JP2022157185A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】金属電極層に亀裂が生じることを抑制する。【解決手段】高周波モジュール１は、実装基板２と、電子部品３と、樹脂層８１と、金属電極層８３と、を備える。電子部品３は、実装基板２の第１主面２１に配置されている。樹脂層８１は、実装基板２の第１主面２１に配置されており、電子部品３の外周面３３の少なくとも一部を覆っている。金属電極層８３は、少なくとも樹脂層８１を覆っている。電子部品３における実装基板２側とは反対側の主面３１の少なくとも一部は、金属電極層８３に接している。実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視における電子部品３の外縁３０の少なくとも一部は、金属電極層８３から離れている。【選択図】図１

Description

本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、実装基板を備える高周波モジュール、及び高周波モジュールを備える通信装置に関する。

特許文献１には、モジュール基板（実装基板）と、モジュール基板の実装面上に実装された電子部品と、電子部品の側面（外周面）を被覆するようにモジュール基板の実装面上に設けられた樹脂層と、を備えるモジュール（高周波モジュール）が記載されている。特許文献１に記載のモジュールでは、電子部品及び樹脂層それぞれの上面の少なくとも一部に金属膜（金属電極層）が形成されている。

国際公開第２０１４／０１３８３１号

特許文献１に記載のモジュールでは、例えば、外力又は熱がモジュールに加わることによって電子部品の側面と樹脂層との間で剥離が生じる場合がある。そして、この剥離によって、金属膜に亀裂が生じる場合がある。

本発明の目的は、金属電極層に亀裂が生じることを抑制することが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、電子部品と、樹脂層と、金属電極層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記電子部品の外周面の少なくとも一部を覆っている。前記金属電極層は、少なくとも前記樹脂層を覆っている。前記電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記金属電極層に接している。前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視における前記電子部品の外縁の少なくとも一部は、前記金属電極層から離れている。

本発明の別の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、電子部品と、金属部材と、樹脂層と、金属電極層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている。前記金属部材は、前記電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記電子部品の外周面の少なくとも一部及び前記金属部材の外周面の少なくとも一部を覆っている。前記金属電極層は、少なくとも前記樹脂層を覆っている。前記金属部材における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記金属電極層に接している。前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視における前記電子部品の外縁の少なくとも一部は、前記金属電極層から離れている。

本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。

本発明の一態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、金属電極層に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの断面図である。 図２は、同上の高周波モジュールの別の断面図である。 図３は、同上の高周波モジュールの平面図である。 図４は、同上の高周波モジュールの下面図である。 図５は、実施形態１に係る通信装置の概略図である。 図６は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。 図７は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。 図８は、実施形態２に係る高周波モジュールの断面図である。 図９は、同上の高周波モジュールの平面図である。 図１０は、実施形態２に係る通信装置の概略図である。 図１１は、実施形態２の変形例に係る高周波モジュールの断面図である。

以下、実施形態１，２に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図１～図４、図６～図９及び図１１は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態１）
（１）高周波モジュール
実施形態１に係る高周波モジュール１の構成について、図面を参照して説明する。

高周波モジュール１は、図５に示すように、例えば、通信装置９に用いられる。通信装置９は、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置９は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project） ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。

通信装置９は、複数の通信バンドの通信を行う。より詳細には、通信装置９は、複数の通信バンドの送信信号の送信、及び、複数の通信バンドの受信信号の受信を行う。

複数の通信バンドの送信信号及び受信信号の一部は、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。なお、複数の通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。ＦＤＤは、無線通信における送信と受信とに異なる周波数帯域を割り当てて、送信及び受信を行う無線通信技術である。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間ごとに切り替えて行う無線通信技術である。

（２）高周波モジュールの回路構成
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成について、図５を参照して説明する。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、図５に示すように、パワーアンプ１１と、複数（図示例では３つ）の送信フィルタ１２１～１２３と、複数（図示例では３つ）の受信フィルタ１３１～１３３と、ローノイズアンプ１４と、出力整合回路１５と、入力整合回路１６と、第１スイッチ１７と、第２スイッチ１８と、第３スイッチ１９と、を備える。また、高周波モジュール１は、複数（図示例では４つ）の外部接続端子１０を更に備える。

（２．１）パワーアンプ
図５に示すパワーアンプ１１は、送信信号を増幅する増幅器である。パワーアンプ１１は、後述のアンテナ端子１０１と信号入力端子１０２とを結ぶ送信経路Ｔ１のうち信号入力端子１０２と送信フィルタ１２１～１２３との間に設けられている。パワーアンプ１１は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ１１の入力端子は、信号入力端子１０２を介して外部回路（例えば、信号処理回路９２）に接続される。パワーアンプ１１の出力端子は、送信フィルタ１２１～１２３に接続されている。パワーアンプ１１は、例えば、コントローラ２０によって制御される。なお、パワーアンプ１１は、直接又は間接的に、送信フィルタ１２１～１２３に接続されていればよい。図５の例では、パワーアンプ１１は、出力整合回路１５を介して送信フィルタ１２１～１２３に接続されている。

（２．２）送信フィルタ
図５に示す複数の送信フィルタ１２１～１２３は、互いに異なる通信バンドの送信信号を通過させるフィルタである。複数の送信フィルタ１２１～１２３は、送信経路Ｔ１のうちパワーアンプ１１と第１スイッチ１７との間に設けられている。複数の送信フィルタ１２１～１２３は、パワーアンプ１１で増幅された高周波信号のうち、対応する通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。

（２．３）受信フィルタ
図５に示す複数の受信フィルタ１３１～１３３は、互いに異なる通信バンドの受信信号を通過させるフィルタである。複数の受信フィルタ１３１～１３３は、後述のアンテナ端子１０１と信号出力端子１０３とを結ぶ受信経路Ｒ１のうち第１スイッチ１７とローノイズアンプ１４との間に設けられている。複数の受信フィルタ１３１～１３３は、アンテナ端子１０１から入力された高周波信号のうち、対応する通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

（２．４）ローノイズアンプ
図５に示すローノイズアンプ１４は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。ローノイズアンプ１４は、受信経路Ｒ１のうち受信フィルタ１３１～１３３と信号出力端子１０３との間に設けられている。ローノイズアンプ１４は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。ローノイズアンプ１４の入力端子は、入力整合回路１６に接続されている。ローノイズアンプ１４の出力端子は、信号出力端子１０３を介して外部回路（例えば、信号処理回路９２）に接続される。

（２．５）出力整合回路
出力整合回路１５は、図５に示すように、送信経路Ｔ１のうちパワーアンプ１１と送信フィルタ１２１～１２３との間に設けられている。出力整合回路１５は、パワーアンプ１１と送信フィルタ１２１～１２３とのインピーダンス整合をとるための回路である。

（２．６）入力整合回路
入力整合回路１６は、図５に示すように、受信経路Ｒ１のうち受信フィルタ１３１～１３３とローノイズアンプ１４との間に設けられている。入力整合回路１６は、受信フィルタ１３１～１３３とローノイズアンプ１４とのインピーダンス整合をとるための回路である。

（２．７）第１スイッチ
図５に示す第１スイッチ１７は、複数の送信フィルタ１２１～１２３の中からアンテナ端子１０１に接続される送信フィルタを切り替える。また、第１スイッチ１７は、複数の受信フィルタ１３１～１３３の中からアンテナ端子１０１に接続される受信フィルタを切り替える。第１スイッチ１７は、アンテナ９１に接続させる経路を切り替えるためのスイッチである。第１スイッチ１７は、共通端子１７１と、複数（図示例では３つ）の選択端子１７２～１７４と、を有する。共通端子１７１は、アンテナ端子１０１に接続されている。複数の選択端子１７２～１７４のうち選択端子１７２は、送信フィルタ１２１及び受信フィルタ１３１に接続されている。また、複数の選択端子１７２～１７４のうち選択端子１７３は、送信フィルタ１２２及び受信フィルタ１３２に接続されている。また、複数の選択端子１７２～１７４のうち選択端子１７４は、送信フィルタ１２３及び受信フィルタ１３３に接続されている。

第１スイッチ１７は、共通端子１７１と複数の選択端子１７２～１７４との接続状態を切り替える。第１スイッチ１７は、例えば、信号処理回路９２によって制御される。第１スイッチ１７は、信号処理回路９２のＲＦ信号処理回路９３からの制御信号に従って、共通端子１７１と複数の選択端子１７２～１７４の少なくとも１つとを電気的に接続させる。

