JPH09199978A - 薄膜音響共振子用共振音響アイソレータ - Google Patents
薄膜音響共振子用共振音響アイソレータInfo
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- JPH09199978A JPH09199978A JP8273246A JP27324696A JPH09199978A JP H09199978 A JPH09199978 A JP H09199978A JP 8273246 A JP8273246 A JP 8273246A JP 27324696 A JP27324696 A JP 27324696A JP H09199978 A JPH09199978 A JP H09199978A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜音響共振子を支持することができる有効
な共振音響アイソレータを提供する。 【解決手段】 本件の音響共振アイソレータ（１０）
は、少なくとも１対の音響インピーダンスが異なる材料
の層を含む。アイソレータの材料は高および低インピー
ダンス材料が交互になった層に堆積され、各層は共振周
波数で１／４音響波長の厚さを有する。好ましくは、半
導体産業において比較的手に入りやすく、比較的音響イ
ンピーダンスが低く、固有の音響損失が非常に低く、さ
まざまな好都合な方法を用いて堆積させることができる
二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を低インピーダンス材料に
使い、比較的高音響インピーダンスで、硬度が高く、密
度の高い誘電体を蒸着によって形成することができる酸
化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）を高音響インピーダンス材料
として使用する。ＳｉＯ2 とＨｆＯ2 が交互になった層
を積層したもの全体を電子ビーム堆積法によって同じチ
ャンバ内で堆積させることができるため、製造コストが
低く抑えられる。
な共振音響アイソレータを提供する。 【解決手段】 本件の音響共振アイソレータ（１０）
は、少なくとも１対の音響インピーダンスが異なる材料
の層を含む。アイソレータの材料は高および低インピー
ダンス材料が交互になった層に堆積され、各層は共振周
波数で１／４音響波長の厚さを有する。好ましくは、半
導体産業において比較的手に入りやすく、比較的音響イ
ンピーダンスが低く、固有の音響損失が非常に低く、さ
まざまな好都合な方法を用いて堆積させることができる
二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を低インピーダンス材料に
使い、比較的高音響インピーダンスで、硬度が高く、密
度の高い誘電体を蒸着によって形成することができる酸
化ハフニウム（ＨｆＯ2 ）を高音響インピーダンス材料
として使用する。ＳｉＯ2 とＨｆＯ2 が交互になった層
を積層したもの全体を電子ビーム堆積法によって同じチ
ャンバ内で堆積させることができるため、製造コストが
低く抑えられる。
Description
【０００１】
【発明の分野】この発明は、高周波無線部品としてよく
利用される共振音響装置に関し、かつ特に酸化ハフニウ
ムから形成される高インピーダンス層を有する共振音響
アイソレータに関する。
利用される共振音響装置に関し、かつ特に酸化ハフニウ
ムから形成される高インピーダンス層を有する共振音響
アイソレータに関する。
【０００２】
【発明の背景】電気で駆動する圧電音響共振子の用途は
無線周波数での用途において多岐にわたる。圧電音響共
振子は共振周波数で音響波長の２分の１の厚さを有する
圧電材料の層を含む。駆動電極をこの圧電層の上下表面
上に形成する。個別の圧電共振子をたとえば発振器回路
内の周波数基準として使用してもよい。複数の共振子を
梯子型回路網に組合せて帯域フィルタを構成することが
できる。
無線周波数での用途において多岐にわたる。圧電音響共
振子は共振周波数で音響波長の２分の１の厚さを有する
圧電材料の層を含む。駆動電極をこの圧電層の上下表面
上に形成する。個別の圧電共振子をたとえば発振器回路
内の周波数基準として使用してもよい。複数の共振子を
梯子型回路網に組合せて帯域フィルタを構成することが
できる。
【０００３】共振子について、重要な性能指数は特性値
（Ｑ）であり、以下の式により定義される。
（Ｑ）であり、以下の式により定義される。
【０００４】
【数１】
【０００５】ここでｆ0 は中心周波数であり、かつΔは
共振の周波数幅である。平行板共振子の場合には、以下
のように定義される。
共振の周波数幅である。平行板共振子の場合には、以下
のように定義される。
【０００６】
【数２】
【０００７】ここでＱｍは共振子の材料の固有のＱ値で
あり、Ｒ1 およびＲ2 は２つの表面の反射率である。自
由空気（または真空）界面では、反射率Ｒはほとんど１
である。したがって、圧電薄膜共振子を空中に自由に浮
遊させると非常に高いＱ値が得られる。このような共振
子については個別の形で、また統合されたフィルタとし
て過去に実証されている。
あり、Ｒ1 およびＲ2 は２つの表面の反射率である。自
由空気（または真空）界面では、反射率Ｒはほとんど１
である。したがって、圧電薄膜共振子を空中に自由に浮
遊させると非常に高いＱ値が得られる。このような共振
子については個別の形で、また統合されたフィルタとし
て過去に実証されている。
【０００８】しかしながら、薄膜共振子は製造が難し
く、応力に対して大変敏感でかつ壊れやすいものであ
る。代替的な方法としては固体の支持基板上に薄膜共振
子を製造するやり方がある。この場合、Ｒ1 は上の空気
との界面については本質的に１になるが、Ｒ2 は共振子
の材料と支持基板との間の音響インピーダンス不整合に
よって決まり、以下のように定義される。
く、応力に対して大変敏感でかつ壊れやすいものであ
る。代替的な方法としては固体の支持基板上に薄膜共振
子を製造するやり方がある。この場合、Ｒ1 は上の空気
との界面については本質的に１になるが、Ｒ2 は共振子
の材料と支持基板との間の音響インピーダンス不整合に
よって決まり、以下のように定義される。
【０００９】
【数３】
【００１０】ここで、ρは材料の密度であり、かつＣは
その材料における音響速度である。共振子の材料と支持
基板との間の音響インピーダンスの不整合が大きければ
大きいほど反射も大きくなる。残念ながら、現在使用可
能な材料における音響インピーダンス値の範囲は単一界
面について非常に高いＱ値を生じさせるほど大きくな
い。ただし、高および低インピーダンス材料が交互にな
った連続する層を用い、各層の厚さを共振周波数の音響
波長の４分の１にすれば、各対の層（高および低インピ
ーダンス材料の）からの反射は共振周波数で同相に合成
される。垂直入射については１次元の場合生じる総反射
率は以下のとおりである。
その材料における音響速度である。共振子の材料と支持
基板との間の音響インピーダンスの不整合が大きければ
大きいほど反射も大きくなる。残念ながら、現在使用可
能な材料における音響インピーダンス値の範囲は単一界
面について非常に高いＱ値を生じさせるほど大きくな
い。ただし、高および低インピーダンス材料が交互にな
った連続する層を用い、各層の厚さを共振周波数の音響
波長の４分の１にすれば、各対の層（高および低インピ
ーダンス材料の）からの反射は共振周波数で同相に合成
される。垂直入射については１次元の場合生じる総反射
率は以下のとおりである。
【００１１】
【数４】
【００１２】ここでＲ′は各対の層の反射率であり、か
つＮは対の数である。したがって、このような共振子音
響アイソレータ上に装着される共振子のＱ値は以下のと
おり表わすことができる。
つＮは対の数である。したがって、このような共振子音
響アイソレータ上に装着される共振子のＱ値は以下のと
おり表わすことができる。
【００１３】
【数５】
【００１４】材料損失が低ければ、十分な数の層を使用
することによってほとんど任意の反射率を得ることがで
きる。ただし、対になった層の数を最小限にするために
は、音響不整合の大きい材料を選ぶ必要がある。音響ア
イソレータの支持層上に直接的に薄膜圧電共振子（上下
電極を含む）を容易に製造するためには、反射器の材料
に電気絶縁体を含んでいることが非常に好ましい。つま
り、音響アイソレータの支持層をパターン処理しなくて
も、駆動電極をパターン処理することによって素子を分
離できるからである。
することによってほとんど任意の反射率を得ることがで
きる。ただし、対になった層の数を最小限にするために
は、音響不整合の大きい材料を選ぶ必要がある。音響ア
イソレータの支持層上に直接的に薄膜圧電共振子（上下
電極を含む）を容易に製造するためには、反射器の材料
に電気絶縁体を含んでいることが非常に好ましい。つま
り、音響アイソレータの支持層をパターン処理しなくて
も、駆動電極をパターン処理することによって素子を分
離できるからである。
【００１５】二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）は、共振子音
響アイソレータにおける低インピーダンス層（Ｚａ≒１
３）に有効に使用できる。その理由は、二酸化シリコン
が損失の低い材料であり、さまざまな技術によって堆積
が可能であり、また半導体業界において使用頻度が高い
材料だからである。しかしながら、高音響インピーダン
ス材料については、多層共振子音響アイソレータを作る
際にＳｉＯ2 の堆積法と両立する技術を用いて堆積させ
ることが容易な材料が求められている。
響アイソレータにおける低インピーダンス層（Ｚａ≒１
３）に有効に使用できる。その理由は、二酸化シリコン
が損失の低い材料であり、さまざまな技術によって堆積
が可能であり、また半導体業界において使用頻度が高い
材料だからである。しかしながら、高音響インピーダン
ス材料については、多層共振子音響アイソレータを作る
際にＳｉＯ2 の堆積法と両立する技術を用いて堆積させ
ることが容易な材料が求められている。
【００１６】
【発明の要約】本発明は、薄膜音響共振子を支持するた
めに用いることができる多層共振子音響アイソレータを
含む。この音響共振子は、典型的には上下電極接点を有
する圧電材料の膜を含む。この共振子は共振子音響アイ
ソレータ上に形成することができ、同アイソレータは、
少なくとも１対の、異なる音響インピーダンスの材料か
らなる層を含む。この対になった層を高および低インピ
ーダンス材料の交互の層の形で基板上に形成し、各層の
厚さは共振周波数の音響波長の４分の１である。層の各
対からの反射は、共振周波数で合成されて同相になるの
で、対になった層を用いることによってアイソレータの
反射率は向上する。低インピーダンス材料に二酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）の使用が好ましいのは、二酸化シリコ
ンが半導体産業において簡単に手に入る材料だからであ
り、また固有の音響損失が非常に低く比較的音響インピ
ーダンスが低く（およそ１３）、またさまざまな好都合
な方法で堆積させることができるからである。酸化ハフ
ニウム（ＨｆＯ2 ）を高音響インピーダンス材料に使用
するのが好ましいのは、堆積させて比較的高い音響イン
ピーダンス（およそ４０）を有する硬質な密度の高い誘
電体を形成することができるからである。この構造は、
複数のウェハを一度にコーティングでき、ＳｉＯ2 とＨ
ｆＯ2 の層が交互になった積層物全体を電子ビーム堆積
技術によって同じチャンバ内に堆積させることができる
ため、低コストの製造を実現するという利点がある。
めに用いることができる多層共振子音響アイソレータを
含む。この音響共振子は、典型的には上下電極接点を有
する圧電材料の膜を含む。この共振子は共振子音響アイ
ソレータ上に形成することができ、同アイソレータは、
少なくとも１対の、異なる音響インピーダンスの材料か
らなる層を含む。この対になった層を高および低インピ
ーダンス材料の交互の層の形で基板上に形成し、各層の
厚さは共振周波数の音響波長の４分の１である。層の各
対からの反射は、共振周波数で合成されて同相になるの
で、対になった層を用いることによってアイソレータの
反射率は向上する。低インピーダンス材料に二酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）の使用が好ましいのは、二酸化シリコ
ンが半導体産業において簡単に手に入る材料だからであ
り、また固有の音響損失が非常に低く比較的音響インピ
ーダンスが低く（およそ１３）、またさまざまな好都合
な方法で堆積させることができるからである。酸化ハフ
ニウム（ＨｆＯ2 ）を高音響インピーダンス材料に使用
するのが好ましいのは、堆積させて比較的高い音響イン
ピーダンス（およそ４０）を有する硬質な密度の高い誘
電体を形成することができるからである。この構造は、
複数のウェハを一度にコーティングでき、ＳｉＯ2 とＨ
ｆＯ2 の層が交互になった積層物全体を電子ビーム堆積
技術によって同じチャンバ内に堆積させることができる
ため、低コストの製造を実現するという利点がある。
【００１７】本発明の基本的な目的は、薄膜音響共振子
を支持することができる有効な共振子音響アイソレータ
を実現することである。本発明の特徴の１つは、低音響
インピーダンス材料の層と酸化ハフニウムからなる高音
響インピーダンスの層とを含む少なくとも１対の４分の
１音響波長層にある。本発明の利点の１つは一般に使用
される低インピーダンス材料との関連において高インピ
ーダンスの酸化ハフニウムの堆積が簡単に行なえる点で
ある。
を支持することができる有効な共振子音響アイソレータ
を実現することである。本発明の特徴の１つは、低音響
インピーダンス材料の層と酸化ハフニウムからなる高音
響インピーダンスの層とを含む少なくとも１対の４分の
１音響波長層にある。本発明の利点の１つは一般に使用
される低インピーダンス材料との関連において高インピ
ーダンスの酸化ハフニウムの堆積が簡単に行なえる点で
ある。
【００１８】
【好ましい実施例の詳細な説明】本発明は、多層共振子
音響アイソレータを含む。薄膜音響共振子と組合せた音
響アイソレータ１０の実施例を図１の模式断面図に示
す。音響アイソレータ１０は基板１１上に形成され、同
基板はたとえばガラス等の絶縁体を含み得る。高および
低音響インピーダンスの音響絶縁材料を、たとえば層１
２および層１３等（ならびに任意の層１４および１５
等）の交互の層で対にして基板１１上に堆積させる。
音響アイソレータを含む。薄膜音響共振子と組合せた音
響アイソレータ１０の実施例を図１の模式断面図に示
す。音響アイソレータ１０は基板１１上に形成され、同
基板はたとえばガラス等の絶縁体を含み得る。高および
低音響インピーダンスの音響絶縁材料を、たとえば層１
２および層１３等（ならびに任意の層１４および１５
等）の交互の層で対にして基板１１上に堆積させる。
【００１９】図１に示すとおり、音響アイソレータ１０
は、上下電極接点１７および１９それぞれを有する圧電
材料１８の層を含む音響共振子を支持する。この圧電材
料層１８は典型的には共振周波数の音響波長の２分の１
の厚さを有する。音響アイソレータ１０の層１２および
１３は、高および低インピーダンス材料の層が交互にな
って基板１１上に形成され、各層が共振周波数の音響波
長の４分の１の厚さを有する。少ない数の層の対で高反
射率および低音響損失を実現するためには、音響インピ
ーダンスにおいてかなりの差があり、低インピーダンス
材料が音響共振子にほとんど近い材料を含む、対になっ
た層（層１２および層１３等）を使用することが有利で
ある。好ましい実施例においては、高インピーダンス材
料（たとえば図１の層１２および層１４）は酸化ハフニ
ウム（ＨｆＯ2 ）を含み、かつ低インピーダンス材料
（たとえば図１の層１３および層１５）は二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）を含む。
は、上下電極接点１７および１９それぞれを有する圧電
材料１８の層を含む音響共振子を支持する。この圧電材
料層１８は典型的には共振周波数の音響波長の２分の１
の厚さを有する。音響アイソレータ１０の層１２および
１３は、高および低インピーダンス材料の層が交互にな
って基板１１上に形成され、各層が共振周波数の音響波
長の４分の１の厚さを有する。少ない数の層の対で高反
射率および低音響損失を実現するためには、音響インピ
ーダンスにおいてかなりの差があり、低インピーダンス
材料が音響共振子にほとんど近い材料を含む、対になっ
た層（層１２および層１３等）を使用することが有利で
ある。好ましい実施例においては、高インピーダンス材
料（たとえば図１の層１２および層１４）は酸化ハフニ
ウム（ＨｆＯ2 ）を含み、かつ低インピーダンス材料
（たとえば図１の層１３および層１５）は二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）を含む。
【００２０】図２は、さまざまな数の対の４分の１音響
波長層（上記のとおり）を含む共振子音響アイソレータ
１０上に装着された薄膜圧電音響共振子（上部自由空気
表面を有する）の有効Ｑ値（上に定義したとおり）を示
すグラフである。二酸化シリコンは全曲線について低イ
ンピーダンス材料であると仮定し、高インピーダンス材
料はＺa ＝２５から４０の範囲である。基板はシリコン
で、かつ薄膜圧電共振子自体がＺa ＝３５のインピーダ
ンスを有すると仮定する。図２からわかるとおり、より
少ない数の対の音響アイソレータ層でより高いＱ値が実
現され得るのは、高および低インピーダンス材料のイン
ピーダンスの差が最大の場合である。
波長層（上記のとおり）を含む共振子音響アイソレータ
１０上に装着された薄膜圧電音響共振子（上部自由空気
表面を有する）の有効Ｑ値（上に定義したとおり）を示
すグラフである。二酸化シリコンは全曲線について低イ
ンピーダンス材料であると仮定し、高インピーダンス材
料はＺa ＝２５から４０の範囲である。基板はシリコン
で、かつ薄膜圧電共振子自体がＺa ＝３５のインピーダ
ンスを有すると仮定する。図２からわかるとおり、より
少ない数の対の音響アイソレータ層でより高いＱ値が実
現され得るのは、高および低インピーダンス材料のイン
ピーダンスの差が最大の場合である。
【００２１】二酸化シリコンを低インピーダンス材料に
使用することが好ましい理由は、二酸化シリコンが半導
体産業で簡単に手に入る材料であり、固有の音響損失が
非常に低く、比較的低い音響インピーダンス（Ｚa はお
よそ１３）で、かつさまざまな好都合な方法で堆積させ
ることができるからである。酸化ハフニウムは、この交
互の層において特に高音響インピーダンス材料の方への
使用に適しており、その理由はたとえばイオンボンバー
ドメントと同時にスパッタリングまたは電子ビーム蒸着
により堆積させ比較的高い音響インピーダンス（Ｚa が
およそ４０）の硬質な密度の高い誘電体を形成すること
ができるからである。
使用することが好ましい理由は、二酸化シリコンが半導
体産業で簡単に手に入る材料であり、固有の音響損失が
非常に低く、比較的低い音響インピーダンス（Ｚa はお
よそ１３）で、かつさまざまな好都合な方法で堆積させ
ることができるからである。酸化ハフニウムは、この交
互の層において特に高音響インピーダンス材料の方への
使用に適しており、その理由はたとえばイオンボンバー
ドメントと同時にスパッタリングまたは電子ビーム蒸着
により堆積させ比較的高い音響インピーダンス（Ｚa が
およそ４０）の硬質な密度の高い誘電体を形成すること
ができるからである。
【００２２】代替的高音響インピーダンス材料として
は、ＴｉＯ2 およびＺｒＯ2 等がＨｆＯ2 とほとんど同
じ音響インピーダンスを有しかつ蒸着させることができ
るが、これらの材料は密度が低くかつ音響速度が高いた
め、１／４音響波長を実現するにはより厚い膜が必要で
ある。より音響インピーダンスが高い材料にはさまざま
な金属が挙げられるが、薄膜音響共振子はエリア内に封
じ込める必要があるので、多層の音響アイソレータをパ
ターン処理して圧電共振子１８の電気接点１７および１
９からこれらを電気的に絶縁する必要が生じると考えら
れる。窒化アルミニウムと酸化亜鉛（Ｚa がおよそ３
５）を高インピーダンス材料として使用することも可能
だが、これらの材料のインピーダンスが酸化ハフニウム
に比べて低いため、図２に示すとおり、同じ反射率を実
現するにはより多い数の層の対を必要とする。さらに、
窒化アルミニウムと酸化亜鉛は蒸着法によって有効に堆
積させることができない。これら材料の層はレーザ（補
助による）堆積法やスパッタリングで形成することがで
きるが、そのような一括して行なうことができない処理
は本質的にコストがより高くなる。
は、ＴｉＯ2 およびＺｒＯ2 等がＨｆＯ2 とほとんど同
じ音響インピーダンスを有しかつ蒸着させることができ
るが、これらの材料は密度が低くかつ音響速度が高いた
め、１／４音響波長を実現するにはより厚い膜が必要で
ある。より音響インピーダンスが高い材料にはさまざま
な金属が挙げられるが、薄膜音響共振子はエリア内に封
じ込める必要があるので、多層の音響アイソレータをパ
ターン処理して圧電共振子１８の電気接点１７および１
９からこれらを電気的に絶縁する必要が生じると考えら
れる。窒化アルミニウムと酸化亜鉛（Ｚa がおよそ３
５）を高インピーダンス材料として使用することも可能
だが、これらの材料のインピーダンスが酸化ハフニウム
に比べて低いため、図２に示すとおり、同じ反射率を実
現するにはより多い数の層の対を必要とする。さらに、
窒化アルミニウムと酸化亜鉛は蒸着法によって有効に堆
積させることができない。これら材料の層はレーザ（補
助による）堆積法やスパッタリングで形成することがで
きるが、そのような一括して行なうことができない処理
は本質的にコストがより高くなる。
【００２３】共振子音響アイソレータ１０を製造する場
合、低温で蒸着するＨｆＯ2 膜は音響的に損失があるこ
とがわかっている。基板温度を４００℃より上に上げれ
ば密度が上がるが、この場合膜は粗い表面の多結晶にな
り、許容でなきい音響散乱を生じる。しかしながら、イ
オン（補助による）電子ビーム蒸着法（つまり先行技術
ではイオンボンバードメントと同時に電子ビーム蒸着を
行なう方法として公知である）を使用して必要なバルク
密度と硬度とを達成し、一方で滑らかな表面を維持する
方法が使用されている。この方法による膜は音響損失が
低いことがわかっている。非常に反射率の高い層がこの
方法によって製造されており、高性能の共振音響アイソ
レータが得られる。
合、低温で蒸着するＨｆＯ2 膜は音響的に損失があるこ
とがわかっている。基板温度を４００℃より上に上げれ
ば密度が上がるが、この場合膜は粗い表面の多結晶にな
り、許容でなきい音響散乱を生じる。しかしながら、イ
オン（補助による）電子ビーム蒸着法（つまり先行技術
ではイオンボンバードメントと同時に電子ビーム蒸着を
行なう方法として公知である）を使用して必要なバルク
密度と硬度とを達成し、一方で滑らかな表面を維持する
方法が使用されている。この方法による膜は音響損失が
低いことがわかっている。非常に反射率の高い層がこの
方法によって製造されており、高性能の共振音響アイソ
レータが得られる。
【００２４】本発明は、特定の実施例に関連して説明し
たが、本発明の範囲から逸脱することなく当業者はさま
ざまに変更修正を加えることができるであろう。したが
って、そのような変更および修正は特許請求の範囲内に
包含されることを理解されたい。
たが、本発明の範囲から逸脱することなく当業者はさま
ざまに変更修正を加えることができるであろう。したが
って、そのような変更および修正は特許請求の範囲内に
包含されることを理解されたい。
【図１】本発明の音響共振子の模式断面図である。
【図２】Ｚa の値が２５から４０の範囲の高インピーダ
ンス材料を使用する層対の数に対する限界Ｑ値を指すグ
ラフである。
ンス材料を使用する層対の数に対する限界Ｑ値を指すグ
ラフである。
１０ 音響アイソレータ １１ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール・エイチ・コブリン アメリカ合衆国、91320 カリフォルニア 州、ニューベリー・パーク、ムーンクレス ト・コート、393 (72)発明者 ジェフリー・エフ・デナテイル アメリカ合衆国、91360 カリフォルニア 州、サウザンド・オークス、グランド・オ ーク・レーン、468
Claims (7)
- 【請求項１】 薄膜音響共振子用共振音響アイソレータ
であって、 基板と、 前記基板上に形成された少なくとも１対の層とを含み、 前記１対の層が高音響インピーダンス酸化ハフニウムか
らなる第１の層と、低音響インピーダンス材料からなる
第２の層とを含み、かつ前記薄膜音響共振子が前記１対
の層の上に形成される、共振音響アイソレータ。 - 【請求項２】 前記低音響インピーダンス材料からなる
第２の層が二酸化シリコンを含む、請求項１に記載の共
振音響アイソレータ。 - 【請求項３】 前記基板上に前記高音響インピーダンス
材料および低音響インピーダンス材料の層を交互に積層
したものを形成する前記第１および第２の層の複数の対
をさらに含む、請求項１に記載の共振音響アイソレー
タ。 - 【請求項４】 前記高および低音響インピーダンス層の
各々が前記音響共振子の共振周波数の音響波長の４分の
１の厚さを有する、請求項１に記載の共振音響アイソレ
ータ。 - 【請求項５】 前記酸化ハフニウムの第１の層を同時に
イオンのボンバードメントを行なう電子ビーム気相法に
よって蒸着させる、請求項１に記載の共振音響アイソレ
ータ。 - 【請求項６】 前記酸化ハフニウムからなる第１の層を
スパッタリングにより蒸着させる、請求項１に記載の共
振音響アイソレータ。 - 【請求項７】 前記高および低音響インピーダンス層の
上に形成される前記薄膜共振子が上部および下部電気接
点を有する圧電材料の層を含む、請求項１に記載の共振
音響アイソレータ。
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|---|---|---|---|
| US08/582,686 US5646583A (en) | 1996-01-04 | 1996-01-04 | Acoustic isolator having a high impedance layer of hafnium oxide |
| US08/582686 | 1996-01-04 |
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|---|---|
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| JP3967786B2 JP3967786B2 (ja) | 2007-08-29 |
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| JP27324696A Expired - Fee Related JP3967786B2 (ja) | 1996-01-04 | 1996-10-16 | 薄膜音響共振子用共振音響アイソレータ |
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