WO2007088696A1 - 圧電振動装置 - Google Patents

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WO2007088696A1
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Inventor
Takashi Miyake
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/173Air-gaps
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02007Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02062Details relating to the vibration mode

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric vibration device using a Balta wave, and more specifically, a piezoelectric vibration using a contour vibration mode such as a spread vibration mode, a length vibration mode, or a width vibration mode in the Balta wave. Relates to the device.
  • a piezoelectric vibration device using a Balta wave has an advantage of high Q and high power durability compared to a surface acoustic wave device using a surface acoustic wave.
  • a piezoelectric resonator using a thickness longitudinal vibration mode as a Balta wave has been proposed.
  • the thickness longitudinal vibration mode it is easy to provide a resonator having a relatively high resonance frequency, but it is difficult to provide a resonator having a low resonance frequency.
  • Patent Document 1 discloses a piezoelectric resonator using a spreading vibration mode as a resonator that can be used in a lower frequency range.
  • FIG. 22 is a schematic perspective view for explaining the piezoelectric resonator described in Patent Document 1.
  • FIG. 22 is a schematic perspective view for explaining the piezoelectric resonator described in Patent Document 1.
  • the resonance frequency is piezoelectric vibration. It is determined by the size of the planar shape of the part and is considered not to depend on the thickness of the piezoelectric vibration part.
  • the diaphragm 105 is laminated on the piezoelectric vibrating portion, and the vibrating portion has a certain thickness. For this reason, even when the above-described spread vibration mode is used, the vibration mode depending on the thickness direction is coupled to the spread vibration mode, and the resonance frequency has a thickness dependency.
  • the thickness of diaphragm 105 may vary due to processing variations.
  • the resonance frequency since the resonance frequency has thickness dependence, the resonance frequency must be varied. Therefore, the yield tends to decrease.
  • An object of the present invention is a piezoelectric vibration device using a Balta wave that eliminates the above-mentioned drawbacks of the prior art, has a high Q and is excellent in power durability, and also vibrates among the Balta waves. It is an object of the present invention to provide a piezoelectric vibration device that uses contour vibration that does not easily depend on the thickness of the portion, and that the variation in characteristics due to the thickness variation of the vibration portion is even less likely to occur.
  • a film-like piezoelectric body having first and second main surfaces facing each other, a first electrode formed on the first main surface of the piezoelectric body, and the piezoelectric A first electrode and a second electrode arranged so as to overlap with each other via a piezoelectric body, wherein the first and second electrodes are the piezoelectric elements.
  • a portion that overlaps with the body constitutes a piezoelectric vibrating portion, and further includes a support member that supports the piezoelectric vibrating portion, wherein the piezoelectric vibrating portion includes first and second electrodes that are piezoelectric bodies.
  • a piezoelectric vibration device is provided, wherein the piezoelectric vibration device is supported by the support member so as to be in a floating state in a portion overlapping with each other, and uses a contour vibration mode of the piezoelectric vibration portion. Is done.
  • the film-like piezoelectric body has a piezoelectric body extension portion that extends to the outside of the piezoelectric vibration portion where the first and second electrodes overlap.
  • the piezoelectric extension is fixed to the support member.
  • a thin piezoelectric vibrating part is formed by laminating the first and second electrodes on the first and second main surfaces of the film-like piezoelectric body. The height can be reduced.
  • the support member is a substrate and the piezoelectric extension portion is fixed to the upper surface of the substrate in a state where the piezoelectric vibration portion is buoyant on the substrate with a gap therebetween.
  • a flat substrate that does not require processing can be used, and costs can be reduced.
  • the piezoelectric vibrating portion having a relatively small thickness is buoyant across the gap, it is possible to further reduce the height.
  • the piezoelectric body in the outer peripheral edge portion of the piezoelectric body excluding the portion where the piezoelectric body extension portion is provided, the piezoelectric body reaches the outside of the piezoelectric vibrating section. There is no shape. In this case, since the piezoelectric body does not reach the outside of the piezoelectric vibrating portion except for the piezoelectric extension portion, the size of the planar shape of the piezoelectric body can be reduced, and the miniaturization can be promoted.
  • the thickness of the piezoelectric vibration unit is set to 1Z40 or less of the wavelength of the contour vibration mode. In this case, it is possible to provide a piezoelectric vibration device with extremely small variation in frequency characteristics, and it is possible to increase the yield of the piezoelectric vibration device.
  • the piezoelectric vibration unit has a rectangular planar shape having a short side and a long side, the contour vibration mode is a length vibration mode, The thickness of the piezoelectric vibration part is set to 1Z20 or less of the dimension of the long side of the piezoelectric vibration part.
  • the length vibration mode is used as the contour vibration mode, and the force force also has a very uneven frequency characteristic.
  • a small piezoelectric vibration device can be provided.
  • the piezoelectric vibration section further includes an additional film laminated on the outside of the first electrode and the Z or second electrode.
  • a protective film, a temperature compensation insulating film, or a metal film is laminated as an additional film to improve environmental resistance, reduce frequency dependence on temperature, or increase mechanical strength. thing Can do.
  • the piezoelectric vibration device according to the present invention can be used for various resonators and filters.
  • a piezoelectric resonator having a frequency in the range of 1 to: LOO MHz is provided. The That is, it is possible to provide a piezoelectric vibration device that uses the contour vibration mode but can be used in a relatively low frequency range.
  • the first electrode 1S is formed on the first main surface of the film-like piezoelectric body, and the second electrode is formed on the second main surface.
  • the piezoelectric vibrating section where the electrodes overlap with each other through the piezoelectric body is in a buoyant state. Therefore, a relatively thick member such as the diaphragm described in Patent Document 1 and a portion that vibrates in response to the vibration of the piezoelectric vibrating portion is not required. Therefore, variations in resonance frequency due to processing variations of other members hardly occur.
  • FIG. 6 shows the normalized thickness of the vibrator and the resonance in the piezoelectric vibration device of the first embodiment. It is a figure which shows the relationship with the amount of frequency fluctuations.
  • FIG. 7 is a schematic plan view for explaining a piezoelectric vibration device according to a second embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic plan view for explaining a piezoelectric vibration device according to a third embodiment.
  • FIGS. 14 (a) and 14 (b) are sectional views taken along lines JJ and KK in FIG. 13 (a).
  • FIG. 19 is a cross-sectional view for explaining another modification of the piezoelectric vibration device of the present invention.
  • FIG. 20 is a diagram showing resonance characteristics of the piezoelectric vibration device shown in FIG.
  • FIG. 21 is a schematic cross-sectional view for explaining the widthwise dimension of a portion where a part of the additional film is removed in the modification shown in FIG.
  • FIG. 22 is a diagram showing a change in resonance frequency when the removal width for removing a part of the additional film is changed in the modification shown in FIG.
  • FIGS. 1A and 1B are a plan view of the piezoelectric vibration device according to the first embodiment of the present invention and a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A.
  • FIGS. 2 (a) and 2 (b) are cross-sectional views taken along lines BB and CC in FIG. 1 (a).
  • the piezoelectric vibration device 1 is a piezoelectric resonator using a spread vibration mode among contour vibrations as a Balta wave.
  • a substrate 2 having a semiconductor or insulator strength is used as the support member.
  • the semiconductor and the insulator constituting the substrate 2 are not particularly limited, and for example, an insulator such as a Si-based semiconductor or glass is used.
  • the piezoelectric thin film 4 is made of an appropriate piezoelectric material.
  • piezoelectric materials include zinc oxide (ZnO), aluminum nitride (A1N), lead zirconate titanate ceramics (PZT piezoelectric ceramics), lithium niobate (LiNbO), and lithium tantalate (LiTaO). ,water
  • the additional films 7 and 8 may be a piezoelectric material such as ZnO or A1N or a semiconductor material such as Si.
  • the piezoelectric thin film 4 in the piezoelectric vibrating portion 3, the piezoelectric thin film 4, the first and second electrodes 5, 6 and the additional films 7, 8 are formed and laminated by a thin film forming method.
  • a thin film forming method is not particularly limited, but PVD method, CVD method, and the like can be used.
  • the thickness can be reduced and the height can be reduced.
  • the piezoelectric thin film 4 extends beyond the piezoelectric vibrating portion 3 and outward in the long side direction of the piezoelectric vibrating portion 3.
  • the piezoelectric thin film portions extended to the outside of the piezoelectric vibrating portion 3 are referred to as piezoelectric body extending portions 4a and 4b.
  • the piezoelectric extension portions 4a and 4b extend from the piezoelectric vibrating portion 3 to the outside in the long side direction of the piezoelectric vibrating portion 3.
  • the piezoelectric thin film 4 is fixed to the substrate 2 in the piezoelectric extension portions 4a and 4b.
  • the additional film 7 provided below is fixed to the upper surface of the substrate 2, that is, the additional film 7 is formed so as to have a gap D.
  • the first electrode 5, the piezoelectric thin film 4, and the second electrode 6 are sequentially formed, and the second additional film 8 is further formed.
  • the additional film 7 is fixed to the substrate 2, so that the additional film 7 is outside the gap D, that is, outside the gap D.
  • the piezoelectric extension portions 4a and 4b exist, and therefore the piezoelectric thin film 4 is fixed to the substrate 2 via the additional film 7 in the portion where the piezoelectric extension portions 4a and 4b exist.
  • the piezoelectric extension portions 4a and 4b are fixed to the substrate 2 via the additional film 7.
  • the piezoelectric extension portions 4a and 4b may be directly fixed to the upper surface of the substrate 2.
  • the first electrode 5 is connected to the first terminal electrode 9 provided along the first edge of the substrate 2 via the lower surface of the piezoelectric extension 4a. (See Figure 1 (a)).
  • the additional film 7, the first electrode 5, the piezoelectric thin film 4, the second electrode 6, and the additional film 8 are formed so as to have the following materials and thicknesses, and the piezoelectric vibrating portion is formed.
  • FIGS. 11 (a) and 11 (b) are a schematic plan view of a piezoelectric vibration device according to a fourth embodiment of the present invention and a cross-sectional view taken along line EE in FIG. 11 (a).
  • Figures 12 (a) and (b) are shown in Figure 11 (a).
  • the piezoelectric thin film 4, the first and second electrodes 5, 6 and the additional films 7, 8 are formed on the gap H by a thin film forming method.
  • a recess is formed in advance on the upper surface of the substrate 42 having a force such as Si by etching or the like.
  • the solvent-removable material layer used in the first embodiment is formed in the recess so as to fill the recess.
  • a laminated portion composed of the piezoelectric thin film 4, the first and second electrodes 5 and 6, and the additional films 7 and 8 is formed by a thin film forming method.
  • the additional film 7, the first electrode 5, the piezoelectric thin film 4, the second electrode 6, and the additional film 8 are sequentially formed by a thin film forming method. Then, the gap H is formed by removing the solvent-removable material layer with a solvent.
  • a piezoelectric vibrator 71 using a rectangular plate width mode or spread mode is assumed.
  • a recess 71a is formed at the center of the upper surface so as to extend in the length direction.
  • the vibration node N is It will be located in the recess. That is, the modification shown in FIG. 15 corresponds to such a model.
  • the mass addition at the vibration node is different from the mass addition at the second region other than the vibration node.
  • the resonance frequency is considered to be low.
  • the length direction dimension of the piezoelectric vibration portion was 179.2 / ⁇ ⁇ , and the width direction dimension was 112 / z m.
  • the horizontal axis in FIG. 22 represents the ratio: (removing the SiO film in the additional film)

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Abstract

 輪郭振動モードを利用しており、振動部の厚みによる共振特性等のばらつきが生じ難く、歩留りを高めることが可能な構造を有する圧電振動装置を提供する。  フィルム状または板状の圧電体としての圧電薄膜4の第1,第2の主面に第1,第2の電極5,6が積層されている圧電振動部3が支持部材の一部を構成している基板2からギャップDを隔てて浮かされた状態で配置されており、振動部3において、輪郭振動モードのうちの拡がり振動モードを利用して共振特性が得られている、圧電振動装置1。

Description

明 細 書
圧電振動装置
技術分野
[0001] 本発明は、バルタ波を利用した圧電振動装置に関し、より詳細には、バルタ波の内 の拡がり振動モード、長さ振動モードまたは幅振動モードなどの輪郭振動モードを利 用した圧電振動装置に関する。
背景技術
[0002] バルタ波を利用した圧電振動装置は、弾性表面波を利用した弾性表面波装置に 比べて、 Qが高ぐ耐電力性が高いという利点を有する。従来、バルタ波として厚み縦 振動モードを利用した圧電共振子などが提案されている。し力しながら、厚み縦振動 モードを利用した場合には、比較的共振周波数が高い共振子を提供することは容易 であるが、共振周波数が低い共振子を提供することが困難であった。
[0003] 下記の特許文献 1には、より低い周波数域で使用し得る共振子として、拡がり振動 モードを利用した圧電共振子が開示されている。図 22は、特許文献 1に記載の圧電 共振子を説明するための略図的斜視図である。
[0004] 圧電振動子 101では、シリコン系材料力もなる枠体 102が用いられている。枠体 10 2の開口内において、支持梁 103, 103により振動部 104が支持されている。振動部 104は、シリコン材料力もなる比較的厚い振動板 105を有する。この振動板 105上に 、下部電極 106、圧電薄膜 107及び上部電極 108が積層されて、圧電振動部が構 成されている。
[0005] 交番電界を上部電極 108と下部電極 106との間に印加することにより、上記圧電振 動部が励振され、振動板 105と共に振動する。ここでは、拡がり振動モードの応答が 利用され、共振周波数が 1〜 10MHzの圧電振動子が提供され得ると記載されて!、 る。
特許文献 1 :特開平 8— 186467号公報
発明の開示
[0006] 一般に、拡がり振動モードを利用した圧電振動子では、共振周波数は、圧電振動 部の平面形状の大きさにより決定され、圧電振動部の厚みには依存しないと考えら れている。し力しながら、例えば圧電振動子 101では、圧電振動部に振動板 105が 積層されており、振動する部分が一定の厚みを有する。そのため、上記拡がり振動モ ードを利用した場合であっても、拡がり振動モードに、厚み方向に依存した振動モー ドが結合し、共振周波数が厚み依存性を有することがわ力つた。
[0007] 他方、加工ばらつきにより、振動板 105の厚みにばらつきが生じることがある。この ような場合、共振周波数が厚み依存性を有するので、共振周波数がばらつかざるを 得な力つた。そのため、歩留りが低下しがちであった。
[0008] 本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、 Qが高ぐかつ耐電力性に 優れた、バルタ波を利用した圧電振動装置であって、しかも、バルタ波の中でも振動 部分の厚みに依存し難い輪郭振動を利用しており、さらに振動部分の厚みばらつき による特性のばらつきがより一層生じ難い、圧電振動装置を提供することにある。
[0009] 本発明によれば、対向し合う第 1,第 2の主面を有するフィルム状の圧電体と、前記 圧電体の第 1の主面に形成された第 1の電極と、前記圧電体の第 2の主面に形成さ れており、第 1の電極と圧電体を介して重なり合うように配置された第 2の電極とを備 え、前記第 1,第 2の電極が前記圧電体を介して重なり合つている部分が圧電振動部 を構成しており、前記圧電振動部を支持している支持部材をさらに備え、前記圧電 振動部が、第 1,第 2の電極が圧電体を介して重なり合つている部分において、浮か された状態となるように前記支持部材により支持されており、かつ前記圧電振動部の 輪郭振動モードを利用することを特徴とする、圧電振動装置が提供される。
[0010] 本発明に係る圧電振動装置のある特定の局面では、フィルム状の圧電体が、第 1, 第 2の電極が重なり合つている圧電振動部の外側に至る圧電体延長部を有しており 、圧電体延長部において、支持部材に固定されている。この場合には、フィルム状の 圧電体の第 1,第 2の主面に第 1,第 2の電極が積層された、薄い圧電振動部が構成 されるので、圧電振動部の小型化、特に低背化を進めることができる。
[0011] 支持部材が基板であり、該基板上に上記圧電振動部がギャップを隔てて浮力され た状態で、圧電体延長部が基板の上面に固定されている構造の場合には、複雑な 加工を必要としない平板状の基板を用いることができ、コストを低減することができる 。また、ギャップを隔てて、上記厚みが比較的薄い圧電振動部が浮力されている構造 とされるため、低背化をより一層進めることが可能となる。
[0012] 本発明のさらに他の特定の局面では、前記圧電体延長部が設けられている部分を 除く前記圧電体の外周縁部分においては、前記圧電体は、圧電振動部の外側に至 らない形状とされている。この場合には、圧電体延長部以外においては、圧電体は 圧電振動部の外側に至らないため、圧電体の平面形状の寸法を小さくすることがで き、小型化を進めることができる。
[0013] 本発明に係る圧電振動装置のさらに別の特定の局面では、前記圧電振動部の厚 みが、前記輪郭振動モードの波長の 1Z40以下とされる。この場合には、周波数特 性のばらつきが極めて小さい、圧電振動装置を提供することができ、圧電振動装置 の歩留りを高めることが可能となる。
[0014] 本発明に係る圧電振動装置では、上記圧電振動部は、様々な平面形状を有するよ うに構成され得る。
[0015] 本発明のある特定の局面では、前記圧電振動部が、短辺と長辺とを有する矩形の 平面形状を有し、前記輪郭振動モードが拡がり振動モードであって、前記圧電振動 部の厚みが、前記圧電振動部の短辺寸法の 1Z20以下とされている。この場合には 、輪郭振動モードとして拡がり振動モードを利用した圧電振動装置を提供でき、圧電 振動部の厚みが圧電振動部の短辺寸法の 1Z20以下とされているため、周波数特 性のばらつきを極めて小さくすることができる。
[0016] また、本発明の他の特定の局面では、前記圧電振動部が、短辺と長辺とを有する 矩形の平面形状を有し、前記輪郭振動モードが長さ振動モードであり、前記圧電振 動部の厚みが、前記圧電振動部の長辺の寸法の 1Z20以下とされ、この場合には、 輪郭振動モードとして長さ振動モードを利用しており、し力も周波数特性のばらつき が非常に小さい圧電振動装置を提供することができる。
[0017] 本発明のさらに他の特定の局面では、上記圧電振動部が、第 1の電極及び Zまた は第 2の電極の外側に積層された付加膜をさらに備える。この場合、付加膜として、 保護膜や温度補償用絶縁膜、あるいは金属膜などを積層することにより、耐環境特 性を高めたり、温度による周波数依存性を低めたり、機械的強度を高めたりすること ができる。
[0018] 本発明に係る圧電振動装置では、好ましくは、上記付加膜において、上記圧電振 動部の圧電振動のノードが位置する部分を含む第 1の領域と、第 1の領域とは異なる 厚みの第 2の領域とが設けられている。この場合、振動のノードを含む第 1の領域に おける付加膜の厚みを第 2の領域における付加膜の厚みと異ならせることにより、圧 電振動装置の共振周波数を調整することができる。例えば、第 1の領域の付加膜の 厚みを、第 2の領域における付加膜の厚みを、第 2の領域における付加膜の厚みより も薄くすることにより、共振周波数を低くする方向に周波数を調整することができる。こ の場合、第 1の領域において、付加膜の厚みは 0とされていてもよい。
[0019] 逆に、第 1の領域における付加膜の厚みを相対的に厚くすることにより、共振周波 数を高める方向に周波数を調整することができ、この場合、第 2の領域における付カロ 膜の厚みは 0とされて 、てもよ 、。
[0020] 本発明に係る圧電振動装置は、様々な共振子やフィルタに用いることができるが、 本発明のある特定の局面では、周波数が 1〜: LOOMHzの範囲にある圧電共振子が 提供される。すなわち、輪郭振動モードを利用しているが、比較的低周波数域で用 V、ることができる圧電振動装置を提供することができる。
(発明の効果)
[0021] 本発明に係る圧電振動装置では、フィルム状の圧電体の第 1の主面に第 1の電極 1S 第 2の主面に第 2の電極が形成されており、第 1,第 2の電極が圧電体を介して重 なり合っている圧電振動部が浮力された状態とされている。従って、特許文献 1に記 載の振動板のような比較的厚 、部材であって、圧電振動部の振動を受けて振動する 部分を必要としない。よって、他の部材の加工ばらつきによる共振周波数などのばら つきが生じ難い。
[0022] カロえて、輪郭振動モードを利用しているため、本質的に、周波数特性は圧電振動 部の厚みに依存し難い。のみならず、上記特許文献 1に記載の振動板のような比較 的厚 ヽ部材であって、圧電振動部の振動を受けて振動する部分を必要としな 、ので 、それによつても、周波数特性が圧電振動部の厚みに依存し難い。よって、共振周波 数などの周波数特性のばらつきをより一層小さくすることが可能とされている。 [0023] また、上記特許文献 1に記載の振動板のような圧電振動部に積層され、圧電振動 を受けて振動する部分が設けられずともよいため、振動部分の厚みを薄くすることが でき、小型化、特に低背化を進めることができる。
[0024] また、厚み縦振動モードではなぐ輪郭振動モードを利用しているため、厚み縦振 動モードを利用した場合に比べて、低周波数域で用いることができる共振子やフィル タを提供することができる。さらに、ノ レク波の内の輪郭振動モードを利用しているの で、 Qが高ぐ耐電力性に優れた圧電振動装置を提供することができる。
[0025] よって、本発明によれば、 Qが高ぐ耐電力性に優れたバルタ波を利用した圧電振 動装置であって、低周波数域で用いることができ、しかも共振特性などの周波数特性 のばらつきが生じ難い、圧電振動モードを利用した圧電振動装置を提供することが できる。
[0026] 特に、圧電振動部の厚みが輪郭振動モードの波長の 1Z40以下とされている場合 には、後述の実験例から明らかなように、周波数ばらつきをより一層小さくすることが できる。
図面の簡単な説明
[0027] [図 1]図 1 (a)及び (b)は、本発明の第 1の実施形態に係る圧電振動装置の模式的平 面図及び (a)中の A— A線に沿う断面図である。
[図 2]図 2 (a)及び (b)は、図 1 (a)における B— B線及び C C線に沿う各断面図であ る。
[図 3]図 3は、拡がり振動モードにおける振動姿態の変化を説明するための模式的平 面図である。
[図 4]図 4 (a)及び (b)は、第 1の実施形態の圧電振動部の厚みが薄い場合及び相対 的に厚い場合の振動に際しての各部分の変位状態を有限要素法で解析した結果を 示す各模式的断面図である。
[図 5]図 5は、第 1の実施形態の圧電振動装置における圧電振動部の厚みを厚くした 場合の圧電振動部における各部分の変位状態を有限要素法で解析した結果を示す 厚み方向に沿う模式的断面図である。
[図 6]図 6は、第 1の実施形態の圧電振動装置における振動子の規格化厚みと、共振 周波数変動量との関係を示す図である。
[図 7]図 7は、第 2の実施形態の圧電振動装置を説明するための模式的平面図であ る。
[図 8]図 8は、第 2の実施形態で利用される長さ振動モードにおける振動姿態の変化 を説明するための模式的平面図である。
[図 9]図 9は、第 3の実施形態の圧電振動装置を説明するための模式的平面図であ る。
[図 10]図 10は、第 2の実施形態で利用される幅方向振動モードにおける振動姿態の 変化を説明するための模式的平面図である。
圆 11]図 11 (a)及び (b)は、本発明の第 4の実施形態に係る圧電振動装置の模式的 平面図及び (a)中の E— E線に沿う断面図である。
[図 12]図 12 (a) , (b)は、図 11 (a)における F— F線及び G— G線に沿う各断面図で ある。
圆 13]図 13 (a)及び (b)は、本発明の第 5の実施形態に係る圧電振動装置の模式的 平面図及び (a)中の I I線に沿う断面図である。
[図 14]図 14 (a) , (b)は、図 13 (a)における J J線及び K—K線に沿う各断面図であ る。
[図 15]図 15は、本発明に係る圧電振動装置の変形例を説明するための断面図であ る。
[図 16]図 16は、幅振動モードまたは拡がり振動モードを利用した振動子において、 片面にノードを含む領域に凹部を設けた場合の凹部とノード位置との関係を説明す るための模式的斜視図である。
[図 17]図 17は、両面の付加膜が均一な膜厚に形成されている圧電振動装置の共振 特性を示す図である。
[図 18]図 18は、図 15に示した変形例の圧電振動装置の共振特性を示す図である。
[図 19]図 19は、本発明の圧電振動装置の他の変形例を説明するための断面図であ る。
[図 20]図 20は、図 19に示した圧電振動装置の共振特性を示す図である。 [図 21]図 21は、図 15に示した変形例において、付加膜の一部を除去する部分の幅 方向寸法を説明するための模式的断面図である。
[図 22]図 22は、図 15に示した変形例において、付加膜の一部を除去する除去幅を 変化させた場合の共振周波数の変化を示す図である。
[図 23]図 23は、従来の圧電振動装置の一例を説明するための模式的斜視図である 符号の説明
1…圧電振動装置
2· "基板
3…圧電振動部
4…圧電薄膜
4a, 4b…圧電体延長部
5…第 1の電極
6···第 2の電極
7…付加膜
8…付加膜
9, 10···端子電極
11…圧電振動装置
21···圧電振動装置
23···圧電振動部
23a…短辺
23b…長辺
31…圧電振動装置
33···圧電振動部
33a…短辺
33b…長辺
41···圧電振動装置
42· "基板 43· ··圧電振動部
51…圧電振動装置
52· ··ギャップ形成材料層
62, 63· ··付加膜
64· ··付加膜
65· ··圧電振動装置
71· ··圧電振動子
71a…凹部
D…ギャップ
H…ギャップ
L…ギャップ
Ν· ··ノード
Q…除去幅
発明を実施するための最良の形態
[0029] 以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明 を明らかにする。
[0030] 図 1 (a)及び (b)は、本発明の第 1の実施形態に係る圧電振動装置の平面図及び 図 1 (a)中の A— A線に沿う断面図である。また、図 2 (a)及び (b)は、図 1 (a)におけ る B— B線及び C C線に沿う断面図である。
[0031] 圧電振動装置 1は、バルタ波としての輪郭振動のうち拡がり振動モードを利用した 圧電共振子である。
[0032] 本実施形態では、支持部材として半導体もしくは絶縁体力 なる基板 2が用いられ ている。基板 2を構成する半導体及び絶縁体は特に限定されず、例えば Si系半導体 やガラスなどの絶縁体が用いられる。
[0033] 基板 2上にぉ 、て、平面形状が矩形の圧電振動部 3が構成されて 、る。ここでは、 圧電振動部 3は、フィルム状圧電体、すなわち圧電薄膜 4と、圧電薄膜 4の第 1の主 面としての下面に形成された電極 5と、圧電薄膜 4の第 2の主面としての上面に形成 された第 2の電極 6とを有する。圧電薄膜 4は、その分極軸方向が厚み方向とされて いる。第 1の電極 5と第 2の電極 6とは、圧電薄膜 4を介して厚み方向に重なり合って おり、該重なり合つている部分が、図 1 (a)に示す平面形状が矩形の圧電振動部 3で ある。
[0034] 圧電薄膜 4は、適宜の圧電材料からなる。このような圧電材料としては、例えば、酸 化亜鉛 (ZnO)、窒化アルミニウム (A1N)、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックス(PZT 系圧電セラミックス)、ニオブ酸リチウム(LiNbO )、タンタル酸リチウム(LiTaO )、水
3 3 晶などが挙げられる。すなわち、圧電薄膜は、圧電単結晶あるいは圧電セラミックス の 、ずれにより形成されて!、てもよ!、。
[0035] 第 1の電極 5と、第 2の電極 6とは、圧電薄膜 4に交流電圧を印加し、圧電薄膜 4を 励振させるために設けられている。第 1,第 2の電極 5, 6を構成する材料については 特に限定されず、適宜の導電性材料を用いることができる。このような導電性材料と しては、 Al、 Cu、 Au、 Pt、 Niもしくはこれらの合金、例えばエリンバーやインバーな どを挙げることができる。
[0036] 本実施形態では、上記圧電振動部 3において、圧電薄膜 4の第 1の主面側におい て、第 1の電極 5を覆うように、付加膜 7が積層されている。また、圧電薄膜 4の第 2の 主面としての上面側にお 、ても付加膜 8が積層されて ヽる。
[0037] 付加膜 7, 8は、内部を保護する保護膜として機能するものであってもよぐ補強膜と しての機能を有するものであってもよぐあるいは温度特性を補償するための膜であ つてもよい。さらに、質量付カ卩により共振周波数を調整するために、付加膜 7及び Z または付加膜 8が設けられて 、てもよ 、。
[0038] 上記付加膜は、圧電体の第 1の主面側及び Zまたは第 2の主面側に形成されれば よぐあるいは本発明においては、圧電振動部は付加膜を有していなくてもよい。
[0039] 付加膜 7, 8は、これらの機能のいずれ力少なくとも 1つを果たすように用いられるも のであるため、付加膜 7, 8を構成する材料については、これらの機能に応じた材料 を用いればよい。例えば、温度補償を行ったり、圧電振動部を保護したりするために は、 SiOや SiNなどの誘電体薄膜により付加膜 7, 8を形成すればよい。また、 Al、 C
2
u、エリンバーまたはインバーなどのような導電性材料により付加膜 7, 8が形成されて いてもよい。もっとも、付加膜 7, 8が導電性材料からなる場合には、電極 5, 6の機能 を損なわな 、ように付加膜 7, 8を形成することが望ま U、。
[0040] さらに、付加膜 7, 8は、 ZnOや A1Nのような圧電材料であってもよぐ Siのような半 導体材料であってもよい。
[0041] 本実施形態では、上記圧電振動部 3において、圧電薄膜 4、第 1,第 2の電極 5, 6 及び付加膜 7, 8は、薄膜形成法により形成され、積層されている。このような薄膜形 成法としては特に限定されないが、 PVD法や CVD法などを用いることができる。薄 膜形成法により各部材を積層することにより形成された圧電振動部 3では、その厚み を薄くすることができ、低背化を進めることができる。
[0042] 本実施形態の圧電振動装置 1では、上記圧電振動部が、基板 2からギャップ Dを介 して浮力された状態で配置されている。また、圧電振動部 3は、基板 2から浮力されて いるため、拘束されることがなぐ円滑に振動し得る。
[0043] なお、上記ギャップ Dの形成方法は特に限定されな 、。例えば、基板 2上にぉ ヽて 、圧電薄膜 4、第 1,第 2の電極 5, 6及び付加膜 7, 8を溶解しない溶剤により除去さ れる溶剤除去性材料層を形成し、しカゝる後、上記圧電薄膜 4、第 1,第 2の電極 5, 6 及び付加膜 7, 8からなる積層体を薄膜形成方法により形成する。そして、上記溶剤 により溶剤除去性材料層を除去すればよぐそれによつてギャップ Dを形成することが できる。
[0044] また、圧電振動部 3は、支持部材としての基板 2に以下の態様で支持されて 、る。
圧電薄膜 4は、圧電振動部 3を越えて、圧電振動部 3の長辺方向外側に延ばされて いる。この圧電振動部 3の外側に延ばされている圧電薄膜部分を、圧電体延長部 4a , 4bとする。図 1 (a)から明らかなように、圧電体延長部 4a, 4bは、圧電振動部 3から 圧電振動部 3の長辺方向外側に至っている。
[0045] そして、この圧電体延長部 4a, 4bにおいて、圧電薄膜 4が基板 2に固定されている 。本実施形態では、下方に設けられた付加膜 7が、基板 2の上面に固定されており、 すなわちギャップ Dを有するように付加膜 7が成膜されている。そして、付加膜 7上に 、第 1の電極 5、圧電薄膜 4、第 2の電極 6が順に成膜され、さらに第 2の付加膜 8が成 膜されている。
[0046] 他方、付加膜 7が基板 2に固定されて 、る部分、すなわちギャップ Dの外側にぉ ヽ ては、圧電体延長部 4a, 4bが存在し、従って、圧電薄膜 4は、圧電体延長部 4a, 4b が存在する部分において、付加膜 7を介して基板 2に固定されている。なお、本実施 形態では、付加膜 7が設けられていたため、圧電体延長部 4a, 4bは付加膜 7を介し て基板 2に固定されていたが、付加膜 7が設けられていない場合には、圧電体延長 部 4a, 4bを直接基板 2の上面に固定してもよい。さらに、付加膜 7が設けられている 構造においては、上記圧電体延長部 4a, 4bは必ずしも設けられずともよぐその場 合には、圧電振動部を基板 2に固定するのに十分な強度を有するように、付加膜 7を 形成する必要がある。
[0047] また、第 1の電極 5は、圧電体延長部 4aの下面を経由し、基板 2の第 1の端縁に沿 うように設けられた第 1の端子電極 9に連ねられている(図 1 (a)参照)。
[0048] 他方、第 2の電極 6は、圧電体延長部 4bの上面を経由し、基板の第 2の端縁に設 けられた第 2の端子電極 10に連ねられて!/、る。
[0049] 従って、端子電極 9, 10から交流電圧を印加した場合、圧電振動部 3が、圧電効果 により励振されることになる。本実施形態で、圧電振動部 3は、長辺と短辺とを有する 矩形の平面形状を有する。そして、圧電薄膜 4は、その分極軸方向が厚み方向とさ れている。従って、振動モードが励振されるが、本実施形態では、励振される振動の うち、輪郭振動モードに属する拡がり振動モードが強く励振され、該拡がり振動モー ドによる共振特性が利用される。
[0050] 従って、バルタ波の内の輪郭振動モードに属する拡がり振動モードを利用するため 、 Qが高ぐ耐電力性に優れている。カ卩えて、本実施形態では、圧電振動部 3は、ギ ヤップ Dを隔てて基板 2から浮力されて配置されている。従って、圧電振動部 3は、圧 電効果により基板 2に拘束されることなく自由に振動する。よって、良好な共振特性を 得ることができる。し力も、支持部材としての基板 2に固定される部分に至っている圧 電体延長部 4a, 4bが設けられている部分を除いては、圧電薄膜 4は、圧電振動部 3 の外周縁には至っていない。従って、それによつても、圧電振動部 3が、基板 2に拘 束されることなく、自由に変位、振動し得るように構成されている。
[0051] 図 3は、拡がり振動モードの振動姿態を示す模式的平面図である。拡がり振動モー ドでは、正方形の平面形状を有する圧電振動部 3Aが図示の破線で示す振動姿態 のように変位する。そして、図示の破線で示す振動姿態力も図示の矢印で示すように 各部分が変位し、逆の振動姿態となる。この破線で示す振動姿態と、逆の振動姿態 との間で変位が繰り返される。従って、上記拡がり振動モードに際しての変位は、矩 形の平面形状の圧電振動部 3Aの平面内すなわち面内方向での振動であり、基本 的に厚み方向の振動モードによる影響を受け難い。
[0052] もっとも、前述したように、実際には、拡がり振動モードなどの輪郭振動モードを利 用した圧電振動部においても、厚みが有限であるため、厚み方向の振動モードによ る影響を避けることはできず、特許文献 1に記載の圧電振動装置では、その影響によ り共振特性のばらつきが生じがちであった。
[0053] すなわち、前述した特許文献 1に記載の圧電振動装置では、圧電薄膜にシリコン 材料力もなる比較的厚みの大きな振動板 105が積層されていたため、該振動板 105 の厚みばらつきにより、共振特性がばらつくという問題があった。これに対して、本実 施形態の圧電振動装置では、圧電振動部 3において、このような比較的厚みの大き な板状の振動板を積層する必要はない。すなわち、圧電振動部として振動する部分 は、上記圧電薄膜 4と、電極 5, 6と、付加膜 7, 8とが積層されている積層膜部分だけ であり、これらの膜は、前述した薄膜形成法により高精度に形成され得る。従って、振 動する部分の厚みばらつきが生じ難いので、共振特性のばらつきも生じ難い。よって 、特性の安定ィ匕及び歩留りの向上を果たすことができる。
[0054] 本実施形態の圧電振動装置 1では、好ましくは上記圧電振動部 3の厚みは、上記 拡がり振動モードによる共振特性の共振周波数の 1Z40以下とされ、それによつて、 圧電薄膜 4の厚みばらつきによる共振周波数のばらつきを極めて小さくすることがで きる。これを、図 4〜図 6を参照して説明する。
[0055] なお、図 4〜図 6に示す結果は、有限要素法によるシミュレーションにより求めた結 果である。
[0056] 上記シミュレーションにあたり、想定した圧電振動装置の仕様は以下の通りである。
[0057] Si系基板上に、付加膜 7、第 1の電極 5、圧電薄膜 4、第 2の電極 6及び付加膜 8が 以下の材料及び厚みとなるように成膜し、圧電振動部が短辺の長さ 190 m X長辺 の長さ 300 μ mの矩形の平面形状を有し、波長が 190 m X 2 = 380 mの圧電振 動装置 1を作製したとする。
[0058] 付加膜 7: SiO、厚み 1. 3 mZ第 1の電極 5: Pt、厚み 0. 1 μ mZ圧電薄膜 4: A1
2
N膜、厚み 1. 6 1117第2の電極6 : ?1;、厚み0.: L mZ付加膜 8: SiO、厚み 1. 3
2
m。付加膜 7, 8を含む圧電振動部 3全体の厚み =4. 4 μ ηι0
[0059] このような構造によれば、圧電振動装置 1の共振周波数は、約 18MHzとなる。圧電 振動装置 1と同様にして、但し、 A1からなる第 1 ,第 2の電極 5, 6の膜厚と、圧電薄膜 4の膜厚との比を 1: 16と固定した状態で、また上記圧電振動部を構成している矩形 の短辺方向の寸法を 113 mとし、圧電薄膜 4の厚み及び電極 6, 7の厚みを変化さ せた。このような複数の圧電振動装置について、振動部分の厚み、すなわち付加膜 7, 8を含む圧電振動部 3の厚みを波長で規格化した規格化振動子厚みと、周波数 変動量との関係を有限要素法によるシミュレーションにより求めた。結果を示す。
[0060] 図 6の横軸は、上記規格化振動子厚み、すなわち振動部部分の厚みの波長に対 する割合を示し、縦軸は共振周波数変動量 (ppm)を示す。共振周波数変動量は、 設計共振周波数からの変動量である。
[0061] また、図 4 (a)及び (b)は、上記規格化振動子厚みが 0. 01及び 0. 08の場合の振 動部の変位状態を有限要素法で求めた結果を示し、図 5は、上記規格化振動子厚 みが 0. 40の場合の有限要素法で求めた振動姿態の変化を模式的に示す図である
[0062] 図 4 (a) , (b)及び図 5から明らかなように、圧電振動部 3における振動子規格化厚 みが厚くなると、厚み方向に変位する部分が相対的に多く現れ、従って、厚み方向の 振動モードによる影響が現れることがわかる。
[0063] これに対して、図 6から明らかなように、上記シミュレーションによれば、規格化振動 子厚みが、 0. 025以下の場合、すなわち振動子の厚みが、波長の 40分の 1以下で あれば、厚みが 1 %ばらついたときの共振周波数変動量は lppm以下と著しく小さく なることがわかる。他方、波長は、矩形の振動部部分の短辺寸法で決定される。よつ て、圧電振動部の厚みを、矩形の平面形状の圧電振動部 3の短辺の長さの 1Z20 以下とすれば、共振周波数の変動量を著しく小さくすることができる。
[0064] 図 7は、本発明の他の実施形態に係る圧電振動装置の模式的平面図であり、図 8 はその圧電振動部の振動姿態を模式的に示す平面図である。
[0065] 図 7に示す圧電振動装置 21では、圧電振動部 23が、輪郭振動モードの内の長さ 振動モードを利用している。従って、圧電振動部 23は図 7に模式的に示されているよ うに、短辺 23aと、長辺 23bとを有する矩形の平面形状を有し、図 8に示すように、長 辺方向に伸縮する。すなわち、図 8に示す当初の圧電振動部 23Aの状態から、破線 で示すように長辺方向に伸びた状態と、逆に当初の状態力 長さ方向において縮ん だ状態の振動姿態とを繰り返すように変位する。このように、長さ振動モードを利用し た場合においても、その変位は、圧電振動部 23の第 1,第 2の主面の面内方向がほ とんどであるため、第 1の実施形態の場合と同様に、厚みにあまり依存しない、良好な 共振特性を実現することができる。
[0066] また、図 9は、本発明の第 3の実施形態に係る圧電振動装置の模式的平面図であ り、図 10はその圧電振動部の振動姿態の変化を説明するための模式的平面図であ る。
[0067] 第 3の実施形態の圧電振動装置 31では、圧電振動部 33が輪郭振動モードのうち 幅振動モードを利用している。その他の点については、第 2の実施形態と同様である 。幅振動モードを利用する圧電振動部 33は、平面形状が矩形であり、短辺 33aと長 辺 33bとを有する。そして、励振されると、図 10に示すように、実線で示す当初の状 態から、長辺 33bが短辺方向に沿って変位する。すなわち、破線で示すように、幅方 向寸法、すなわち短辺方向に沿う寸法が大きくなつた状態と、逆に、短辺方向の寸 法が小さくなつた縮んだ状態との間で変位が繰り返されることになる。この幅方向振 動モードも、面内振動であるため、振動部の厚みに依存しがたい、良好な共振特性 が得られる。
[0068] 上述したように、本発明においては、バルタ波のうち輪郭振動モードが利用され、こ の輪郭振動モードとしては、第 1の実施形態において示した拡がり振動モードに限ら ず、上記長さ振動モードや幅振動モードを用いてもょ 、。
[0069] 図 11 (a)及び (b)は、本発明の第 4の実施形態に係る圧電振動装置の模式的平面 図及び図 11 (a)中の E— E線に沿う断面図であり、図 12 (a)及び (b)は、図 11 (a)の
F— F線及び G— G線に沿う各断面図である。 [0070] 本実施形態の圧電振動装置 41は、支持部材としての基板 42を有する。そして、基 板 42の上面に、凹部が形成されており、該凹部によりギャップ Hが設けられている。 すなわち、第 1の実施形態では、ギャップ Dは、基板 2の上面と、基板 2の上面から浮 力された圧電振動部 3との間に設けられていた力 本実施形態では、基板 42の上面 に凹部を形成することにより、ギャップ Hが形成されている。そのため、ギャップ H上に 設けられて 、る圧電振動部 43が、浮かされた状態とされて!/、る。
[0071] その他の構造については、本実施形態の圧電振動装置 41は、第 1の実施形態の 圧電振動装置 1と同様に構成されている。従って、同一部分については、同一参照 番号を付することにより、詳細な説明につ ヽては省略することとする。
[0072] 本実施形態では、ギャップ H上において、圧電薄膜 4、第 1,第 2の電極 5, 6及び 付加膜 7, 8が薄膜形成法により形成されている。もっとも、製造に際しては、予め Si など力もなる基板 42の上面に、エッチングなどの加工により、凹部を形成する。そし て、この凹部に、第 1の実施形態で用いた溶剤除去性材料層を凹部を充填するよう に形成する。しカゝる後、圧電薄膜 4、第 1,第 2の電極 5, 6及び付加膜 7, 8からなる積 層部分を、薄膜形成法により形成する。すなわち、付加膜 7、第 1の電極 5、圧電薄膜 4、第 2の電極 6及び付加膜 8を順次薄膜形成法により形成する。そして、溶剤により 溶剤除去性材料層を除去することにより、ギャップ Hが形成される。
[0073] このように、圧電薄膜 4を用いて構成されて ヽる圧電振動部を浮かされた状態とす るためのギャップは、基板 42の上面に凹部を形成することにより設けてもよい。
[0074] 図 13 (a)は、本発明の第 5の実施形態に係る圧電振動装置を説明するための平面 図であり、図 13 (b)は図 13 (a)の I— I線に沿う断面図である。また、図 14 (a)及び (b) は、図 13 (a)の J J線及び K—K線に沿う断面図である。
[0075] 第 5の実施形態の圧電振動装置 51は、圧電振動部を冒された状態とするためのギ ヤップを設けるための構造が異なることを除いては第 1の実施形態の圧電振動装置 1 と同様である。従って、同一部分については、同一の参照番号を付することにより、詳 細な説明を省略する。
[0076] 本実施形態の圧電振動装置 51は、支持部材としての基板 2を有する。そして、基 板 2の上方において、第 1の実施形態の場合と同様に、付加膜 7、第 1の電極 5、圧 電薄膜 4、第 2の電極 6及び第 2の付加膜 8が順に薄膜形成法により形成された積層 部分が構成されて、圧電振動部 3が設けられている。もっとも、本実施形態では、上 記第 1の付加膜 7の下方において、圧電振動部 3を浮力された状態とするためのギヤ ップ Lが、サイドエッチング法によりギャップ形成材料層 52に開口部を設けることによ り形成されている。
[0077] すなわち、ギャップ形成材料層 52の一部に開口部が設けられており、該開口部の 上方に圧電振動部 3が構成されている。従って、開口部が上記ギャップ Lを形成して 、ることになる。
[0078] ギャップ Lを形成するために、本実施形態では、まず、基板 2上にギャップ形成材料 層 52を成膜する。このギャップ形成材料層 52は、圧電薄膜 4、第 1,第 2の電極 5, 6 及び付加膜 7, 8を溶解しない溶剤により除去される溶剤除去性材料により例えば形 成される。この形成方法については、蒸着等の適宜の薄膜形成方法を用いることが できる。
[0079] し力る後、上記ギャップ形成材料層 52を基板 2の上面にぉ 、て成膜した後、該ギヤ ップ形成材料層 52上に、前述した付加膜 7、第 1の電極 5、圧電薄膜 4、第 2の電極 6 及び第 2の付加膜 8を順に薄膜形成法により形成する。次に、上記ギャップ形成材料 層 52において、図 13 (b)に示されているギャップ Lとしての開口部を形成する部分に 、側方力も等方性サイドエッチングすればよい。エッチングに際しては、上記溶剤除 去性材料層を溶解し、上記圧電薄膜 4を含む積層部分を溶解しな ヽ溶剤を用いて 行ない得る。このように側方力もサイドエッチングすることにより、ギャップ Lを形成して ちょい。
[0080] 上述したように、本発明の圧電振動装置において、圧電振動部を浮かされた状態と するためのギャップは、第 4及び第 5の実施形態に示したように、様々な方法で形成 することができる。
[0081] 本発明に係る圧電振動装置では、上記付加膜の厚みは一様とされる必要は必ずし もない。図 15〜図 22を参照してこのような変形例を説明する。
[0082] 図 15は、第 4の実施形態に係る圧電振動装置の変形例に相当し、図 12 (a)に示し た断面図に相当するこの変形例の圧電振動装置の断面図である。 [0083] この変形例の圧電振動装置 61では、第 4の実施形態と同様に、基板 2上に、圧電 振動部 3が構成されており、圧電振動部 3は、圧電薄膜 4、第 1,第 2の電極 5, 6及び 付加膜 62, 63を有する。第 4の実施形態と異なるところは、第 4の実施形態の付加膜 7, 8に代えて、上記付加膜 62, 63が設けられていること、並びに利用する振動モー ドとして、幅モードまたは拡がりモードが用いられていることにある。すなわち、圧電振 動部は、長さ方向と幅方向とを有する矩形の平面形状を有し、図 15では、長さ方向と 直交する方向の断面が示されて 、る。
[0084] 従って、変形例の圧電振動装置 61では、幅モードまたは拡がりモードの振動が励 振される力 その振動のノードは、図 15の矢印 Mで示す位置に現れる。すなわち、圧 電振動部の幅方向中央に振動のノード Mが存在する。
[0085] 他方、この変形例では、付加膜 62は、付加膜 7と同様に、圧電振動部の下面にお いて、均一な厚みに形成されている。
[0086] これに対して、付加膜 63は、振動のノード Mを含む第 1の領域において除去されて おり、第 2の領域において設けられている。言い換えれば、付加膜 63は、第 1の領域 において除去されており、横断面においては、凹状の形状を有する。
[0087] 本変形例では、少なくとも一方の付加膜 63において、第 1の領域において付加膜 が除去されて、第 1の領域に対して第 2の領域における付加膜の厚みが相対的に厚 くされている。このように、振動のノードを含む第 1の領域において、付加膜 63が除去 されているので、本変形例では、平坦な付加膜を圧電振動部 3の上面に設けた相当 の構造に比べて、共振周波数を低くすることができる。
[0088] すなわち、図 17に示した共振特性を有する第 4の実施形態の圧電振動装置を形 成した後、図 15に示した変形例のように、第 1の領域における付加膜 63の厚みを 0と した場合、図 18に示す共振特性を得ることができる。
[0089] これは、以下の理由による。
[0090] 図 16に模式的斜視図で示すように、矩形板状の幅モードまたは拡がりモードを利 用した圧電振動子 71を想定する。この圧電振動子 71において、上面中央において 、長さ方向に延びるように凹部 71aを形成したとする。この場合、圧電振動子 71が幅 モードまたは拡がりモードで振動した場合、振動のノード Nは、図 16に示すように、上 記凹部内に位置することになる。すなわち、図 15に示した変形例は、このようなモデ ルに相当し、この場合、振動のノードにおける質量付加と、振動のノード以外の第 2 の領域における質量付加が異なることにより、上記のように、共振周波数が低くなるも のと考えられる。
[0091] なお、図 15では、第 1の領域においては、付加膜 63が除去され、厚みが 0とされて いたが、第 1の領域において、付加膜が形成されていてもよぐその場合、図 15の O で一点鎖線で示すように、第 1の領域における付加膜の厚みが、第 2の領域における 付加膜の厚みよりも薄くされてさえおればよい。そして、この第 1の領域における付カロ 膜の厚みを、第 2の領域における付加膜の厚みよりも薄ぐあるいは 0とすることにより 、上記のように、共振周波数を低くすることができる。
[0092] 従って、本発明では、圧電振動部の少なくとも一方面に設けられた付加膜において 、上記第 1の領域における付加膜の厚みを 0あるいは薄くするように、その厚みを調 整することにより、共振周波数を調整することができる。
[0093] 図 19は、図 15に示した変形例とは逆に、付加膜 64において、第 1の領域における 付加膜の厚みが相対的に厚ぐ第 2の領域において、付加膜 64が除去されている他 の変形例を示す断面図である。その他の構造については、本変形例の圧電振動装 置 65は、圧電振動子 61と同様とされている。
[0094] ここでは、圧電振動装置 61の場合と同様に、幅モードまたは拡がりモードが利用さ れ、従って、振動のノード Mは、上記第 1の領域に位置する。そして、第 2の領域にお いて付加膜 64が除去されているので、質量付加効果は、第 1の領域と第 2の領域と で異なっている。図 20は、本変形例の圧電振動装置 65の共振特性を示す。図 20に 示すように、図 17に示した圧電振動装置の共振周波数に比べて、共振周波数が高 められている。
[0095] このように、少なくとも一方面に設けられた付加膜において、第 1の領域において付 加膜を除去することにより、共振周波数を高めることができる。この場合、図 19に一点 鎖線 Pで示すように、第 2の領域における付加膜を 0とせず、第 1の領域における付加 膜よりも薄くさえしておれば、共振周波数を高めることができる。すなわち、上記質量 付加効果の差により、共振周波数が高くなる方向に変化するため、第 2の領域にお いて、付加膜を除去する必要は必ずしもない。
[0096] また、図 15に示した変形例では、上記付加膜 63において、第 1の領域の幅方向寸 法 Qを調整することにより、共振周波数を調整することも可能である。
[0097] これを、図 21及び図 22を参照して説明する。
[0098] 図 21に模式的断面図で示すように、図 15に示した変形例において、 SiOからなる
2 付加膜 63を第 1の領域において除去した。この場合の第 1の領域の幅、すなわち付 加膜の除去幅 Qを変化させ、共振周波数の変化を求めた。結果を図 22に示す。
[0099] なお、実験に際しては、圧電振動部の構成は、上方から SiO /A1/A1N/A1/S
2
iOの積層構造とし、その厚みは、上方力ら 2. 6 m、 0. 1 m/1. 6 μ m/0. 1 μ
2
m/2. とした。そして、圧電振動部の長さ方向寸法は 179. 2 /ζ πι、幅方向寸 法は 112 /z mとした。また、図 22の横軸は、比:(上記付加膜における SiO膜を除去
2 した横幅 Q)Z (圧電振動部幅方向寸法)とした。図 22から明らかなように、この比が 0 . 4〜0. 6付近の場合、共振周波数力 Sもっとも低くなつていることがわかる。従って、 圧電振動部が同じ形状の場合であっても、上記付加膜 63を第 1の領域で除去する 際に、その除去幅 Qを調整することにより、共振周波数を l〜2MHz程度低めること ができ、それによつて、ひいては、圧電振動装置の小型化を図り得ることがわかる。
[0100] なお、上記付加膜を除去したり、部分的に薄くしたりするには、反応性イオンエッチ ング (RIE)、イオンミリング、レーザー加工、またはウエットエッチングなどの様々な方 法を用いて行うことができる。あるいは、付加膜を形成した後に部分的に除去したり、 厚みを薄くする加工を行う方法ではなぐ付加膜を形成するに際し、リフトオフ法やマ スキング等により、予め第 1の領域と第 2の領域との厚みが異なる付加膜を形成しても よい。

Claims

請求の範囲
[1] 対向し合う第 1,第 2の主面を有するフィルム状の圧電体と、
前記圧電体の第 1の主面に形成された第 1の電極と、
前記圧電体の第 2の主面に形成されており、第 1の電極と圧電体を介して重なり合 うように配置された第 2の電極とを備え、
前記第 1,第 2の電極が前記圧電体を介して重なり合つている部分が圧電振動部を 構成しており、
前記圧電振動部を支持している支持部材をさらに備え、
前記圧電振動部が、第 1,第 2の電極が圧電体を介して重なり合つている部分にお いて、浮力された状態となるように前記支持部材により支持されており、かつ前記圧 電振動部の輪郭振動モードを利用することを特徴とする、圧電振動装置。
[2] 前記フィルム状の圧電体が、前記第 1,第 2の電極が圧電体を介して重なり合って V、る圧電振動部の外側に至る圧電体延長部を有しており、
前記圧電体延長部において、前記圧電体が前記支持部材に固定されている、請 求項 1に記載の圧電振動装置。
[3] 前記支持部材が基板であり、該基板上に前記圧電振動部がギャップを隔てて浮か された状態で、前記圧電体延長部が前記基板の上面に固定されている、請求項 2に 記載の圧電振動装置。
[4] 前記圧電体延長部が設けられて!/、る部分を除く前記圧電体の外周縁部分にぉ ヽ ては、前記圧電体は、前記圧電振動部の外側には至らない形状とされている、請求 項 3に記載の圧電振動装置。
[5] 前記圧電振動部の厚みが、前記輪郭振動モードの波長の 1Z40以下とされている 、請求項 1〜4のいずれか 1項に記載の圧電振動装置。
[6] 前記圧電振動部が、短辺と長辺とを有する矩形の平面形状を有し、前記輪郭振動 モードが拡がり振動モードであって、前記圧電振動部の厚みが、前記圧電振動部の 短辺寸法の 1Z20以下とされていることを特徴とする、請求項 1〜5のいずれ力 1項 に記載の圧電振動装置。
[7] 前記圧電振動部が、短辺と長辺とを有する矩形の平面形状を有し、前記輪郭振動 モードが長さ振動モードであり、前記圧電振動部の厚みが、前記圧電振動部の長辺 の寸法の 1Z20以下とされている、請求項 1〜5のいずれ力 1項に記載の圧電振動 装置。
[8] 前記圧電振動部が、前記第 1,第 2の電極の少なくとも一方の外側に積層された付 加膜をさらに備える、請求項 1〜7のいずれか 1項に記載の圧電振動装置。
[9] 前記付加膜が、前記圧電振動部の振動のノードを含む第 1の領域と、第 1の領域と は異なる厚みの第 2の領域とを有する、請求項 8に記載の圧電振動装置。
[10] 前記第 1の領域において、付加膜の厚みが第 2の領域における厚みよりも薄くされ ている、請求項 9に記載の圧電振動装置。
[11] 前記第 1の領域において、薄肉部の厚みが 0とされており、第 2の領域においての み付加膜が設けられている、請求項 10に記載の圧電振動装置。
[12] 前記第 1の領域において、付加膜の厚みが第 2の領域における厚みよりも厚くされ ている、請求項 9に記載の圧電振動装置。
[13] 前記第 2の領域において、付加膜の厚みが 0とされており、第 1の領域においての み付加膜が設けられている、請求項 12に記載の圧電振動装置。
[14] 周波数が l〜100MHzの範囲にある圧電共振子である、請求項 1〜13のいずれ 力 1項に記載の圧電振動装置。
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