CN117277990B - 一种小型化低损耗超宽带反相移相器 - Google Patents
一种小型化低损耗超宽带反相移相器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117277990B CN117277990B CN202311534884.4A CN202311534884A CN117277990B CN 117277990 B CN117277990 B CN 117277990B CN 202311534884 A CN202311534884 A CN 202311534884A CN 117277990 B CN117277990 B CN 117277990B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- network
- transistor
- port
- broadband
- pole double
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 71
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 71
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 71
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 40
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 10
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/16—Networks for phase shifting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种小型化低损耗超宽带反相移相器，本发明结构为：包括单刀双掷开关网络，宽带相位调制网络，反射网络和平面螺旋宽带耦合网络；信号输入端RFIN安装在单刀双掷开关网络，第一单刀双掷开关网络输出端口与第一宽带相位调制网络输入端口连接，第二单刀双掷开关网络输出端口与第二宽带相位调制网络输入端口连接，第一宽带相位调制网络输出端口与第三平面螺旋宽带耦合网络端口c以及反射网络的晶体管SW5的漏极连接，第二宽带相位调制网络输出端口与第一平面螺旋宽带耦合网络端口a以及反射网络的晶体管SW6的漏极连接，信号输出端RFOUT安装于第四平面螺旋宽带耦合网络端口d，解决了现有电路面积大、插损大、宽带低的问题。
Description
技术领域
本发明属于微波射频集成电路领域，具体涉及一种小型化低损耗超宽带反相移相器。
背景技术
在微波射频领域，移相器广泛应用于射频前端模块，用于实现微波射频信号的相位移动，是当前相控阵雷达的核心器件。基于单片微波集成电路（Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit，MMIC）工艺的移相器具有体积小、加工精度高、一致性好的优点，尤其适合多通道的相控阵系统应用。
在系统小型化、低成本化不断推进的背景下，保证射频性能的前提下尽可能减小芯片面积成为了一个重要研究方向。移相器电路一般有加载线型、开关线型、高低通型、反射型等结构。
传统180°移相电路包括2个单刀双掷开关、1个Lange耦合器和1个直通传输线。当2个单刀双掷开关同时切换到直通传输线通道时，移相器工作在参考态；当2个单刀双掷开关同时切换到Lange耦合器通道时，移相器工作在移相态。两个状态下的信号相位相差180°，即实现反相移相。该结构存在两个问题：一方面，Lange耦合器和直通传输线的长度与四分之一波长线相当，占用的芯片面积大，不利于芯片小型化；另一方面，为保证Lange耦合器通道和直通传输线通道稳定正常工作，需要牺牲两个单刀双掷开关的插损以提供足够大的通道隔离，导致移相器插入损耗较大。
发明内容
针对现有技术中存在的芯片面积过大、插入损耗过大的问题，
提供一种小型化低损耗超宽带反相移相器，包括单刀双掷开关网络，宽带相位调制网络，反射网络和平面螺旋宽带耦合网络；
电路结构为：信号输入端RFIN安装在单刀双掷开关网络，第一单刀双掷开关网络输出端口与第一宽带相位调制网络输入端口连接，第二单刀双掷开关网络输出端口与第二宽带相位调制网络输入端口连接，第一宽带相位调制网络输出端口与第三平面螺旋宽带耦合网络端口c以及反射网络的晶体管SW5的漏极连接，第二宽带相位调制网络输出端口与第一平面螺旋宽带耦合网络端口a以及反射网络的晶体管SW6的漏极连接，信号输出端RFOUT安装于第四平面螺旋宽带耦合网络端口d，第二平面螺旋宽带耦合网络端口b接地。
