CN115173882B - 射频收发装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种射频收发装置及以电子设备。其中，射频收发装置，包括：接收电路和发射电路，所述接收电路包括N个低噪声放大器和M个接收变压器，所述N个低噪声放大器依次串联，所述接收变压器分别串联在相邻的低噪声放大器之间；所述发射电路包括N个功率放大器和M个发射变压器，所述N个功率放大器依次串联，所述发射变压器分别串联在相邻的功率放大器之间；所述N个低噪声放大器与N个功率放大器一一对应叠加，所述M个接收变压器与M个发射变压器一一对应叠加。达到低成本降低射频前端面积的目的。提高面积利用率。

Description

射频收发装置及电子设备

技术领域

本发明涉及通信领域，尤其涉及一种射频收发装置及以电子设备。

背景技术

随着无线通信技术朝着大数据、大容量、更高速的方向发展，无线射频芯片也朝着更高集成度、更低电压、更低功耗的方向发展，对射频前端要求也越来越高。

现有的射频电路包括接收和发射，射频电路一般基于CMOS工艺制作，但随着半导体工艺的发展，采用更高的工艺制作射频设备减小射频的面积，其成本将会大幅增加。

发明人在实施本发明实施例的过程中发现，现有的射频前端存在不增加成本的前提下，减小射频面积存在困难。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种射频收发装置及以电子设备，至少部分的解决现有技术中存在的无法低成本降低射频面积的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种射频收发装置，包括：接收电路和发射电路，

所述接收电路包括N个低噪声放大器和M个接收变压器，所述N个低噪声放大器依次串联，所述接收变压器分别串联在相邻的低噪声放大器之间；

所述发射电路包括N个功率放大器和M个发射变压器，所述N个功率放大器依次串联，所述发射变压器分别串联在相邻的功率放大器之间；

所述N个低噪声放大器与N个功率放大器一一对应叠加，所述M个接收变压器与M个发射变压器一一对应叠加。

可选的，述功率放大器包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器和第四功率放大器；

所述发射变压器包括第一发射变压器、第二发射变压器和第三发射变压器；

所述第一功率放大器的输入端与第一发射变压器的输出端电连接，所述第一发射变压器的输入端与第二功率放大器的输出端电连接，所述第二功率放大器的输入端与第二发射变压器的输出端电连接，所述第二发射变压器的输入端与第三功率放大器的输出端电连接，所述第三功率放大器的输入端与第三发射变压器的输出端电连接，所述第三发射变压器的输入端与第四功率放大器的输出端电连接；

所述低噪声放大器包括第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第三低噪声放大器和第四低噪声放大器；

所述接收变压器包括第一接收变压器、第二接收变压器和第三接收变压器；

所述第一低噪声放大器的输出端与第一接收变压器的输入端电连接，所述第一接收变压器的输出端与第二低噪声放大器的输入端电连接，所述第二低噪声放大器的输出端与第二接收变压器的输入端电连接，所述第二接收变压器的输出端与第三低噪声放大器的输入端电连接，所述第三低噪声放大器的输出端与第三接收变压器的输入端电连接，所述第三接收变压器的输出端与第四低噪声放大器的输入端电连接；

所述第一功率放大器与第一低噪声放大器叠加，所述第二功率放大器与第二低噪声放大器叠加，所述第三功率放大器与第三低噪声放大器叠加，所述第四功率放大器与第四低噪声放大器叠加，所述第一发射变压器与第一接收变压器叠加，所述第二发射变压器与第二接收变压器叠加，所述第三发射变压器与第三接收变压器叠加。

可选的，所述第二发射变压器中设置第一衰减器，所述第三发射变压器中设置第二衰减器，所述第一衰减器还用于调整第二接收变压器的耦合功率，所述第二衰减器还用于调整第三接收变压器的耦合功率。

可选的，所述第三接收线圈上设置检测线圈，当所述射频收发装置为发射状态时，所述第一低噪声放大器、第一接收线圈、第二噪声放大器、第二接收线圈、第三噪声放大器、第三接收线圈和检测线圈组成检测电路，所述检测电路对发射电路的功率进行检测。

可选的，当所述射频收发装置为发射模式时，第一功率放大器的场效应管Vds＝1V，第一功率放大器的场效应管正常工作，第一低噪声放大器的场效应管Vds＝0V，第一低噪声放大器的场效应管截止，第一低噪声放大器的电感将第一功率放大器的输出信号耦合到第一低噪声放大器中得到检测信号，所述检测信号经第二低噪声放大器和第三低噪声放大器放大后后输出放大后的检测信号，基于所述放大后的检测信号对发射电路的功率进行检测。

可选的，还包括第一开关、第二开关、移相器和耦合线，

所述第一开关分别与第一功率放大器的输出端和第一低噪声放大器的输入端电连接，所述第二开关分别与第四功率放大器的输入端和第四低噪声放大器的输出端电连接，所述第二开关、移相器和耦合线串联。

可选的，所述第一开关包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和第二线圈耦合，所述第二线圈通过反相器与控制电路连接，所述反相器和第二线圈之间串联电感。

可选的，所述第二开关，包括第四线圈和第五线圈，所述第四线圈与控制电路通过反相器电路连接，所述反相器电路包括两个反相器，两个反相器串联，所述第四线圈和第五线圈之间设置第三衰减器。

可选的，所述接收变压器和发射变压器设置在包括不同金属层的电路板中；

所述接收变压器包括第一变压线圈和第二变压线圈，第一变压线圈和第二变压线圈均为对称结构；

所述发射变压器包括第三变压线圈和第四变压线圈，所述第三变压线圈和第四变压线圈均为对称结构；

所述第三变压线圈和第四变压线圈设置在第一变压线圈和第二变压线圈在垂直方向的投影中，所述垂直方向为垂直于电路板。

第二方面，本发明实施例还提供了一种电子设备，包括第一方面任一所述的射频收发装置。

本发明实施例提供的一种射频收发装置及以电子设备，通过将低噪声放大器与功率放大器，以及接收变压器与发射变压器叠加设置，从而不用使用更加先进的半导体工艺，也可以减小射频前端的面积，从而达到低成本降低射频前端面积的目的。提高了面积利用率。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有技术中射频装置的示意图；

图2为本发明实施例提供的一种射频装置的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种衰减器的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种射频装置的等效电路的示意图。

附图说明：

1-检测电路；101-检测线圈；2-发射电路；201-第一功率放大器；202-第一发射变压器；203-第二功率放大器；204-第二发射变压器；205-第三功率放大器；206-第三发射变压器；207-第四功率放大器；3-接收电路；301-第一低噪声放大器；302-第一接收变压器；303-第二低噪声放大器；304-第二接收变压器；305-第三低噪声放大器；306-第三接收变压器；307-第四低噪声放大器；4-第一开关；5-第二开关；6-移相器；7-耦合线；8-衰减器。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于解释相关内容，而非对本发没发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本发明的技术方案。

除非另有说明，否则示出的示例性实施方式/实施例将被理解为提供可以在实践中实施本发明的技术构思的一些方式的各种细节的示例性特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明的技术构思的情况下，各种实施方式/实施例的特征可以另外地组合、分离、互换和/或重新布置。

在附图中使用交叉影线和/或阴影通常用于使相邻部件之间的边界变得清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否均不传达或表示对部件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的部件之间的共性和/或部件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或者要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大部件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时，可以以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外，同样的附图标记表示同样的部件。

当一个部件被称作“在”另一部件“上”或“之上”、“连接到”或“结合到”另一部件时，该部件可以直接在所述另一部件上、直接连接到或直接结合到所述另一部件，或者可以存在中间部件。然而，当部件被称作“直接在”另一部件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一部件时，不存在中间部件。为此，术语“连接”可以指物理连接、电气连接等，并且具有或不具有中间部件。

为了描述性目的，本发明可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高的”和“侧(例如，如在“侧壁”中)”等的空间相对术语，从而来描述如附图中示出的一个部件与另一(其它)部件的关系。除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它部件或特征“下方”或“之下”的部件将随后被定位为“在”所述其它部件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含“上方”和“下方”两种方位。此外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。

这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个(种、者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、部件、组件和/或它们的组。还要注意的是，如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和其它类似的术语被用作近似术语而不用作程度术语，如此，它们被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。

本实施的电连接为使用有线或无线等方式使得两个元件之间可以传输电流，如半导体工艺中的使用铜线将不同的元件连接等。

如图1所示，为现有技术射频收发装置的示意图，可以看出接收电路、发射电路和检测电路分开设置，占用面积较大。

如图2所示，一种射频收发装置，包括：接收电路和发射电路，

所述接收电路包括N个低噪声放大器和M个接收变压器，所述N个低噪声放大器依次串联，所述接收变压器分别串联在相邻的低噪声放大器之间；

在一个具体的应用场景中，N为4，M为3，但并不仅限于N为4，M为3，可根据具体的需要设置N和M的个数。

所述发射电路包括N个功率放大器和M个发射变压器，所述N个功率放大器依次串联，所述发射变压器分别串联在相邻的功率放大器之间；

所述N个低噪声放大器与N个功率放大器一一对应叠加，所述M个接收变压器与M个发射变压器一一对应叠加。

叠加即在CMOS工艺中低噪声放大器位于功率放大器上方的金属层中，或低噪声放大器位于功率放大器下方的金属层中。

可选的，述功率放大器包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器和第四功率放大器；

所述发射变压器包括第一发射变压器、第二发射变压器和第三发射变压器；

所述第一功率放大器的输入端与第一发射变压器的输出端电连接，所述第一发射变压器的输入端与第二功率放大器的输出端电连接，所述第二功率放大器的输入端与第二发射变压器的输出端电连接，所述第二发射变压器的输入端与第三功率放大器的输出端电连接，所述第三功率放大器的输入端与第三发射变压器的输出端电连接，所述第三发射变压器的输入端与第四功率放大器的输出端电连接；

所述低噪声放大器包括第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第三低噪声放大器和第四低噪声放大器；

所述接收变压器包括第一接收变压器、第二接收变压器和第三接收变压器；

所述第一低噪声放大器的输出端与第一接收变压器的输入端电连接，所述第一接收变压器的输出端与第二低噪声放大器的输入端电连接，所述第二低噪声放大器的输出端与第二接收变压器的输入端电连接，所述第二接收变压器的输出端与第三低噪声放大器的输入端电连接，所述第三低噪声放大器的输出端与第三接收变压器的输入端电连接，所述第三接收变压器的输出端与第四低噪声放大器的输入端电连接；

所述第一功率放大器与第一低噪声放大器叠加，所述第二功率放大器与第二低噪声放大器叠加，所述第三功率放大器与第三低噪声放大器叠加，所述第四功率放大器与第四低噪声放大器叠加，所述第一发射变压器与第一接收变压器叠加，所述第二发射变压器与第二接收变压器叠加，所述第三发射变压器与第三接收变压器叠加。

可选的，所述第二发射变压器中设置第一衰减器，所述第三发射变压器中设置第二衰减器，所述第一衰减器还用于调整第二接收变压器的耦合功率，所述第二衰减器还用于调整第三接收变压器的耦合功率。

在一个具体的实施例中，如图3所示，接收变压器设置在发射变压器的投影中，即俯视射频装置，接收变压器设置在发射变压器内，发射变压器也可以设置在接收变压器内，而衰减器设置在发射变压器和接收变压器之间，衰减器被发射变压器和接收变压器共用，并不占用接收变压器和发射变压器外的面积，从而在实现对接收变压器或发射变压器的耦合功率进行调整的同时，进一步减小射频前端的面积。

可选的，如图4所示，第三接收线圈上设置检测线圈，当所述射频收发装置为发射状态时，所述第一低噪声放大器、第一接收线圈、第二噪声放大器、第二接收线圈、第三噪声放大器、第三接收线圈和检测线圈组成检测电路，所述检测电路对发射电路的功率进行检测。

可选的，当所述射频收发装置为发射模式时，第一功率放大器的场效应管Vds＝1V，第一功率放大器的场效应管正常工作，第一低噪声放大器的场效应管Vds＝0V，第一低噪声放大器的场效应管截止，第一低噪声放大器的电感L₃将第一功率放大器的输出信号耦合到第一低噪声放大器中得到检测信号，所述检测信号经第二低噪声放大器和第三低噪声放大器放大后输出放大后的检测信号，基于所述放大后的检测信号对发射电路的功率进行检测。

通过设置检测线圈，在射频装置工作在发射模式时，使用接收电路的部分电路与检测线圈对发射电路的功率进行检测，相对于现有技术不再单独设置检测电路，从而进一步减小射频前端的面积。

图4中的CTR_TR表示控制信号。

可选的，还包括第一开关、第二开关、移相器和耦合线，

所述第一开关分别与第一功率放大器的输出端和第一低噪声放大器的输入端电连接，所述第二开关分别与第四功率放大器的输入端和第四低噪声放大器的输出端电连接，所述第二开关、移相器和耦合线串联。

本实施例设置两对耦合线，可以增加射频装置的带宽。

可选的，所述第一开关包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和第二线圈耦合，所述第二线圈通过反相器与控制电路连接，所述反相器和第二线圈之间串联电感。

第一开关为变压器开关，第一低噪声放大器的输入端和第一功率放大器的输出端都与第一开关电连接，并且共同连接至第一开关的次级线圈L2上实现偏置电压共享，由次级线圈L2提供第一低噪声放大器输入端的地电压(0)以及第一功率放大器输出级的电源电压(VDD)。因此，可以不通过传统的靠切换收发开关中的MOS晶体管开关的打开和关断状态来实现第一低噪声放大器和第一功率放大器的收发切换，而是通过切换次级线圈L2的偏置电压分别至0或者VDD来切换第一低噪声放大器和第一功率放大器的打开和关断。该收发开关的工作原理能提供高的收发隔离度，因为当次级线圈L2的电平被切换至VDD的时候(通过线圈L2的共模端来实现电平切换而不影响差模性能)，第一低噪声放大器输入端(共栅级)的输入电压被切换至VDD(即共栅级晶体管的源端电平被切换至VDD)同时偏置电压被切换至0，第一低噪声放大器的输入级晶体管被关断，也即第一低噪声放大器被关断。而此时第一功率放大器的输出级晶体管的漏端电压被置VDD，只需给栅端合适的偏置电压，此时第一功率放大器被打开，收发开关处于发射模式(TX Mode)。在发射模式下，关断的第一低噪声放大器本身就能提供高的收发隔离度。反之，当第一开关的次级线圈L2的电平被切换至0的时候，第一功率放大器的输出级晶体管的漏端电压被置0，栅端偏置电压也被置0，此时第一功率放大器被关断。此时第一低噪声放大器的输入级的输入电压被置0，给栅端合适的偏置电压，第一低噪声放大器被打开，此时收发开关处于接收模式(RX Mode)。接收模式下关断的第一功率放大器本身也能提供高的收发隔离度。采用变压器的第一开关结构中的信号通路上，不再使用高插入损耗和高寄生的MOS晶体管开关。变压器开关的收发开关的状态切换不是通过切换MOS晶体管打开和关断状态来完成而是通过给次级线圈L2置不同偏置电压来实现。由于收发切换操作只在变压器的共模端进行，而完全不影响差模端电路性能，因此变压器开关的收发开关的插入损耗被显著降低。

可选的，所述第二开关，包括第四线圈和第五线圈，所述第四线圈与控制电路通过反相器电路连接，所述反相器电路包括两个反相器，两个反相器串联，所述第四线圈和第五线圈之间设置第三衰减器。

本实施通过在第一开关和控制电路之间设置一个反相器，在第二开关和控制电路之间设置两个反相器，使得第一开关和第二开关的控制信号相位相差180°，从而提高控制精度。

可选的，所述接收变压器和发射变压器设置在包括不同金属层的电路板中；

所述接收变压器包括第一变压线圈和第二变压线圈，第一变压线圈和第二变压线圈均为对称结构；

所述发射变压器包括第三变压线圈和第四变压线圈，所述第三变压线圈和第四变压线圈均为对称结构；

对称结构如线圈可以为矩形、圆形或8字型等对称，对称结构可以避免线圈之间互相耦合。从而使得接收变压器的变压线圈和发射变压器的变压线圈不互相干扰。

所述第三变压线圈和第四变压线圈设置在第一变压线圈和第二变压线圈在垂直方向的投影中，所述垂直方向为垂直于电路板。投影为正投影，即光线几乎垂直的照射电路板的投影。

本实施例可用于65nm CMOS中双向相控阵收发器前端。适用于5G，核心面积为0.195mm²，即采用本实施的射频装置的射频前端是现有设备前端的面积的25％至40％。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例/方式”、“一些实施例/方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例/方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施例/方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例/方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例/方式或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例/方式或示例以及不同实施例/方式或示例的特征进行结合和组合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

本领域的技术人员应当理解，上述实施方式仅仅是为了清楚地说明本发明，而并非是对本发明的范围进行限定。对于所属领域的技术人员而言，在上述发明的基础上还可以做出其它变化或变型，并且这些变化或变型仍处于本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种射频收发装置，其特征在于，包括：接收电路和发射电路，

所述接收电路包括N个低噪声放大器和M个接收变压器，所述N个低噪声放大器依次串联，所述接收变压器分别串联在相邻的低噪声放大器之间；

所述发射电路包括N个功率放大器和M个发射变压器，所述N个功率放大器依次串联，所述发射变压器分别串联在相邻的功率放大器之间；

所述N个低噪声放大器与N个功率放大器一一对应叠加，所述M个接收变压器与M个发射变压器一一对应叠加。

2.根据权利要求1所述的射频收发装置，其特征在于，

所述功率放大器包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器和第四功率放大器；

所述发射变压器包括第一发射变压器、第二发射变压器和第三发射变压器；

所述第一功率放大器的输入端与第一发射变压器的输出端电连接，所述第一发射变压器的输入端与第二功率放大器的输出端电连接，所述第二功率放大器的输入端与第二发射变压器的输出端电连接，所述第二发射变压器的输入端与第三功率放大器的输出端电连接，所述第三功率放大器的输入端与第三发射变压器的输出端电连接，所述第三发射变压器的输入端与第四功率放大器的输出端电连接；

所述低噪声放大器包括第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第三低噪声放大器和第四低噪声放大器；

所述接收变压器包括第一接收变压器、第二接收变压器和第三接收变压器；

所述第一低噪声放大器的输出端与第一接收变压器的输入端电连接，所述第一接收变压器的输出端与第二低噪声放大器的输入端电连接，所述第二低噪声放大器的输出端与第二接收变压器的输入端电连接，所述第二接收变压器的输出端与第三低噪声放大器的输入端电连接，所述第三低噪声放大器的输出端与第三接收变压器的输入端电连接，所述第三接收变压器的输出端与第四低噪声放大器的输入端电连接；

所述第一功率放大器与第一低噪声放大器叠加，所述第二功率放大器与第二低噪声放大器叠加，所述第三功率放大器与第三低噪声放大器叠加，所述第四功率放大器与第四低噪声放大器叠加，所述第一发射变压器与第一接收变压器叠加，所述第二发射变压器与第二接收变压器叠加，所述第三发射变压器与第三接收变压器叠加。

3.根据权利要求2所述的射频收发装置，其特征在于，所述第二发射变压器中设置第一衰减器，所述第三发射变压器中设置第二衰减器，所述第一衰减器还用于调整第二接收变压器的耦合功率，所述第二衰减器还用于调整第三接收变压器的耦合功率。

4.根据权利要求2所述的射频收发装置，其特征在于，所述第三接收变压器上设置检测线圈，当所述射频收发装置为发射状态时，所述第一低噪声放大器、第一接收变压器、第二噪声放大器、第二接收变压器、第三噪声放大器、第三接收变压器和检测线圈组成检测电路，所述检测电路对发射电路的功率进行检测。

5.根据权利要求4所述的射频收发装置，其特征在于，当所述射频收发装置为发射模式时，第一功率放大器的场效应管V_ds=1V，第一功率放大器的场效应管正常工作，第一低噪声放大器的场效应管V_ds=0V，第一低噪声放大器的场效应管截止， 第一低噪声放大器的电感将第一功率放大器的输出信号耦合到第一低噪声放大器中得到检测信号，所述检测信号经第二低噪声放大器和第三低噪声放大器放大后后输出放大后的检测信号，基于所述放大后的检测信号对发射电路的功率进行检测。

6.根据权利要求2所述的射频收发装置，其特征在于，还包括第一开关、第二开关、移相器和耦合线，

所述第一开关分别与第一功率放大器的输出端和第一低噪声放大器的输入端电连接，所述第二开关分别与第四功率放大器的输入端和第四低噪声放大器的输出端电连接，所述第二开关、移相器和耦合线串联。

7.根据权利要求6所述的射频收发装置，其特征在于，所述第一开关包括第一线圈和第二线圈，所述第一线圈和第二线圈耦合，所述第二线圈通过反相器与控制电路连接，所述反相器和第二线圈之间串联电感。

8.根据权利要求6所述的射频收发装置，其特征在于，所述第二开关，包括第四线圈和第五线圈，所述第四线圈与控制电路通过反相器电路连接，所述反相器电路包括两个反相器，两个反相器串联，所述第四线圈和第五线圈之间设置第三衰减器。

9.根据权利要求1所述的射频收发装置，其特征在于，所述接收变压器和发射变压器设置在包括不同金属层的电路板中；

所述接收变压器包括第一变压线圈和第二变压线圈，第一变压线圈和第二变压线圈均为对称结构；

所述发射变压器包括第三变压线圈和第四变压线圈，所述第三变压线圈和第四变压线圈均为对称结构；

所述第三变压线圈和第四变压线圈设置在第一变压线圈和第二变压线圈在垂直方向的投影中，所述垂直方向为垂直于电路板。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9任一所述的射频收发装置。

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