CN1521889A - 多位移相器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种适合用于卫星广播和卫星通讯带的多位移相器包括一个或多个移相器，各移相器具有末端短路的短路短截线和形成在短路短截线末端并控制阻抗值的MEMS(微机电系统)开关。可降低工艺成本和介入损耗，降低驱动电压，获得较宽的带宽，并可获得均匀的相位特性。

Description

多位移相器及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种移相器，尤其涉及一种微机电系统(MEMS)设备，采用了利用MEMS的处理技术的多位移相器及其制造方法。

背景技术

在通讯系统中必不可少的使用相控阵天线，并且移相器是相控阵天线的核心部分用以控制各天线的相位。移相器使用各种类型的延迟电路和电子开关以完成相移。尤其是，由于执行消除接收到的信号中的相差的功能的MMIC(微波单片式集成电路)的出现，MESFET(金属半导体场效应晶体管)和变容二极管被用作开关。

此外，最近，为了满足对低成本的小、轻并且以低功耗集成的设备的需求，RF/微波系统采用低损耗射频(RF)开关设备和一使用MEMS(微机电系统)工艺的可变电容器。

当前，被用于卫星广播和卫星通讯的有源相控阵系统是通过将天线、收发器、移相器和衰减器连接来构造的。

被用于移相器的开关使用pin二极管和场效应晶体管。在这种情况下，如本领域的技术人员所周知的，该pin二极管在一个二极管中消耗3～10mW直流功率并且场效应晶体管具有一个大的前端介入损耗。

下面描述通常使用的各种移相器的基本结构和操作方法。

一般地，移相器是一种通过使用电容器或电感器用于延迟输入信号的相位速度的设备，从而输出端能获得期望相位的信号。

图1A是表示通过转换传输线用于延迟相位速度的移相器的示意图。

如图1A所示，两个传输线各具有不同的电气长度，通过转换传输线，移相器能够在两个传输线之间获得相差。

图1B是表示通过被输入的信号与被反射和被输出的信号之间的相差，用于延迟相位速度的移相器的示意图。

如图1B所示，通过使用被输入的信号与被反射和被输出的信号之间的相差，该移相器能适当地延迟输入信号的相位速度。

图1C是通过使用电感器和电容器的移相器的示意图。

如图1C所示，通过使用电感器和电容器，移相器增大或者减少相位速度。这里，λ/4的传输线被用于部分地消除电抗失配。

图1D是通过使用低通滤波器和高通滤波器之间的相差的移相器的示意图。

如图1D所示，通过使用低通滤波器和高通滤波器之间的相差，移相器适当地延迟输入信号的相位速度。

上面四种方法是相位延迟方法，该方法一般被用于移相器，同时被背景技术和本发明的基本操作所采用。

通过使用该四种方法中的这些移相器，被用在X带(用于卫星广播的1～13GHz)或K带(用于卫星通讯的18～20GHz)内的传统的5位MMIC移相器的结构和特性如下。

图2是表示X带MMIC 5位移相器的结构和延迟电路的示意图。

如图2所示，该X带MMIC 5位移相器包括180°/45°/22.5°/11.25°/90°移相器，场效应晶体管(FET)被用于这些移相器。

下面描述使用了场效应晶体管的移相器。

首先，180°和90°移相器具有这样一种结构，即低通滤波器和高通滤波器并行连接。也就是，当低通滤波器的一个FET开关被打开时，高通滤波器的一个FET开关被关闭，所以低通滤波器既被连接到输入端又被连接到输出端。相反地，当高通滤波器的该FET开关被打开并连接到输入端和输出端时，低通滤波器的该FET开关被关闭并与输入端和输出端断开。因此，通过利用这两种情况中的相差，能够获得90°/180°的相差。

此外，45°/22.5°/11.25°移相器包括一线圈电感和一FET开关。也就是，当开关关闭时，输入信号被线圈电感延迟相位，而当开关被打开时，输入信号通过短接开关进入输出端，所以没有相位延迟发生。因此，移相器能获得45°，22.5°和11.25°相差。

但是，传统的移相器主要使用半导体设备，所以除了大的介入损耗之外，它们具有均匀的相位特性。此外，由于半导体开关的制造工艺如此复杂以致于制造成本增加。

图3A是表示图2的移相器的介入损耗特性的图表并且图3B是表示图2的移相器的相位特性的图表。

传统的X带MMIC 5位移相器具有如图3B所示的均匀的相位特性，但是显示有图3A所示的平均-7.5dB的介入损耗，因为它采用了具有大的介入损耗的FET半导体开关。

图4A是表示K带MMIC 5位移相器的结构和延迟电路的示意图。

如图4A所示，K带MMIC 5位移相器包括180°/90°/45°/22.5°/11.2 5°移相器，这些移相器被分成三种类型。但是，如同上述的X带MMIC 5位移相器，该K带MMIC 5位移相器也包括一个半导体电路，所以它具有复杂的电路结构和制造工艺。

图4B是图4A的180°移相器的电路图。

如图4B所示，在该180°移相器中，高通滤波器和低通滤波器被并行连接从而具有180°相差。

图4C是90°/45°/22.5°移相器的电路图。

如图4C所示，目的为获得90°/45°/22.5°相差的3位移相器通过使用电感器和电容器形成π网络并通过位设定从而达到90°/45°/22.5°。

该11.25°移相器通过仅仅使用电容器获得相差。

上述的K带MMIC 5位移相器使用HEMT(高电子迁移率晶体管)作为开关。在这种情况下，该K带MMIC 5位移相器显示平均5.5dB或更多的介入损耗和大约平均10dB的输入/输出反射系数。虽然与采用FET开关的移相器相比具有较佳的介入损耗，但是因为它必须采用复杂的半导体工艺，所以采用HEMT开关的移相器在它的制造过程中发生高额费用。

如上所述，采用半导体开关的移相器具有介入损耗大并且工艺复杂的问题。因此，为了克服这些缺点，已经提出一种采用MEMS开关的移相器，该MEMS开关具有低介入损耗和相对简单的工艺。

图5A是表示使用了MEMS开关的4位移相器的示意图，并且图5B是表示4位移相器的相位特性的图表。

如图5A所示，四个四位移相器22.5°/45°/90°/180°是通过使用定位在开关下部的参照线和定位在该开关上部具有特定长度的线构造的，并且分别使用通过根据线长度之间的差异的延迟的移相方法。对于参照线来说各线在电气长度中具有22.5°/45°/90°/180°相差，并且通过适当地打开/关闭开关能获得期望的相差。

该4位移相器被设计作为无源相控阵系统(phase passive arraysystem)，该无源相控阵系统通过直接连接到天线被使用并且采用电容性负载的MEMS开关，所以它具有低介入损耗和简单的结构。

如图5B所示，该4位移相器在用于卫星广播的带内(即，10～13GHz，X带)或在用于卫星通讯的带内(18～20GHz，K带)不能获得均匀的特性。换句话说，该4位移相器具有适合宽带(DC～20/40GHz)系统这样的相位特性而不能被应用于卫星广播系统或卫星通讯系统。此外，开关的驱动电压是98V，太高以致于不能用于卫星广播系统。

除了上述的4位移相器之外，反射型X带移相器也使用RF MEMS开关。但是，这种移相器也不具有均匀的相差(举例来讲，有一个10°或更大的差)，并且它的驱动电压是30～40FV，相对较高。

如上所提及的，当传统的移相器采用半导体开关时，因为它的制造工艺复杂，所以制造成本高，并且介入损耗大。此外，当传统的移相器采用MEMS开关时，因为高驱动电压，它几乎不能获得均匀的相位特性，难于应用于卫星广播或用于卫星通讯的移相器，并且具有低的效率。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种多位移相器，能够通过使用MEMS开关减少工艺成本和介入损耗，通过采用DC偏压线降低驱动电压，并行连接开路短截线和短路短截线，并通过采用气隙连接器获得均匀的相位特性，同时提供了该移相器的制造方法。

为了获得这些和其他的优点并且根据本发明的目的，如这里所表达的和广泛描述的，提供了一种多位移相器，包括一个或多个移相器，每个移相器包括一末端短路的短路短截线；和一形成在短路短截线处并控制阻抗值的MBMS(微机电系统)开关。

