WO2022145247A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

高周波モジュール及び通信装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022145247A1
WO2022145247A1 PCT/JP2021/046365 JP2021046365W WO2022145247A1 WO 2022145247 A1 WO2022145247 A1 WO 2022145247A1 JP 2021046365 W JP2021046365 W JP 2021046365W WO 2022145247 A1 WO2022145247 A1 WO 2022145247A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
filter
reception
high frequency
frequency module
mounting board
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/046365
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
広幸 可児
▲琢▼真 黒▲柳▼
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN202180079362.2A priority Critical patent/CN116490973A/zh
Publication of WO2022145247A1 publication Critical patent/WO2022145247A1/ja
Priority to US18/317,363 priority patent/US20230283306A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/50—Structural association of antennas with earthing switches, lead-in devices or lightning protectors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/0003—Software-defined radio [SDR] systems, i.e. systems wherein components typically implemented in hardware, e.g. filters or modulators/demodulators, are implented using software, e.g. by involving an AD or DA conversion stage such that at least part of the signal processing is performed in the digital domain
    • H04B1/0028—Software-defined radio [SDR] systems, i.e. systems wherein components typically implemented in hardware, e.g. filters or modulators/demodulators, are implented using software, e.g. by involving an AD or DA conversion stage such that at least part of the signal processing is performed in the digital domain wherein the AD/DA conversion occurs at baseband stage
    • H04B1/0042—Digital filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0067—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands
    • H04B1/0075—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands using different intermediate frequencied for the different bands
    • H04B1/0078—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands using different intermediate frequencied for the different bands with a common intermediate frequency amplifier for the different intermediate frequencies, e.g. when using switched intermediate frequency filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver

Definitions

  • the present invention generally relates to a high frequency module and a communication device, and more particularly to a high frequency module having a plurality of inductors and a plurality of reception filters, and a communication device including a high frequency module.
  • a high frequency module including an inductor and a filter is known (see, for example, Patent Document 1).
  • a filter unit and an inductor are provided on the front surface of the substrate, and a switch IC is provided on the back surface of the substrate.
  • the switch IC is composed of two switch sections and an amplification section, and the inductor is connected between the switch section and the amplification section.
  • the switch unit has an input terminal and an output terminal, the input terminal is connected to the antenna element, and the output terminal is connected to the input terminal of the filter unit.
  • the total wiring length between the receiving filter and the low noise amplifier becomes long, so that the path loss may become large.
  • the "total wiring length between the reception filter and the low noise amplifier” is the sum of the first reception filter and the low noise amplifier. It is the sum of the wiring length between the two reception filters and the wiring length between the second reception filter and the low noise amplifier.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device capable of shortening the total wiring length between a reception filter and a low noise amplifier.
  • the high frequency module includes a mounting board, a plurality of inductors, a plurality of reception filters, and an IC component.
  • the mounting board has a first main surface and a second main surface facing each other.
  • the plurality of inductors are mounted on the first main surface of the mounting board.
  • the plurality of reception filters are mounted on the first main surface of the mounting board.
  • the IC component is mounted on the second main surface of the mounting board and includes a low noise amplifier.
  • Each of the plurality of inductors corresponds to a reception filter of a part of the plurality of reception filters, and is connected to the corresponding reception filter and the low noise amplifier.
  • the rectangular region where the plurality of inductors are located overlaps with the IC component in a plan view from the thickness direction of the mounting board.
  • the electronic component closest to the side of the rectangular area is at least one of the plurality of reception filters.
  • the communication device includes the high frequency module and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit processes a signal passing through the high frequency module.
  • the total wiring length between the reception filter and the low noise amplifier can be shortened.
  • FIG. 1 is a top view of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a bottom view of the same high frequency module.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line X1-X1 of FIG. 1 in the high frequency module of the same.
  • FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the first modification of the embodiment.
  • FIGS. 1 to 3 and 5 referred to in the following embodiments and the like are schematic views, and the ratio of the size and the thickness of each component in the figure does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. Not always.
  • the high-frequency module 1 includes a plurality of (two in the illustrated example) power amplifiers 11 and a plurality of (two in the illustrated example) transmission filters 12.
  • a plurality of (10 in the illustrated example) receiving filters 2 a plurality of (10 in the illustrated example) low noise amplifiers 3, a plurality of (10 in the illustrated example) inductors 4, a first switch 51, and a second switch. 52 and.
  • the high frequency module 1 includes a mounting substrate 6, a plurality of external connection terminals 7, a first resin layer 81, a second resin layer 82, and a shield layer 83. ..
  • the mounting board 6 is provided with an IC component 13 including a plurality of low noise amplifiers 3, a first switch 51, and a second switch 52.
  • the high frequency module 1 is used, for example, in the communication device 9.
  • the communication device 9 is, for example, a mobile phone such as a smartphone.
  • the communication device 9 is not limited to a mobile phone, and may be, for example, a wearable terminal such as a smart watch.
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting, for example, a 4G (4th generation mobile communication) standard, a 5G (5th generation mobile communication) standard, and the like.
  • the 4G standard is, for example, a 3GPP (Third Generation Partnership Project) LTE (Long Term Evolution) standard.
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting carrier aggregation and dual connectivity, for example.
  • the communication device 9 communicates with a plurality of communication bands. More specifically, the communication device 9 transmits transmission signals of a plurality of communication bands and receives reception signals of a plurality of communication bands.
  • a part of the transmission signal and the reception signal of a plurality of communication bands is an FDD (Frequency Division Duplex) signal.
  • the transmission signal and the reception signal of the plurality of communication bands are not limited to the FDD signal, and may be a TDD (Time Division Duplex) signal.
  • FDD is a wireless communication technique for transmitting and receiving by allocating different frequency bands to transmission and reception in wireless communication.
  • TDD is a wireless communication technique in which the same frequency band is assigned to transmission and reception in wireless communication, and transmission and reception are switched every hour.
  • the plurality of power amplifiers 11 shown in FIG. 4 are amplifiers that amplify transmission signals different from each other.
  • Each power amplifier 11 is provided between the signal input terminal 72 and the transmission filter 12 in the transmission path P1 connecting the antenna terminal 71 and the signal input terminal 72, which will be described later.
  • the power amplifier 11 has an input terminal (not shown) and an output terminal (not shown).
  • the input terminal of the power amplifier 11 is connected to an external circuit (for example, a signal processing circuit 92) via the signal input terminal 72.
  • the output terminal of the power amplifier 11 is connected to the transmission filter 12.
  • the power amplifier 11 is controlled by, for example, a controller (not shown).
  • the power amplifier 11 may be directly or indirectly connected to the transmission filter 12.
  • the power amplifier 11 may be connected to the transmission filter 12 via, for example, an output matching circuit (not shown).
  • the output matching circuit is provided between the power amplifier 11 and the transmission filter 12 in the transmission path P1.
  • the output matching circuit performs impedance matching between the power amplifier 11 and the transmission filter 12.
  • the plurality of transmission filters 12 shown in FIG. 4 are filters that allow transmission signals of different communication bands to pass through. More specifically, the transmission filter 12 is provided between the power amplifier 11 and the first switch 51 in the transmission path P1. The transmission filter 12 passes the transmission signal in the transmission band of the communication band among the high frequency signals amplified by the power amplifier 11.
  • the plurality of reception filters 2 shown in FIG. 4 are filters that allow reception signals of different communication bands to pass through.
  • the plurality of reception filters 2 include the nth reception filter 2 (n is a natural number).
  • the nth reception filter 2 is provided between the first switch 51 and the nth low noise amplifier 3 in the nth reception path P2 connecting the antenna terminal 71 and the signal output terminal 73.
  • the nth reception filter 2 passes the reception signal in the reception band of the nth communication band among the high frequency signals input from the antenna terminal 71.
  • the plurality of low noise amplifiers 3 shown in FIG. 4 are amplifiers that amplify received signals different from each other with low noise.
  • the plurality of low noise amplifiers 3 correspond one-to-one with the plurality of reception paths P2.
  • the plurality of low noise amplifiers 3 include the nth low noise amplifier 3 (n is a natural number).
  • the nth low noise amplifier 3 is provided between the first switch 51 and the signal output terminal 73 in the nth reception path P2.
  • the nth low noise amplifier 3 has an input terminal and an output terminal, and the input terminal of the nth low noise amplifier 3 is connected to the nth inductor 4 described later.
  • the output terminal of the nth low noise amplifier 3 is connected to an external circuit (for example, a signal processing circuit 92) via the signal output terminal 73.
  • the plurality of inductors 4 shown in FIG. 4 are connected to a plurality of reception filters 2 and a plurality of low noise amplifiers 3. More specifically, each of the plurality of inductors 4 corresponds to a part of the reception filters 2 among the plurality of reception filters 2 and is connected to the corresponding reception filters 2. In the example of FIG. 4, the plurality of inductors 4 correspond one-to-one with the plurality of receive filters 2. Further, each of the plurality of inductors 4 corresponds to a part of the low noise amplifiers 3 among the plurality of low noise amplifiers 3 and is connected to the corresponding low noise amplifier 3. In the example of FIG. 4, the plurality of inductors 4 correspond one-to-one with the plurality of low noise amplifiers 3.
  • the plurality of inductors 4 include the nth inductor 4 (n is a natural number).
  • the nth inductor 4 is provided between the nth reception filter 2 and the nth low noise amplifier 3 in the nth reception path P2.
  • the first end of the nth inductor 4 is connected to the nth receive filter 2.
  • the second end of the nth inductor 4 is connected to the nth low noise amplifier 3.
  • Each of the plurality of inductors 4 constitutes a matching circuit for impedance matching between the receiving filter 2 and the low noise amplifier 3.
  • the nth inductor 4 constitutes an nth matching circuit for impedance matching between the nth receiving filter 2 and the nth low noise amplifier 3.
  • the first switch 51 shown in FIG. 4 is a filter (at least of the transmission filter 12 and the reception filter 2) connected to the antenna terminal 71 from among the plurality of transmission filters 12 and the plurality of reception filters 2. Switch one).
  • the first switch 51 is a switch for switching the path connected to the antenna 91.
  • the first switch 51 has a common terminal 511 and a plurality of (8 in the illustrated example) selection terminals 512.
  • the common terminal 511 is connected to the antenna terminal 71.
  • Each of the plurality of selection terminals 512 is connected to at least one of the plurality of transmission filters 12 and the plurality of reception filters 2. More specifically, each selection terminal 512 is connected to at least one of the output terminals of the plurality of transmission filters 12 and the input terminals of the plurality of reception filters 2.
  • the first switch 51 switches the connection state between the common terminal 511 and the plurality of selection terminals 512.
  • the first switch 51 is controlled by, for example, a signal processing circuit 92.
  • the first switch 51 electrically connects the common terminal 511 and at least one of the plurality of selection terminals 512 according to the control signal from the RF signal processing circuit 93 of the signal processing circuit 92.
  • the second switch 52 shown in FIG. 4 switches the low noise amplifier 3 connected to the signal output terminal 73 from among the plurality of low noise amplifiers 3.
  • the second switch 52 is a switch for switching the path connected to the signal output terminal 73.
  • the second switch 52 has a common terminal 521 and a plurality of (10 in the illustrated example) selection terminals 522.
  • the common terminal 521 is connected to the signal output terminal 73.
  • Each of the plurality of selection terminals 522 is connected to the reception filter 2. More specifically, each selection terminal 522 is connected to at least one of the output terminals of the plurality of low noise amplifiers 3.
  • the second switch 52 switches the connection state between the common terminal 521 and the plurality of selection terminals 522.
  • the second switch 52 is controlled by, for example, a signal processing circuit 92.
  • the second switch 52 electrically connects the common terminal 521 and at least one of the plurality of selection terminals 522 according to the control signal from the RF signal processing circuit 93 of the signal processing circuit 92.
  • the plurality of external connection terminals 7 are terminals for electrically connecting to an external circuit (for example, a signal processing circuit 92).
  • the plurality of external connection terminals 7 include an antenna terminal 71, a plurality of (two in the illustrated example) signal input terminals 72, a signal output terminal 73, and a ground terminal (not shown).
  • the antenna terminal 71 is connected to the antenna 91.
  • the antenna terminal 71 is connected to the first switch 51. Further, the antenna terminal 71 is connected to the plurality of transmission filters 12 and the plurality of reception filters 2 via the first switch 51.
  • the signal input terminal 72 is a terminal in which a transmission signal from an external circuit (for example, a signal processing circuit 92) is input to the high frequency module 1.
  • the signal input terminal 72 corresponds to at least one of the plurality of power amplifiers 11 and is connected to the corresponding power amplifier 11.
  • the signal output terminal 73 is a terminal in which received signals from a plurality of low noise amplifiers 3 are output to an external circuit (for example, a signal processing circuit 92).
  • the signal output terminal 73 is connected to a plurality of low noise amplifiers 3 via the second switch 52.
  • the high frequency module 1 includes a mounting substrate 6, a plurality of external connection terminals 7, a first resin layer 81, a second resin layer 82, and a shield layer 83.
  • the high frequency module 1 can be electrically connected to an external board (not shown).
  • the external board corresponds to, for example, a mother board of a mobile phone, a communication device, or the like.
  • the high frequency module 1 can be electrically connected to the external board not only when the high frequency module 1 is directly mounted on the external board but also when the high frequency module 1 is indirectly mounted on the external board. Including the case where it is done.
  • the case where the high frequency module 1 is indirectly mounted on the external board is a case where the high frequency module 1 is mounted on another high frequency module mounted on the external board.
  • the mounting board 6 has a first main surface 61 and a second main surface 62, as shown in FIG.
  • the first main surface 61 and the second main surface 62 face each other in the thickness direction D1 of the mounting substrate 6.
  • the second main surface 62 faces the external substrate when the high frequency module 1 is provided on the external substrate (not shown).
  • the mounting board 6 is a double-sided mounting board on which electronic components are mounted on each of the first main surface 61 and the second main surface 62.
  • the mounting board 6 is a multilayer board in which a plurality of dielectric layers are laminated.
  • the mounting substrate 6 has a plurality of conductive layers 63 and a plurality of through electrodes 64.
  • the plurality of conductive layers 63 include a ground layer set to a ground potential.
  • the plurality of through electrodes 64 are used for electrical connection between the elements (including the above-mentioned electronic components) mounted on the first main surface 61 and the second main surface 62 and the conductive layer 63 of the mounting substrate 6. .. Further, the plurality of through electrodes 64 are electrically connected to the element mounted on the first main surface 61 and the element mounted on the second main surface 62, and are externally connected to the conductive layer 63 of the mounting substrate 6. It is used for electrical connection with the terminal 7.
  • a plurality of power amplifiers 11 (see FIG. 4), a plurality of transmission filters 12, a plurality of reception filters 2, and a plurality of inductors 4 are arranged on the first main surface 61 of the mounting board 6.
  • a plurality of low noise amplifiers 3 and a first switch 51 are arranged on the second main surface 62 of the mounting board 6. Further, a plurality of external connection terminals 7 are arranged on the second main surface 62 of the mounting board 6.
  • the power amplifier 11 is mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6. A part of the power amplifier 11 may be mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6, and the rest of the power amplifier 11 may be mounted on the mounting board 6. In short, the power amplifier 11 is located on the first main surface 61 side of the second main surface 62 on the mounting board 6, and has at least a portion mounted on the first main surface 61.
  • Each of the plurality of transmission filters 12 is, for example, an elastic wave filter including a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) filter that utilizes a surface acoustic wave.
  • each transmit filter 12 may include at least one of an inductor and a capacitor connected in series with any one of the plurality of series arm resonators, or an inductor or an inductor connected in series with any one of the plurality of parallel arm resonators. It may include a capacitor.
  • each transmission filter 12 is mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6.
  • each transmission filter 12 is mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6.
  • a part of the transmission filter 12 may be mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6, and the rest of the transmission filter 12 may be mounted on the mounting board 6.
  • each transmission filter 12 is arranged on the first main surface 61 side of the second main surface 62 on the mounting board 6, and has at least a portion mounted on the first main surface 61.
  • the transmission filter 12 shown as "Txn" (n is a natural number) in FIG. 1 means a transmission filter provided in the transmission path P1 (see FIG. 4) of the Bandn transmission signal.
  • the transmission filter 12 shown as “Tx1” means a transmission filter provided in the transmission path P1 of the transmission signal of Band1.
  • Each of the plurality of receiving filters 2 is, for example, an elastic wave filter including a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a SAW filter that utilizes a surface acoustic wave.
  • each receive filter 2 may include at least one of an inductor and a capacitor connected in series with any one of the plurality of series arm resonators, or an inductor or an inductor connected in series with any one of the plurality of parallel arm resonators. It may include a capacitor.
  • the plurality of reception filters 2 are arranged on the first main surface 61 of the mounting board 6.
  • each reception filter 2 is mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6.
  • a part of the reception filter 2 may be mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6, and the rest of the reception filter 2 may be mounted on the mounting board 6.
  • the receiving filter 2 is arranged on the first main surface 61 side of the second main surface 62 on the mounting board 6, and has at least a portion mounted on the first main surface 61.
  • the reception filter 2 shown as "Rxn” (n is a natural number) in FIG. 1 means a reception filter provided in the reception path P2 (see FIG. 4) of the Bandn reception signal.
  • the reception filter 2 indicated by “Rx30” means a reception filter provided in the reception path P2 of the reception signal of the Band 30.
  • the reception filter 2 indicated as "Rx1 / 3/25/66” means a reception filter provided in the reception path P2 of the reception signals of Band1, Band3, Band25 and Band66.
  • each inductor 4 is mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6, as shown in FIGS. 1 and 3.
  • each inductor 4 is mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6.
  • a part of the inductor 4 may be mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6, and the rest of the inductor 4 may be mounted on the mounting board 6.
  • each inductor 4 is arranged on the first main surface 61 side of the second main surface 62 on the mounting board 6, and has at least a portion mounted on the first main surface 61.
  • the inductor 4 shown as “Ln” (n is a natural number) in FIG. 1 means an inductor provided in the reception path P2 (see FIG. 4) of the Bandn reception signal.
  • the inductor 4 shown as “L1” means an inductor provided in the reception path P2 of the reception signal of Band1.
  • an IC component 13 including a plurality of low noise amplifiers 3, a first switch 51, and a second switch 52 is configured. That is, the IC component 13 includes a plurality of low noise amplifiers 3, a first switch 51, and a second switch 52.
  • the IC component 13 is mounted on the second main surface 62 of the mounting board 6.
  • the IC component 13 is arranged, for example, on the second main surface 62 of the mounting board 6.
  • a part of the IC component 13 may be arranged on the second main surface 62 of the mounting board 6, and the rest of the IC component 13 may be housed in the mounting board 6.
  • the IC component 13 is located on the second main surface 62 side of the first main surface 61 on the mounting board 6, and has at least a portion mounted on the second main surface 62.
  • the plurality of external connection terminals 7 are terminals for electrically connecting the mounting board 6 and the external board (not shown). As shown in FIG. 4, the plurality of external connection terminals 7 include an antenna terminal 71, a plurality of signal input terminals 72, a signal output terminal 73, and a ground terminal (not shown).
  • the plurality of external connection terminals 7 are arranged on the second main surface 62 side of the mounting board 6.
  • the plurality of external connection terminals 7 are columnar (for example, columnar) electrodes provided on the second main surface 62 of the mounting substrate 6.
  • the material of the plurality of external connection terminals 7 is, for example, a metal (for example, copper, a copper alloy, etc.).
  • Each of the plurality of external connection terminals 7 has a base end portion joined to the second main surface 62 of the mounting board 6 and a tip end portion on the opposite side to the base end portion in the thickness direction D1 of the mounting board 6.
  • the tip of each of the plurality of external connection terminals 7 may include, for example, a gold plating layer.
  • the high frequency module 1 is provided with a plurality of external connection terminals 7 from the viewpoint of mountability of the high frequency module 1 on a mother board (not shown), a large number of ground terminals of the high frequency module 1, and the like.
  • the first resin layer 81 is arranged on the first main surface 61 of the mounting substrate 6.
  • the first resin layer 81 covers a plurality of transmission filters 12, a plurality of reception filters 2, and a plurality of inductors 4.
  • the first resin layer 81 covers the outer peripheral surface of the electronic component (transmission filter 12, reception filter 2, inductor 4) and the main surface of the electronic component on the side opposite to the mounting board 6 side.
  • the first resin layer 81 contains a resin (for example, an epoxy resin).
  • the first resin layer 81 may contain a filler in addition to the resin.
  • the second resin layer 82 covers the IC component 13 mounted on the second main surface 62 of the mounting board 6 and the outer peripheral surface of each of the plurality of external connection terminals 7.
  • the second resin layer 82 contains a resin (for example, an epoxy resin).
  • the second resin layer 82 may contain a filler in addition to the resin.
  • the material of the second resin layer 82 may be the same material as the material of the first resin layer 81, or may be a different material.
  • the shield layer 83 covers the first resin layer 81.
  • the shield layer 83 has conductivity.
  • the shield layer 83 is provided for the purpose of electromagnetic shielding inside and outside the high frequency module 1.
  • the shield layer 83 has a multi-layer structure in which a plurality of metal layers are laminated, but the shield layer 83 is not limited to this and may be one metal layer.
  • the metal layer contains one or more metals.
  • the shield layer 83 covers the main surface of the first resin layer 81 opposite to the mounting substrate 6 side, the outer peripheral surface of the first resin layer 81, and the outer peripheral surface of the mounting substrate 6.
  • the shield layer 83 also covers the outer peripheral surface of the second resin layer 82.
  • the shield layer 83 is in contact with at least a part of the outer peripheral surface of the ground layer of the mounting substrate 6. Thereby, the potential of the shield layer 83 can be made the same as the potential of the ground layer.
  • a rectangular region A1 is formed as a region in which a plurality of inductors 4 are located.
  • the rectangular region A1 is the smallest rectangular region in which the first inductor 4A and the second inductor 4B of the plurality of inductors 4 are diagonally located.
  • the rectangular region A1 is the smallest rectangular region formed so as to surround the outer periphery of the first inductor 4A and the second inductor 4B.
  • the rectangular area A1 is an area surrounded by four sides A21 to A24.
  • the side A21 is located on the left edge of the leftmost inductor 4 among the plurality of inductors 4 in the first direction D21.
  • the side A22 is located on the lower edge of the lowermost inductor 4 among the plurality of inductors 4 in the second direction D22.
  • the side A23 is located on the right edge of the rightmost inductor 4 among the plurality of inductors 4 in the first direction D21.
  • the side A24 is located on the upper edge of the uppermost inductor 4 among the plurality of inductors 4 in the second direction D22.
  • the side A21 is the inductor 4 of Band 1 (“L1” in FIG. 1), the inductor 4 of Band 66 (“L66” in FIG. 1), the inductor 4 of Band 3 (“L3” in FIG. 1), and Band 25. Is located on the left edge of the inductor 4 (“L25” in FIG. 1), the inductor 4 of Band 30 (“L30” in FIG. 1) and the inductor 4 of Band 7 (“L7” in FIG. 1).
  • the side A22 is located on the lower edge of the inductor 4 of the Band 7 and the inductor 4 of the Band 41 (“L41” in FIG. 1).
  • Side A23 is the inductor 4 of Band 34 (“L34” in FIG.
  • the rectangular region A1 in which the plurality of inductors 4 are located on the first main surface 61 of the mounting board 6 is the IC component 13 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 6.
  • the rectangular region A1 overlaps with the IC component 13 in the plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 6 means the rectangular region in the plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 6.
  • the rectangular region A1 overlaps with the IC component 13 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 6
  • the rectangular region A1 is at least a part of the IC component 13.
  • the distance between the inductor 4 and the low noise amplifier 3 can be shortened in each of the plurality of inductors 4, so that the total wiring length between the inductor 4 and the low noise amplifier 3 can be shortened.
  • the sum of the wiring lengths between the inductor 4 and the low noise amplifier 3 is the sum of the wiring lengths between the inductor 4 and the low noise amplifier 3 corresponding to the inductor 4 in each of the plurality of inductors 4. Is. In FIG. 4, for 10 inductors 4, it is the sum of the wiring lengths between the inductor 4 and the low noise amplifier 3.
  • the electronic component closest to the side of the rectangular area A1 is at least one of the plurality of reception filters 2.
  • the reception filter 2 is located closest to the three sides A21 to A23 of the four sides A21 to A24 of the rectangular area A1.
  • the reception filter 2 of Band1, Band3, Band25 and Band66 (“Rx1 / 3/25/66” in FIG. 1) and the reception filter 2 of Band30 (in FIG. 1) are located closest to the side A21.
  • “Rx30”) is located.
  • the reception filter 2 of Band 7 and Band 41 (“Rx7 / 41” in FIG. 1) is located closest to the side A22.
  • the reception filter 2 of Band 34 and Band 39 (“Rx34 / 39” in FIG. 1) and the reception filter 2 of Band 40 (“Rx40” in FIG. 1) are located closest to the side A23.
  • the distance between the inductor 4 and the low noise amplifier 3 can be shortened in each of the plurality of inductors 4, so that the total wiring length between the receiving filter 2 and the inductor 4 can be shortened.
  • the total wiring length between the receiving filter 2 and the inductor 4" means the wiring length between the receiving filter 2 and the inductor 4 corresponding to the receiving filter 2 in each of the plurality of receiving filters 2. Is the sum of. In FIG. 4, for 10 receive filters 2, it is the sum of the wiring lengths between the receive filter 2 and the inductor 4.
  • the electronic component closest to the side of the rectangular region A1 is not only the receiving filter 2 separated from the sides A21 to A24 of the rectangular region A1 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 6, but also the mounting board 6. Also includes a receive filter 2 that overlaps at least one of the sides A21 to A24 of the rectangular region A1 in a plan view from the thickness direction D1. In other words, the reception filter 2 whose part is partially located in the rectangular region A1 is also an electronic component closest to the side of the rectangular region A1.
  • the reception filter 2 overlaps the two sides of the rectangular region A1 in the plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 6, the reception filter 2 overlaps the reception filter 2 of the two sides. It is the electronic component closest to the longer side of the part.
  • the reception filter 2 that overlaps with the first switch 51 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 6 has the highest frequency among the plurality of reception filters 2. It is a filter that passes signals.
  • the reception filter 2 (“Rx7 / 41” in FIG. 1) of Band 7 (2620 MHz to 2690 MHz) having the highest frequency is the first switch 51 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 6. It overlaps with.
  • At least one of the plurality of reception filters 2 is arranged between the rectangular region A1 and the transmission filter 12 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 6.
  • the reception filter 2 of Band1, Band3, Band25 and Band66 (“Rx1 / 3/25/66” in FIG. 1) and the reception filter 2 of Band30 (“Rx30” in FIG. 1) are rectangular. It is arranged between the area A1 and the transmission filter 12.
  • the distance between the transmission path P1 provided with the transmission filter 12 and the inductor 4 provided with the reception path P2 can be lengthened, so that the internal wiring of the transmission path P1 and the inside of the reception path P2 can be increased. It can be separated from the wiring. As a result, the isolation between the transmission path P1 and the reception path P2 can be improved. Further, for example, by forming a metal film on the reception filter 2, the reception filter 2 can shield the reception filter 2, so that deterioration of the reception NF due to transmission can be reduced.
  • the plurality of reception filters 2 include the FDD reception filter 2 and the TDD reception filter 2.
  • the FDD reception filter 2 is provided between the transmission filter 12 and the plurality of inductors 4.
  • the TDD reception filter 2 is provided between the plurality of inductors 4 and the shield layer 83 (see FIG. 3).
  • the reception filter 2 of the FDD communication bands Band 1, Band 3, Band 25 and Band 66 (“Rx1 / 3/25/66” in FIG. 1)
  • the reception filter 2 of Band 30 (“Rx1 / 3/25/66” in FIG. 1)
  • the reception filter 2 of Band 30 (“Rx1 / 3/25/66” in FIG. 1)
  • Rx30 is provided between the transmission filter 12 and the plurality of inductors 4.
  • the receive filter 2 of Band 34 and Band 39 (“Rx34 / 39” in FIG. 1) and the receive filter 2 of Band 40 (“Rx40” in FIG. 1) which are TDD communication bands, have a plurality of inductors 4 and a shield layer. It is provided between 83 (see FIG. 3).
  • the FDD reception filter 2 can be positioned near the transmission filter 12 of the same communication band.
  • the reception filter 2 of Band 1, Band 3, Band 25 and Band 66 which are the communication bands of FDD, is used as the transmission filter 12 of Band 1 (“Tx1” in FIG. 1) and the transmission filter 12 of Band 3 (“Tx3” in FIG. 1). ) Can be located near.
  • the mounting board 6 shown in FIGS. 1 to 3 is, for example, a multilayer board including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductive layers 63. ..
  • the plurality of dielectric layers and the plurality of conductive layers 63 are laminated in the thickness direction D1 of the mounting substrate 6.
  • the plurality of conductive layers 63 are formed in a predetermined pattern defined for each layer.
  • Each of the plurality of conductive layers 63 includes one or a plurality of conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting substrate 6.
  • the material of each conductive layer 63 is, for example, copper.
  • the plurality of conductive layers 63 include a ground layer.
  • the mounting substrate 6 is, for example, an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate.
  • the mounting substrate 6 is not limited to the LTCC substrate, and may be, for example, a printed wiring board, an HTCC (High Temperature Co-fired Ceramics) substrate, or a resin multilayer substrate.
  • the mounting board 6 is not limited to the LTCC board, and may be, for example, a wiring structure.
  • the wiring structure is, for example, a multi-layer structure.
  • the multilayer structure includes at least one insulating layer and at least one conductive layer.
  • the insulating layer is formed in a predetermined pattern. When there are a plurality of insulating layers, the plurality of insulating layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • the conductive layer is formed in a predetermined pattern different from the predetermined pattern of the insulating layer. When there are a plurality of conductive layers, the plurality of conductive layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • the conductive layer may include one or more rewiring portions.
  • the first surface is the first main surface 61 of the mounting board 6, and the second surface is the second main surface 62 of the mounting board 6.
  • the wiring structure may be, for example, an interposer.
  • the interposer may be an interposer using a silicon substrate or a substrate composed of multiple layers.
  • the first main surface 61 and the second main surface 62 of the mounting board 6 are separated in the thickness direction D1 of the mounting board 6 and intersect with the thickness direction D1 of the mounting board 6.
  • the first main surface 61 of the mounting board 6 is, for example, orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting board 6, but may include, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1.
  • the second main surface 62 of the mounting board 6 is orthogonal to, for example, the thickness direction D1 of the mounting board 6, but includes, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1. You may. Further, the first main surface 61 and the second main surface 62 of the mounting substrate 6 may be formed with fine irregularities, concave portions or convex portions.
  • the filter is a 1-chip filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the filter includes, for example, a substrate, a piezoelectric layer, and a plurality of IDT electrodes (Interdigital Transducers).
  • the substrate has a first surface and a second surface.
  • the piezoelectric layer is provided on the first surface of the substrate.
  • the piezoelectric layer is provided on the bass velocity film.
  • the plurality of IDT electrodes are provided on the piezoelectric layer.
  • the bass sound film is directly or indirectly provided on the substrate. Further, the piezoelectric layer is provided directly or indirectly on the bass velocity film.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass film is slower than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the speed of sound of the bulk wave propagating on the substrate is faster than the speed of sound of the elastic wave propagating on the piezoelectric layer.
  • the material of the piezoelectric layer is, for example, lithium tantalate.
  • the material of the low sound velocity film is, for example, silicon oxide.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the thickness of the piezoelectric layer is, for example, 3.5 ⁇ or less when the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger cycle of the IDT electrode is ⁇ .
  • the thickness of the bass sound film is, for example, 2.0 ⁇ or less.
  • the piezoelectric layer may be formed of, for example, lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate.
  • the bass velocity film may contain at least one material selected from the group consisting of silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, and a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide.
  • the substrate is made of silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cozilite, mulite, steatite, forsterite, magnesia and diamond. It suffices to contain at least one material selected from the group.
  • the filter further includes, for example, a spacer layer and a cover member.
  • the spacer layer and the cover member are provided on the first surface of the substrate.
  • the spacer layer surrounds a plurality of IDT electrodes in a plan view from the thickness direction of the substrate.
  • the spacer layer has a frame shape (rectangular frame shape) in a plan view from the thickness direction of the substrate.
  • the spacer layer has electrical insulation.
  • the material of the spacer layer is, for example, a synthetic resin such as an epoxy resin or a polyimide.
  • the cover member has a flat plate shape.
  • the cover member has a rectangular shape in a plan view from the thickness direction of the substrate, but is not limited to this, and may be, for example, a square shape.
  • the outer size of the cover member, the outer size of the spacer layer, and the outer size of the cover member are substantially the same in a plan view from the thickness direction of the substrate.
  • the cover member is arranged on the spacer layer so as to face the substrate in the thickness direction of the substrate.
  • the cover member overlaps with the plurality of IDT electrodes in the thickness direction of the substrate and is separated from the plurality of IDT electrodes in the thickness direction of the substrate.
  • the cover member has electrical insulation.
  • the material of the cover member is, for example, a synthetic resin such as epoxy resin and polyimide.
  • the filter has a space surrounded by a substrate, a spacer layer, and a cover member. In the filter, the space contains gas.
  • the gas is, for example, air, an inert gas (for example, nitrogen gas) or the like.
  • the plurality of terminals are exposed from the cover member.
  • Each of the plurality of terminals is, for example, a bump.
  • Each bump is, for example, a solder bump.
  • Each bump is not limited to the solder bump, and may be, for example, a gold bump.
  • the filter may include, for example, an adhesion layer interposed between the bass speed film and the piezoelectric layer.
  • the adhesion layer is made of, for example, a resin (epoxy resin, polyimide resin).
  • the filter may be provided with a dielectric film either between the low sound velocity film and the piezoelectric layer, on the piezoelectric layer, or below the low sound velocity film.
  • the filter may include, for example, a high sound velocity film interposed between the substrate and the low sound velocity film.
  • the high sound velocity film is directly or indirectly provided on the substrate.
  • the low sound velocity film is provided directly or indirectly on the high sound velocity film.
  • the piezoelectric layer is provided directly or indirectly on the bass velocity film.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating in the treble membrane is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the bass film the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass film is slower than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the treble film is diamond-like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, steatite. , Various ceramics such as forsterite, magnesia, diamond, a material containing each of the above materials as a main component, and a material containing a mixture of the above materials as a main component.
  • the piezoelectric substrate may have an adhesion layer, a dielectric film, or the like as a film other than the high sound velocity film, the low sound velocity film, and the piezoelectric layer.
  • Each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is not limited to the above-mentioned elastic wave resonators, and may be, for example, a SAW resonator or a BAW (Bulk Acoustic Wave) resonator.
  • the SAW resonator includes, for example, a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate.
  • the filter has a plurality of IDTs having a one-to-one correspondence with the plurality of series arm resonators on one piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or the like.
  • the power amplifier 11, which is not shown in FIGS. 1 to 3, is, for example, a one-chip IC including a substrate and an amplification function unit.
  • the substrate has a first surface and a second surface facing each other.
  • the substrate is, for example, a gallium arsenide substrate.
  • the amplification function unit includes at least one transistor formed on the first surface of the substrate.
  • the amplification function unit is a function unit having a function of amplifying a transmission signal in a predetermined frequency band.
  • the transistor is, for example, an HBT (Heterojunction Bipolar Transistor).
  • HBT Heterojunction Bipolar Transistor
  • the power amplifier 11 may include, for example, a capacitor for cutting DC in addition to the amplification function unit.
  • the power amplifier 11 is, for example, flip-chip mounted on the first main surface 61 of the mounting board 6 so that the first surface of the board is on the first main surface 61 side of the mounting board 6.
  • the outer peripheral shape of the power amplifier 11 is a square shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 6.
  • the IC component 13 shown in FIG. 2 includes a plurality of low noise amplifiers 3, a first switch 51, and a second switch 52.
  • the outer peripheral shape of the IC component 13 is a square shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 6.
  • the plurality of low noise amplifiers 3 are, for example, one IC component including a substrate and an amplification function unit.
  • the substrate has a first surface and a second surface facing each other.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the amplification function unit is formed on the first surface of the substrate.
  • the amplification function unit is a function unit having a function of amplifying a received signal in a predetermined frequency band.
  • the low noise amplifier 3 is, for example, flip-chip mounted on the second main surface 62 of the mounting board 6 so that the first surface of the board is on the second main surface 62 side of the mounting board 6.
  • the first switch 51 shown in FIG. 2 is, for example, a one-chip IC including a board and a switch function unit.
  • the substrate has a first surface and a second surface facing each other.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the switch function unit includes a FET (Field Effect Transistor) formed on the first surface of the substrate.
  • the switch function unit is a function unit having a function of switching the connection state.
  • the first switch 51 is flip-chip mounted on the second main surface 62 of the mounting board 6 so that the first surface of the board is on the second main surface 62 side of the mounting board 6.
  • the second switch 52 shown in FIG. 2 is, for example, a one-chip IC including a substrate and a switch function unit.
  • the substrate has a first surface and a second surface facing each other.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the switch function unit includes a FET (Field Effect Transistor) formed on the first surface of the substrate.
  • the switch function unit is a function unit having a function of switching the connection state.
  • the second switch 52 is flip-chip mounted on the second main surface 62 of the mounting board 6 so that the first surface of the board is on the second main surface 62 side of the mounting board 6.
  • the communication device 9 includes a high frequency module 1, an antenna 91, and a signal processing circuit 92.
  • the antenna 91 is connected to the antenna terminal 71 of the high frequency module 1.
  • the antenna 91 has a transmission function of radiating a transmission signal output from the high frequency module 1 by radio waves and a reception function of receiving the received signal as radio waves from the outside and outputting the reception signal to the high frequency module 1.
  • the signal processing circuit 92 includes an RF signal processing circuit 93 and a baseband signal processing circuit 94.
  • the signal processing circuit 92 processes a signal passing through the high frequency module 1. More specifically, the signal processing circuit 92 processes the transmitted signal and the received signal.
  • the RF signal processing circuit 93 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • RFIC Radio Frequency Integrated Circuit
  • the RF signal processing circuit 93 performs signal processing on the high frequency signal output from the baseband signal processing circuit 94, and outputs the processed high frequency signal to the high frequency module 1. Specifically, the RF signal processing circuit 93 performs signal processing such as up-conversion on the transmission signal output from the baseband signal processing circuit 94, and transmits the signal-processed transmission signal to the high-frequency module 1. Output to path P1.
  • the RF signal processing circuit 93 performs signal processing on the high frequency signal output from the high frequency module 1, and outputs the processed high frequency signal to the baseband signal processing circuit 94. Specifically, the RF signal processing circuit 93 performs signal processing on the received signal output from the reception path P2 of the high frequency module 1, and outputs the processed received signal to the baseband signal processing circuit 94. do.
  • the baseband signal processing circuit 94 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit), and performs predetermined signal processing on a transmission signal from the outside of the signal processing circuit 92.
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 94 is used, for example, as an image signal for displaying an image or as an audio signal for a call.
  • the RF signal processing circuit 93 also has a function as a control unit that controls the connection of the first switch 51 and the second switch 52 of the high frequency module 1 based on the communication band (frequency band) used. Specifically, the RF signal processing circuit 93 switches the connection between the first switch 51 and the second switch 52 of the high frequency module 1 by a control signal (not shown).
  • the control unit may be provided outside the RF signal processing circuit 93, and may be provided, for example, in the high frequency module 1 or the baseband signal processing circuit 94.
  • the rectangular region A1 including the plurality of inductors 4 overlaps with the IC component 13 including the low noise amplifier 3 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 6.
  • the sides of the rectangular area A1 (sides A21 to A21 in the example of FIG. 1).
  • the electronic component closest to A23) is at least one of the plurality of receive filters 2.
  • the IC component 13 includes a first switch 51 for switching the reception filter 2 connected to the antenna terminal 71 from among the plurality of reception filters 2.
  • the IC component 13 includes a second switch 52 for switching the low noise amplifier 3 connected to the signal output terminal 73 from among the plurality of low noise amplifiers 3.
  • the high frequency module 1 can be downsized as compared with the case where the second switch 52 is provided separately from the first switch 51.
  • the reception filter 2 overlapping with the first switch 51 is a filter that passes the reception signal having the highest frequency among the plurality of reception filters 2.
  • the rectangular region A1 is the smallest rectangular region in which the first inductor 4A and the second inductor 4B are diagonally located, and the plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 6
  • the rectangular region A1 overlaps with the IC component 13.
  • the high frequency module 1 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 6, at least one of the plurality of receiving filters 2 is located between the rectangular region A1 including the plurality of inductors 4 and the transmitting filter 12. Have been placed.
  • the distance between the transmission path P1 provided with the transmission filter 12 and the inductor 4 provided with the reception path P2 can be lengthened, so that the internal wiring of the transmission path P1 and the inside of the reception path P2 can be increased. It can be separated from the wiring.
  • the isolation between the transmission path P1 and the reception path P2 can be improved.
  • the reception filter 2 can shield the reception filter 2, so that deterioration of the reception NF due to transmission can be reduced.
  • the FDD reception filter is provided between the transmission filter 12 and the plurality of inductors 4, and the TDD reception filter 2 is provided between the plurality of inductors 4 and the shield layer 83. Has been done. As a result, the FDD reception filter 2 can be positioned near the transmission filter 12 of the same communication band.
  • the side of the rectangular area A1 (FIG. 1).
  • the electronic component closest to the sides A21 to A23) is at least one of the plurality of receiving filters 2.
  • the high frequency module 1a may include a plurality of external connection terminals 7a as shown in FIG. 5 instead of the plurality of external connection terminals 7 (see FIG. 3).
  • the plurality of external connection terminals 7a have a bump structure instead of a columnar electrode.
  • the plurality of external connection terminals 7a are arranged on the second main surface 62 of the mounting board 6.
  • the second resin layer 82 (see FIG. 3) is omitted.
  • the inductor 4 and the shield layer 83 can be separated from each other in all four sides A21 to A24 of the rectangular region A1. It is possible to reduce the deterioration of the Q value due to the interference with.
  • each of the plurality of transmission filters 12 is not limited to the surface acoustic wave filter, and may be a filter other than the surface acoustic wave filter.
  • the transmission filter 12 may be, for example, any of an elastic wave filter using BAW (Bulk Acoustic Wave), an LC resonance filter, and a dielectric filter.
  • the high frequency module according to each of the above modifications has the same effect as the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • A is mounted on the first main surface of the mounting board
  • A is not only mounted directly on the first main surface of the mounting board but also mounted. It means that A is arranged in the space on the first main surface side among the space on the first main surface side and the space on the second main surface side separated by the substrate. That is, it includes that A is mounted on the first main surface via other circuit elements, electrodes, and the like.
  • the high frequency module (1; 1a) includes a mounting board (6), a plurality of inductors (4), a plurality of receiving filters (2), and an IC component (13).
  • the mounting board (6) has a first main surface (61) and a second main surface (62) facing each other.
  • the plurality of inductors (4) are mounted on the first main surface (61) of the mounting board (6).
  • the plurality of reception filters (2) are mounted on the first main surface (61) of the mounting board (6).
  • the IC component (13) is mounted on the second main surface (62) of the mounting board (6) and includes a low noise amplifier (3).
  • Each of the plurality of inductors (4) corresponds to a part of the receive filters (2) among the plurality of receive filters (2) and is connected to the corresponding receive filters (2) and low noise amplifier (3). ..
  • the rectangular region (A1) in which the plurality of inductors (4) are located overlaps with the IC component (13) in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (6).
  • the electronic component closest to the side of the rectangular area (A1) is at least one of the plurality of reception filters (2). It is one.
  • the total wiring length between the receiving filter (2) and the inductor (4) can be shortened, and the inductor (4) and the low noise can be shortened. Since the total wiring length between the amplifier (3) and the low noise amplifier (3) can be shortened, the total wiring length between the receiving filter (2) and the low noise amplifier (3) can be shortened. As a result, wiring loss can be reduced.
  • the high frequency module (1; 1a) according to the second aspect further includes an antenna terminal (71) in the first aspect.
  • the IC component (13) further includes a first switch (51).
  • the first switch (51) switches the reception filter (2) connected to the antenna terminal (71) from among the plurality of reception filters (2).
  • the total wiring length between the first switch (51) and the reception filter (2) can be shortened, so that the reception filter (2) can be shortened. And the total wiring length between the low noise amplifier (3) and the low noise amplifier (3) can be further shortened. As a result, wiring loss can be further reduced.
  • the high frequency module (1; 1a) further includes a signal output terminal (73) in the second aspect.
  • the signal output terminal (73) is a terminal on which a received signal is output to an external circuit.
  • the IC component (13) includes a plurality of low noise amplifiers (3).
  • the IC component (13) further includes a second switch (52). The second switch (52) switches the low noise amplifier (3) connected to the signal output terminal (73) from among the plurality of low noise amplifiers (3).
  • the high frequency module (1; 1a) is smaller than the case where the second switch (52) is provided separately from the first switch (51). Can be achieved.
  • the reception filter (2) that overlaps with the first switch (51) is a filter that passes the reception signal having the highest frequency among the plurality of reception filters (2).
  • the wiring length in the reception filter (2) which is easily affected by wiring loss, can be shortened.
  • the plurality of inductors (4) are the first inductor (4A) and the second inductor (4B). And, including.
  • the rectangular region (A1) is the smallest rectangular region in which the first inductor (4A) and the second inductor (4B) are diagonally located.
  • the rectangular region (A1) overlaps with the IC component (13) in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (6).
  • the total wiring length between the inductor (4) and the low noise amplifier (3) can be further shortened, so that the reception filter (2) and the reception filter (2) can be used.
  • the total wiring length with the low noise amplifier (3) can be further shortened. As a result, wiring loss can be further reduced.
  • the high frequency module (1; 1a) further includes a transmission filter (12) in any one of the first to fifth aspects.
  • the transmission filter (12) is mounted on the first main surface (61) of the mounting board (6).
  • At least one of the plurality of reception filters (2) is arranged between the rectangular region (A1) and the transmission filter (12) in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (6). ..
  • the high frequency module (1; 1a) according to the sixth aspect, between the transmission path (P1) provided with the transmission filter (12) and the inductor (4) provided with the reception path (P2). Since the distance between the two can be increased, the internal wiring of the transmission path (P1) and the internal wiring of the reception path (P2) can be separated from each other. As a result, the isolation between the transmission path (P1) and the reception path (P2) can be improved. Further, for example, by forming a metal film on the reception filter (2), the reception filter (2) can be shielded, so that deterioration of the reception NF due to transmission can be reduced.
  • the high frequency module (1; 1a) according to the seventh aspect further includes a shield layer (83) in the sixth aspect.
  • the plurality of reception filters (2) include an FDD reception filter and a reception-only reception filter.
  • the FDD receive filter is provided between the transmit filter (12) and the plurality of inductors (4).
  • a receive filter dedicated to receive is provided between the plurality of inductors (4) and the shield layer (83).
  • the FDD reception filter (2) can be located near the transmission filter (12) of the same communication band.
  • the rectangular area (A21 to A24) has all four sides (A21 to A24) of the rectangular area (A1).
  • the electronic component closest to the side of A1) is at least one of the plurality of receive filters (2).
  • the high frequency module (1; 1a) it is possible to reduce the deterioration of the Q value due to the interference between the inductor (4) and the shield layer (83).
  • the communication device (9) includes a high frequency module (1; 1a) according to any one of the first to eighth aspects, and a signal processing circuit (92).
  • the signal processing circuit (92) processes the signal passing through the high frequency module (1; 1a).
  • the total wiring length between the reception filter (2) and the inductor (4) can be shortened, and the total wiring length can be shortened. Since the total wiring length between the inductor (4) and the low noise amplifier (3) can be shortened, the total wiring length between the receiving filter (2) and the low noise amplifier (3) should be shortened. Can be done. As a result, wiring loss can be reduced.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

受信フィルタとローノイズアンプとの間の配線長の総和を短くする。高周波モジュール（１）は、実装基板（６）と、複数のインダクタ（４）と、複数の受信フィルタ（２）と、ＩＣ部品とを備える。複数のインダクタ（４）は、実装基板（６）の第１主面（６１）に実装されている。複数の受信フィルタ（２）は、実装基板（６）の第１主面（６１）に実装されている。ＩＣ部品は、実装基板（６）の第２主面に実装されており、ローノイズアンプを含む。複数のインダクタ（４）が位置する矩形領域（Ａ１）は、実装基板（６）の厚さ方向からの平面視で、ＩＣ部品と重なっている。矩形領域（Ａ１）が有する４つの辺（Ａ２１～Ａ２４）のうち３つ以上の辺の各々において、矩形領域（Ａ１）の辺に最も近い電子部品は、複数の受信フィルタ（２）の少なくとも１つである。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、複数のインダクタ及び複数の受信フィルタを備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。
　従来、インダクタ及びフィルタを備える高周波モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された高周波モジュールでは、基板の表面には、フィルタ部及びインダクタが設けられており、基板の裏面には、スイッチＩＣが設けられている。
　スイッチＩＣは、２つのスイッチ部と、増幅部とで構成されており、インダクタは、スイッチ部と増幅部との間に接続されている。
　スイッチ部は、入力端子と、出力端子とを有し、入力端子がアンテナ素子に接続され、出力端子がフィルタ部の入力端子に接続されている。
国際公開第２０１８／１１０３９３号
　ところで、近年のマルチバンド化に伴い、複数の受信フィルタを備えるモジュールが要求されている。
　しかしながら、特許文献１に記載された従来の高周波モジュールでは、複数の受信フィルタについて、受信フィルタとローノイズアンプとの間の配線長の総和が長くなるため、経路損が大きくなる場合がある。例えば、高周波モジュールが２つの受信フィルタ（第１受信フィルタ及び第２受信フィルタ）を備える場合、「受信フィルタとローノイズアンプとの間の配線長の総和」は、第１受信フィルタとローノイズアンプとの間の配線長と、第２受信フィルタとローノイズアンプとの間の配線長との総和となる。
　本発明は、上記の点に鑑みてなされ、受信フィルタとローノイズアンプとの間の配線長の総和を短くすることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、複数のインダクタと、複数の受信フィルタと、ＩＣ部品とを備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記複数のインダクタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記複数の受信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記ＩＣ部品は、前記実装基板の前記第２主面に実装されており、ローノイズアンプを含む。前記複数のインダクタの各々は、前記複数の受信フィルタのうちの一部の受信フィルタと対応し、対応する前記受信フィルタ及び前記ローノイズアンプに接続されている。前記複数のインダクタが位置する矩形領域は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記ＩＣ部品と重なっている。前記矩形領域が有する４つの辺のうち３つ以上の辺の各々において、前記矩形領域の辺に最も近い電子部品は、前記複数の受信フィルタの少なくとも１つである。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路とを備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールを通る信号を処理する。
　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、受信フィルタとローノイズアンプとの間の配線長の総和を短くすることができる。
図１は、実施形態に係る高周波モジュールの上面図である。 図２は、同上の高周波モジュールの下面図である。 図３は、同上の高周波モジュールにおける図１のＸ１－Ｘ１線断面図である。 図４は、実施形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。 図５は、実施形態の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。
　以下、実施形態に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図１～図３及び図５は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比は、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態）
　（１）高周波モジュール
　実施形態に係る高周波モジュール１の構成について、図面を参照して説明する。
　実施形態に係る高周波モジュール１は、図１、図２及び図４に示すように、複数（図示例では２つ）のパワーアンプ１１と、複数（図示例では２つ）の送信フィルタ１２と、複数（図示例では１０個）の受信フィルタ２と、複数（図示例では１０個）のローノイズアンプ３と、複数（図示例では１０個）のインダクタ４と、第１スイッチ５１と、第２スイッチ５２とを備える。
　また、高周波モジュール１は、図１～図３に示すように、実装基板６と、複数の外部接続端子７と、第１樹脂層８１と、第２樹脂層８２と、シールド層８３とを備える。
　実装基板６には、複数のローノイズアンプ３と第１スイッチ５１と第２スイッチ５２とを含むＩＣ部品１３が設けられている。
　高周波モジュール１は、図４に示すように、例えば、通信装置９に用いられる。通信装置９は、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置９は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。
　通信装置９は、複数の通信バンドの通信を行う。より詳細には、通信装置９は、複数の通信バンドの送信信号の送信、複数の通信バンドの受信信号の受信を行う。
　複数の通信バンドの送信信号及び受信信号の一部は、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。なお、複数の通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。ＦＤＤは、無線通信における送信と受信とに異なる周波数帯域を割り当てて、送信及び受信を行う無線通信技術である。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間ごとに切り替えて行う無線通信技術である。
　（２）高周波モジュールの回路構成
　以下、実施形態に係る高周波モジュール１の回路構成について、図４を参照して説明する。
　（２．１）パワーアンプ
　図４に示す複数のパワーアンプ１１は、互いに異なる送信信号を増幅する増幅器である。各パワーアンプ１１は、後述のアンテナ端子７１と信号入力端子７２とを結ぶ送信経路Ｐ１のうち信号入力端子７２と送信フィルタ１２との間に設けられている。パワーアンプ１１は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ１１の入力端子は、信号入力端子７２を介して外部回路（例えば、信号処理回路９２）に接続される。パワーアンプ１１の出力端子は、送信フィルタ１２に接続されている。パワーアンプ１１は、例えば、コントローラ（図示せず）によって制御される。なお、パワーアンプ１１は、直接又は間接的に、送信フィルタ１２に接続されていればよい。パワーアンプ１１は、例えば、出力整合回路（図示せず）を介して送信フィルタ１２に接続されていてもよい。出力整合回路は、送信経路Ｐ１のうちパワーアンプ１１と送信フィルタ１２との間に設けられている。出力整合回路は、パワーアンプ１１と送信フィルタ１２との間のインピーダンス整合をとる。
　（２．２）送信フィルタ
　図４に示す複数の送信フィルタ１２は、互いに異なる通信バンドの送信信号を通過させるフィルタである。より詳細には、送信フィルタ１２は、送信経路Ｐ１のうちパワーアンプ１１と第１スイッチ５１との間に設けられている。送信フィルタ１２は、パワーアンプ１１で増幅された高周波信号のうち、通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。
　（２．３）受信フィルタ
　図４に示す複数の受信フィルタ２は、互いに異なる通信バンドの受信信号を通過させるフィルタである。複数の受信フィルタ２は、第ｎ受信フィルタ２を含む（ｎは自然数）。第ｎ受信フィルタ２は、アンテナ端子７１と信号出力端子７３とを結ぶ第ｎ受信経路Ｐ２のうち第１スイッチ５１と第ｎローノイズアンプ３との間に設けられている。第ｎ受信フィルタ２は、アンテナ端子７１から入力された高周波信号のうち、第ｎ通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。
　（２．４）ローノイズアンプ
　図４に示す複数のローノイズアンプ３は、互いに異なる受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。図４の例では、複数のローノイズアンプ３は、複数の受信経路Ｐ２と一対一に対応する。複数のローノイズアンプ３は、第ｎローノイズアンプ３を含む（ｎは自然数）。第ｎローノイズアンプ３は、第ｎ受信経路Ｐ２のうち第１スイッチ５１と信号出力端子７３との間に設けられている。第ｎローノイズアンプ３は、入力端子及び出力端子を有し、第ｎローノイズアンプ３の入力端子は、後述の第ｎインダクタ４に接続されている。第ｎローノイズアンプ３の出力端子は、信号出力端子７３を介して外部回路（例えば、信号処理回路９２）に接続される。
　（２．５）インダクタ
　図４に示す複数のインダクタ４は、複数の受信フィルタ２及び複数のローノイズアンプ３に接続されている。より詳細には、複数のインダクタ４の各々は、複数の受信フィルタ２のうちの一部の受信フィルタ２と対応し、対応する受信フィルタ２に接続されている。図４の例では、複数のインダクタ４は、複数の受信フィルタ２と一対一に対応する。また、複数のインダクタ４の各々は、複数のローノイズアンプ３のうちの一部のローノイズアンプ３と対応し、対応するローノイズアンプ３に接続されている。図４の例では、複数のインダクタ４は、複数のローノイズアンプ３と一対一に対応する。複数のインダクタ４は、第ｎインダクタ４を含む（ｎは自然数）。第ｎインダクタ４は、第ｎ受信経路Ｐ２のうち第ｎ受信フィルタ２と第ｎローノイズアンプ３との間に設けられている。第ｎインダクタ４の第１端は、第ｎ受信フィルタ２に接続されている。第ｎインダクタ４の第２端は、第ｎローノイズアンプ３に接続されている。
　複数のインダクタ４の各々は、受信フィルタ２とローノイズアンプ３との間のインピーダンス整合をとる整合回路を構成する。言い換えると、第ｎインダクタ４は、第ｎ受信フィルタ２と第ｎローノイズアンプ３との間のインピーダンス整合をとる第ｎ整合回路を構成する。
　（２．６）第１スイッチ
　図４に示す第１スイッチ５１は、複数の送信フィルタ１２及び複数の受信フィルタ２の中からアンテナ端子７１に接続されるフィルタ（送信フィルタ１２及び受信フィルタ２の少なくとも１つ）を切り替える。第１スイッチ５１は、アンテナ９１に接続させる経路を切り替えるためのスイッチである。第１スイッチ５１は、共通端子５１１と、複数（図示例では８個）の選択端子５１２とを有する。共通端子５１１は、アンテナ端子７１に接続されている。複数の選択端子５１２の各々は、複数の送信フィルタ１２及び複数の受信フィルタ２の少なくとも１つに接続されている。より詳細には、各選択端子５１２は、複数の送信フィルタ１２の出力端子及び複数の受信フィルタ２の入力端子の少なくとも１つに接続されている。
　第１スイッチ５１は、共通端子５１１と複数の選択端子５１２との接続状態を切り替える。第１スイッチ５１は、例えば、信号処理回路９２によって制御される。第１スイッチ５１は、信号処理回路９２のＲＦ信号処理回路９３からの制御信号に従って、共通端子５１１と複数の選択端子５１２の少なくとも１つとを電気的に接続させる。
　（２．７）第２スイッチ
　図４に示す第２スイッチ５２は、複数のローノイズアンプ３の中から信号出力端子７３に接続されるローノイズアンプ３を切り替える。第２スイッチ５２は、信号出力端子７３に接続させる経路を切り替えるためのスイッチである。第２スイッチ５２は、共通端子５２１と、複数（図示例では１０個）の選択端子５２２とを有する。共通端子５２１は、信号出力端子７３に接続されている。複数の選択端子５２２の各々は、受信フィルタ２に接続されている。より詳細には、各選択端子５２２は、複数のローノイズアンプ３の出力端子の少なくとも１つに接続されている。
　第２スイッチ５２は、共通端子５２１と複数の選択端子５２２との接続状態を切り替える。第２スイッチ５２は、例えば、信号処理回路９２によって制御される。第２スイッチ５２は、信号処理回路９２のＲＦ信号処理回路９３からの制御信号に従って、共通端子５２１と複数の選択端子５２２の少なくとも１つとを電気的に接続させる。
　（２．８）外部接続端子
　複数の外部接続端子７は、図４に示すように、外部回路（例えば、信号処理回路９２）と電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子７は、アンテナ端子７１と、複数（図示例では２つ）の信号入力端子７２と、信号出力端子７３と、グランド端子（図示せず）とを含む。
　アンテナ端子７１は、アンテナ９１に接続される。高周波モジュール１内において、アンテナ端子７１は、第１スイッチ５１に接続されている。また、アンテナ端子７１は、第１スイッチ５１を介して、複数の送信フィルタ１２及び複数の受信フィルタ２に接続されている。
　信号入力端子７２は、外部回路（例えば、信号処理回路９２）からの送信信号が高周波モジュール１に入力される端子である。高周波モジュール１内において、信号入力端子７２は、複数のパワーアンプ１１のうちの少なくとも１つに対応し、対応するパワーアンプ１１に接続されている。
　信号出力端子７３は、複数のローノイズアンプ３からの受信信号が外部回路（例えば、信号処理回路９２）へ出力される端子である。高周波モジュール１内において、信号出力端子７３は、第２スイッチ５２を介して、複数のローノイズアンプ３に接続されている。
　（３）高周波モジュールの構造
　以下、実施形態に係る高周波モジュール１の構造について、図面を参照して説明する。
　高周波モジュール１は、図１～図３に示すように、実装基板６と、複数の外部接続端子７と、第１樹脂層８１と、第２樹脂層８２と、シールド層８３とを備える。
　高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等のマザー基板に相当する。なお、高周波モジュール１が外部基板に電気的に接続可能であるとは、高周波モジュール１が外部基板上に直接的に実装される場合だけでなく、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合も含む。また、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合とは、高周波モジュール１が、外部基板上に実装された他の高周波モジュール上に実装される場合等である。
　（３．１）実装基板
　実装基板６は、図３に示すように、第１主面６１及び第２主面６２を有する。第１主面６１及び第２主面６２は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する。第２主面６２は、高周波モジュール１が外部基板（図示せず）に設けられたときに外部基板と対向する。実装基板６は、第１主面６１及び第２主面６２のそれぞれに電子部品が実装された両面実装基板である。
　実装基板６は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板６は、複数の導電層６３と、複数の貫通電極６４とを有する。複数の導電層６３は、グランド電位に設定されたグランド層を含む。複数の貫通電極６４は、第１主面６１及び第２主面６２のそれぞれに実装されている素子（上述の電子部品を含む）と実装基板６の導電層６３との電気的接続に用いられる。また、複数の貫通電極６４は、第１主面６１に実装されている素子と第２主面６２に実装されている素子との電気的接続、及び、実装基板６の導電層６３と外部接続端子７との電気的接続に用いられる。
　実装基板６の第１主面６１には、複数のパワーアンプ１１（図４参照）と、複数の送信フィルタ１２と、複数の受信フィルタ２と、複数のインダクタ４とが配置されている。
　実装基板６の第２主面６２には、複数のローノイズアンプ３と、第１スイッチ５１とが配置されている。さらに、実装基板６の第２主面６２には、複数の外部接続端子７が配置されている。
　（３．２）パワーアンプ
　パワーアンプ１１は、図１～図３には図示されていないが、実装基板６の第１主面６１に実装されている。なお、パワーアンプ１１の一部が実装基板６の第１主面６１に実装されており、パワーアンプ１１の残りが実装基板６に内装されていてもよい。要するに、パワーアンプ１１は、実装基板６において第２主面６２よりも第１主面６１側に位置しており、かつ、第１主面６１に実装されている部分を少なくとも有する。
　（３．３）送信フィルタ
　複数の送信フィルタ１２の各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、各送信フィルタ１２は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
　複数の送信フィルタ１２は、図１及び図３に示すように、実装基板６の第１主面６１に実装されている。図１の例では、各送信フィルタ１２は、実装基板６の第１主面６１に実装されている。なお、各送信フィルタ１２において、送信フィルタ１２の一部が実装基板６の第１主面６１に実装されており、送信フィルタ１２の残りが実装基板６に内装されていてもよい。要するに、各送信フィルタ１２は、実装基板６において第２主面６２よりも第１主面６１側に配置されており、かつ、第１主面６１に実装されている部分を少なくとも有する。
　なお、図１に「Ｔｘｎ」（ｎは自然数）と示されている送信フィルタ１２は、Ｂａｎｄｎの送信信号の送信経路Ｐ１（図４参照）に設けられている送信フィルタを意味する。例えば、「Ｔｘ１」と示されている送信フィルタ１２は、Ｂａｎｄ１の送信信号の送信経路Ｐ１に設けられている送信フィルタを意味する。
　（３．４）受信フィルタ
　複数の受信フィルタ２の各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、各受信フィルタ２は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
　複数の受信フィルタ２は、図１及び図３に示すように、実装基板６の第１主面６１に配置されている。図１の例では、各受信フィルタ２は、実装基板６の第１主面６１に実装されている。なお、各受信フィルタ２において、受信フィルタ２の一部が実装基板６の第１主面６１に実装されており、受信フィルタ２の残りが実装基板６に内装されていてもよい。要するに、受信フィルタ２は、実装基板６において第２主面６２よりも第１主面６１側に配置されており、かつ、第１主面６１に実装されている部分を少なくとも有する。
　なお、図１に「Ｒｘｎ」（ｎは自然数）と示されている受信フィルタ２は、Ｂａｎｄｎの受信信号の受信経路Ｐ２（図４参照）に設けられている受信フィルタを意味する。例えば、「Ｒｘ３０」と示されている受信フィルタ２は、Ｂａｎｄ３０の受信信号の受信経路Ｐ２に設けられている受信フィルタを意味する。また、「Ｒｘ１／３／２５／６６」と示されている受信フィルタ２は、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６の受信信号の受信経路Ｐ２に設けられている受信フィルタを意味する。
　（３．５）インダクタ
　複数のインダクタ４は、図１及び図３に示すように、実装基板６の第１主面６１に実装されている。図１の例では、各インダクタ４は、実装基板６の第１主面６１に実装されている。なお、各インダクタ４において、インダクタ４の一部が実装基板６の第１主面６１に実装されており、インダクタ４の残りが実装基板６に内装されていてもよい。要するに、各インダクタ４は、実装基板６において第２主面６２よりも第１主面６１側に配置されており、かつ、第１主面６１に実装されている部分を少なくとも有する。
　なお、図１に「Ｌｎ」（ｎは自然数）と示されているインダクタ４は、Ｂａｎｄｎの受信信号の受信経路Ｐ２（図４参照）に設けられているインダクタを意味する。例えば、「Ｌ１」と示されているインダクタ４は、Ｂａｎｄ１の受信信号の受信経路Ｐ２に設けられているインダクタを意味する。
　（３．６）ＩＣ部品
　図２及び図３に示すように、複数のローノイズアンプ３と第１スイッチ５１と第２スイッチ５２とを含むＩＣ部品１３が構成されている。つまり、ＩＣ部品１３は、複数のローノイズアンプ３と、第１スイッチ５１と、第２スイッチ５２とを含む。
　ＩＣ部品１３は、図２及び図３に示すように、実装基板６の第２主面６２に実装されている。図３の例では、ＩＣ部品１３は、例えば、実装基板６の第２主面６２に配置されている。なお、ＩＣ部品１３の一部が実装基板６の第２主面６２に配置されており、ＩＣ部品１３の残りが実装基板６に内装されていてもよい。要するに、ＩＣ部品１３は、実装基板６において第１主面６１よりも第２主面６２側に位置しており、かつ、第２主面６２に実装されている部分を少なくとも有する。
　（３．７）外部接続端子
　複数の外部接続端子７は、図２及び図３に示すように、実装基板６と外部基板（図示せず）とを電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子７は、図４に示すように、アンテナ端子７１と、複数の信号入力端子７２と、信号出力端子７３と、グランド端子（図示せず）とを含む。
　複数の外部接続端子７は、実装基板６の第２主面６２側に配置されている。複数の外部接続端子７は、実装基板６の第２主面６２上に設けられた柱状（例えば、円柱状）の電極である。複数の外部接続端子７の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子７の各々は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において、実装基板６の第２主面６２に接合されている基端部と、基端部とは反対側の先端部とを有する。複数の外部接続端子７の各々の先端部は、例えば、金めっき層を含んでいてもよい。
　高周波モジュール１では、マザー基板（図示せず）への高周波モジュール１の実装性、高周波モジュール１のグランド端子の数を多くする観点等から、複数の外部接続端子７が設けられている。
　（３．８）第１樹脂層、第２樹脂層及びシールド層
　第１樹脂層８１は、図３に示すように、実装基板６の第１主面６１に配置されている。第１樹脂層８１は、複数の送信フィルタ１２と、複数の受信フィルタ２と、複数のインダクタ４とを覆っている。ここで、第１樹脂層８１は、電子部品（送信フィルタ１２、受信フィルタ２、インダクタ４）の外周面と、電子部品における実装基板６側とは反対側の主面とを覆っている。第１樹脂層８１は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層８１は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。
　第２樹脂層８２は、図３に示すように、実装基板６の第２主面６２に実装されているＩＣ部品１３と、複数の外部接続端子７の各々の外周面とを覆っている。第２樹脂層８２は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層８２は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層８２の材料は、第１樹脂層８１の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
　シールド層８３は、図３に示すように、第１樹脂層８１を覆っている。シールド層８３は、導電性を有する。高周波モジュール１では、シールド層８３は、高周波モジュール１の内外の電磁シールドを目的として設けられている。シールド層８３は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。シールド層８３は、第１樹脂層８１における実装基板６側とは反対側の主面と、第１樹脂層８１の外周面と、実装基板６の外周面とを覆っている。また、シールド層８３は、第２樹脂層８２の外周面も覆っている。シールド層８３は、実装基板６の有するグランド層の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、シールド層８３の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。
　（３．９）配置関係
　複数のインダクタ４は、図１に示すように、実装基板６の第１主面６１において、１か所にまとめて実装されている。複数のインダクタ４が位置している領域として矩形領域Ａ１が形成されている。
　実施形態において、矩形領域Ａ１は、複数のインダクタ４のうちの第１インダクタ４Ａ及び第２インダクタ４Ｂを対角に位置する最小の矩形領域である。矩形領域Ａ１は、第１インダクタ４Ａ及び第２インダクタ４Ｂの外周を囲むように形成された最小の矩形領域である。
　矩形領域Ａ１は、４つの辺Ａ２１～Ａ２４で囲まれている領域である。辺Ａ２１は、第１方向Ｄ２１において、複数のインダクタ４の中で最も左側にあるインダクタ４の左縁上に位置する。辺Ａ２２は、第２方向Ｄ２２において、複数のインダクタ４の中で最も下側にあるインダクタ４の下縁上に位置する。辺Ａ２３は、第１方向Ｄ２１において、複数のインダクタ４の中で最も右側にあるインダクタ４の右縁上に位置する。辺Ａ２４は、第２方向Ｄ２２において、複数のインダクタ４の中で最も上側にあるインダクタ４の上縁上に位置する。
　図１の例では、辺Ａ２１は、Ｂａｎｄ１のインダクタ４（図１の「Ｌ１」）、Ｂａｎｄ６６のインダクタ４（図１の「Ｌ６６」）、Ｂａｎｄ３のインダクタ４（図１の「Ｌ３」）、Ｂａｎｄ２５のインダクタ４（図１の「Ｌ２５」）、Ｂａｎｄ３０のインダクタ４（図１の「Ｌ３０」）及びＢａｎｄ７のインダクタ４（図１の「Ｌ７」）の左縁上に位置する。辺Ａ２２は、Ｂａｎｄ７のインダクタ４及びＢａｎｄ４１のインダクタ４（図１の「Ｌ４１」）の下縁上に位置する。辺Ａ２３は、Ｂａｎｄ３４のインダクタ４（図１の「Ｌ３４」）、Ｂａｎｄ３９のインダクタ４（図１の「Ｌ３９」）、Ｂａｎｄ４０のインダクタ４（図１の「Ｌ４０」）及びＢａｎｄ４１のインダクタ４の右縁上に位置する。辺Ａ２４は、Ｂａｎｄ１のインダクタ４の上縁上に位置する。
　実装基板６の第１主面６１において複数のインダクタ４が位置する矩形領域Ａ１は、図１～図３に示すように、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣ部品１３と重なっている。ここで、「矩形領域Ａ１は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣ部品１３と重なっている」とは、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、矩形領域Ａ１の全部がＩＣ部品１３の全部と重なっている場合と、矩形領域Ａ１の全部がＩＣ部品１３の一部と重なっている場合と、矩形領域Ａ１の一部がＩＣ部品１３の全部と重なっている場合と、矩形領域Ａ１の一部がＩＣ部品１３の一部と重なっている場合とを含む。要するに、「矩形領域Ａ１は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣ部品１３と重なっている」とは、「矩形領域Ａ１の少なくとも一部がＩＣ部品１３の少なくとも一部と重なっている」ことをいう。
　これにより、複数のインダクタ４の各々においてインダクタ４とローノイズアンプ３との間の距離を近づけることができるので、インダクタ４とローノイズアンプ３との間の配線長の総和を短くすることができる。ここで、「インダクタ４とローノイズアンプ３との間の配線長の総和」とは、複数のインダクタ４の各々において、インダクタ４と当該インダクタ４に対応するローノイズアンプ３との間の配線長の総和である。図４において、１０個のインダクタ４について、インダクタ４とローノイズアンプ３との間の配線長の総和である。
　矩形領域Ａ１が有する４つの辺Ａ２１～Ａ２４のうち３つ以上の辺の各々において、矩形領域Ａ１の辺に最も近い電子部品は、複数の受信フィルタ２の少なくとも１つである。図１の例では、矩形領域Ａ１の４つの辺Ａ２１～Ａ２４のうち３つの辺Ａ２１～Ａ２３の最も近くに受信フィルタ２が位置している。具体的には、辺Ａ２１の最も近くには、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ１／３／２５／６６」）、並びに、Ｂａｎｄ３０の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ３０」）が位置している。辺Ａ２２の最も近くには、Ｂａｎｄ７及びＢａｎｄ４１の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ７／４１」）が位置している。辺Ａ２３の最も近くには、Ｂａｎｄ３４及びＢａｎｄ３９の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ３４／３９」）、並びに、Ｂａｎｄ４０の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ４０」）が位置している。
　これにより、複数のインダクタ４の各々においてインダクタ４とローノイズアンプ３との間の距離を近づけることができるので、受信フィルタ２とインダクタ４との間の配線長の総和を短くすることができる。ここで、「受信フィルタ２とインダクタ４との間の配線長の総和」とは、複数の受信フィルタ２の各々において、受信フィルタ２と当該受信フィルタ２に対応するインダクタ４との間の配線長の総和である。図４において、１０個の受信フィルタ２について、受信フィルタ２とインダクタ４との間の配線長の総和である。
　なお、矩形領域Ａ１の辺に最も近い電子部品は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で矩形領域Ａ１の辺Ａ２１～Ａ２４から離隔している受信フィルタ２だけでなく、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で矩形領域Ａ１の辺Ａ２１～Ａ２４の少なくとも１つと重なっている受信フィルタ２も含む。言い換えると、一部が矩形領域Ａ１内に位置している受信フィルタ２も、矩形領域Ａ１の辺に最も近い電子部品となる。
　また、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で受信フィルタ２が矩形領域Ａ１の２つの辺に重なっている場合、当該受信フィルタ２は、２つの辺のうち受信フィルタ２と重なっている部分の長さが長い方の辺に最も近い電子部品となる。
　また、複数の受信フィルタ２のうち、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ５１と重なっている受信フィルタ２は、複数の受信フィルタ２の中で最も周波数の高い受信信号を通すフィルタである。図１の例では、最も周波数の高いＢａｎｄ７（２６２０ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚ）の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ７／４１」）が、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ５１と重なっている。
　ところで、複数の受信フィルタ２の少なくとも１つは、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、矩形領域Ａ１と送信フィルタ１２との間に配置されている。図１の例では、Ｂａｎｄ１、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ１／３／２５／６６」）、並びに、Ｂａｎｄ３０の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ３０」）が、矩形領域Ａ１と送信フィルタ１２との間に配置されている。
　これにより、送信フィルタ１２が設けられている送信経路Ｐ１と受信経路Ｐ２に設けられているインダクタ４との間の距離を長くすることができるので、送信経路Ｐ１の内部配線と受信経路Ｐ２の内部配線とを離すことができる。その結果、送信経路Ｐ１と受信経路Ｐ２との間のアイソレーションを向上させることができる。また、例えば受信フィルタ２に金属膜を形成することによって、受信フィルタ２でシールドすることができるので、送信による受信ＮＦの劣化を低減させることができる。
　ところで、複数の受信フィルタ２は、ＦＤＤの受信フィルタ２と、ＴＤＤの受信フィルタ２とを含む。ＦＤＤの受信フィルタ２は、送信フィルタ１２と複数のインダクタ４との間に設けられている。一方、ＴＤＤの受信フィルタ２は、複数のインダクタ４とシールド層８３（図３参照）との間に設けられている。図１の例では、ＦＤＤの通信バンドであるＢａｎｄ１、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ１／３／２５／６６」）、並びに、Ｂａｎｄ３０の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ３０」）が、送信フィルタ１２と複数のインダクタ４との間に設けられている。一方、ＴＤＤの通信バンドであるＢａｎｄ３４及びＢａｎｄ３９の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ３４／３９」）、並びに、Ｂａｎｄ４０の受信フィルタ２（図１の「Ｒｘ４０」）が、複数のインダクタ４とシールド層８３（図３参照）との間に設けられている。
　これにより、ＦＤＤの受信フィルタ２を同じ通信バンドの送信フィルタ１２の近くに位置させることができる。図１の例では、ＦＤＤの通信バンドであるＢａｎｄ１、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ２５及びＢａｎｄ６６の受信フィルタ２をＢａｎｄ１の送信フィルタ１２（図１の「Ｔｘ１」）及びＢａｎｄ３の送信フィルタ１２（図１の「Ｔｘ３」）の近くに位置させることができる。
　（４）高周波モジュールの各構成要素の詳細構造
　（４．１）実装基板
　図１～図３に示す実装基板６は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層６３を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層６３は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層６３は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層６３の各々は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層６３の材料は、例えば、銅である。複数の導電層６３は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数の外部グランド端子とグランド層とが、実装基板６の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板６は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板６は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。
　また、実装基板６は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板６の第１主面６１であり、第２面が実装基板６の第２主面６２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。
　実装基板６の第１主面６１及び第２主面６２は、実装基板６の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板６における第１主面６１は、例えば、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板６における第２主面６２は、例えば、実装基板６の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板６の第１主面６１及び第２主面６２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。
　（４．２）フィルタ
　図１に示す送信フィルタ１２及び受信フィルタ２の詳細な構造について説明する。以下の説明では、送信フィルタ１２及び受信フィルタ２を区別せずにフィルタとする。
　フィルタは、１チップのフィルタである。ここにおいて、フィルタでは、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。この場合、フィルタは、例えば、基板と、圧電体層と、複数のＩＤＴ電極（Interdigital Transducer）とを備える。基板は、第１面及び第２面を有する。圧電体層は、基板の第１面に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に設けられている。複数のＩＤＴ電極は、圧電体層上に設けられている。ここにおいて、低音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。また、圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速である。基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、基板を伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。基板は、例えば、シリコン基板である。圧電体層の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜の厚さは、例えば、２．０λ以下である。
　圧電体層は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛のいずれかにより形成されていればよい。また、低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。また、基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。
　フィルタは、例えば、スペーサ層と、カバー部材とを更に備える。スペーサ層及びカバー部材は、基板の第１面に設けられている。スペーサ層は、基板の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。基板の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層は枠状（矩形枠状）である。スペーサ層は、電気絶縁性を有する。スペーサ層の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材は、平板状である。基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。フィルタでは、基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材の外形サイズと、スペーサ層の外形サイズと、カバー部材の外形サイズとが略同じである。カバー部材は、基板の厚さ方向において基板に対向するようにスペーサ層に配置されている。カバー部材は、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極と重複し、かつ、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極から離れている。カバー部材は、電気絶縁性を有する。カバー部材の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。フィルタは、基板とスペーサ層とカバー部材とで囲まれた空間を有する。フィルタでは、空間には、気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。複数の端子は、カバー部材から露出している。複数の端子の各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば、金バンプであってもよい。
　フィルタは、例えば、低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、フィルタは、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。
　また、フィルタは、例えば、基板と低音速膜との間に介在する高音速膜を備えていてもよい。ここにおいて、高音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜は、高音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。高音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速である。
　高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。
　高音速膜の厚さに関しては、弾性波を圧電体層及び低音速膜に閉じ込める機能を高音速膜が有するため、高音速膜の厚さは厚いほど望ましい。圧電体基板は、高音速膜、低音速膜及び圧電体層以外の他の膜として密着層、誘電体膜等を有していてもよい。
　複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、上記の弾性波共振子に限らず、例えば、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。ここにおいて、ＳＡＷ共振子は、例えば、圧電体基板と、圧電体基板上に設けられているＩＤＴ電極と、を含む。フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々をＳＡＷ共振子により構成する場合、１つの圧電体基板上に、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。
　（４．３）パワーアンプ
　パワーアンプ１１は、図１～図３に示されてないが、例えば、基板と増幅機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成された少なくとも１つのトランジスタを含む。増幅機能部は、所定の周波数帯域の送信信号を増幅する機能を有する機能部である。トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプ１１では、電源回路（図示せず）からの電源電圧がＨＢＴのコレクタ－エミッタ間に印加される。パワーアンプ１１は、増幅機能部に加えて、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプ１１は、例えば、基板の第１面が実装基板６の第１主面６１側となるように実装基板６の第１主面６１にフリップチップ実装されている。実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１の外周形状は、四角形状である。
　（４．４）ＩＣ部品
　図２に示すＩＣ部品１３は、上述したように、複数のローノイズアンプ３と、第１スイッチ５１と、第２スイッチ５２とを含む。実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣ部品１３の外周形状は、四角形状である。
　複数のローノイズアンプ３は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１つのＩＣ部品である。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成されている。増幅機能部は、所定の周波数帯域の受信信号を増幅する機能を有する機能部である。ローノイズアンプ３は、例えば、基板の第１面が実装基板６の第２主面６２側となるように実装基板６の第２主面６２にフリップチップ実装されている。
　図２に示す第１スイッチ５１は、例えば、基板とスイッチ機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。スイッチ機能部は、基板の第１面に形成されたＦＥＴ（Field Effect Transistor）を含む。スイッチ機能部は、接続状態を切り替える機能を有する機能部である。第１スイッチ５１は、基板の第１面が実装基板６の第２主面６２側となるように実装基板６の第２主面６２にフリップチップ実装されている。
　図２に示す第２スイッチ５２は、例えば、基板とスイッチ機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。スイッチ機能部は、基板の第１面に形成されたＦＥＴ（Field Effect Transistor）を含む。スイッチ機能部は、接続状態を切り替える機能を有する機能部である。第２スイッチ５２は、基板の第１面が実装基板６の第２主面６２側となるように実装基板６の第２主面６２にフリップチップ実装されている。
　（５）通信装置
　通信装置９は、図４に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ９１と、信号処理回路９２とを備える。
　（５．１）アンテナ
　アンテナ９１は、高周波モジュール１のアンテナ端子７１に接続されている。アンテナ９１は、高周波モジュール１から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能とを有する。
　（５．２）信号処理回路
　信号処理回路９２は、ＲＦ信号処理回路９３と、ベースバンド信号処理回路９４とを含む。信号処理回路９２は、高周波モジュール１を通る信号を処理する。より詳細には、信号処理回路９２は、送信信号及び受信信号を処理する。
　ＲＦ信号処理回路９３は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。
　ＲＦ信号処理回路９３は、ベースバンド信号処理回路９４から出力された高周波信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール１に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路９３は、ベースバンド信号処理回路９４から出力された送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた送信信号を高周波モジュール１の送信経路Ｐ１に出力する。
　ＲＦ信号処理回路９３は、高周波モジュール１から出力された高周波信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路９４に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路９３は、高周波モジュール１の受信経路Ｐ２から出力された受信信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた受信信号をベースバンド信号処理回路９４に出力する。
　ベースバンド信号処理回路９４は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、信号処理回路９２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路９４で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。
　また、ＲＦ信号処理回路９３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有する第１スイッチ５１及び第２スイッチ５２の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦ信号処理回路９３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１の第１スイッチ５１及び第２スイッチ５２の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦ信号処理回路９３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１又はベースバンド信号処理回路９４に設けられていてもよい。
　（６）効果
　実施形態に係る高周波モジュール１では、複数のインダクタ４を含む矩形領域Ａ１が、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ローノイズアンプ３を含むＩＣ部品１３と重なっており、かつ、矩形領域Ａ１が有する４つの辺Ａ２１～Ａ２４のうち３つ以上の辺（図１の例では辺Ａ２１～Ａ２３）の各々において、矩形領域Ａ１の辺（図１の例では辺Ａ２１～Ａ２３）に最も近い電子部品は、複数の受信フィルタ２の少なくとも１つである。これにより、受信フィルタ２とインダクタ４との間の配線長の総和を短くすることができ、かつ、インダクタ４とローノイズアンプ３との間の配線長の総和を短くすることができるので、受信フィルタ２とローノイズアンプ３との間の配線長の総和を短くすることができる。その結果、配線損を低減させることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、複数の受信フィルタ２の中からアンテナ端子７１に接続される受信フィルタ２を切り替える第１スイッチ５１がＩＣ部品１３に含まれている。これにより、第１スイッチ５１と受信フィルタ２との間の配線長の総和を短くすることができるので、受信フィルタ２とローノイズアンプ３との間の配線長の総和を更に短くすることができる。その結果、配線損を更に低減させることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、複数のローノイズアンプ３の中から信号出力端子７３に接続されるローノイズアンプ３を切り替える第２スイッチ５２がＩＣ部品１３に含まれている。これにより、第２スイッチ５２が第１スイッチ５１と別に設けられている場合に比べて、高周波モジュール１の小型化を図ることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、複数の受信フィルタ２のうち、第１スイッチ５１と重なっている受信フィルタ２が、複数の受信フィルタ２の中で最も周波数の高い受信信号を通すフィルタである。これにより、配線損の影響を受けやすい受信フィルタ２における配線長を短くすることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、矩形領域Ａ１が、第１インダクタ４Ａ及び第２インダクタ４Ｂを対角に位置する最小の矩形領域であり、かつ、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、矩形領域Ａ１がＩＣ部品１３と重なっている。これにより、インダクタ４とローノイズアンプ３との間の配線長の総和を更に短くすることができるので、受信フィルタ２とローノイズアンプ３との間の配線長の総和を更に短くすることができる。その結果、配線損を更に低減させることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、実装基板６の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の受信フィルタ２の少なくとも１つが、複数のインダクタ４を含む矩形領域Ａ１と送信フィルタ１２との間に配置されている。これにより、送信フィルタ１２が設けられている送信経路Ｐ１と受信経路Ｐ２に設けられているインダクタ４との間の距離を長くすることができるので、送信経路Ｐ１の内部配線と受信経路Ｐ２の内部配線とを離すことができる。その結果、送信経路Ｐ１と受信経路Ｐ２との間のアイソレーションを向上させることができる。また、例えば受信フィルタ２に金属膜を形成することによって、受信フィルタ２でシールドすることができるので、送信による受信ＮＦの劣化を低減させることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、ＦＤＤの受信フィルタが送信フィルタ１２と複数のインダクタ４との間に設けられており、ＴＤＤの受信フィルタ２が複数のインダクタ４とシールド層８３との間に設けられている。これにより、ＦＤＤの受信フィルタ２が同じ通信バンドの送信フィルタ１２の近くに位置させることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、矩形領域Ａ１が有する４つの辺Ａ２１～Ａ２４のうち３つ以上の辺（図１の例では辺Ａ２１～Ａ２３）の各々において、矩形領域Ａ１の辺（図１の例では辺Ａ２１～Ａ２３）に最も近い電子部品は、複数の受信フィルタ２の少なくとも１つである。これにより、インダクタ４とシールド層８３との間の距離を離すことができるので、インダクタ４とシールド層８３との間の干渉によるＱ値の劣化を低減させることができる。
　（７）変形例
　以下、実施形態の変形例について説明する。
　（７．１）変形例１
　実施形態の変形例１として、高周波モジュール１ａは、複数の外部接続端子７（図３参照）に代えて、図５に示すような複数の外部接続端子７ａを備えてもよい。
　複数の外部接続端子７ａは、柱状電極ではなく、バンプ構造を有する。複数の外部接続端子７ａは、実装基板６の第２主面６２に配置されている。変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、第２樹脂層８２（図３参照）が省略されている。
　（７．２）変形例２
　実施形態の変形例２として、高周波モジュール１では、矩形領域Ａ１が有する４つの辺Ａ２１～Ａ２４のすべてにおいて、矩形領域Ａ１の辺に最も近い電子部品は、複数の受信フィルタ２の少なくとも１つであってもよい。
　変形例２に係る高周波モジュール１によれば、矩形領域Ａ１が有する４つの辺Ａ２１～Ａ２４のすべてにおいてインダクタ４とシールド層８３との間の距離を離すことができるので、インダクタ４とシールド層８３との間の干渉によるＱ値の劣化を低減させることができる。
　（７．３）他の変形例
　実施形態の他の変形例として、複数の送信フィルタ１２の各々は、弾性表面波フィルタに限定されず、弾性表面波フィルタ以外のフィルタであってもよい。送信フィルタ１２は、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ及び誘電体フィルタのいずれかであってもよい。
　上記の各変形例に係る高周波モジュールにおいても、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の効果を奏する。
　以上説明した実施形態及び変形例において、「Ａが実装基板の第１主面に実装されている」とは、Ａが実装基板の第１主面上に直接実装されているだけでなく、実装基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、Ａが第１主面側の空間に配置されていることを意味する。つまり、Ａが第１主面上に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。
