CN110098818A - 一种数字移相器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种数字移相器，180°移相单元电路与90°移相单元电路设置于两端，分别作为数字移相器的输入端和输出端，45°移相单元电路与180°移相单元电路相连，22.5°移相单元电路与90°移相单元电路相连，45°移相单元电路、11.25°移相单元电路、5.625°移相单元电路和22.5°移相单元电路依次级联，所述180°移相单元电路、90°移相单元电路和45°移相单元电路为三个高位单元，180°移相单元电路和90°移相单元电路采用全通网络与高通网络相结合的网络，45°移相单元电路采用全通网络与低通网络相结合的网络。本发明中的数字移相器，采用全通网络与高低通网络相结合的方式，与采用高低通网络实现的移相器相比，该移相器具有结构紧凑，占用面积小，工作频带宽的优点。
Description
技术领域
本发明涉及微波单片集成电路(MMIC)领域，尤其涉及数字移相器领域。
背景技术
相控阵技术在无线通信以及雷达中的应用越来越广泛，其吸引了国内外众多学者的注意，已经成为该领域研究的热点。移相器是相控阵雷达中的关键电路，其性能对整个雷达系统起着至关重要的作用，开展对移相器的研究具有重要的意义。
按照相位是否可以连续可调，移相器通常可以分为模拟式以及数字式两种。数字式由于其具有工作稳定，不受外部环境影响等优点，在相控阵雷达中得到广泛应用。
传统传输线型滤波器的工作带宽较窄，为了拓展带宽，可以将多个高通滤波器(HPF，High Pass Filter)、低通滤波器(LPF，Low Pass Filter)进行级联，但这会增大电路面积，不利于电路的小型化。专利[CN2015209067929]和文献[“K.Miyaguchi,M.Hieda,K.NakaharaAn,etc，Ultra-Broad-Band Reflection-Type Phase-Shifter MMIC WithSeries and Parallel LC Circuits,IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY ANDTECHNIQUES,VOL.49,NO.12,DECEMBER 2001”]均采用反射型结构，该结构可以拓展带宽，但该类型移相器的面积较大，尤其是在低频段，不利于电路的小型化。文献[Xinyi Tang,andKoen Mouthaan,Design of Large Bandwidth Phase Shifters Using Common Mode All-Pass Networks，IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS,VOL.22,NO.2,FEBRUARY 2012]提出了一种基于磁耦合的APN(All Pass Network)型移相器，该移相器适用于具有多个倍频程的超宽带电路中。但当其应用于非超宽带电路中时，会占用较大的电路面积，不利于电路的小型化。因此，研究一种兼具宽带与较小尺寸特性的移相器具有重要意义及实用价值。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种数字移相器，其高位单元采用全通网络与高低通网络相结合的网络，实现了较宽的带宽，同时结构紧凑。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种数字移相器，包括180°移相单元电路、90°移相单元电路、45°移相单元电路、22.5°移相单元电路、11.25°移相单元电路和5.625°移相单元电路，180°移相单元电路与90°移相单元电路设置于两端，分别作为数字移相器的输入端和输出端，45°移相单元电路与180°移相单元电路相连，22.5°移相单元电路与90°移相单元电路相连，45°移相单元电路、11.25°移相单元电路、5.625°移相单元电路和22.5°移相单元电路依次级联，180°移相单元电路、90°移相单元电路和45°移相单元电路为三个高位单元，180°移相单元电路和90°移相单元电路采用全通网络与高通网络相结合的网络，45°移相单元电路采用全通网络与低通网络相结合的网络，数字移相器以5.625°为相移步进值，在0～360°的范围内总共实现64种相移状态。
180°移相单元电路和90°移相单元电路的采用相同的拓扑结构，包括：第一单刀双掷开关SW1；第二单刀双掷开关SW2；高通滤波器HPF，高通滤波器HPF的第一端与第一单刀双掷开关SW1的第一端连接，高通滤波器HPF的第二端与第二单刀双掷开关SW2的第一端连接；全通网络APN1，全通网络APN1的第一端与第一单刀双掷开关SW1的第二端连接，全通网络APN1的第二端与第二单刀双掷开关SW2的第二端连接。
高通滤波器HPF采用T型结构，第一电容C1的第一端与第一单刀双掷开关SW1的第一端连接，第一电容C1的第二端与第二电容C2的第一端以及第一电感线圈L1的第一端连接，第一电感线圈L1的第二端接地，第二电容C2的第二端与第二单刀双掷开关SW2的第一端连接。
全通网络APN1采用串联电容型，包括相互耦合的第二电感线圈L2和第三电感线圈L3，第二电感线圈L2和第三电感线圈L3同位于上端的端口之间跨接有第三电容C3，第二电感线圈L2和第三电感线圈L3同位于下端的端口与第四电容C4的第一端连接，第四电容C4的第二端接地。
两个等值第二电感线圈L2和第三电感线圈L3相互缠绕减小了电路的面积，选取合适的电感线圈值、电容值以及互感K1值，通过开关在全通网络APN1与高通滤波器HPF这两个通道之间切换，实现移相180°或90°的功能。
45°移相单元电路包括：第三单刀双掷开关SW3；第四单刀双掷开关SW4；
低通滤波器LPF，低通滤波器LPF的第一端与第三单刀双掷开关SW3的第一端连接，低通滤波器LPF的第二端与第四单刀双掷开关SW4的第一端连接；第二全通网络APN2，第二全通网络APN2的第二端与第三单刀双掷开关SW3的第二端连接，第二全通网络APN2的第二端与第四单刀双掷开关SW4的第二端连接；
低通滤波器LPF采用T型结构，第四电感线圈L4的第一端与第三单刀双掷开关SW3的第一端连接，第四电感线圈L4的第二端与第五电感线圈L5的第一端以及第五电容C5的第一端连接，第五电容C5的第二端接地，第五电感线圈L5的第二端与第四单刀双掷开关SW4的第一端连接。
第二全通网络APN2采用串联电容型，包括相互耦合的第六电感线圈L6和第七电感线圈L7，第六电感线圈L6和第七电感线圈L7同位于上端的端口之间跨接有第六电容C6，第六电感线圈L6和第七电感线圈L7同位于下端的端口与第七电容C7的第一端连接，第七电容C7的第二端接地。
选取合适的电感值、电容值以及互感K2值，通过开关在全通网络APN2与低通滤波器LPF这两个通道之间切换，实现移相45°的功能。
22.5°移相单元电路包括：T型移相网络和相位补偿单元，T型移相网络包括第八电感线圈L8、第九电感线圈L9、第八电容C8和第十电感线圈L10，第八电感线圈L8和第九电感线圈L9为两个等值串联电感，第八电容C8为谐振电容，第十电感线圈L10为谐振电感，第十电感线圈L10的第一端与第八电容C8的第一端串联，第十电感线圈L10的第二端接地，第八电容C8的第二端并联在第八电感线圈L8和第九电感线圈L9之间，第五控制开关SW5与两个串联的第八电感线圈L8和第九电感线圈L9相并联，第六控制开关SW6并联在第八电容C8的两端，第七控制开关SW7并联在第十电感线圈L10的两端，相位补偿单元包括第八控制开关SW8和第九电容C9，第八控制开关SW8和第九电容C9为并联连接，所述第五控制开关SW5和第九电感线圈L9的连接端与第八控制开关SW8和第九电容C9的连接端相连接，实现T型移相网络和相位补偿单元的连接，第五控制开关SW5、第六控制开关SW6、第七控制开关SW7与第八控制开关SW8由外部加电控制，第五控制开关SW5和第六控制开关SW6通过相同的控制信号进行控制，第七控制开关SW7与第八控制开关SW8通过相同的控制信号进行控制，第五控制开关SW5和第六控制开关SW6与第七控制开关SW7与第八控制开关SW8的控制信号是相反的。
当开关打开时，其等效为一个小电阻；当开关关断时，其等效为一个非常小的电容，认为断开。当第五控制开关SW5、第六控制开关SW6打开，第七控制开关SW7与第八控制开关SW8关断时，该22.5°移相单元等效为一个小电阻和第九电容C9的串联，其他电路被短路；第五控制开关SW5、第六控制开关SW6关断，第七控制开关SW7与第八控制开关SW8打开时，该移相电路等效为一个T型网络，该T型网络包括两个等值电感第八电感线圈L8和第九电感线圈L9串联，第八电容C8和第十电感线圈L10的一端接地，另一端并联在第八电感线圈L8和第九电感线圈L9之间，此时，相位补偿电容第九电容C9被短路。
选择合适的电感与电容值，通过不同的控制电平，实现两组开关的导通与关断，使信号在两个通道中切换，从而实现移相22.5°的功能。
11.25°移相单元电路包括与22.5°移相单元电路相同结构的T型移相网络，不同之处在于11.25°移相单元电路没有相位补偿网络。
选择合适的电感与电容值，通过不同的控制电平，实现两组开关的导通与关断，使信号在两个通道中切换，从而实现移相11.25°的功能。
5.625°移相单元电路包括：第九控制开关SW9；第十控制开关SW10；第十电容C10；第十一电容C11；第十电容C10为移相电容，第十一电容C11为相位补偿电容，第十电容C10与第九控制开关SW9并联后与第十控制开关SW10的第一端串联，第十控制开关SW10的第二端与第十一电容C11的第一端串联，第十一电容C11的第二端接地。第九控制开关SW9和第十控制开关SW10由外部加电控制，第九控制开关SW9和第十控制开关SW10通过相同的控制信号进行控制。
当第九控制开关SW9和第十控制开关SW10打开时，该移相电路等效为一个小电阻串联上一个并联到地的支路，该支路包括小电阻和第十一电容C11；当第九控制开关SW9和第十控制开关SW10关断时，该移相网络等效为第十电容C10。
有益效果
180°移相单元电路、45°移相单元电路、11.25°移相单元电路、5.625°移相单元电路、22.5°移相单元电路、90°移相单元电路依次级联，采用该结构可以减小高位移相单元对低位移相单元的牵引，改善级间匹配度，提高移相精度。
该数字移相器的高位移相单元采用全通网络与高低通网络相结合的方式，与采用高低通网络实现的移相器相比，该移相器具有结构紧凑，占用面积小，工作频带宽的优点。传统移相器的工作相对带宽为30％左右，而本发明的移相器的工作带宽达到了60％。
与采用高低通网络实现的小位单元移相电路相比，本发明中的小位移相单元具有结构简单，易于集成，占用面积小的优点。
整个移相器的插入损耗小，移相精度高。本发明的移相器的最大插入损耗小于6dB，回波损耗大于15dB，移相精度小于5°。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1为本发明的原理框图。
图2为本发明的的180°移相单元电路和90°移相单元电路的电路原理图。
图3为本发明的的45°移相单元电路的电路原理图。
图4为本发明的的22.5°移相单元电路的电路原理图。
图5为本发明的的5.625°移相单元电路的电路原理图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例：
如图1所示，一种数字移相器，包括180°移相单元电路、90°移相单元电路、45°移相单元电路、22.5°移相单元电路、11.25°移相单元电路和5.625°移相单元电路，180°移相单元电路与90°移相单元电路设置于两端，分别作为数字移相器的输入端和输出端，45°移相单元电路与180°移相单元电路相连，22.5°移相单元电路与90°移相单元电路相连，45°移相单元电路、11.25°移相单元电路、5.625°移相单元电路和22.5°移相单元电路依次级联，180°移相单元电路、90°移相单元电路和45°移相单元电路为三个高位单元，180°移相单元电路和90°移相单元电路采用全通网络与高通网络相结合的网络，45°移相单元电路采用全通网络与低通网络相结合的网络，数字移相器以5.625°为相移步进值，在0～360°的范围内总共实现64种相移状态。
本实施例中，开关采用GaAs pHEMT型砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管，其导通时等效为一个非常小的电阻，关断时等效为一个非常小的电容。
如图2所示，180°移相单元电路和90°移相单元电路的采用相同的拓扑结构，包括：第一单刀双掷开关SW1；第二单刀双掷开关SW2；高通滤波器HPF，高通滤波器HPF的第一端与第一单刀双掷开关SW1的第一端连接，高通滤波器HPF的第二端与第二单刀双掷开关SW2的第一端连接；全通网络APN1，全通网络APN1的第一端与第一单刀双掷开关SW1的第二端连接，全通网络APN1的第二端与第二单刀双掷开关SW2的第二端连接。第一单刀双掷开关SW1作为输入端，第二单刀双掷开关SW2作为输出端。
高通滤波器HPF采用T型结构，第一电容C1的第一端与第一单刀双掷开关SW1的第一端连接，第一电容C1的第二端与第二电容C2的第一端以及第一电感线圈L1的第一端连接，第一电感线圈L1的第二端接地，第二电容C2的第二端与第二单刀双掷开关SW2的第一端连接。
全通网络APN1采用串联电容型，包括相互耦合的第二电感线圈L2和第三电感线圈L3，第二电感线圈L2和第三电感线圈L3同位于上端的端口之间跨接有第三电容C3，第二电感线圈L2和第三电感线圈L3同位于下端的端口与第四电容C4的第一端连接，第四电容C4的第二端接地。
当第一单刀双掷开关SW1和第二单刀双掷开关SW2同时指向上半边支路时，高通滤波器HPF导通，相位为正，可以作为基态。当第一单刀双掷开关SW1和第二单刀双掷开关SW2同时指向下半边支路时，全通网络APN1导通，相位为负，可以作为移相态。移相态减去基态可以实现大的移相位。另外，采用本发明的移相结构，在电路设计时，只要选取的电感、电容以及互感值合适，在保证得到需要移相度的同时，还可以得到较小的插入损耗以及良好的回波损耗。举例说明，在0.38-0.72GHz范围内，采用此结构，插入损耗小于1.5dB，回波损耗大于18dB。
两个等值第二电感线圈L2和第三电感线圈L3相互缠绕减小了电路的面积，选取合适的电感线圈值、电容值以及互感K1值，通过开关在全通网络APN1与高通滤波器HPF这两个通道之间切换，实现移相180°或90°的功能，同时还可以得到较小的插入损耗以及良好的回波损耗。在0.38-0.72GHz范围内，采用此结构，插入损耗小于1.5dB，回波损耗大于18dB。
如图3所示，45°移相单元电路包括：第三单刀双掷开关SW3；第四单刀双掷开关SW4；低通滤波器LPF，低通滤波器LPF的第一端与第三单刀双掷开关SW3的第一端连接，低通滤波器LPF的第二端与第四单刀双掷开关SW4的第一端连接；第二全通网络APN2，第二全通网络APN2的第二端与第三单刀双掷开关SW3的第二端连接，第二全通网络APN2的第二端与第四单刀双掷开关SW4的第二端连接；
第三单刀双掷开关SW3作为输入端连接，第四单刀双掷开关SW4作为输出端。
低通滤波器LPF采用T型结构，第四电感线圈L4的第一端与第三单刀双掷开关SW3的第一端连接，第四电感线圈L4的第二端与第五电感线圈L5的第一端以及第五电容C5的第一端连接，第五电容C5的第二端接地，第五电感线圈L5的第二端与第四单刀双掷开关SW4的第一端连接。
第二全通网络APN2采用串联电容型，包括相互耦合的第六电感线圈L6和第七电感线圈L7，第六电感线圈L6和第七电感线圈L7同位于上端的端口之间跨接有第六电容C6，第六电感线圈L6和第七电感线圈L7同位于下端的端口与第七电容C7的第一端连接，第七电容C7的第二端接地。
当第三单刀双掷开关SW3和第四单刀双掷开关SW4同时指向上半边支路时，低通滤波器LPF导通，相位为负，电路移相量较小，可以作为基态。当第三单刀双掷开关SW3和第四单刀双掷开关SW4同时指向下半边支路时，全通网络APN2导通，相位为负，电路移相量较大，可以作为移相态。移相态减去基态可以实现所需的45°移相。理论上，采用如图2所示的结构也可以实现45°移相，但是高通网络中的电容值将会很大，从而占用的电路面积较大，不利于电路的小型化。而采用如图3所示的拓扑结构，在实现所需45°移相的同时，还可以兼顾电路的尺寸。采用本发明的移相结构，在电路设计时，选取合适的电感值、电容值以及互感K2值，通过开关在全通网络APN2与低通滤波器LPF这两个通道之间切换，实现移相45°的功能，同时还可以得到较小的插入损耗以及良好的回波损耗。在0.38-0.72GHz范围内，采用此结构，插入损耗小于1.3dB，回波损耗大于18dB。
如图4所示，22.5°移相单元电路包括：T型移相网络和相位补偿单元，T型移相网络包括第八电感线圈L8、第九电感线圈L9、第八电容C8和第十电感线圈L10，第八电感线圈L8和第九电感线圈L9为两个等值串联电感，第八电容C8为谐振电容，第十电感线圈L10为谐振电感，第十电感线圈L10的第一端与第八电容C8的第一端串联，第十电感线圈L10的第二端接地，第八电容C8的第二端并联在第八电感线圈L8和第九电感线圈L9之间，第五控制开关SW5与两个串联的第八电感线圈L8和第九电感线圈L9相并联，第六控制开关SW6并联在第八电容C8的两端，第七控制开关SW7并联在第十电感线圈L10的两端，相位补偿单元包括第八控制开关SW8和第九电容C9，第八控制开关SW8和第九电容C9为并联连接，所述第五控制开关SW5和第九电感线圈L9的连接端与第八控制开关SW8和第九电容C9的连接端相连接，实现T型移相网络和相位补偿单元的连接，第五控制开关SW5、第六控制开关SW6、第七控制开关SW7与第八控制开关SW8由外部加电控制，第五控制开关SW5和第六控制开关SW6通过相同的控制信号进行控制，第七控制开关SW7与第八控制开关SW8通过相同的控制信号进行控制，第五控制开关SW5和第六控制开关SW6与第七控制开关SW7与第八控制开关SW8的控制信号是相反的。第五控制开关SW5与第八控制开关SW8的连接端作为输入端，第八控制开关SW8与第九电容C9的连接端作为输出端。
选择合适的电感与电容值，通过不同的控制电平，实现两组开关的导通与关断，使信号在两个通道中切换，从而实现移相22.5°的功能。
当第五控制开关SW5与第六控制开关SW6开关导通，第七控制开关SW7与第八控制开关SW8关断时，T型移相网络被短路掉，整个单元电路等效为一个小电阻与第九电容C9串联，移相量较小，可以作为基态。当第五控制开关SW5与第六控制开关SW6关断，第七控制开关SW7与第八控制开关SW8导通时，整个单元电路等效为由两个等值电感第八电感线圈L8和第九电感线圈L9和谐振电容第八电容C8组成的T型网络与小电阻串联。此时移相量较大，可以作为移相态。移相态与基态之间的移相差实现了所需的22.5°。
如图5所示，11.25°移相单元电路包括与22.5°移相单元电路相同结构的T型移相网络，不同之处在于11.25°移相单元电路没有相位补偿网络。
选择合适的电感与电容值，通过不同的控制电平，实现两组开关的导通与关断，使信号在两个通道中切换，从而实现移相11.25°的功能。
5.625°移相单元电路包括：第九控制开关SW9；第十控制开关SW10；第十电容C10；第十一电容C11；第十电容C10为移相电容，第十一电容C11为相位补偿电容，第十电容C10与第九控制开关SW9并联后与第十控制开关SW10的第一端串联，第十控制开关SW10的第二端与第十一电容C11的第一端串联，第十一电容C11的第二端接地，第九控制开关SW9和第十控制开关SW10由外部加电控制，第九控制开关SW9和第十控制开关SW10通过相同的控制信号进行控制。第九控制开关SW9与第十电容C10的连接端作为输入端，第九控制开关SW9与第十控制开关SW10的连接端作为输出端。
当第九控制开关SW9和第十控制开关SW10关断时，该电路等效为一个串联电容，相位为正，可以作为基态。当第九控制开关SW9和第十控制开关SW10导通时，该电路等效为一个串联小电阻并联一个电容的倒L型电路，移相量为负，可以作为移相态。两种状态通过开关切换，实现移相5.625°的功能。该单元电路结构紧凑，占用面积小，插入损耗小。在0.38-0.72GHz范围内，该单元电路的插入损耗小于0.4dB，回波损耗大于20dB。
采用本实施例的数字移相器，在0.38-0.72GHz范围内(相对带宽61.8％)，回波损耗大于15dB，整体电路插入损耗小于6dB，移相精度小于5°，指标明显优于采用传统高低通结构的移相器。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种数字移相器，包括180°移相单元电路、90°移相单元电路、45°移相单元电路、22.5°移相单元电路、11.25°移相单元电路和5.625°移相单元电路，所述180°移相单元电路与90°移相单元电路设置于两端，分别作为数字移相器的输入端和输出端，所述45°移相单元电路与180°移相单元电路相连，所述22.5°移相单元电路与90°移相单元电路相连，所述45°移相单元电路、11.25°移相单元电路、5.625°移相单元电路和22.5°移相单元电路依次级联，所述180°移相单元电路、90°移相单元电路和45°移相单元电路为三个高位单元，所述180°移相单元电路和90°移相单元电路采用全通网络与高通网络相结合的网络，所述45°移相单元电路采用全通网络与低通网络相结合的网络。
2.如权利要求1所述的数字移相器，其特征在于：所述180°移相单元电路和90°移相单元电路的采用相同的拓扑结构，包括：
第一单刀双掷开关(SW1)；
第二单刀双掷开关(SW2)；
高通滤波器(HPF)，所述高通滤波器(HPF)的第一端与所述第一单刀双掷开关(SW1)的第一端连接，所述高通滤波器(HPF)的第二端与所述第二单刀双掷开关(SW2)的第一端连接；
全通网络(APN1)，所述全通网络(APN1)的第一端与所述第一单刀双掷开关(SW1)的第二端连接，所述全通网络(APN1)的第二端与所述第二单刀双掷开关(SW2)的第二端连接。
3.如权利要求2所述的数字移相器，其特征在于：所述高通滤波器(HPF)采用T型结构，第一电容(C1)的第一端与第一单刀双掷开关(SW1)的第一端连接，第一电容(C1)的第二端与第二电容(C2)的第一端以及第一电感线圈(L1)的第一端连接，第一电感线圈(L1)的第二端接地，第二电容(C2)的第二端与第二单刀双掷开关(SW2)的第一端连接。
4.如权利要求2所述的数字移相器，其特征在于：所述全通网络(APN1)采用串联电容型，包括相互耦合的第二电感线圈(L2)和第三电感线圈(L3)，第二电感线圈(L2)和第三电感线圈(L3)同位于上端的端口之间跨接有第三电容(C3)，第二电感线圈(L2)和第三电感线圈(L3)同位于下端的端口与第四电容(C4)的第一端连接，第四电容(C4)的第二端接地。
5.如权利要求1所述的数字移相器，其特征在于：所述45°移相单元电路包括：
第三单刀双掷开关(SW3)；
第四单刀双掷开关(SW4)；
低通滤波器(LPF)，所述低通滤波器(LPF)的第一端与所述第三单刀双掷开关(SW3)的第一端连接，所述低通滤波器(LPF)的第二端与所述第四单刀双掷开关(SW4)的第一端连接；
第二全通网络(APN2)，所述第二全通网络(APN2)的第一端与所述第三单刀双掷开关(SW3)的第二端连接，所述第二全通网络(APN2)的第二端与所述第四单刀双掷开关(SW4)的第二端连接；
6.如权利要求5所述的数字移相器，其特征在于：所述低通滤波器(LPF)采用T型结构，第四电感线圈(L4)的第一端与第三单刀双掷开关(SW3)的第一端连接，第四电感线圈(L4)的第二端与第五电感线圈(L5)的第一端以及第五电容(C5)的第一端连接，第五电容(C5)的第二端接地，第五电感线圈(L5)的第二端与第四单刀双掷开关(SW4)的第一端连接。
7.如权利要求5所述的数字移相器，其特征在于：所述第二全通网络(APN2)采用串联电容型，包括相互耦合的第六电感线圈(L6)和第七电感线圈(L7)，第六电感线圈(L6)和第七电感线圈(L7)同位于上端的端口之间跨接有第六电容(C6)，第六电感线圈(L6)和第七电感线圈(L7)同位于下端的端口与第七电容(C7)的第一端连接，第七电容(C7)的第二端接地。
8.如权利要求1所述的数字移相器，其特征在于：所述22.5°移相单元电路包括：T型移相网络和相位补偿单元，所述T型移相网络包括第八电感线圈(L8)、第九电感线圈(L9)、第八电容(C8)和第十电感线圈(L10)，第八电感线圈(L8)和第九电感线圈(L9)为两个等值串联电感，第十电感线圈(L10)的第一端与第八电容(C8)的第一端串联，第十电感线圈(L10)的第二端接地，第八电容(C8)的第二端并联在第八电感线圈(L8)和第九电感线圈(L9)之间，第五控制开关(SW5)与两个串联的第八电感线圈(L8)和第九电感线圈(L9)相并联，第六控制开关(SW6)并联在第八电容(C8)的两端，第七控制开关(SW7)并联在第十电感线圈(L10)的两端，相位补偿单元包括第八控制开关(SW8)和第九电容(C9)，第八控制开关(SW8)和第九电容(C9)为并联连接，所述第五控制开关(SW5)和第九电感线圈(L9)的连接端与第八控制开关(SW8)和第九电容(C9)的连接端相连接，实现T型移相网络和相位补偿单元的连接，所述第五控制开关(SW5)、第六控制开关(SW6)、第七控制开关(SW7)与第八控制开关(SW8)由外部加电控制。
9.如权利要求8所述的数字移相器，其特征在于：所述11.25°移相单元电路包括与所述22.5°移相单元电路相同结构的T型移相网络。
10.如权利要求1所述的数字移相器，其特征在于：所述5.625°移相单元电路包括：
第九控制开关(SW9)；
第十控制开关(SW10)；
第十电容(C10)；
第十一电容(C11)；
第十电容(C10)与第九控制开关(SW9)并联后与第十控制开关(SW10)的第一端串联，第十控制开关(SW10)的第二端与第十一电容(C11)的第一端串联，第十一电容(C11)的第二端接地，所述第九控制开关(SW9)和第十控制开关(SW10)由外部加电控制。
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