为了达到上述目的，还提供了一种用于制造多位移相器的方法，包括：第一步，在基底上形成构造信号线的第一导电膜图案(fistconductive film pattern)，在第一导电膜图案上的绝缘膜图案，及沿着DC偏压线形成的电阻图案(resistor pattern)；第二步，在获得的结构(resulting structure)上顺序形成第一光刻胶图案(photoresist pattern)，种晶层和第二光刻胶图案，并通过种晶层形成一电极；第三步，移走第二光刻胶图案，蚀刻种晶层的一部分以形成开关图案并移走种晶层剩余的部分；第四步，在获得的结构上形成第三光刻胶图案，在第三光刻胶图案上形成导电膜层迭图案以形成空气桥和空气连接器，并移走光刻胶。

本发明的前述的和其他的目的，特征，观点和优点将从后面结合附图对本发明的详细描述中变得很清楚。

附图说明

被包括用来提供对本发明的进一步理解并被包括在说明书中组成说明书一部分的附图，解释本发明的实施例并与说明书一起用于说明本发明的原理。

在图中：

图1A是表示通过转换传输线用于延迟相位速度的移相器的示意图；

图1B是表示根据输入信号与被反射和被输出的信号之间的相位差用于延迟相位速度的移相器的示意图；

图1C是表示使用电感器和电容器的移相器的示意图；

图1D是表示使用低通滤波器和高通滤波器之间的相差的移相器的示意图；

图2是表示X带MMIC 5位移相器的结构和延迟电路的示意图；

图3A是表示图2的移相器的介入损耗特性的图表；

图3B是表示图2的移相器的相位特性的图表；

图4A是表示K带MMIC 5位移相器的结构和延迟电路的示意图；

图4B是表示180°移相器的电路图；

图4C是表示图4A的90°/45°/22.5°移相器的电路图；

图5A是表示使用MEMS开关的4位移相器的示意图；

图5B是表示图5A的4位移相器的相位特性的图表；

图6A是表示根据本发明的优选实施例使用MEMS开关的5位移相器的示意图；

图6B是表示图6A的设备的实际的照片的示意图；

图7是表示11.25°/22.5°/45°移相器的基本结构的示意图；

图8是表示180°/90°移相器的基本结构的示意图；

图9是表示被用于180°/90°移相器的连接器的示意图；

图10A是表示X带(10～13GHz)5位移相器的介入损耗和反射损耗特性的图表；

图10B是表示X带(10～13GHz)5位移相器的相位特性的图表；

图10C是表示K带(18～20GHz)5位移相器的介入损耗和反射损耗特性的图表；

图10D是表示K带(18～20GHz)5位移相器的相位特性的图表；

图11A到11G是根据本发明的优选实施例的移相器的制造工艺的剖视图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的优选实施例，其范例在附图中进行说明。

根据本发明优选实施例的一多位移相器，包括一个或多个连接的移相器，各个移相器具有末端短路的短路短截线(short stub)和形成在短路短截线末端处并控制阻抗值的MEMS(微机电系统)开关，及该多位移相器的制造方法将在下面进行描述。

图6A是表示根据本发明的优选实施例使用MEMS开关的5位移相器的示意图。

如图6A所示，根据本发明的移相器能被用于卫星广播和卫星通讯中。施加到输入端口1的信号经过11.25°/22.5°/45°移相器并通过180°/90°移相器被输出到输出端口2。

详细地，参照11.25°移相器，首先，以被连接到输入端口1的信号线为基础，开路短截线7被定位在上侧同时短路短截线9被定位在下侧。因此，由于开路短截线7和短路短截线9被并行放置，所以能获得较宽的带宽。此时，开路短截线7和短路短截线9通过T形接头空气桥4被连接。也就是，T形接头空气桥4通过与地连接用于形成公共接地。

为了降低开关驱动电压，MEMS开关5形成在短路短截线9的末端处并且DC偏压线6形成凹凸型。该DC偏压线6是具有阻抗的信号线，该偏压线 6的一端连接到MEMS开关5并且另一端连接到开关片(switchpad)8上，其施加开关控制信号。在图6A中，该11.25°移相器的开关信号线被分离，但是，其能根据设计方法进行不同的构造。

当在开关片8或开关信号线上施加一控制电压时，在经过DC偏压线之后相应的控制电压驱动MEMS开关5，并且开路短截线7作为电容器并延迟输入信号。这时，通过操纵MEMS开关5由电容器开/关比决定相差。

如同11.25°移相器，该22.5°/45°移相器适当地调整短截线的长度和DC偏压线的长度并且通过以交叠的方式连接短截线和DC偏压线形成相差。

该180°移相器和该90°移相器通过使用短路短截线9和MEMS开关5控制电容器开/关比也产生一个相差，对于短路短截线9和MEMS开关5，除了开路短截线以外，用气隙连接器3将相移部分连接起来。就是说，该180°/90°移相器借助气隙连接器3能具有稳定的相差。

图6B是表示图6A的设备的实际照片的示意图。

如图6B所示，根据本发明的优选实施例的移相器具有如此简单的结构以致于能容易地设计并实现。

总而言之，由于使用MEMS开关的5位移相器使用MEMS开关，介入损耗小并且工艺简单，此外，短截线的使用改进相位特性并且气隙连接器的使用保持稳定的相差。而且，因为DC偏压线形成为电阻，所以该MEMS开关驱动电压被降低到15～20V。此外，由于结构简单，该5位移相器能很容易地设计并实现。

图7是表示11.25°/22.5°/45°移相器的基本结构的示意图。

如图7所示，在该11.25°/22.5°/45°移相器中，具有末端短路部分的短路短截线13在输入部分11和输出部分12之间传输线处并行形成，且MEMS开关14连接到该末端。短路短截线13通过MEMS开关14的操作作为电容发挥作用以延迟输入信号的相位。与此对照，在参照图1C的传统技术中，电感器或电容器被并行地加入到传输线中以延迟相位，但是在本发明中，短路短截线13代替用做电容器。由于具有末端短路的短截线的阻抗值由MEMS开关14的开/关比来决定，阻抗值的变化使输入信号的相位改变达到11.25°/22.5°/45°。

图8表示180°/90°移相器的基本结构的示意图。

如图8所示，该180°/90°移相器包括两个相移部分，该两个相移部分通过空气连接器被连接起来。在该180°/90°移相器中，短路短截线23被并行连接并且MEMS开关24连接到短路短截线23的每个末端。也就是，如同图7中的情况，末端短路的短截线的阻抗值由该MEMS开关24的开/关比决定。该MEMS开关24被同样的控制信号打开/关闭。

图9是表示用于180°/90°移相器的连接器的示意图。

如图9所示，该连接器是气隙连接器，包括下部的金属部分32和上部的金属部分31。由于该连接器具有稳定的相差，所以它提高了相位特性。也就是，在气隙连接器中，下部的金属和上部的金属之间被隔离开一定的间隔并且这些结构形成对角对称。每一个金属部分被连接到短路短截线。

图10A是表示X带(10～13GHz)5位移相器的介入损耗和反射损耗特性的图表，并且图10B是表示X带(10～13GHz)5位移相器的相位特性的图表。

如图10A和10B所示，根据本发明的优选实施例的X带5位移相器显示平均4.5dB介入损耗和10dB的最小反射损耗，其与使用半导体器件的传统的移相器相比改进了3dB。

参照相位特性，在11.25°相位特性中相差小于3°，这表示本发明的一个明显的改进效果。从而，根据本发明的移相器具有用于卫星广播的良好性能。

图10C是表示K带(18～20GHz)5位移相器的介入损耗和反射损耗特性的图表，并且图10D是表示K带(18～20GHz)5位移相器的相位特性的图表。

如图10C和10D所示，该K带5位移相器显示平均4.5dB的介入损耗和少于10dB的最小反射损耗。参照相位特性，在相位特性中相位误差小于3°，表示明显的改进效果。因而，本发明的移相器具有用于卫星通讯的良好性能。

此外，引人注目地，被用在本发明中的MEMS开关是在15～20V的低电压下驱动的，从而它更有利于实际应用。

下面描述用于制造移相器的方法。

图11A到11G是根据本发明优选实施例的移相器的制造工艺的剖视图。

如图11A到11G所示，移相器的制造工艺包括：在基底41上形成构造信号线的第一导电膜42图案，在第一导电膜42图案上形成绝缘膜43图案，和沿着DC偏压线形成电阻44图案的步骤(图11A)；在获得的结构上形成第一光刻胶图案PR1和在第一光刻胶图案PR1上形成种晶层45的步骤(图11B)；在种晶层45上形成与第一光刻胶图案PR1相同的第二光刻胶图案PR2和通过使用种晶层45形成电极45的步骤(图11C)；移走第二光刻胶图案PR2和通过使用铬掩模(MK)蚀刻种晶层45的一部分以形成开关图案并移走其他剩余的部分的步骤(图11D)；在获得的结构的空气桥和空气连接器形成的区域上形成第三光刻胶图案PR3的步骤(图11E)；在获得的结构上顺序地形成第二导电膜47和第三导电膜48并且根据空气桥和空气连接器的结构制作导电膜47和48的布线图案的步骤(图11F)；及移走结构中第一光刻胶图案PR1和第三光刻胶图案PR3的步骤(图11G)。

下面详细描述该方法。

如图11A所示，Cr/Pt形成在基底41上并组成图案以形成构成信号线的第一导电膜42，然后，为了保护第一导电膜42图案，一AIN绝缘膜43图案在第一导电膜42图案上形成。

然后，TaN或镍铬合金形成在获得的结构上并且沿着DC偏压线组成图案以形成电阻44图案。

其后，如图11B所示，第一光刻胶图案PR1形成在获得的结构上以形成用于形成电极的基本的模型，Au/Cr种晶层45形成在第一光刻胶图案PR1上。这是因为用于形成电极的Au通过镀金工艺形成。种晶层45的一部分被用作后面的MEMS开关的铰链图案。

然后，如图11C所示，与第一光刻胶图案PR1相同的第二光刻胶图案PR2形成在种晶层45上以完成用于形成电极46的光刻胶模型，同时Au电极46通过使用模型结构和种晶层45形成。

随后，如图11D所示，第二光刻胶图案PR2被移走，然后，使用铬掩模(MK)以保护电极46并且种晶层45的一部分被形成作为MEMS开关的铰链图案同时其他剩余部分被移走。

此后，如图11E所示，第三光刻胶图案PR3形成在空气桥和空气连接器形成的获得的结构的区域上。第三光刻胶图案PR3暴露电极部分，空气桥和空气连接器被连接到该电极部分。

然后，如图11F所示，第二导电膜47，第三导电膜48顺序地形成在获得的结构上，然后，根据空气桥和空气连接器的结构，导电膜47和48被制作图案。第二导电膜47和第三导电膜48由不同的材料组成，并且最好包含金(Au)。

及，如图11G所示，第一光刻胶图案PR1和第三光刻胶图案PR3被全部移走以获得一个区域，在该区域中MEMS开关的铰链结构45能通过下部的信号线42操作。

因此，如上所述，该MEMS开关与通常的半导体制造工艺相比能用简单的工艺完成。

如目前所描述的，根据本发明的多位移相器，包括第一移相器，该第一移相器具有末端短路的短路短截线，用于使相位特性平稳的开路短截线，形成在短路短截线末端并且控制阻抗值的MEMS开关，和用于降低MEMS开关驱动电压的DC偏压线；第二移相器，该第二移相器具有末端短路的短路短截线，形成在短路短截线末端并控制阻抗值的MEMS开关和用于降低MEMS开关驱动电压的DC偏压线。

根据本发明的5位移相器包括具有一个第一移相器的11.25°移相器，具有两个第一移相器的22.5°移相器，具有两个第一移相器的45°移相器，具有第二移相器的90°移相器，和具有第二移相器的180°移相器。

因此，通过使用MEMS开关，工艺成本和介入损耗能够减少，通过采用DC偏压线驱动电压被降低，开路短截线和短路短截线并行连接，并且通过采用气隙连接器能够获得均匀的相位特性。因此，被用于卫星广播和卫星通讯带的该移相器的性能在减少成本的情况下能够大大提高。

在不脱离本发明宗旨和基本特征的情况下，本发明可以以几种形式实施，应该可以理解上述实施方式不受前面描述的任何细节的限制，除非特别指出，本发明应该在所附权利要求限定的宗旨和范畴内做广义的解释，并且所有落在权利要求界限和范围，或这些界限和范围内的等价内的改变和修改均被认为包括在所附权利要求内。

Claims (20)

1、一种多位移相器，包括：

一个或多个移相器，每一个移相器包括一末端短路的短路短截线；及

形成在短路短截线处并控制阻抗值的MEMS(微机电系统)开关。

2、如权利要求1所述的多位移相器，进一步包括：

并行连接到短路短截线处的开路短截线以获得较宽的带宽同时使相位特性平稳；及

用于降低该MEMS开关驱动电压的DC偏压线。

3、如权利要求1所述的多位移相器，进一步包括：

一用于在线上保持稳定相差的气隙连接器。

4、如权利要求1所述的多位移相器，其特征在于，该移相器产生11.25°的倍数的相差。

5、如权利要求1所述的多位移相器，其特征在于，该移相器是11.25°/22.5°/45°/180°/90°移相器。

6、如权利要求5所述的多位移相器，其特征在于，该11.25°/22.5°/45°移相器包括末端短路的短截线，代替电感器或电容器，并且在短截线的末端装上MEMS开关以根据电容器开-关比率使用反射波的相差。

7、如权利要求5所述的多位移相器，其特征在于该180°/90°移相器是使用连接器的反射型移相器。

8、如权利要求5所述的多位移相器，进一步包括：

一用于在移相器的接地之间形成公共接地的空气桥。

9、一种多位移相器，包括：

第一移相器，其包括末端短路的短路短截线，用于使相位特性平稳的开路短截线，形成在短路短截线末端并控制阻抗值的MEMS(微机电系统)开关，及用于降低MEMS开关驱动电压的DC偏压线；及

第二移相器，其包括末端短路的短路短截线，形成在短路短截线末端并控制阻抗值的MEMS开关，及用于降低MEMS开关驱动电压的DC偏压线。

10、如权利要求9所述的多位移相器，其特征在于，对于第一移相器，一个或多个第一移相器被连接以产生11.25°倍数的相差。

11、如权利要求9所述的多位移相器，其特征在于，通过控制该MEMS开关，第二移相器产生90°的倍数的相差。

12、如权利要求9所述的多位移相器，其特征在于，该第二移相器进一步包括用于在该短路短截线中保持稳定相差的气隙连接器。

13、如权利要求9所述的多位移相器，其特征在于，为了保证宽的带宽，该开路短截线被并行连接到短路短截线。

14、如权利要求9所述的多位移相器，进一步包括：

用于在第一移相器和第二移相器的接地之间形成公共接地的空气桥。

15、如权利要求9所述的多位移相器，其特征在于，该移相器包括5位移相器，所述5位移相器包括：具有一个第一移相器的11.25°移相器，具有两个第一移相器的22.5°移相器，具有两个第一移相器的45°移相器，具有第二移相器的90°移相器，和具有第二移相器的180°移相器。

16、一种用于制造多位移相器的方法，包括：

第一步，在基底上形成构成信号线的第一导电膜图案，在第一导电膜图案上的绝缘膜图案，和沿着DC偏压线形成电阻图案；

第二步，在获得的结构上顺序地形成第一光刻胶图案，种晶层和第二光刻胶图案，并通过种晶层形成一电极；

第三步，移走第二光刻胶图案，蚀刻种晶层的一部分以形成开关图案，并移走剩余部分；及

第四步，在获得的结构上形成第三光刻胶图案，在第三光刻胶图案上形成导电膜层迭图案以形成空气桥和空气连接器，同时移走光刻胶。

17、如权利要求16所述的方法，其特征在于，在第一步中，Cr/Pt形成在基底上并被组成图案以形成构成信号线的第一导电膜图案，同时AIN绝缘膜图案形成在第一导电膜图案上，TaN或镍铬合金被形成在第一导电膜图案上，并且沿着DC偏压线形成电阻图案。

18、如权利要求16所述的方法，其特征在于，在第二步中，第一光刻胶图案被形成以构成用于电极形成的基本模型，Au/Cr种晶层形成在第一光刻胶图案上，与第一光刻胶图案相同的第二光刻胶图案形成在种晶层上以构成用于电极形成的光刻胶模型，同时通过使用模型结构和种晶层形成Au电极。

19、如权利要求16所述的方法，其特征在于，在第三步中，在第二光刻胶图案(PR2)被移走后，使用铬掩模(MK)并且种晶层的一部分形成在MEMS开关的铰链图案中。

20、如权利要求16所述的方法，其特征在于，在第四步中，在形成第三光刻胶图案中，空气桥和空气连接器所连接的各电极部分被暴露，第二导电膜和第三导电膜顺序地形成在获得的结构上，根据空气桥和空气连接器的结构形成图案，然后，形成在结构中的第一光刻胶图案和第三光刻胶图案被全部移走。

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