　以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、実装基板（６）と、複数のインダクタ（４）と、複数の受信フィルタ（２）と、ＩＣ部品（１３）とを備える。実装基板（６）は、互いに対向する第１主面（６１）及び第２主面（６２）を有する。複数のインダクタ（４）は、実装基板（６）の第１主面（６１）に実装されている。複数の受信フィルタ（２）は、実装基板（６）の第１主面（６１）に実装されている。ＩＣ部品（１３）は、実装基板（６）の第２主面（６２）に実装されており、ローノイズアンプ（３）を含む。複数のインダクタ（４）の各々は、複数の受信フィルタ（２）のうちの一部の受信フィルタ（２）と対応し、対応する受信フィルタ（２）及びローノイズアンプ（３）に接続されている。複数のインダクタ（４）が位置する矩形領域（Ａ１）は、実装基板（６）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、ＩＣ部品（１３）と重なっている。矩形領域（Ａ１）が有する４つの辺（Ａ２１～Ａ２４）のうち３つ以上の辺の各々において、矩形領域（Ａ１）の辺に最も近い電子部品は、複数の受信フィルタ（２）の少なくとも１つである。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、受信フィルタ（２）とインダクタ（４）との間の配線長の総和を短くすることができ、かつ、インダクタ（４）とローノイズアンプ（３）との間の配線長の総和を短くすることができるので、受信フィルタ（２）とローノイズアンプ（３）との間の配線長の総和を短くすることができる。その結果、配線損を低減させることができる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、第１の態様において、アンテナ端子（７１）を更に備える。ＩＣ部品（１３）は、第１スイッチ（５１）を更に備える。第１スイッチ（５１）は、複数の受信フィルタ（２）の中からアンテナ端子（７１）に接続される受信フィルタ（２）を切り替える。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、第１スイッチ（５１）と受信フィルタ（２）との間の配線長の総和を短くすることができるので、受信フィルタ（２）とローノイズアンプ（３）との間の配線長の総和を更に短くすることができる。その結果、配線損を更に低減させることができる。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、第２の態様において、信号出力端子（７３）を更に備える。信号出力端子（７３）は、受信信号が外部回路へ出力される端子である。ＩＣ部品（１３）は、ローノイズアンプ（３）を複数含む。ＩＣ部品（１３）は、第２スイッチ（５２）を更に含む。第２スイッチ（５２）は、複数のローノイズアンプ（３）の中から信号出力端子（７３）に接続されるローノイズアンプ（３）を切り替える。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、第２スイッチ（５２）が第１スイッチ（５１）と別に設けられている場合に比べて、高周波モジュール（１；１ａ）の小型化を図ることができる。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）では、第２又は３の態様において、複数の受信フィルタ（２）のうち、実装基板（６）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１スイッチ（５１）と重なっている受信フィルタ（２）は、複数の受信フィルタ（２）の中で最も周波数の高い受信信号を通すフィルタである。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、配線損の影響を受けやすい受信フィルタ（２）における配線長を短くすることができる。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）では、第１～４の態様のいずれか１つにおいて、複数のインダクタ（４）は、第１インダクタ（４Ａ）と、第２インダクタ（４Ｂ）と、を含む。矩形領域（Ａ１）は、第１インダクタ（４Ａ）及び第２インダクタ（４Ｂ）を対角に位置する最小の矩形領域である。矩形領域（Ａ１）は、実装基板（６）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、ＩＣ部品（１３）と重なっている。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、インダクタ（４）とローノイズアンプ（３）との間の配線長の総和を更に短くすることができるので、受信フィルタ（２）とローノイズアンプ（３）との間の配線長の総和を更に短くすることができる。その結果、配線損を更に低減させることができる。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、第１～５の態様のいずれか１つにおいて、送信フィルタ（１２）を更に備える。送信フィルタ（１２）は、実装基板（６）の第１主面（６１）に実装されている。複数の受信フィルタ（２）の少なくとも１つは、実装基板（６）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、矩形領域（Ａ１）と送信フィルタ（１２）との間に配置されている。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、送信フィルタ（１２）が設けられている送信経路（Ｐ１）と受信経路（Ｐ２）に設けられているインダクタ（４）との間の距離を長くすることができるので、送信経路（Ｐ１）の内部配線と受信経路（Ｐ２）の内部配線とを離すことができる。その結果、送信経路（Ｐ１）と受信経路（Ｐ２）との間のアイソレーションを向上させることができる。また、例えば受信フィルタ（２）に金属膜を形成することによって、受信フィルタ（２）でシールドすることができるので、送信による受信ＮＦの劣化を低減させることができる。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、第６の態様において、シールド層（８３）を更に備える。複数の受信フィルタ（２）は、ＦＤＤの受信フィルタと、受信専用の受信フィルタとを含む。ＦＤＤの受信フィルタは、送信フィルタ（１２）と複数のインダクタ（４）との間に設けられている。受信専用の受信フィルタは、複数のインダクタ（４）とシールド層（８３）との間に設けられている。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、ＦＤＤの受信フィルタ（２）が同じ通信バンドの送信フィルタ（１２）の近くに位置させることができる。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）では、第１～７の態様のいずれか１つにおいて、矩形領域（Ａ１）が有する４つの辺（Ａ２１～Ａ２４）のすべてにおいて、矩形領域（Ａ１）の辺に最も近い電子部品は、複数の受信フィルタ（２）の少なくとも１つである。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、インダクタ（４）とシールド層（８３）との間の干渉によるＱ値の劣化を低減させることができる。
　第９の態様に係る通信装置（９）は、第１～８の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１；１ａ）と、信号処理回路（９２）とを備える。信号処理回路（９２）は、高周波モジュール（１；１ａ）を通る信号を処理する。
　第９の態様に係る通信装置（９）によれば、高周波モジュール（１；１ａ）において、受信フィルタ（２）とインダクタ（４）との間の配線長の総和を短くすることができ、かつ、インダクタ（４）とローノイズアンプ（３）との間の配線長の総和を短くすることができるので、受信フィルタ（２）とローノイズアンプ（３）との間の配線長の総和を短くすることができる。その結果、配線損を低減させることができる。
　１，１ａ　高周波モジュール
　１１　パワーアンプ
　１２　送信フィルタ
　１３　ＩＣ部品
　２　受信フィルタ
　３　ローノイズアンプ
　４　インダクタ
　４Ａ　第１インダクタ
　４Ｂ　第２インダクタ
　５１　第１スイッチ
　５１１　共通端子
　５１２　選択端子
　５２　第２スイッチ
　５２１　共通端子
　５２２　選択端子
　６　実装基板
　６１　第１主面
　６２　第２主面
　６３　導電層
　６４　貫通電極
　７，７ａ　外部接続端子
　７１　アンテナ端子
　７２　信号入力端子
　７３　信号出力端子
　８１　第１樹脂層
　８２　第２樹脂層
　８３　シールド層
　９　通信装置
　９１　アンテナ
　９２　信号処理回路
　９３　ＲＦ信号処理回路
　９４　ベースバンド信号処理回路
　Ａ１　矩形領域
　Ａ２１～Ａ２４　辺
　Ｐ１　送信経路
　Ｐ２　受信経路
　Ｄ１　厚さ方向
　Ｄ２１　第１方向
　Ｄ２２　第２方向

Claims (9)

  1. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
    　前記実装基板の前記第１主面に実装されている複数のインダクタと、
    　前記実装基板の前記第１主面に実装されている複数の受信フィルタと、
    　前記実装基板の前記第２主面に実装されており、ローノイズアンプを含むＩＣ部品と、を備え、
    　前記複数のインダクタの各々は、
    　　前記複数の受信フィルタのうちの一部の受信フィルタと対応し、
    　　対応する前記受信フィルタ及び前記ローノイズアンプに接続されており、
    　前記複数のインダクタが位置する矩形領域は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記ＩＣ部品と重なっており、
    　前記矩形領域が有する４つの辺のうち３つ以上の辺の各々において、前記矩形領域の辺に最も近い電子部品は、前記複数の受信フィルタの少なくとも１つである、
    　高周波モジュール。
  2. 　アンテナ端子を更に備え、
    　前記ＩＣ部品は、
    　　前記複数の受信フィルタの中から前記アンテナ端子に接続される受信フィルタを切り替える第１スイッチを更に含む、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　受信信号が外部回路へ出力される信号出力端子を更に備え、
    　前記ＩＣ部品は、
    　　前記ローノイズアンプを複数含み、
    　　前記複数のローノイズアンプの中から前記信号出力端子に接続されるローノイズアンプを切り替える第２スイッチを更に含む、
    　請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記複数の受信フィルタのうち、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記第１スイッチと重なっている受信フィルタは、前記複数の受信フィルタの中で最も周波数の高い受信信号を通すフィルタである、
    　請求項２又は３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記複数のインダクタは、
    　　第１インダクタと、
    　　第２インダクタと、を含み、
    　前記矩形領域は、
    　　前記第１インダクタ及び前記第２インダクタを対角に位置する最小の矩形領域であり、
    　　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記ＩＣ部品と重なっている、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記実装基板の前記第１主面に実装されている送信フィルタを更に備え、
    　前記複数の受信フィルタの少なくとも１つは、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で、前記矩形領域と前記送信フィルタとの間に配置されている、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　シールド層を更に備え、
    　前記複数の受信フィルタは、
    　　ＦＤＤの受信フィルタと、
    　　ＴＤＤの受信フィルタと、を含み、
    　前記ＦＤＤの受信フィルタは、前記送信フィルタと前記複数のインダクタとの間に設けられており、
    　前記ＴＤＤの受信フィルタは、前記複数のインダクタと前記シールド層との間に設けられている、
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記矩形領域が有する４つの辺のすべてにおいて、前記矩形領域の辺に最も近い前記電子部品は、前記複数の受信フィルタの少なくとも１つである、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    　前記高周波モジュールを通る信号を処理する信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
PCT/JP2021/046365 2020-12-28 2021-12-15 高周波モジュール及び通信装置 WO2022145247A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202180079362.2A CN116490973A (zh) 2020-12-28 2021-12-15 高频模块以及通信装置
US18/317,363 US20230283306A1 (en) 2020-12-28 2023-05-15 High frequency module and communication apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-219307 2020-12-28
JP2020219307 2020-12-28

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/317,363 Continuation US20230283306A1 (en) 2020-12-28 2023-05-15 High frequency module and communication apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022145247A1 true WO2022145247A1 (ja) 2022-07-07

Family

ID=82259317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/046365 WO2022145247A1 (ja) 2020-12-28 2021-12-15 高周波モジュール及び通信装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230283306A1 (ja)
CN (1) CN116490973A (ja)
WO (1) WO2022145247A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022018956A (ja) * 2020-07-16 2022-01-27 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018168500A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2019188875A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2020126921A (ja) * 2019-02-04 2020-08-20 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018168500A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2019188875A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2020126921A (ja) * 2019-02-04 2020-08-20 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN116490973A (zh) 2023-07-25
US20230283306A1 (en) 2023-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114144976B (zh) 高频模块和通信装置
WO2021006021A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2021002454A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
CN213585766U (zh) 高频模块和通信装置
WO2021124691A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2021002157A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US11881879B2 (en) Radio-frequency module and communication device
US20220094376A1 (en) Radio frequency module and communication device
US20230283306A1 (en) High frequency module and communication apparatus
WO2021100246A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2022260015A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US20220085836A1 (en) Radio frequency module and communication device
CN213213453U (zh) 高频模块和通信装置
WO2022230682A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2021215536A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
US11368177B2 (en) Radio frequency module and communication device
WO2020250734A1 (ja) 高周波回路、高周波モジュール及び通信装置
WO2022185692A1 (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2023047957A1 (ja) 高周波モジュール、及び、通信装置
JP2022157185A (ja) 高周波モジュール及び通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21915108

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202180079362.2

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21915108

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP