JP2008124747A - 薄膜圧電振動子及び薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ - Google Patents
薄膜圧電振動子及び薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】薄膜圧電バルク波高周波共振器において、圧電薄膜と前記圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで存在する第一の金属電極膜と第二の金属電極膜とを含む積層構造を具備して成り、前記共振部と前記連結部は、全て絶縁基板上に薄膜製造装置で成膜されており、前記共振部は、中心を節とするRadial Extensionモードで振動し、前記2個の共振部の圧電薄膜は、膜面に対して垂直方向に分極しており、前記連結部の幅は、前記2個の共振部の幅の1/4以下であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
なお、本発明の対象となるのは、共振周波数が1MHz以上の高周波でかつこの共振周波数が共振部の幅または直径で決まるRE共振器である。
絶縁基板2に凸状の犠牲層6Aの成膜とパターニングを行う(a)。次に、下部電極4及び端子9−2の成膜とパターニングを行う(b)。さらに、圧電薄膜5の成膜とパターニング(c)、上部電極3及び端子9−1の成膜とパターニング(d)を行う。最後に犠牲層6Aを除去し、ギャップ6とすることで共振部7が形成される(e)。
ここで、frは直列共振周波数、faは並列共振周波数である。図から明らかなとおり、連結部/共振部の幅の比が大きくなる、換言すると連結部8の幅が広くなるに従い、REモードの比帯域幅は減少し、スプリアスモードの比帯域幅は増加する。従って、平面形状において、連結部8の幅は共振部のよりも狭いことが望ましい。図9Bによれば、スプリアスモードを主振動より一ケタ以下に抑圧するには、共振部7の幅の1/4以下にするのが望ましいことがわかる。
また、このときのREオードの比帯域は0.015以上と広帯域になることもわかる。
まず、図21に、本発明の第5の実施例の等価回路図を示す。第5の実施例は、2個の薄膜RE共振器を接続したバンドパスフィルタであり、入出力端子間9−1、9−2に直列に接続された1個の直列腕共振器1−2と、アース9−3との間に接続された1個の並列腕共振器1−1で構成されている。図22と図23に、本発明の第5の実施例を模式図で示す。図22はバンドパスフィルタの縦断面図、図23はバンドパスフィルタの平面図を示す。ここでは、例えば本発明の第一の実施例で示した薄膜RE共振器1が2個用いられており、一方が直列腕共振器1−2として、他方が並列腕共振器1−1として機能している。
本実施例は、図25の等価回路図に示すように、2個の共振器を並列腕に接続したハイパスフィルタである。すなわち、ハイパスフィルタは、入出力端子9−1、9−2との間の信号線とアース9−3との間に接続された2個の並列腕共振器1−1とで構成されている。2個の並列腕共振器1−1は本発明の例えば第2の実施例で示した共振器であり、異なる共振部の直径に設定されているため、異なる共振周波数を有している。
図27の等価回路図に示すように、本実施例は、2個の共振器を直列腕に直列接続したローパスフィルタであり、入出力端子間9−1、9−2に接続された2個の直列腕共振器1−2で構成されている。2個の直列腕共振器1−2は本発明の例えば第一の実施例で示した共振器であり、異なる共振部の直径に設定されているため、異なる共振周波数を有している。
Claims (20)
- 共振部と該共振部を支持する支持部とを具備して成り、
前記共振部は、少なくとも一つの振動子部を具備して成り、
前記振動子部は、圧電薄膜と該圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで存在する第一の金属電極膜と第二の金属電極膜とを含む積層構造を具備して成り、前記圧電薄膜は、膜面に対して垂直方向に分極しており、Radial Extensionモードで振動し、
前記共振部の振動の節において、前記支持部を絶縁基板上に接続した
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 請求項1において、
前記支持部は、前記共振部を構成する前記圧電薄膜及び前記第一の金属電極膜を含む前記振動子部と共通の積層構造を具備して成り、
前記共振部と支持部は、前記絶縁基板上に成膜されている
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 請求項1において、
前記共振部は、互いに面対称の関係にある一対の振動子部と、該一対の振動子部を互いに連結する連結部を具備して成り、
前記共振部は、前記連結部の中心部に前記振動の節を有し、該節の部分に前記支持部を設けた
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 請求項1において、
前記共振部は、互いに面対称の関係にある一対の振動子部と、該一対の振動子部を互いに連結する連結部を具備して成り、
前記共振部は、前記各振動子部の中心部に前記振動の節を有し、該各節の部分に前記支持部を設けた
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 請求項1において、
前記共振部は、一つの振動子部を具備して成り、
前記支持部の平面形状は、音叉の形状をなし、
前記共振部は、前記振動子部及び前記音叉の分岐部に前記振動の節を有し、該分岐部の節の部分に前記支持部を設けた
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 請求項1において、
前記共振部は、一つの振動子部を具備して成り、
前記支持部の平面形状は、両持ち支持構造をなし、
前記共振部は、前記振動子部及び前記両持ち支持構造の分岐部に前記振動の節を有し、前記分岐部の節の部分に前記支持部を設けた
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 請求項1において、
前記共振部は、一つの振動子部を具備して成り、
前記振動子部は、前記圧電薄膜及び前記第一の金属電極膜及び前記第二の金属電極膜及びギャッブを含む積層構造を具備して成り、
前記共振部は、前記振動子部の中心に前記振動の節を有し、該節の部分において前記圧電薄膜を前記第二の金属電極膜に接続する前記支持部を設けた
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 請求項3において、
前記連結部の幅は、前記振動子部の幅の1/4以下である
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 請求項4において、
前記連結部の幅は、前記振動子部の幅の1/4以下である
ことを特徴とする薄膜圧電振動子。 - 共振部と該共振部を支持する支持部と入出力端子とを具備して成り、
前記共振部は、少なくとも一つの振動子部を具備して成り、
前記振動子部は、圧電薄膜と該圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで存在する第一の金属電極膜と第二の金属電極膜とを含む積層構造を具備して成り、
前記圧電薄膜は、膜面に対して垂直方向に分極しており、Radial Extensionモードで振動し、
前記共振部の振動の節において、前記支持部を絶縁基板上に接続した、
ことを特徴とする薄膜圧電バルク波共振器。 - 請求項10において、
前記共振部は、互いに面対称の関係にある一対の振動子部と、該一対の振動子部を互いに連結する連結部を具備して成り、
前記共振部は、前記連結部の中心部に前記振動の節を有し、該節の部分に前記支持部及び前記入出力端子を接続した
ことを特徴とする薄膜圧電バルク波共振器。 - 請求項10において、
前記共振部は、互いに面対称の関係にある一対の振動子部と、該一対の振動子部を互いに連結する連結部を具備して成り、
前記共振部は、各振動子部の中心部に前記振動の節を有し、該節の部分に前記支持部及び前記入出力端子を接続した
ことを特徴とする薄膜圧電バルク波共振器。 - 請求項10において、
圧電薄膜と該圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで存在する第一の金属電極膜と第二の金属電極膜とを含む積層構造を具備した複数の共振部と、少なくても1個以上の連結部とを有し、
前記共振部と前記連結部は、前記絶縁基板上に成膜されており、
前記複数の共振部の少なくても2個の振動子部は、前記連結部を介して接続されており、
前記2個の振動子部は、互いに面対称の関係にあり、
前記2個の振動子部は、互いを連結する前記連結部の中心部のみに前記支持部を有し、
前記支持部は複数の電気的引出線を有し、
前記連結部は、第一の金属電極膜と第二の金属電極膜と圧電薄膜を含む積層構造を有し、
前記2個の振動子部と前記連結部は、前記絶縁基板との間に弾性絶縁層を有し、
前記2個の振動子部の第一の金属電極膜は、前記連結部を介して互いに直流電気的に接続されており、
前記2個の振動子部の第二の金属電極膜は、前記連結部を介して互いに直流電気的に接続されており、
前記2個の振動子部の圧電薄膜は、前記連結部を介して互いに弾性的に接続されており、
前記2個の振動子部の圧電薄膜は、膜面に対して垂直方向に分極しており、
前記2個の振動子部の第一の金属電極膜は、前記連結部の第一の金属電極膜を介して前記電気的引出線の少なくても1本に直流電気的に接続されており、
前記2個の振動子部の第二の金属電極膜は、前記連結部の第二の金属電極膜を介して前記電気的引出線の少なくても1本に直流電気的に接続されており、
前記連結部の幅は、前記2個の振動子部の幅の1/4以下であることを特徴とする薄膜圧電バルク波共振器。 - 請求項10において、
圧電薄膜と前記圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで存在する第一の金属電極膜と第二の金属電極膜とを含む積層構造を具備した複数の共振部と、少なくても1個以上の連結部とを有し、
前記共振部と前記連結部は、前記絶縁基板上に成膜されており、
前記複数の共振部の少なくても2個の振動子部は、連結部を介して接続されており、
前記2個の振動子部は、互いに面対称の関係にあり、
前記2個の振動子部は、少なくとも各々第二の金属電極膜の中心部に支持部を有し、
前記支持部は、少なくても一部分で絶縁基板と弾性的に接続し、
前記2個の振動子部と絶縁基板との間の少なくても一部分に弾性絶縁層を有し、
前記支持部は電気的引出線の機能を有し、
前記連結部は、第一の金属電極膜と圧電薄膜を含む積層構造を有し、
前記連結部は、絶縁基板との間に弾性絶縁層を有し、
前記2個の振動子部の第一の金属電極膜は、前記連結部を介して互いに直流電気的に接続されており、
前記2個の振動子部の第二の金属電極膜は、互いに直流電気的に絶縁されており、
前記2個の振動子部の圧電薄膜は、前記連結部を介して互いに弾性的に接続されており、
前記2個の振動子部の圧電薄膜は、膜面に対して垂直方向に分極しており、
前記2個の振動子部の第一の金属電極膜は、他の共振部または前記入出力端子と直流電気的に絶縁されており、
前記連結部の幅は、前記2個の振動子部の幅の1/4以下であることを特徴とする薄膜圧電バルク波共振器。 - 請求項10において、
圧電薄膜と前記圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで存在する第一の金属電極膜と第二の金属電極膜とを含む積層構造を具備した共振部と、該共振部を絶縁基板に固定する支持部を有し、
前記共振部と前記支持部は、前記絶縁基板上に成膜されており、
前記共振部は、前記絶縁基板との間に弾性絶縁層を有し、
前記共振部は、該共振部の相対する2点で電気的且つ弾性的に接続する支持部を有し、
前記支持部は、前記絶縁基板と弾性的に接続し、
前記支持部は、第一の金属電極膜と第二の金属電極膜と圧電薄膜を含む積層構造を有し、
前記支持部の平面形状は、音叉の形状をなし、
前記支持部は電気的引出線の機能を有し、
前記支持部の少なくても一部は、前記絶縁基板との間に弾性絶縁層を有し、
前記支持部の分岐した部分の少なくても一部において、前記支持部の幅は、前記共振部の幅の1/4以下である
ことを特徴とする薄膜圧電バルク波高周波共振器。 - 入力端子と出力端子と共振部と該共振部を支持する支持部とを具備して成り、
前記共振部は、少なくとも一つの振動子部を有する薄膜圧電バルク波高周波共振器を具備して成り、
前記薄膜圧電バルク波高周波共振器の前記振動子部は、圧電薄膜と該圧電薄膜の少なくとも一部を挟んで存在する第一の金属電極膜と第二の金属電極膜とを含む積層構造を具備して成り、
前記圧電薄膜は、膜面に対して垂直方向に分極しており、中心を節とするRadial Extensionモードで振動し、
前記共振部の振動の節において、前記支持部を絶縁基板上に接続した
ことを特徴とする高周波フィルタ。 - 請求項16において、
前記入力端子と前記出力端子に対して直列腕に接続された前記薄膜圧電バルク波高周波共振器からなる第1の薄膜圧電バルク波高周波共振器と並列腕に接続された第2の薄膜圧電バルク波高周波共振器とを具備し、
前記第2の薄膜圧電バルク波高周波共振器の振動部の幅よりも、前記第1の薄膜圧電バルク波高周波共振器の振動部の幅が小さい
ことを特徴とする高周波フィルタ。 - 請求項16において、
前記入力端子と前記出力端子に対して並列腕に接続された複数の前記薄膜圧電バルク波高周波共振器を具備して成り、
前記複数の薄膜圧電バルク波高周波共振器の少なくとも1つの共振器の振動部の幅が、他の前記薄膜圧電バルク波高周波共振器の振動部の幅と異なることを特徴とする高周波フィルタ。 - 請求項16において、
前記入力端子と前記出力端子に対して直列腕に接続された複数の前記薄膜圧電バルク波高周波共振器を具備して成り、
前記複数の薄膜圧電バルク波高周波共振器の少なくとも1つの共振器の振動部の幅が、他の前記薄膜圧電バルク波高周波共振器の振動部の幅と異なることを特徴とする高周波フィルタ。 - 請求項16において、
前記入力端子と前記出力端子に対して直列腕に接続された複数の第1の薄膜圧電バルク波高周波共振器と複数並列腕に接続された第2の薄膜圧電バルク波高周波共振器とを具備し、
上記第1と第2の薄膜圧電バルク波高周波共振器は、
前記共振部が、互いに面対称の関係にある一対の振動子部と、該一対の振動子部を互いに連結する連結部を具備して成り、
前記共振部は、前記連結部の中心部に前記振動の節を有し、該節の部分に前記支持部を設け、
前記共振部と前記支持部は、前記絶縁基板上に成膜されている
ことを特徴とする高周波フィルタ。
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---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
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KR101716335B1 (ko) * | 2010-12-03 | 2017-03-15 | 삼성전자주식회사 | Bawr을 이용한 저역 통과 필터 |
US8922302B2 (en) * | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
EP2800399A4 (en) * | 2011-11-28 | 2016-02-24 | Murata Manufacturing Co | STACKED PIEZOELECTRIC ELEMENT AND MULTI-POWER SENSING SENSOR |
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WO2015084456A2 (en) * | 2013-09-18 | 2015-06-11 | The Regents Of The University Of California | Tunable q resonator |
US9608594B2 (en) * | 2014-05-29 | 2017-03-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Capacitive coupled resonator device with air-gap separating electrode and piezoelectric layer |
US9862592B2 (en) | 2015-03-13 | 2018-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MEMS transducer and method for manufacturing the same |
US10476476B2 (en) * | 2016-12-15 | 2019-11-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | MEMS resonator with suppressed spurious modes |
US10804880B2 (en) * | 2018-12-03 | 2020-10-13 | X-Celeprint Limited | Device structures with acoustic wave transducers and connection posts |
US20210002128A1 (en) | 2018-12-03 | 2021-01-07 | X-Celeprint Limited | Enclosed cavity structures |
FR3098347B1 (fr) * | 2019-07-04 | 2021-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Cellule électrochimique pour batterie au lithium comprenant des moyens pour assurer la sécurite de celle-ci en cas d’emballement thermique |
US11595022B2 (en) * | 2019-07-31 | 2023-02-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk-acoustic wave resonator |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07154197A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-06-16 | Murata Mfg Co Ltd | ラダー型フィルタ |
JPH09246900A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子の保持構造 |
JPH10256618A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Alps Electric Co Ltd | 圧電振動装置 |
JPH11186868A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Kyocera Corp | 圧電共振子およびラダー型フィルタ |
JP2001036376A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及び圧電部品 |
WO2007088696A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電振動装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6111338A (en) * | 1993-05-28 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acceleration sensor and method for producing the same |
US5648746A (en) * | 1993-08-17 | 1997-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Stacked diezoelectric resonator ladder-type filter with at least one width expansion mode resonator |
JP3141723B2 (ja) * | 1995-04-11 | 2001-03-05 | 株式会社村田製作所 | 幅モードを利用した共振子及び共振部品 |
US6466107B2 (en) * | 1999-12-14 | 2002-10-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ladder filter comprising stacked piezoelectric resonators |
JP4126151B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2008-07-30 | ニチアス株式会社 | 無機繊維及びその製造方法 |
US6617249B2 (en) | 2001-03-05 | 2003-09-09 | Agilent Technologies, Inc. | Method for making thin film bulk acoustic resonators (FBARS) with different frequencies on a single substrate and apparatus embodying the method |
JP3880038B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2007-02-14 | ニチアス株式会社 | 生体溶解性ハニカム構造体 |
US7276994B2 (en) * | 2002-05-23 | 2007-10-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter |
US7312674B2 (en) * | 2002-08-06 | 2007-12-25 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Resonator system with a plurality of individual mechanically coupled resonators and method of making same |
US7202592B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric transformer, power supply circuit and lighting unit using the same |
JP2005277861A (ja) | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | マイクロレゾネータ及びその製造方法並びに電子機器 |
DE102005028927B4 (de) * | 2005-06-22 | 2007-02-15 | Infineon Technologies Ag | BAW-Vorrichtung |
JP4908156B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2012-04-04 | 株式会社日立製作所 | 薄膜圧電振動子及び薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ |
US7911296B2 (en) * | 2007-06-08 | 2011-03-22 | The Regents Of The University Of Michigan | Resonator system such as a microresonator system and method of making same |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07154197A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-06-16 | Murata Mfg Co Ltd | ラダー型フィルタ |
JPH09246900A (ja) * | 1996-03-07 | 1997-09-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子の保持構造 |
JPH10256618A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Alps Electric Co Ltd | 圧電振動装置 |
JPH11186868A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Kyocera Corp | 圧電共振子およびラダー型フィルタ |
JP2001036376A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子及び圧電部品 |
WO2007088696A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電振動装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8907549B2 (en) | 2011-09-05 | 2014-12-09 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Tuning fork configured to generate flexural vibration in reverse phase to the contour vibration of first and second vibrating bodies |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8164399B2 (en) | 2012-04-24 |
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