CN103368601A

CN103368601A - 无线通信收发机前端

Info

Publication number: CN103368601A
Application number: CN2013102156151A
Authority: CN
Inventors: 池保勇; 况立雪; 贾海昆; 贾雯; 王志华
Original assignee: Shenzhen Research Institute Tsinghua University
Current assignee: Shenzhen Eartech Co ltd
Priority date: 2013-06-03
Filing date: 2013-06-03
Publication date: 2013-10-23
Anticipated expiration: 2033-06-03
Also published as: CN103368601B

Abstract

本发明提供一种无线通信收发机前端，其包括收发开关、低噪音放大器及功率放大器，所述收发开关包括控制端、天线接口端、第一收发端及第二收发端，所述天线接口端与一天线电性连接，所述第一收发端与低噪音放大器电性连接，所述第二收发端与功率放大器电性连接，所述控制端用于控制所述天线接口端通过第一收发端与低噪音放大器导通，或通过第二收发端与功率放大器导通，所述低噪音放大器及功率放大器均为多级放大结构，所述天线接口端与低噪音放大器的输入端之间以及所述天线接口端与功率放大器的输出端之间均为包括多个π型网络和LC网络的多阶宽带匹配网络。该无线通信收发机前端有效地降低收发开关在整个带宽内的插入损耗。

Description

无线通信收发机前端

技术领域

本发明涉及一种无线通信收发机前端，特别涉及一种基于收发开关的毫米波宽带无线通信收发机前端。

背景技术

近年来，工作在毫米波段（30GHz~300GHz）的无线通信系统逐渐成为了业界的研究热点。因其具有带宽较宽、数据传输速率较高、电路占用面积小等优点而被广泛应用于移动通信的各类系统中。例如在时分双工TDD系统或者相控阵系统中，通过集成毫米波收发开关，使其与接收机的输入端和发射机的输出端配合，可达到减少天线数目的目的。然而，收发开关的引入必然增加整个通信带宽的插入损耗，从而降低通信系统的性能，例如降低接收机的噪声系数、灵敏度和发射机的输出功率、效率等性能参数。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种插入损耗较低的基于收发开关的毫米波宽带无线通信收发机前端。

一种无线通信收发机前端，其包括收发开关、低噪音放大器及功率放大器，所述收发开关包括控制端、天线接口端、第一收发端及第二收发端，所述天线接口端与一天线电性连接，所述第一收发端与低噪音放大器电性连接，所述第二收发端与功率放大器电性连接，所述控制端用于控制所述天线接口端通过第一收发端与低噪音放大器导通，或通过第二收发端与功率放大器导通，所述低噪音放大器及功率放大器均为多级放大结构，所述天线接口端与低噪音放大器的输入端之间以及所述天线接口端与功率放大器的输出端之间均为包括多个π型网络和LC网络的多阶宽带匹配网络。

上述的无线通信收发机前端的天线接口端和低噪声放大器的输入端之间以及和功率放大器的输出端之间通过多阶宽带匹配网络连接，以吸收寄生电容、传输线阻抗，进而实现宽带匹配，同时降低收发开关在整个带宽内的插入损耗，从而实现高性能、低成本、支持高数据率传输的宽带无线通信的收发机前端。

附图说明

图1为本发明较佳实施方式的无线通信收发机前端的功能模块图。

图2为图1所示的无线通信收发机前端的收发开关的电路图。

图3为图1所示的无线通信收发机前端的低噪音放大器的电路图。

图4为图1所示的无线通信收发机前端的功率放大器的电路图。

图5为图1所示的无线通信收发机前端的电路图。

图6为图1所示的无线通信收发机前端的收发开关与低噪音放大器的输入端之间的等效电路。

图7为图1所示的无线通信收发机前端的收发开关与功率放大器的输出端之间的等效电路。

图8为图6所示的电路图的等效电路图。

图9为图1所示的无线通信收发机前端工作于接收模式时的Smith图。

主要元件符号说明

无线通信收发机前端	100
		收发开关	10
控制端	SC
		天线接口端	P0
第一收发端	P1
		第二收发端	P2
低噪音放大器	30
		第一放大级	32
第二放大级	34
		第三放大级	36
功率放大器	50

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1，本发明的较佳实施方式提供一种无线通信收发机前端100，其可应用于时分双工TDD系统或者相控阵系统等通信系统中。

