WO2021006080A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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WO2021006080A1
WO2021006080A1 PCT/JP2020/025389 JP2020025389W WO2021006080A1 WO 2021006080 A1 WO2021006080 A1 WO 2021006080A1 JP 2020025389 W JP2020025389 W JP 2020025389W WO 2021006080 A1 WO2021006080 A1 WO 2021006080A1
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main surface
noise amplifier
low noise
mounting board
inductor
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PCT/JP2020/025389
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English (en)
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Inventor
輝明 大下
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株式会社村田製作所
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    • H04B1/04—Circuits
    • H04B2001/0408—Circuits with power amplifiers

Definitions

  • the present invention generally relates to a high-frequency module and a communication device, and more particularly to a high-frequency module including a low-noise amplifier and a communication device including a high-frequency module.
  • the high frequency module described in Patent Document 1 includes a laminated substrate, a low noise amplifier, and a reception matching circuit (input matching circuit).
  • the reception matching circuit is electrically connected to the input side of the low noise amplifier and consists of two passive elements.
  • the reception matching circuit is arranged on the same layer (main surface) as the low noise amplifier on the laminated substrate.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device capable of reducing loss due to wiring.
  • the high frequency module includes a mounting board, a low noise amplifier, and an input matching circuit.
  • the mounting board has a first main surface and a second main surface facing each other.
  • the low noise amplifier amplifies the received signal.
  • the input matching circuit includes an inductor connected to the input side of the low noise amplifier.
  • the inductor is arranged on the first main surface side of the mounting substrate.
  • the low noise amplifier is arranged on the second main surface side of the mounting board. At least a part of the inductor overlaps with at least a part of the low noise amplifier in a plan view from the thickness direction of the mounting substrate.
  • the communication device includes the high frequency module and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit processes the received signal.
  • FIG. 1 is a plan view of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line X1-X1 of FIG. 1 in the high frequency module of the same.
  • FIG. 3 is a circuit configuration diagram of the communication device according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a high frequency module according to a modified example of the embodiment.
  • FIGS. 1, 2, and 4 referred to in the following embodiments and the like are schematic views, and the ratio of the size and the thickness of each component in the figure does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. Not always.
  • the high-frequency module 1 includes a power amplifier 21, a first transmission filter 22, a second transmission filter 23, and a switch 24. Further, the high frequency module 1 includes a first reception filter 31, a second reception filter 32, a first input matching circuit 33, a second input matching circuit 34, a first low noise amplifier 35, and a second low noise amplifier 36. , With an antenna switch 4.
  • the high frequency module 1 includes a mounting substrate 5, a plurality of external connection terminals 6, a first resin member 71, and a second resin member 72.
  • the high frequency module 1 is used, for example, in the communication device 8.
  • the communication device 8 is a mobile phone such as a smartphone.
  • the communication device 8 is not limited to a mobile phone, and may be, for example, a wearable terminal such as a smart watch.
  • the high frequency module 1 performs communication in the first communication band and communication in the second communication band. More specifically, the high frequency module 1 transmits a transmission signal of the first communication band (hereinafter referred to as “first transmission signal”) and receives a reception signal of the first communication band (hereinafter referred to as “first reception signal”). Do. Further, the high frequency module 1 transmits a transmission signal of the second communication band (hereinafter referred to as “second transmission signal”) and receives a reception signal of the second communication band (hereinafter referred to as “second reception signal”). ..
  • the first transmission signal and the first reception signal are, for example, FDD (Frequency Division Duplex) signals.
  • the first transmission signal and the first reception signal are not limited to FDD signals, and may be TDD (Time Division Duplex) signals.
  • the second transmission signal and the second reception signal are, for example, FDD signals.
  • the second transmission signal and the second reception signal are not limited to the FDD signal, and may be a TDD signal.
  • communication in the first communication band and communication in the second communication band are simultaneously performed.
  • simultaneous communication include Carrier Aggregation (CA) and Dual Connectivity (DC).
  • CA Carrier Aggregation
  • DC Dual Connectivity
  • the power amplifier 21 shown in FIG. 3 is an amplifier that amplifies the first transmission signal.
  • the power amplifier 21 is provided between the input terminal 62 and the first transmission filter 22 in the first transmission path T11 connecting the common terminal (antenna terminal) 61 and the input terminal 62.
  • the power amplifier 21 is provided between the input terminal 62 and the second transmission filter 23 in the second transmission path T21 connecting the common terminal 61 and the input terminal 62.
  • the power amplifier 21 has an input terminal and an output terminal (not shown).
  • the input terminal of the power amplifier 21 is connected to an external circuit (for example, a signal processing circuit 82) via the input terminal 62.
  • the input terminal 62 is a terminal at which high frequency signals (first transmission signal and second transmission signal) from an external circuit are input to the high frequency module 1.
  • the output terminal of the power amplifier 21 is connected to the switch 24.
  • the power amplifier 21 is controlled by, for example, a controller (not shown).
  • the first transmission filter 22 shown in FIG. 3 is a transmission filter that allows the first transmission signal to pass through. More specifically, the first transmission filter 22 is provided between the switch 24 and the antenna switch 4 in the first transmission path T11. The first transmission filter 22 passes the transmission signal in the transmission band of the first communication band, that is, the first transmission signal, among the high frequency signals amplified by the power amplifier 21. The first transmission filter 22 is a transmission filter for the first communication band.
  • the second transmission filter 23 shown in FIG. 3 is a transmission filter that allows the second transmission signal to pass through. More specifically, the second transmission filter 23 is provided between the switch 24 and the antenna switch 4 in the second transmission path T21. The second transmission filter 23 passes the transmission signal in the transmission band of the second communication band, that is, the second transmission signal, among the high frequency signals amplified by the power amplifier 21. The second transmission filter 23 is a transmission filter for the second communication band.
  • the switch 24 has a common terminal 241 and a plurality of (two in the illustrated example) selection terminals 242.
  • the common terminal 241 is connected to the power amplifier 21.
  • the selection terminal 243 is connected to the first transmission filter 22, and the selection terminal 244 is connected to the second transmission filter 23.
  • the switch 24 switches the connection state between the common terminal 241 and the plurality of selection terminals 242. More specifically, the switch 24 is controlled, for example, by a signal processing circuit 82.
  • the switch 24 electrically connects the common terminal 241 and any one of the plurality of selection terminals 242 according to the control signal from the RF signal processing circuit 83 of the signal processing circuit 82.
  • the first reception filter 31 shown in FIG. 3 is a reception filter that allows the first reception signal to pass through. More specifically, the first reception filter 31 is provided between the antenna switch 4 and the first input matching circuit 33 in the first reception path T12 connecting the common terminal 61 and the output terminal 63. The first reception filter 31 passes the reception signal in the reception band of the first communication band, that is, the first reception signal, among the high frequency signals input from the common terminal 61. The first reception filter 31 is a reception filter for the first communication band.
  • the second reception filter 32 shown in FIG. 3 is a reception filter that allows the second reception signal to pass through. More specifically, the second reception filter 32 is provided between the antenna switch 4 and the second input matching circuit 34 in the second reception path T22 connecting the common terminal 61 and the output terminal 63. The second reception filter 32 passes the reception signal in the reception band of the second communication band, that is, the second reception signal, among the high frequency signals input from the common terminal 61. The second reception filter 32 is a reception filter for the second communication band.
  • the first input matching circuit 33 shown in FIG. 3 includes at least the first inductor 331.
  • the first inductor 331 is connected to the input side of the first low noise amplifier 35.
  • the first input matching circuit 33 is provided between the first reception filter 31 and the first low noise amplifier 35 in the first reception path T12.
  • the first input matching circuit 33 performs impedance matching between the first receiving filter 31 and the first low noise amplifier 35.
  • the first inductor 331 may be connected in series with the first reception filter 31 and the first low noise amplifier 35, or is branched from the path to which the first reception filter 31 and the first low noise amplifier 35 are connected. It may be connected to the route.
  • FIG. 3 shows a case where the first inductor 331 is connected in series with the first receiving filter 31 and the first low noise amplifier 35.
  • first input matching circuit 33 is not limited to including only the first inductor 331, and may include the first inductor 331 and other circuit elements.
  • the second input matching circuit 34 shown in FIG. 3 is a matching circuit separate from the first input matching circuit 33.
  • the second input matching circuit 34 includes at least a second inductor 341.
  • the second inductor 341 is connected to the input side of the second low noise amplifier 36.
  • the second input matching circuit 34 is provided between the second reception filter 32 and the second low noise amplifier 36 in the second reception path T22.
  • the second input matching circuit 34 performs impedance matching between the second receiving filter 32 and the second low noise amplifier 36.
  • the second inductor 341 may be connected in series with the second receiving filter 32 and the second low noise amplifier 36, or is branched from the path to which the second receiving filter 32 and the second low noise amplifier 36 are connected. It may be connected to the route.
  • FIG. 3 shows a case where the second inductor 341 is connected in series with the second receiving filter 32 and the second low noise amplifier 36.
  • the second input matching circuit 34 is not limited to including only the second inductor 341, and may include the second inductor 341 and other circuit elements.
  • the first low noise amplifier 35 shown in FIG. 3 is an amplifier that amplifies the first received signal with low noise.
  • the first low noise amplifier 35 is provided between the first input matching circuit 33 and the output terminal 63 in the first reception path T12.
  • the first low noise amplifier 35 has an input terminal and an output terminal (not shown).
  • the input terminal of the first low noise amplifier 35 is connected to the first input matching circuit 33.
  • the output terminal of the first low noise amplifier 35 is connected to an external circuit (for example, a signal processing circuit 82) via the output terminal 63.
  • the output terminal 63 is a terminal for outputting a high frequency signal (first received signal) from the first low noise amplifier 35 to an external circuit.
  • the second low noise amplifier 36 shown in FIG. 3 is a separate body from the first low noise amplifier 35, and is an amplifier that amplifies the second received signal with low noise.
  • the second low noise amplifier 36 is provided between the second input matching circuit 34 and the output terminal 63 in the second reception path T22.
  • the second low noise amplifier 36 has an input terminal and an output terminal (not shown).
  • the input terminal of the second low noise amplifier 36 is connected to the second input matching circuit 34.
  • the output terminal of the second low noise amplifier 36 is connected to an external circuit (for example, a signal processing circuit 82) via the output terminal 63.
  • the output terminal 63 is a terminal for outputting a high frequency signal (second received signal) from the second low noise amplifier 36 to an external circuit.
  • the antenna switch 4 has a common terminal 41 and a plurality of (four in the illustrated example) selection terminals 42.
  • the common terminal 41 is connected to the common terminal 61.
  • the selection terminal 421 is connected to the first transmission filter 22, and the selection terminal 422 is connected to the first reception filter 31.
  • the selection terminal 423 is connected to the second transmission filter 23, and the selection terminal 424 is connected to the second reception filter 32.
  • An antenna 81 is connected to the common terminal 61.
  • the antenna switch 4 switches the connection state between the common terminal 41 and the plurality of selection terminals 42. More specifically, the antenna switch 4 is controlled by, for example, a signal processing circuit 82.
  • the antenna switch 4 electrically connects the common terminal 41 and at least one of the plurality of selection terminals 42 according to the control signal from the RF signal processing circuit 83 of the signal processing circuit 82.
  • the high frequency module 1 includes a mounting substrate 5, a plurality of external connection terminals 6, a first resin member 71, and a second resin member 72.
  • the high frequency module 1 can be electrically connected to an external board (not shown).
  • the external board corresponds to, for example, a mother board of a mobile phone, a communication device, or the like.
  • the high-frequency module 1 can be electrically connected to the external board not only when the high-frequency module 1 is directly mounted on the external board, but also when the high-frequency module 1 is indirectly mounted on the external board. Including the case where it is done.
  • the case where the high frequency module 1 is indirectly mounted on the external board is a case where the high frequency module 1 is mounted on another high frequency module mounted on the external board.
  • the mounting board 5 has a first main surface 51 and a second main surface 52 facing each other.
  • the first main surface 51 and the second main surface 52 face each other in the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • the second main surface 52 is a main surface facing the external substrate when the high frequency module 1 is provided on the external substrate (not shown).
  • the mounting board 5 is a double-sided mounting board in which circuit elements are mounted on each of the first main surface 51 and the second main surface 52.
  • the mounting substrate 5 is a multilayer substrate in which a plurality of dielectric layers are laminated.
  • the mounting substrate 5 has a plurality of conductor pattern portions (not shown) and a plurality of through electrodes (only one through electrode 54 is shown).
  • the plurality of conductor pattern portions include the conductor pattern portion set to the ground potential.
  • the plurality of through electrodes are used for electrical connection between the circuit element mounted on the first main surface 51 and the conductor pattern portion of the mounting substrate 5. Further, the plurality of through electrodes are electrically connected to the circuit element mounted on the first main surface 51 and the circuit element mounted on the second main surface 52, and the conductor pattern portion of the mounting substrate 5 and the outside. It is used for electrical connection with the connection terminal 6.
  • a power amplifier 21, a first transmission filter 22, a second transmission filter 23, a first reception filter 31, and a first input matching circuit 33 are provided on the first main surface 51 of the mounting board 5.
  • a first inductor 331, a second low noise amplifier 36, and an antenna switch 4 are arranged on the second reception filter 32, the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 (see FIG. 3), and the first low noise amplifier 35 are arranged on the second main surface 52 of the mounting board 5. Further, a plurality of external connection terminals 6 are arranged on the second main surface 52 of the mounting board 5.
  • the power amplifier 21 is arranged on the 1st main surface 51 side of the mounting board 5 as shown in FIGS. 1 and 2.
  • the power amplifier 21 is mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5.
  • a part of the power amplifier 21 may be mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5, and the rest of the power amplifier 21 may be mounted on the mounting board 5.
  • the power amplifier 21 is arranged on the first main surface 51 side of the second main surface 52 on the mounting board 5, and has at least a portion mounted on the first main surface 51.
  • the first transmission filter 22 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5.
  • the first transmission filter 22 is mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5.
  • a part of the first transmission filter 22 may be mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5, and the rest of the first transmission filter 22 may be mounted on the mounting board 5.
  • the first transmission filter 22 is arranged on the first main surface 51 side of the second main surface 52 on the mounting substrate 5, and has at least a portion mounted on the first main surface 51.
  • the first transmission filter 22 is, for example, an elastic wave filter including a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) filter that utilizes surface acoustic waves.
  • the first transmission filter 22 may include at least one of an inductor and a capacitor connected in series with any one of the plurality of series arm resonators, or an inductor connected in series with any one of the plurality of parallel arm resonators. Alternatively, a capacitor may be included.
  • the first reception filter 31 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5, and is connected to the first inductor 331 of the first input matching circuit 33 (see FIG. 3).
  • the first reception filter 31 is mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5.
  • a part of the first reception filter 31 may be mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5, and the rest of the first receiving filter 31 may be mounted on the mounting board 5.
  • the first reception filter 31 is arranged on the first main surface 51 side of the second main surface 52 on the mounting board 5, and has at least a portion mounted on the first main surface 51.
  • the first reception filter 31 is, for example, an elastic wave filter including a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a SAW filter that utilizes surface acoustic waves.
  • the first receive filter 31 may include at least one of an inductor and a capacitor connected in series with any one of the plurality of series arm resonators, or an inductor connected in series with any one of the plurality of parallel arm resonators. Alternatively, a capacitor may be included.
  • the first inductor 331 of the first input matching circuit 33 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5.
  • the first inductor 331 is, for example, a chip-shaped element mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5, or a wiring pattern portion built in the mounting board 5.
  • the first inductor 331 is arranged on the first main surface 51 side of the second main surface 52 on the mounting substrate 5, and has at least a portion mounted on the first main surface 51.
  • the first inductor 331 is mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5.
  • the first input matching circuit 33 may include a first capacitor (not shown) together with the first inductor 331.
  • the first capacitor has, for example, a chip-shaped element mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5, or a configuration including two wiring pattern portions built in the mounting board 5 and facing each other.
  • the first low noise amplifier 35 is arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5.
  • the first low noise amplifier 35 is mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5.
  • a part of the first low noise amplifier 35 may be mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5, and the rest of the first low noise amplifier 35 may be mounted on the mounting board 5.
  • the first low noise amplifier 35 is arranged on the second main surface 52 side of the first main surface 51 on the mounting board 5, and has at least a portion mounted on the second main surface 52.
  • the second transmission filter 23 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting substrate 5 as shown in FIG.
  • the second transmission filter 23 is mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5.
  • a part of the second transmission filter 23 may be mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5, and the rest of the second transmission filter 23 may be mounted on the mounting board 5.
  • the second transmission filter 23 is arranged on the first main surface 51 side of the second main surface 52 on the mounting substrate 5, and has at least a portion mounted on the first main surface 51.
  • the second transmission filter 23 is, for example, an elastic wave filter including a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a SAW filter that utilizes surface acoustic waves.
  • the second transmission filter 23 may include at least one of an inductor and a capacitor connected in series with any one of the plurality of series arm resonators, or an inductor connected in series with any one of the plurality of parallel arm resonators. Alternatively, a capacitor may be included.
  • the second receiving filter 32 is arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5, and is connected to the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 (see FIG. 3).
  • the second reception filter 32 is mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5.
  • a part of the second reception filter 32 may be mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5, and the rest of the second receiving filter 32 may be mounted on the mounting board 5.
  • the second reception filter 32 is arranged on the second main surface 52 side of the first main surface 51 on the mounting board 5, and has at least a portion mounted on the second main surface 52.
  • the second reception filter 32 is an elastic wave filter including, for example, a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a SAW filter that utilizes surface acoustic waves.
  • the second receive filter 32 may include at least one of an inductor and a capacitor connected in series with any one of the plurality of series arm resonators, or an inductor connected in series with any one of the plurality of parallel arm resonators. Alternatively, a capacitor may be included.
  • the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 is arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5.
  • the second inductor 341 is, for example, a chip-shaped element mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5, or a wiring pattern portion built in the mounting board 5.
  • the second inductor 341 is arranged on the second main surface 52 side of the first main surface 51 on the mounting substrate 5, and has at least a portion mounted on the second main surface 52.
  • the second inductor 341 is mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5.
  • the second input matching circuit 34 may include a second capacitor (not shown) together with the second inductor 341.
  • the second capacitor has, for example, a chip-shaped element mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5, or a configuration including two wiring pattern portions built in the mounting board 5 and facing each other.
  • the second low noise amplifier 36 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5.
  • the second low noise amplifier 36 is mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5.
  • a part of the second low noise amplifier 36 may be mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5, and the rest of the second low noise amplifier 36 may be mounted on the mounting board 5.
  • the second low noise amplifier 36 is arranged on the first main surface 51 side of the second main surface 52 on the mounting board 5, and has at least a portion mounted on the first main surface 51.
  • the antenna switch 4 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5.
  • the antenna switch 4 is mounted on, for example, the first main surface 51 of the mounting board 5.
  • a part of the antenna switch 4 may be mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5, and the rest of the antenna switch 4 may be mounted on the mounting board 5.
  • the antenna switch 4 is arranged on the first main surface 51 side of the second main surface 52 on the mounting board 5, and has at least a portion mounted on the first main surface 51.
  • the antenna switch 4 may be arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5.
  • the antenna switch 4 may be mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5, for example.
  • a part of the antenna switch 4 may be mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5, and the rest of the antenna switch 4 may be mounted on the mounting board 5.
  • the antenna switch 4 is arranged on the second main surface 52 side of the first main surface 51 on the mounting board 5, and has at least a portion mounted on the second main surface 52.
  • the plurality of external connection terminals 6 shown in FIGS. 1 and 2 are terminals for electrically connecting the mounting board 5 and the external board (not shown).
  • the plurality of external connection terminals 6 include a common terminal 61, an input terminal 62 and an output terminal 63 shown in FIG. 3, and a plurality of ground electrodes.
  • the plurality of external connection terminals 6 are arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5.
  • the plurality of external connection terminals 6 are columnar (for example, columnar) electrodes provided on the second main surface 52 of the mounting substrate 5.
  • the material of the plurality of external connection terminals 6 is, for example, a metal (for example, copper, copper alloy, etc.).
  • Each of the plurality of external connection terminals 6 has a base end portion joined to the second main surface 52 of the mounting board 5 and a tip end portion on the opposite side to the base end portion in the thickness direction D1 of the mounting board 5.
  • Each tip of the plurality of external connection terminals 6 may include, for example, a gold plating layer.
  • the high frequency module 1 is provided with a plurality of external connection terminals 6 from the viewpoint of mountability of the high frequency module 1 on an external board (mother board) and increasing the number of ground electrodes of the high frequency module 1.
  • the first resin member 71 is provided on the first main surface 51 of the mounting substrate 5, and is provided on the first main surface 51 side. It covers the arranged circuit elements and the first main surface 51.
  • the first resin member 71 has a function of ensuring reliability such as mechanical strength (impact resistance) and moisture resistance of the circuit element arranged on the first main surface 51 side. That is, the first resin member 71 has a function of protecting the circuit element arranged on the first main surface 51 side.
  • the second resin member 72 is provided on the second main surface 52 of the mounting board 5, and covers the circuit element and the second main surface 52 arranged on the second main surface 52 side. ing.
  • the second resin member 72 has a function of ensuring reliability such as mechanical strength (impact resistance) and moisture resistance of the circuit element arranged on the second main surface 52 side. That is, the second resin member 72 has a function of protecting the circuit element arranged on the second main surface 52 side.
  • the first inductor 331 of the first reception filter 31 and the first input matching circuit 33 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5.
  • the first low noise amplifier 35 is arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5.
  • the second receiving filter 32 and the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 are arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5, and the second low noise amplifier 36 is the first of the mounting board 5. It is arranged on the main surface 51 side.
  • the first inductor 331 of the first input matching circuit 33 overlaps with the first low noise amplifier 35 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • all of the first inductors 331 overlap with at least a part of the first low noise amplifier 35 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • only a part of the first inductor 331 may overlap with at least a part of the first low noise amplifier 35.
  • at least a part of the first inductor 331 of the first input matching circuit 33 may overlap with at least a part of the first low noise amplifier 35 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • the wiring length between the first inductor 331 of the first input matching circuit 33 and the first low noise amplifier 35 can be shortened, so that the loss due to wiring can be reduced.
  • the arrangement area of the first inductor 331 and the first low noise amplifier 35 can be reduced in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 overlaps with the second low noise amplifier 36 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • all of the second inductors 341 overlap with at least a part of the second low noise amplifier 36 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • only a part of the second inductor 341 may overlap with at least a part of the second low noise amplifier 36.
  • at least a part of the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 may overlap with at least a part of the second low noise amplifier 36 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • the wiring length between the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 and the second low noise amplifier 36 can be shortened, so that the loss due to the wiring can be reduced.
  • the arrangement area of the second inductor 341 and the second low noise amplifier 36 can be reduced in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • the first reception filter 31 overlaps with the first low noise amplifier 35 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • all of the first reception filters 31 overlap with at least a part of the first low noise amplifier 35 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • only a part of the first reception filter 31 may overlap with at least a part of the first low noise amplifier 35.
  • at least a part of the first reception filter 31 may overlap with at least a part of the first low noise amplifier 35 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • the mounting board 5 is compared with the case where the first receiving filter 31 and the first low noise amplifier 35 are arranged on the same main surface (first main surface 51 or second main surface 52) of the mounting board 5.
  • the arrangement area of the first reception filter 31 and the first low noise amplifier 35 can be reduced in a plan view from the thickness direction D1 of the above.
  • the second reception filter 32 overlaps with the second low noise amplifier 36 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • all of the second reception filter 32 overlaps with at least a part of the second low noise amplifier 36.
  • only a part of the second reception filter 32 may overlap with at least a part of the second low noise amplifier 36.
  • at least a part of the second reception filter 32 may overlap with at least a part of the second low noise amplifier 36 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • the mounting board 5 is compared with the case where the second receiving filter 32 and the second low noise amplifier 36 are arranged on the same main surface (first main surface 51 or second main surface 52) of the mounting board 5.
  • the arrangement area of the second reception filter 32 and the second low noise amplifier 36 can be reduced in the plan view from the thickness direction D1 of the above.
  • the mounting board 5 shown in FIGS. 1 and 2 is, for example, a printed wiring board, an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) board, or the like. ..
  • the mounting substrate 5 is, for example, a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor pattern portions.
  • the plurality of dielectric layers and the plurality of conductor pattern portions are laminated in the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • Each of the plurality of conductor pattern portions is formed in a predetermined pattern.
  • Each of the plurality of conductor pattern portions includes one or a plurality of conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting substrate 5.
  • the material of each conductor pattern portion is, for example, copper.
  • the first main surface 51 and the second main surface 52 of the mounting board 5 are separated in the thickness direction D1 of the mounting board 5 and intersect with the thickness direction D1 of the mounting board 5.
  • the first main surface 51 of the mounting board 5 is orthogonal to, for example, the thickness direction D1 of the mounting board 5, but may include, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1.
  • the second main surface 52 of the mounting board 5 is orthogonal to, for example, the thickness direction D1 of the mounting board 5, but includes, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1. You may.
  • the first main surface 51 and the second main surface 52 of the mounting substrate 5 may be formed with fine irregularities, concave portions or convex portions.
  • the filter is a 1-chip filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the filter includes, for example, a substrate, a piezoelectric layer, and a plurality of IDT electrodes (Interdigital Transducers).
  • the substrate has a first surface and a second surface facing each other in the thickness direction of the substrate.
  • the piezoelectric layer is provided on the first surface side of the substrate.
  • the piezoelectric layer is provided on the bass velocity film.
  • the plurality of IDT electrodes are provided on the piezoelectric layer.
  • the bass velocity film is provided directly or indirectly on the substrate.
  • the piezoelectric layer is directly or indirectly provided on the bass velocity film.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating is slower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the speed of sound of the bulk wave propagating is faster than the speed of sound of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the material of the piezoelectric layer is, for example, lithium tantalate.
  • the material of the bass velocity film is, for example, silicon oxide.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the thickness of the piezoelectric layer is, for example, 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger period of the IDT electrode.
  • the thickness of the bass sound film is, for example, 2.0 ⁇ or less.
  • the piezoelectric layer may be formed of, for example, lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate.
  • the bass sound film may contain at least one material selected from the group consisting of silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, and a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide.
  • Substrates are made from silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cozilite, mulite, steatite, forsterite, magnesia and diamond. It suffices to contain at least one material selected from the group.
  • the filter further includes, for example, a spacer layer and a cover member.
  • the spacer layer and the cover member are provided on the first surface of the substrate.
  • the spacer layer surrounds the plurality of IDT electrodes in a plan view from the thickness direction of the substrate.
  • the spacer layer has a frame shape (rectangular frame shape) in a plan view from the thickness direction of the substrate.
  • the spacer layer has electrical insulation.
  • the material of the spacer layer is, for example, a synthetic resin such as an epoxy resin or a polyimide.
  • the cover member has a flat plate shape.
  • the cover member has a rectangular shape in a plan view from the thickness direction of the substrate, but is not limited to this, and may be, for example, a square shape.
  • the outer size of the cover member, the outer size of the spacer layer, and the outer size of the cover member are substantially the same in a plan view from the thickness direction of the substrate.
  • the cover member is arranged on the spacer layer so as to face the substrate in the thickness direction of the substrate.
  • the cover member overlaps with the plurality of IDT electrodes in the thickness direction of the substrate and is separated from the plurality of IDT electrodes in the thickness direction of the substrate.
  • the cover member has electrical insulation.
  • the material of the cover member is, for example, a synthetic resin such as epoxy resin or polyimide.
  • the filter has a space surrounded by a substrate, a spacer layer, and a cover member. In the filter, the space contains gas.
  • the gas is, for example, air, an inert gas (for example, nitrogen gas) or the like.
  • the plurality of terminals are exposed from the cover member.
  • Each of the plurality of terminals is, for example, a bump.
  • Each bump is, for example, a solder bump.
  • the bumps are not limited to solder bumps, and may be, for example, gold bumps.
  • the filter may include, for example, an adhesion layer interposed between the bass velocity film and the piezoelectric layer.
  • the adhesion layer is made of, for example, a resin (epoxy resin, polyimide resin).
  • the filter may be provided with a dielectric film between the low sound velocity film and the piezoelectric layer, either on the piezoelectric layer or below the low sound velocity film.
  • the filter may include, for example, a hypersonic film interposed between the substrate and the hypersonic film.
  • the hypersonic film is provided directly or indirectly on the substrate.
  • the low sound velocity film is provided directly or indirectly on the high sound velocity film.
  • the piezoelectric layer is provided directly or indirectly on the bass velocity film.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating is slower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the treble film is made of diamond-like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, and steatite. , Various ceramics such as forsterite, magnesia, diamond, or a material containing each of the above materials as a main component, and a material containing a mixture of the above materials as a main component.
  • the piezoelectric substrate may have an adhesion layer, a dielectric film, or the like as a film other than the hypersonic film, the low sound velocity film, and the piezoelectric layer.
  • Each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is not limited to the above-mentioned elastic wave resonators, and may be, for example, a SAW resonator or a BAW (Bulk Acoustic Wave) resonator.
  • the SAW resonator includes, for example, a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate.
  • the filter has a plurality of IDTs having a one-to-one correspondence with the plurality of series arm resonators on one piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or the like.
  • the antenna switch 4 shown in FIG. 3 is a switch IC. More specifically, the antenna switch 4 is, for example, a one-chip IC including a substrate and a switch function unit.
  • the substrate has a first surface and a second surface facing each other in the thickness direction of the substrate.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the switch function unit includes a FET (Field Effect Transistor) formed on the first surface of the substrate.
  • the switch function unit is a function unit having a function of switching the connection state.
  • the antenna switch 4 is flip-chip mounted on the second main surface 52 of the mounting board 5 so that the first surface of the board is on the second main surface 52 side of the mounting board 5.
  • the outer peripheral shape of the antenna switch 4 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 5.
  • the power amplifier 21 shown in FIG. 3 is, for example, a one-chip IC including a substrate and an amplification function unit.
  • the substrate has a first surface and a second surface facing each other in the thickness direction of the substrate.
  • the substrate is, for example, a gallium arsenide substrate.
  • the amplification function unit includes at least one transistor formed on the first surface of the substrate.
  • the amplification function unit is a function unit having a function of amplifying a transmission signal in a predetermined frequency band.
  • the transistor is, for example, an HBT (Heterojunction Bipolar Transistor).
  • HBT Heterojunction Bipolar Transistor
  • the power amplifier may include, for example, a capacitor for cutting DC in addition to the amplification function unit.
  • the power amplifier is, for example, flip-chip mounted on the first main surface 51 of the mounting board 5 so that the first surface of the board is on the first main surface 51 side of the mounting board 5.
  • the outer peripheral shape of the power amplifier is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 5.
  • the low noise amplifier is, for example, one IC chip including a substrate and an amplification function unit.
  • the substrate has a first surface and a second surface facing each other in the thickness direction of the substrate.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the amplification function unit is formed on the first surface of the substrate.
  • the amplification function unit is a function unit having a function of amplifying a received signal in a predetermined frequency band.
  • the low noise amplifier is, for example, flip-chip mounted on the mounting board 5 so that the first surface of the board is on the mounting board 5 side.
  • the outer peripheral shape of the low noise amplifier is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 5.
  • the communication device 8 includes a high frequency module 1, an antenna 81, and a signal processing circuit 82.
  • the antenna 81 is connected to the common terminal 61 of the high frequency module 1.
  • the antenna 81 has a transmission function of radiating the first transmission signal and the second transmission signal output from the high frequency module 1 by radio waves, and the high frequency module 1 receives the first reception signal and the second reception signal as radio waves from the outside. It has a receiving function to output to.
  • the signal processing circuit 82 includes an RF signal processing circuit 83 and a baseband signal processing circuit 84.
  • the signal processing circuit 82 processes the first transmission signal and the first reception signal, and the second transmission signal and the second reception signal.
  • the RF signal processing circuit 83 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • RFIC Radio Frequency Integrated Circuit
  • the RF signal processing circuit 83 performs signal processing such as up-conversion on the high frequency signal output from the baseband signal processing circuit 84, and outputs the processed high frequency signal to the high frequency module 1. Specifically, the RF signal processing circuit 83 performs signal processing such as up-conversion on the first transmission signal output from the baseband signal processing circuit 84, and the signal-processed first transmission signal has a high frequency. Output to the first transmission path T11 of the module 1. Further, the RF signal processing circuit 83 performs signal processing such as up-conversion on the second transmission signal output from the baseband signal processing circuit 84, and the signal-processed second transmission signal is transmitted to the high-frequency module 1. Output to the second transmission path T21.
  • the RF signal processing circuit 83 performs signal processing such as down-conversion on the high frequency signal output from the high frequency module 1, and outputs the processed high frequency signal to the baseband signal processing circuit 84. Specifically, the RF signal processing circuit 83 performs signal processing on the first received signal output from the first receiving path T12 of the high frequency module 1, and uses the processed first received signal as a base band. Output to the signal processing circuit 84. Further, the RF signal processing circuit 83 performs signal processing on the second received signal output from the second receiving path T22 of the high frequency module 1, and uses the processed second received signal as the base band signal processing circuit. Output to 84.
  • the baseband signal processing circuit 84 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit), and performs predetermined signal processing on a transmission signal from the outside of the signal processing circuit 82.
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 84 is used, for example, as an image signal as an image signal for displaying an image, or as an audio signal for a telephone call.
  • the RF signal processing circuit 83 also has a function as a control unit that controls the connection of the antenna switch 4 of the high frequency module 1 based on the communication band (frequency band) used. Specifically, the RF signal processing circuit 83 switches the connection of the antenna switch 4 of the high frequency module 1 by a control signal (not shown).
  • the control unit may be provided outside the RF signal processing circuit 83, and may be provided, for example, in the high frequency module 1 or the baseband signal processing circuit 84.
  • the first inductor 331 of the first input matching circuit 33 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5. Further, the first low noise amplifier 35 is arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5. Further, at least a part of the first inductor 331 overlaps with at least a part of the first low noise amplifier 35.
  • the wiring length between the first inductor 331 of the first input matching circuit 33 and the first low noise amplifier 35 can be shortened.
  • the loss due to the wiring between the first inductor 331 and the first low noise amplifier 35 can be reduced.
  • the high frequency module 1 can be miniaturized.
  • the high frequency module 1 In the high frequency module 1 according to the embodiment, at least a part of the first reception filter 31 overlaps with at least a part of the first low noise amplifier 35 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 5. As a result, as compared with the case where the first reception filter 31 and the first low noise amplifier 35 are arranged on the same main surface of the mounting board 5, the first in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 5 The arrangement area of the reception filter 31 and the first low noise amplifier 35 can be reduced. As a result, the high frequency module 1 can be made smaller.
  • the first low noise amplifier 35 is arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5, and the second low noise amplifier 36 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5. ing.
  • the isolation between the first low noise amplifier 35 and the second low noise amplifier 36 can be improved, so that electrical communication in the two communications (communication of the first communication band and communication of the second communication band) can be performed. Interference can be reduced. As a result, it is possible to suppress a decrease in reception sensitivity even in simultaneous communication (carrier aggregation, dual connectivity) by two communications.
  • the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 is arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5. Further, the second low noise amplifier 36 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5. Further, at least a part of the second inductor 341 overlaps with at least a part of the second low noise amplifier 36.
  • the wiring length between the second inductor 341 of the second input matching circuit 34 and the second low noise amplifier 36 can be shortened.
  • the loss due to the wiring between the second inductor 341 and the second low noise amplifier 36 can be reduced.
  • the high frequency module 1 can be made smaller.
  • all of the first inductor 331 overlaps with at least a part of the first low noise amplifier 35.
  • the arrangement area of the first inductor 331 and the first low noise amplifier 35 can be reduced in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5, so that the high frequency module 1 can be made smaller.
  • all of the second inductor 341 overlaps at least a part of the second low noise amplifier 36.
  • the arrangement area of the second inductor 341 and the second low noise amplifier 36 can be reduced in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 5, so that the high frequency module 1 can be made smaller.
  • the high frequency module 1a may include a plurality of external connection terminals 6a as shown in FIG. 4 instead of the plurality of external connection terminals 6 (see FIG. 2).
  • the plurality of external connection terminals 6a have a bump structure instead of a columnar electrode.
  • the plurality of external connection terminals 6a are arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5.
  • the second resin member 72 (see FIG. 2) is omitted.
  • the high frequency module 1 may include only the configuration required for communication in the first communication band. More specifically, the high frequency module 1 according to the present modification includes a power amplifier 21, a first transmission filter 22, a first reception filter 31, a first input matching circuit 33, a first low noise amplifier 35, and an antenna. It includes a switch 4. On the other hand, the high frequency module 1 does not include the second transmission filter 23, the switch 24, the second reception filter 32, and the second low noise amplifier 36.
  • the first reception filter 31 is arranged on the first main surface 51 side of the mounting board 5. Since the first reception filter 31 is not arranged on the second main surface 52 side of the mounting board 5, when the board of the first low noise amplifier 35 is a silicon board, the board of the first low noise amplifier 35 can be easily scraped. it can. As a result, the height of the mounting substrate 5 on the second main surface 52 side of the high frequency module 1 can be reduced.
  • the first transmission filter 22 and the second transmission filter 23 are, for example, surface acoustic wave filters.
  • the first transmission filter 22 and the second transmission filter 23 are not limited to the surface acoustic wave filter, and may be other than the surface acoustic wave filter.
  • the first transmission filter 22 and the second transmission filter 23 may be, for example, any of an elastic wave filter using BAW (Bulk Acoustic Wave), an LC resonance filter, and a dielectric filter.
  • the high frequency module according to each of the above modifications also has the same effect as the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • arbitrary components are arranged on the first main surface side of the mounting board means that the above components are mounted on a mounting board having a first main surface and a second main surface facing each other. It means that it is arranged on the first main surface side of the second main surface of the substrate.
  • Examples of “arbitrary components arranged on the first main surface side of the mounting board” include the case where the above components are arranged on the first main surface of the mounting board and the case where the above components are arranged on the first main surface of the mounting board. It may be arranged apart from the first main surface.
  • the components are arranged on the first main surface of the mounting board include the case where the components are mounted on the first main surface of the mounting board and the case where some of the components are mounted on the mounting board.
  • the rest of the above-mentioned components may be built in the mounting board.
  • the components are arranged apart from the first main surface of the mounting board"
  • the components and other components are stacked.
  • other components are mounted on the first main surface of the mounting board, and the above components are laminated on the other components. Further other components may exist between the above component and the other components.
  • arbitrary components are arranged on the second main surface side of the mounting board means that the mounting board having the first main surface and the second main surface facing each other has the above configuration. It means that the elements are arranged on the second main surface side of the first main surface of the mounting board.
  • Examples of “arbitrary components arranged on the second main surface side of the mounting board” include the case where the above components are arranged on the second main surface of the mounting board and the case where the above components are arranged on the second main surface of the mounting board. It may be arranged apart from the second main surface.
  • the components are arranged on the second main surface of the mounting board include the case where the components are mounted on the second main surface of the mounting board and the case where some of the components are mounted on the mounting board.
  • the rest of the above-mentioned components may be built in the mounting board.
  • the components and other components may be stacked.
  • other components are mounted on the second main surface of the mounting board, and the above components are laminated on the other components. Further other components may exist between the above component and the other components.
  • the high frequency module (1; 1a) includes a mounting board (5), a low noise amplifier (first low noise amplifier 35), and an input matching circuit (first input matching circuit 33).
  • the mounting board (5) has a first main surface (51) and a second main surface (52).
  • the first main surface (51) and the second main surface (52) face each other.
  • the low noise amplifier amplifies a received signal (first received signal).
  • the input matching circuit includes an inductor (first inductor 331).
  • the inductor is connected to the input side of the low noise amplifier.
  • the inductor is arranged on the first main surface (51) side of the mounting substrate (5).
  • the low noise amplifier is arranged on the second main surface (52) side of the mounting board (5). At least a part of the inductor overlaps with at least a part of the low noise amplifier in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (5).
  • the wiring length can be shortened. As a result, the loss due to wiring can be reduced.
  • the inductor (first inductor 331) of the input matching circuit (first input matching circuit 33) and the low noise amplifier (first low noise amplifier 35) are Compared with the case where the mounting board (5) is arranged on the same main surface, the arrangement area of the inductor and the low noise amplifier is reduced in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting board (5). be able to. As a result, the high frequency module (1; 1a) can be miniaturized.
  • the high frequency module (1; 1a) according to the second aspect further includes a plurality of external connection terminals (6; 6a) in the first aspect.
  • the plurality of external connection terminals (6; 6a) are arranged on the second main surface (52) side of the mounting board (5).
  • the high frequency module (1; 1a) according to the third aspect further includes a reception filter (first reception filter 31) in the first or second aspect.
  • the reception filter passes a reception signal (first reception signal).
  • the reception filter is arranged on the first main surface (51) side of the mounting board (5) and is connected to the inductor (first inductor 331).
  • At least a part of the reception filter (first reception filter 31) is in the thickness direction (D1) of the mounting substrate (5). It overlaps with at least a part of the low noise amplifier (first low noise amplifier 35).
  • the reception filter (first reception filter 31) and the low noise amplifier (first low noise amplifier 35) are arranged on the same main surface of the mounting board (5).
  • the arrangement area of the reception filter and the low noise amplifier can be reduced in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (5) as compared with the case where As a result, the high frequency module (1; 1a) can be made smaller.
  • the high frequency module (1; 1a) further includes a second low noise amplifier (36) and a second input matching circuit (34) in any one of the first to fourth aspects.
  • the second low noise amplifier (36) is separate from the first low noise amplifier (35), which is the low noise amplifier.
  • the second input matching circuit (34) is separate from the first input matching circuit (33), which is the input matching circuit.
  • the second input matching circuit (34) includes a second inductor (341).
  • the second inductor (341) is connected to the input side of the second low noise amplifier (36).
  • the second inductor (341) is arranged on the second main surface (52) side of the mounting substrate (5).
  • the second low noise amplifier (36) is arranged on the first main surface (51) side of the mounting board (5). At least a part of the second inductor (341) overlaps with at least a part of the second low noise amplifier (36) in the thickness direction (D1) of the mounting substrate (5).
  • the isolation between the first low noise amplifier (35) and the second low noise amplifier (36) can be improved, so that in two communications. Electrical interference can be reduced. As a result, it is possible to suppress a decrease in reception sensitivity even in carrier aggregation.
  • the wiring length between the second inductor (341) and the second low noise amplifier (36) of the second input matching circuit (34) is shortened. can do. As a result, the loss due to the wiring between the second inductor (341) and the second low noise amplifier (36) can be reduced.
  • the second inductor (341) and the second low noise amplifier (36) of the second input matching circuit (34) are the same as the mounting board 5.
  • the arrangement area of the second inductor (341) and the second low noise amplifier (36) can be reduced in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate 5 as compared with the case where the mounting substrate 5 is arranged on the main surface. it can. As a result, the high frequency module (1) can be made smaller.
  • the inductor (first) is viewed in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (5). All of the inductors 331) overlap with at least a part of the low noise amplifier (first low noise amplifier 35).
  • the inductor (first inductor 331) and the low noise amplifier (first low noise amplifier) are viewed in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (5).
  • the arrangement area of 35) can be reduced. As a result, the high frequency module (1; 1a) can be made smaller.
  • the communication device (8) according to the seventh aspect includes a high frequency module (1; 1a) according to any one of the first to sixth aspects and a signal processing circuit (82).
  • the signal processing circuit (82) processes the received signal.
  • the communication device (8) according to the seventh aspect in the high frequency module (1; 1a), the inductor (first inductor 331) and the low noise amplifier (first low noise) of the input matching circuit (first input matching circuit 33)
  • the wiring length with the amplifier 35) can be shortened. As a result, the loss due to wiring can be reduced.
  • the communication device (8) according to the seventh aspect, in the high frequency module (1; 1a), the inductor (first inductor 331) and the low noise amplifier (first inductor 331) of the input matching circuit (first input matching circuit 33). 1
  • the inductor and the low noise in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting board (5) as compared with the case where the low noise amplifier 35) is arranged on the same main surface of the mounting board (5).
  • the arrangement area of the amplifier can be reduced.
  • the high frequency module (1; 1a) can be miniaturized.

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Abstract

配線によるロスを低減させる。高周波モジュール（１）は、実装基板（５）と、ローノイズアンプと、入力整合回路とを備える。実装基板（５）は、第１主面（５１）及び第２主面（５２）を有する。第１主面（５１）及び第２主面（５２）は、互いに対向する。上記ローノイズアンプは、受信信号（第１受信信号）を増幅させる。上記入力整合回路は、インダクタを含む。上記インダクタは、上記ローノイズアンプの入力側に接続されている。上記インダクタは、実装基板（５）の第１主面（５１）側に配置されている。上記ローノイズアンプは、実装基板（５）の第２主面（５２）側に配置されている。上記インダクタの少なくとも一部は、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、上記ローノイズアンプの少なくとも一部と重なる。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、ローノイズアンプを備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。
　従来、ローノイズアンプを備える高周波モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載された高周波モジュールは、積層基板と、ローノイズアンプと、受信整合回路（入力整合回路）とを備える。受信整合回路は、ローノイズアンプの入力側に電気的に接続されており、２個の受動素子からなる。受信整合回路は、積層基板においてローノイズアンプと同一の層（主面）に配置されている。
特開２００５－２２３５８２号公報
　しかしながら、特許文献１に記載された従来の高周波モジュールでは、ローノイズアンプと受動素子であるインダクタとが同一の主面に配置されているため、ローノイズアンプとインダクタとを接続するために、配線の長さがある程度必要となる。このため、ローノイズアンプとインダクタとの間の距離が長くなる場合、ローノイズアンプとインダクタとの間の配線によるロスが発生するという問題があった。
　本発明は上記の点に鑑みてなされた発明であり、本発明の目的は、配線によるロスを低減させることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、ローノイズアンプと、入力整合回路とを備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記ローノイズアンプは、受信信号を増幅させる。前記入力整合回路は、前記ローノイズアンプの入力側に接続されているインダクタを含む。前記インダクタは、前記実装基板の前記第１主面側に配置されている。前記ローノイズアンプは、前記実装基板の前記第２主面側に配置されている。前記インダクタの少なくとも一部は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記ローノイズアンプの少なくとも一部と重なる。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路とを備える。前記信号処理回路は、前記受信信号を処理する。
　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、配線によるロスを低減させることができる。
図１は、実施形態に係る高周波モジュールの平面図である。 図２は、同上の高周波モジュールにおける図１のＸ１－Ｘ１線断面図である。 図３は、実施形態に係る通信装置の回路構成図である。 図４は、実施形態の変形例に係る高周波モジュールの断面図である。
　以下、実施形態に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図１、図２、及び図４は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比は、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態）
　（１）高周波モジュール
　実施形態に係る高周波モジュールの構成について、図面を参照して説明する。
　実施形態に係る高周波モジュール１は、図３に示すように、パワーアンプ２１と、第１送信フィルタ２２と、第２送信フィルタ２３と、スイッチ２４とを備える。また、高周波モジュール１は、第１受信フィルタ３１と、第２受信フィルタ３２と、第１入力整合回路３３と、第２入力整合回路３４と、第１ローノイズアンプ３５と、第２ローノイズアンプ３６と、アンテナスイッチ４とを備える。
　また、高周波モジュール１は、図１及び図２に示すように、実装基板５と、複数の外部接続端子６と、第１樹脂部材７１と、第２樹脂部材７２とを備える。
　高周波モジュール１は、図３に示すように、例えば、通信装置８に用いられる。通信装置８は、例えばスマートフォンのような携帯電話である。なお、通信装置８は、携帯電話であることに限定されず、例えば、スマートウォッチのようなウェアラブル端末等であってもよい。
　高周波モジュール１は、第１通信バンドの通信及び第２通信バンドの通信を行う。より詳細には、高周波モジュール１は、第１通信バンドの送信信号（以下「第１送信信号」という）の送信、第１通信バンドの受信信号（以下「第１受信信号」という）の受信を行う。さらに、高周波モジュール１は、第２通信バンドの送信信号（以下「第２送信信号」という）の送信、及び、第２通信バンドの受信信号（以下「第２受信信号」という）の受信を行う。
　第１送信信号及び第１受信信号は、例えば、ＦＤＤ（Frequency Division Duplex）の信号である。なお、第１送信信号及び第１受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤ（Time Division Duplex）の信号であってもよい。
　第２送信信号及び第２受信信号は、例えば、ＦＤＤの信号である。なお、第２送信信号及び第２受信信号は、ＦＤＤの信号に限定されず、ＴＤＤの信号であってもよい。
　高周波モジュール１において、第１通信バンドの通信と第２通信バンドの通信とは同時通信が行われる。同時通信の例としては、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation：ＣＡ）及びデュアルコネクティビティ（Dual Connectivity：ＤＣ）がある。
　（２）高周波モジュールの回路構成
　以下、実施形態に係る高周波モジュール１の回路構成について、図３を参照して説明する。ここでは、第１送信信号及び第１受信信号、並びに、第２送信信号及び第２受信信号がＦＤＤの信号である場合について説明する。
　（２．１）パワーアンプ
　図３に示すパワーアンプ２１は、第１送信信号を増幅する増幅器である。パワーアンプ２１は、共通端子（アンテナ端子）６１と入力端子６２とを結ぶ第１送信経路Ｔ１１のうち入力端子６２と第１送信フィルタ２２との間に設けられている。同様に、パワーアンプ２１は、共通端子６１と入力端子６２とを結ぶ第２送信経路Ｔ２１のうち入力端子６２と第２送信フィルタ２３との間に設けられている。パワーアンプ２１は、図示しない入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ２１の入力端子は、入力端子６２を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続される。入力端子６２は、外部回路からの高周波信号（第１送信信号及び第２送信信号）が高周波モジュール１に入力される端子である。パワーアンプ２１の出力端子は、スイッチ２４に接続されている。パワーアンプ２１は、例えばコントローラ（図示せず）によって制御される。
　（２．２）第１送信フィルタ
　図３に示す第１送信フィルタ２２は、第１送信信号を通過させる送信フィルタである。より詳細には、第１送信フィルタ２２は、第１送信経路Ｔ１１のうちスイッチ２４とアンテナスイッチ４との間に設けられている。第１送信フィルタ２２は、パワーアンプ２１で増幅された高周波信号のうち、第１通信バンドの送信帯域の送信信号つまり第１送信信号を通過させる。第１送信フィルタ２２は、第１通信バンド用の送信フィルタである。
　（２．３）第２送信フィルタ
　図３に示す第２送信フィルタ２３は、第２送信信号を通過させる送信フィルタである。より詳細には、第２送信フィルタ２３は、第２送信経路Ｔ２１のうちスイッチ２４とアンテナスイッチ４との間に設けられている。第２送信フィルタ２３は、パワーアンプ２１で増幅された高周波信号のうち、第２通信バンドの送信帯域の送信信号つまり第２送信信号を通過させる。第２送信フィルタ２３は、第２通信バンド用の送信フィルタである。
　（２．４）スイッチ
　スイッチ２４は、図３に示すように、共通端子２４１と、複数（図示例では２つ）の選択端子２４２とを有する。共通端子２４１は、パワーアンプ２１に接続されている。複数の選択端子２４２のうち、選択端子２４３は、第１送信フィルタ２２に接続されており、選択端子２４４は、第２送信フィルタ２３に接続されている。
　スイッチ２４は、共通端子２４１と複数の選択端子２４２との接続状態を切り替える。より詳細には、スイッチ２４は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。スイッチ２４は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子２４１と複数の選択端子２４２のいずれか１つとを電気的に接続させる。
　（２．５）第１受信フィルタ
　図３に示す第１受信フィルタ３１は、第１受信信号を通過させる受信フィルタである。より詳細には、第１受信フィルタ３１は、共通端子６１と出力端子６３とを結ぶ第１受信経路Ｔ１２のうちアンテナスイッチ４と第１入力整合回路３３との間に設けられている。第１受信フィルタ３１は、共通端子６１から入力された高周波信号のうち、第１通信バンドの受信帯域の受信信号つまり第１受信信号を通過させる。第１受信フィルタ３１は、第１通信バンド用の受信フィルタである。
　（２．６）第２受信フィルタ
　図３に示す第２受信フィルタ３２は、第２受信信号を通過させる受信フィルタである。より詳細には、第２受信フィルタ３２は、共通端子６１と出力端子６３とを結ぶ第２受信経路Ｔ２２のうちアンテナスイッチ４と第２入力整合回路３４との間に設けられている。第２受信フィルタ３２は、共通端子６１から入力された高周波信号のうち、第２通信バンドの受信帯域の受信信号つまり第２受信信号を通過させる。第２受信フィルタ３２は、第２通信バンド用の受信フィルタである。
　（２．７）第１入力整合回路
　図３に示す第１入力整合回路３３は、少なくとも第１インダクタ３３１を含む。第１インダクタ３３１は、第１ローノイズアンプ３５の入力側に接続されている。第１入力整合回路３３は、第１受信経路Ｔ１２のうち第１受信フィルタ３１と第１ローノイズアンプ３５との間に設けられている。第１入力整合回路３３は、第１受信フィルタ３１と第１ローノイズアンプ３５との間のインピーダンス整合をとる。
　第１インダクタ３３１は、第１受信フィルタ３１及び第１ローノイズアンプ３５と直列に接続されていてもよいし、第１受信フィルタ３１及び第１ローノイズアンプ３５が接続されている経路から分岐されている経路に接続されていてもよい。図３は、第１インダクタ３３１が第１受信フィルタ３１及び第１ローノイズアンプ３５と直列に接続されている場合を示す。
　なお、第１入力整合回路３３は、第１インダクタ３３１のみを含むことに限定されず、第１インダクタ３３１と他の回路素子とを含んでもよい。
　（２．８）第２入力整合回路
　図３に示す第２入力整合回路３４は、第１入力整合回路３３とは別体の整合回路である。第２入力整合回路３４は、少なくとも第２インダクタ３４１を含む。第２インダクタ３４１は、第２ローノイズアンプ３６の入力側に接続されている。第２入力整合回路３４は、第２受信経路Ｔ２２のうち第２受信フィルタ３２と第２ローノイズアンプ３６との間に設けられている。第２入力整合回路３４は、第２受信フィルタ３２と第２ローノイズアンプ３６との間のインピーダンス整合をとる。
　第２インダクタ３４１は、第２受信フィルタ３２及び第２ローノイズアンプ３６と直列に接続されていてもよいし、第２受信フィルタ３２及び第２ローノイズアンプ３６が接続されている経路から分岐されている経路に接続されていてもよい。図３は、第２インダクタ３４１が第２受信フィルタ３２及び第２ローノイズアンプ３６と直列に接続されている場合を示す。
　なお、第２入力整合回路３４は、第２インダクタ３４１のみを含むことに限定されず、第２インダクタ３４１と他の回路素子とを含んでもよい。
　（２．９）第１ローノイズアンプ
　図３に示す第１ローノイズアンプ３５は、第１受信信号を低雑音で増幅させる増幅器である。第１ローノイズアンプ３５は、第１受信経路Ｔ１２のうち第１入力整合回路３３と出力端子６３との間に設けられている。第１ローノイズアンプ３５は、図示しない入力端子及び出力端子を有する。第１ローノイズアンプ３５の入力端子は、第１入力整合回路３３に接続されている。第１ローノイズアンプ３５の出力端子は、出力端子６３を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続される。出力端子６３は、第１ローノイズアンプ３５からの高周波信号（第１受信信号）が外部回路へ出力される端子である。
　（２．１０）第２ローノイズアンプ
　図３に示す第２ローノイズアンプ３６は、第１ローノイズアンプ３５とは別体であり、第２受信信号を低雑音で増幅させる増幅器である。第２ローノイズアンプ３６は、第２受信経路Ｔ２２のうち第２入力整合回路３４と出力端子６３との間に設けられている。第２ローノイズアンプ３６は、図示しない入力端子及び出力端子を有する。第２ローノイズアンプ３６の入力端子は、第２入力整合回路３４に接続されている。第２ローノイズアンプ３６の出力端子は、出力端子６３を介して外部回路（例えば信号処理回路８２）に接続される。出力端子６３は、第２ローノイズアンプ３６からの高周波信号（第２受信信号）が外部回路へ出力される端子である。
　（２．１１）アンテナスイッチ
　アンテナスイッチ４は、図３に示すように、共通端子４１と、複数（図示例では４つ）の選択端子４２とを有する。共通端子４１は、共通端子６１に接続されている。複数の選択端子４２のうち、選択端子４２１は、第１送信フィルタ２２に接続されており、選択端子４２２は、第１受信フィルタ３１に接続されている。選択端子４２３は、第２送信フィルタ２３に接続されており、選択端子４２４は、第２受信フィルタ３２に接続されている。共通端子６１には、アンテナ８１が接続される。
　アンテナスイッチ４は、共通端子４１と複数の選択端子４２との接続状態を切り替える。より詳細には、アンテナスイッチ４は、例えば、信号処理回路８２によって制御される。アンテナスイッチ４は、信号処理回路８２のＲＦ信号処理回路８３からの制御信号に従って、共通端子４１と複数の選択端子４２の少なくとも１つとを電気的に接続させる。
　（３）高周波モジュールの構造
　以下、実施形態に係る高周波モジュール１の構造について、図面を参照して説明する。
　高周波モジュール１は、図１及び図２に示すように、実装基板５と、複数の外部接続端子６と、第１樹脂部材７１と、第２樹脂部材７２とを備える。
　高周波モジュール１は、外部基板（図示せず）に電気的に接続可能である。外部基板は、例えば、携帯電話及び通信機器等のマザー基板に相当する。なお、高周波モジュール１が外部基板に電気的に接続可能であるとは、高周波モジュール１が外部基板上に直接的に実装される場合だけでなく、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合も含む。なお、高周波モジュール１が外部基板上に間接的に実装される場合とは、高周波モジュール１が、外部基板上に実装された他の高周波モジュール上に実装される場合等である。
　（３．１）実装基板
　実装基板５は、図１及び図２に示すように、互いに対向する第１主面５１及び第２主面５２を有する。第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する。第２主面５２は、高周波モジュール１が外部基板（図示せず）に設けられたときに外部基板と対向する主面である。実装基板５は、第１主面５１及び第２主面５２のそれぞれに回路素子が実装された両面実装基板である。
　実装基板５は、複数の誘電体層が積層された多層基板である。実装基板５は、複数の導体パターン部（図示せず）と、複数の貫通電極（１つの貫通電極５４のみを図示）とを有する。複数の導体パターン部は、グランド電位に設定された導体パターン部を含む。複数の貫通電極は、第１主面５１に実装されている回路素子と実装基板５の導体パターン部との電気的接続に用いられる。また、複数の貫通電極は、第１主面５１に実装されている回路素子と第２主面５２に実装されている回路素子との電気的接続、及び、実装基板５の導体パターン部と外部接続端子６との電気的接続に用いられる。
　実装基板５の第１主面５１には、パワーアンプ２１と、第１送信フィルタ２２と、第２送信フィルタ２３と、第１受信フィルタ３１と、第１入力整合回路３３（図３参照）の第１インダクタ３３１と、第２ローノイズアンプ３６と、アンテナスイッチ４とが配置されている。実装基板５の第２主面５２には、第２受信フィルタ３２と、第２入力整合回路３４（図３参照）の第２インダクタ３４１と、第１ローノイズアンプ３５とが配置されている。さらに、実装基板５の第２主面５２には、複数の外部接続端子６が配置されている。
　（３．２）第１通信バンド用の回路素子
　パワーアンプ２１は、図１及び図２に示すように、実装基板５の第１主面５１側に配置されている。図１及び図２の例では、パワーアンプ２１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、パワーアンプ２１の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、パワーアンプ２１の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、パワーアンプ２１は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
　第１送信フィルタ２２は、図１に示すように、実装基板５の第１主面５１側に配置されている。図１の例では、第１送信フィルタ２２は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第１送信フィルタ２２の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、第１送信フィルタ２２の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第１送信フィルタ２２は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
　第１送信フィルタ２２は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタである。さらに、第１送信フィルタ２２は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
　第１受信フィルタ３１は、図１に示すように、実装基板５の第１主面５１側に配置されており、第１入力整合回路３３（図３参照）の第１インダクタ３３１と接続する。図１の例では、第１受信フィルタ３１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第１受信フィルタ３１の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、第１受信フィルタ３１の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第１受信フィルタ３１は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
　第１受信フィルタ３１は、第１送信フィルタ２２と同様、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、第１受信フィルタ３１は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
　第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１は、図１及び図２に示すように、実装基板５の第１主面５１側に配置されている。第１インダクタ３３１は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている配線パターン部である。要するに、第１インダクタ３３１は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。図１及び図２の例では、第１インダクタ３３１は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。
　なお、第１入力整合回路３３は、第１インダクタ３３１と共に第１キャパシタ（図示せず）を含んでもよい。第１キャパシタは、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの配線パターン部を含む構成である。
　第１ローノイズアンプ３５は、図１及び図２に示すように、実装基板５の第２主面５２側に配置されている。図１及び図２の例では、第１ローノイズアンプ３５は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、第１ローノイズアンプ３５の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、第１ローノイズアンプ３５の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第１ローノイズアンプ３５は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
　（３．３）第２通信バンド用の回路素子
　第２送信フィルタ２３は、図１に示すように、実装基板５の第１主面５１側に配置されている。図１の例では、第２送信フィルタ２３は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第２送信フィルタ２３の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、第２送信フィルタ２３の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第２送信フィルタ２３は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
　第２送信フィルタ２３は、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、第２送信フィルタ２３は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
　第２受信フィルタ３２は、図１に示すように、実装基板５の第２主面５２側に配置されており、第２入力整合回路３４（図３参照）の第２インダクタ３４１と接続する。図１の例では、第２受信フィルタ３２は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。なお、第２受信フィルタ３２の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、第２受信フィルタ３２の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第２受信フィルタ３２は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
　第２受信フィルタ３２は、第２送信フィルタ２３と同様、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子を含む弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用するＳＡＷフィルタである。さらに、第２受信フィルタ３２は、複数の直列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ及びキャパシタの少なくとも一方を含んでもよいし、複数の並列腕共振子のいずれかと直列に接続されるインダクタ又はキャパシタを含んでもよい。
　第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１は、図１に示すように、実装基板５の第２主面５２側に配置されている。第２インダクタ３４１は、例えば、実装基板５の第２主面５２に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されている配線パターン部である。要するに、第２インダクタ３４１は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。図１の例では、第２インダクタ３４１は、実装基板５の第２主面５２に実装されている。
　なお、第２入力整合回路３４は、第２インダクタ３４１と共に第２キャパシタ（図示せず）を含んでもよい。第２キャパシタは、例えば、実装基板５の第２主面５２に実装されているチップ状の素子、又は、実装基板５に内装されており互いに対向する２つの配線パターン部を含む構成である。
　第２ローノイズアンプ３６は、図１及び図２に示すように、実装基板５の第１主面５１側に配置されている。図１及び図２の例では、第２ローノイズアンプ３６は、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、第２ローノイズアンプ３６の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、第２ローノイズアンプ３６の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、第２ローノイズアンプ３６は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
　（３．４）アンテナスイッチ
　アンテナスイッチ４は、図１に示すように、実装基板５の第１主面５１側に配置されている。図１の例では、アンテナスイッチ４は、例えば、実装基板５の第１主面５１に実装されている。なお、アンテナスイッチ４の一部が実装基板５の第１主面５１に実装されており、アンテナスイッチ４の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、アンテナスイッチ４は、実装基板５において第２主面５２よりも第１主面５１側に配置されており、かつ、第１主面５１に実装されている部分を少なくとも有する。
　なお、アンテナスイッチ４は、実装基板５の第２主面５２側に配置されていてもよい。アンテナスイッチ４は、例えば、実装基板５の第２主面５２に実装されていてもよい。あるいは、アンテナスイッチ４の一部が実装基板５の第２主面５２に実装されており、アンテナスイッチ４の残りが実装基板５に内装されていてもよい。要するに、アンテナスイッチ４は、実装基板５において第１主面５１よりも第２主面５２側に配置されており、かつ、第２主面５２に実装されている部分を少なくとも有する。
　（３．５）外部接続端子
　図１及び図２に示す複数の外部接続端子６は、実装基板５と外部基板（図示せず）とを電気的に接続させるための端子である。複数の外部接続端子６は、図３に示す共通端子６１、入力端子６２及び出力端子６３と、複数のグランド電極とを含む。
　複数の外部接続端子６は、実装基板５の第２主面５２側に配置されている。複数の外部接続端子６は、実装基板５の第２主面５２上に設けられた柱状（例えば、円柱状）の電極である。複数の外部接続端子６の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子６の各々は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において、実装基板５の第２主面５２に接合されている基端部と、基端部とは反対側の先端部とを有する。複数の外部接続端子６の各々の先端部は、例えば、金めっき層を含んでいてもよい。
　高周波モジュール１では、外部基板（マザー基板）への高周波モジュール１の実装性、高周波モジュール１のグランド電極の数を多くする観点等から、複数の外部接続端子６が設けられている。
　（３．６）第１樹脂部材・第２樹脂部材
　第１樹脂部材７１は、図２に示すように、実装基板５の第１主面５１に設けられており、第１主面５１側に配置されている回路素子及び第１主面５１を覆っている。第１樹脂部材７１は、第１主面５１側に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第１樹脂部材７１は、第１主面５１側に配置されている回路素子を保護する機能を有する。
　第２樹脂部材７２は、図２に示すように、実装基板５の第２主面５２に設けられており、第２主面５２側に配置されている回路素子及び第２主面５２を覆っている。第２樹脂部材７２は、第２主面５２側に配置されている回路素子の機械強度（耐衝撃性）及び耐湿性等の信頼性を確保する機能を有する。つまり、第２樹脂部材７２は、第２主面５２側に配置されている回路素子を保護する機能を有する。
　（３．７）配置関係
　図１及び図２に示すように、第１受信フィルタ３１及び第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１は、実装基板５の第１主面５１側に配置されており、第１ローノイズアンプ３５は、実装基板５の第２主面５２側に配置されている。また、第２受信フィルタ３２及び第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１は、実装基板５の第２主面５２側に配置されており、第２ローノイズアンプ３６は、実装基板５の第１主面５１側に配置されている。
　第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１は、図１及び図２に示すように、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ローノイズアンプ３５と重なる。図１及び図２の例では、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１インダクタ３３１のすべてが第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なる。なお、第１インダクタ３３１の一部のみが第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なるだけでもよい。要するに、第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１の少なくとも一部が、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なっていればよい。
　これにより、第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１と第１ローノイズアンプ３５との間の配線長を短くすることができるので、配線によるロスを低減させることができる。また、第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１と第１ローノイズアンプ３５とが実装基板５の同一の主面（第１主面５１又は第２主面５２）に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１インダクタ３３１及び第１ローノイズアンプ３５の配置面積を小さくすることができる。
　第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１は、図１及び図２に示すように、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２ローノイズアンプ３６と重なる。図１及び図２の例では、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２インダクタ３４１のすべてが第２ローノイズアンプ３６の少なくとも一部と重なる。なお、第２インダクタ３４１の一部のみが第２ローノイズアンプ３６の少なくとも一部と重なるだけでもよい。要するに、第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１の少なくとも一部が、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２ローノイズアンプ３６の少なくとも一部と重なっていればよい。
　これにより、第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１と第２ローノイズアンプ３６との間の配線長を短くすることができるので、配線によるロスを低減させることができる。また、第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１と第２ローノイズアンプ３６とが実装基板５の同一の主面（第１主面５１又は第２主面５２）に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２インダクタ３４１及び第２ローノイズアンプ３６の配置面積を小さくすることができる。
　第１受信フィルタ３１は、図１及び図２に示すように、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ローノイズアンプ３５と重なる。図１及び図２の例では、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１受信フィルタ３１のすべてが第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なる。なお、第１受信フィルタ３１の一部のみが第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なるだけでもよい。要するに、第１受信フィルタ３１の少なくとも一部は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なっていればよい。
　これにより、第１受信フィルタ３１と第１ローノイズアンプ３５とが実装基板５の同一の主面（第１主面５１又は第２主面５２）に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第１受信フィルタ３１及び第１ローノイズアンプ３５の配置面積を小さくすることができる。
　第２受信フィルタ３２は、図１に示すように、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２ローノイズアンプ３６と重なる。図１の例では、第２受信フィルタ３２のすべてが第２ローノイズアンプ３６の少なくとも一部と重なる。なお、第２受信フィルタ３２の一部のみが第２ローノイズアンプ３６の少なくとも一部と重なるだけでもよい。要するに、第２受信フィルタ３２の少なくとも一部は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２ローノイズアンプ３６の少なくとも一部と重なっていればよい。
　これにより、第２受信フィルタ３２と第２ローノイズアンプ３６とが実装基板５の同一の主面（第１主面５１又は第２主面５２）に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、第２受信フィルタ３２及び第２ローノイズアンプ３６の配置面積を小さくすることができる。
　（４）高周波モジュールの各構成要素の詳細構造
　（４．１）実装基板
　図１及び図２に示す実装基板５は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板等である。ここにおいて、実装基板５は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導体パターン部を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン部は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導体パターン部は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン部の各々は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン部の材料は、例えば、銅である。
　実装基板５の第１主面５１及び第２主面５２は、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板５における第１主面５１は、例えば、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板５における第２主面５２は、例えば、実装基板５の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板５の第１主面５１及び第２主面５２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。
　（４．２）フィルタ
　図３に示す第１送信フィルタ２２、第２送信フィルタ２３、第１受信フィルタ３１及び第２受信フィルタ３２の詳細な構造について説明する。以下の説明では、第１送信フィルタ２２、第２送信フィルタ２３、第１受信フィルタ３１及び第２受信フィルタ３２を区別せずにフィルタとする。
　フィルタは、１チップのフィルタである。ここにおいて、フィルタでは、例えば、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。この場合、フィルタは、例えば、基板と、圧電体層と、複数のＩＤＴ電極（Interdigital Transducer）とを備える。基板は、基板の厚さ方向において互いに対向する第１面及び第２面を有する。圧電体層は、基板の第１面側に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に設けられている。複数のＩＤＴ電極は、圧電体層上に設けられている。ここにおいて、低音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。また、圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。基板は、例えば、シリコン基板である。圧電体層の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜の厚さは、例えば、２．０λ以下である。
　圧電体層は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛のいずれかにより形成されていればよい。また、低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。また、基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。
　フィルタは、例えば、スペーサ層と、カバー部材とを更に備える。スペーサ層及びカバー部材は、基板の第１面に設けられている。スペーサ層は、基板の厚さ方向からの平面視で、複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。基板の厚さ方向からの平面視で、スペーサ層は枠状（矩形枠状）である。スペーサ層は、電気絶縁性を有する。スペーサ層の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材は、平板状である。基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。フィルタでは、基板の厚さ方向からの平面視で、カバー部材の外形サイズと、スペーサ層の外形サイズと、カバー部材の外形サイズと、が略同じである。カバー部材は、基板の厚さ方向において基板に対向するようにスペーサ層に配置されている。カバー部材は、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極と重複し、かつ、基板の厚さ方向において複数のＩＤＴ電極から離れている。カバー部材は、電気絶縁性を有する。カバー部材の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。フィルタは、基板とスペーサ層とカバー部材とで囲まれた空間を有する。フィルタでは、空間には、気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。複数の端子は、カバー部材から露出している。複数の端子の各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。なお、各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。
　フィルタは、例えば低音速膜と圧電体層との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、フィルタは、低音速膜と圧電体層との間、圧電体層上、又は低音速膜下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。
　また、フィルタは、例えば、基板と低音速膜との間に介在する高音速膜を備えていてもよい。ここにおいて、高音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜は、高音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。高音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜では、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。
　高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。
　高音速膜の厚さに関しては、弾性波を圧電体層及び低音速膜に閉じ込める機能を高音速膜が有するため、高音速膜の厚さは厚いほど望ましい。圧電体基板は、高音速膜、低音速膜及び圧電体層以外の他の膜として密着層、誘電体膜等を有していてもよい。
　複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、上記の弾性波共振子に限らず、例えば、ＳＡＷ共振子又はＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。ここにおいて、ＳＡＷ共振子は、例えば、圧電体基板と、圧電体基板上に設けられているＩＤＴ電極と、を含む。フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々をＳＡＷ共振子により構成する場合、１つの圧電体基板上に、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。
　（４．３）アンテナスイッチ
　図３に示すアンテナスイッチ４は、スイッチＩＣである。より詳細には、アンテナスイッチ４は、例えば、基板とスイッチ機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、基板の厚さ方向において互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。スイッチ機能部は、基板の第１面に形成されたＦＥＴ（Field Effect Transistor）を含む。スイッチ機能部は、接続状態を切り替える機能を有する機能部である。アンテナスイッチ４は、基板の第１面が実装基板５の第２主面５２側となるように実装基板５の第２主面５２にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、アンテナスイッチ４の外周形状は、四角形状である。
　（４．４）パワーアンプ
　図３に示すパワーアンプ２１は、例えば、基板と増幅機能部とを備える１チップのＩＣである。基板は、基板の厚さ方向において互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成された少なくとも１つのトランジスタを含む。増幅機能部は、所定の周波数帯域の送信信号を増幅する機能を有する機能部である。トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプでは、コントローラ（図示せず）からの電源電圧がＨＢＴのコレクタ－エミッタ間に印加される。パワーアンプは、増幅機能部に加えて、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプは、例えば、基板の第１面が実装基板５の第１主面５１側となるように実装基板５の第１主面５１にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプの外周形状は、四角形状である。
　（４．５）ローノイズアンプ
　図３に示す第１ローノイズアンプ３５及び第２ローノイズアンプ３６の構造の詳細について説明する。以下の説明では、第１ローノイズアンプ３５及び第２ローノイズアンプ３６を区別せずにローノイズアンプとする。
　ローノイズアンプは、例えば、基板と増幅機能部とを備える１つのＩＣチップである。基板は、基板の厚さ方向において互いに対向する第１面及び第２面を有する。基板は、例えば、シリコン基板である。増幅機能部は、基板の第１面に形成されている。増幅機能部は、所定の周波数帯域の受信信号を増幅する機能を有する機能部である。ローノイズアンプは、例えば、基板の第１面が実装基板５側となるように実装基板５にフリップチップ実装されている。実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ローノイズアンプの外周形状は、四角形状である。
　（５）通信装置
　通信装置８は、図３に示すように、高周波モジュール１と、アンテナ８１と、信号処理回路８２とを備える。
　アンテナ８１は、高周波モジュール１の共通端子６１に接続されている。アンテナ８１は、高周波モジュール１から出力された第１送信信号及び第２送信信号を電波にて放射する送信機能と、第１受信信号及び第２受信信号を電波として外部から受信して高周波モジュール１へ出力する受信機能とを有する。
　信号処理回路８２は、ＲＦ信号処理回路８３と、ベースバンド信号処理回路８４とを含む。信号処理回路８２は、第１送信信号及び第１受信信号、並びに、第２送信信号及び第２受信信号を処理する。
　ＲＦ信号処理回路８３は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。
　ＲＦ信号処理回路８３は、ベースバンド信号処理回路８４から出力された高周波信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を高周波モジュール１に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路８３は、ベースバンド信号処理回路８４から出力された第１送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた第１送信信号を高周波モジュール１の第１送信経路Ｔ１１に出力する。また、ＲＦ信号処理回路８３は、ベースバンド信号処理回路８４から出力された第２送信信号に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた第２送信信号を高周波モジュール１の第２送信経路Ｔ２１に出力する。
　ＲＦ信号処理回路８３は、高周波モジュール１から出力された高周波信号に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路８４に出力する。具体的には、ＲＦ信号処理回路８３は、高周波モジュール１の第１受信経路Ｔ１２から出力された第１受信信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた第１受信信号をベースバンド信号処理回路８４に出力する。また、ＲＦ信号処理回路８３は、高周波モジュール１の第２受信経路Ｔ２２から出力された第２受信信号に対して信号処理を行い、信号処理が行われた第２受信信号をベースバンド信号処理回路８４に出力する。
　ベースバンド信号処理回路８４は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、信号処理回路８２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路８４で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のための画像信号として使用され、又は、通話のための音声信号として使用される。
　また、ＲＦ信号処理回路８３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するアンテナスイッチ４の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦ信号処理回路８３は、制御信号（図示せず）によって、高周波モジュール１のアンテナスイッチ４の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦ信号処理回路８３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１又はベースバンド信号処理回路８４に設けられていてもよい。
　（６）効果
　実施形態に係る高周波モジュール１では、第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１が実装基板５の第１主面５１側に配置されている。また、第１ローノイズアンプ３５が実装基板５の第２主面５２側に配置されている。さらに、第１インダクタ３３１の少なくとも一部が第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なる。
　これにより、第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１と第１ローノイズアンプ３５との間の配線長を短くすることができる。その結果、第１インダクタ３３１と第１ローノイズアンプ３５との間の配線によるロスを低減させることができる。
　さらに、第１入力整合回路３３の第１インダクタ３３１と第１ローノイズアンプ３５とが実装基板５の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１インダクタ３３１及び第１ローノイズアンプ３５の配置面積を小さくすることができる。その結果、高周波モジュール１を小型にすることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、実装基板５の厚さ方向Ｄ１において、第１受信フィルタ３１の少なくとも一部が第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なる。これにより、第１受信フィルタ３１と第１ローノイズアンプ３５とが実装基板５の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１受信フィルタ３１及び第１ローノイズアンプ３５の配置面積を小さくすることができる。その結果、高周波モジュール１をより小型にすることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、第１ローノイズアンプ３５が実装基板５の第２主面５２側に配置されており、第２ローノイズアンプ３６が実装基板５の第１主面５１側に配置されている。これにより、第１ローノイズアンプ３５と第２ローノイズアンプ３６との間のアイソレーションを向上させることができるので、２つの通信（第１通信バンドの通信及び第２通信バンドの通信）における電気的な干渉を低減させることができる。その結果、２つの通信による同時通信（キャリアアグリゲーション、デュアルコネクティビティ）においても、受信感度の低下を抑制することができる。
　また、実施形態に係る高周波モジュール１では、第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１が実装基板５の第２主面５２側に配置されている。また、第２ローノイズアンプ３６が実装基板５の第１主面５１側に配置されている。さらに、第２インダクタ３４１の少なくとも一部が第２ローノイズアンプ３６の少なくとも一部と重なる。
　これにより、第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１と第２ローノイズアンプ３６との間の配線長を短くすることができる。その結果、第２インダクタ３４１と第２ローノイズアンプ３６との間の配線によるロスを低減させることができる。
　さらに、第２入力整合回路３４の第２インダクタ３４１と第２ローノイズアンプ３６とが実装基板５の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２インダクタ３４１及び第２ローノイズアンプ３６の配置面積を小さくすることができる。その結果、高周波モジュール１をより小型にすることができる。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、第１インダクタ３３１のすべてが第１ローノイズアンプ３５の少なくとも一部と重なる。これにより、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１インダクタ３３１及び第１ローノイズアンプ３５の配置面積を小さくすることができるので、高周波モジュール１をより小型にすることができる。同様に、第２インダクタ３４１のすべてが第２ローノイズアンプ３６の少なくとも一部と重なる。これにより、実装基板５の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２インダクタ３４１及び第２ローノイズアンプ３６の配置面積を小さくすることができるので、高周波モジュール１をより小型にすることができる。
　（７）変形例
　以下、実施形態の変形例について説明する。
　実施形態の変形例として、高周波モジュール１ａは、複数の外部接続端子６（図２参照）に代えて、図４に示すような複数の外部接続端子６ａを備えてもよい。
　複数の外部接続端子６ａは、柱状電極ではなく、バンプ構造を有する。複数の外部接続端子６ａは、実装基板５の第２主面５２側に配置されている。本変形例に係る高周波モジュール１ａでは、第２樹脂部材７２（図２参照）が省略されている。
　実施形態の他の変形例として、高周波モジュール１は、第１通信バンドの通信に必要な構成のみを備えてもよい。より詳細には、本変形例に係る高周波モジュール１は、パワーアンプ２１と、第１送信フィルタ２２と、第１受信フィルタ３１と、第１入力整合回路３３と、第１ローノイズアンプ３５と、アンテナスイッチ４とを備える。一方、高周波モジュール１は、第２送信フィルタ２３と、スイッチ２４と、第２受信フィルタ３２と、第２ローノイズアンプ３６とを備えていない。
　本変形例に係る高周波モジュール１では、第１受信フィルタ３１が実装基板５の第１主面５１側に配置されている。第１受信フィルタ３１が実装基板５の第２主面５２側に配置されていないため、第１ローノイズアンプ３５の基板がシリコン基板である場合、第１ローノイズアンプ３５の基板を容易に削ることができる。その結果、高周波モジュール１において実装基板５の第２主面５２側の高さを低減させることができる。
　実施形態では、第１送信フィルタ２２及び第２送信フィルタ２３は、例えば、弾性表面波フィルタである。ただし、実施形態の他の変形例として、第１送信フィルタ２２及び第２送信フィルタ２３は、弾性表面波フィルタに限定されず、弾性表面波フィルタ以外であってもよい。第１送信フィルタ２２及び第２送信フィルタ２３は、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ及び誘電体フィルタのいずれかであってもよい。
　上記の各変形例に係る高周波モジュールにおいても、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の効果を奏する。
　本開示において、「任意の構成要素が実装基板の第１主面側に配置されている」とは、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板において、上記構成要素が実装基板の第２主面よりも第１主面側に配置されていることをいう。「任意の構成要素が実装基板の第１主面側に配置されている」例としては、上記構成要素が実装基板の第１主面に配置されている場合と、上記構成要素が実装基板の第１主面と離隔して配置されている場合とがある。「上記構成要素が実装基板の第１主面に配置されている」例としては、上記構成要素が実装基板の第１主面に実装されている場合と、上記構成要素の一部が実装基板の第１主面に実装されており、上記構成要素の残りが実装基板に内装されている場合とがある。「上記構成要素が実装基板の第１主面と離隔して配置されている」例としては、上記構成要素と他の構成要素とがスタックされている場合がある。この場合、実装基板の第１主面に他の構成要素が実装されており、他の構成要素の上に上記構成要素が積層されている。上記構成要素と他の構成要素との間に更に他の構成要素が存在していてもよい。
　同様に、本開示において、「任意の構成要素が実装基板の第２主面側に配置されている」とは、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板において、上記構成要素が実装基板の第１主面よりも第２主面側に配置されていることをいう。「任意の構成要素が実装基板の第２主面側に配置されている」例としては、上記構成要素が実装基板の第２主面に配置されている場合と、上記構成要素が実装基板の第２主面と離隔して配置されている場合とがある。「上記構成要素が実装基板の第２主面に配置されている」例としては、上記構成要素が実装基板の第２主面に実装されている場合と、上記構成要素の一部が実装基板の第２主面に実装されており、上記構成要素の残りが実装基板に内装されている場合とがある。「上記構成要素が実装基板の第２主面と離隔して配置されている」例としては、上記構成要素と他の構成要素とがスタックされている場合がある。この場合、実装基板の第２主面に他の構成要素が実装されており、他の構成要素の上に上記構成要素が積層されている。上記構成要素と他の構成要素との間に更に他の構成要素が存在していてもよい。
　以上説明した実施形態及び変形例は、本発明の様々な実施形態及び変形例の一部に過ぎない。また、実施形態及び変形例は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、実装基板（５）と、ローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）と、入力整合回路（第１入力整合回路３３）とを備える。実装基板（５）は、第１主面（５１）及び第２主面（５２）を有する。第１主面（５１）及び第２主面（５２）は、互いに対向する。上記ローノイズアンプは、受信信号（第１受信信号）を増幅させる。上記入力整合回路は、インダクタ（第１インダクタ３３１）を含む。上記インダクタは、上記ローノイズアンプの入力側に接続されている。上記インダクタは、実装基板（５）の第１主面（５１）側に配置されている。上記ローノイズアンプは、実装基板（５）の第２主面（５２）側に配置されている。上記インダクタの少なくとも一部は、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視において、上記ローノイズアンプの少なくとも一部と重なる。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、入力整合回路（第１入力整合回路３３）のインダクタ（第１インダクタ３３１）とローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）との間の配線長を短くすることができる。これにより、配線によるロスを低減させることができる。
　さらに、第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、入力整合回路（第１入力整合回路３３）のインダクタ（第１インダクタ３３１）とローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）とが実装基板（５）の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、上記インダクタ及び上記ローノイズアンプの配置面積を小さくすることができる。その結果、高周波モジュール（１；１ａ）を小型にすることができる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、第１の態様において、複数の外部接続端子（６；６ａ）を更に備える。複数の外部接続端子（６；６ａ）は、実装基板（５）の第２主面（５２）側に配置されている。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、第１又は２の態様において、受信フィルタ（第１受信フィルタ３１）を更に備える。上記受信フィルタは、受信信号（第１受信信号）を通過させる。上記受信フィルタは、実装基板（５）の第１主面（５１）側に配置されており、インダクタ（第１インダクタ３３１）と接続する。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）では、第３の態様において、受信フィルタ（第１受信フィルタ３１）の少なくとも一部は、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）において、ローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）の少なくとも一部と重なる。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、受信フィルタ（第１受信フィルタ３１）とローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）とが実装基板（５）の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、上記受信フィルタ及び上記ローノイズアンプの配置面積を小さくすることができる。その結果、高周波モジュール（１；１ａ）をより小型にすることができる。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）は、第１～４の態様のいずれか１つにおいて、第２ローノイズアンプ（３６）と、第２入力整合回路（３４）とを更に備える。第２ローノイズアンプ（３６）は、上記ローノイズアンプである第１ローノイズアンプ（３５）とは別体である。第２入力整合回路（３４）は、上記入力整合回路である第１入力整合回路（３３）とは別体である。第２入力整合回路（３４）は、第２インダクタ（３４１）を含む。第２インダクタ（３４１）は、第２ローノイズアンプ（３６）の入力側に接続されている。第２インダクタ（３４１）は、実装基板（５）の第２主面（５２）側に配置されている。第２ローノイズアンプ（３６）は、実装基板（５）の第１主面（５１）側に配置されている。第２インダクタ（３４１）の少なくとも一部は、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）において、第２ローノイズアンプ（３６）の少なくとも一部と重なる。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、第１ローノイズアンプ（３５）と第２ローノイズアンプ（３６）との間のアイソレーションを向上させることができるので、２つの通信における電気的な干渉を低減させることができる。その結果、キャリアアグリゲーションにおいても、受信感度の低下を抑制することができる。
　また、第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、第２入力整合回路（３４）の第２インダクタ（３４１）と第２ローノイズアンプ（３６）との間の配線長を短くすることができる。その結果、第２インダクタ（３４１）と第２ローノイズアンプ（３６）との間の配線によるロスを低減させることができる。
　さらに、第５の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、第２入力整合回路（３４）の第２インダクタ（３４１）と第２ローノイズアンプ（３６）とが実装基板５の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板５の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第２インダクタ（３４１）及び第２ローノイズアンプ（３６）の配置面積を小さくすることができる。その結果、高周波モジュール（１）をより小型にすることができる。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）では、第１～５の態様のいずれか１つにおいて、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、インダクタ（第１インダクタ３３１）のすべてがローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）の少なくとも一部と重なる。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ）によれば、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、インダクタ（第１インダクタ３３１）及びローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）の配置面積を小さくすることができる。その結果、高周波モジュール（１；１ａ）をより小型にすることができる。
　第７の態様に係る通信装置（８）は、第１～６の態様のいずれか１つの高周波モジュール（１；１ａ）と、信号処理回路（８２）とを備える。信号処理回路（８２）は、受信信号を処理する。
　第７の態様に係る通信装置（８）によれば、高周波モジュール（１；１ａ）において、入力整合回路（第１入力整合回路３３）のインダクタ（第１インダクタ３３１）とローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）との間の配線長を短くすることができる。その結果、配線によるロスを低減させることができる。
　さらに、第７の態様に係る通信装置（８）によれば、高周波モジュール（１；１ａ）において、入力整合回路（第１入力整合回路３３）のインダクタ（第１インダクタ３３１）とローノイズアンプ（第１ローノイズアンプ３５）とが実装基板（５）の同一の主面に配置されている場合に比べて、実装基板（５）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、上記インダクタ及び上記ローノイズアンプの配置面積を小さくすることができる。その結果、高周波モジュール（１；１ａ）を小型にすることができる。
　１，１ａ　高周波モジュール
　２１　パワーアンプ
　２２　第１送信フィルタ
　２３　第２送信フィルタ
　２４　スイッチ
　２４１　共通端子
　２４２，２４３，２４４　選択端子
　３１　第１受信フィルタ
　３２　第２受信フィルタ
　３３　第１入力整合回路
　３３１　第１インダクタ
　３４　第２入力整合回路
　３４１　第２インダクタ
　３５　第１ローノイズアンプ
　３６　第２ローノイズアンプ
　４　アンテナスイッチ
　４１　共通端子
　４２，４２１，４２２，４２３，４２４　選択端子
　５　実装基板
　５１　第１主面
　５２　第２主面
　５４　貫通電極
　６，６ａ　外部接続端子
　６１　共通端子
　６２　入力端子
　６３　出力端子
　７１　第１樹脂部材
　７２　第２樹脂部材
　８　通信装置
　８１　アンテナ
　８２　信号処理回路
　８３　ＲＦ信号処理回路
　８４　ベースバンド信号処理回路
　Ｔ１１　第１送信経路
　Ｔ１２　第１受信経路
　Ｔ２１　第２送信経路
　Ｔ２２　第２受信経路
　Ｄ１　厚さ方向

Claims (7)

  1. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
    　受信信号を増幅させるローノイズアンプと、
    　前記ローノイズアンプの入力側に接続されているインダクタを含む入力整合回路と、を備え、
    　前記インダクタは、前記実装基板の前記第１主面側に配置されており、
    　前記ローノイズアンプは、前記実装基板の前記第２主面側に配置されており、
    　前記インダクタの少なくとも一部は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において、前記ローノイズアンプの少なくとも一部と重なる、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記実装基板の前記第２主面側に配置されている複数の外部接続端子を更に備える、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記受信信号を通過させる受信フィルタを更に備え、
    　前記受信フィルタは、前記実装基板の前記第１主面側に配置されており、前記インダクタと接続する、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記受信フィルタの少なくとも一部は、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記ローノイズアンプの少なくとも一部と重なる、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記ローノイズアンプである第１ローノイズアンプとは別体の第２ローノイズアンプと、
    　前記入力整合回路である第１入力整合回路とは別体の第２入力整合回路と、を更に備え、
    　前記第２入力整合回路は、前記第２ローノイズアンプの入力側に接続されている第２インダクタを含み、
    　前記第２インダクタは、前記実装基板の前記第２主面側に配置されており、
    　前記第２ローノイズアンプは、前記実装基板の前記第１主面側に配置されており、
    　前記第２インダクタの少なくとも一部は、前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記第２ローノイズアンプの少なくとも一部と重なる、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記実装基板の前記厚さ方向からの平面視において、前記インダクタのすべてが前記ローノイズアンプの少なくとも一部と重なる、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    　前記受信信号を処理する信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
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