较优的，单刀双掷开关网络包括晶体管SW1、晶体管SW2、晶体管SW3、晶体管SW4、传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4；其中晶体管SW1源极与信号输入端RFIN连接，传输线L1连接于晶体管SW1漏极和晶体管SW3漏极之间，传输线L3与晶体管SW3漏极相连，晶体管SW3源极接地；晶体管SW2源极与信号输入端RFIN连接，传输线L2连接于晶体管SW2漏极和晶体管SW4漏极之间，传输线L4与晶体管SW4漏极相连，晶体管SW4源极接地。
较优的，宽带相位调制网络包括电容C1、电容C2、电感L5、电感L6、控制信号端口VC1、控制信号端口VC2；传输线L3与电感L5靠近单刀双掷开关网络的一端相连，电容C1一端连接于传输线L3与电感L5之间，电容C1另一端接地；传输线L4与电容C2靠近单刀双掷开关网络的一端相连，电感L6一端与电容C2的另一端连接，电感L6另一端接地；晶体管SW1的栅极与晶体管SW4的栅极相连，并一同连接于控制端口VC2，晶体管SW2的栅极与晶体管SW3的栅极相连，并一同连接于控制信号端口VC1。
较优的，反射网络包括晶体管SW5、晶体管SW6；晶体管SW5源极接地，漏极与电感L5靠近反射网络的一端相连，栅极连接于控制信号端口VC1；晶体管SW6源极接地，漏极连接于电容C2靠近反射网络的一端，栅极与控制信号端口VC2相连。
较优的，平面螺旋宽带耦合网络包括耦合线TL1、耦合线TL2、耦合线TL3、耦合线TL4,4条耦合线等间距平行排列，依次螺旋弯折排列构成平面螺旋宽带耦合网络；其中第一平面螺旋宽带耦合网络端口a与晶体管SW6漏极连接，第三平面螺旋宽带耦合网络端口c与晶体管SW5漏极连接，第二平面螺旋宽带耦合网络端口b接地，第四平面螺旋宽带耦合网络端口d与信号输出端RFOUT连接，第五平面螺旋宽带耦合网络端口e连接耦合线TL3和耦合线TL4，第六平面螺旋宽带耦合网络端口f连接耦合线TL1和耦合线TL2。
较优的，单刀双掷开关网络在控制信号端口VC1、控制信号端VC2的控制下切换为参考态通道或反相态通道；当晶体管SW2和晶体管SW3导通，晶体管SW1和晶体管SW4关断时，右侧通道导通，此时电路工作在参考态；当晶体管SW1和晶体管SW4导通，晶体管SW2和晶体管SW3关断时，左侧通道导通，此时电路工作在反相态。
较优的，电容C1和电感L5组成反相态通道的低通宽带相位调制单元。
较优的，电容C2和电感L6组成反相态通道的高通宽带相位调制单元。
较优的，耦合线TL1和耦合线TL2为初级线圈，通过半导体工艺中不同金属层实现上下互联。
较优的，耦合线TL3和耦合线TL4为次级线圈，通过半导体工艺中不同金属层实现上下互联。
较优的，本发明仅在输入端存在1个单刀双掷开关网络，相比传统反相移相器减少1个单刀双掷开关网络，可减小插入损耗。
较优的，所述电容C1和电感L5组成反相态通道的低通宽带相位调制单元，电容C2和电感L6组成反相态通道的高通宽带相位调制单元，用于调节移相量在宽带范围内的平坦度，对参考态工况和反相态工况进行宽带相位修正，补偿因反射网络中开关管的寄生效应、局部非对称版图布局带来的相位失真，实现超宽带相位频率响应，可改善宽带移相精度。
较优的，晶体管SW5和晶体管SW6构成反射网络，为对应通道提供反射节点，实现相位变换。
较优的，所述平面螺旋宽带耦合网络使用了螺旋布局，该螺旋布局压缩了八分之一波长线在传输方向的长度，耦合网络面积大幅减小，进而显著减小耦合网络的面积，可实现芯片小型化。
相比现有技术，本发明的技术方案具有如下优点/有益效果：
1.电路面积小。
2.插入损耗低，幅度不平衡度小。
3.可实现超宽带相位频率响应，改善宽带移相精度。
4. 只有1个固定的输入端口与1个固定的输出端口，采用数控方式实现状态切换，无需更改外部电路即可完成反相移相，使用简便。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是一种小型化低损耗超宽带反相移相器的结构示意图。
图2是一种小型化低损耗超宽带反相移相器具体电路图。
图3是本发明实施例的移相量曲线。
图4是本发明实施例的插损曲线和幅度调制曲线。
图中标记分别为：1、第一单刀双掷开关网络输出端口2、第二单刀双掷开关网络输出端口3、第一宽带相位调制网络输入端口4、第二宽带相位调制网络输入端口5、第一宽带相位调制网络输出端口6、第二宽带相位调制网络输出端口7、单刀双掷开关网络8、宽带相位调制网络9、反射网络10、平面螺旋宽带耦合网络。
具体实施方式
实施例：
如图1，图2所示的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，具体电路结构如下：
包括单刀双掷开关网络，宽带相位调制网络，反射网络和平面螺旋宽带耦合网络；
信号输入端RFIN安装在单刀双掷开关网络，第一单刀双掷开关网络输出端口与第一宽带相位调制网络输入端口连接，第二单刀双掷开关网络输出端口与第二宽带相位调制网络输入端口连接，第一宽带相位调制网络输出端口与第三平面螺旋宽带耦合网络端口c以及反射网络的晶体管SW5的漏极连接，第二宽带相位调制网络输出端口与第一平面螺旋宽带耦合网络端口a以及反射网络的晶体管SW6的漏极连接，信号输出端RFOUT安装于第四平面螺旋宽带耦合网络端口d，第二平面螺旋宽带耦合网络端口b接地。
单刀双掷开关网络包括晶体管SW1、晶体管SW2、晶体管SW3、晶体管SW4、传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4；其中晶体管SW1源极与信号输入端RFIN连接，传输线L1连接于晶体管SW1漏极和晶体管SW3漏极之间，传输线L3与晶体管SW3漏极相连，晶体管SW3源极接地；晶体管SW2源极与信号输入端RFIN连接，传输线L2连接于晶体管SW2漏极和晶体管SW4漏极之间，传输线L4与晶体管SW4漏极相连，晶体管SW4源极接地。
宽带相位调制网络包括电容C1、电容C2、电感L5、电感L6、控制信号端口VC1、控制信号端口VC2；传输线L3与电感L5靠近单刀双掷开关网络的一端相连，电容C1一端连接于传输线L3与电感L5之间，电容C1另一端接地；传输线L4与电容C2靠近单刀双掷开关网络的一端相连，电感L6一端与电容C2的另一端连接，电感L6另一端接地；晶体管SW1的栅极与晶体管SW4的栅极相连，并一同连接于控制端口VC2，晶体管SW2的栅极与晶体管SW3的栅极相连，并一同连接于控制信号端口VC1。
反射网络包括晶体管SW5、晶体管SW6；晶体管SW5源极接地，漏极与电感L5靠近反射网络的一端相连，栅极连接于控制信号端口VC1；晶体管SW6源极接地，漏极连接于电容C2靠近反射网络的一端，栅极与控制信号端口VC2相连。
平面螺旋宽带耦合网络包括耦合线TL1、耦合线TL2、耦合线TL3、耦合线TL4,4条耦合线等间距平行排列，依次螺旋弯折排列构成平面螺旋宽带耦合网络；其中第一平面螺旋宽带耦合网络端口a与晶体管SW6漏极连接，第三平面螺旋宽带耦合网络端口c与晶体管SW5漏极连接，第二平面螺旋宽带耦合网络端口b接地，第四平面螺旋宽带耦合网络端口d与信号输出端RFOUT连接，第五平面螺旋宽带耦合网络端口e连接耦合线TL3和耦合线TL4，第六平面螺旋宽带耦合网络端口f连接耦合线TL1和耦合线TL2。
单刀双掷开关网络在控制信号端口VC1、控制信号端口VC2的控制下切换为参考态通道或反相态通道；当晶体管SW2和晶体管SW3导通，晶体管SW1和晶体管SW4关断时，右侧通道导通，此时电路工作在参考态；当晶体管SW1和晶体管SW4导通，晶体管SW2和晶体管SW3关断时，左侧通道导通，此时电路工作在反相态。
电容C1和电感L5组成反相态通道的低通宽带相位调制单元。
电容C2和电感L6组成反相态通道的高通宽带相位调制单元。
耦合线TL1和耦合线TL2为初级线圈，通过半导体工艺中不同金属层实现上下互联。
耦合线TL3和耦合线TL4为次级线圈，通过半导体工艺中不同金属层实现上下互联。
本发明仅在输入端存在1个单刀双掷开关网络，相比传统反相移相器减少1个单刀双掷开关网络，可减小插入损耗。
电容C1和电感L5组成反相态通道的低通宽带相位调制单元，电容C2和电感L6组成反相态通道的高通宽带相位调制单元，用于调节移相量在宽带范围内的平坦度，对参考态工况和反相态工况进行宽带相位修正，补偿因反射网络中开关管的寄生效应、局部非对称版图布局带来的相位失真，实现超宽带相位频率响应，可改善宽带移相精度。
晶体管SW5和晶体管SW6构成反射网络，为对应通道提供反射节点，实现相位变换。
平面螺旋宽带耦合网络使用了螺旋布局，该螺旋布局压缩了八分之一波长线在传输方向的长度，耦合网络面积大幅减小，进而显著减小耦合网络的面积，可实现芯片小型化。
本发明的参考态和反相态在同一个耦合网络中实现变换，可改善参考态和反相态的幅度调制效应，同时降低工艺波动对移相精度的影响。
在平面螺旋宽带耦合网络中，耦合线TL1、TL2构成初级平面耦合线，耦合线TL3、TL4构成次级平面耦合线，4条耦合线通过多次弯折形成平面螺旋布局，压缩了八分之一波长线在传输方向的长度，耦合网络面积大幅减小，进而显著减小耦合网络的面积，可实现芯片小型化。
由图3可知，本发明在6-18GHz超宽带范围内可实现182°-178°的移相量，移相精度高。
由图4可知，本发明在6-18GHz超宽带范围内可实现小于0.6dB的幅度调制，插损小于2.6dB，插入损耗低、幅度不平衡度小。
为使本发明目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。因此，以下提供的本发明的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施方式。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本发明的限制，本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，包括单刀双掷开关网络，宽带相位调制网络，反射网络和平面螺旋宽带耦合网络；
电路结构为：信号输入端RFIN安装在单刀双掷开关网络，第一单刀双掷开关网络输出端口与第一宽带相位调制网络输入端口连接，第二单刀双掷开关网络输出端口与第二宽带相位调制网络输入端口连接，第一宽带相位调制网络输出端口与第三平面螺旋宽带耦合网络端口c以及反射网络的晶体管SW5的漏极连接，第二宽带相位调制网络输出端口与第一平面螺旋宽带耦合网络端口a以及反射网络的晶体管SW6的漏极连接，信号输出端RFOUT安装于第四平面螺旋宽带耦合网络端口d，第二平面螺旋宽带耦合网络端口b接地；
所述平面螺旋宽带耦合网络包括耦合线TL1、耦合线TL2、耦合线TL3、耦合线TL4,4条耦合线等间距平行排列，依次螺旋弯折排列构成平面螺旋宽带耦合网络；其中第一平面螺旋宽带耦合网络端口a与晶体管SW6漏极连接，第三平面螺旋宽带耦合网络端口c与晶体管SW5漏极连接，第二平面螺旋宽带耦合网络端口b接地，第四平面螺旋宽带耦合网络端口d与信号输出端RFOUT连接，第五平面螺旋宽带耦合网络端口e连接耦合线TL3和耦合线TL4，第六平面螺旋宽带耦合网络端口f连接耦合线TL1和耦合线TL2。
2.根据权利要求1所述的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，所述单刀双掷开关网络包括晶体管SW1、晶体管SW2、晶体管SW3、晶体管SW4、传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4；其中晶体管SW1源极与信号输入端RFIN连接，传输线L1连接于晶体管SW1漏极和晶体管SW3漏极之间，传输线L3与晶体管SW3漏极相连，晶体管SW3源极接地；晶体管SW2源极与信号输入端RFIN连接，传输线L2连接于晶体管SW2漏极和晶体管SW4漏极之间，传输线L4与晶体管SW4漏极相连，晶体管SW4源极接地。
3.根据权利要求1所述的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，所述宽带相位调制网络包括电容C1、电容C2、电感L5、电感L6、控制信号端口VC1、控制信号端口VC2；传输线L3与电感L5靠近单刀双掷开关网络的一端相连，电容C1一端连接于传输线L3与电感L5之间，电容C1另一端接地；传输线L4与电容C2靠近单刀双掷开关网络的一端相连，电感L6一端与电容C2的另一端连接，电感L6另一端接地；晶体管SW1的栅极与晶体管SW4的栅极相连，并一同连接于控制端口VC2，晶体管SW2的栅极与晶体管SW3的栅极相连，并一同连接于控制信号端口VC1。
4.根据权利要求1所述的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，所述反射网络包括晶体管SW5、晶体管SW6；晶体管SW5源极接地，漏极与电感L5靠近反射网络的一端相连，栅极连接于控制信号端口VC1；晶体管SW6源极接地，漏极连接于电容C2靠近反射网络的一端，栅极与控制信号端VC2相连。
5.根据权利要求1所述的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，所述单刀双掷开关网络在控制信号端口VC1、控制信号端口VC2的控制下切换为参考态通道或反相态通道；当晶体管SW2和晶体管SW3导通，晶体管SW1和晶体管SW4关断时，右侧通道导通，此时电路工作在参考态；当晶体管SW1和晶体管SW4导通，晶体管SW2和晶体管SW3关断时，左侧通道导通，此时电路工作在反相态。
6.根据权利要求1所述的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，电容C1和电感L5组成反相态通道的低通宽带相位调制单元。
7.根据权利要求1所述的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，电容C2和电感L6组成反相态通道的高通宽带相位调制单元。
8.根据权利要求1所述的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，耦合线TL1和耦合线TL2为初级线圈，通过半导体工艺中不同金属层实现上下互联。
9.根据权利要求1所述的一种小型化低损耗超宽带反相移相器，其特征在于，耦合线TL3和耦合线TL4为次级线圈，通过半导体工艺中不同金属层实现上下互联。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311534884.4A CN117277990B (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 一种小型化低损耗超宽带反相移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311534884.4A CN117277990B (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 一种小型化低损耗超宽带反相移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117277990A CN117277990A (zh) | 2023-12-22 |
| CN117277990B true CN117277990B (zh) | 2024-02-09 |
Family
ID=89204823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311534884.4A Active CN117277990B (zh) | 2023-11-17 | 2023-11-17 | 一种小型化低损耗超宽带反相移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117277990B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6559737B1 (en) * | 1999-11-24 | 2003-05-06 | The Regents Of The University Of California | Phase shifters using transmission lines periodically loaded with barium strontium titanate (BST) capacitors |
| CN1783713A (zh) * | 2004-12-03 | 2006-06-07 | 南京理工大学 | 微波毫米波宽带三分贝正交数字移相器 |
| CN202839906U (zh) * | 2012-09-26 | 2013-03-27 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种微波单片数控移相器 |
| CN110098818A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-06 | 中电国基南方有限公司 | 一种数字移相器 |
| CN115101904A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-23 | 南京邮电大学 | 低损耗单开关宽带微波180度移相器 |
| CN115800954A (zh) * | 2022-11-15 | 2023-03-14 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于巴伦结构的超宽带180°移相器 |
| CN116208122A (zh) * | 2023-04-10 | 2023-06-02 | 电子科技大学 | 一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7145509B2 (en) * | 2004-02-17 | 2006-12-05 | Kyocera Corporation | Array antenna and radio communication apparatus using the same |
| US7495529B2 (en) * | 2004-03-26 | 2009-02-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift circuit, high frequency switch, and phase shifter |
-
2023
- 2023-11-17 CN CN202311534884.4A patent/CN117277990B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6559737B1 (en) * | 1999-11-24 | 2003-05-06 | The Regents Of The University Of California | Phase shifters using transmission lines periodically loaded with barium strontium titanate (BST) capacitors |
| CN1783713A (zh) * | 2004-12-03 | 2006-06-07 | 南京理工大学 | 微波毫米波宽带三分贝正交数字移相器 |
| CN202839906U (zh) * | 2012-09-26 | 2013-03-27 | 成都嘉纳海威科技有限责任公司 | 一种微波单片数控移相器 |
| CN110098818A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-08-06 | 中电国基南方有限公司 | 一种数字移相器 |
| CN115101904A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-23 | 南京邮电大学 | 低损耗单开关宽带微波180度移相器 |
| CN115800954A (zh) * | 2022-11-15 | 2023-03-14 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于巴伦结构的超宽带180°移相器 |
| CN116208122A (zh) * | 2023-04-10 | 2023-06-02 | 电子科技大学 | 一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 一款超宽带GaAs单片数字移相器;甄建宇;陈娜;赵瑞华;王凯;韩玉鹏;;半导体技术(第11期);12-16 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117277990A (zh) | 2023-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0940912A1 (en) | High frequency power amplifier | |
| WO2017080263A1 (zh) | 超宽带数字移相器 | |
| CN110190830B (zh) | 一种双频带小型化数字移相器 | |
| CN103441747A (zh) | 低差损低相移高集成度五位步进式超宽带数控衰减器 | |
| WO2017128678A1 (zh) | 基于容性负载的超宽带定值移相器 | |
| CN112929050A (zh) | 一种多通道的射频收发芯片 | |
| CN210640864U (zh) | 一种cmos毫米波串联非对称单刀双掷开关 | |
| US8149071B2 (en) | Radio frequency switch and apparatus containing the radio frequency switch | |
| CN100355212C (zh) | 一体化Ku波段高平衡度多通道接收机 | |
| CN110943729A (zh) | 一种cmos毫米波串联非对称单刀双掷开关 | |
| US7420424B2 (en) | Power amplifier transmission line transformer | |
| CN117277990B (zh) | 一种小型化低损耗超宽带反相移相器 | |
| CN112688664A (zh) | 一种宽带六位mmic数控移相器 | |
| CN112271419B (zh) | 全通滤波器结构超宽带数字移相器 | |
| CN218124668U (zh) | 射频前端模组 | |
| CN116208122A (zh) | 一种低成本紧凑型超宽带氮化镓移相器 | |
| CN113949361A (zh) | 一种超宽带移相电路 | |
| CN115566379A (zh) | 一种覆盖K和Ka波段的超宽带数字移相器 | |
| CN114499454A (zh) | 一种结构新颖的硅基毫米波差分反射型移相器 | |
| CN112786407B (zh) | Ka波段的慢波结构开关芯片 | |
| Tan et al. | Tunable couplers: An overview of recently developed couplers with tunable functions | |
| CN110112515B (zh) | 一种基于mems开关的混合移相器 | |
| JP4122600B2 (ja) | 電解効果トランジスタおよび半導体回路 | |
| CN219227572U (zh) | 一种六位数控移相器 | |
| CN116248074B (zh) | 一种超宽带小度数移相器及其控制方法以及波束控制系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |