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US10601392B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-03-24 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11323096B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
| US11996827B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
| US10756697B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-08-25 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US10911023B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer |
| US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
| US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
| US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
| US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
| US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
| US10637438B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-04-28 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications |
| US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
| US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
| US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
| DE102018107489B4 (de) * | 2018-03-28 | 2019-12-05 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit verbesserter Kopplung, HF-Filter, das einen BAW-Resonator umfasst, und Verfahren zum Herstellen eines BAW-Resonators |
| US11323095B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices |
| US11996825B2 (en) | 2020-06-17 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filter using lithium niobate and rotated lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US10992283B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | High power transversely-excited film bulk acoustic resonators on rotated Z-cut lithium niobate |
| US10797675B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-10-06 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated z-cut lithium niobate |
| US11171629B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-11-09 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
| US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11264966B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack |
| US10998877B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method with frequency trimming based on electric measurements prior to cavity etch |
| US11909381B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer |
| US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
| US10985728B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-20 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer |
| US10819309B1 (en) | 2019-04-05 | 2020-10-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method |
| US11349450B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes |
| US12009798B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes |
| US11916539B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-02-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11349452B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-31 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
| US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
| US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
| US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
| US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
| US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
| US10868513B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-12-15 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout |
| US11201601B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-12-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
| US12021496B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-06-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| US10992284B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers |
| US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
| US11228296B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-01-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with a cavity having a curved perimeter |
| US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
| US11949402B2 (en) | 2020-08-31 | 2024-04-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resonators with different membrane thicknesses on the same die |
| US10917072B2 (en) | 2019-06-24 | 2021-02-09 | Resonant Inc. | Split ladder acoustic wave filters |
| US11329628B2 (en) | 2020-06-17 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Filter using lithium niobate and lithium tantalate transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11728785B2 (en) | 2018-06-15 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using pre-formed cavities |
| JP2022524136A (ja) | 2019-03-14 | 2022-04-27 | レゾナント インコーポレイテッド | ハーフラムダ誘電体層を有する横方向に励起されたフィルムバルク音響共振器 |
| US11901873B2 (en) | 2019-03-14 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with partial BRAGG reflectors |
| US10911021B2 (en) | 2019-06-27 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with lateral etch stop |
| US11329625B2 (en) | 2019-07-18 | 2022-05-10 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic sensors using thin LN-LT layer |
| US10862454B1 (en) | 2019-07-18 | 2020-12-08 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonators in thin LN-LT layers |
| US20210273629A1 (en) | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer |
| CN113541634A (zh) | 2020-04-20 | 2021-10-22 | 谐振公司 | 具有增强q因子的小横向激励的薄膜体声波谐振器 |
| US11811391B2 (en) | 2020-05-04 | 2023-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns |
| US11469733B2 (en) | 2020-05-06 | 2022-10-11 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with interdigital transducer configured to reduce diaphragm stress |
| US10992282B1 (en) | 2020-06-18 | 2021-04-27 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width |
| US11742828B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm |
| US11817845B2 (en) | 2020-07-09 | 2023-11-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for making transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
| US11264969B1 (en) | 2020-08-06 | 2022-03-01 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator comprising small cells |
| US11671070B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-06-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators using multiple dielectric layer thicknesses to suppress spurious modes |
| US11271539B1 (en) | 2020-08-19 | 2022-03-08 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with tether-supported diaphragm |
| US11894835B2 (en) | 2020-09-21 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Sandwiched XBAR for third harmonic operation |
| US11405017B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters |
| US11658639B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with noncontiguous passband |
| US11476834B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-10-18 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with switches in parallel with sub-filter shunt capacitors |
| US11405019B2 (en) | 2020-10-05 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters |
| US11929733B2 (en) | 2020-10-05 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with input and output impedances matched to radio frequency front end elements |
| US11728784B2 (en) | 2020-10-05 | 2023-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters with split die sub-filters |
| US11463066B2 (en) | 2020-10-14 | 2022-10-04 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with piezoelectric diaphragm supported by piezoelectric substrate |
| US12003226B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-06-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
| US11496113B2 (en) | 2020-11-13 | 2022-11-08 | Resonant Inc. | XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
| US12028039B2 (en) | 2020-11-13 | 2024-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Forming XBAR devices with excess piezoelectric material removed |
| US11405020B2 (en) | 2020-11-26 | 2022-08-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with structures to reduce acoustic energy leakage |
| US11239816B1 (en) | 2021-01-15 | 2022-02-01 | Resonant Inc. | Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators |
| US11967938B2 (en) | 2021-04-06 | 2024-04-23 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Corrosion resistant pad for enhanced thin film acoustic packaging (TFAP) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060478A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子、その製造方法、および、その圧電薄膜共振子を用いたフィルタならびに電子機器 |
| JP2007060414A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜バルク音響共振器及びその製造方法 |
| JP2007181185A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-07-12 | Sony Corp | 音響共振器およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6496085B2 (en) | 2001-01-02 | 2002-12-17 | Nokia Mobile Phones Ltd | Solidly mounted multi-resonator bulk acoustic wave filter with a patterned acoustic mirror |
| JP2006013839A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Ube Ind Ltd | 薄膜圧電共振器と薄膜圧電フィルタ |
| JP4016983B2 (ja) | 2004-12-07 | 2007-12-05 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
| JP2007129391A (ja) | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音響共振器及びフィルタ |
| US8586195B2 (en) * | 2007-07-11 | 2013-11-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for forming an acoustic mirror with reduced metal layer roughness and related structure |
-
2008
- 2008-07-10 JP JP2009531158A patent/JP4930595B2/ja active Active
- 2008-07-10 WO PCT/JP2008/062464 patent/WO2009031358A1/ja active Application Filing
- 2008-07-10 DE DE112008002283.6T patent/DE112008002283B4/de active Active
-
2010
- 2010-03-01 US US12/714,597 patent/US7868519B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060478A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子、その製造方法、および、その圧電薄膜共振子を用いたフィルタならびに電子機器 |
| JP2007060414A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜バルク音響共振器及びその製造方法 |
| JP2007181185A (ja) * | 2005-12-01 | 2007-07-12 | Sony Corp | 音響共振器およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7868519B2 (en) | 2011-01-11 |
| DE112008002283T5 (de) | 2010-07-22 |
| WO2009031358A1 (ja) | 2009-03-12 |
| JPWO2009031358A1 (ja) | 2010-12-09 |
| DE112008002283B4 (de) | 2018-01-04 |
| US20100148638A1 (en) | 2010-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4930595B2 (ja) | 圧電共振子 | |
| US7129806B2 (en) | Thin film bulk acoustic wave resonator and production method of the same | |
| JP4534158B2 (ja) | 圧電薄膜デバイスの製造方法 | |
| CN107317560B (zh) | 一种温度补偿表面声波器件及其制备方法 | |
| JP4077805B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP4793450B2 (ja) | 弾性境界波装置の製造方法 | |
| JP4688070B2 (ja) | 圧電薄膜共振子、圧電薄膜デバイスおよびその製造方法 | |
| JP7081041B2 (ja) | 薄膜バルク音響波共振器とその製造方法、フィルタ、および無線周波数通信システム | |
| WO2010095640A1 (ja) | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ | |
| US7504910B2 (en) | Thin-film piezoelectric resonator utilizing a second or higher harmonic mode | |
| JP4802900B2 (ja) | 薄膜圧電共振器およびその製造方法 | |
| KR20030060809A (ko) | 압전 공진자, 압전 필터, 듀플렉서, 통신 장치 및 압전공진자의 제조 방법 | |
| WO2007063842A1 (ja) | 音響共振器およびその製造方法 | |
| JP2007028669A (ja) | 薄膜音響共振器の製造方法 | |
| KR20060116712A (ko) | 압전 박막 공진자 및 필터 | |
| JP4395892B2 (ja) | 圧電薄膜デバイス及びその製造方法 | |
| JP5299676B2 (ja) | 圧電薄膜音響共振器およびその製造方法 | |
| CN113395053B (zh) | 石英薄膜谐振器及其制造方法 | |
| JP2008211392A (ja) | 共振器及びその製造方法 | |
| JP5862368B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JP2009290364A (ja) | Ｂａｗ共振装置およびその製造方法 | |
| JP2009290591A (ja) | Ｂａｗフィルタ | |
| JP2009290366A (ja) | Ｂａｗフィルタおよびその製造方法 | |
| WO2022183379A1 (zh) | 石英薄膜谐振器及其制造方法 | |
| JP2008236367A (ja) | 圧電薄膜振動子の製造方法及び圧電薄膜振動子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111205 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120130 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4930595 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |