JP2007324689A - 薄膜音響共振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜音響共振器は、基板21と、基板21の上に低音響インピーダンス層23と低音響インピーダンス層23と比べて音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層22とが交互に積層されてなる音響反射部24と、音響反射部24の上に下部電極25と圧電膜26と上部電極27とが順次積層されてなる音響共振部28とを備えている。音響反射部24は、その上部に平滑化層29を含む。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施形態について、図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る薄膜音響共振器の断面構成を示している。図1に示すように本実施形態の音響共振器は、シリコンからなる基板21の上にタングステンからなる高音響インピーダンス層22と酸化シリコンからなる低音響インピーダンス層23とを交互に4周期積層して形成した音響反射部24と、音響反射部24の上に下部電極25、圧電膜26及び上部電極27を順次積層して形成した音響共振部28とを備えている。
以下に、本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図3は第2の実施形態に係る薄膜音響共振器の断面構成を示している。図3において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
以下に、本発明の第3の実施形態について図面を参照して説明する。図4は第3の実施形態に係る薄膜音響共振器の断面構成を示している。図4において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
以下に、本発明の第4の実施形態について図面を参照して説明する。図5は第4の実施形態に係る薄膜音響共振器の断面構成を示している。図5において図4と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
22 高音響インピーダンス層
23 低音響インピーダンス層
24 音響反射部
25 下部電極
26 圧電膜
27 上部電極
28 音響共振部
28A 第1の音響共振部
28B 第2の音響共振部
29 平滑化層
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の上に低音響インピーダンス層及び該低音響インピーダンス層と比べて音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層が順次積層されてなる音響反射部と、
前記音響反射部の上に下部電極と圧電膜と上部電極とが順次積層されてなる音響共振部とを備え、
前記音響反射部は、該音響反射部の上部に平滑化層を含むことを特徴とする薄膜音響共振器。 - 前記平滑化層は、前記音響反射部の最上部に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜音響共振器。
- 前記平滑化層は、前記低音響インピーダンス層として機能することを特徴とする請求項2に記載の薄膜音響共振器。
- 前記平滑化層は、前記音響反射部の最も上側に積層された前記高音響インピーダンス層と前記低音響インピーダンス層との間に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜音響共振器。
- 前記平滑化層は、スピンコート可能な材料により形成された膜であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の薄膜音響共振器。
- 前記スピンコート可能な材料により形成された膜は、スピンオングラス膜、フッ素系樹脂膜、シリコン系樹脂膜又はエポキシ系樹脂膜であることを特徴とする請求項5に記載の薄膜音響共振器。
- 前記平滑化層は、上面の二乗平均平方根粗さが1nm以下であることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の薄膜音響共振器。
- 前記高音響インピーダンス層は、絶縁性の材料からなることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の薄膜音響共振器。
- 前記音響反射部の上には、複数の前記音響共振部が互いに間隔をおいて形成されており、
前記音響反射部における前記音響共振部同士の間の領域において、前記高音響インピーダンス層が分離されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の薄膜音響共振器。
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