JP4341288B2 - Mems型共振器及びその製造方法、並びにフィルタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、MEMS型共振器及びその製造方法、並びにMEMS型共振器を有するフィルタに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、マイクロマシン(MEMS:Micro Electro Mechanical Systems、超小型電気的・機械的複合体)素子、及びMEMS素子を組み込んだ小型機器が、注目されている。MEMS素子の基本的な特徴は、機械的構造として構成されている駆動体が素子の一部に組み込まれていることであって、駆動体の駆動は、電極間のクローン力などを応用して電気的に行われる。
【0003】
半導体プロセスによるマイクロマニシング技術を用いて形成された微小振動素子は、デバイスの占有面積が小さいこと、高いQ値を実現できること、他の半導体デバイスとの集積が可能なこと、という特長により、無線通信デバイスの中でも中間周波数(IF)フィルタ、高周波(RF)フィルタとしての利用がミシガン大学を始めとする研究機関から提案されている(非特許文献1参照)。
【0004】
図16は、非特許文献1に記載された高周波フィルタを構成する振動素子、即ちMEMS型の振動素子の概略を示す。この振動素子1は、半導体基板2上に絶縁膜3を介して例えば多結晶シリコンによる入力側配線層4と出力電極5が形成され、この出力電極5に対向して空隙6を挟んで例えば多結晶シリコンによる振動可能なビーム、所謂ビーム型の振動電極7が形成されて成る。振動電極7は、両端のアンカー部(支持部)8〔8A,8B〕にて支持されるように、出力電極5をブリッジ状に跨いで入力側配線層4に接続される。振動電極7は入力電極となる。入力側配線層4の端部には、例えば金(Au)膜9が形成される。この振動素子1では、入力側配線層4の金(Au)膜9より入力端子t1 、出力電極5より出力端子t2 が導出される。
【0005】
この振動素子1は、振動電極7と接地間にDCバイアス電圧V1 が印加された状態で、入力端子t1 を通じて振動電極7に高周波信号S1 が供給される。即ち、入力端子t1 からDCバイアス電圧V1 と高周波信号S1 が重畳された入力信号が供給される。目的周波数の高周波信号S1 が入力されると、長さLで決まる固有振動数を有する振動電極7が、出力電極5と振動電極7間に生じる静電力で振動する。この振動によって、出力電極5と振動電極7との間の容量の時間変化とDCバイアス電圧に応じた高周波信号が出力電極5(したがって、出力端子t2 )から出力される。高周波フィルタでは振動電極7の固有振動数(共振周波数)に対応した信号が出力される。
【0006】
【非特許文献1】
C.T.−Nguyen,″Micromechanical components for miniaturized low−power communications(invited plenary),″proceedings,1999 IEEE MTT−S International Microwave Symposium RF MEMS Workshop,June,18,1999,pp.48−77.
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、これまでに提案され、検証された微小振動子の共振周波数は、最高でも200MHzを超えず、従来の表面弾性波(SAW)あるいは薄膜弾性波(FBAR)によるGHz領域のフィルタに対して、微小振動子の特性である高いQ値をGHz帯周波数領域で提供することができていない。
【0008】
現在のところ、一般的に高い周波数領域では出力信号としての共振ピークが小さくなる傾向があり、良好なフィルタ特性を得るためには、共振ピークのSN比を向上する必要がある。ミシガン大学の文献に係るディスク型の振動子によれば、出力信号のノイズ成分は、入力電極なる振動電極7と出力電極5間に構成される寄生容量C0 を直接透過する信号によっている。一方においてディスク型の振動子で、十分な出力信号を得るには、30Vを超えるDCバイアス電圧が必要であるために、実用的な振動電極構造としては両持ち梁を用いたビーム型の構造であることが望ましい。
【0009】
しかし、上述の図16の振動子1の場合、振動電極7と出力電極5間の空隙6が小さく、両電極7及び5の対向面積も所要の大きさを持っているので、入力電極となる振動電極7と出力電極5間の寄生容量C0 が大きくなる。このため、寄生容量C0 のインピーダンスZ0 と、共振系(抵抗Rx,インダクタンスLx,容量Cx)のインピーダンスZxとの比Z0 /Zxが小さくなり、出力信号のSN比が小さくなる。振動電極7と出力電極5間の空隙を小さくして出力信号を大きく取ろうとすれば、寄生容量C0 も大きくなるという、ジレンマを抱える。
【0010】
本発明は、上述の点に鑑み、出力信号のSN比を向上させたMEMS型共振器及びその製造方法を提供するものである。
また、本発明は、出力信号のSN比を向上させたMEMS型共振器を有するフィルタを提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るMEMS型共振器は、基板の同一平面上に高周波信号を入力する第1の電極と、高周波信号を出力する第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に配置された接地電位が供給される第4の電極と、第1電極、第2及び第4の電極に対して空間を挟んで配置された振動板となる第3の電極とを有して成る電極と第2の電極との間に、接地電位が供給される第4の電極を配置して成る。
【0012】
本発明のMEMS型共振器においては、基板の同一平面上に第1の電極すなわち入力電極と第2の電極即ち出力電極とが形成され、これら入出力電極に対向して第3の電極すなわち振動電極が形成されるので、入出力電極間の対向面積が小さくなり且つ入出力電極間の間隔が従来に比して大きくとることができる。従って、入出力電極間の寄生容量が低減し、入力電極から出力電極への寄生容量を介した信号の透過が抑制される。さらに、上記入力電極と上記出力電極との間に、接地電位が供給される第4の電極すなわち接地電極を配置されるので、入出力電極間の寄生容量が限りなく小さくなる。寄生容量を通して入出力電極間に流れんとする信号は、接地電極に流れることになる。従って、入力電極から出力電極への寄生容量を介した信号の透過がさらに抑制される。
【0013】
本発明に係るフィルタは、基板の同一平面上に高周波信号を入力する第1の電極と、高周波信号を出力する第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に配置された接地電位が供給される第4の電極と、第1、第2及び第4の電極に対して空間を挟んで配置された振動板となる第3の電極とからなるMEMS型共振器を有して成る。
【0014】
本発明のフィルタにおいては、基板の同一平面上に第1の電極すなわち入力電極と第2の電極即ち出力電極とが形成され、さらに入力電極と上記出力電極との間に、接地電位が供給される第4の電極すなわち接地電極が形成され、これら入出力電極及び接地電極に対向して第3の電極すなわち振動電極が形成されたMEMS型共振器を有して構成される。これにより、上記のようにMEMS型共振器における入出力電極間の寄生容量が低減し、入力電極から出力電極への寄生容量を介した信号の透過が抑制される。特に、入力電極と上記出力電極との間に、接地電位が供給される第4の電極すなわち接地電極が配置されるので、MEMS型共振器における入出力で間の寄生容量が限りなく小さくなり、入力電極から出力電極への寄生容量を介した信号の透過がさらに抑制される。
【0015】
本発明に係るMEMS型共振器の製造方法は、基板上に入力となる第1の電極と、出力となる第2の電極と、接地される第4の電極と、第1、第2及び第4の電極の両側に位置する導電層とを選択的に形成する工程と、第1、第2、第4の電極及び導電層を含む全面上に犠牲層を形成し、この犠牲層を平坦化する工程と、導電層に一部接続されるように犠牲層上に振動板となる第3の電極を形成する工程と、犠牲層を選択的に除去する工程とを有する
【0016】
本発明のMEMS型共振器の製造方法においては、基板上に第1の電極すなわち入力電極、第2の電極すなわち出力電極、第4の電極即ち接地電極及び配線層を形成し、犠牲層を形成した後、犠牲層を平坦化する工程を有するので、第3の電極すなわち振動電極と入出力電極間の間隔(いわゆる空間)を精度よく制御できる。また振動電極が平坦に形成され、各振動モードに適した振動板として形成される。そして、上記一連の工程により、精度よく且つ容易に入出力電極間の寄生容量を限りなく小さくした目的のMEMS型共振器の製造が可能になる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【0018】
MEMS型の振動子によるRF共振器は、図10に示すような等価回路に置き換えることができる。即ち、入力端子t1 と出力端子t2 間に、共振系を構成する抵抗RxとインダクタンスLxと容量Cxの直列回路と、入出力電極間の空隙による寄生容量C0 が並列に挿入される。振動系のインピーダンスをZx、寄生容量C0 のインピーダンスをZ0 とすると、出力信号のSN比は、Z0 /Zxに相当する。Z0 /Zxの値が大きいほど共振系の信号は、寄生容量C0 を透過する信号に比べて大きく、1に近づくにつれ共振系を透過する信号と寄生容量C0 を透過する信号は同程度となる。また、Z0 /Zx∝1/C0 が成り立つ。従って、入力電極と出力電極間の容量C0 の低減は、SN比を向上させるために最も重要なポイントの一つである。
【0019】
図1及び図2は、本発明に係るMEMS型共振器の理解を容易にするための、参考例を示す。本参考例に係るMEMS型共振器11は、基板12の同一平面上、即ち基板12の少なくとも絶縁性を有する表面上に、互いに所要の間隔を置いて配置された高周波信号S2を入力する第1の電極(以下、入力電極という)14と、高周波信号を出力する第2の電極(以下、出力電極という)15と、これら入力電極14及び出力電極15に対して空間16を挟んで配置された振動板となる第3電極(以下、振動電極という)17とを有して成る。振動電極17は、入出力電極14、15をブリッジ状に跨ぎ、入出力電極14、15の外側に配置した配線層18に接続されるように、両端を支持部(いわゆるアンカー部)19〔19A,19B〕で一体に支持される。
【0020】
基板12は、例えばシリコン(Si)やガリウム砒素(GaAs)などの半導体基板上に絶縁膜を形成した基板、石英基板やガラス基板のような絶縁性基板等が用いられる。本例では、シリコン基板21上にシリコン酸化膜22及びシリコン窒化膜23を積層した基板12が用いられる。入力電極14、出力電極15及び配線層18は、同じ導電材料で形成し、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム(Al)などの金属膜にて形成することができる。振動電極17は、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム(Al)などの金属膜にて形成することができる。
【0021】
入力電極14には入力端子t1 が導出され、入力端子t1 を通じて入力電極14に高周波信号S2 が入力されるようになす。出力電極15には出力端子t2 が導出され、出力端子t2 から目的周波数の高周波信号が出力されるようになす。振動電極17には所要のDCバイアス電圧V2 が印加されるようになす。
【0022】
本参考例に係るMEMS型共振器11の動作は次の通りである。
振動電極17には所要のDCバイアス電圧V2 が印加さる。入力端子t1 を通じて高周波信号S2 が入力電極14に入力される。目的周波数の高周波信号が入力されると、振動電極17と入力電極14間に生じる静電力で図3に示すように、2次の振動モード25で振動電極17が共振する。この振動電極17の共振で出力電極15から出力端子t2 を通じて目的周波数の高周波信号が出力される。他の周波数の信号が入力されたときは振動電極17が共振せず、出力端子t2 からは信号が出力されない。
【0023】
本参考例に係るMEMS型共振器11によれば、前述の図16のMEMS型の振動子1に比べて、入出力電極14及び15の対向面積が小さく且つ入出力電極14及び15間の間隔を大きくすることができので、入出力電極14及び15間の寄生容量C0 は小さくなる。一方、大きな出力信号を得るために振動電極17と入出力電極14、15との空間16を小さくすることができる。この空間16を小さくすることは寄生容量C0 に影響を与えない。このため、本実施の形態のMEMS型共振器11は、図16の従来のものに比べて出力信号のSN比を向上させることができる。
【0024】
上例では1つの入力電極14と1つの出力電極15を配置して2次振動モードのMEMS型共振器を構成したが、その他、図示せざるも2つの入力電極と、両入力電極間に1つの出力電極を配置して3次振動モードにする等、入力電極及び出力電極の数、配置を変更して多次振動モードのMEMS型共振器を構成することもできる。
【0025】
図12〜図13は、上述のMEMS型共振器11の製造方法の一例を示す。
先ず、図12Aに示すように、基板12上に電極となるべき導電膜41を形成する。本例ではシリコン基板21上に絶縁膜であるシリコン酸化膜22及びシリコン窒化膜23を積層した基板12を用いる。導電膜41としては、後の犠牲層とエッチング比がとれる材料で形成する必要があり、本例では多結晶シリコン膜で形成する。
【0026】
次に、図12Bに示すように、導電膜41をパターニングして入力電極14、出力電極15及び外側の配線層18を形成する。
次に、図12Cに示すように、入力電極14、出力電極15及び配線層18を含む全面に犠牲層42を形成する。犠牲層42は、下地の絶縁膜(本例ではシリコン窒化(SiN)膜)及び多結晶シリコンによる各電極14、14、32及び配線層18とエッチング比がとれる材料、本例ではシリコン酸化(SiO2)膜で形成する。
【0027】
次に、図12Dに示すように、例えば化学機械研磨(CMP)法などにより犠牲層42を平坦化する。
次に、図13Eに示すように、両外側の配線層18上の犠牲層42に選択エッチングによりコンタクト孔43を形成する。
【0028】
次に、図13Fに示すように、コンタクト孔43内を含む犠牲層42上に振動電極となる導電膜44、本例では犠牲層42とエッチング比が多結晶シリコン膜を形成する。その後、この導電膜44をパターニングして外側の両配線層18に接続された多結晶シリコン膜からなる振動電極17を形成する。振動電極17と配線層18間の部分が振動電極17を両持ち梁構造として支持する支持部(アンカー)19〔19A,19B〕となる。
【0029】
次に、図13Gに示すように、犠牲層42をエッチング除去する。犠牲層42のエッチング除去は、本例ではシリコン酸化膜であるので、フッ酸溶液によりウェットエッチングで行う。かくして目的のMEMS型共振器31を得る。
【0030】
なお、電極14、15及び配線層18を金属の例えばアルミニウム(Al)膜で形成し、犠牲層42を非晶質シリコン層で形成するときは、犠牲層42をXeF2 ガスによるドライエッチングで除去することができる。また、下地絶縁膜をシリコン酸化(SiO2 )膜とし、電極14、15及び配線層18を多結晶シリコン膜またはアルミニウム(Al)膜とし、犠牲層42をフォトレジスト膜としたときには、犠牲層42を酸素O2プラズマによるドライエッチングで除去することができる。
【0031】
本参考例の形態の製造方法によれば、基板12上に入力電極14、出力電極15及び配線層18を同じ導電膜41で形成し、犠牲層42を形成した後、犠牲層42を平坦化する工程を有するので、振動電極17と入出力電極14、15との間に間隔(空間16)を精度良く制御できる。また振動電極17を平坦に形成することができ、各振動モードに適した振動板として形成することができる。そして、上記一連の工程により、精度よく且つ容易に入出力電極間の寄生容量C0 が低減し、SN比が向上した目的のMEMS型共振器11を製造することができる。
【0032】
図4及び図5に、更にSN比を向上させ本発明に係るMEMS型共振器の一実施の形態を示す。本実施の形態に係るMEMS型共振器31は、基板12の同一平面上、即ち基板12の少なくとも絶縁性を有する表面上に、相互に所要の間隔を置いて配置された高周波信号S2を入力する第1電極である入力電極14と、高周波信号を出力する第2の電極である出力電極15と、入出力電極14及び15の間に配置された接地電位を供給する第4の電極(以下、接地電極という)32と、これら入力電極14、出力電極15及び接地電極32に対して空間16を挟んで配置された振動板となる第3電極の振動電極17とを有して成る。振動電極17は、入出力電極14、15及び接地電極32をブリッジ状に跨ぎ、入出力電極14、15、接地電極32の外側に配置した配線層18に接続されるように、両端を支持部(いわゆるアンカー部)19〔19A,19B〕で一体に支持される。ここで、振動電極17と入出力電極14,15との間のギャップX1と、入出力電極14,15と接地電極32との間のギャップX2は、X2>X1とすることができる。
【0033】
入力電極14、出力電極15、接地電極32及び配線層18は、同じ導電材料で形成し、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム(Al)などの金属膜にて形成することができる。振動電極17は、例えば多結晶シリコン膜、アルミニウム(Al)などの金属膜にて形成することができる。入力電極14には入力端子t1 が導出され、入力端子t1 を通じて入力電極14に高周波信号S2 が入力されるようになす。振動電極15には出力端子t2 が導出され、出力端子t2 から目的周波数の高周波信号が出力されるようになす。接地電極32には接地(GND)電位が印加されるようになす。振動電極17には所要のDCバイアス電圧V2 が印加されるようになす。
【0034】
その他の構成は、前述の図1及び図2と同様であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0035】
本実施の形態に係るMEMS型共振器31の動作は、図1及び図2の場合と同様である。即ち、振動電極17には所要のDCバイアス電圧V2 が印加さる。入力端子t1 を通じて高周波信号S2 が入力電極14に入力される。目的周波数の高周波信号が入力されると、振動電極17と入力電極14間に生じる静電力で図6に示すように、2次の振動モード25で振動電極17が共振する。この振動電極17の共振で出力電極15から出力端子t2 を通じて目的周波数の高周波信号が出力される。他の周波数の信号が入力されたときは振動電極17が共振せず、出力端子t2 からは信号が出力されない。
【0036】
本実施の形態に係るMEMS型共振器31によれば、入力電極14と出力電極15との間に接地電極32を配置することにより、図11の等価回路に示すように、入力電極14及び出力電極15間の寄生容量C0 が限りなく小さくなる。即ち、この等価回路では、図1でのMEMS型共振器11に元々有った寄生容量C0 が、接地電極32との間の容量C01と容量C02に分配された形になる。これにより、元々の寄生容量C0 を透過する信号が接地電極32側に流れ、出力電極15側に流れない。従って、入力された高周波信号の漏れがなくなり、出力信号のSN比が向上する。信号の一部は接地側に流れるので、信号レベルは落ちるも、信号レベルは出力側の負荷抵抗R0 等により電気的に補償するようになせばよい。従って、図1及び図2のMEMS型共振器11に比べてさらに寄生容量C0 を低減し、さらにSN比を向上させることができる。
【0037】
図14〜図15に、上述のMEMS型共振器31の製造方法の一例を示す。
先ず、図14Aに示すように、基板12上に電極となるべき導電膜41を形成する。本例ではシリコン基板21上に絶縁膜であるシリコン酸化膜22及びシリコン窒化膜23を積層した基板12を用いる。導電膜41としては、後の犠牲層とエッチング比がとれる材料で形成する必要があり、本例では多結晶シリコン膜で形成する。
【0038】
次に、図14Bに示すように、導電膜41をパターニングして入力電極14、出力電極15、両電極14及び15間の接地電極32、外側の配線層18を形成する。
次に、図14Cに示すように、入力電極14、出力電極15、接地電極32及び配線層18を含む全面に犠牲層42を形成する。犠牲層42は、下地の絶縁膜(本例ではシリコン窒化(SiN)膜)及び多結晶シリコンによる各電極14、14、32及び配線層18とエッチング比がとれる材料、本例ではシリコン酸化(SiO2)膜で形成する。
【0039】
次に、図14Dに示すように、例えば化学機械研磨(CMP)法などにより犠牲層42を平坦化する。
【0040】
次に、図15Eに示すように、両外側の配線層18上の犠牲層42に選択エッチングによりコンタクト孔43を形成する。
【0041】
次に、図15Fに示すように、コンタクト孔43内を含む犠牲層42上に振動電極となる導電膜44、本例では犠牲層42とエッチング比が多結晶シリコン膜を形成する。その後、この導電膜44をパターニングして外側の両配線層18に接続された多結晶シリコン膜からなる振動電極17を形成する。振動電極17と配線層18間の部分が振動電極17を両持ち梁構造として支持する支持部(アンカー)19〔19A,19B〕となる。
【0042】
次に、図15Gに示すように、犠牲層42をエッチング除去する。犠牲層42のエッチング除去は、本例ではシリコン酸化膜であるので、フッ酸溶液によりウェットエッチングで行う。かくして目的のMEMS型共振器31を得る。
【0043】
なお、電極14、15、32及び配線層18となる導電膜41、犠牲層42、下地絶縁膜23の材料の組み合わせ、さらに犠牲層42のエッチャント等は、前述と同様のものを選択することができる。
【0044】
本実施の形態の製造方法によれば、基板12上に入力電極14、出力電極15、接地電極32及び配線層18を同じ導電膜41で形成し、犠牲層42を形成した後、犠牲層42を平坦化する工程を有するので、振動電極17と入出力電極14、15との間に間隔(空間16)を精度良く制御できる。また振動電極17を平坦に形成することができ、各振動モードに適した振動板として形成することができる。そして、上記一連の工程により、精度よく且つ容易に入出力電極間の寄生容量C0 が低減し、SN比が向上した目的のMEMS型共振器31を製造することができる。
【0045】
図7及び図8に、本発明に係るMEMS型共振器の他の実施の形態を示す。本実施の形態に係るMEMS型共振器35は、基板12の同一平面上、即ち基板12の少なくとも絶縁性を有する表面上に、相互に所要の間隔を置いて配置された高周波信号S2を入力する2つの入力電極14〔14A,14B〕と、高周波信号を出力する1つの出力電極15と、入力電極14Aと出力電極15間、入力電極14Bと出力電極15間に、それぞれ配置した接地電極32〔32A,32B〕と、これら入力電極14〔14A,14B〕、出力電極15及び接地電極32〔32A,32B〕に対して空間16を挟んで配置された振動電極17とを有して成る。本例では中央に出力電極15が配置され、これの両側に接地電極32〔32A,3B〕、入力電極14〔14A,14B〕が配置される。振動電極17は、入出力電極14〔14A,14B〕、15及び接地電極32〔32A,32B〕をブリッジ状に跨ぎ、入出力電極14、15、接地電極32の外側に配置した導電層18に接続されるように、両端を支持部(いわゆるアンカー部)19〔19A,19B〕で一体に支持される。ここで、接地電極32A,32Bは、後述するように振動電極17の振動の節となる部分に近接して配置される。
【0046】
入力電極14〔14A,14B〕には入力端子t1 が導出され、入力端子t1 を通じて入力電極14〔14A,14B〕に高周波信号S2 が入力されるようになす。振動電極15には出力端子t2 が導出され、出力端子t2 から目的周波数の高周波信号が出力されるようになす。接地電極32〔32A,32B〕には接地(GND)電位が印加されるようになす。振動電極17には所要のDCバイアス電圧V2 が印加されるようになす。なお、2つの入力電極14A及び14Bは1つの入力電極パッドから分岐して形成され、2つの接地電極32A及び32Bは1つの接地電極パッドから分岐して形成される。
【0047】
基板12、入力電極14〔14A,14B〕、出力電極15、接地電極32〔32A,32B〕及び導電層18〔18A,18B〕等、その他の構成は図4及び図5と同様であるので、対応する部分に同一符号を付して重複説明を省略する。
なお、上例では中央を出力電極15とし、これを挟んで2つの入力電極14A,14Bを配置し、入出力電極間に接地電極32を配置した構成であるが、中央を入力電極14とし、これを挟んで2つの出力電極15を配置し、入出力で間に接地電極32を配置した構成とすることもできる。
【0048】
本実施の形態に係るMEMS型共振器35の動作は、図4及び図5の場合と同様である。即ち、振動電極17には所要のDCバイアス電圧V2 が印加さる。入力端子t1 を通じて高周波信号S2 が入力電極14〔14A,14B〕に入力される。目的周波数の高周波信号が入力されると、振動電極17と入力電極14〔14A,14B〕間に生じる静電力で振動電極17が共振する。この場合、図9に示すように、3次の振動モード26で振動電極17が共振する。この振動電極17の共振で出力電極15から出力端子t2 を通じて目的周波数の高周波信号が出力される。他の周波数の信号が入力されたときは振動電極17が共振せず、出力端子t2 からは信号が出力されない。
【0049】
本実施の形態に係るMEMS型共振器35によれば、入力電極14〔14A,14B〕と出力電極15との間に夫々接地電極32〔32A,32B〕を配置することにより、入力電極14及び出力電極15間の寄生容量C0 を図4及び図5と同様に低減することができる。従って、MEMS型共振器11に比べてさらにSN比を向上させることができる。
【0050】
本実施の形態に係るMEMS型共振器35の製造方法は、図14Aから図15Gで示した前述のMEMS型共振器31の製造方法と同様にして製造することができる。
【0051】
図1及び図2のMEMS型共振器11において、入力電極14及び出力電極15のいずれか一方の電極を中心に配し、他方の電極を一方の電極を中心としてリング状に配置し、振動電極17を両電極14、15上に対向して配置するようにした構成とすることもできる。電極の形状は、円形、四角形状、その他の形状等、適宜選択できる。
図4及び図5のMEMS型共振器31、あるいは図7及び図8のMEMS型共振器35において、入力電極14及び出力電極15のいずれか一方の電極を中心に配し、他方の電極及び接地電極32を一方の電極を中心としてリング状に配置し、振動電極17を電極14、15及び32上に対向して配置するようにした構成とすることもできる。電極の形状は、円形、四角形状、その他の形状等、適宜選択できる。
【0052】
上述の実施の形態では、2次振動モード及び3次振動モードのMEMS型共振器に適用したが、4次振動モード以上の多次振動モードのMEMS型共振器にも適用可能である。
【0053】
本発明は、上述の実施の形態に係るMEMS型共振器31あるいはMEMS型共振器35を有して高周波フィルタ、中間周波フィルタ等のフィルタを構成する。MEMS型共振器31あるいは35を有してフィルタを構成することにより、入出力電極14及び15間に接地電極32が配置されるので、入出力電極間の寄生容量C0 を限りなく小さくなり、MEMS型共振器11を有するフィルタに比べて、さらに出力信号のSN比を向上することができる。
【0054】
【発明の効果】
本発明に係るMEMS型共振器によれば、基板の同一平面上に高周波信号を入力する第1の電極と高周波信号を出力する第2の電極と接地電位が供給される第4の電極を配置し、これら第1、第2、第4の電極に対向して振動板となる第3の電極を配置した構成とすることにより、第1及び第2の電極間、つまり入出力電極極間の寄生容量が限りなく小さくなり、出力信号のSN比を向上することができる。
【0055】
本発明に係るフィルタによれば、上記MEMS型共振器を有することにより、出力信号のSN比を向上することができる。
【0056】
本発明に係るMEMS型共振器の製造方法によれば、入出力電極となる第1、第2の電極、及び接地電極となる第4の電極と振動板となる第3ので間の間隔を精度よく制御することができると共に、第3の電極を振動に適した平坦に形成することができる。そして入出力電極間の寄生容量を低減、あるいは限りなく小さくしたMEMS型共振器を、精度良く且つ容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 MEMS型共振器の参考例を示す構成図である。
【図2】 MEMS型共振器の参考例を示す平面図である。
【図3】 MEMS型共振器の参考例の振動モードを示す説明図である。
【図4】 本発明に係るMEMS型共振器の一実施の形態を示す構成図である。
【図5】 本発明に係るMEMS型共振器の一実施の形態を示す平面図である。
【図6】 本発明に係るMEMS型共振器の一実施の形態の振動モードを示す説明図である。
【図7】 本発明に係るMEMS型共振器の他の実施の形態を示す構成図である。
【図8】 本発明に係るMEMS型共振器の他の実施の形態を示す平面図である。
【図9】 本発明に係るMEMS型共振器の他の実施の形態の振動モードを示す説明図である。
【図10】 MEMS型共振器の等価回路図である。
【図11】 図4の実施の形態に係るMEMS型共振器の等価回路図である。
【図12】 A〜D 参考例に係るMEMS型共振器の製造方法を示す製造工程図(その1)である。
【図13】 E〜G 参考例に係るMEMS型共振器の製造方法を示す製造工程図(その2)である。
【図14】 A〜D 本発明に係るMEMS型共振器の製造方法の実施の形態の一例を示す製造工程図(その1)である。
【図15】 E〜G 本発明に係るMEMS型共振器の製造方法の実施の形態の一例を示す製造工程図(その2)である。
【図16】 従来のMEMS型の振動子の例を示す構成図である。
【符号の説明】
11、31、35・・MEMS型共振器、12・・基板、14、14A、14B・・入力電極、15・・出力電極、16・・空間、17・・振動電極、18・・配線層、19〔19A,19B〕・・支持部、21・・シリコン基板、22・・シリコン酸化膜、23・・シリコン窒化膜、32、32A、32B・・接地電極、41・・導電膜、42・・犠牲層、43・・コンタクト孔、44・・導電膜
Claims (3)
- 基板の同一平面上に高周波信号を入力する第1の電極と、
高周波信号を出力する第2の電極と、
前記第1の電極と第2の電極との間に配置された接地電位が供給される第4の電極と
前記第1、第2及び第4の電極に対して空間を挟んで配置された振動板となる第3の電極とを有して成る
ことを特徴とするMEMS共振器。 - 基板の同一平面上に高周波信号を入力する第1の電極と、
高周波信号を出力する第2の電極と、
前記第1の電極と第2の電極との間に配置された接地電位が供給される第4の電極と、
前記第1、第2及び第4の電極に対して空間を挟んで配置された振動板となる第3の電極とからなるMEMS型共振器を有して成る
ことを特徴とするフィルタ。 - 基板上に高周波信号を入力する第1の電極と、高周波信号を出力する第2の電極と、接地電位が供給される第4の電極と、前記第1、第2及び第4の電極の両側に位置する導電層とを選択的に形成する工程と、
前記第1、第2、第4の電極及び導電層を含む全面上に犠牲層を形成し、該犠牲層を平坦化する工程と、
前記導電層に一部接続されるように前記犠牲層上に振動板となる第3の電極を形成する工程と、
前記犠牲層を選択的に除去する工程とを有する
ことを特徴とするMEMS型共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003116148A JP4341288B2 (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | Mems型共振器及びその製造方法、並びにフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003116148A JP4341288B2 (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | Mems型共振器及びその製造方法、並びにフィルタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004328076A JP2004328076A (ja) | 2004-11-18 |
JP4341288B2 true JP4341288B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=33496491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003116148A Expired - Fee Related JP4341288B2 (ja) | 2003-04-21 | 2003-04-21 | Mems型共振器及びその製造方法、並びにフィルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4341288B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4604730B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
JP4635619B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-02-23 | ソニー株式会社 | 微小共振器及び通信装置 |
JP4645227B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 振動子構造体及びその製造方法 |
JP2006270398A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sony Corp | 微小振動子、半導体装置及び通信装置 |
JP4735032B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-07-27 | ソニー株式会社 | 微小共振器、バンドパスフィルタ、半導体装置、及び通信装置 |
JP4710435B2 (ja) | 2005-06-29 | 2011-06-29 | ソニー株式会社 | 微小共振器、バンドパスフィルタ、半導体装置、並びに通信装置 |
JP2008103777A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Ritsumeikan | マイクロメカニカル共振器 |
US9813831B1 (en) | 2016-11-29 | 2017-11-07 | Cirrus Logic, Inc. | Microelectromechanical systems microphone with electrostatic force feedback to measure sound pressure |
US9900707B1 (en) | 2016-11-29 | 2018-02-20 | Cirrus Logic, Inc. | Biasing of electromechanical systems microphone with alternating-current voltage waveform |
-
2003
- 2003-04-21 JP JP2003116148A patent/JP4341288B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004328076A (ja) | 2004-11-18 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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