WO2023199862A1

WO2023199862A1 - 高周波モジュール、及び、通信装置

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Publication number: WO2023199862A1
Application number: PCT/JP2023/014388
Authority: WO
Inventors: 秀享高橋; 貴紀伊藤
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2022-04-12
Filing date: 2023-04-07
Publication date: 2023-10-19

Abstract

ＴＤＤで非同期通信を行う場合に、信号間のアイソレーションを向上させる。高周波モジュール（１）は、実装基板（４）と、第１弾性波フィルタと、第２弾性波フィルタと、シールド電極と、を備える。第２弾性波フィルタは、第１弾性波フィルタ上に配置されている。第１弾性波フィルタは第１通信バンドに、第２弾性波フィルタは第２通信バンドに、対応する。第１通信バンドと第２通信バンドとは、ＴＤＤ用かつ非同期通信が可能である。第１弾性波フィルタは、第１支持部材と第１機能電極とを有する。第２弾性波フィルタは、第２支持部材と第２機能電極とを有する。第１機能電極及び第２機能電極は、実装基板（４）の厚さ方向において第１支持部材と第２支持部材との間に形成された中空空間に位置し、互いに対向している。シールド電極は、中空空間に位置し、第１機能電極と第２機能電極との少なくとも一方を覆う。

Description

高周波モジュール、及び、通信装置

　本発明は、一般に高周波モジュール、及び通信装置に関し、より詳細には、複数のフィルタを備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。

　特許文献１には、２つの弾性波装置を備える構造が開示されている。特許文献１に記載されている構造では、２つの弾性波装置における各々のＩＤＴ電極が対向している。

特開２０１９－１１４９８５号公報

　しかしながら、特許文献１に記載された構造では、２つの弾性波装置を弾性波フィルタ（第１弾性波フィルタ、第２弾性波フィルタ）として用いた場合、第１弾性波フィルタを通過する第１信号と、第２弾性波フィルタを通過する第２信号との間で干渉が発生する場合がある。特に、第１信号が送信信号で第２信号が受信信号である場合、又は、第１信号が受信信号で第２信号が送信信号である場合、送信信号と受信信号とでは信号強度の差が大きいため、干渉の影響が大きい。したがって、第１弾性波フィルタと第２弾性波フィルタとの間のアイソレーションを向上させることが難しい場合がある。

　本発明の目的は、ＴＤＤで非同期通信を行う場合に、第１弾性波フィルタと第２弾性波フィルタとの間のアイソレーションを向上させることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、第１弾性波フィルタと、第２弾性波フィルタと、第１シールド電極と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記第１弾性波フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記第２弾性波フィルタは、前記第１弾性波フィルタ上に配置されている。前記第１弾性波フィルタは、ＴＤＤ用の第１通信バンドの送信又は受信に対応する。前記第２弾性波フィルタは、ＴＤＤ用の第２通信バンドの送信又は受信に対応する。前記第１弾性波フィルタと前記第２弾性波フィルタの組合せは、送信に対応したフィルタと受信に対応したフィルタとの組合せである。前記第１通信バンドと前記第２通信バンドとは、非同期通信が可能である。前記第１弾性波フィルタは、第１支持部材と、第１機能電極と、を有する。前記第１支持部材は、第３主面を有する。前記第１機能電極は、前記第１支持部材の前記第３主面に設けられている。前記第２弾性波フィルタは、第２支持部材と、第２機能電極と、を有する。前記第２支持部材は、第４主面を有する。前記第２機能電極は、前記第２支持部材の前記第４主面に設けられている。前記第１機能電極及び前記第２機能電極は、中空空間に位置し、かつ、互いに対向している。前記中空空間は、前記実装基板の厚さ方向において前記第１支持部材と前記第２支持部材との間に形成されている。前記第１シールド電極は、前記中空空間に位置し、かつ、前記第１機能電極と前記第２機能電極との少なくとも一方を覆う。

　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。

　本発明の一態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、ＴＤＤで非同期通信を行う場合に、第１弾性波フィルタと第２弾性波フィルタとの間のアイソレーションを向上させることができる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの平面図である。図２は、同上の高周波モジュールに関し、図１のＸ１－Ｘ１線断面図である。図３は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。図４は、実施形態２に係る高周波モジュールの断面図である。図５は、実施形態３に係る高周波モジュールの断面図である。図６は、同上の高周波モジュールの回路構成図である。

　以下、実施形態１～３に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。以下の実施形態１～３において参照する各図は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

　（実施形態１）
　まず、実施形態１に係る高周波モジュール１の構成について、図面を参照して説明する。

　（１）高周波モジュール
　高周波モジュール１は、図３に示すように、例えば、通信装置１０に用いられる。通信装置１０は、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置１０は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（登録商標、Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（登録商標、Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。

　高周波モジュール１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティとは、複数の周波数帯域の電波を同時に使用する通信に用いられる技術を言う。

　通信装置１０は、複数の通信バンドの通信を行う。より詳細には、通信装置１０は、複数の通信バンドの各々の送信信号を送信し、複数の通信バンドの各々の受信信号を受信する。具体的には、高周波モジュール１は、第１通信バンドの受信信号、及び、第２通信バンドの受信信号を受信する。また、高周波モジュール１は、第１通信バンドの送信信号、及び、第２通信バンドの送信信号を送信する。

　第１通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号である。また、第２通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＴＤＤの信号である。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間ごとに切り替えて行う無線通信技術である。

　また、第１通信バンドの通信と、第２バンドの通信とは、非同期通信である。より詳細には、第１通信バンドの送信可能期間と、第２通信バンドの送信可能期間とは、必ずしも一致しない。また、第１通信バンドの受信可能期間と、第２通信バンドの受信可能期間とは、必ずしも一致しない。すなわち、第１通信バンドの送信信号の送信と同時に第２通信バンドの送信信号が送信される場合があり、また、第１通信バンドの送信信号の送信と同時に第２通信バンドの受信信号が受信される場合がある。同様に、第１通信バンドの受信信号の受信と同時に第２通信バンドの受信信号が受信される場合があり、また、第１通信バンドの受信信号の受信と同時に第２通信バンドの送信信号が送信される場合がある。

　第１通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９である。また、第２通信バンドは、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１である。Ｂａｎｄ３９の送信信号はパワークラス３の信号であり、Ｂａｎｄ４１の送信信号はパワークラス２の信号である。パワークラス２の信号はパワークラス３の信号よりも信号強度が大きい。すなわち、第２通信バンドの送信信号の信号強度は、第１通信バンドの送信信号の通信強度よりも大きい。

　（２）高周波モジュールの回路構成
　次に、実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成について、図３を参照して説明する。

　実施形態１に係る高周波モジュール１は、図３に示すように、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２と、を備える。また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４と、を更に備える。また、実施形態１に係る高周波モジュールは、パワーアンプ１５１と、パワーアンプ１５２と、ローノイズアンプ１６１と、ローノイズアンプ１６２と、を更に備える。また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、複数（図示例では５つ）の外部接続端子１７を更に備える。複数の外部接続端子１７は、アンテナ端子１７１と、第１入力端子１７２と、第２入力端子１７３と、第１出力端子１７４と、第２出力端子１７５と、を含む。

　（２．１）第１フィルタ、第２フィルタ
　第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２は、互いに異なる周波数帯域の信号を通過させるフィルタである。より詳細には、第１フィルタ１１は、第１通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させるフィルタである。第２フィルタ１２は、第２通信バンドの送信信号及び受信信号を通過させるフィルタである。

　第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２の各々は、後述するように、１以上の弾性波共振子を有する弾性波フィルタである。すなわち、本実施形態では、第１フィルタ１１が、第１弾性波フィルタである。また、本実施形態では、第２フィルタ１２が、第２弾性波フィルタである。第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２は、後述するように、単一の電子部品に含まれる。

　（２．２）第１スイッチ
　第１スイッチ１３は、図３に示すように、パワーアンプ１５１及びローノイズアンプ１６１の中から第１フィルタ１１に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。つまり、第１スイッチ１３は、第１フィルタ１１に接続させる経路を切り替えるためのスイッチである。第１スイッチ１３は、共通端子１３０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１３１，１３２と、を有する。

　共通端子１３０は、第１フィルタ１１に接続されている。選択端子１３１は、パワーアンプ１５１に接続されている。また、選択端子１３２は、ローノイズアンプ１６１に接続されている。

　第１スイッチ１３は、共通端子１３０と複数の選択端子１３１，１３２との接続を切り替える。第１スイッチ１３は、例えば、信号処理回路２によって制御される。第１スイッチ１３は、信号処理回路２のＲＦ信号処理回路２１からの制御信号に従って、共通端子１３０と複数の選択端子１３１，１３２のいずれか一方とを電気的に接続させる。

　（２．３）第２スイッチ
　第２スイッチ１４は、図３に示すように、パワーアンプ１５２及びローノイズアンプ１６２の中から第２フィルタ１２に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。つまり、第２スイッチ１４は、第２フィルタ１２に接続させる経路を切り替えるためのスイッチである。第２スイッチ１４は、共通端子１４０と、複数（図示例では２つ）の選択端子１４１，１４２と、を有する。

　共通端子１４０は、第２フィルタ１２に接続されている。選択端子１４１は、パワーアンプ１５２に接続されている。また、選択端子１４２は、ローノイズアンプ１６２に接続されている。

　第２スイッチ１４は、共通端子１４０と複数の選択端子１４１，１４２との接続を切り替える。第２スイッチ１４は、例えば、信号処理回路２によって制御される。第２スイッチ１４は、信号処理回路２のＲＦ信号処理回路２１からの制御信号に従って、共通端子１４０と複数の選択端子１４１，１４２のいずれか一方とを電気的に接続させる。

　（２．４）パワーアンプ
　パワーアンプ１５１は、送信信号を増幅する増幅器である。より詳細には、パワーアンプ１５１は、第１通信バンドの送信信号を増幅する。パワーアンプ１５１は、第１スイッチ１３の選択端子１３１と第１入力端子１７２との間に設けられている。パワーアンプ１５１は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ１５１の入力端子は、第１入力端子１７２を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。パワーアンプ１５１の出力端子は、第１スイッチ１３の選択端子１３１に接続されている。パワーアンプ１５１は、例えば、コントローラ（図示せず）によって制御される。

　パワーアンプ１５２は、送信信号を増幅する増幅器である。より詳細には、パワーアンプ１５２は、第２通信バンドの送信信号を増幅する。パワーアンプ１５２は、第２スイッチ１４の選択端子１４２と第２入力端子１７３との間に設けられている。パワーアンプ１５２は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ１５２の入力端子は、第２入力端子１７３を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続されている。パワーアンプ１５２の出力端子は、第２スイッチ１４の選択端子１４２に接続されている。パワーアンプ１５２は、例えば、コントローラ（図示せず）によって制御される。

　（２．５）ローノイズアンプ
　ローノイズアンプ１６１は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。より詳細には、ローノイズアンプ１６１は、第１通信バンドの受信信号を増幅する。ローノイズアンプ１６１は、第１スイッチ１３の選択端子１３２と第１出力端子１７４との間に設けられている。ローノイズアンプ１６１は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。ローノイズアンプ１６１の入力端子は、第１スイッチ１３の選択端子１３２に接続されている。ローノイズアンプ１６１の出力端子は、第１出力端子１７４を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。

　ローノイズアンプ１６２は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。より詳細には、ローノイズアンプ１６２は、第２通信バンドの受信信号を増幅する。ローノイズアンプ１６２は、第２スイッチ１４の選択端子１４２と第２出力端子１７５との間に設けられている。ローノイズアンプ１６２は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。ローノイズアンプ１６２の入力端子は、第２スイッチ１４の選択端子１４２に接続されている。ローノイズアンプ１６２の出力端子は、第２出力端子１７５を介して外部回路（例えば、信号処理回路２）に接続される。

　（２．６）外部接続端子
　複数の外部接続端子１７は、外部回路（例えば、信号処理回路２）と電気的に接続するための端子である。複数の外部接続端子１７は、アンテナ端子１７１と、第１入力端子１７２と、第２入力端子１７３と、第１出力端子１７４と、第２出力端子１７５と、複数の制御端子（図示せず）と、複数のグランド端子（図示せず）と、を含む。

　アンテナ端子１７１には、アンテナ３が接続されている。高周波モジュール１内において、アンテナ端子１７１は、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２に接続されている。

　第１入力端子１７２は、外部回路（例えば、信号処理回路２）からの送信信号を高周波モジュール１に入力するための端子である。より詳細には、第１入力端子１７２は、第１通信バンドの送信信号を入力する。高周波モジュール１内において、第１入力端子１７２は、パワーアンプ１５１の入力端子に接続されている。

　第２入力端子１７３は、外部回路（例えば、信号処理回路２）からの送信信号を高周波モジュール１に入力するための端子である。より詳細には、第２入力端子１７３は、第２通信バンドの送信信号を入力する。高周波モジュール１内において、第２入力端子１７３は、パワーアンプ１５２の入力端子に接続されている。

　第１出力端子１７４は、高周波モジュール１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための端子である。より詳細には、第１出力端子１７４は、第１通信バンドの受信信号を出力する。高周波モジュール１内において、第１出力端子１７４は、ローノイズアンプ１６１の出力端子に接続されている。

　第２出力端子１７５は、高周波モジュール１からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路２）へ出力するための端子である。より詳細には、第２出力端子１７５は、第２通信バンドの受信信号を出力する。高周波モジュール１内において、第２出力端子１７５は、ローノイズアンプ１６２の出力端子に接続されている。

　複数のグランド端子は、通信装置１０が備える外部基板（図示せず）のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。高周波モジュール１内において、複数のグランド端子は、実装基板４（図１参照）のグランド層（図示せず）に接続されている。グランド層は、高周波モジュール１の回路グランドである。

　（３）高周波モジュールの構造
　次に、実施形態１に係る高周波モジュール１の構造について、図１及び図２を参照して説明する。

　高周波モジュール１は、図１及び図２に示すように、実装基板４と、第１電子部品５１と、複数（図示例では２つ）の第２電子部品５２と、複数（図示例では２つ）の第３電子部品５３と、第４電子部品５４と、第５電子部品５５と、第６電子部品５６と、を備える。また、高周波モジュール１は、図２に示すように、樹脂層６８と第２シールド電極６９と、を更に備える。

　高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続されている。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等である通信装置１０（図３参照）のマザー基板である。

　（３．１）実装基板
　実装基板４は、図１及び図２に示すように、第１主面４１及び第２主面４２を有する。第１主面４１及び第２主面４２は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１（図２参照）（以下、「第１方向Ｄ１」ともいう）において互いに対向する。第２主面４２は、高周波モジュール１が外部基板に設けられたときに、外部基板における実装基板４側の主面と対向する。実装基板４は、第１主面４１に第１電子部品５１、第２電子部品５２、第３電子部品５３、及び第４電子部品５４が実装され、第２主面４２に第５電子部品５５及び第６電子部品５６が実装される両面実装基板である。

　実装基板４は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板４は、複数の導電層と、複数のビア導体（貫通電極を含む）と、を有する。複数の導電層は、グランド電位のグランド層を含む。複数のビア導体は、第１主面４１及び第２主面４２のそれぞれに実装されている素子（上述の第１電子部品５１、第２電子部品５２、第３電子部品５３、第４電子部品５４、第５電子部品５５、及び第６電子部品５６を含む）と実装基板４の導電層との電気的接続に用いられる。

　（３．２）第１電子部品
　第１電子部品５１は、図１及び図２に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。第１電子部品５１は、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２と、を含む。

　第１フィルタ１１と第２フィルタ１２の各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２の各々は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよい。また、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２の各々は、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。

　（３．３）第２電子部品
　複数の第２電子部品５２の各々は、図１に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。図１の例では、複数の第２電子部品５２の各々は、実装基板４の第１主面４１に実装されている。なお、複数の第２電子部品５２のうち一部又は全部が、実装基板４の第２主面４２に実装されていてもよい。複数の第２電子部品５２は、例えば、パワーアンプ１５１とパワーアンプ１５２とを含む。

　（３．４）第３電子部品
　第３電子部品５３の各々は、図１に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。第３電子部品５３は、実装基板４の第１主面４１に実装されている。第３電子部品５３は、例えば、第１スイッチ１３の選択端子１３１とパワーアンプ１５１との間の経路に設けられた整合回路（図示せず）を構成するインダクタである。整合回路は、第１フィルタ１１とパワーアンプ１５１とのインピーダンス整合をとるための回路である。また、第３電子部品５３は、例えば、第２スイッチ１４の選択端子１４１とパワーアンプ１５２との間の経路に設けられた整合回路（図示せず）を構成するインダクタである。整合回路は、第２フィルタ１２とパワーアンプ１５２とのインピーダンス整合をとるための回路である。インダクタは、例えば、チップインダクタである。

　（３．５）第４電子部品
　第４電子部品５４は、図１に示すように、実装基板４の第１主面４１に配置されている。第４電子部品５４は、実装基板４の第１主面４１に実装されている。第４電子部品５４は、例えば、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２とアンテナ端子１７１との間の経路に設けられた整合回路（図示せず）を構成するキャパシタである。整合回路は、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２とアンテナ３とのインピーダンス整合をとるための回路である。

　（３．６）第５電子部品
　第５電子部品５５は、図１に示すように、実装基板４の第２主面４２に配置されている。第５電子部品５５は、実装基板４の第２主面４２に実装されている。第５電子部品５５は、ローノイズアンプ１６１とローノイズアンプ１６２とを含む。

　（３．７）第６電子部品
　第６電子部品５６は、図１に示すように、実装基板４の第２主面４２に配置されている。より詳細には、第６電子部品５６は、実装基板４の第２主面４２に実装されている。第６電子部品５６は、第１スイッチ１３と、第２スイッチ１４とを含むＩＣである。すなわち、本実施形態において、第６電子部品５６は、第１スイッチ１３と第２スイッチ１４とのうち少なくとも１つを含むＩＣである電子部品に相当する。

　第６電子部品５６は、実装基板４の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品５１と重なる。

　（３．８）樹脂層及び第２シールド電極
　樹脂層６８（図２参照）は、第１電子部品５１等の側面を覆っている。より詳細には、樹脂層６８は、第１電子部品５１において、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２の少なくとも一部を覆う。

　第２シールド電極６９（図２参照）は、樹脂層６８の一部を覆っている。より詳細には、第２シールド電極６９は、第１電子部品５１において、第２フィルタ１２の第１フィルタ１１側とは反対側の主面１２１（図２参照）と接触している。

　（４）高周波モジュールの各構成要素の詳細構造
　（４．１）実装基板
　図１及び図２に示す実装基板４は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数のグランド端子とグランド層とが、実装基板４のビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板４は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板４は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。

　また、実装基板４は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板４の第１主面４１であり、第２面が実装基板４の第２主面４２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

　実装基板４の第１主面４１及び第２主面４２は、実装基板４の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板４における第１主面４１は、例えば、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板４における第２主面４２は、例えば、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、実装基板４の厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板４の第１主面４１及び第２主面４２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。

　（４．２）第１電子部品
　図２に示す第１電子部品５１の詳細な構造について説明する。

　第１電子部品５１は、弾性波フィルタである第１フィルタ１１と、弾性波フィルタである第２フィルタ１２と、を含む。第１電子部品５１は、図２に示すように、第１基板６１Ａと、第１低音速膜６２Ａと、第１圧電体層６３Ａと、第１回路部６４２Ａと、を有する。第１基板６１Ａは、第１基板６１Ａの厚さ方向において互いに対向する主面６１１Ａ及び主面６１２Ａを有する。第１回路部６４２Ａは、複数の第１ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極６４１Ａを含む。本実施形態では、複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａが、第１機能電極である。第１低音速膜６２Ａは、第１基板６１Ａの主面６１１Ａ上に設けられている。すなわち、本実施形態では、第１基板６１Ａが第１支持部材である。また、本実施形態では、第１基板６１Ａの主面６１１Ａが第３主面である。複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａは、第１圧電体層６３Ａ上に設けられている。第１フィルタ１１は、第１基板６１Ａと、第１低音速膜６２Ａと、第１圧電体層６３Ａと、複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第１回路部６４２Ａとを含む。

　第１電子部品５１は、図２に示すように、第２基板６１Ｂと、第２低音速膜６２Ｂと、第２圧電体層６３Ｂと、第２回路部６４２Ｂと、を更に有する。第２基板６１Ｂは、第２基板６１Ｂの厚さ方向において互いに対向する主面６１１Ｂ及び主面６１２Ｂを有する。第２回路部６４２Ｂは、複数の第２ＩＤＴ電極６４１Ｂを含む。本実施形態では、複数の第２ＩＤＴ電極６４１Ｂが、第２機能電極である。第２低音速膜６２Ｂは、第２基板６１Ｂの主面６１１Ｂ上に設けられている。すなわち、本実施形態では、第２基板６１Ｂが第２支持部材である。また、本実施形態では、第２基板６１Ｂの主面６１１Ｂが第４主面である。複数の第２ＩＤＴ電極６４１Ｂは、第２圧電体層６３Ｂ上に設けられている。第２フィルタ１２は、第２基板６１Ｂと、第２低音速膜６２Ｂと、第２圧電体層６３Ｂと、複数の第２ＩＤＴ電極６４１Ｂと、第２回路部６４２Ｂとを含む。また、第２フィルタ１２において、第１フィルタ１１側とは反対側の主面１２１は、第２基板６１Ｂの主面６１２Ｂである。本実施形態において、主面１２１は、第５主面である。

　第１圧電体層６３Ａ及び第２圧電体層６３Ｂの材料は、例えば、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。第１低音速膜６２Ａ及び第２低音速膜６２Ｂの材料は、例えば、酸化ケイ素である。第１低音速膜６２Ａでは、第１圧電体層６３Ａを伝搬するバルク波の音速よりも、第１低音速膜６２Ａを伝搬するバルク波の音速が低速である。また、第２低音速膜６２Ｂでは、第２圧電体層６３Ｂを伝搬するバルク波の音速よりも、第２低音速膜６２Ｂを伝搬するバルク波の音速が低速である。第１低音速膜６２Ａ及び第２低音速膜６２Ｂの材料は、酸化ケイ素に限定されず、例えば、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。

　第１基板６１Ａ及び第２基板６１Ｂの材料は、例えば、シリコンである。第１基板６１Ａでは、第１圧電体層６３Ａを伝搬するバルク波の音速よりも、第１基板６１Ａを伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、第１基板６１Ａを伝搬するバルク波は、第１基板６１Ａを伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。本実施形態では、第１基板６１Ａと、第１基板６１Ａ上に設けられている第１低音速膜６２Ａと、で高音速部材が構成されている。また、本実施形態では、第１基板６１Ａが、シリコン基板からなる第１支持基板である。同様に、第２基板６１Ｂでは、第２圧電体層６３Ｂを伝搬するバルク波の音速よりも、第２基板６１Ｂを伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、第２基板６１Ｂを伝搬するバルク波は、第２基板６１Ｂを伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。本実施形態では、第２基板６１Ｂと、第２基板６１Ｂ上に設けられている第２低音速膜６２Ｂと、で高音速部材が構成されている。また、本実施形態では、第２基板６１Ｂが、シリコン基板からなる第２支持基板である。なお、第１基板６１Ａ及び第２基板６１Ｂの材料は、シリコンに限らず、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドのいずれかを主成分として含む材料であってもよい。

　第１基板６１Ａの主面６１１Ａと、第２基板６１Ｂの主面６１１Ｂとは、第１方向Ｄ１に対向する。すなわち、第２フィルタ１２は、第１フィルタ１１上に配置されている。また、第１電子部品５１は、図２に示すように、第１方向Ｄ１と交差する方向に延伸する複数の導電体６６１と、枠体６６２とを更に備える。複数の導電体６６１及び枠体６６２は、第２フィルタ１２と実装基板４とを電気的に接続させるための電極である。複数の導電体６６１は、例えば、柱状（例えば、角柱状）の電極を含む。また、枠体６６２は、枠状の電極である。複数の導電体６６１及び枠体６６２の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の導電体６６１及び枠体６６２は、第１基板６１Ａと第２基板６１Ｂとの間に位置している。第１基板６１Ａと第２基板６１Ｂとの間のうち、枠体６６２の内側に中空空間ＳＰ０が形成されている。複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａ及び複数の第２ＩＤＴ電極６４１Ｂは、中空空間ＳＰ０に配置されている。なお、複数の導電体６６１の少なくとも一部、又は、枠体６６２は、第１基板６１Ａを貫通するビア導体６７１とバンプ６７２とを介して、実装基板４のグランド電極に接続されている。なお、枠体６６２は、電極でなくてもよい。枠体６６２が電極でない場合、枠体６６２の材料は樹脂等の絶縁体であってもよい。

　また、第１電子部品５１は、図２に示すように、第１シールド電極６５を更に有する。第１シールド電極６５は、例えば、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと第２ＩＤＴ電極６４１Ｂとの間の電磁シールドを目的として設けられているシールド電極である。第１シールド電極６５は、１つの金属層であるが、１つの金属層に限らず、複数の金属層を積層した多層構造であってもよい。第１シールド電極６５は、中空空間ＳＰ０に位置しており、かつ、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂとのうち少なくとも一方を覆っている。実施形態１における第１シールド電極６５は、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂを覆っている。より詳細には、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１シールド電極６５は、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと重なり、かつ、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂと重なっている。ここで、第１方向Ｄ１からの平面視において第１シールド電極６５が第１ＩＤＴ電極６４１Ａと重なっているとは、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１ＩＤＴ電極６４１Ａの少なくとも一部と、第１シールド電極６５の少なくとも一部とを含む領域が存在することをいう。同様に、第１方向Ｄ１からの平面視において第１シールド電極６５が第２ＩＤＴ電極６４１Ｂと重なっているとは、第１方向Ｄ１からの平面視において、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂの少なくとも一部と、第１シールド電極６５の少なくとも一部とを含む領域が存在することをいう。第１シールド電極６５は中空空間ＳＰ０を第１空間ＳＰ１と第２空間ＳＰ２とに区画する。第１ＩＤＴ電極６４１Ａは第１空間ＳＰ１に位置しており、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂは第２空間ＳＰ２に位置している。なお、第１空間ＳＰ１と第２空間ＳＰ２とは第１シールド電極６５によって完全に隔絶されている必要はなく、例えば、第２圧電体層６３Ｂの表面において第１空間ＳＰ１と第２空間ＳＰ２とが連通していてもよい。

　（４．３）樹脂層
　以下、樹脂層６８と第１電子部品５１との関係について詳細に説明する。

　樹脂層６８は、第１電子部品５１において、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２との少なくとも一部を覆う。ここで、樹脂層６８は、第１基板６１Ａ、第１低音速膜６２Ａ、第１圧電体層６３Ａ、導電体６６１、枠体６６２、第２圧電体層６３Ｂ、第２低音速膜６２Ｂ、第２基板６１Ｂの各々の外周面を覆っている。樹脂層６８は、第２基板６１Ｂの主面６１２Ｂの少なくとも一部を覆ってもよい。樹脂層６８は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。樹脂層は、樹脂のほかにフィラーを含んでもよい。

　（４．４）第２シールド電極
　以下、第２シールド電極６９と第１電子部品５１との関係について詳細に説明する。

　第２シールド電極６９は、樹脂層６８の少なくとも一部を覆う。第２シールド電極６９は、樹脂層６８の少なくとも一部を覆う。ここで、第２シールド電極６９は、第１電子部品５１において、第２フィルタ１２の主面１２１を直接、又は、間接的に覆っている。第２シールド電極６９が第２基板６１Ｂの主面６１２Ｂを間接的に覆っているとは、第２フィルタ１２の主面１２１を樹脂層６８の少なくとも一部が覆っており、樹脂層６８のうち第２フィルタ１２の主面１２１を覆っている部分を第２シールド電極６９が覆っていることをいう。本実施形態では、第２シールド電極６９は、第２フィルタ１２の主面１２１と接触している。なお、第２シールド電極６９は、通信装置１０のグランド電極に接続されていてもよい。第２シールド電極６９は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、多層構造に限らず、１つの金属層であってもよい。１つの金属層は、１又は複数種の金属を含む。

　（５）通信装置
　通信装置１０は、図３に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ３と、信号処理回路２と、を備える。

　（５．１）アンテナ
　アンテナ３は、高周波モジュール１のアンテナ端子１７１に接続されている。アンテナ３は、高周波モジュール１から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１に出力する受信機能と、を有する。

　（５．２）信号処理回路
　信号処理回路２は、ＲＦ信号処理回路２１と、ベースバンド信号処理回路２２と、を含む。信号処理回路２は、高周波モジュール１を通る信号を処理する。より詳細には、信号処理回路２は、送信信号及び受信信号を処理する。

　ＲＦ信号処理回路２１は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）である。ＲＦ信号処理回路２１は、高周波信号に対する信号処理を行う。

　ＲＦ信号処理回路２１は、ベースバンド信号処理回路２２から出力された高周波信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール１に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路２１は、ベースバンド信号処理回路２２から出力された送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた送信信号を高周波モジュール１の第１入力端子１７２又は第２入力端子１７３に出力する。

　ＲＦ信号処理回路２１は、高周波モジュール１から出力された高周波信号に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路２２に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路２１は、高周波モジュール１の第１出力端子１７４又は第２出力端子１７５から出力された受信信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた受信信号をベースバンド信号処理回路２２に出力する。

　ベースバンド信号処理回路２２は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路２２は、信号処理回路２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路２２で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。

　また、ＲＦ信号処理回路２１は、高周波信号（送信信号、受信信号）の送受に基づいて、高周波モジュール１が有する第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４の各々を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦ信号処理回路２１は、制御信号（図示せず）によって高周波モジュール１の第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４の各々の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦ信号処理回路２１の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１又はベースバンド信号処理回路２２に設けられていてもよい。

　（６）第１シールド電極の詳細
　以下、第１シールド電極６５の詳細について、図面を参照して説明する。

　図２に示すように、第１シールド電極６５は、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂを覆っている。これにより、第１シールド電極６５は、第１ＩＤＴ電極６４１Ａが位置している第１空間ＳＰ１と、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂが位置している第２空間ＳＰ２との間の電磁シールドとして機能する。したがって、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２との間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

　上述したように、高周波モジュール１では、第１通信バンドの送信信号の送信と第２通信バンドの受信信号の受信とを同時に行う場合がある。また、高周波モジュール１では、第１通信バンドの受信信号の受信と第２通信バンドの送信信号の送信とを同時に行う場合がある。高周波モジュール１を通過する送信信号の信号強度は高周波モジュール１を通過する受信信号の信号強度より大きい。これに対し、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１シールド電極６５が第１ＩＤＴ電極６４１Ａと第２ＩＤＴ電極６４１Ｂとの間の電磁シールドであるため、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２との間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２基板６１Ｂと第１基板６１Ａとの間に位置する導電体６６１又は枠体６６２と、第１基板６１Ａを第１方向Ｄ１に貫通しているビア導体６７１とが、実装基板４のグランド電極に接続されている。したがって、導電体６６１又は枠体６６２、及びビア導体６７１が、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第１フィルタ１１の外部との間の電磁シールドとして機能する。そのため、第１フィルタ１１を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第１フィルタ１１のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂが、第１シールド電極６５と第２シールド電極６９とによって囲まれている。したがって、第１シールド電極６５及び第２シールド電極６９が、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂと、第２フィルタ１２の外部との間の電磁シールドとして機能する。そのため、第２フィルタ１２を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第２フィルタ１２のノイズ耐性が向上する。

　（７）効果
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１シールド電極６５が、中空空間ＳＰ０に位置し、かつ、第１機能電極である第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第２機能電極である第２ＩＤＴ電極６４１Ｂと、のうち少なくとも一方を覆っている。したがって、第１フィルタ１１を送信信号が通過し、第２フィルタ１２を受信信号が通過する場合にも、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２との間のアイソレーションを向上させることができる。同様に、第１フィルタ１１を受信信号が通過し、第２フィルタ１２を送信信号が通過する場合にも、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２との間のアイソレーションを向上させることができる。したがって、第１フィルタ１１を用いた第１通信バンドによるＴＤＤ通信と、第２フィルタ１２を用いた第２通信バンドによるＴＤＤ通信とで非同期通信することが可能となる。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、樹脂層６８が第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２の少なくとも一部を覆っており、第２シールド電極６９が樹脂層６８の少なくとも一部を覆っている。したがって、第２シールド電極６９が第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２と、第１フィルタ１１の外部及び第２フィルタ１２の外部との間の電磁シールドとして機能する。これにより、高周波モジュール１を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２シールド電極６９が第２フィルタ１２の主面１２１と接触している。したがって、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂが、第１シールド電極６５と第２シールド電極６９とによって囲まれている。これにより、第１シールド電極６５及び第２シールド電極６９が、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂと、第２フィルタ１２の外部との間の電磁シールドとして機能する。そのため、第２フィルタ１２を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第２フィルタ１２のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第６電子部品５６は、実装基板４の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１電子部品５１と重なる。すなわち、実装基板４の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２と、第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４とが重なっている。したがって、第１フィルタ１１と第１スイッチ１３の共通端子１３０との間の配線が短い。また、第２フィルタ１２と第２スイッチ１４の共通端子１４０との間の配線が短い。そのため、第１フィルタ１１を通過する信号と、第２フィルタ１２を通過する信号との各々の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２基板６１Ｂと第１基板６１Ａとの間に位置する導電体６６１又は枠体６６２と、第１基板６１Ａを第１方向Ｄ１に貫通しているビア導体６７１とが、実装基板４のグランド電極に接続されている。したがって、導電体６６１又は枠体６６２、及びビア導体６７１が、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第１フィルタ１１の外部との間の電磁シールドとして機能する。したがって、第１フィルタ１１を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第１フィルタ１１のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２フィルタ１２を通過する信号のパワークラスが、第１フィルタ１１を通過する信号のパワークラスよりも最大出力パワーが高い。したがって、第２フィルタ１２による発熱が、第１フィルタ１１による発熱よりも大きい。実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２フィルタ１２で生じた熱を第２シールド電極６９から放熱する放熱経路が存在するため、第２フィルタ１２で生じる熱が第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２に与える影響を小さくすることができる。

　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波モジュール１について説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１に関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

　実施形態２に係る高周波モジュール１は、第１電子部品５１に替えて第１電子部品５１ａを備える。第１電子部品５１ａは、図４に示すように、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２の各々として、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタを含む。

　第１電子部品５１ａの詳細な構造について説明する。第１電子部品５１ａは、図４に示すように、第１基板６１Ａと、第１上部電極６４３Ａと、第１圧電体膜６４４Ａと、第１下部電極６４５Ａと、を有する。本実施形態では、第１上部電極６４３Ａが第１機能電極である。第１圧電体膜６４４Ａの材料は、例えば、ＡｌＮ、ＳｃＡｌＮ又はＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）である。第１下部電極６４５Ａは、第１基板６１Ａとの間に空洞６４６Ａを有する。第１フィルタ１１に含まれるＢＡＷ共振子は、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）であるが、これに限られず、ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）であってもよい。第１フィルタ１１は、第１基板６１Ａと、第１上部電極６４３Ａと、第１圧電体膜６４４Ａと、第１下部電極６４５Ａと、を含む。第１上部電極６４３Ａ、第１圧電体膜６４４Ａ、及び第１下部電極６４５Ａは、第１基板６１Ａの主面６１１Ａと第２基板６１Ｂの主面６１１Ｂとの間に形成される中空空間ＳＰ０に位置している。

　また、第１電子部品５１ａは、図４に示すように、第２基板６１Ｂと、第２上部電極６４３Ｂと、第２圧電体膜６４４Ｂと、第２下部電極６４５Ｂと、を有する。本実施形態では、第２上部電極６４３Ｂが第２機能電極である。第２圧電体膜６４４Ｂの材料は、例えば、ＡｌＮ、ＳｃＡｌＮ又はＰＺＴである。第２下部電極６４５Ｂは、第２基板６１Ｂとの間に空洞６４６Ｂを有する。第２フィルタ１２に含まれるＢＡＷ共振子は、ＦＢＡＲであるが、これに限られず、ＳＭＲであってもよい。第２フィルタ１２は、第２基板６１Ｂと、第２上部電極６４３Ｂと、第２圧電体膜６４４Ｂと、第２下部電極６４５Ｂと、を含む。第２上部電極６４３Ｂ、第２圧電体膜６４４Ｂ、及び第２下部電極６４５Ｂは、中空空間ＳＰ０に位置している。

　実施形態２に係る高周波モジュール１において、第１シールド電極６５は、第１上部電極６４３Ａと、第２上部電極６４３Ｂとのうち一方を覆っている。本実施形態では、第１シールド電極６５は、第２上部電極６４３Ｂを覆っている。より詳細には、第１シールド電極６５は、中空空間ＳＰ０を、第１上部電極６４３Ａが位置している第１空間ＳＰ１と、第２上部電極６４３Ｂが位置している第２空間ＳＰ２と、に区画する。また、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１シールド電極６５は、第１上部電極６４３Ａと重なり、かつ、第２上部電極６４３Ｂと重なっている。

　したがって、実施形態２に係る高周波モジュール１においても、第１シールド電極６５は、第１上部電極６４３Ａが位置している第１空間ＳＰ１と、第２上部電極６４３Ｂが位置している第２空間ＳＰ２との間の電磁シールドとして機能する。したがって、第１フィルタ１１と、第２フィルタ１２との間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

　また、実施形態２に係る高周波モジュール１では、樹脂層６８が第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２の少なくとも一部を覆っており、第２シールド電極６９が樹脂層６８の少なくとも一部を覆っている。したがって、第２シールド電極６９が第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２と、第１フィルタ１１の外部及び第２フィルタ１２の外部との間の電磁シールドとして機能する。これにより、高周波モジュール１を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態２に係る高周波モジュール１では、第２上部電極６４３Ｂが、第１シールド電極６５と第２シールド電極６９とによって囲まれている。これにより、第１シールド電極６５及び第２シールド電極６９が、第２上部電極６４３Ｂと、第２フィルタ１２の外部との間の電磁シールドとして機能する。そのため、第２フィルタ１２を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第２フィルタ１２のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態２に係る高周波モジュール１では、実装基板４の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２を含む第１電子部品５１ａと、第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４を含む第６電子部品５６とが重なっている。したがって、第１フィルタ１１と第１スイッチ１３の共通端子１３０との間の配線が短い。また、第２フィルタ１２と第２スイッチ１４の共通端子１４０との間の配線が短い。そのため、第１フィルタ１１を流れる信号及び第２フィルタ１２を通過する信号の各々の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態２に係る高周波モジュール１では、第２基板６１Ｂと第１基板６１Ａとの間に位置する導電体６６１又は枠体６６２と、第１基板６１Ａを第１方向Ｄ１に貫通しているビア導体６７１とが、実装基板４のグランド電極に接続されている。したがって、導電体６６１及びビア導体６７１が、第１上部電極６４３Ａ、第１圧電体膜６４４Ａ、第１下部電極６４５Ａ及び第２上部電極６４３Ｂ、第２圧電体膜６４４Ｂ、第２下部電極６４５Ｂと、第１電子部品５１ａの外部との間の電磁シールドとして機能する。したがって、高周波モジュール１を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１では、第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２のノイズ耐性が向上する。

　（実施形態３）
　実施形態３に係る高周波モジュール１ｂについて、図５及び図６を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

　実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、図６に示すように、第２フィルタ１２に替えて、第２送信フィルタ１２ａと第２受信フィルタ１２ｂとを備える。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、図６に示すように、第２スイッチ１４を有さず、第３スイッチ１８を備える。

　（１）高周波モジュールの回路構成
　実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、図６に示すように、第１フィルタ１１と、第２送信フィルタ１２ａと、第２受信フィルタ１２ｂと、を備える。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、第１スイッチ１３と、第３スイッチ１８と、を更に備える。また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、パワーアンプ１５１と、パワーアンプ１５２と、ローノイズアンプ１６１と、ローノイズアンプ１６２と、を更に備える。また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、複数（図示例では５つ）の外部接続端子１７を更に備える。複数の外部接続端子１７は、アンテナ端子１７１と、第１入力端子１７２と、第２入力端子１７３と、第１出力端子１７４と、第２出力端子１７５と、を含む。

　（１．１）第２送信フィルタ、第２受信フィルタ
　第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂは、第１フィルタ１１とは異なる周波数帯域の信号を通過させるフィルタである。より詳細には、第２送信フィルタ１２ａは、第２通信バンドの送信信号を通過させるフィルタである。第２受信フィルタ１２ｂは、第２通信バンドの受信信号を通過させるフィルタである。

　第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂの各々は、１以上の弾性波共振子を有する弾性波フィルタである。第１フィルタ１１、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂは、単一の電子部品に含まれる。

　第２送信フィルタ１２ａは、入力端子（図示しない）及び出力端子（図示しない）を有する。第２送信フィルタ１２ａの入力端子は、パワーアンプ１５２の出力端子に接続されている。また、第２送信フィルタ１２ａの出力端子は、第３スイッチ１８の選択端子１８２に接続されている。

　第２受信フィルタ１２ｂは、入力端子（図示しない）及び出力端子（図示しない）を有する。第２受信フィルタ１２ｂの入力端子は、第３スイッチ１８の選択端子１８３に接続されている。また、第２受信フィルタ１２ｂの出力端子は、ローノイズアンプ１６２の入力端子に接続されている。

　（１．２）第３スイッチ
　第３スイッチ１８は、図６に示すように、第１フィルタ１１、第２送信フィルタ１２ａ、及び第２受信フィルタ１２ｂの中からアンテナ端子１７１に接続される経路を切り替えるためのスイッチである。つまり、第３スイッチ１８は、アンテナ端子１７１に接続させる経路を切り替えるためのスイッチである。第３スイッチ１８は、共通端子１８０と、複数（図示例では３つ）の選択端子１８１，１８２，１８３と、を有する。

　共通端子１８０は、アンテナ端子１７１に接続されている。選択端子１８１は、第１フィルタ１１に接続されている。また、選択端子１８２は、第２送信フィルタ１２ａに接続されている。また、選択端子１８３は、第２受信フィルタ１２ｂに接続されている。

　第３スイッチ１８は、共通端子１８０と複数の選択端子１８１，１８２，１８３との接続を切り替える。より詳細には、第３スイッチ１８は、選択端子１８２，１８３のいずれか一方を共通端子１８０と接続するか、又は、共通端子１８０を選択端子１８２，１８３のいずれとも接続しない。また、第３スイッチ１８は、選択端子１８１を共通端子１８０と接続するか、又は、接続しない。

　（２）高周波モジュールの構造
　次に、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂの構造について説明する。

　実施形態３に係る高周波モジュール１ｂは、第１電子部品５１に替えて第１電子部品５１ｂを備えている。第１電子部品５１ｂは、第１フィルタ１１と、第２送信フィルタ１２ａと、第２受信フィルタ１２ｂと、を含む。

　第１フィルタ１１と、第２送信フィルタ１２ａと、第２受信フィルタ１２ｂとの各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。

　第１電子部品５１ｂは、図５に示すように、第１基板６１Ａと、第１低音速膜６２Ａと、第１圧電体層６３Ａと、第１回路部６４２Ａと、を有する。第１基板６１Ａは、第１基板６１Ａの厚さ方向において互いに対向する主面６１１Ａ及び主面６１２Ａを有する。第１回路部６４２Ａは、複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａを含む。本実施形態では、複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａが、第１機能電極である。第１低音速膜６２Ａは、第１基板６１Ａの主面６１１Ａ上に設けられている。複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａは、第１圧電体層６３Ａ上に設けられている。第１フィルタ１１は、第１基板６１Ａと、第１低音速膜６２Ａと、第１圧電体層６３Ａと、複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第１回路部６４２Ａとを含む。複数の第１ＩＤＴ電極６４１Ａは、第１基板６１Ａの主面６１１Ａと第２基板６１Ｂの主面６１１Ｂとの間に形成される中空空間ＳＰ０に位置している。

　第１電子部品５１ｂは、図５に示すように、第２基板６１Ｂと、第２低音速膜６２Ｂと、第２圧電体層６３Ｂと、第２回路部６４２Ｂと、を更に有する。第２基板６１Ｂは、第２基板６１Ｂの厚さ方向において互いに対向する主面６１１Ｂ及び主面６１２Ｂを有する。第２回路部６４２Ｂは、複数の第２ＩＤＴ電極６４１Ｂと、複数の第３ＩＤＴ電極６４１Ｃと、を含む。本実施形態では、複数の第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃが、第２機能電極である。第２低音速膜６２Ｂは、第２基板６１Ｂの主面６１１Ｂ上に設けられている。第２送信フィルタ１２ａは、第２基板６１Ｂと、第２低音速膜６２Ｂと、第２圧電体層６３Ｂと、複数の第２ＩＤＴ電極６４１Ｂと、を含む。また、第２受信フィルタ１２ｂは、第２基板６１Ｂと、第２低音速膜６２Ｂと、第２圧電体層６３Ｂと、第３ＩＤＴ電極６４１Ｃと、を含む。すなわち、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂは、第１フィルタ１１上に配置されている。本実施形態では、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂが、第２弾性波フィルタである。第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃは、中空空間ＳＰ０に位置している。また、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂにおいて第１フィルタ１１側とは反対側の主面１２１は、第２基板６１Ｂの主面６１２Ｂである。

　第１シールド電極６５は、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃとの間の電磁シールドを目的として設けられているシールド電極である。第１シールド電極６５は、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃとのうち少なくとも一方を覆っている。本実施形態では、第１シールド電極６５は、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃを覆っている。より詳細には、第１シールド電極６５は、中空空間ＳＰ０を、第１ＩＤＴ電極６４１Ａが位置している第１空間ＳＰ１と、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃが位置している第２空間ＳＰ２と、に区画する。また、第１方向Ｄ１からの平面視において、第１シールド電極６５は、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと重なり、かつ、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃと重なっている。

　（３）効果
　実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、第１シールド電極６５が、中空空間ＳＰ０に位置し、かつ、第１機能電極である第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第２機能電極である第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃと、のうち少なくとも一方を覆っている。したがって、第１フィルタ１１と、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂと、の間のアイソレーションを向上させることができる。特に、第１フィルタ１１を送信信号が通過し、第２受信フィルタ１２ｂを受信信号が通過する場合に、第１フィルタ１１と第２受信フィルタ１２ｂとの間のアイソレーションを向上させることができる。同様に、第１フィルタ１１を受信信号が通過し、第２送信フィルタ１２ａを送信信号が通過する場合にも、第１フィルタ１１と第２送信フィルタ１２ａとの間のアイソレーションを向上させることができる。したがって、第１フィルタ１１を用いた第１通信バンドによるＴＤＤ通信と、第２フィルタ１２を用いた第２通信バンドによるＴＤＤ通信とを非同期で同時通信することが可能となる。

　また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、樹脂層６８が第１フィルタ１１、第２送信フィルタ１２ａ、及び第２受信フィルタ１２ｂの少なくとも一部を覆っており、第２シールド電極６９が樹脂層６８の少なくとも一部を覆っている。したがって、第２シールド電極６９が第１フィルタ１１、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂと、第１フィルタ１１の外部、第２送信フィルタ１２ａの外部及び第２受信フィルタ１２ｂの外部との間の電磁シールドとして機能する。これにより、高周波モジュール１を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１ｂでは、第１フィルタ１１、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂのノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、第２シールド電極６９が、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂにおける第１フィルタ１１側とは反対側の主面１２１と接触している。したがって、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃが、第１シールド電極６５と第２シールド電極６９とによって囲まれている。これにより、第１シールド電極６５及び第２シールド電極６９が、第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ及び第３ＩＤＴ電極６４１Ｃと、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂの外部との間の電磁シールドとして機能する。そのため、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂを通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１ｂでは、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂのノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、実装基板４の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視において、第１フィルタ１１を含む第１電子部品５１ｂと、第１スイッチ１３を含む第６電子部品５６とが重なっている。したがって、第１フィルタ１１と第１スイッチ１３の共通端子１３０との間の配線が短い。そのため、第１フィルタ１１を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１ｂでは、第１フィルタ１１のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、第２基板６１Ｂと第１基板６１Ａとの間に位置する導電体６６１と、第１基板６１Ａを第１方向Ｄ１に貫通しているビア導体６７１とが、実装基板４のグランド電極に接続されている。したがって、導電体６６１及びビア導体６７１が、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと、第１電子部品５１ｂの外部との間の電磁シールドとして機能する。したがって、第１フィルタ１１を通過する信号の信号品質が向上する。すなわち、高周波モジュール１ｂでは、第１フィルタ１１のノイズ耐性が向上する。

　また、実施形態３に係る高周波モジュール１ｂでは、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂを通過する信号のパワークラスは、第１フィルタ１１を通過する信号のパワークラスよりも最大出力パワーが高い。したがって、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂによる発熱が、第１フィルタ１１による発熱よりも大きい。実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂで生じた熱を第２シールド電極６９から放熱する放熱経路が存在する。そのため、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂで生じる熱が第１フィルタ１１、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂに与える影響を小さくすることができる。

　（変形例）
　以下、実施形態１～３の変形例について説明する。

　実施形態１及び３に係る第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第２送信フィルタ１２ａ、第２受信フィルタ１２ｂの各々は、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合振動子型弾性波フィルタであってもよい。

　また、実施形態１及び３に係る第１フィルタ１１、第２フィルタ１２、第２送信フィルタ１２ａ、第２受信フィルタ１２ｂの各々は、表面弾性波フィルタである。また、実施形態２に係る第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２の各々は、バルク弾性波フィルタである。これらの弾性波フィルタは、これに限られず、例えば、第１フィルタ１１が表面弾性波フィルタであり、第２フィルタ１２がバルク弾性波フィルタであってもよい。また、これらの弾性波フィルタは、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。

　実施形態３に係る第１フィルタ１１は、送信信号と受信信号のいずれも通過する送受信フィルタであるが、これに限られず、例えば、第２送信フィルタ１２ａ及び第２受信フィルタ１２ｂと同様に、第１送信フィルタと第１受信フィルタとの組合せであってもよい。同様に、実施形態２に係る第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２は、少なくとも一方が、送信フィルタと受信フィルタとの組合せであってよい。

　また、実施形態１及び２に係る第１フィルタ１１及び第２フィルタ１２は、送信信号と受信信号のいずれも通過する送受信フィルタであるが、これに限られない。例えば、第１フィルタ１１が送信フィルタであり、第２フィルタ１２が受信フィルタであってもよい。また、例えば、第１フィルタ１１が受信フィルタであり、第２フィルタ１２が送信フィルタであってもよい。これらの場合において、第１フィルタ１１と第２フィルタ１２のいずれか一方が、送受信フィルタであってもよい。

　実施形態１～３に係る高周波モジュール１，１ｂにおいて、第１シールド電極６５は第２ＩＤＴ電極６４１Ｂ、第３ＩＤＴ電極６４１Ｃ、又は第２上部電極６４３Ｂを覆っているとしたが、これに限られない。例えば、第１シールド電極６５は、第１ＩＤＴ電極６４１Ａを覆っている構成としてもよい。また、例えば、高周波モジュール１は２つの第１シールド電極６５を備え、第１ＩＤＴ電極６４１Ａと第２ＩＤＴ電極６４１Ｂの各々が異なる第１シールド電極６５に覆われている構成としてもよい。

　実施形態１～３に係る高周波モジュール１，１ｂにおいて、第１通信バンドは３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９であり、第２通信バンドは３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１であるが、これに限られない。第１通信バンド及び第２通信バンドの組合せは、いずれもＴＤＤ用バンドであり、非同期通信が可能であれば、その組合せは自由である。例えば、第１通信バンド及び第２通信バンドの組合せは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９とＢａｎｄ４０との組合せであってもよい。また、例えば、第１通信バンド及び第２通信バンドの組合せは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４０とＢａｎｄ４１との組合せであってもよい。この場合において、第２通信バンドの信号のパワークラスが第１通信バンドの信号のパワークラスより大きい場合、上述したように、第２フィルタ１２で生じた熱が第２シールド電極６９から放熱されることにより、高周波モジュール１の放熱性が向上する。

　なお、第１通信バンドの信号のパワークラスが第２通信バンドの信号のパワークラスより大きくてもよい。例えば、第１通信バンドは３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１であり、第２通信バンドは３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９である。この場合、第１フィルタ１１で生じた熱が実装基板４から放熱されることにより、高周波モジュール１の放熱性が向上する。

　実施形態１～３に係る高周波モジュール１，１ｂにおいて、第６電子部品５６が第１スイッチ１３及び第２スイッチ１４を含み、第１方向Ｄ１からの平面視において第１電子部品５１と重なるが、これに限られない。例えば、第６電子部品５６が第１スイッチ１３を含み、高周波モジュール１は第２スイッチ１４を含む第７電子部品を含み、第７電子部品は実装基板４の第２主面４２に配置され、第１方向Ｄ１からの平面視において第７電子部品が第１電子部品５１と重なってもよい。

　実施形態１～３に係る高周波モジュール１，１ｂはアンテナ端子１７１を有し、通信装置１０のアンテナ３は高周波モジュール１，１ｂのアンテナ端子１７１に接続されるが、これに限られない。例えば、高周波モジュール１，１ｂは、複数のアンテナ端子を備え、通信装置１０は、複数のアンテナ端子の各々に接続されるアンテナを有していてもよい。この場合、高周波モジュール１，１ｂは、複数のアンテナ端子の各々について、送信経路、受信経路、又は送受信経路のいずれかに接続するかを選択するアンテナスイッチを有している。なお、アンテナスイッチは、実施形態３に係る第３スイッチ１８と一体であってもよい。

　本明細書において、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第１主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、第１電子部品５１であるが、第１電子部品５１に限定されない。基板は、例えば、実装基板４である。基板が実装基板４である場合、第１主面は第１主面４１であり、第２主面は第２主面４２である。

　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。

　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）は、実装基板（４）と、第１弾性波フィルタ（１１）と、第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）と、第１シールド電極（６５）と、を備える。実装基板（４）は、互いに対向する第１主面（４１）及び第２主面（４２）を有する。第１弾性波フィルタ（１１）は、実装基板（４）の第１主面（４１）に配置されている。第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）は、第１弾性波フィルタ（１１）上に配置されている。第１弾性波フィルタ（１１）は、ＴＤＤ用の第１通信バンドの送信又は受信に対応する。第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）は、ＴＤＤ用の第２通信バンドの送信又は受信に対応する。第１弾性波フィルタ（１１）と第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）の組合せは、送信に対応したフィルタと受信に対応したフィルタとの組合せである。第１通信バンドと第２通信バンドとは、非同期通信が可能である。第１弾性波フィルタ（１１）は、第１支持部材（６１Ａ）と、第１機能電極（６４１Ａ；６４３Ａ）と、を有する。第１支持部材（６１Ａ）は、第３主面（６１１Ａ）を有する。第１機能電極（６４１Ａ；６４３Ａ）は、第１支持部材（６１Ａ）の第３主面（６１１Ａ）に設けられている。第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）は、第２支持部材（６１Ｂ）と、第２機能電極（６４１Ｂ，６４１Ｃ；６４３Ｂ）と、を有する。第２支持部材（６１Ｂ）は、第４主面（６１１Ｂ）を有する。第２機能電極（６４１Ｂ，６４１Ｃ；６４３Ｂ）は、第２支持部材（６１Ｂ）の第４主面（６１１Ｂ）に設けられている。第１機能電極（６４１Ａ；６４３Ａ）及び第２機能電極（６４１Ｂ，６４１Ｃ；６４３Ｂ）は、中空空間（ＳＰ０）に位置し、かつ、互いに対向している。中空空間（ＳＰ０）は、実装基板（４）の厚さ方向（Ｄ１）において第１支持部材（６１Ａ）と第２支持部材（６１Ｂ）との間に形成されている。第１シールド電極（６５）は、中空空間（ＳＰ０）に位置し、かつ、第１機能電極（６４１Ａ；６４３Ａ）と第２機能電極（６４１Ｂ，６４１Ｃ；６４３Ｂ）との少なくとも一方を覆う。

　上記態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）によれば、第１シールド電極（６５）が第１機能電極（６４１Ａ；６４３Ａ）と第２機能電極（６４１Ｂ，６４１Ｃ；６４３Ｂ）との間の電磁シールドとして機能する。したがって、ＴＤＤによる非同期通信時に、第１弾性波フィルタ（１１）と第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）との間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

　第２の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１の態様において、第１スイッチ（１３）と、第２スイッチ（１４）と、を更に備える。第１スイッチ（１３）は、第１弾性波フィルタ（１１）に接続されている。第２スイッチ（１４）は、第２弾性波フィルタ（１２）に接続されている。

　上記態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１弾性波フィルタ（１１）及び第２弾性波フィルタ（１２）を、送受信フィルタとして用いることができる。また、上記態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１弾性波フィルタ（１１）及び第２弾性波フィルタ（１２）を、同一の通信バンドを用いる複数の外部回路で共有することができる。したがって、高周波モジュール（１）の小型化が可能となる。

　第３の態様に係る高周波モジュール（１）は、第２の態様において、実装基板（４）の第２主面（４２）上に配置されている電子部品（５６）を更に備える。電子部品（５６）は、第１スイッチ（１３）と第２スイッチ（１４）とのうち少なくとも１つを含むＩＣである。

　上記態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１スイッチ（１３）又は第２スイッチ（１４）と、第１弾性波フィルタ（１１）及び第２弾性波フィルタ（１２）とを実装基板（４）の異なる主面に配置する。したがって、第１弾性波フィルタ（１１）と、第２弾性波フィルタ（１２）との間のアイソレーションを向上させることができる。

　第４の態様に係る高周波モジュール（１）では、第３の態様において、電子部品（５６）は、実装基板（４）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、第１弾性波フィルタ（１１）と重なる。

　上記態様に係る高周波モジュール（１）によれば、第１スイッチ（１３）と第１弾性波フィルタ（１１）との間の配線と、第２スイッチ（１４）と第２弾性波フィルタ（１２）との間の配線と、の少なくとも一方を短くすることができる。したがって、第１弾性波フィルタ（１１）を通過する第１通信バンドの信号、及び、第２弾性波フィルタ（１２）を通過する第２通信バンドの信号の信号品質を向上させることが可能となる。すなわち、高周波モジュール（１）では、第１弾性波フィルタ（１１）及び第２弾性波フィルタ（１２）のノイズ耐性が向上する。

　第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）は、第１から第４の態様のいずれかにおいて、樹脂層（６８）と、第２シールド電極（６９）と、を更に備える。樹脂層（６８）は、第１弾性波フィルタ（１１）及び第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）の少なくとも一部を覆う。第２シールド電極（６９）は、樹脂層（６８）の少なくとも一部を覆う。

　上記態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）によれば、第２シールド電極（６９）が、第１機能電極（６４１Ａ；６４３Ａ）及び第２機能電極（６４１Ｂ，６４１Ｃ；６４３Ｂ）と第１弾性波フィルタ（１１）の外及び第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）の外との間の電磁シールドとして機能する。したがって、高周波モジュール（１；１ｂ）を通過する第１通信バンドの信号及び第２通信バンドの信号の信号品質を向上させることが可能となる。すなわち、高周波モジュール（１；１ｂ）では、第１弾性波フィルタ（１１）及び第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）のノイズ耐性が向上する。

　第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）では、第５の態様において、第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）における第１弾性波フィルタ（１１）側とは反対側の第５主面（１２１）は、第２シールド電極（６９）と接触している。

　上記態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）によれば、第１シールド電極（６５）と第２シールド電極（６９）とが、第２機能電極（６４１Ｂ，６４１Ｃ；６４３Ｂ）と第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）の外との間の電磁シールドとして機能する。したがって、第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）を通過する第２通信バンドの信号の信号品質を向上させることが可能となる。すなわち、高周波モジュール（１；１ｂ）では、第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）のノイズ耐性が向上する。

　第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）は、第１から第６の態様のいずれかにおいて、導電体（６６１、６６２）を更に備える。導電体（６６１、６６２）は、第１弾性波フィルタ（１１）と第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）とを接続する。導電体（６６１、６６２）は、第１支持部材（６１Ａ）の第３主面（６１１Ａ）と第２支持部材（６１Ｂ）の第４主面（６１１Ｂ）との間に位置する。第１支持部材（６１Ａ）は、第１支持部材（６１Ａ）の厚さ方向に貫通しているビア導体（６７１）を更に有する。実装基板（４）は、グランド電極を有する。導電体（６６１、６６２）及びビア導体（６７１）は、実装基板（４）のグランド電極に接続される。

　上記態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）によれば、導電体（６６１、６６２）と、ビア導体（６７１）とが、第１機能電極（６４１Ａ；６４３Ａ）と、第１弾性波フィルタ（１１）の外との間の電磁シールドとして機能する。したがって、高周波モジュール（１を）通過する第１通信バンドの信号の信号品質の劣化を抑止することが可能となる。

　第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）では、第１から第７の態様のいずれかにおいて、第１弾性波フィルタ（１１）は、第１パワークラスの信号のフィルタである。第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）は、第１パワークラスよりも最大出力パワーが高い第２パワークラスの信号のフィルタである。

　上記態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）によれば、第１弾性波フィルタ（１１）の発熱よりも第２弾性波フィルタ（１２）の発熱の方が大きい。一方で、第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）からの発熱は、第１シールド電極（６５）によって第１弾性波フィルタ（１１）側への伝搬が妨げられ、実装基板（４）とは反対側に放熱される。したがって、第１弾性波フィルタ（１１）及び第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）の放熱性を向上させることが可能となる。

　第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）では、第１から第８の態様のいずれかにおいて、第１弾性波フィルタ（１１）は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９のフィルタであり、第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）は、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１のフィルタである。

　上記態様に係る高周波モジュール（１；１ｂ）によれば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９とＢａｎｄ４１とを用いたＴＤＤ非同期通信が可能となる。

　第１０の態様に係る通信装置（１０）は、第１から第９の態様のいずれかにおける高周波モジュール（１；１ｂ）と、信号処理回路（２）と、を備える。信号処理回路（２）は、高周波モジュール（１；１ｂ）に接続されている。

　上記態様に係る通信装置（１０）によれば、高周波モジュール（１；１ｂ）において、第１シールド電極（６５）が第１機能電極（６４１Ａ；６４３Ａ）と第２機能電極（６４１Ｂ，６４１Ｃ；６４３Ｂ）との間の電磁シールドとして機能する。したがって、ＴＤＤによる非同期通信時に、第１弾性波フィルタ（１１）と、第２弾性波フィルタ（１２；１２ａ，１２ｂ）との間のアイソレーションを向上させることができる。

　１、１ｂ　高周波モジュール
　１０　通信装置
　１１　第１フィルタ（第１弾性波フィルタ）
　１２　第２フィルタ（第２弾性波フィルタ）
　１２ａ　第２送信フィルタ（第２弾性波フィルタ）
　１２ｂ　第２受信フィルタ（第２弾性波フィルタ）
　１２１　主面（第５主面）
　１３　第１スイッチ
　１３０　共通端子
　１３１　選択端子
　１３２　選択端子
　１４　第２スイッチ
　１４０　共通端子
　１４１　選択端子
　１４２　選択端子
　１５１　パワーアンプ
　１５２　パワーアンプ
　１６１　ローノイズアンプ
　１６２　ローノイズアンプ
　１７　外部接続端子
　１７１　アンテナ端子
　１７２　第１入力端子
　１７３　第２入力端子
　１７４　第１出力端子
　１７５　第２出力端子
　１８　第３スイッチ
　１８０　共通端子
　１８１　選択端子
　１８２　選択端子
　１８３　選択端子
　２　信号処理回路
　２１　ＲＦ信号処理回路
　２２　ベースバンド信号処理回路
　３　アンテナ
　４　実装基板
　４１　第１主面
　４２　第２主面
　５１、５１ａ、５１ｂ　第１電子部品
　５２　第２電子部品
　５３　第３電子部品
　５４　第４電子部品
　５５　第５電子部品
　５６　第６電子部品（電子部品）
　６１Ａ　第１基板（第１支持部材）
　６１１Ａ　主面（第３主面）
　６１２Ａ　主面
　６１Ｂ　第２基板（第２支持部材）
　６１１Ｂ　主面（第４主面）
　６１２Ｂ　主面
　６２Ａ　第１低音速膜
　６２Ｂ　第２低音速膜
　６３Ａ　第１圧電体層
　６３Ｂ　第２圧電体層
　６４１Ａ　第１ＩＤＴ電極（第１機能電極）
　６４１Ｂ　第２ＩＤＴ電極（第２機能電極）
　６４１Ｃ　第３ＩＤＴ電極（第２機能電極）
　６４２Ａ　第１回路部
　６４２Ｂ　第２回路部
　６４３Ａ　第１上部電極（第１機能電極）
　６４３Ｂ　第２上部電極（第２機能電極）
　６４４Ａ　第１圧電体膜
　６４４Ｂ　第２圧電体膜
　６４５Ａ　第１下部電極
　６４５Ｂ　第２下部電極
　６４６Ａ　空洞
　６４６Ｂ　空洞
　６５　第１シールド電極
　６６１　導電体
　６６２　枠体（導電体）
　６７１　ビア導体
　６７２　バンプ
　６８　樹脂層
　６９　第２シールド電極
　Ｄ１　第１方向
　ＳＰ０　中空空間
　ＳＰ１　第１空間
　ＳＰ２　第２空間

Claims

　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
　前記実装基板の前記第１主面に配置されている第１弾性波フィルタと、
　前記第１弾性波フィルタ上に配置されている第２弾性波フィルタと、
　第１シールド電極と、を備え、
　前記第１弾性波フィルタは、ＴＤＤ用の第１通信バンドの送信又は受信に対応し、
　前記第２弾性波フィルタは、ＴＤＤ用の第２通信バンドの送信又は受信に対応し、
　前記第１弾性波フィルタと前記第２弾性波フィルタの組合せは、送信に対応したフィルタと受信に対応したフィルタとの組合せであり、
　前記第１通信バンドと前記第２通信バンドとは、非同期通信が可能であり、
　前記第１弾性波フィルタは、
　　第３主面を有する第１支持部材と、
　　前記第１支持部材の前記第３主面に設けられている第１機能電極と、を有し、
　前記第２弾性波フィルタは、
　　第４主面を有する第２支持部材と、
　　前記第２支持部材の前記第４主面に設けられている第２機能電極と、を有し、
　前記第１機能電極及び前記第２機能電極は、前記実装基板の厚さ方向において前記第１支持部材と前記第２支持部材との間に形成された中空空間に位置し、かつ、互いに対向しており、
　前記第１シールド電極は、前記中空空間に位置し、かつ、前記第１機能電極と前記第２機能電極との少なくとも一方を覆う、
　高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタに接続されている第１スイッチと、
　前記第２弾性波フィルタに接続されている第２スイッチと、
　を更に備える、
　請求項１に記載の高周波モジュール。
　前記実装基板の前記第２主面に配置されている電子部品を更に備え、
　前記電子部品は、前記第１スイッチと前記第２スイッチとのうち少なくとも１つを含むＩＣである、
　請求項２に記載の高周波モジュール。
　前記電子部品は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記第１弾性波フィルタと重なる、
　請求項３に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタ及び前記第２弾性波フィルタの少なくとも一部を覆う樹脂層と、
　前記樹脂層の少なくとも一部を覆う第２シールド電極と、
　を更に備える、
　請求項１から４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第２弾性波フィルタにおける前記第１弾性波フィルタ側とは反対側の第５主面は、前記第２シールド電極と接触している、
　請求項５に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタと前記第２弾性波フィルタとを接続する導電体を更に備え、
　前記導電体は、前記第１支持部材の前記第３主面と前記第２支持部材の前記第４主面との間に位置し、
　前記第１支持部材は、前記第１支持部材の厚さ方向に貫通しているビア導体を更に有し、
　前記実装基板は、グランド電極を有し、
　前記導電体及び前記ビア導体は、前記実装基板のグランド電極に接続される、
　請求項１から６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタは、第１パワークラスの信号のフィルタであり、
　前記第２弾性波フィルタは、前記第１パワークラスよりも最大出力パワーが高い第２パワークラスの信号のフィルタである、
　請求項１から７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　前記第１弾性波フィルタは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３９のフィルタであり、前記第２弾性波フィルタは、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４１のフィルタである、
　請求項１から８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
　請求項１から９のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
　前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、
　を備える、
　通信装置。