JP5862368B2 - 圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 51
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 268
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 172
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 88
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 26
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
図22、図23は、特許文献1の圧電デバイスの製造工程を模式的に示す断面図である。
次に、図22(B)に示すように、シリコンウェハ91上の酸化シリコン層93の表面に犠牲層95をスパッタリングにより形成する。
次に、図22(C)に示すように、シリコンウェハ91上の犠牲層95の表面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)により平坦化処理する。
したがって、この製造方法によれば、結晶性の良い圧電性に優れた圧電デバイスを低コストで製造できる。
なお、この製造方法により製造された圧電デバイスでは、第1、第2電極に駆動電圧が印加されると、圧電薄膜が振動する。
なお、前記S105の際、減圧雰囲気下で加熱すれば、加熱温度を低くすることができる。
20…下部電極
30…犠牲層
40…接着層
50…支持基板
60…上部電極
61A,B…バンプパッド
62A,B…バンプ
63A…配線
63B…配線
80…空隙層
81…孔部
82…開口部
90…構造体
91…シリコンウェハ
92…窪み
93…酸化シリコン層
95…犠牲層
96…下部電極
97…圧電薄膜
98…上部電極
100…薄膜形成基板
101、201、301…圧電デバイス
110…圧電薄膜
120…下部電極
125…下部駆動電極
130…共振器用犠牲層
131…接触電極用犠牲層
140…接着層
150…支持基板
160…上部電極
163A、B…エアブリッジ配線
165…上部駆動電極
170…接触電極
180…空隙層
181…孔部
182…開口部
185…空隙層
210…圧電薄膜
220…下部電極
250…支持基板
260…上部電極
290…音響多層膜
Claims (7)
- 支持基板より表面粗さの小さい薄膜形成基板の表面に圧電薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記圧電薄膜の第1主面に第1電極を形成する第1電極形成工程と、
空隙層となる犠牲層を前記圧電薄膜上に形成する犠牲層形成工程と、
前記薄膜形成基板の前記圧電薄膜形成側に支持基板を接合する接合工程と、
前記薄膜形成基板から前記圧電薄膜を分離し、前記圧電薄膜を前記支持基板上に転写する転写工程と、
を含む、圧電デバイスの製造方法。 - 支持基板より表面粗さの小さい薄膜形成基板の表面に圧電薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記圧電薄膜の第1主面に第1電極を形成する第1電極形成工程と、
第1音響インピーダンス層と前記第1音響インピーダンス層の材料に比べて音響インピーダンスの低い材料からなる第2音響インピーダンス層とが交互に積層された音響多層膜を前記圧電薄膜上に形成する音響多層膜形成工程と、
前記薄膜形成基板の前記音響多層膜に支持基板を接合する接合工程と、
前記薄膜形成基板から前記圧電薄膜を分離し、前記圧電薄膜を前記支持基板上に転写する転写工程と、
を含む、圧電デバイスの製造方法。 - 前記薄膜形成基板の表面粗さRaは、2nm以下である、請求項1又は2に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記圧電薄膜は、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される、請求項1から3のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記薄膜形成基板から転写した前記支持基板上の前記圧電薄膜の第2主面に、第2電極を形成する第2電極形成工程を行う、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記薄膜形成基板の前記圧電薄膜側に接着層を形成する接着層形成工程を行い、
前記接合工程は、前記薄膜形成基板の前記接着層に前記支持基板を接合する工程である、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 前記薄膜形成基板上の前記圧電薄膜の前記第1主面に第3電極を形成する第3電極形成工程と、
前記薄膜形成基板上の前記犠牲層における前記第1電極に対向する位置に、第4電極を形成する第4電極形成工程と、
前記薄膜形成基板上の前記犠牲層における前記第3電極に対向する位置に、第5電極を形成する第5電極形成工程と、をさらに含む、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012041240A JP5862368B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 圧電デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012041240A JP5862368B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 圧電デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013179405A JP2013179405A (ja) | 2013-09-09 |
JP5862368B2 true JP5862368B2 (ja) | 2016-02-16 |
Family
ID=49270689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012041240A Active JP5862368B2 (ja) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 圧電デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5862368B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3079661A1 (fr) * | 2018-03-29 | 2019-10-04 | Soitec | Procede de fabrication d'un substrat pour filtre radiofrequence |
WO2021210595A1 (ja) * | 2020-04-16 | 2021-10-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
WO2023058769A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
WO2023058768A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
WO2024157430A1 (ja) * | 2023-01-26 | 2024-08-02 | 日東電工株式会社 | 圧電層作製方法及び該方法を用いたバルク音響波フィルタの製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000357931A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Victor Co Of Japan Ltd | 複合圧電基板振動子の製造方法 |
JP3712123B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2005-11-02 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 可変キャパシタ及びその製造方法 |
JP2006093312A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子の製造方法 |
JP2007208728A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 |
JP2007266273A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置、それを備えた液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエータ装置の製造方法 |
JP5060356B2 (ja) * | 2008-03-24 | 2012-10-31 | パナソニック株式会社 | Baw共振装置の製造方法 |
JP4582235B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2010-11-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイスの製造方法 |
JP2011071467A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 強誘電体デバイスの製造方法 |
JP5385117B2 (ja) * | 2009-12-17 | 2014-01-08 | 富士フイルム株式会社 | 圧電memsスイッチの製造方法 |
JP5399970B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-01-29 | パナソニック株式会社 | 強誘電体デバイスの製造方法 |
-
2012
- 2012-02-28 JP JP2012041240A patent/JP5862368B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013179405A (ja) | 2013-09-09 |
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