JP2020145596A - 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents

Abstract

【課題】圧電基板の劣化を抑制すること。【解決手段】支持基板と、前記支持基板上に接合された第１圧電基板と、前記第１圧電基板上に設けられた弾性波素子と、平面視において前記弾性波素子を囲むように、前記支持基板上に前記第１圧電基板と間隔を空けて設けられた環状金属層と、前記第１圧電基板上に前記第１圧電基板と空隙を挟み向き合うように搭載されたチップと、前記チップを囲み前記環状金属層と接合し、前記弾性波素子を前記空隙に封止する封止金属層と、を備える弾性波デバイス。【選択図】図１

Description

本発明は、弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば支持基板上に接合された圧電基板を有する弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサに関する。

支持基板の上面に圧電基板が接合された接合基板を用いることで、周波数温度特性が改善された弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献１）。また、圧電基板が支持基板の上面の一部に接合しかつ配線が支持基板の上面の圧電基板に接合されていない領域から圧電基板上に延在した構成において、圧電基板の側面を傾斜面とすることで配線の断線を抑制することが知られている（例えば、特許文献２）。

特開２００４−３４３３５９号公報 特開２０１３−２１３８７号公報

圧電基板は脆いため、圧電基板上に金属層等を設けると、支持基板と圧電基板と金属層との熱応力等により、圧電基板にクラックが生じることがある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、圧電基板の劣化を抑制することを目的とする。

本発明は、支持基板と、前記支持基板上に接合された第１圧電基板と、前記第１圧電基板上に設けられた弾性波素子と、平面視において前記弾性波素子を囲むように、前記支持基板上に前記第１圧電基板と間隔を空けて設けられた環状金属層と、前記第１圧電基板上に前記第１圧電基板と空隙を挟み向き合うように搭載されたチップと、前記チップを囲み前記環状金属層と接合し、前記弾性波素子を前記空隙に封止する封止金属層と、を備える弾性波デバイスである。

上記構成において、前記封止金属層の線膨張係数は前記第１圧電基板の線膨張係数より大きい構成とすることができる。

上記構成において、前記封止金属層は、錫を主成分とする半田である構成とすることができる。

上記構成において、前記第１圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記環状金属層と前記支持基板との間には圧電基板は設けられていない構成とすることができる。

上記構成において、前記第１圧電基板を囲み前記第１圧電基板から間隔を空けて設けられた第２圧電基板を備え、前記環状金属層は前記第２圧電基板上に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記チップおよび前記封止金属層上に設けられたリッドを備える構成とすることができる。

上記構成において、前記封止金属層は、前記環状金属層以外では前記支持基板および前記第１圧電基板と接合しない構成とすることができる。

本発明は、上記弾性波デバイスを含むフィルタである。

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。

本発明によれば、圧電基板の劣化を抑制することができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１（ｂ）は平面図である。 図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波素子２２の断面図である。 図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。 図６（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図、図６（ｂ）は、比較例１の断面ＳＥＭ画像の模式図である。 図７は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図である。 図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図９は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図１１（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図１１（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１（ｂ）は平面図である。図１（ｂ）は、圧電基板１０ｂ、空間１５および環状金属層３２を示している。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０は支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとを有する。支持基板１０ａは例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、水晶基板またはシリコン基板である。圧電基板１０ｂは、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０ｂは支持基板１０ａの上面に接合されている。支持基板１０ａの線膨張係数は圧電基板１０ｂより小さい。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａとの間に酸化シリコンまたは窒化アルミニウム等の絶縁体層を設けてもよい。

基板１０の上面に弾性波素子１２および配線１４が設けられている。基板１０の下面に端子１８が設けられている。端子１８は、弾性波素子１２および２２を外部と接続するためのフットパッドである。基板１０を貫通するビア配線１６が設けられている。ビア配線１６は、端子１８と配線１４とを電気的に接続する。

基板１０の周縁において圧電基板１０ｂが除去されている。弾性波素子１２を囲むように支持基板１０ａ上に環状金属層３２が設けられている。環状金属層３２と圧電基板１０ｂとの間は空間１５である。空間１５は例えば空隙である。配線１４、ビア配線１６、端子１８および環状金属層３２は、例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。

環状金属層３２上に環状金属層３４が設けられている。環状金属層３４は、例えば環状金属層３２側からチタン層、ニッケル層および金層である。環状金属層３４の１つであるチタン層は環状金属層３２と３４との密着層である。ニッケル層は封止金属層３０と環状金属層３２との相互拡散を抑制するバリア層である。金層は封止金属層３０と濡れ性の良い層であり、封止金属層３０を環状金属層３４に接合させる。

基板１０上に基板２０が搭載されている。基板２０の下面に弾性波素子２２および配線２４が設けられている。配線２４は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。基板２０はバンプ２８を介し基板１０にフリップチップ実装（フェースダウン実装）されている。バンプ２８は、配線１４および２４と接合する。バンプ２８は、例えば金バンプ、半田バンプまたは銅バンプである。

基板１０上に基板２０を囲むように封止金属層３０が設けられている。封止金属層３０は、例えば錫を含む半田である。封止金属層３０は、環状金属層３４に接合されている。基板２０の上面および封止金属層３０の上面に平板状のリッド３６が設けられている。リッド３６は例えばコバール板等の金属板または絶縁板である。リッド３６および封止金属層３０を覆うように保護膜３８が設けられている。保護膜３８はニッケル膜等の金属膜または絶縁膜である。

弾性波素子１２は空隙２６を介し基板２０に対向している。弾性波素子２２は空隙２６を介し圧電基板１０ｂに対向している。弾性波素子１２および２２は、封止金属層３０、基板１０、基板２０およびリッド３６により封止される。バンプ２８は空隙２６に囲まれている。端子１８はビア配線１６および配線１４を介し弾性波素子１２と電気的に接続され、さらに、バンプ２８および配線２４を介し弾性波素子２２に電気的に接続されている。

支持基板１０ａの厚さは例えば５０μｍから２００μｍである。圧電基板１０ｂの厚さは例えば０．５μｍから２０μｍであり、例えば弾性波の波長以下である。環状金属層３２の厚さは圧電基板１０ｂの厚さと略等しい。環状金属層３４の厚さは例えば１μｍから５μｍである。環状金属層３２および３４の幅は、例えば２５μｍから１００μｍである。バンプ２８の厚さは例えば１０μｍから２０μｍである。基板２０の厚さは例えば５０μｍから２００μｍである。空間１５の幅Ｌは例えば１μｍから５０μｍである。

図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波素子２２の断面図である。図２（ａ）に示すように、弾性波素子１２は弾性表面波共振器である。基板１０の圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が圧電基板１０ｂに弾性表面波を励振する。弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの一方の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチにほぼ等しい。すなわち、弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチの２倍にほぼ等しい。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。

図２（ｂ）に示すように、弾性波素子２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板２０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域４７である。共振領域４７において、下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。空隙４５の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。

弾性波素子１２および２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を制限しないように、弾性波素子１２および２２は空隙２６に覆われている。

［実施例１の製造方法］
図３（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、支持基板１０ａの上面に例えばレーザ光を照射しビア１７ａを形成する。図３（ｂ）に示すように、支持基板１０ａの上面に圧電基板１０ｂの下面を例えば表面活性化法を用い常温接合する。支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとは数ｎｍのアモルファス層等を介し直接接合されていてもよいし、接着剤等により接合されていてもよい。支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとの間に絶縁層が設けられていてもよい。

図３（ｃ）に示すように、圧電基板１０ｂを例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い研磨する。これにより、圧電基板１０ｂを所望の厚さとする。図３（ｄ）に示すように、圧電基板１０ｂを例えばエッチングにより除去し開口１７ｂおよび１７ｃを形成する。開口１７ｂはビア１７ａに通じビア１７ａより大きく形成される。ビア１７ａと開口１７ｂにより基板１０を貫通するビア１７が形成される。開口１７ｃは圧電基板１０ｂを囲むように形成される。

図４（ａ）に示すように、支持基板１０ａおよび圧電基板１０ｂ上にシード層３１ａを例えばスパッタリング法を用い形成する。シード層３１ａは、例えば基板１０側からチタン層および銅層である。図４（ｂ）に示すように、シード層３１ａ上に金属層３１を例えばめっき法を用い形成する。金属層３１は例えば銅層である。図４（ｂ）以降では、シード層３１ａの図示を省略する。図４（ｃ）に示すように、圧電基板１０ｂの表面が露出するように金属層３１の上面を例えばＣＭＰ法を用い平坦化する。これにより、ビア配線１６および環状金属層３２が形成される。環状金属層３２の厚さは圧電基板１０ｂの厚さと略等しくなる。

図５（ａ）に示すように、圧電基板１０ｂ上に弾性波素子１２を形成する。圧電基板１０ｂおよびビア配線１６上に配線１４を形成する。環状金属層３２上に環状金属層３４を形成する。図５（ｂ）に示すように、環状金属層３２の内側の領域をエッチング法を用い除去する。これにより、環状金属層３２と圧電基板１０ｂとの間に空間１５が形成される。図５（ｃ）に示すように、基板１０上にバンプ２８を介し基板２０をフリップチップ実装する。これにより、弾性波素子１２と２２とは空隙２６を挟み対向する。

その後、基板２０を囲むように、例えば錫銀半田からなる封止金属層３０を形成する。封止金属層３０は環状金属層３４と接合する。封止金属層３０および基板２０上にリッド３６を設ける。リッド３６は設けられてなくてもよい。支持基板１０ａの下面をＣＭＰ法等を用い研磨する。これにより、ビア配線１６が支持基板１０ａの下面に露出する。ビア配線１６に接触する端子１８を形成する。基板１０を切断する。これにより、弾性波デバイスが個片化される。封止金属層３０およびリッド３６を囲む保護膜３８を形成する。これにより、図１（ａ）および図１（ｂ）の弾性波デバイスが製造される。

［比較例１］
図６（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図６（ａ）に示すように、比較例１の弾性波デバイスでは、圧電基板１０ｂに空間１５が設けられておらず、環状金属層３２と圧電基板１０ｂとが接している。

図６（ｂ）は、比較例１の断面ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像の模式図である。作製した弾性波デバイスでは、支持基板１０ａは厚さが約１００μｍのサファイア基板である。圧電基板１０ｂは厚さが約２０μｍの４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板である。環状金属層３２は厚さが約２０μｍの銅層である。環状金属層３４は厚さが約０．１μｍのチタン層、厚さが約２．５μｍのニッケル層および厚さが約０．２μｍの金層の積層膜である。封止金属層３０は錫銀層である。図６（ｂ）に示すように、圧電基板１０ｂにクラック６０が生じている。

表１は主な材料の線膨張係数を示す表である。タンタル酸リチウム（ＬＴ）、サファイア、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、Ｓｎ−０．３Ａｇ−０．７Ｃｕ合金、Ｓｎ−３．５Ａｇ合金およびＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ合金の線膨張係数を示している。タンタル酸リチウムのＸ、ＹおよびＺは結晶方位のＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向の線膨張係数を示す。合金の数字は重量％を示す。

表１に示すように、各材料間の線膨張係数の差が大きい。特に封止金属層３０として錫を含む半田を用いると、封止金属層３０の線膨張係数は圧電基板１０ｂとの線膨張係数に比べ非常に大きい。これにより、圧電基板１０ｂに熱応力が加わる。圧電基板１０ｂは、金属および支持基板１０ａに比べ脆いため、圧電基板１０ｂに熱応力が加わるとクラックが導入される等の劣化が生じると考えられる。

実施例１によれば、圧電基板１０ｂ（第１圧電基板）は、支持基板１０ａ上に接合されている。環状金属層３２および３４は、支持基板１０ａ上に設けられ、平面視において弾性波素子１２を囲む。基板２０（チップ）は、圧電基板１０ｂ上に圧電基板１０ｂと空隙２６を挟み向かい合うように搭載されている。封止金属層３０は、基板２０を囲み環状金属層３４と接合し、弾性波素子１２を空隙２６に封止する。このような弾性波デバイスにおいて、環状金属層３２および３４は、平面視において圧電基板１０ｂと間隔（空間１５）を空けて設けられている。これにより、封止金属層３０と圧電基板１０ｂ等との線膨張係数の差に起因する熱応力が圧電基板１０ｂに加わることを抑制できる。よって、クラック６０の圧電基板１０ｂへの導入等の圧電基板１０ｂの劣化を抑制できる。

封止金属層３０の線膨張係数が圧電基板１０ｂの線膨張係数より大きいと圧電基板１０ｂに応力が加わりやすい。よって、空間１５を設けることが好ましい。特に、封止金属層３０が錫を主成分とする半田である場合、封止金属層３０の線膨張係数が大きくなる。よって、空間１５を設けることが好ましい。なお、錫を主成分とするとは５０重量％以上が錫であることを意味し、錫は８０重量％以上が好ましい。圧電基板１０ｂがタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である場合、圧電基板１０ｂに応力が加わると、圧電基板１０ｂが劣化しやすい。よって、空間１５を設けることが好ましい。

環状金属層３２と支持基板１０ａとの間には圧電基板１０ｂは設けられていない。これにより、圧電基板１０ｂが劣化することを抑制できる。圧電基板１０ｂが支持基板１０ａに接する場合、環状金属層３２は支持基板１０ａに接して設けられている。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａとの間に絶縁膜が設けられている場合、環状金属層３２は支持基板１０ａに接してもよいし、絶縁膜に接してもよい。

封止金属層３０は、環状金属層３２および３４以外では支持基板１０ａおよび圧電基板１０ｂに接合されていない。これにより、圧電基板１０ｂが劣化することを抑制できる。

圧電基板１０ｂの厚さを弾性波の波長以下とすることで、損失を抑制できる。また、支持基板１０ａの反りを抑制できる。これにより、バンプ２８に加わる応力を抑制できる。さらに、低背化を実現できる。支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとの間に絶縁膜を有する場合、支持基板１０ａの上面と圧電基板１０ｂの上面との距離は弾性波の波長の２倍以下が好ましい。これにより、損失を抑制できる。

空間１５の幅Ｌは、１μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、圧電基板１０ｂの厚さ以上が好ましい。これにより、圧電基板１０ｂの劣化を抑制できる。空間１５の幅Ｌは、１００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。これにより、弾性波デバイスを小型化できる。

［実施例１の変形例１］
図７は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図７に示すように、実施例１の変形例１では、環状金属層３２の代わりに圧電基板１０ｃが設けられている。圧電基板１０ｃ上に環状金属層３４が設けられている。圧電基板１０ｃは圧電基板１０ｂと同じ材料であり同じ厚さである。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

図８（ａ）から図８（ｄ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図８（ａ）に示すように、実施例１の図３（ａ）から図３（ｄ）の工程を行う。このとき、開口１７ｃの代わりに空間１５となる開口１７ｄを形成する。

図８（ｂ）に示すように、実施例１の図４（ａ）から図４（ｃ）に工程を行う。これにより、開口１７ｄ内に犠牲金属層３３が埋め込まれる。図８（ｃ）に示すように、実施例１の図５（ａ）の工程を行う。これにより、圧電基板１０ｃ上に環状金属層３４が形成される。図８（ｃ）に示すように、犠牲金属層３３を例えばエッチング法により除去する。これにより、空間１５が形成される。その後、実施例１の図５（ｃ）の工程を行うことで、図７の弾性波デバイスが製造される。

実施例１の変形例１によれば、圧電基板１０ｃ（第２圧電基板）は、圧電基板１０ｂを囲み圧電基板１０ｂから間隔を空けて設けられている。これにより、環状金属層３４が圧電基板１０ｂ上に設けられていても、圧電基板１０ｂと１０ｃとの間に空間１５が存在するため、弾性波素子１２付近の圧電基板１０ｂが劣化することを抑制できる。圧電基板１０ｃの内側の側面は環状金属層３４の内側の側面より内側に位置してもよい。小型化のため、圧電基板１０ｃの内側の側面と環状金属層３４の内側の側面との距離は１０μｍ以下が好ましい。

［実施例１の変形例２］
図９は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図である。図９に示すように、実施例１の変形例２では、環状金属層３２が設けられておらず、支持基板１０ａの上面に環状金属層３４が直接設けられている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図１０（ａ）に示すように、実施例１の図３（ａ）から図４（ｃ）の工程を行う。その後、図５（ａ）において環状金属層３４を形成しない。図１０（ｂ）に示すように、環状金属層３２を例えばエッチング法を用い除去する。これにより、環状金属層３２が形成されていた領域に開口１７ｃが形成される。図１０（ｃ）に示すように、開口１７ｃ内の支持基板１０ａの上面に環状金属層３４を形成する。その後、実施例１の図５（ｃ）の工程を行うことで、図７の弾性波デバイスが製造される。

実施例１の変形例２では、環状金属層３４の材料はビア配線１６の材料と異なる。また、環状金属層３４の厚さは圧電基板１０ｂより薄い。圧電基板１０ｂの厚さを弾性波の波長以下として場合には、環状金属層３４の厚さが圧電基板１０ｂより厚くなってもよい。このように、環状金属層の厚さおよび材料は任意に設定できる。

実施例１およびその変形例では、弾性波素子２２として圧電薄膜共振器の例を説明したが、弾性波素子２２は弾性表面波共振器でもよい。基板２０の下面に設けられる機能素子として弾性波素子２２の例を説明したが、機能素子は、インダクタまたはキャパシタ等の受動素子、トランジスタを含む能動素子、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子でもよい。

実施例２は、フィルタおよびデュプレクサの例である。図１１（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図１１（ａ）に示すように、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が並列に接続されている。実施例２のフィルタを弾性波素子１２および／または２２で形成してもよい。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタでもよい。

図１１（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図１１（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ５０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ５２が接続されている。送信フィルタ５０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ５２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。また、送信フィルタ５０を弾性波素子１２で形成し、受信フィルタ５２を弾性波素子２２で形成してもよい。

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ａ 支持基板
１０ｂ、１０ｃ 圧電基板
１２、２２ 弾性波素子
１４、２４ 配線
１５ 空間
１６ ビア配線
１８ 端子
２０ 基板
２６ 空隙
２８ バンプ
３０ 封止金属層
３２、３４ 環状金属層
３６ リッド
５０ 送信フィルタ
５２ 受信フィルタ

Claims (10)

1. 支持基板と、
   前記支持基板上に接合された第１圧電基板と、
   前記第１圧電基板上に設けられた弾性波素子と、
   平面視において前記弾性波素子を囲むように、前記支持基板上に前記第１圧電基板と間隔を空けて設けられた環状金属層と、
   前記第１圧電基板上に前記第１圧電基板と空隙を挟み向き合うように搭載されたチップと、
   前記チップを囲み前記環状金属層と接合し、前記弾性波素子を前記空隙に封止する封止金属層と、
   を備える弾性波デバイス。
2. 前記封止金属層の線膨張係数は前記第１圧電基板の線膨張係数より大きい請求項１に記載の弾性波デバイス。
3. 前記封止金属層は、錫を主成分とする半田である請求項１に記載の弾性波デバイス。
4. 前記第１圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である請求項３に記載の弾性波デバイス。
5. 前記環状金属層と前記支持基板との間には圧電基板は設けられていない請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
6. 前記第１圧電基板を囲み前記第１圧電基板から間隔を空けて設けられた第２圧電基板を備え、
   前記環状金属層は前記第２圧電基板上に設けられている請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
7. 前記チップおよび前記封止金属層上に設けられたリッドを備える請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
8. 前記封止金属層は、前記環状金属層以外では前記支持基板および前記第１圧電基板と接合しない請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを含むフィルタ。
10. 請求項９に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。

Images