（２．８）第２スイッチ
図５に示す第２スイッチ１８は、複数の送信フィルタ１２１～１２３の中からパワーアンプ１１に接続される送信フィルタを切り替える。第２スイッチ１８は、パワーアンプ１１に接続させる経路を切り替えるためのスイッチである。第２スイッチ１８は、共通端子１８１と、複数（図示例では３つ）の選択端子１８２～１８４と、を有する。共通端子１８１は、パワーアンプ１１に接続されている。複数の選択端子１８２～１８４のうち選択端子１８２は、送信フィルタ１２１に接続されている。また、複数の選択端子１８２～１８４のうち選択端子１８３は、送信フィルタ１２２に接続されている。また、複数の選択端子１８２～１８４のうち選択端子１８４は、送信フィルタ１２３に接続されている。

第２スイッチ１８は、共通端子１８１と複数の選択端子１８２～１８４との接続状態を切り替える。第２スイッチ１８は、例えば、信号処理回路９２によって制御される。第２スイッチ１８は、信号処理回路９２のＲＦ信号処理回路９３からの制御信号に従って、共通端子１８１と複数の選択端子１８２～１８４の少なくとも１つとを電気的に接続させる。

（２．９）第３スイッチ
図５に示す第３スイッチ１９は、複数の受信フィルタ１３１～１３３の中からローノイズアンプ１４に接続される受信フィルタを切り替える。第３スイッチ１９は、ローノイズアンプ１４に接続させる経路を切り替えるためのスイッチである。第３スイッチ１９は、共通端子１９１と、複数（図示例では３つ）の選択端子１９２～１９４と、を有する。共通端子１９１は、ローノイズアンプ１４に接続されている。複数の選択端子１９２～１９４のうち選択端子１９２は、受信フィルタ１３１に接続されている。また、複数の選択端子１９２～１９４のうち選択端子１９３は、受信フィルタ１３２に接続されている。また、複数の選択端子１９２～１９４のうち選択端子１９４は、受信フィルタ１３３に接続されている。

第３スイッチ１９は、共通端子１９１と複数の選択端子１９２～１９４との接続状態を切り替える。第３スイッチ１９は、例えば、信号処理回路９２によって制御される。第３スイッチ１９は、信号処理回路９２のＲＦ信号処理回路９３からの制御信号に従って、共通端子１９１と複数の選択端子１９２～１９４の少なくとも１つとを電気的に接続させる。

（２．１０）外部接続端子
複数の外部接続端子１０は、図５に示すように、外部回路（例えば、信号処理回路９２）と電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子１０は、アンテナ端子１０１と、信号入力端子１０２と、信号出力端子１０３と、制御端子１０４と、グランド端子と、を含む。以下では、複数の外部接続端子１０を、「複数の外部接続電極１０」ともいう。

アンテナ端子１０１は、アンテナ９１に接続される。高周波モジュール１内において、アンテナ端子１０１は、第１スイッチ１７に接続されている。また、アンテナ端子１０１は、第１スイッチ１７を介して、複数の送信フィルタ１２１～１２３及び複数の受信フィルタ１３１～１３３に接続されている。

信号入力端子１０２は、外部回路（例えば、信号処理回路９２）からの送信信号を高周波モジュール１に入力するための端子である。高周波モジュール１内において、信号入力端子１０２は、パワーアンプ１１に接続されている。

信号出力端子１０３は、ローノイズアンプ１４からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路９２）へ出力するための端子である。高周波モジュール１内において、信号出力端子１０３は、ローノイズアンプ１４に接続されている。

制御端子１０４は、外部回路（例えば、信号処理回路９２）からの制御信号を高周波モジュール１に入力するための端子である。高周波モジュール１内において、制御端子１０４は、コントローラ２０に接続されている。

（３）高周波モジュールの構造
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の構造について、図面を参照して説明する。

高周波モジュール１は、図１～図４に示すように、実装基板２と、複数（図示例では３つ）の第１電子部品３と、複数（図示例では２つ）の第２電子部品４と、第３電子部品５と、複数（図示例では５つ）の第４電子部品６と、第５電子部品７と、複数の外部接続電極１０と、を備える。また、高周波モジュール１は、第１樹脂層８１と、第２樹脂層８２と、金属電極層８３と、接続端子８と、を更に備える。

高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等の通信装置９のマザー基板に相当する。なお、高周波モジュール１が外部基板に電気的に接続可能であるとは、高周波モジュール１が外部基板上に直接的に実装される場合だけでなく、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合も含む。なお、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合とは、高周波モジュール１が、外部基板上に実装された他の高周波モジュール上に実装される場合等である。

（３．１）実装基板
実装基板２は、図１に示すように、第１主面２１及び第２主面２２を有する。第１主面２１及び第２主面２２は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する。第２主面２２は、高周波モジュール１が外部基板（図示せず）に設けられたときに外部基板と対向する。実装基板２は、第１主面２１及び第２主面２２のそれぞれに電子部品が実装された両面実装基板である。実施形態１では、実装基板２の厚さ方向Ｄ１が第１方向（以下、「第１方向Ｄ１」ともいう）である。

実装基板２は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板２は、複数の導電層と、複数のビア導体（貫通電極を含む）と、を有する。複数の導電層は、グランド電位のグランド層を含む。複数のビア導体は、第１主面２１及び第２主面２２のそれぞれに実装されている素子（上述の電子部品を含む）と実装基板２の導電層との電気的接続に用いられる。また、複数のビア導体は、第１主面２１に実装されている素子と第２主面２２に実装されている素子との電気的接続、及び、実装基板２の導電層と接続端子８との電気的接続に用いられる。

実装基板２の第１主面２１には、複数の第１電子部品３、複数の第２電子部品４、第３電子部品５及び複数の第４電子部品６が配置されている。実装基板２の第２主面２２には、第５電子部品７が配置されている。さらに、実装基板２の第２主面２２には、複数の接続端子８が配置されている。

（３．２）第１電子部品
複数の第１電子部品３は、図１～図３に示すように、実装基板２の第１主面２１に配置されている。図１及び図２の例では、各第１電子部品３は、実装基板２の第１主面２１に実装されている。なお、各第１電子部品３において、第１電子部品３の一部が実装基板２の第１主面２１に実装されており、第１電子部品３の残りが実装基板２に内装されていてもよい。要するに、各第１電子部品３は、実装基板２において第２主面２２よりも第１主面２１側に配置されており、かつ、第１主面２１に実装されている部分を少なくとも有する。

複数の第１電子部品３は、例えば、送信フィルタ１２１～１２３である。複数の送信フィルタ１２１～１２３の各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、複数の送信フィルタ１２１～１２３の各々は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。

（３．３）第２電子部品
複数の第２電子部品４は、図１及び図３に示すように、実装基板２の第１主面２１に配置されている。図１の例では、各第２電子部品４は、実装基板２の第１主面２１に実装されている。なお、各第２電子部品４において、第２電子部品４の一部が実装基板２の第１主面２１に実装されており、第２電子部品４の残りが実装基板２に内装されていてもよい。要するに、各第２電子部品４は、実装基板２において第２主面２２よりも第１主面２１側に配置されており、かつ、第１主面２１に実装されている部分を少なくとも有する。

複数の第２電子部品４は、例えば、受信フィルタ１３１，１３２，１３３である。複数の受信フィルタ１３１，１３２，１３３の各々は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、複数の受信フィルタ１３１，１３２，１３３の各々は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。なお、図１及び図３では、受信フィルタ１３３の図示を省略している。

（３．４）第３電子部品
第３電子部品５は、図１及び図３に示すように、実装基板２の第１主面２１に配置されている。図１の例では、第３電子部品５は、実装基板２の第１主面２１に実装されている。なお、第３電子部品５において、第３電子部品５の一部が実装基板２の第１主面２１に実装されており、第３電子部品５の残りが実装基板２に内装されていてもよい。要するに、第３電子部品５は、実装基板２において第２主面２２よりも第１主面２１側に配置されており、かつ、第１主面２１に実装されている部分を少なくとも有する。第３電子部品５は、例えば、パワーアンプ１１である。

（３．５）第４電子部品
複数の第４電子部品６は、図３に示すように、実装基板２の第１主面２１に配置されている。図３の例では、各第４電子部品６は、実装基板２の第１主面２１に実装されている。なお、各第４電子部品６において、第４電子部品６の一部が実装基板２の第１主面２１に実装されており、第４電子部品６の残りが実装基板２に内装されていてもよい。要するに、各第４電子部品６は、実装基板２において第２主面２２よりも第１主面２１側に配置されており、かつ、第１主面２１に実装されている部分を少なくとも有する。複数の第４電子部品６の各々は、例えば、ローノイズアンプ１４、入力整合回路１６のインダクタ１６１～１６３、又はコントローラ２０である。なお、図３では、出力整合回路１５のインダクタの図示を省略している。

（３．６）第５電子部品
第５電子部品７は、図１、図２及び図４に示すように、実装基板２の第２主面２２に配置されている。図１及び図２の例では、第５電子部品７は、例えば、実装基板２の第２主面２２に実装されている。なお、第５電子部品７の一部が実装基板２の第２主面２２に配置されており、第５電子部品７の残りが実装基板２に内装されていてもよい。要するに、第５電子部品７は、実装基板２において第１主面２１よりも第２主面２２側に位置しており、かつ、第２主面２２に実装されている部分を少なくとも有する。第５電子部品７は、例えば、第１スイッチ１７、第２スイッチ１８及び第３スイッチ１９を含むＩＣチップ５０である。

（３．７）接続端子
複数の接続端子８は、複数の外部接続電極１０と実装基板２とを電気的に接続させるための端子である。

複数の接続端子８は、図１及び図２に示すように、実装基板２の第２主面２２に配置されている。複数の接続端子８は、実装基板２の第２主面２２上に設けられた柱状（例えば、円柱状）の電極である。複数の接続端子８の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の接続端子８の各々は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１において、実装基板２の第２主面２２に接合されている基端部と、基端部とは反対側の先端部と、を有する。複数の接続端子８の各々の先端部は、例えば、金めっき層を含んでいてもよい。

（３．８）外部接続電極
複数の外部接続電極１０は、実装基板２と外部基板（図示せず）とを電気的に接続させるための端子である。

複数の外部接続電極１０は、図１及び図２に示すように、複数の接続端子８の先端部に接合されている。複数の外部接続電極１０は、複数の接続端子８の先端部に設けられた柱状（例えば、角柱状）の電極である。複数の外部接続電極１０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続電極１０の各々は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１において、接続端子８の先端部に接合されている基端部と、基端部とは反対側の先端部と、を有する。複数の外部接続電極１０の各々の先端部は、例えば、金めっき層を含んでいてもよい。

（３．９）第１樹脂層
第１樹脂層８１は、図１及び図２に示すように、実装基板２の第１主面２１に配置されている。第１樹脂層８１は、複数の第１電子部品３、複数の第２電子部品４、第３電子部品５及び複数の第４電子部品６を覆っている。ここで、第１樹脂層８１は、複数の第１電子部品３の各々の外周面３３と、複数の第２電子部品４の各々の外周面４３と、第３電子部品５の外周面５３と、複数の第４電子部品６の各々の外周面と、を覆っている。また、第１樹脂層８１は、複数の第２電子部品４の各々における実装基板２側とは反対側の主面４１と、第３電子部品５における実装基板２側とは反対側の主面５１と、複数の第４電子部品６の各々における実装基板２側とは反対側の主面を覆っている。複数の第１電子部品３の各々の外周面３３は、第１電子部品３において、実装基板２側とは反対側の主面３１と実装基板２側の主面３２とをつないでいる４つの側面を含む。複数の第２電子部品４の各々の外周面４３は、第２電子部品４において、実装基板２側とは反対側の主面４１と実装基板２側の主面４２とをつないでいる４つの側面を含む。第３電子部品５の外周面５３は、第３電子部品５において、実装基板２側とは反対側の主面５１と実装基板２側の主面５２とをつないでいる４つの側面を含む。複数の第４電子部品６の各々の外周面は、第４電子部品６において、実装基板２側とは反対側の主面と実装基板２側の主面とをつないでいる４つの側面を含む。第１樹脂層８１は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層８１は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

（３．１０）第２樹脂層
第２樹脂層８２は、図１及び図２に示すように、実装基板２の第２主面２２に配置されている。第２樹脂層８２は、第５電子部品７及び複数の接続端子８を覆っている。ここで、第２樹脂層８２は、第５電子部品７の外周面と、第５電子部品７における実装基板２側とは反対側の主面と、複数の接続端子８の各々の外周面と、を覆っている。第５電子部品７の外周面は、第５電子部品７において、実装基板２側とは反対側の主面と実装基板２側の主面とをつないでいる４つの側面を含む。第２樹脂層８２は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層８２は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層８２の材料は、第１樹脂層８１の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

（３．１１）金属電極層
金属電極層８３は、図１及び図２に示すように、第１樹脂層８１を覆っている。金属電極層８３は、導電性を有する。高周波モジュール１では、金属電極層８３は、高周波モジュール１の内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。金属電極層８３は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。金属電極層８３は、複数の金属層を積層した多層構造を有する場合、例えば、第１ステンレス鋼層と、第１ステンレス鋼層上のＣｕ層と、Ｃｕ層上の第２ステンレス鋼層と、を含む。第１ステンレス鋼層及び第２ステンレス鋼層の各々の材料は、ＦｅとＮｉとＣｒとを含む合金である。また、金属電極層８３は、１つの金属層の場合、例えば、Ｃｕ層である。金属電極層８３は、第１樹脂層８１における実装基板２側とは反対側の主面と、第１樹脂層８１の外周面と、実装基板２の外周面と、第２樹脂層８２の外周面と、を覆っている。また、金属電極層８３は、複数の第１電子部品３の各々における実装基板２側とは反対側の主面３１を覆っている。金属電極層８３は、実装基板２の有するグランド層の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、金属電極層８３の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。

（４）高周波モジュールの各構成要素の詳細構造
（４．１）実装基板
図１～図４に示す実装基板２は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数の外部グランド端子とグランド層とが、実装基板２の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板２は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板２は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。

また、実装基板２は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板２の第１主面２１であり、第２面が実装基板２の第２主面２２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。

実装基板２の第１主面２１及び第２主面２２は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１において離れており、厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板２における第１主面２１は、例えば、実装基板２の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板２における第２主面２２は、例えば、実装基板２の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板２の第１主面２１及び第２主面２２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。

（４．２）フィルタ
図５に示す複数の送信フィルタ１２１～１２３及び複数の受信フィルタ１３１～１３３の詳細な構造について説明する。以下の説明では、送信フィルタ１２１～１２３及び受信フィルタ１３１～１３３を区別せずにフィルタとする。

フィルタは、１チップのフィルタである。ここにおいて、フィルタでは、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。この場合、フィルタは、例えば、基板と、圧電体層と、複数のＩＤＴ電極（Interdigital Transducer）と、を備える。基板は、第１面及び第２面を有する。圧電体層は、基板の第１面に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に設けられている。複数のＩＤＴ電極は、圧電体層上に設けられている。ここにおいて、低音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。また、圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である。基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。基板は、例えば、シリコン基板である。

圧電体層は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛のいずれかにより形成されていればよい。また、低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。また、基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。

フィルタは、例えば、スペーサ層と、カバー部材と、を更に備える。スペーサ層及びカバー部材は、基板の第１面に設けられている。スペーサ層は、基板の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。基板の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層は枠状（矩形枠状）である。スペーサ層は、電気絶縁性を有する。スペーサ層の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材は、平板状である。基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。フィルタでは、基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材の外形サイズと、スペーサ層の外形サイズと、カバー部材の外形サイズとが略同じである。カバー部材は、基板の厚さ方向において基板に対向するようにスペーサ層に配置されている。カバー部材は、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極と重複し、かつ、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極から離れている。カバー部材は、電気絶縁性を有する。カバー部材の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。フィルタは、基板とスペーサ層とカバー部材とで囲まれた空間を有する。フィルタでは、空間には、気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。複数の端子は、カバー部材から露出している。複数の端子の各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば、金バンプであってもよい。

フィルタは、例えば、低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、フィルタは、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。

また、フィルタは、例えば、基板と低音速膜との間に介在する高音速膜を備えていてもよい。ここにおいて、高音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜は、高音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。高音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である。

高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。

高音速膜の厚さに関しては、弾性波を圧電体層及び低音速膜に閉じ込める機能を高音速膜が有するため、高音速膜の厚さは厚いほど望ましい。

複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、上記の弾性波共振子に限らず、例えば、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。ここにおいて、ＳＡＷ共振子は、例えば、圧電体基板と、圧電体基板上に設けられているＩＤＴ電極と、を含む。フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々をＳＡＷ共振子により構成する場合、１つの圧電体基板上に、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。

（４．３）パワーアンプ
図５に示すパワーアンプ１１は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成された少なくとも１つのトランジスタを含む。増幅機能部は、所定の周波数帯域の送信信号を増幅する機能を有する機能部である。トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプ１１では、電源回路（図示せず）からの電源電圧がＨＢＴのコレクタ－エミッタ間に印加される。パワーアンプ１１は、増幅機能部に加えて、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプ１１は、例えば、基板の第１面が実装基板２の第１主面２１側となるように実装基板２の第１主面２１にフリップチップ実装されている。実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１の外周形状は、四角形状である。

（４．４）ローノイズアンプ
図５に示すローノイズアンプ１４は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成されている。増幅機能部は、所定の周波数帯域の受信信号を増幅する機能を有する機能部である。ローノイズアンプ１４は、例えば、基板の第１面が実装基板２の第１主面２１側となるように実装基板２の第１主面２１にフリップチップ実装されている。実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ローノイズアンプ１４の外周形状は、四角形状である。

（４．５）コントローラ
コントローラ２０は、例えば、基板と回路部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、信号処理回路９２からの制御信号に応じてパワーアンプ１１を制御する制御回路を含む。コントローラ２０は、例えば、基板の第１面が実装基板２の第１主面２１側となるように実装基板２の第１主面２１にフリップチップ実装されている。実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、コントローラ２０の外周形状は、四角形状である。

（５）通信装置
通信装置９は、図５に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ９１と、信号処理回路９２と、を備える。

（５．１）アンテナ
アンテナ９１は、高周波モジュール１のアンテナ端子１０１に接続されている。アンテナ９１は、高周波モジュール１から出力された送信信号を電波にて放射する送信機能と、受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能と、を有する。

（５．２）信号処理回路
信号処理回路９２は、ＲＦ信号処理回路９３と、ベースバンド信号処理回路９４と、を含む。信号処理回路９２は、高周波モジュール１を通る信号を処理する。より詳細には、信号処理回路９２は、送信信号及び受信信号を処理する。

ＲＦ信号処理回路９３は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）である。ＲＦ信号処理回路９３は、高周波信号に対する信号処理を行う。

ＲＦ信号処理回路９３は、ベースバンド信号処理回路９４から出力された高周波信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール１に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路９３は、ベースバンド信号処理回路９４から出力された送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた送信信号を高周波モジュール１の送信経路Ｔ１に出力する。

ＲＦ信号処理回路９３は、高周波モジュール１から出力された高周波信号に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路９４に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路９３は、高周波モジュール１の受信経路Ｒ１から出力された受信信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた受信信号をベースバンド信号処理回路９４に出力する。

ベースバンド信号処理回路９４は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路９４は、信号処理回路９２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路９４で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。

また、ＲＦ信号処理回路９３は、高周波信号（送信信号、受信信号）の送受に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ１３の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦ信号処理回路９３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１のスイッチ１３の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦ信号処理回路９３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１又はベースバンド信号処理回路９４に設けられていてもよい。

（６）第１電子部品の詳細
以下、第１電子部品３の詳細について、図面を参照して説明する。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、上述したように、複数（図示例では３つ）の第１電子部品３を備える。上述したように、複数の第１電子部品３は複数の送信フィルタ１２１～１２３である。複数の送信フィルタ１２１～１２３は、発熱量が大きい素子である。そのため、図１及び図２に示すように、複数の第１電子部品３の各々における実装基板２側とは反対側の主面３１を金属電極層８３に接触させることで、複数の送信フィルタ１２１～１２３の放熱性能を向上させている。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１は、上述したように、複数（図示例では２つ）の第２電子部品４と、第３電子部品５と、を更に備える。上述したように、複数の第２電子部品４は複数の受信フィルタ１３１，１３２であり、第３電子部品５はパワーアンプ１１である。パワーアンプ１１は発熱量が大きい素子であるため、第３電子部品５における実装基板２側とは反対側の主面５１を金属電極層８３に接触させるのが好ましいが、図１の例では、第３電子部品５の主面５１を金属電極層８３に接触させていない。

図１～図３の例では、複数の第１電子部品３のうち送信フィルタ１２３に対応する第１電子部品３と、複数の第２電子部品４と、第３電子部品５と、が第１方向Ｄ１に直交（交差）する第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。第２方向Ｄ２は、例えば、実装基板２の長手方向に沿った方向である。すなわち、複数の第１電子部品３のうち送信フィルタ１２３に対応する第１電子部品３は、図３に示すように、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２電子部品４と第３電子部品５との間に位置している。また、複数の第１電子部品３は、図２及び図３に示すように、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２の両方に直交する第３方向Ｄ３に沿って並んでいる。第３方向Ｄ３は、例えば、実装基板２の短手方向（幅方向）に沿った方向である。

第１電子部品３は、図１～図３に示すように、傾斜面３４１を有する。傾斜面３４１は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視における外縁３０を含む外周部分３４に形成されている。言い換えると、傾斜面３４１は、第１電子部品３の主面３１と外周面３３とが接する角部に形成されている。実施形態１に係る高周波モジュール１では、傾斜面３４１は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、全周にわたって形成されている。傾斜面３４１は、第１電子部品３の外縁３０に近づくにつれて金属電極層８３から離れる向きに傾斜している。これにより、第１電子部品３の外縁３０は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、全周にわたって金属電極層８３から離れている。つまり、第１電子部品３の外縁３０は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、全周にわたって金属電極層８３に接していない。

ここで、第１電子部品３における実装基板２側とは反対側の主面３１の全体が金属電極層８３に接している場合を想定する。この場合において、例えば、実装基板２の厚さ方向Ｄ１に沿った外力が高周波モジュール１に加わることで、第１電子部品３の外周面３３と第１樹脂層８１との間で剥離が生じる可能性がある。そして、この剥離が実装基板２の厚さ方向Ｄ１に沿って大きくなると、金属電極層８３に亀裂が生じる可能性がある。その結果、金属電極層８３による第１電子部品３の放熱性能が劣化（低下）すると共に、放熱性能の劣化に伴って高周波モジュール１の特性が劣化（低下）する可能性がある。

これに対して、実施形態１に係る高周波モジュール１では、上述したように、第１電子部品３の外周部分３４に傾斜面３４１が形成されている。そして、図１及び図２に示すように、第１樹脂層８１の一部が第１電子部品３の外周部分３４に入り込んでいる。そのため、実装基板２の厚さ方向Ｄ１に沿った外力が高周波モジュール１に加わった場合でも、この外力を傾斜面３４１で受けることができる。これにより、上記外力によって第１電子部品３の外周面３３と第１樹脂層８１との間で剥離が生じた場合でも、金属電極層８３に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。その結果、金属電極層８３による第１電子部品３の放熱性能の劣化を抑制することが可能になると共に、放熱性能の劣化に伴う高周波モジュール１の特性の劣化を抑制することが可能になる。

ところで、実施形態１に係る高周波モジュール１では、上述したように、第１電子部品３は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２電子部品４と第３電子部品５との間に位置している。つまり、実施形態１に係る高周波モジュール１では、複数の第１電子部品３は、図３に示すように、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、中央領域Ａ１に位置している。本開示において、「中央領域」とは、上述したように、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、２つの電子部品（実施形態１では、第２電子部品４と第３電子部品５）の間の領域をいう。

ここで、実施形態１に係る高周波モジュール１は、上述したように、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。例えば、実装基板２の熱膨張係数と外部基板の熱膨張係数とが異なっている場合、実装基板２は、第１電子部品３等からの発熱によって、実装基板２の厚さ方向Ｄ１に沿って変形する。この際、実装基板２は、複数の第１電子部品３が配置されている中央領域Ａ１において最も変形量が大きくなる。したがって、実装基板２の中央領域Ａ１に配置されている複数の第１電子部品３の各々の外縁３０を、全周にわたって金属電極層８３から離すことで、金属電極層８３に亀裂が生じることをより効果的に抑制することが可能となる。

また、実施形態１に係る高周波モジュール１では、図１に示すように、第２電子部品４における実装基板２側とは反対側の主面４１が金属電極層８３から離れている。つまり、第２電子部品４における実装基板２側とは反対側の主面４１は金属電極層８３に接していない。これにより、第１電子部品３から金属電極層８３に伝達される熱が第２電子部品４に伝達されるのを抑制することが可能となる。

（７）高周波モジュールの製造方法
次に、実施形態１に係る高周波モジュール１の製造方法について簡単に説明する。

高周波モジュール１の製造方法は、例えば、第１工程と、第２工程と、第３工程と、第４工程と、第５工程と、第６工程と、第７工程と、第８工程と、を備える。

第１工程は、複数の電子部品（第１電子部品３、第２電子部品４、第３電子部品５及び第４電子部品６）を実装基板２の第１主面２１に配置する工程である。第２工程は、複数の電子部品を覆い第１樹脂層８１の元になる樹脂材料層を実装基板２の第１主面２１側に形成する工程である。第３工程は、樹脂材料層における実装基板２側とは反対側の主面から樹脂材料層を研削して第１電子部品３の表面（上面）を露出させた後、樹脂材料層と第１電子部品３とを研削することで、第１樹脂層８１を形成すると共に第１電子部品３を薄くする工程である。第３工程では、第１電子部品３の傾斜面３４１が残るように、樹脂材料層と第１電子部品３とを研削する。

第４工程は、第５電子部品７及び複数の接続端子８を実装基板２の第２主面２２に配置する工程である。第５工程は、第５電子部品７及び複数の接続端子８を覆い第２樹脂層８２の元になる樹脂材料層を実装基板２の第２主面２２側に形成する工程である。第６工程は、樹脂材料層における実装基板２側とは反対側の主面から樹脂材料層を研削することで、第２樹脂層８２を形成すると共に複数の接続端子８の先端面を露出させる工程である。第７工程は、第１樹脂層８１における実装基板２側とは反対側の主面と第１電子部品３の主面３１とに接する金属電極層８３を、例えば、スパッタ法、蒸着法又は印刷法によって形成する工程である。第８工程は、複数の外部接続電極１０を複数の接続端子８に接合する工程である。

（８）効果
実施形態１に係る高周波モジュール１では、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視における第１電子部品（電子部品）３の外縁３０の少なくとも一部が金属電極層８３から離れている。これにより、第１電子部品３の外周面３３と第１樹脂層８１との間に剥離が生じた場合でも、金属電極層８３に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、第１電子部品３の外縁３０は、全周にわたって金属電極層８３から離れている。これにより、第１電子部品３の全周にわたって、金属電極層８３に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、第２電子部品４における実装基板２側とは反対側の主面４１が金属電極層８３から離れている。これにより、第１電子部品３から金属電極層８３に伝達された熱が第２電子部品４に伝達されるのを抑制することが可能となる。

実施形態１に係る高周波モジュール１では、複数の第１電子部品３は、実装基板２の中央領域Ａ１に配置されている。これにより、実装基板２の熱膨張係数と外部基板（図示せず）の熱膨張係数とが異なっている場合でも、金属電極層８３に亀裂が生じることをより効果的に抑制することが可能となる。

（９）変形例
以下、実施形態１に係る高周波モジュール１の変形例について、図面を参照して説明する。

（９．１）変形例１
実施形態１の変形例１に係る高周波モジュール１ａについて、図６を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１ａの回路構成については、図５を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成と同様である。

変形例１に係る高周波モジュール１ａは、複数の外部接続端子１０がボールバンプである点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。また、変形例１に係る高周波モジュール１ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１の第２樹脂層８２を備えていない点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。変形例１に係る高周波モジュール１ａは、実装基板２の第２主面２２に実装されている第５電子部品７と実装基板２の第２主面２２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。

複数の外部接続端子１０の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。

複数の外部接続端子１０は、ボールバンプにより構成された外部接続端子１０と、角柱状に形成された外部接続端子１０と、が混在してもよい。

（９．２）変形例２
実施形態１の変形例２に係る高周波モジュール１ｂについて、図７を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１ｂの回路構成については、図５を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１の回路構成と同様である。

変形例２に係る高周波モジュール１ｂは、第１電子部品３の外縁３０のうち第１部分３０１のみが金属電極層８３から離れている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１と相違する。

変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、図７に示すように、第１電子部品３の外縁３０のうち第１部分３０１は、金属電極層８３から離れている。つまり、第１電子部品３の外縁３０のうち第１部分３０１は、金属電極層８３に接していない。第１部分３０１は、第１電子部品３の外縁３０のうち、第２方向Ｄ２における第２電子部品４側の部分であって、第３方向Ｄ３に沿った部分である。言い換えると、第１部分３０１は、第１電子部品３の外縁３０のうち第２電子部品４側の部分である。また、変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、図７に示すように、第１電子部品３の外縁３０のうち第２部分３０２は、金属電極層８３に接している。第２部分３０２は、第１電子部品３の外縁のうち、第２方向Ｄ２における第２電子部品４側とは反対側の部分であって、第３方向Ｄ３に沿った部分である。言い換えると、第２部分３０２は、第１電子部品３の外縁３０のうち第２電子部品４側とは反対側の部分である。なお、第１電子部品３の外縁のうち第２方向Ｄ２に沿った第３部分については、金属電極層８３に接していてもよいし、離れていてもよい。

ここで、第１電子部品３を構成する基板は、上述したように、シリコン基板である。したがって、第１電子部品３の熱伝導率は第１樹脂層８１の熱伝導率よりも高い。図７の例では、第１電子部品３の外縁３０のうち第１部分３０１には、第１樹脂層８１の一部が入り込んでいるため、第１電子部品３で発生した熱は、第２方向Ｄ２において、第２電子部品４側よりも第３電子部品５側により多く伝達される。これにより、第１電子部品３で発生した熱の第２電子部品４への影響を低減することが可能となる。

（実施形態２）
（１）高周波モジュール
実施形態２に係る高周波モジュール１ｃの構成について、図面を参照して説明する。なお、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

高周波モジュール１ｃは、図１０に示すように、例えば、通信装置９ｃに用いられる。通信装置９ｃは、例えば、スマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置９ｃは、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。高周波モジュール１ｃは、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ ＬＴＥ規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ ＮＲである。高周波モジュール１ｃは、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。

通信装置９ｃは、１つの通信バンドの通信を行う。より詳細には、通信装置９ｃは、１つの通信バンドの送信信号の送信、１つの通信バンドの受信信号の受信を行う。

１つの通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＴＤＤの信号である。なお、１つの通信バンドの送信信号及び受信信号は、ＴＤＤの信号に限定されず、ＦＤＤの信号であってもよい。

（２）高周波モジュールの回路構成
以下、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃの回路構成について、図１０を参照して説明する。なお、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係る高周波モジュール１ｃは、図１０に示すように、パワーアンプ１１と、フィルタ１２と、スイッチ１３と、ローノイズアンプ１４と、出力整合回路１５と、入力整合回路１６と、を備える。また、高周波モジュール１ｃは、複数（図示例では４つ）の外部接続端子１０を更に備える。

（２．１）パワーアンプ
図１０に示すパワーアンプ１１は、送信信号を増幅する増幅器である。パワーアンプ１１は、アンテナ端子１０１と信号入力端子１０２とを結ぶ送信経路Ｔ１のうち信号入力端子１０２とフィルタ１２との間に設けられている。パワーアンプ１１は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。パワーアンプ１１の入力端子は、信号入力端子１０２を介して外部回路（例えば、信号処理回路９２）に接続される。パワーアンプ１１の出力端子は、フィルタ１２に接続されている。パワーアンプ１１は、例えば、コントローラ２０によって制御される。なお、パワーアンプ１１は、直接又は間接的に、フィルタ１２に接続されていればよい。図１０の例では、パワーアンプ１１は、出力整合回路１５を介してフィルタ１２に接続されている。

（２．２）フィルタ
図１０に示すフィルタ１２は、１つの通信バンドの送信信号及び１つの通信バンドの受信信号を通過させる送受信フィルタである。フィルタ１２は、スイッチ１３とアンテナ端子１０１との間に設けられている。フィルタ１２は、パワーアンプ１１で増幅された高周波信号のうち、対応する通信バンドの送信帯域の送信信号を通過させる。また、フィルタ１２は、アンテナ端子１０１から入力された高周波信号のうち、対応する通信バンドの受信帯域の受信信号を通過させる。

（２．３）ローノイズアンプ
図１０に示すローノイズアンプ１４は、受信信号を低雑音で増幅する増幅器である。ローノイズアンプ１４は、アンテナ端子１０１と信号出力端子１０３とを結ぶ受信経路Ｒ１のうちフィルタ１２と信号出力端子１０３との間に設けられている。ローノイズアンプ１４は、入力端子（図示せず）及び出力端子（図示せず）を有する。ローノイズアンプ１４の入力端子は、入力整合回路１６に接続されている。ローノイズアンプ１４の出力端子は、信号出力端子１０３を介して外部回路（例えば、信号処理回路９２）に接続される。

（２．４）出力整合回路
出力整合回路１５は、図１０に示すように、送信経路Ｔ１のうちパワーアンプ１１とフィルタ１２との間に設けられている。出力整合回路１５は、パワーアンプ１１とフィルタ１２とのインピーダンス整合をとるための回路である。なお、出力整合回路１５の構成については、実施形態１に係る高周波モジュール１の出力整合回路１５と同様であり、ここでは説明を省略する。

（２．５）入力整合回路
入力整合回路１６は、図１０に示すように、受信経路Ｒ１のうちフィルタ１２とローノイズアンプ１４との間に設けられている。入力整合回路１６は、フィルタ１２とローノイズアンプ１４とのインピーダンス整合をとるための回路である。なお、入力整合回路１６の構成については、実施形態１に係る高周波モジュール１の入力整合回路１６と同様であり、ここでは説明を省略する。

（２．６）スイッチ
図１０に示すスイッチ１３は、フィルタ１２に接続させる信号経路（送信経路Ｔ１、受信経路Ｒ１）を切り替えるためのスイッチである。すなわち、スイッチ１３は、フィルタ１２に接続される信号経路を、送信経路Ｔ１又は受信経路Ｒ１に切り替える。スイッチ１３は、共通端子１３４と、複数（図示例では２つ）の選択端子１３５，１３６と、を有する。共通端子１３４は、フィルタ１２に接続されている。複数の選択端子１３５，１３６のうち一方の選択端子１３５は、出力整合回路１５を介してパワーアンプ１１の出力端子に接続されている。複数の選択端子１３５，１３６のうち他方の選択端子１３６は、入力整合回路１６を介してローノイズアンプ１４の入力端子に接続されている。

（２．７）外部接続端子
複数の外部接続端子１０は、図１０に示すように、外部回路（例えば、信号処理回路９２）と電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子１０は、アンテナ端子１０１と、信号入力端子１０２と、信号出力端子１０３と、制御端子１０４と、グランド端子と、を含む。

アンテナ端子１０１は、アンテナ９１に接続される。高周波モジュール１内において、アンテナ端子１０１は、フィルタ１２に接続されている。

信号入力端子１０２は、外部回路（例えば、信号処理回路９２）からの送信信号を高周波モジュール１に入力するための端子である。高周波モジュール１内において、信号入力端子１０２は、パワーアンプ１１に接続されている。

信号出力端子１０３は、ローノイズアンプ１４からの受信信号を外部回路（例えば、信号処理回路９２）へ出力するための端子である。高周波モジュール１内において、信号出力端子１０３は、ローノイズアンプ１４に接続されている。

制御端子１０４は、外部回路（例えば、信号処理回路９２）からの制御信号を高周波モジュール１に入力するための端子である。高周波モジュール１内において、制御端子１０４は、コントローラ２０に接続されている。

（３）高周波モジュールの構造
以下、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃの構造について、図面を参照して説明する。なお、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様の構造については、同一の符号を付して説明を省略する。

高周波モジュール１ｃは、図８及び図９に示すように、実装基板２と、複数（図示例では２つ）の第１電子部品３と、複数（図示例では３つ）の第４電子部品６と、複数の外部接続端子１０と、を備える。また、高周波モジュール１ｃは、第１樹脂層８１と、金属電極層８３と、を更に備える。実施形態２に係る高周波モジュール１ｃでは、実装基板２は、第１主面２１のみに電子部品が実装された片面実装基板である。

（３．１）第１電子部品
複数の第１電子部品３は、図８に示すように、実装基板２の第１主面２１に配置されている。図８の例では、各第１電子部品３は、実装基板２の第１主面２１に実装されている。なお、各第１電子部品３において、第１電子部品３の一部が実装基板２の第１主面２１に実装されており、第１電子部品３の残りが実装基板２に内装されていてもよい。要するに、各第１電子部品３は、実装基板２において第２主面２２よりも第１主面２１側に配置されており、かつ、第１主面２１に実装されている部分を少なくとも有する。複数の第１電子部品３の各々は、例えば、パワーアンプ１１又はフィルタ１２である。

（３．２）第４電子部品
複数の第４電子部品６は、図９に示すように、実装基板２の第１主面２１に配置されている。図９の例では、各第４電子部品６は、例えば、実装基板２の第１主面２１に実装されている。なお、各第４電子部品６の一部が実装基板２の第１主面２１に配置されており、各第４電子部品６の残りが実装基板２に内装されていてもよい。要するに、第４電子部品６は、実装基板２において第２主面２２よりも第１主面２１側に位置しており、かつ、第１主面２１に実装されている部分を少なくとも有する。複数の第４電子部品６の各々は、例えば、スイッチ１３、ローノイズアンプ１４又はコントローラ２０である。

（３．３）第１樹脂層
第１樹脂層８１は、図８に示すように、実装基板２の第１主面２１に配置されている。第１樹脂層８１は、複数の第１電子部品３及び複数の第４電子部品６を覆っている。ここで、第１樹脂層８１は、複数の第１電子部品３の外周面３３と、複数の第４電子部品６の外周面と、を覆っている。また、第１樹脂層８１は、複数の第４電子部品６の各々における実装基板２側とは反対側の主面を覆っている。第１樹脂層８１は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第１樹脂層８１は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。

（３．４）金属電極層
金属電極層８３は、図８に示すように、第１樹脂層８１を覆っている。金属電極層８３は、導電性を有する。高周波モジュール１ｃでは、金属電極層８３は、高周波モジュール１ｃの内外の電磁シールドを目的として設けられているシールド層である。金属電極層８３は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。金属電極層８３は、複数の金属層を積層した多層構造を有する場合、例えば、第１ステンレス鋼層と、第１ステンレス鋼層上のＣｕ層と、Ｃｕ層上の第２ステンレス鋼層と、を含む。第１ステンレス鋼層及び第２ステンレス鋼層の各々の材料は、ＦｅとＮｉとＣｒとを含む合金である。また、金属電極層８３は、１つの金属層の場合、例えば、Ｃｕ層である。金属電極層８３は、第１樹脂層８１における実装基板２側とは反対側の主面と、第１樹脂層８１の外周面と、実装基板２の外周面と、各第１電子部品３における実装基板２側とは反対側の主面３１と、を覆っている。金属電極層８３は、実装基板２の有するグランド層の外周面の少なくとも一部と接触している。これにより、金属電極層８３の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。

なお、高周波モジュール１ｃの各構成要素の詳細構造については、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様であり、ここでは説明を省略する。また、通信装置９ｃの構成についても、実施形態１に係る通信装置９と同様であり、ここでは説明を省略する。また、高周波モジュール１ｃの製造方法についても、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様であり、ここでは説明を省略する。

（４）第１電子部品の詳細
以下、第１電子部品３の詳細について、図面を参照して説明する。

実施形態１に係る高周波モジュール１は、上述したように、複数（図示例では２つ）の第１電子部品３を備える。上述したように、複数の第１電子部品３の各々は、パワーアンプ１１又はフィルタ１２である。パワーアンプ１１及びフィルタ１２は、発熱量が大きい素子である。そのため、図８に示すように、複数の第１電子部品３の各々における実装基板２側とは反対側の主面３１を金属電極層８３に接触させることで、パワーアンプ１１及びフィルタ１２の放熱性能を向上させている。パワーアンプ１１とフィルタ１２とは、図８及び図９に示すように、第１方向Ｄ１に直交（交差）する第２方向Ｄ２に沿って並んでいる。第２方向Ｄ２は、実装基板２の長手方向に沿った方向である。

ここで、パワーアンプ１１を構成する基板がガリウム砒素基板である場合、第１電子部品３における実装基板２側とは反対側の表面を切削することが困難である。そのため、パワーアンプ１１を構成する基板は、シリコン基板、又は、シリコン基板とガリウム砒素基板とを貼り合わせた基板であることが好ましい。

第１電子部品３は、図８及び図９に示すように、傾斜面３４１を有する。傾斜面３４１は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視における外縁３０を含む外周部分３４に形成されている。実施形態２に係る高周波モジュール１ｃでは、傾斜面３４１は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、全周にわたって形成されている。これにより、第１電子部品３の外縁３０は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、全周にわたって金属電極層８３から離れている。つまり、第１電子部品３の外縁３０は、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、全周にわたって金属電極層８３に接していない。そして、図８の例では、第１樹脂層８１の一部が第１電子部品３の外周部分３４に入り込んでいる。

実施形態２に係る高周波モジュール１ｃでは、上述したように、第１電子部品３の外縁３０が金属電極層８３から離れており、かつ、第１電子部品３の外周部分３４に第１樹脂層８１の一部が入り込んでいる。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、第１電子部品３の外周面３３と第１樹脂層８１との間で剥離が生じた場合でも、金属電極層８３に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。その結果、金属電極層８３による第１電子部品３の放熱性能の劣化を抑制することが可能になると共に、放熱性能の劣化に伴う高周波モジュール１の特性の劣化を抑制することが可能になる。

（５）効果
実施形態２に係る高周波モジュール１ｃにおいても、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視における第１電子部品（電子部品）３の外縁３０の少なくとも一部が金属電極層８３から離れている。これにより、第１電子部品３の外周面３３と第１樹脂層８１との間に剥離が生じた場合でも、金属電極層８３に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

実施形態２に係る高周波モジュール１ｃにおいても、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、第１電子部品３の外縁３０は、全周にわたって金属電極層８３から離れている。これにより、第１電子部品３の全周にわたって、金属電極層８３に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

（６）変形例
実施形態１の変形例に係る高周波モジュール１ｄについて、図１１を参照して説明する。変形例に係る高周波モジュール１ｄに関し、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。

変形例に係る高周波モジュール１ｄでは、第１電子部品３が、金属部材８４を介して金属電極層８３に接している点で、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃと相違する。すなわち、変形例に係る高周波モジュール１ｄでは、第１電子部品３における実装基板２側とは反対側の主面３１は、金属部材８４を介して、間接的に金属電極層８３に接続されている。

金属部材８４は、導電性を有する。金属部材８４は、例えば、第１電子部品３の主面３１と金属電極層８３とを接着させるための接着層である。実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、金属部材８４の外周形状は、四角形状である。また、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、金属部材８４の大きさと第１電子部品３の主面３１の大きさとが等しい。

変形例に係る高周波モジュール１ｄでは、金属部材８４は、電子部品３における実装基板２側とは反対側の主面３１に配置されている。そして、変形例に係る高周波モジュール１ｄでは、金属部材８４における実装基板２側とは反対側の主面８４１が金属電極層８３に接している。ここで、変形例に係る高周波モジュール１ｄでは、第１樹脂層８１は、複数の第１電子部品３の外周面３３と、複数の第４電子部品６の外周面と、複数の金属部材８４の外周面８４３と、を覆っている。また、第１樹脂層８１は、複数の第４電子部品６の各々における実装基板２側とは反対側の主面を覆っている。

変形例に係る高周波モジュール１ｄでは、図１１に示すように、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃと同様、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視における第１電子部品３の外縁３０は、全周にわたって金属電極層８３から離れている。これにより、変形例に係る高周波モジュール１ｄにおいても、実施形態２に係る高周波モジュール１ｃと同様、金属電極層８３に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。その結果、金属電極層８３による第１電子部品３の放熱性能の劣化を抑制することが可能になると共に、放熱性能の劣化に伴う高周波モジュール１ｄの特性の劣化を抑制することが可能になる。

（その他の変形例）
上述の実施形態１，２等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態１，２等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能であり、互いに異なる実施形態の互いに異なる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

高周波モジュール１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄでは、金属電極層８３は、第１樹脂層８１における実装基板２側とは反対側の主面の全部を覆っている場合だけに限らず、第１樹脂層８１における実装基板２側とは反対側の主面の少なくとも一部を覆っていてもよい。

また、実施形態１に係る複数の送信フィルタ１２１～１２３及び複数の受信フィルタ１３１～１３３、並びに、実施形態２に係るフィルタ１２の各々は、表面弾性波フィルタに限らず、例えば、ＢＡＷフィルタであってもよい。ＢＡＷフィルタにおける共振子は、例えば、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）又はＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。ＢＡＷフィルタは、基板を有している。基板は、例えば、シリコン基板である。

また、実施形態１に係る複数の送信フィルタ１２１～１２３及び複数の受信フィルタ１３１～１３３、並びに、実施形態２に係るフィルタ１２の各々は、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでもよい。

また、上述の弾性波フィルタは、表面弾性波又はバルク弾性波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。

また、実施形態１に係る通信装置９は、高周波モジュール１の代わりに、高周波モジュール１ａ、１ｂのいずれかを備えてもよい。また、実施形態２に係る通信装置９ｃは、高周波モジュール１ｃの代わりに、高周波モジュール１ｄを備えてもよい。

また、高周波モジュール１、１ａ、１ｂでは、第３電子部品５（パワーアンプ１１）における実装基板２側とは反対側の主面５１が金属電極層８３から離れているが、上述したように、第３電子部品５は発熱量の大きい素子であるため、第３電子部品５における実装基板２側とは反対側の主面５１の少なくとも一部が金属電極層８３に接していてもよい。この場合においても、実装基板２の厚さ方向Ｄ１からの平面視における第３電子部品５の外縁の少なくとも一部が金属電極層８３から離れていることが好ましい。

また、高周波モジュール１、１ａ、１ｂでは、第１電子部品３は送信フィルタ１２１～１２３であり、高周波モジュール１ｃ、１ｄでは、第１電子部品３はパワーアンプ１１及びフィルタ１２であるが、第１電子部品３は、送信フィルタ１２１～１２３、パワーアンプ１１、フィルタ１２に限らず、例えば、ローノイズアンプ１４であってもよい。

また、高周波モジュール１、１ａ、１ｂでは、第２電子部品４は受信フィルタ１３１～１３３であるが、第２電子部品４は、受信フィルタ１３１～１３３に限らず、例えば、ローノイズアンプ１４であってもよい。

また、高周波モジュール１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄでは、第１電子部品３の傾斜面３４１が平面であるが、傾斜面３４１は、平面に限らず、例えば、実装基板２側に凸となる曲面であってもよいし、実装基板２側とは反対側に凸となる曲面であってもよい。さらに、微細な凹凸又は凹部又は凸部が傾斜面３４１に形成されていてもよい。

本明細書において、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第１主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第１主面に配置されている」は、要素が基板の第１主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、第１電子部品３、第２電子部品４、第３電子部品５、第４電子部品６であるが、第１電子部品３、第２電子部品４、第３電子部品５、第４電子部品６に限定されない。基板は、実装基板２である。基板が実装基板２である場合、第１主面は第１主面２１であり、第２主面は第２主面２２である。

本明細書において、「要素は、基板の第２主面に配置されている」は、要素が基板の第２主面上に直接実装されている場合だけでなく、基板で隔された第１主面側の空間及び第２主面側の空間のうち、第２主面側の空間に要素が配置されている場合を含む。つまり、「要素は、基板の第２主面に配置されている」は、要素が基板の第２主面上に、他の回路素子又は電極等を介して実装されている場合を含む。要素は、例えば、第５電子部品７、接続端子８であるが、第５電子部品７、接続端子８に限定されない。基板は、実装基板２である。基板が実装基板２である場合、第１主面は第１主面２１であり、第２主面は第２主面２２である。

本明細書において、「基板の厚さ方向からの平面視において、第１要素と第２要素との間に第３要素が配置されている」とは、基板の厚さ方向からの平面視において第１要素内の任意の点と第２要素内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つが第３要素の領域を通ることを意味する。また、基板の厚さ方向からの平面視とは、基板及び基板に実装された電子部品を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。基板は、実装基板２である。

（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。

第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）は、実装基板（２）と、電子部品（３）と、樹脂層（８１）と、金属電極層（８３）と、を備える。実装基板（２）は、互いに対向する第１主面（２１）及び第２主面（２２）を有する。電子部品（３）は、実装基板（２）の第１主面（２１）に配置されている。樹脂層（８１）は、実装基板（２）の第１主面（２１）に設けられており、電子部品（３）の外周面（３３）の少なくとも一部を覆っている。金属電極層（８３）は、少なくとも樹脂層（８１）を覆っている。電子部品（３）における実装基板（２）側とは反対側の主面（３１）の少なくとも一部は、金属電極層（８３）に接している。実装基板（２）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視における電子部品（３）の外縁（３０）の少なくとも一部は、金属電極層（８３）から離れている。

この態様によれば、金属電極層（８３）に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

第２の態様に係る高周波モジュール（１ｄ）は、実装基板（２）と、電子部品（３）と、金属部材（８４）と、樹脂層（８１）と、金属電極層（８３）と、を備える。実装基板（２）は、互いに対向する第１主面（２１）及び第２主面（２２）を有する。電子部品（３）は、実装基板（２）の第１主面（２１）に配置されている。金属部材（８４）は、電子部品（３）における実装基板（２）側とは反対側の主面（３１）に配置されている。樹脂層（８１）は、実装基板（２）の第１主面（２１）に配置されており、電子部品（３）の外周面（３３）の少なくとも一部及び金属部材（８４）の外周面（８４３）の少なくとも一部を覆っている。金属電極層（８３）は、少なくとも樹脂層（８１）を覆っている。金属部材（８４）における実装基板（２）側とは反対側の主面（８４１）の少なくとも一部は、金属電極層（８３）に接している。実装基板（２）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視における電子部品（３）の外縁（３０）の少なくとも一部は、金属電極層（８３）から離れている。

この態様によれば、金属電極層（８３）に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）では、第１又は第２の態様において、電子部品（３）の外縁（３０）は、全周にわたって金属電極層（８３）から離れている。

この態様によれば、電子部品（３）の全周にわたって、金属電極層（８３）に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）は、第１又は第２の態様において、第２電子部品（４）を更に備える。第２電子部品（４）は、実装基板（２）の第１主面（２１）に配置されており、電子部品（３）としての第１電子部品（３）とは異なる。第１電子部品（３）の熱伝導率は、樹脂層（８１）の熱伝導率よりも高い。第２方向（Ｄ２）において、外縁（３０）のうち第２電子部品（４）側の第１部分（３０１）は、金属電極層（８３）から離れており、外縁（３０）のうち第２電子部品（４）側とは反対側の第２部分（３０２）は、金属電極層（８３）に接している。第２方向（Ｄ２）は、実装基板（２）の厚さ方向（Ｄ１）である第１方向（Ｄ１）に交差し、かつ、第１電子部品（３）と第２電子部品（４）とが並ぶ方向である。

この態様によれば、第１電子部品（３）で発生する熱の第２電子部品（４）への影響を低減することが可能となる。

第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第４の態様において、第２電子部品（４）における実装基板（２）側とは反対側の主面（４１）は、金属電極層（８３）から離れている。

この態様によれば、第１電子部品（３）から金属電極層（８３）に伝達された熱が第２電子部品（４）に伝わるのを抑制することが可能となる。

第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）では、第４又は第５の態様において、第２電子部品（４）は、受信信号が通る信号経路（Ｒ１）に設けられている受信フィルタ（１３１～１３２）又はローノイズアンプ（１４）である。

この態様によれば、第１電子部品（３）と第２電子部品（４）との間のアイソレーションを向上させることが可能となる。

第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）は、第４～第６の態様のいずれか１つにおいて、第１電子部品（３）を複数備える。複数の第１電子部品（３）は、第１方向（Ｄ１）及び第２方向（Ｄ２）の両方に直交する第３方向（Ｄ３）に沿って並んでいる。

第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ）は、第４～第７の態様のいずれか１つにおいて、第３電子部品（５）を更に備える。第３電子部品（５）は、実装基板（２）の第１主面（２１）に配置されており、第１電子部品（３）及び第２電子部品（４）とは異なる。実装基板（２）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２電子部品（４）と第３電子部品（５）との間に第１電子部品（３）が位置している。

この態様によれば、実装基板（２）の熱膨張係数と外部基板の熱膨張係数とが異なっている場合には、金属電極層（８３）に亀裂が生じることをより効果的に抑制することが可能となる。

第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）では、第１～第８の態様のいずれか１つにおいて、電子部品（３）は、送信信号が通る信号経路（Ｔ１）に設けられている送信フィルタ（１２１～１２３）、送受信フィルタ（１２）又はパワーアンプ（１１）のいずれかである。

この態様によれば、電子部品（３）の放熱性能を維持しつつ、金属電極層（８３）に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

第１０の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）では、第１～第９の態様のいずれか１つにおいて、電子部品（３）は、実装基板（２）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視における外縁（３０）を含む外周部分（３４）の少なくとも一部に、外縁（３０）に近づくにつれて金属電極層（８３）から離れる向きに傾斜する傾斜面（３４１）を有する。

この態様によれば、電子部品（３）の外周部分（３４）において電子部品（３）と金属電極層（８３）とを接触させないようにすることが可能となる。

第１１の態様に係る通信装置（９；９ｃ）は、第１～第１０の態様のいずれか１つに係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）と、信号処理回路（９２）と、を備える。信号処理回路（９２）は、高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）に接続されている。

この態様によれば、金属電極層（８３）に亀裂が生じることを抑制することが可能となる。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ 高周波モジュール
２ 実装基板
３ 第１電子部品
４ 第２電子部品
５ 第３電子部品
６ 第４電子部品
７ 第５電子部品
８ 接続端子
９，９ｃ 通信装置
１０ 外部接続端子
１１ パワーアンプ
１２ フィルタ（送受信フィルタ）
１３ スイッチ
１４ ローノイズアンプ
１５ 出力整合回路
１６ 入力整合回路
１７ 第１スイッチ
１８ 第２スイッチ
１９ 第３スイッチ
２０ コントローラ
２１ 第１主面
２２ 第２主面
３０ 外縁
３１，３２ 主面
３３ 外周面
３４ 外周部分
４１，４２ 主面
４３ 外周面
５０ ＩＣチップ
５１，５２ 主面
５３ 外周面
８１ 第１樹脂層
８２ 第２樹脂層
８３ 金属電極層
８４ 金属部材
９１ アンテナ
９２ 信号処理回路
９３ ＲＦ信号処理回路
９４ ベースバンド信号処理回路
１０１ アンテナ端子
１０２ 信号入力端子
１０３ 信号出力端子
１０４ 制御端子
１２１～１２３ 送信フィルタ
１３１～１３３ 受信フィルタ
１３４ 共通端子
１３５，１３６ 選択端子
１７１ 共通端子
１７２～１７４ 選択端子
１８１ 共通端子
１８２～１８４ 選択端子
１９１ 共通端子
１９２～１９４ 選択端子
３０１ 第１部分
３０２ 第２部分
３４１ 傾斜面
８４１ 主面
８４３ 外周面
Ａ１ 中央領域
Ｄ１ 厚さ方向（第１方向）
Ｄ２ 第２方向
Ｄ３ 第３方向
Ｔ１ 送信経路
Ｒ１ 受信経路

Claims (11)

1. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
   前記実装基板の前記第１主面に配置されている電子部品と、
   前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記電子部品の外周面の少なくとも一部を覆っている樹脂層と、
   少なくとも前記樹脂層を覆っている金属電極層と、を備え、
   前記電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記金属電極層に接しており、
   前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視における前記電子部品の外縁の少なくとも一部は、前記金属電極層から離れている、
   高周波モジュール。
2. 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
   前記実装基板の前記第１主面に配置されている電子部品と、
   前記電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている金属部材と、
   前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記電子部品の外周面の少なくとも一部及び前記金属部材の外周面の少なくとも一部を覆っている樹脂層と、
   少なくとも前記樹脂層を覆っている金属電極層と、を備え、
   前記金属部材における前記実装基板側とは反対側の主面の少なくとも一部は、前記金属電極層に接しており、
   前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視における前記電子部品の外縁の少なくとも一部は、前記金属電極層から離れている、
   高周波モジュール。
3. 前記電子部品の前記外縁は、全周にわたって前記金属電極層から離れている、
   請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
4. 前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記電子部品としての第１電子部品とは異なる第２電子部品を更に備え、
   前記第１電子部品の熱伝導率は、前記樹脂層の熱伝導率よりも高く、
   前記実装基板の前記厚さ方向である第１方向に交差し、かつ、前記第１電子部品と前記第２電子部品とが並ぶ方向である第２方向において、
   前記外縁のうち前記第２電子部品側の第１部分は、前記金属電極層から離れており、
   前記外縁のうち前記第２電子部品側とは反対側の第２部分は、前記金属電極層に接している、
   請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
5. 前記第２電子部品における前記実装基板側とは反対側の主面は、前記金属電極層から離れている、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 前記第２電子部品は、受信信号が通る信号経路に設けられている受信フィルタ又はローノイズアンプである、
   請求項４又は５に記載の高周波モジュール。
7. 前記第１電子部品を複数備え、
   前記複数の第１電子部品は、前記第１方向及び前記第２方向の両方に直交する第３方向に沿って並んでいる、
   請求項４～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
8. 前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記第１電子部品及び前記第２電子部品とは異なる第３電子部品を更に備え、
   前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記第２電子部品と前記第３電子部品との間に前記第１電子部品が位置している、
   請求項４～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
9. 前記電子部品は、送信信号が通る信号経路に設けられている送信フィルタ、送受信フィルタ又はパワーアンプである、
   請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
10. 前記電子部品は、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視における前記外縁を含む外周部分の少なくとも一部に、前記外縁に近づくにつれて前記金属電極層から離れる向きに傾斜する傾斜面を有する、
    請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
11. 請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
    通信装置。

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