该无线通信收发机前端100包括收发开关10、低噪音放大器（LNA）30及功率放大器（PA）50。该低噪音放大器30通过收发开关10与一天线（图未示）建立信号通路。该功率放大器50通过收发开关10与所述天线建立信号通路。

请参阅图2，该收发开关10为毫米波的收发开关，其包括控制端SC、天线接口端P0、第一收发端P1、第二收发端P2、T型网络传输线T、反相器Inv、第一MOS晶体管M1、第二MOS晶体管M2、第三MOS晶体管M3、第四MOS晶体管M4、第一电感L1、第二电感L2及第一电阻至第八电阻R1-R8。

其中，该控制端SC用于接收外设控制芯片（图未示）发送的高/低电平的开关控制信号。该天线接口端P0与天线电性连接，用于在一接收模式下从天线接收信号，并在一发射模式下将信号传送至天线。该第一收发端P1用于与低噪音放大器30电性连接，该第二收发端P2用于与功率放大器50电性连接。

在本实施例中，该T型网络传输线T包括第一传输线TL1、第二传输线TL2及第三传输线TL3。该第一传输线TL1的一端与天线接口端P0电性连接，该第二传输线TL2的一端与第一MOS晶体管M1的漏极电性连接，该第三传输线TL3的一端与第二MOS晶体管M2的漏极电性连接。该第一传输线T1、第二传输线T2及第三传输线T3各自的另一端彼此电性连接，并构成T型匹配网络的中间节点。

该反相器Inv的输入端与控制端SC电性连接，输出端电性连接于第一电阻R1和第三电阻R3之间。

该第一MOS晶体管M1的栅极通过第一电阻R1与反相器Inv的输出端电性连接，衬底端通过第五电阻R5接地，源极接地。该第二MOS晶体管M2的栅极通过第二电阻R2与控制端SC电性连接，衬底端通过第六电阻R6接地，源极接地。该第三MOS晶体管M3的栅极通过第三电阻R3与反相器Inv的输出端电性连接，漏极与第一收发端P1电性连接，衬底端通过第七电阻R7接地，源极接地。该第四MOS晶体管M4的栅极通过第四电阻R4与控制端SC电性连接，漏极与第二收发端P2电性连接，衬底端通过第八电阻R8接地，源极接地。此外，该第一MOS晶体管M1的漏极和第三MOS晶体管M3的漏极通过第一电感L1彼此电性连接，该第二MOS晶体管M2的漏极和第四MOS晶体管M4的漏极通过第二电感L2彼此电性连接。

其中，在该收发开关10中，该第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3及第四电阻R4均用于减小与之对应电性连接的MOS晶体管（M1-M4）的栅极电流泄漏。该第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7及第八电阻R8均用于增大与之对应电性连接的MOS晶体管（M5-M8）的衬底端阻抗，进而提高该收发开关10的线性度并减小插入损耗。

请参阅图3，该低噪音放大器30为多级放大结构，其用于在接收模式下，将由收发开关10从天线接收到信号进行放大处理。在本实施例中，该低噪音放大器30为三级共源共栅放大器。具体地，该低噪音放大器30包括依次串联的第一放大级32、第二放大级34及第三放大级36。

其中，该第一放大级32包括第一MOS晶体管M1、第二MOS晶体管M2、第一传输线TL1、第一栅极电感Lg1、第一串联电感Lm1、电容Cg1、电阻Rg1及T型网络传输线T-1。该第一MOS晶体管M1的栅极依次通过第一栅极电感Lg1、电容Cg1与收发开关10的第一收发端P1电性连接，进而作为该低噪音放大器30的输入端。该第一MOS晶体管M1的源级通过第一传输线TL1接地。该电阻Rg1一端电性连接于第一栅极电感Lg1、电容Cg1之间，另一端接一直流偏置电压VB。该第二MOS晶体管M2的栅极接电源VDD，源极通过电感第一串联电感Lm1与第一MOS晶体管M1的漏极电性连接，漏极与T型网络传输线T-1电性连接。该T型网络传输线T-1包括第二传输线TL2、第三传输线TL3及第四传输线TL4。该第二传输线TL2的一端与第二MOS晶体管M2的漏极电性连接，该第三传输线TL3的一端与电源VDD电性连接，该第四传输线TL4的一端作为第一放大级32的输出节点X。该第二传输线TL2、第三传输线TL3及第四传输线TL4各自的另一端彼此电性连接，并构成T型匹配网络的中间节点。

该第二放大级34包括第三MOS晶体管M3、第四MOS晶体管M4、第二栅极电感Lg2、第二串联电感Lm2、电容Cg2、电阻Rg2及第五传输线TL5。该第三MOS晶体管M3的栅极依次通过第二栅极电感Lg2、电容Cg2与第一放大级32的输出节点X电性连接，源极接地。该电阻Rg2一端电性连接于第二栅极电感Lg2、电容Cg2之间，另一端接一直流偏置电压VB。该第四MOS晶体管M4的源极通过第二串联电感Lm2与第三MOS晶体管M3的漏极电性连接，该第四MOS晶体管M4的栅极接电源VDD，漏极通过第五传输线TL5与电源VDD电性连接，并作为该第二放大级34的输出节点Y。

该第三放大级36包括第五MOS晶体管M5、第六MOS晶体管M6、T型网络传输线T-2、第三串联电感Lm3、电容Cg3、电阻Rg3及LC网络LC。该第五MOS晶体管M5的栅极通过电容Cg3与第二放大级34的输出节点Y电性连接，同时通过电阻Rg3接直流偏置电压VB。该第五MOS晶体管M5的源极接地，漏极通过第三串联电感Lm3与第六MOS晶体管M6的源极电性连接。该第六MOS晶体管M6的栅极接电源VDD，漏极接T型网络传输线T-2。该T型网络传输线T-2包括第六传输线TL6、第七传输线TL7及第八传输线TL8。该第六传输线TL6的一端与第六MOS晶体管M6的漏极电性连接，该第七传输线TL7的一端与电源VDD电性连接，该第八传输线TL8的一端与LC网络LC电性连接。该第六传输线TL6、第七传输线TL7及第八传输线TL8各自的另一端彼此电性连接，并构成T型匹配网络的中间节点。该LC网络LC包括串联的电容Co和第九传输线TL9，该电容Co的一端接第八传输线TL8，该第九传输线TL9一端接地，该电容Co和第九传输线TL9各自的另一端彼此电性连接，并共同作为低噪音放大器30的输出端。

请参阅图4，该功率放大器50为多级放大结构，其用于在发射模式下，接收前级电路（图未示）输出的信号，并将其放大至预定的输出功率后通过收发开关10传送至天线。具体地，该功率放大器50包括第一MOS晶体管M1、第二MOS晶体管M2、第三MOS晶体管M3、第四MOS晶体管M4、第五MOS晶体管M5、第六MOS晶体管M6、第一传输线至第八传输线TL1-TL8、第一电容Cg1、第二电容Cg2、第三电容Cg3、第一电阻Rg1、第二电阻Rg2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一变压器TF1、第二变压器TF2及第三变压器TF3。

该第一MOS晶体管M1的栅极依次与第一电容Cg1、第二传输线TL2及第一传输线TL1电性连接，进而作为该功率放大器50的输入端。该第三传输线TL3一端电性连接于第二传输线TL2及第一传输线TL1之间，另一端接地。该第一MOS晶体管M1的栅极同时通过第一电阻Rg1接地。源极通过第四传输线TL4接地，漏极通过第五传输线TL5与电源VDD电性连接。该第二MOS晶体管M2的栅极通过第二电容Cg2与第二MOS晶体管M2的漏极电性连接，并同时通过第二电阻Rg2接直流偏置电压VB。该第二MOS晶体管M2的源极接地，漏极通过第六传输线TL6与电源VDD电性连接。

该第一变压器TF1的初级线圈的正端通过第三电容Cg3与第二MOS晶体管M2的漏极电性连接，初级线圈的负端接地。该第一变压器TF1的次级线圈的中心抽头通过第三电阻R3接直流偏置电压VB，次级线圈的正端与第三MOS晶体管M3的栅极电性连接，次级线圈的负端与第四MOS晶体管M4的栅极电性连接。该第三MOS晶体管M3及第四MOS晶体管M4的源极均接地。

该第二变压器TF2的初级线圈的中心抽头与电源VDD电性连接，初级线圈的正端与第三MOS晶体管M3的漏极电性连接，初级线圈的负端与第四MOS晶体管M4的漏极电性连接。该第二变压器TF2的次级线圈的中心抽头通过第四电阻R4接直流偏置电压VB，次级线圈的正端与第五MOS晶体管M5的栅极电性连接，次级线圈的负端与第六MOS晶体管M6的栅极电性连接。该第五MOS晶体管M5及第六MOS晶体管M6的源极均接地。

该第三变压器TF3的初级线圈的中心抽头与电源VDD电性连接，初级线圈的正端与第五MOS晶体管M5的漏极电性连接，初级线圈的负端与第六MOS晶体管M6的漏极电性连接。该第三变压器TF3的次级线圈的正端接地，次级线圈的负端与第七传输线TL7电性连接，进而作为该功率放大器50的输出端。该功率放大器50的输出端通过第八传输线TL8悬空开路设置。此外，该功率放大器50的输出端与收发开关10的第二收发端P2电性连接。

下面进一步说明该无线通信收发机前端100的工作原理。

请参阅图5，集成收发开关10、低噪音放大器30及功率放大器50时，该收发开关10的第一收发端P1通过一传输线TLX与低噪音放大器30的输入端电性连接，即通过传输线TLX与电容Cg1电性连接。该收发开关10的第二收发端P2通过一传输线TLY与功率放大器50的输出端电性连接，即通过传输线TLY与第七传输线TL7电性连接。值得说明的是，在该图5中，低噪音放大器30及功率放大器50的部分电路省略。

当收发开关10的控制端SC接收到高电平信号时，第二MOS晶体管M2及第四MOS晶体管M4导通，该第二收发端P2接地，从而使得T型网络传输线T的中间节点与第二收发端P2之间的电路的阻抗近似开路。另一方面，控制端SC接收到高电平信号时，反相器Inv输出低电平，使得收发开关10的第一MOS晶体管M1及第三MOS晶体管M3关断，此时天线接口端P0与第一收发端P1导通。此时，该无线通信收发机前端100工作于接收模式。

在该接收模式下，低噪音放大器30的输入端与收发开关10的第一收发端P1电性连接形成信号通路，由天线接收的信号经过收发开关10进入低噪音放大器30。此时，收发开关10与低噪音放大器30的输入端的等效电路为图6所示，其中，电容CPAD表示天线接口端P0的焊盘的寄生电容，电容Ceq1和电容Ceq3分别表示第一MOS晶体管M1和第三MOS晶体管M3在关断状态下的寄生电容，阻抗ZL表示低噪声放大器30的第一放大级32的MOS晶体管的等效阻抗，而第一传输线TL1的阻抗因尺寸较短可以被忽略。请参图8，为进一步等效图6所示的电路，将图6中的电容Ceq1拆分为并联设置的电容Ca、Cb；将第一栅极电感Lg1拆分为串联设置的电感La、Lb。此时，电容Cb和收发开关10的电感L1在工作的中心频率处谐振，电感La和低噪声放大器30输入端的电容Cg1在工作的中心频率处谐振。

图9所示为收发开关10与低噪音放大器30的输入端之间的阻抗在Smith图上的变换过程。低噪声放大器30的第一放大级32的MOS晶体管的等效阻抗ZL经过由电感Lb、传输线TLX、电容Ceq3组成的π型网络阻抗变换后到达纯阻性点A；再经过由电感L1和电容Cb组成的LC网络后到达纯阻性点B；最后，再经过电容Ca、四分之一波长的第二传输线TL2和电容CPAD组成的π型网络后将阻抗变换到50Ohm（位于该Smith图的圆心）。此时，在接收模式下，该天线接口端P0的阻抗为50Ohm，符合现有的从天线接口处向发射机前端芯片内部方向看过去的阻抗匹配标准。

同理，当收发开关10的控制端SC接收到低电平信号时，反相器Inv输出高电平，使得收发开关10的第一MOS晶体管M1及第三MOS晶体管M3导通，该第一收发端P1接地，从而使得T型网络传输线T的中间节点与第一收发端P1之间的电路的阻抗近似开路。另一方面，控制端SC接收到低电平信号，第二MOS晶体管M2及第四MOS晶体管M4关断，此时天线接口端P0与第二收发端P2导通。此时，该无线通信收发机前端100工作于发射模式。

