JP2021052248A - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線を簡単にする。【解決手段】高周波モジュール１は、実装基板５と、パワーアンプ２１と、複数の送信用フィルタ３１と、第１スイッチ４７と、出力整合回路４２と、ローノイズアンプ２２と、外部接続端子６とを備える。実装基板５は、互いに対向する第１主面５１及び第２主面５２を有する。第１スイッチ４７は、パワーアンプ２１と複数の送信用フィルタ３１との接続状態を切り替える。出力整合回路４２は、パワーアンプ２１と第１スイッチ４７との間に接続されている。ローノイズアンプ２２は、実装基板５の第２主面５２に配置されている。パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する方向において、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１の順に並ぶように実装基板５に配置されている。【選択図】図１
Description
本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、パワーアンプ及び複数の送信用フィルタを備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。
従来、パワーアンプ及び複数の送信用フィルタを備える高周波モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載された高周波モジュールは、パワーアンプと、送信用フィルタと、スイッチとを、送信信号ための素子として備える。スイッチは、パワーアンプと送信用フィルタとの接続状態を切り替える。
特許文献１に記載された従来の高周波モジュールでは、パワーアンプと送信用フィルタとスイッチとが実装基板に配置される場合に、パワーアンプとスイッチとの間の配線及びスイッチと送信用フィルタとの間の配線が複雑になる可能性がある。
本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、配線を簡単にすることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、パワーアンプと、複数の送信用フィルタと、第１スイッチと、出力整合回路と、ローノイズアンプと、外部接続端子とを備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記第１スイッチは、前記パワーアンプと前記複数の送信用フィルタとの接続状態を切り替える。前記出力整合回路は、前記パワーアンプと前記第１スイッチとの間に接続されている。前記ローノイズアンプは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている。前記外部接続端子は、前記実装基板の前記第２主面に配置されている。前記パワーアンプ、前記出力整合回路、前記第１スイッチ及び前記複数の送信用フィルタは、前記実装基板の厚さ方向と直交する方向において、前記パワーアンプ、前記出力整合回路、前記第１スイッチ及び前記複数の送信用フィルタの順に並ぶように前記実装基板に配置されている。
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路とを備える。前記信号処理回路は、信号を処理する。
本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、配線を簡単にすることができる。
以下、実施形態に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図１〜図３及び図５〜図８は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比は、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（実施形態）
（１）高周波モジュール
実施形態に係る高周波モジュールの構成について、図面を参照して説明する。
（１）高周波モジュール
実施形態に係る高周波モジュールの構成について、図面を参照して説明する。
実施形態に係る高周波モジュール１は、図４に示すように、パワーアンプ２１と、ローノイズアンプ２２と、コントローラ２３と、複数の送信用フィルタ３１と、複数の受信用フィルタ３２と、フィルタ３３とを備える。複数の送信用フィルタ３１は、第１送信用フィルタ３４と、第２送信用フィルタ３５とを含む。複数の受信用フィルタ３２は、第１受信用フィルタ３６と、第２受信用フィルタ３７とを含む。第１送信用フィルタ３４及び第１受信用フィルタ３６は、第１デュプレクサ３８を構成する。第２送信用フィルタ３５及び第２受信用フィルタ３７は、第２デュプレクサ３９を構成する。
また、高周波モジュール１は、複数（図示例では４つ）の整合回路４１と、複数（図示例では３つ）のスイッチ４６とを備える。複数の整合回路４１は、出力整合回路４２と、第１整合回路４３と、第２整合回路４４と、入力整合回路４５とを備える。複数のスイッチ４６は、第１スイッチ４７と、第２スイッチ４８と、アンテナスイッチ４９とを含む。第２スイッチ４８及びローノイズアンプ２２は、受信用ＩＣ２４として１チップで構成されている。
また、高周波モジュール１は、図１〜図３に示すように、実装基板５と、複数の外部接続端子６と、第１樹脂部材７１と、第２樹脂部材７２とを備える。
高周波モジュール１は、図４に示すように、例えば、通信装置８に用いられる。通信装置８は、例えばスマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置８は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。
高周波モジュール１は、第１通信バンドの通信及び第２通信バンドの通信を行う。より詳細には、高周波モジュール１は、第１通信バンドの送信信号（以下「第１送信信号」という）の送信、第１通信バンドの受信信号（以下「第１受信信号」という）の受信を行う。さらに、高周波モジュール１は、第２通信バンドの送信信号（以下「第２送信信号」という）の送信、及び、第２通信バンドの受信信号（以下「第２受信信号」という）の受信を行う。
第１送信信号及び第１受信信号は、例えば、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。ＦＤＤは、無線通信における送信と受信とに異なる周波数帯域を割り当てて、送信及び受信を行う無線通信技術である。なお、第１送信信号及び第１受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。ＴＤＤは、無線通信における送信と受信とに同一の周波数帯域を割り当てて、送信と受信とを時間ごとに切り替えて行う無線通信技術である。
第２送信信号及び第２受信信号は、例えば、ＦＤＤの信号である。なお、第２送信信号及び第２受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤの信号であってもよい。
（２）高周波モジュールの回路構成
以下、実施形態に係る高周波モジュール１の回路構成について、図４を参照して説明する。ここでは、第１送信信号及び第１受信信号、並びに、第２送信信号及び第２受信信号がＦＤＤの信号である場合について説明する。
以下、実施形態に係る高周波モジュール１の回路構成について、図４を参照して説明する。ここでは、第１送信信号及び第１受信信号、並びに、第２送信信号及び第２受信信号がＦＤＤの信号である場合について説明する。
（２．１）パワーアンプ
図４に示すパワーアンプ２１は、第１送信信号の振幅及び第２送信信号の振幅を増幅する増幅器である。パワーアンプ２１は、アンテナ端子６１と入力端子６２とを結ぶ第１送信経路Ｔ１１及び第２送信経路Ｔ２１のうち入力端子６２と出力整合回路４２との間に設けられている。パワーアンプ２１は、入力端子及び出力端子を有し、パワーアンプ２１の入力端子は、入力端子６２を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続される。入力端子６２は、外部回路からの高周波信号（第１送信信号及び第２送信信号）が高周波モジュール１に入力される端子である。パワーアンプ２１の出力端子は、出力整合回路４２に接続されている。
図４に示すパワーアンプ２１は、第１送信信号の振幅及び第２送信信号の振幅を増幅する増幅器である。パワーアンプ２１は、アンテナ端子６１と入力端子６２とを結ぶ第１送信経路Ｔ１１及び第２送信経路Ｔ２１のうち入力端子６２と出力整合回路４２との間に設けられている。パワーアンプ２１は、入力端子及び出力端子を有し、パワーアンプ２１の入力端子は、入力端子６２を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続される。入力端子６２は、外部回路からの高周波信号（第１送信信号及び第２送信信号）が高周波モジュール１に入力される端子である。パワーアンプ２１の出力端子は、出力整合回路４２に接続されている。
（２．２）コントローラ
図４に示すコントローラ２３は、パワーアンプ２１を制御する。より詳細には、コントローラ２３は、信号処理回路８２からの制御信号に基づいて、パワーアンプ２１を制御する。
図４に示すコントローラ２３は、パワーアンプ２１を制御する。より詳細には、コントローラ２３は、信号処理回路８２からの制御信号に基づいて、パワーアンプ２１を制御する。
（２．３）ローノイズアンプ
図４に示すローノイズアンプ２２は、第１受信信号の振幅及び第２受信信号の振幅を低雑音で増幅させる増幅器である。ローノイズアンプ２２は、第１受信経路Ｔ１２及び第２受信経路Ｔ２２のうち入力整合回路４５と出力端子６３との間に設けられている。ローノイズアンプ２２は、入力端子及び出力端子を有し、ローノイズアンプ２２の入力端子は、入力整合回路４５に接続されている。ローノイズアンプ２２の出力端子は、出力端子６３を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続される。出力端子６３は、ローノイズアンプ２２からの高周波信号（第１受信信号及び第２受信信号）が外部回路へ出力される端子である。
図４に示すローノイズアンプ２２は、第１受信信号の振幅及び第２受信信号の振幅を低雑音で増幅させる増幅器である。ローノイズアンプ２２は、第１受信経路Ｔ１２及び第２受信経路Ｔ２２のうち入力整合回路４５と出力端子６３との間に設けられている。ローノイズアンプ２２は、入力端子及び出力端子を有し、ローノイズアンプ２２の入力端子は、入力整合回路４５に接続されている。ローノイズアンプ２２の出力端子は、出力端子６３を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続される。出力端子６３は、ローノイズアンプ２２からの高周波信号（第１受信信号及び第２受信信号）が外部回路へ出力される端子である。
（２．４）第１送信用フィルタ
図４に示す第１送信用フィルタ３４は、第１送信信号を通過させる第１通信バンドの送信用フィルタである。より詳細には、第１送信用フィルタ３４は、第１送信経路Ｔ１１のうち第１スイッチ４７と第１整合回路４３との間に設けられている。第１送信用フィルタ３４は、パワーアンプ２１で増幅された高周波信号のうち、第１通信バンドの送信帯域の送信信号つまり第１送信信号を通過させる。
図４に示す第１送信用フィルタ３４は、第１送信信号を通過させる第１通信バンドの送信用フィルタである。より詳細には、第１送信用フィルタ３４は、第１送信経路Ｔ１１のうち第１スイッチ４７と第１整合回路４３との間に設けられている。第１送信用フィルタ３４は、パワーアンプ２１で増幅された高周波信号のうち、第１通信バンドの送信帯域の送信信号つまり第１送信信号を通過させる。
（２．５）第２送信用フィルタ
図４に示す第２送信用フィルタ３５は、第２送信信号を通過させる第２通信バンドの送信用フィルタである。より詳細には、第２送信用フィルタ３５は、第２送信経路Ｔ２１のうち第１スイッチ４７と第２整合回路４４との間に設けられている。第２送信用フィルタ３５は、パワーアンプ２１で増幅された高周波信号のうち、第２通信バンドの送信帯域の送信信号つまり第２送信信号を通過させる。
図４に示す第２送信用フィルタ３５は、第２送信信号を通過させる第２通信バンドの送信用フィルタである。より詳細には、第２送信用フィルタ３５は、第２送信経路Ｔ２１のうち第１スイッチ４７と第２整合回路４４との間に設けられている。第２送信用フィルタ３５は、パワーアンプ２１で増幅された高周波信号のうち、第２通信バンドの送信帯域の送信信号つまり第２送信信号を通過させる。
（２．６）第１受信用フィルタ
図４に示す第１受信用フィルタ３６は、第１受信信号を通過させる第１通信バンドの受信用フィルタである。より詳細には、第１受信用フィルタ３６は、アンテナ端子６１と出力端子６３とを結ぶ第１受信経路Ｔ１２のうち第１整合回路４３と第２スイッチ４８との間に設けられている。第１受信用フィルタ３６は、アンテナ端子６１から入力された高周波信号のうち、第１通信バンドの受信帯域の受信信号つまり第１受信信号を通過させる。
図４に示す第１受信用フィルタ３６は、第１受信信号を通過させる第１通信バンドの受信用フィルタである。より詳細には、第１受信用フィルタ３６は、アンテナ端子６１と出力端子６３とを結ぶ第１受信経路Ｔ１２のうち第１整合回路４３と第２スイッチ４８との間に設けられている。第１受信用フィルタ３６は、アンテナ端子６１から入力された高周波信号のうち、第１通信バンドの受信帯域の受信信号つまり第１受信信号を通過させる。
（２．７）第２受信用フィルタ
図４に示す第２受信用フィルタ３７は、第２受信信号を通過させる第２通信バンドの受信用フィルタである。より詳細には、第２受信用フィルタ３７は、アンテナ端子６１と出力端子６３とを結ぶ第２受信経路Ｔ２２のうち第２整合回路４４と第２スイッチ４８との間に設けられている。第２受信用フィルタ３７は、アンテナ端子６１から入力された高周波信号のうち、第２通信バンドの受信帯域の受信信号つまり第２受信信号を通過させる。
図４に示す第２受信用フィルタ３７は、第２受信信号を通過させる第２通信バンドの受信用フィルタである。より詳細には、第２受信用フィルタ３７は、アンテナ端子６１と出力端子６３とを結ぶ第２受信経路Ｔ２２のうち第２整合回路４４と第２スイッチ４８との間に設けられている。第２受信用フィルタ３７は、アンテナ端子６１から入力された高周波信号のうち、第２通信バンドの受信帯域の受信信号つまり第２受信信号を通過させる。
（２．８）フィルタ
図４に示すフィルタ３３は、複数の送信用フィルタ３１の出力側及び複数の受信用フィルタ３２の入力側に設けられており、送信信号（第１送信信号、第２送信信号）及び受信信号（第１受信信号、第２受信信号）を通過させる。より詳細には、フィルタ３３は、アンテナ端子６１とアンテナスイッチ４９との間に設けられている。フィルタ３３は、例えば、複数のインダクタ及びキャパシタを含む。フィルタ３３は、複数のインダクタ及びキャパシタを含むＩＰＤ（Integrated Passive Device）であってもよい。なお、フィルタ３３は、トリプレクサに含まれている。
図４に示すフィルタ３３は、複数の送信用フィルタ３１の出力側及び複数の受信用フィルタ３２の入力側に設けられており、送信信号（第１送信信号、第２送信信号）及び受信信号（第１受信信号、第２受信信号）を通過させる。より詳細には、フィルタ３３は、アンテナ端子６１とアンテナスイッチ４９との間に設けられている。フィルタ３３は、例えば、複数のインダクタ及びキャパシタを含む。フィルタ３３は、複数のインダクタ及びキャパシタを含むＩＰＤ（Integrated Passive Device）であってもよい。なお、フィルタ３３は、トリプレクサに含まれている。
（２．９）出力整合回路
図４に示す出力整合回路４２は、少なくともインダクタ（図示せず）を含む。出力整合回路４２は、第１送信経路Ｔ１１及び第２送信経路Ｔ２１のうちパワーアンプ２１と第１スイッチ４７との間に接続されている。出力整合回路４２は、パワーアンプ２１と第１送信用フィルタ３４との間のインピーダンス整合及びパワーアンプ２１と第２送信用フィルタ３５との間のインピーダンス整合をとる。
図４に示す出力整合回路４２は、少なくともインダクタ（図示せず）を含む。出力整合回路４２は、第１送信経路Ｔ１１及び第２送信経路Ｔ２１のうちパワーアンプ２１と第１スイッチ４７との間に接続されている。出力整合回路４２は、パワーアンプ２１と第１送信用フィルタ３４との間のインピーダンス整合及びパワーアンプ２１と第２送信用フィルタ３５との間のインピーダンス整合をとる。
（２．１０）第１整合回路
図４に示す第１整合回路４３は、少なくともインダクタ（図示せず）を含む。第１整合回路４３は、第１送信経路Ｔ１１のうち第１送信用フィルタ３４とアンテナスイッチ４９との間かつ第１受信経路Ｔ１２のうちアンテナスイッチ４９と第１受信用フィルタ３６との間に設けられている。第１整合回路４３は、第１送信用フィルタ３４とフィルタ３３との間のインピーダンス整合及びフィルタ３３と第１受信用フィルタ３６との間のインピーダンス整合をとる。
図４に示す第１整合回路４３は、少なくともインダクタ（図示せず）を含む。第１整合回路４３は、第１送信経路Ｔ１１のうち第１送信用フィルタ３４とアンテナスイッチ４９との間かつ第１受信経路Ｔ１２のうちアンテナスイッチ４９と第１受信用フィルタ３６との間に設けられている。第１整合回路４３は、第１送信用フィルタ３４とフィルタ３３との間のインピーダンス整合及びフィルタ３３と第１受信用フィルタ３６との間のインピーダンス整合をとる。
（２．１１）第２整合回路
図４に示す第２整合回路４４は、少なくともインダクタ（図示せず）を含む。第２整合回路４４は、第２送信経路Ｔ２１のうち第２送信用フィルタ３５と第２スイッチ４８との間かつ第２受信経路Ｔ２２のうち第２スイッチ４８と第２受信用フィルタ３７との間に設けられている。第２整合回路４４は、第２送信用フィルタ３５とフィルタ３３との間のインピーダンス整合及びフィルタ３３と第２受信用フィルタ３７との間のインピーダンス整合をとる。
図４に示す第２整合回路４４は、少なくともインダクタ（図示せず）を含む。第２整合回路４４は、第２送信経路Ｔ２１のうち第２送信用フィルタ３５と第２スイッチ４８との間かつ第２受信経路Ｔ２２のうち第２スイッチ４８と第２受信用フィルタ３７との間に設けられている。第２整合回路４４は、第２送信用フィルタ３５とフィルタ３３との間のインピーダンス整合及びフィルタ３３と第２受信用フィルタ３７との間のインピーダンス整合をとる。
（２．１２）入力整合回路
図４に示す入力整合回路４５は、少なくともインダクタ（図示せず）を含む。入力整合回路４５は、第１受信経路Ｔ１２及び第２受信経路Ｔ２２のうちアンテナスイッチ４９とローノイズアンプ２２との間に設けられている。入力整合回路４５は、第１受信用フィルタ３６とローノイズアンプ２２との間のインピーダンス整合及び第２受信用フィルタ３７とローノイズアンプ２２との間のインピーダンス整合をとる。
図４に示す入力整合回路４５は、少なくともインダクタ（図示せず）を含む。入力整合回路４５は、第１受信経路Ｔ１２及び第２受信経路Ｔ２２のうちアンテナスイッチ４９とローノイズアンプ２２との間に設けられている。入力整合回路４５は、第１受信用フィルタ３６とローノイズアンプ２２との間のインピーダンス整合及び第２受信用フィルタ３７とローノイズアンプ２２との間のインピーダンス整合をとる。
（２．１３）第１スイッチ
第１スイッチ４７は、図４に示すように、パワーアンプ２１と複数の送信用フィルタ３１との接続状態を切り替えるスイッチである。
第１スイッチ４７は、図４に示すように、パワーアンプ２１と複数の送信用フィルタ３１との接続状態を切り替えるスイッチである。
第１スイッチ４７は、共通端子４７１と、複数（図示例では２つ）の選択端子４７２，４７３とを有する。共通端子４７１は、出力整合回路４２に接続されている。複数の選択端子４７２，４７３のうち、選択端子４７２は、第１送信用フィルタ３４に接続されており、選択端子４７３は、第２送信用フィルタ３５に接続されている。
第１スイッチ４７は、共通端子４７１と複数の選択端子４７２，４７３との接続状態を切り替える。より詳細には、第１スイッチ４７は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。第１スイッチ４７は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子４７１と複数の選択端子４７２，４７３の少なくとも１つとを電気的に接続させる。
（２．１４）第２スイッチ
第２スイッチ４８は、図４に示すように、ローノイズアンプ２２と複数の受信用フィルタ３２との接続状態を切り替えるスイッチである。
第２スイッチ４８は、図４に示すように、ローノイズアンプ２２と複数の受信用フィルタ３２との接続状態を切り替えるスイッチである。
第２スイッチ４８は、共通端子４８１と、複数（図示例では２つ）の選択端子４８２，４８３とを有する。共通端子４８１は、入力整合回路４５に接続されている。複数の選択端子４８２，４８３のうち、選択端子４８２は、第１受信用フィルタ３６に接続されており、選択端子４８３は、第２受信用フィルタ３７に接続されている。
第２スイッチ４８は、共通端子４８１と複数の選択端子４８２，４８３との接続状態を切り替える。より詳細には、第２スイッチ４８は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。第２スイッチ４８は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子４８１と複数の選択端子４８２，４８３の少なくとも１つとを電気的に接続させる。
（２．１５）アンテナスイッチ
アンテナスイッチ４９は、図４に示すように、アンテナ端子６１と複数の送信用フィルタ３１との接続状態を切り替えるスイッチである。
アンテナスイッチ４９は、図４に示すように、アンテナ端子６１と複数の送信用フィルタ３１との接続状態を切り替えるスイッチである。
アンテナスイッチ４９は、共通端子４９１と、複数（図示例では２つ）の選択端子４９２，４９３とを有する。共通端子４９１は、アンテナ端子６１に接続されている。複数の選択端子４９２，４９３のうち、選択端子４９２は、第１整合回路４３に接続されており、選択端子４９３は、第１整合回路４３に接続されている。選択端子４９２は、第１整合回路４３に接続されており、選択端子４９３は、第２整合回路４４に接続されている。アンテナ端子６１には、アンテナ８１が接続される。
アンテナスイッチ４９は、共通端子４９１と複数の選択端子４９２，４９３との接続状態を切り替える。より詳細には、アンテナスイッチ４９は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。アンテナスイッチ４９は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子４９１と複数の選択端子４９２，４９３の少なくとも１つとを電気的に接続させる。
（３）高周波モジュールの構造
以下、実施形態に係る高周波モジュール１の構造について、図面を参照して説明する。
以下、実施形態に係る高周波モジュール１の構造について、図面を参照して説明する。
高周波モジュール１は、図１〜図３に示すように、実装基板５と、複数の外部接続端子６と、第１樹脂部材７１と、第２樹脂部材７２とを備える。
高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等のマザー基板に相当する。なお、高周波モジュール１が外部基板に電気的に接続可能であるとは、高周波モジュール１が外部基板上に直接的に実装される場合だけでなく、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合も含む。なお、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合とは、高周波モジュール１が、外部基板上に実装された他の高周波モジュール上に実装される場合等である。
（３．１）実装基板
実装基板５は、図１〜図３に示すように、互いに対向する第１主面５１及び第２主面５２を有する。第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する。第２主面５２は、高周波モジュール１が外部基板（図示せず）に設けられたときに外部基板と対向する。実装基板５は、第１主面５１及び第２主面５２のそれぞれに回路素子が実装された両面実装基板である。
実装基板５は、図１〜図３に示すように、互いに対向する第１主面５１及び第２主面５２を有する。第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する。第２主面５２は、高周波モジュール１が外部基板（図示せず）に設けられたときに外部基板と対向する。実装基板５は、第１主面５１及び第２主面５２のそれぞれに回路素子が実装された両面実装基板である。
実装基板５は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板５は、複数の導体パターン部５３と、複数の貫通電極５４とを有する。複数の導体パターン部５３は、グランド電位に設定された導体パターン部を含む。複数の貫通電極５４は、第１主面５１に実装されている回路素子と実装基板５の導体パターン部５３との電気的接続に用いられる。また、複数の貫通電極５４は、第１主面５１に実装されている回路素子と第２主面５２に実装されている回路素子との電気的接続、及び、実装基板５の導体パターン部５３と外部接続端子６との電気的接続に用いられる。
実装基板５の第１主面５１には、パワーアンプ２１と、フィルタ３３と、第１デュプレクサ３８と、第２デュプレクサ３９と、複数の整合回路４１（出力整合回路４２、第１整合回路４３、第２整合回路４４、入力整合回路４５）とが配置されている。実装基板５の第２主面５２には、受信用ＩＣ２４（ローノイズアンプ２２、第２スイッチ４８）と、コントローラ２３と、第１スイッチ４７と、アンテナスイッチ４９とが配置されている。さらに、実装基板５の第２主面５２には、複数の外部接続端子６が配置されている。
（３．２）パワーアンプ
パワーアンプ２１は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。図１及び図３の例では、パワーアンプ２１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、パワーアンプ２１の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、パワーアンプ２１の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、パワーアンプ２１は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
パワーアンプ２１は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。図１及び図３の例では、パワーアンプ２１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、パワーアンプ２１の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、パワーアンプ２１の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、パワーアンプ２１は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．３）コントローラ
コントローラ２３は、図２及び図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。図２及び図３の例では、コントローラ２３は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、コントローラ２３の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、コントローラ２３の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、コントローラ２３は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
コントローラ２３は、図２及び図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。図２及び図３の例では、コントローラ２３は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、コントローラ２３の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、コントローラ２３の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、コントローラ２３は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．４）第１デュプレクサ
第１デュプレクサ３８は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。図１及び図３の例では、第１デュプレクサ３８は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第１デュプレクサ３８の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、第１デュプレクサ３８の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第１デュプレクサ３８は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
第１デュプレクサ３８は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。図１及び図３の例では、第１デュプレクサ３８は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第１デュプレクサ３８の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、第１デュプレクサ３８の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第１デュプレクサ３８は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
第１デュプレクサ３８における第１送信用フィルタ３４は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、第１送信用フィルタ３４は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
第１デュプレクサ３８における第１受信用フィルタ３６は、第１送信用フィルタ３４と同様、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、第１受信用フィルタ３６は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
（３．５）第２デュプレクサ
第２デュプレクサ３９は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。図１及び図３の例では、第２デュプレクサ３９は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第２デュプレクサ３９の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、第２デュプレクサ３９の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第２デュプレクサ３９は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
第２デュプレクサ３９は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。図１及び図３の例では、第２デュプレクサ３９は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第２デュプレクサ３９の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、第２デュプレクサ３９の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第２デュプレクサ３９は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
第２デュプレクサ３９における第２送信用フィルタ３５は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、第２送信用フィルタ３５は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
第２デュプレクサ３９における第２受信用フィルタ３７は、第２送信用フィルタ３５と同様、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、第２受信用フィルタ３７は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列又は並列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
（３．６）フィルタ
フィルタ３３は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。図１及び図３の例では、フィルタ３３は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、フィルタ３３の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、フィルタ３３の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、フィルタ３３は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
フィルタ３３は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。図１及び図３の例では、フィルタ３３は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、フィルタ３３の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、フィルタ３３の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、フィルタ３３は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．７）受信用ＩＣ
受信用ＩＣ２４は、図２及び図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。言い換えると、ローノイズアンプ２２及び第２スイッチ４８は、実装基板５の第２主面５２に配置されている。図２及び図３の例では、受信用ＩＣ２４は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、受信用ＩＣ２４の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、受信用ＩＣの残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、受信用ＩＣ２４は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
受信用ＩＣ２４は、図２及び図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。言い換えると、ローノイズアンプ２２及び第２スイッチ４８は、実装基板５の第２主面５２に配置されている。図２及び図３の例では、受信用ＩＣ２４は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、受信用ＩＣ２４の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、受信用ＩＣの残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、受信用ＩＣ２４は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．８）出力整合回路
出力整合回路４２は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。出力整合回路４２のインダクタ（図示せず）は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている導体パターン部である。図１及び図３の例では、出力整合回路４２のインダクタは、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、出力整合回路４２は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、出力整合回路４２は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
出力整合回路４２は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。出力整合回路４２のインダクタ（図示せず）は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている導体パターン部である。図１及び図３の例では、出力整合回路４２のインダクタは、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、出力整合回路４２は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、出力整合回路４２は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．９）第１整合回路
第１整合回路４３は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。第１整合回路４３のインダクタ（図示せず）は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている導体パターン部である。図１及び図３の例では、第１整合回路４３のインダクタは、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第１整合回路４３は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、第１整合回路４３は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
第１整合回路４３は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。第１整合回路４３のインダクタ（図示せず）は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている導体パターン部である。図１及び図３の例では、第１整合回路４３のインダクタは、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第１整合回路４３は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、第１整合回路４３は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．１０）第２整合回路
第２整合回路４４は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。第２整合回路４４のインダクタ（図示せず）は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている導体パターン部である。図１及び図３の例では、第２整合回路４４のインダクタは、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第２整合回路４４は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、第２整合回路４４は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
第２整合回路４４は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。第２整合回路４４のインダクタ（図示せず）は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている導体パターン部である。図１及び図３の例では、第２整合回路４４のインダクタは、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第２整合回路４４は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、第２整合回路４４は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．１１）入力整合回路
入力整合回路４５は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。入力整合回路４５のインダクタ（図示せず）は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている導体パターン部である。図１及び図３の例では、入力整合回路４５のインダクタは、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、入力整合回路４５は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、入力整合回路４５は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
入力整合回路４５は、図１及び図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に配置されている。入力整合回路４５のインダクタ（図示せず）は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている導体パターン部である。図１及び図３の例では、入力整合回路４５のインダクタは、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、入力整合回路４５は、インダクタと共にキャパシタ（図示せず）を含んでもよい。キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの導体パターン部を含む構成である。要するに、入力整合回路４５は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．１２）第１スイッチ
第１スイッチ４７は、図２及び図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。図２及び図３の例では、第１スイッチ４７は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、第１スイッチ４７の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、第１スイッチ４７の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第１スイッチ４７は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
第１スイッチ４７は、図２及び図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。図２及び図３の例では、第１スイッチ４７は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、第１スイッチ４７の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、第１スイッチ４７の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第１スイッチ４７は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．１３）アンテナスイッチ
アンテナスイッチ４９は、図２及び図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。図２及び図３の例では、アンテナスイッチ４９は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、アンテナスイッチ４９の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、アンテナスイッチ４９の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、アンテナスイッチ４９は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
アンテナスイッチ４９は、図２及び図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に配置されている。図２及び図３の例では、アンテナスイッチ４９は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、アンテナスイッチ４９の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、アンテナスイッチ４９の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、アンテナスイッチ４９は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
（３．１４）外部接続端子
図２及び図３に示す複数の外部接続端子６は、実装基板５と外部基板（図示せず）とを電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子６は、図４に示すアンテナ端子６１、入力端子６２及び出力端子６３と、複数のグランド電極とを含む。
図２及び図３に示す複数の外部接続端子６は、実装基板５と外部基板（図示せず）とを電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子６は、図４に示すアンテナ端子６１、入力端子６２及び出力端子６３と、複数のグランド電極とを含む。
複数の外部接続端子６は、実装基板５の第２主面５２に配置されている。複数の外部接続端子６は、実装基板５の第２主面５２上に設けられた柱状（例えば、円柱状）の電極である。複数の外部接続端子６の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子６の各々は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において、実装基板５の第２主面５２に接合されている基端部と、基端部とは反対側の先端部とを有する。複数の外部接続端子６の各々の先端部は、例えば、金めっき層を含んでいてもよい。
高周波モジュール１では、マザー基板（外部基板）への高周波モジュール１の実装性、高周波モジュール１のグランド電極の数を多くする観点等から、複数の外部接続端子６が設けられている。
（３．１５）第１樹脂部材・第２樹脂部材
第１樹脂部材７１は、図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に設けられており、第１主面５１に配置されている回路素子及び第１主面５１を覆っている。第１樹脂部材７１は、第１主面５１に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第１樹脂部材７１は、第１主面５１に配置されている回路素子を保護する機能を有する。
第１樹脂部材７１は、図３に示すように、実装基板５の第１主面５１に設けられており、第１主面５１に配置されている回路素子及び第１主面５１を覆っている。第１樹脂部材７１は、第１主面５１に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第１樹脂部材７１は、第１主面５１に配置されている回路素子を保護する機能を有する。
第２樹脂部材７２は、図３に示すように、実装基板５の第２主面５２に設けられており、第２主面５２に配置されている回路素子及び第２主面５２を覆っている。第２樹脂部材７２は、第２主面５２に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第２樹脂部材７２は、第２主面５２に配置されている回路素子を保護する機能を有する。
（３．１６）配置関係
図１〜図３に示すように、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する方向において、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１の順に並ぶように実装基板５に配置されている。より詳細には、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７、第１デュプレクサ３８、第１整合回路４３、アンテナスイッチ４９及びフィルタ３３は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する上記方向において、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７、第１デュプレクサ３８、第１整合回路４３、アンテナスイッチ４９及びフィルタ３３の順に並ぶように実装基板５に配置されている。
図１〜図３に示すように、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する方向において、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１の順に並ぶように実装基板５に配置されている。より詳細には、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７、第１デュプレクサ３８、第１整合回路４３、アンテナスイッチ４９及びフィルタ３３は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する上記方向において、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７、第１デュプレクサ３８、第１整合回路４３、アンテナスイッチ４９及びフィルタ３３の順に並ぶように実装基板５に配置されている。
ここで、配置の基準は、各素子において、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する上記方向において、パワーアンプ２１側の端縁を基準とする。したがって、「パワーアンプ２１、第１スイッチ４７及び第１デュプレクサ３８が、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する方向において、パワーアンプ２１、第１スイッチ４７及び第１デュプレクサ３８の順で並んで配置されている」とは、パワーアンプ２１の端縁、第１スイッチ４７の端縁及び第１デュプレクサ３８の端縁がこの順に位置するように、パワーアンプ２１、第１スイッチ４７及び第１デュプレクサ３８が並んで配置されていることをいう。
これにより、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７、第１デュプレクサ３８、第１整合回路４３、アンテナスイッチ４９及びフィルタ３３の配線を簡単にすることができる。つまり、第１送信経路Ｔ１１を簡単にすることができる。同様に、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７、第２デュプレクサ３９、第２整合回路４４、アンテナスイッチ４９及びフィルタ３３の配線を簡単にすることができる。つまり、第２送信経路Ｔ２１を簡単にすることができる。
また、アンテナスイッチ４９は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、実装基板５のうち、ローノイズアンプ２２に対して、パワーアンプ２１とは反対側に配置されている。上記より、アンテナスイッチ４９とパワーアンプ２１との間の距離を長くすることができるので、アンテナスイッチ４９において、パワーアンプ２１の干渉を低減させることができる。
図１〜図３に示すように、パワーアンプ２１、第１デュプレクサ３８、第２デュプレクサ３９、出力整合回路４２、第１整合回路４３、第２整合回路４４及び入力整合回路４５は、実装基板５の第１主面５１に配置されている。一方、受信用ＩＣ２４（ローノイズアンプ２２、第２スイッチ４８）、第１スイッチ４７及びアンテナスイッチ４９は、実装基板５の第２主面５２に配置されている。
上記より、パワーアンプと第１スイッチの両方が実装基板５の同一の主面に配置されている場合に比べて、パワーアンプ２１及び第１スイッチ４７の配置面積を小さくすることができる。
さらに、第１スイッチ４７の一部は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、複数の送信用フィルタ３１の少なくとも１つと重なっている。図１の例では、第１スイッチ４７の一部は、第１デュプレクサ３８及び第２デュプレクサ３９と重なっている。
アンテナスイッチ４９は、図１〜図３に示すように、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、フィルタ３３と重なっている。より詳細には、アンテナスイッチ４９の一部は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、フィルタ３３の一部と重なっている。なお、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、アンテナスイッチ４９の一部がフィルタ３３の全部と重なっていてもよい。あるいは、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、アンテナスイッチ４９の全部がフィルタ３３の一部又は全部と重なっていてもよい。要するに、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、アンテナスイッチ４９の少なくとも一部が、フィルタ３３の少なくとも一部と重なっていればよい。
これにより、アンテナスイッチ４９とフィルタ３３との間の配線長を短くすることができるので、配線によるロスを低減させることができる。また、アンテナスイッチとフィルタとが実装基板の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、アンテナスイッチ４９及びフィルタ３３の配置面積を小さくすることができる。
受信用ＩＣ２４（ローノイズアンプ２２、第２スイッチ４８）の一部は、図１〜図３に示すように、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、入力整合回路４５の全部と重なっている。なお、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、受信用ＩＣ２４の一部が入力整合回路４５の一部と重なっていてもよい。あるいは、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、受信用ＩＣ２４の全部が入力整合回路４５の一部又は全部と重なっていてもよい。要するに、受信用ＩＣ２４の少なくとも一部が、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、入力整合回路４５の少なくとも一部と重なっていればよい。
これにより、受信用ＩＣ２４（ローノイズアンプ２２、第２スイッチ４８）と入力整合回路４５との間の配線長を短くすることができるので、配線によるロスを低減させることができる。また、受信用ＩＣと入力整合回路とが実装基板の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、受信用ＩＣ２４及び入力整合回路４５の配置面積を小さくすることができる。
ところで、実装基板５は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において直角四角形状であり、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、４つの領域Ｒ１を有する。４つの領域Ｒ１は、互いに直交する長手方向Ｄ２（第１方向）及び短手方向Ｄ３（第２方向）のそれぞれにおいて２つずつに分割されて形成されている。４つの領域Ｒ１は、第１領域Ｒ１１と、第２領域Ｒ１２と、第３領域Ｒ１３と、第４領域Ｒ１４とを含む。第１領域Ｒ１１及び第２領域Ｒ１２は、互いに対角に位置する。
上記のような実装基板５において、パワーアンプ２１は、第１領域Ｒ１１に設けられている。一方、ローノイズアンプ２２は、第４領域Ｒ１４に設けられている。上記より、パワーアンプ２１に発生する高調波ひずみを低減させることができる。
（４）高周波モジュールの各構成要素の詳細構造
（４．１）実装基板
図１〜図３に示す実装基板５は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板等である。ここにおいて、実装基板５は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導体パターン部５３を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン部５３は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導体パターン部５３は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン部５３の各々は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン部５３の材料は、例えば、銅である。
（４．１）実装基板
図１〜図３に示す実装基板５は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板等である。ここにおいて、実装基板５は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導体パターン部５３を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン部５３は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導体パターン部５３は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン部５３の各々は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン部５３の材料は、例えば、銅である。
実装基板５の第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板５における第１主面５１は、例えば、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板５における第２主面５２は、例えば、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板５の第１主面５１及び第２主面５２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。
（４．２）デュプレクサ
図１〜３に示す第１デュプレクサ３８及び第２デュプレクサ３９の詳細な構造について説明する。以下の説明では、第１デュプレクサ３８及び第２デュプレクサ３９を区別せずにデュプレクサとする。
図１〜３に示す第１デュプレクサ３８及び第２デュプレクサ３９の詳細な構造について説明する。以下の説明では、第１デュプレクサ３８及び第２デュプレクサ３９を区別せずにデュプレクサとする。
デュプレクサは、１チップのフィルタである。ここにおいて、デュプレクサでは、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。この場合、デュプレクサは、例えば、基板と、圧電体層と、複数のＩＤＴ電極（Interdigital Transducer）とを備える。基板は、第１面及び第２面を有する。圧電体層は、基板の第１面に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に設けられている。複数のＩＤＴ電極は、圧電体層上に設けられている。ここにおいて、低音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。また、圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。基板は、例えば、シリコン基板である。圧電体層の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜の厚さは、例えば、２．０λ以下である。
圧電体層は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛のいずれかにより形成されていればよい。また、低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。また、基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。
デュプレクサは、例えば、スペーサ層と、カバー部材とを更に備える。スペーサ層及びカバー部材は、基板の第１面に設けられている。スペーサ層は、基板の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。基板の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層は枠状（矩形枠状）である。スペーサ層は、電気絶縁性を有する。スペーサ層の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材は、平板状である。基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。フィルタでは、基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材の外形サイズと、スペーサ層の外形サイズと、カバー部材の外形サイズと、が略同じである。カバー部材は、基板の厚さ方向において基板に対向するようにスペーサ層に配置されている。カバー部材は、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極と重複し、かつ、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極から離れている。カバー部材は、電気絶縁性を有する。カバー部材の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。フィルタは、基板とスペーサ層とカバー部材とで囲まれた空間を有する。フィルタでは、空間には、気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。複数の端子は、カバー部材から露出している。複数の端子の各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。
デュプレクサは、例えば低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、デュプレクサは、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。
また、デュプレクサは、例えば、基板と低音速膜との間に介在する高音速膜を備えていてもよい。ここにおいて、高音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜は、高音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。高音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。
高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。
高音速膜の厚さに関しては、弾性波を圧電体層及び低音速膜に閉じ込める機能を高音速膜が有するため、高音速膜の厚さは厚いほど望ましい。圧電体基板は、高音速膜、低音速膜及び圧電体層以外の他の膜として密着層、誘電体膜等を有していてもよい。
複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、上記の弾性波共振子に限らず、例えば、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。ここにおいて、ＳＡＷ共振子は、例えば、圧電体基板と、圧電体基板上に設けられているＩＤＴ電極と、を含む。フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々をＳＡＷ共振子により構成する場合、１つの圧電体基板上に、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。
（４．３）スイッチ
図１〜図３に示す第１スイッチ４７、第２スイッチ４８及びアンテナスイッチ４９の詳細な構造について説明する。以下の説明では、第１スイッチ４７、第２スイッチ４８及びアンテナスイッチ４９を区別せずにスイッチとする。
図１〜図３に示す第１スイッチ４７、第２スイッチ４８及びアンテナスイッチ４９の詳細な構造について説明する。以下の説明では、第１スイッチ４７、第２スイッチ４８及びアンテナスイッチ４９を区別せずにスイッチとする。
スイッチは、スイッチＩＣである。より詳細には、スイッチは、例えば、基板とスイッチ機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。スイッチ機能部は、基板の第１面に形成されたＦＥＴ（Field Effect Transistor）を含む。スイッチ機能部は、接続状態を切り替える機能を有する機能部である。スイッチは、基板の第１面が実装基板５側となるように実装基板５の第１主面５１又は第２主面５２にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、スイッチの外周形状は、四角形状である。
（４．４）パワーアンプ
図１及び図３に示すパワーアンプ２１は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成された少なくとも１つのトランジスタを含む。増幅機能部は、所定の周波数帯域の送信信号を増幅する機能を有する機能部である。トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプ２１では、コントローラ２３からの電源電圧がＨＢＴのコレクタ−エミッタ間に印加される。パワーアンプ２１は、増幅機能部に加えて、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプ２１は、例えば、基板の第１面が実装基板５の第１主面５１側となるように実装基板５の第１主面５１にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ２１の外周形状は、四角形状である。
図１及び図３に示すパワーアンプ２１は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成された少なくとも１つのトランジスタを含む。増幅機能部は、所定の周波数帯域の送信信号を増幅する機能を有する機能部である。トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプ２１では、コントローラ２３からの電源電圧がＨＢＴのコレクタ−エミッタ間に印加される。パワーアンプ２１は、増幅機能部に加えて、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプ２１は、例えば、基板の第１面が実装基板５の第１主面５１側となるように実装基板５の第１主面５１にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ２１の外周形状は、四角形状である。
（４．５）ローノイズアンプ
図２及び図３に示すローノイズアンプ２２の構造の詳細について説明する。
図２及び図３に示すローノイズアンプ２２の構造の詳細について説明する。
ローノイズアンプ２２は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１つのＩＣチップである。基板は、互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成されている。増幅機能部は、所定の周波数帯域の受信信号を増幅する機能を有する機能部である。ローノイズアンプ２２は、例えば、基板の第１面が実装基板５側となるように実装基板５にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ローノイズアンプ２２の外周形状は、四角形状である。
（５）通信装置
通信装置８は、図４に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ８１と、信号処理回路８２とを備える。
通信装置８は、図４に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ８１と、信号処理回路８２とを備える。
アンテナ８１は、高周波モジュール１のアンテナ端子６１に接続されている。アンテナ８１は、高周波モジュール１から出力された第１送信信号及び第２送信信号を電波にて放射する送信機能と、第１受信信号及び第２受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能とを有する。
信号処理回路８２は、ＲＦ信号処理回路８３と、ベースバンド信号処理回路８４とを含む。信号処理回路８２は、第１送信信号及び第１受信信号、並びに、第２送信信号及び第２受信信号を処理する。
ＲＦ信号処理回路８３は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency IntegratedCircuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。
ＲＦ信号処理回路８３は、ベースバンド信号処理回路８４から出力された高周波信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール１に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路８３は、ベースバンド信号処理回路８４から出力された第１送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた第１送信信号を高周波モジュール１の第１送信経路Ｔ１１に出力する。また、ＲＦ信号処理回路８３は、ベースバンド信号処理回路８４から出力された第２送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた第２送信信号を高周波モジュール１の第２送信経路Ｔ２１に出力する。
ＲＦ信号処理回路８３は、高周波モジュール１から出力された高周波信号に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路８４に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路８３は、高周波モジュール１の第１受信経路Ｔ１２から出力された第１受信信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた第１受信信号をベースバンド信号処理回路８４に出力する。また、ＲＦ信号処理回路８３は、高周波モジュール１の第２受信経路Ｔ２２から出力された第２受信信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた第２受信信号をベースバンド信号処理回路８４に出力する。
ベースバンド信号処理回路８４は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、信号処理回路８２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路８４で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。
また、ＲＦ信号処理回路８３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有する第１スイッチ４７、第２スイッチ４８及びアンテナスイッチ４９の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦ信号処理回路８３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１の第１スイッチ４７、第２スイッチ４８及びアンテナスイッチ４９の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦ信号処理回路８３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１又はベースバンド信号処理回路８４に設けられていてもよい。
（６）効果
実施形態に係る高周波モジュール１では、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する方向において、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１が、この順に並ぶように実装基板５に配置されている。これにより、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１が、第１送信信号及び第２送信信号（送信信号）が通る順に配置されているので、配線を簡単にすることができる。
実施形態に係る高周波モジュール１では、実装基板５の厚さ方向Ｄ１と直交する方向において、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１が、この順に並ぶように実装基板５に配置されている。これにより、パワーアンプ２１、出力整合回路４２、第１スイッチ４７及び複数の送信用フィルタ３１が、第１送信信号及び第２送信信号（送信信号）が通る順に配置されているので、配線を簡単にすることができる。
実施形態に係る高周波モジュール１では、パワーアンプ２１が実装基板５の第１主面５１に配置されており、かつ、第１スイッチ４７が実装基板５の第２主面５２に配置されている。これにより、パワーアンプ２１と第１スイッチ４７の両方が実装基板５の同一の主面に配置されている場合に比べて、パワーアンプ２１及び第１スイッチ４７の配置面積を小さくすることができる。
実施形態に係る高周波モジュール１では、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、アンテナ端子６１と複数の送信用フィルタ３１との接続状態を切り替えるアンテナスイッチ４９が、実装基板５のうち、ローノイズアンプ２２に対して、パワーアンプ２１とは反対側に配置されている。これにより、アンテナスイッチ４９とパワーアンプ２１との間の距離を長くすることができるので、アンテナスイッチ４９において、パワーアンプ２１の干渉を低減させることができる。
実施形態に係る高周波モジュール１では、ローノイズアンプ２２と複数の受信用フィルタ３２との接続状態を切り替える第２スイッチ４８及びローノイズアンプ２２が１チップで構成されている。これにより、第２スイッチとローノイズアンプとが別体である場合に比べて、第２スイッチ４８及びローノイズアンプ２２の配置面積を小さくすることができる。
（７）変形例
以下、実施形態の変形例について説明する。
以下、実施形態の変形例について説明する。
実施形態の変形例１として、高周波モジュール１ａでは、図５に示すように、フィルタ３３が実装基板５の第２主面５２に配置されており、アンテナスイッチ４９が実装基板５の第１主面５１に配置されていてもよい。
実施形態の変形例２として、高周波モジュール１ｂでは、図６に示すように、フィルタ３３及びアンテナスイッチ４９の両方が実装基板５の第２主面５２に配置されていてもよい。
実施形態の変形例３として、高周波モジュール１ｃでは、図７に示すように、フィルタ３３及びアンテナスイッチ４９の両方が実装基板５の第１主面５１に配置されていてもよい。
変形例１，３に係る高周波モジュール１ａ，１ｃでは、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、実装基板５の長手方向Ｄ２において分割された第１領域Ｒ２１及び第２領域Ｒ２２を有する。パワーアンプ２１は、第１領域Ｒ２１に設けられている。受信用ＩＣ２４（ローノイズアンプ２２、第２スイッチ４８）及びアンテナスイッチ４９は、第２領域Ｒ２２に設けられている。
実施形態の変形例４として、高周波モジュール１ｄは、複数の外部接続端子６（図３参照）に代えて、図８に示すような複数の外部接続端子６ｄを備えてもよい。
複数の外部接続端子６ｄは、柱状電極ではなく、バンプ構造を有する。複数の外部接続端子６ｄは、実装基板５の第２主面５２に配置されている。変形例４に係る高周波モジュール１ｄでは、第２樹脂部材７２（図３参照）が省略されている。
実施形態では、第１デュプレクサ３８及び第２デュプレクサ３９は、例えば、弾性表面波フィルタである。ただし、実施形態の他の変形例として、第１デュプレクサ３８及び第２デュプレクサ３９は、弾性表面波フィルタに限定されず、弾性表面波フィルタ以外であってもよい。第１デュプレクサ３８及び第２デュプレクサ３９は、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ及び誘電体フィルタのいずれかであってもよい。
上記の各変形例に係る高周波モジュールにおいても、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の効果を奏する。
以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
（態様）
本明細書には、以下の態様が開示されている。
本明細書には、以下の態様が開示されている。
第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）は、実装基板（５）と、パワーアンプ（２１）と、複数の送信用フィルタ（３１）と、第１スイッチ（４７）と、出力整合回路（４２）と、ローノイズアンプ（２２）と、外部接続端子（６）とを備える。実装基板（５）は、互いに対向する第１主面（５１）及び第２主面（５２）を有する。第１スイッチ（４７）は、パワーアンプ（２１）と複数の送信用フィルタ（３１）との接続状態を切り替える。出力整合回路（４２）は、パワーアンプ（２１）と第１スイッチ（４７）との間に接続されている。ローノイズアンプ（２２）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されている。外部接続端子（６）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されている。パワーアンプ（２１）、出力整合回路（４２）、第１スイッチ（４７）及び複数の送信用フィルタ（３１）は、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）と直交する方向において、パワーアンプ（２１）、出力整合回路（４２）、第１スイッチ（４７）及び複数の送信用フィルタ（３１）の順に並ぶように実装基板（５）に配置されている。
第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）によれば、パワーアンプ（２１）、出力整合回路（４２）、第１スイッチ（４７）及び複数の送信用フィルタ（３１）が、送信信号（第１送信信号及び第２送信信号）が通る順に配置されているので、配線を簡単にすることができる。
第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）では、第１の態様において、パワーアンプ（２１）は、実装基板（５）の第１主面（５１）に配置されている。第１スイッチ（４７）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されている。
第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）によれば、パワーアンプと第１スイッチの両方が実装基板の同一の主面に配置されている場合に比べて、パワーアンプ（２１）及び第１スイッチ（４７）の配置面積を小さくすることができる。
第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）は、第１又は２の態様において、アンテナ端子（６１）と、アンテナスイッチ（４９）とを更に備える。アンテナスイッチ（４９）は、アンテナ端子（６１）と複数の送信用フィルタ（３１）との接続状態を切り替える。アンテナスイッチ（４９）は、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、実装基板（５）のうち、ローノイズアンプ（２２）に対して、パワーアンプ（２１）とは反対側に配置されている。
第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）では、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、アンテナ端子（６１）と複数の送信用フィルタ（３１）との接続状態を切り替えるアンテナスイッチ（４９）が、実装基板（５）のうち、ローノイズアンプ（２２）に対して、パワーアンプ（２１）とは反対側に配置されている。これにより、アンテナスイッチ（４９）とパワーアンプ（２１）との間の距離を長くすることができるので、アンテナスイッチ（４９）において、パワーアンプ（２１）の干渉を低減させることができる。
第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）は、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、複数の受信用フィルタ（３２）と、第２スイッチ（４８）とを更に備える。第２スイッチ（４８）は、ローノイズアンプ（２２）と複数の受信用フィルタ（３２）との接続状態を切り替える。第２スイッチ（４８）及びローノイズアンプ（２２）は、１チップで構成されている。
第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）によれば、第２スイッチとローノイズアンプとが別体である場合に比べて、第２スイッチ（４８）及びローノイズアンプ（２２）の配置面積を小さくすることができる。
第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）では、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、パワーアンプ（２１）及び出力整合回路（４２）は、実装基板（５）の第１主面（５１）に配置されている。
第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）は、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、コントローラ（２３）を更に備える。コントローラ（２３）は、パワーアンプ（２１）を制御する。コントローラ（２３）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されている。
第７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）は、第１〜６の態様のいずれか１つにおいて、フィルタ（３３）を更に備える。フィルタ（３３）は、複数の送信用フィルタ（３１）の出力側に設けられている。フィルタ（３３）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されている。
第８の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）は、第１〜６の態様のいずれか１つにおいて、アンテナ端子（６１）と、アンテナスイッチ（４９）と、フィルタ（３３）とを更に備える。アンテナスイッチ（４９）は、アンテナ端子（６１）と複数の送信用フィルタ（３１）との接続状態を切り替える。フィルタ（３３）は、アンテナ端子（６１）とアンテナスイッチ（４９）との間に設けられている。アンテナスイッチ（４９）は、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、フィルタ（３３）と重なっている。
第９の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）では、第１〜８の態様のいずれか１つにおいて、第１スイッチ（４７）の一部は、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）の平面視において、複数の送信用フィルタ（３１）の少なくとも１つと重なっている。
第１０の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）は、第１〜９の態様のいずれか１つにおいて、アンテナ端子（６１）と、アンテナスイッチ（４９）とを更に備える。アンテナスイッチ（４９）は、アンテナ端子（６１）と複数の送信用フィルタ（３１）との接続状態を切り替える。アンテナスイッチ（４９）は、実装基板（５）の第２主面（５２）に配置されている。
第１１の態様に係る通信装置（８）は、第１〜１０の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１；１ａ〜１ｄ）と、信号処理回路（８２）とを備える。信号処理回路（８２）は、信号（第１送信信号、第２送信信号、第１受信信号、第２受信信号）を処理する。
第１１の態様に係る通信装置（８）によれば、高周波モジュールにおいて、パワーアンプ（２１）、出力整合回路（４２）、第１スイッチ（４７）及び複数の送信用フィルタ（３１）が、送信信号（第１送信信号、第２送信信号）が通る順に配置されているので、配線を簡単にすることができる。
１，１ａ〜１ｄ 高周波モジュール
２１ パワーアンプ
２２ ローノイズアンプ
２３ コントローラ
２４ 受信用ＩＣ
３１ 送信用フィルタ
３２ 受信用フィルタ
３３ フィルタ
３４ 第１送信用フィルタ
３５ 第２送信用フィルタ
３６ 第１受信用フィルタ
３７ 第２受信用フィルタ
３８ 第１デュプレクサ
３９ 第２デュプレクサ
４１ 整合回路
４２ 出力整合回路
４３ 第１整合回路
４４ 第２整合回路
４５ 入力整合回路
４６ スイッチ
４７ 第１スイッチ
４７１ 共通端子
４７２，４７３ 選択端子
４８ 第２スイッチ
４８１ 共通端子
４８２，４８３ 選択端子
４９ アンテナスイッチ
４９１ 共通端子
４９２，４９３ 選択端子
５ 実装基板
５１ 第１主面
５２ 第２主面
５３ 導体パターン部
５４ 貫通電極
６，６ｄ 外部接続端子
６１ アンテナ端子
６２ 入力端子
６３ 出力端子
７１ 第１樹脂部材
７２ 第２樹脂部材
８ 通信装置
８１ アンテナ
８２ 信号処理回路
８３ ＲＦ信号処理回路
８４ ベースバンド信号処理回路
Ｔ１１ 第１送信経路
Ｔ１２ 第１受信経路
Ｔ２１ 第２送信経路
Ｔ２２ 第２受信経路
Ｒ１ 領域
Ｒ１１ 第１領域
Ｒ１２ 第２領域
Ｒ１３ 第３領域
Ｒ１４ 第４領域
Ｒ２１ 第１領域
Ｒ２２ 第２領域
Ｄ１ 厚さ方向
Ｄ２ 長手方向（第１方向）
Ｄ３ 短手方向（第２方向）
２１ パワーアンプ
２２ ローノイズアンプ
２３ コントローラ
２４ 受信用ＩＣ
３１ 送信用フィルタ
３２ 受信用フィルタ
３３ フィルタ
３４ 第１送信用フィルタ
３５ 第２送信用フィルタ
３６ 第１受信用フィルタ
３７ 第２受信用フィルタ
３８ 第１デュプレクサ
３９ 第２デュプレクサ
４１ 整合回路
４２ 出力整合回路
４３ 第１整合回路
４４ 第２整合回路
４５ 入力整合回路
４６ スイッチ
４７ 第１スイッチ
４７１ 共通端子
４７２，４７３ 選択端子
４８ 第２スイッチ
４８１ 共通端子
４８２，４８３ 選択端子
４９ アンテナスイッチ
４９１ 共通端子
４９２，４９３ 選択端子
５ 実装基板
５１ 第１主面
５２ 第２主面
５３ 導体パターン部
５４ 貫通電極
６，６ｄ 外部接続端子
６１ アンテナ端子
６２ 入力端子
６３ 出力端子
７１ 第１樹脂部材
７２ 第２樹脂部材
８ 通信装置
８１ アンテナ
８２ 信号処理回路
８３ ＲＦ信号処理回路
８４ ベースバンド信号処理回路
Ｔ１１ 第１送信経路
Ｔ１２ 第１受信経路
Ｔ２１ 第２送信経路
Ｔ２２ 第２受信経路
Ｒ１ 領域
Ｒ１１ 第１領域
Ｒ１２ 第２領域
Ｒ１３ 第３領域
Ｒ１４ 第４領域
Ｒ２１ 第１領域
Ｒ２２ 第２領域
Ｄ１ 厚さ方向
Ｄ２ 長手方向（第１方向）
Ｄ３ 短手方向（第２方向）
Claims (11)
- 互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
パワーアンプと、
複数の送信用フィルタと、
前記パワーアンプと前記複数の送信用フィルタとの接続状態を切り替える第１スイッチと、
前記パワーアンプと前記第１スイッチとの間に接続されている出力整合回路と、
前記実装基板の前記第２主面に配置されたローノイズアンプと、
前記実装基板の前記第２主面に配置された外部接続端子と、を備え、
前記パワーアンプ、前記出力整合回路、前記第１スイッチ及び前記複数の送信用フィルタは、前記実装基板の厚さ方向と直交する方向において、前記パワーアンプ、前記出力整合回路、前記第１スイッチ及び前記複数の送信用フィルタの順に並ぶように前記実装基板に配置されている、
高周波モジュール。 - 前記パワーアンプは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、
前記第１スイッチは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている、
請求項１に記載の高周波モジュール。 - アンテナ端子と、
前記アンテナ端子と前記複数の送信用フィルタとの接続状態を切り替えるアンテナスイッチと、を更に備え、
前記アンテナスイッチは、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記実装基板のうち、前記ローノイズアンプに対して、前記パワーアンプとは反対側に配置されている、
請求項１又は２に記載の高周波モジュール。 - 複数の受信用フィルタと、
前記ローノイズアンプと前記複数の受信用フィルタとの接続状態を切り替える第２スイッチと、を更に備え、
前記第２スイッチ及び前記ローノイズアンプは、１チップで構成されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。 - 前記パワーアンプ及び前記出力整合回路は、前記実装基板の前記第１主面に配置されている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。 - 前記パワーアンプを制御するコントローラを更に備え、
前記コントローラは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。 - 前記複数の送信用フィルタの出力側に設けられているフィルタを更に備え、
前記フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に配置されている、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。 - アンテナ端子と、
前記アンテナ端子と前記複数の送信用フィルタとの接続状態を切り替えるアンテナスイッチと、
前記アンテナ端子と前記アンテナスイッチとの間に設けられているフィルタと、を更に備え、
前記アンテナスイッチは、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記フィルタと重なっている、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。 - 前記第１スイッチの一部は、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記複数の送信用フィルタの少なくとも１つと重なっている、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。 - アンテナ端子と、
前記アンテナ端子と前記複数の送信用フィルタとの接続状態を切り替えるアンテナスイッチと、を更に備え、
前記アンテナスイッチは、前記実装基板の前記第２主面に配置されている、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。 - 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
信号を処理する信号処理回路と、を備える、
通信装置。
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|---|---|---|---|---|
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| WO2022209757A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN213213453U (zh) | 2021-05-14 |
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| US11483016B2 (en) | 2022-10-25 |
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