在该发射模式下，功率放大器50的输出端与收发开关10的第二收发端P2电性连接形成信号通路，由功率放大器50的输入端接收的信号经过收发开关10传送至天线。此时，收发开关10与功率放大器50的输出端的等效电路为图7所示，其中，CPAD表示天线接口端P0的焊盘的寄生电容，Ceq2和Ceq4分别表示第二MOS晶体管M2和第四MOS晶体管M4在关断状态下的寄生电容，Zp表示从功率放大器50的变压器TF3的次级线圈向功率放大器的输入端看过去的等效阻抗，而第一传输线TL1的阻抗因尺寸较短可以被忽略。该收发开关10与功率放大器50的输出端之间的匹配网络与收发开关10与低噪音放大器30的输入端之间的匹配网络类似，也包括多个π型网络和LC网络，在此不再一一赘述。如此，该在发射模式下，该天线接口端P0的阻抗为50Ohm，符合现有的从天线接口处向发射机前端芯片内部方向看过去的阻抗匹配标准。

显然，无论是在接收模式还是发射模式下，由于本案将该无线通信收发机前端100的焊盘和各开关管（MOS晶体管）的寄生电容、传输线的阻抗都吸收在上述由多个π型网络和LC网络组成的多阶宽带匹配网络中，因此上述的多阶宽带匹配网络精确度高，且可有效地降低收发开关10的插入损耗。

本发明的无线通信收发机前端100将低噪声放大器30的输入端和功率放大器50的输出端通过收发开关10连接至同一个天线接口端P0，以达到减少天线数目实现通信系统的小型化的目的，从而显著降低无线通信收发机的成本。

另外，本发明的天线接口端P0和低噪声放大器30的输入端之间以及和功率放大器50的输出端之间均采用由电容、电感、传输线等无源器件组成的高阶网络进行连接，焊盘和开关管的寄生电容、用于模块间连接的传输线的阻抗都吸收在匹配网络中，可以实现宽带匹配，并实现大于20Ghz的宽带匹配，同时收发开关10在整个带宽内的插入损耗小于2dB，从而实现高性能、低成本、支持高数据率传输的宽带无线通信的收发机前端。

Claims

1.一种无线通信收发机前端，其包括收发开关（10）、低噪音放大器（30）及功率放大器（50），其特征在于:所述收发开关（10）包括控制端（SC）、天线接口端（P0）、第一收发端（P1）及第二收发端（P2），所述天线接口端（P0）与一天线电性连接，所述第一收发端（P1）与低噪音放大器（30）电性连接，所述第二收发端（P2）与功率放大器（50）电性连接，所述控制端（SC）用于控制所述天线接口端（P0）通过第一收发端（P1）与低噪音放大器（30）导通，或通过第二收发端（P2）与功率放大器（50）导通，所述低噪音放大器（30）及功率放大器（50）均为多级放大结构，所述天线接口端（P0）与低噪音放大器（30）的输入端之间以及所述天线接口端（P0）与功率放大器（50）的输出端之间均为包括多个π型网络和LC网络的多阶宽带匹配网络。

2.如权利要求1所述的无线通信收发机前端，其特征在于：当所述控制端（SC）接收到高电平信号时，所述天线接口端（P0）通过第一收发端（P1）与低噪音放大器（30）导通，所述无线通信收发机前端工作于接收模式；当所述控制端（SC）接收到低电平信号时，所述天线接口端（P0）通过第二收发端（P2）与功率放大器（50）导通，所述无线通信收发机前端工作于发射模式。

3.如权利要求1所述的无线通信收发机前端，其特征在于：所述收发开关（10）还包括T型网络传输线（T）、反相器（Inv）、第一MOS晶体管（M1）、第二MOS晶体管（M2）、第三MOS晶体管（M3）、第四MOS晶体管（M4）、第一电感（L1）、第二电感（L2）及第一电阻至第八电阻(R1-R8)，所述T型网络传输线（T）包括第一传输线（TL1）、第二传输线（TL2）及第三传输线（TL3），所述第一传输线（TL1）的一端与天线接口端（P0）电性连接，所述第二传输线（TL2）的一端与第一MOS晶体管（M1）的漏极电性连接，所述第三传输线（TL3）的一端与第二MOS晶体管（M2）的漏极电性连接，所述反相器（Inv）的输入端与控制端（SC）电性连接，输出端电性连接于第一电阻（R1）和第三电阻（R3）之间，所述第一MOS晶体管（M1）的栅极通过第一电阻（R1）与反相器（Inv）的输出端电性连接，衬底端通过第五电阻（R5）接地，所述第二MOS晶体管（M2）的栅极通过第二电阻（R2）与控制端（SC）电性连接，衬底端通过第六电阻（R6）接地，所述第三MOS晶体管（M3）的栅极通过第三电阻（R3）与反相器（Inv）的输出端电性连接，漏极与第一收发端（P1）电性连接，衬底端通过第七电阻（R7）接地，所述第四MOS晶体管（M4）的栅极通过第四电阻（R4）与控制端（SC）电性连接，漏极与第二收发端（P2）电性连接，衬底端通过第八电阻（R8）接地，所述第一MOS晶体管（M1）的漏极和第三MOS晶体管（M3）的漏极通过第一电感（L1）彼此电性连接，所述第二MOS晶体管（M2）的漏极和第四MOS晶体管（M4）的漏极通过第二电感（L2）彼此电性连接。

4.如权利要求1所述的无线通信收发机前端，其特征在于：所述低噪音放大器（30）为三级共源共栅放大器，包括依次串联的第一放大级（32）、第二放大级（34）及第三放大级（36），所述第一放大级（32）包括第一MOS晶体管（M1）、第二MOS晶体管（M2）、第一传输线（TL1）、第一栅极电感（Lg1）、第一串联电感（Lm1）、电容（Cg1）、电阻（Rg1）及T型网络传输线（T-1），所述第一MOS晶体管（M1）的栅极依次通过第一栅极电感（Lg1）、电容（Cg1）与收发开关（10）的第一收发端（P1）电性连接，进而作为该低噪音放大器（30）的输入端，所述第一MOS晶体管（M1）的源级通过第一传输线（TL1）接地，所述电阻（Rg1）一端电性连接于第一栅极电感（Lg1）、电容（Cg1）之间，另一端接一直流偏置电压（VB），所述第二MOS晶体管（M2）的栅极接电源（VDD），源极通过第一串联电感（Lm1）与第一MOS晶体管（M1）的漏极电性连接，漏极与T型网络传输线（T-1）电性连接，所述T型网络传输线（T-1）包括第二传输线（TL2）、第三传输线（TL3）及第四传输线（TL4），所述第二传输线（TL2）的一端与第二MOS晶体管（M2）的漏极电性连接，所述第三传输线（TL3）的一端与电源（VDD）电性连接，所述第四传输线（TL4）的一端作为第一放大级（32）的输出节点（X）。

5.如权利要求4所述的无线通信收发机前端，其特征在于：所述第二放大级（34）包括第三MOS晶体管（M3）、第四MOS晶体管（M4）、第二栅极电感（Lg2）、第二串联电感（Lm2）、电容（Cg2）、电阻（Rg2）及第五传输线（TL5），所述第三MOS晶体管（M3）的栅极依次通过第二栅极电感（Lg2）、电容（Cg2）与第一放大级（32）的输出节点（X）电性连接，源极接地，所述电阻（Rg2）一端电性连接于第二栅极电感（Lg2）、电容（Cg2）之间，另一端接一直流偏置电压（VB），所述第四MOS晶体管（M4）的源极通过第二串联电感（Lm2）与第三MOS晶体管（M3）的漏极电性连接，所述第四MOS晶体管（M4）的栅极接电源（VDD），漏极通过第五传输线（TL5）与电源（VDD）电性连接，并作为该第二放大级（34）的输出节点（Y）。

6.如权利要求5所述的无线通信收发机前端，其特征在于：所述第三放大级（36）包括第五MOS晶体管（M5）、第六MOS晶体管（M6）、T型网络传输线（T-2）、第三串联电感（Lm3）、电容（Cg3）、电阻（Rg3）及LC网络（LC），所述第五MOS晶体管（M5）的栅极通过电容（Cg3）与第二放大级（34）的输出节点（Y）电性连接，同时通过电阻（Rg3）接直流偏置电压（VB），所述第五MOS晶体管（M5）的源极接地，漏极通过第三串联电感（Lm3）与第六MOS晶体管（M6）的源极电性连接，所述第六MOS晶体管（M6）的栅极接电源（VDD），漏极接T型网络传输线（T-2），所述T型网络传输线（T-2）包括第六传输线（TL6）、第七传输线（TL7）及第八传输线（TL8），所述第六传输线（TL6）的一端与第六MOS晶体管（M6）的漏极电性连接，所述第七传输线（TL7）的一端与电源（VDD）电性连接，所述第八传输线（TL8）的一端与LC网络（LC）电性连接，所述LC网络（LC）包括串联的电容（Co）和第九传输线（TL9），该电容（Co）的一端接第八传输线（TL8），该第九传输线（TL9）一端接地，该电容（Co）和第九传输线（TL9）各自的另一端彼此电性连接，并作为低噪音放大器（30）的输出端。

7.如权利要求1所述的无线通信收发机前端，其特征在于：所述功率放大器（50）包括第一MOS晶体管（M1）、第二MOS晶体管（M2）、第一传输线至第六传输线（TL1-TL6）、第一电容（Cg1）、第二电容（Cg2）及第一电阻（Rg1）、第二电阻（Rg2），所述第一MOS晶体管（M1）的栅极依次与第一电容（Cg1）、第二传输线（TL2）及第一传输线（TL1）电性连接，进而作为该功率放大器（50）的输入端，所述第三传输线（TL3）一端电性连接于第二传输线（TL2）及第一传输线（TL1）之间，另一端接地，所述第一MOS晶体管（M1）的栅极同时通过第一电阻（Rg1）接地，源极通过第四传输线（TL4）接地，漏极通过第五传输线（TL5）与电源（VDD）电性连接，所述第二MOS晶体管（M2）的栅极通过第二电容（Cg2）与第二MOS晶体管（M2）的漏极电性连接，并同时通过第二电阻（Rg2）接直流偏置电压（VB），所述第二MOS晶体管（M2）的源极接地，漏极通过第六传输线（TL6）与电源（VDD）电性连接。

8.如权利要求7所述的无线通信收发机前端，其特征在于：所述功率放大器（50）还包括第三MOS晶体管（M3）、第四MOS晶体管（M4）、第三电容（Cg3）、第三电阻（R3）及第一变压器（TF1），所述第一变压器（TF1）的初级线圈的正端通过第三电容（Cg3）与第二MOS晶体管（M2）的漏极电性连接，初级线圈的负端接地，所述第一变压器（TF1）的次级线圈的中心抽头通过第三电阻（R3）接直流偏置电压（VB），次级线圈的正端与第三MOS晶体管（M3）的栅极电性连接，次级线圈的负端与第四MOS晶体管（M4）的栅极电性连接，所述第三MOS晶体管（M3）及第四MOS晶体管（M4）的源极均接地。

9.如权利要求8所述的无线通信收发机前端，其特征在于：所述功率放大器（50）还包括第五MOS晶体管（M5）、第六MOS晶体管（M6）、第四电阻（R4）及第二变压器（TF2），所述第二变压器（TF2）的初级线圈的中心抽头与电源（VDD）电性连接，初级线圈的正端与第三MOS晶体管（M3）的漏极电性连接，初级线圈的负端与第四MOS晶体管（M4）的漏极电性连接，所述第二变压器（TF2）的次级线圈的中心抽头通过第四电阻（R4）接直流偏置电压（VB），次级线圈的正端与第五MOS晶体管（M5）的栅极电性连接，次级线圈的负端与第六MOS晶体管（M6）的栅极电性连接，所述第五MOS晶体管（M5）及第六MOS晶体管（M6）的源极均接地。

10.如权利要求9所述的无线通信收发机前端，其特征在于：所述功率放大器（50）还包括第七传输线（TL7）、第八传输线（TL8）及第三变压器（TF3）, 所述第三变压器（TF3）的初级线圈的中心抽头与电源（VDD）电性连接，初级线圈的正端与第五MOS晶体管（M5）的漏极电性连接，初级线圈的负端与第六MOS晶体管（M6）的漏极电性连接，所述第三变压器（TF3）的次级线圈的正端接地，次级线圈的负端与第七传输线（TL7）电性连接，进而作为该功率放大器（50）的输出端，所述功率放大器（50）的输出端通过第八传输线（TL8）悬空开路设置。