CN213213453U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置，使布线简单。高频模块具备安装基板、功率放大器、多个发送用滤波器、第一开关、输出匹配电路、低噪声放大器以及外部连接端子。安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。第一开关对功率放大器与多个发送用滤波器的连接状态进行切换。输出匹配电路连接于功率放大器与第一开关之间。低噪声放大器配置于安装基板的第二主面。功率放大器、输出匹配电路、第一开关以及多个发送用滤波器以在与安装基板的厚度方向正交的方向上按功率放大器、输出匹配电路、第一开关以及多个发送用滤波器的顺序排列的方式配置于安装基板。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及一种具备功率放大器和多个发送用滤波器的高频模块以及具备高频模块的通信装置。
背景技术
以往，已知一种具备功率放大器和多个发送用滤波器的高频模块(例如，参照专利文献1)。
专利文献1中记载的高频模块具备功率放大器、发送用滤波器以及开关来作为用于发送信号的元件。开关对功率放大器与发送用滤波器的连接状态进行切换。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2018/0131501号说明书
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在专利文献1中记载的以往的高频模块中，在功率放大器、发送用滤波器以及开关配置于安装基板的情况下，功率放大器与开关之间的布线以及开关与发送用滤波器之间的布线有可能变得复杂。
本实用新型是鉴于上述情况而完成的实用新型，本实用新型的目的在于提供一种能够使布线简单的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、功率放大器、多个发送用滤波器、第一开关、输出匹配电路、低噪声放大器以及外部连接端子。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述第一开关对所述功率放大器与所述多个发送用滤波器的连接状态进行切换。所述输出匹配电路连接于所述功率放大器与所述第一开关之间。所述低噪声放大器配置于所述安装基板的所述第二主面。所述外部连接端子配置于所述安装基板的所述第二主面。所述功率放大器、所述输出匹配电路、所述第一开关以及所述多个发送用滤波器以在与所述安装基板的厚度方向正交的方向上按所述功率放大器、所述输出匹配电路、所述第一开关以及所述多个发送用滤波器的顺序排列的方式配置于所述安装基板。
优选地，所述功率放大器配置于所述安装基板的所述第一主面，所述第一开关配置于所述安装基板的所述第二主面。
优选地，所述高频模块还具备：天线端子；以及天线开关，其对所述天线端子与所述多个发送用滤波器的连接状态进行切换，其中，在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述天线开关配置于所述安装基板中的相对于所述低噪声放大器而言与所述功率放大器相反一侧的位置。
优选地，所述高频模块还具备：多个接收用滤波器；以及第二开关，其对所述低噪声放大器与所述多个接收用滤波器的连接状态进行切换，其中，所述第二开关和所述低噪声放大器由单芯片构成。
优选地，所述功率放大器和所述输出匹配电路配置于所述安装基板的所述第一主面。
优选地，所述高频模块还具备控制所述功率放大器的控制器，所述控制器配置于所述安装基板的所述第二主面。
优选地，所述高频模块还具备设置于所述多个发送用滤波器的输出侧的滤波器，所述滤波器配置于所述安装基板的所述第一主面。
优选地，所述高频模块还具备：天线端子；以及天线开关，其对所述天线端子与所述多个发送用滤波器的连接状态进行切换；以及滤波器，其设置于所述天线端子与所述天线开关之间，其中，在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述天线开关与所述滤波器重叠。
优选地，在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第一开关的一部分与所述多个发送用滤波器中的至少1个发送用滤波器重叠。
优选地，所述高频模块还具备：天线端子；以及天线开关，其对所述天线端子与所述多个发送用滤波器的连接状态进行切换，其中，所述天线开关配置于所述安装基板的所述第二主面。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路对信号进行处理。
实用新型的效果
根据本实用新型的上述方式所涉及的高频模块和通信装置，能够使布线简单。
附图说明
图1是实施方式所涉及的高频模块的主视图。
图2是同上的高频模块的后视图。
图3是同上的高频模块中的图1的X1-X1线截面图。
图4是具备同上的高频模块的通信装置的电路图。
图5是实施方式的变形例1所涉及的高频模块的主视图。
图6是实施方式的变形例2所涉及的高频模块的主视图。
图7是实施方式的变形例3所涉及的高频模块的主视图。
图8是实施方式的变形例4所涉及的高频模块的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明实施方式所涉及的高频模块和通信装置。在下面的实施方式等中参照的图1～图3及图5～图8是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式)
(1)高频模块
参照附图来说明实施方式所涉及的高频模块的结构。
如图4所示，实施方式所涉及的高频模块1具备功率放大器21、低噪声放大器22、控制器23、多个发送用滤波器31、多个接收用滤波器32以及滤波器33。多个发送用滤波器31包括第一发送用滤波器34和第二发送用滤波器35。多个接收用滤波器32包括第一接收用滤波器36和第二接收用滤波器37。第一发送用滤波器34和第一接收用滤波器36构成第一双工器38。第二发送用滤波器35和第二接收用滤波器37构成第二双工器39。
另外，高频模块1具备多个(在图示例中为4个)匹配电路41和多个(在图示例中为3个)开关46。多个匹配电路41具备输出匹配电路42、第一匹配电路43、第二匹配电路44以及输入匹配电路45。多个开关46包括第一开关47、第二开关48以及天线开关49。第二开关48和低噪声放大器22作为接收用IC 24而由单芯片构成。
另外，如图1～图3所示，高频模块1具备安装基板5、多个外部连接端子6、第一树脂构件71以及第二树脂构件72。
如图4所示，高频模块1例如使用于通信装置8。通信装置8例如是如智能电话那样的便携式电话。此外，通信装置8不限定于是便携式电话，例如也可以是如智能手表那样的穿戴式终端等。
高频模块1进行第一通信频段的通信和第二通信频段的通信。更详细地说，高频模块1进行第一通信频段的发送信号(下面称为“第一发送信号”)的发送、第一通信频段的接收信号(下面称为“第一接收信号”)的接收。并且，高频模块1进行第二通信频段的发送信号(下面称为“第二发送信号”)的发送以及第二通信频段的接收信号(下面称为“第二接收信号”)的接收。
第一发送信号和第一接收信号例如是FDD(Frequency Division Duplex：频分双工)的信号。FDD是对无线通信中的发送和接收分配不同的频带来进行发送和接收的无线通信技术。此外，第一发送信号和第一接收信号不限定于FDD的信号，也可以是TDD(TimeDivision Duplex：时分双工)的信号。TDD是对无线通信中的发送和接收分配同一频带并按时间切换地进行发送和接收的无线通信技术。
第二发送信号和第二接收信号例如是FDD的信号。此外，第二发送信号和第二接收信号不限定于FDD的信号，也可以是TDD的信号。
(2)高频模块的电路结构
下面，参照图4来说明实施方式所涉及的高频模块1的电路结构。在此，说明第一发送信号及第一接收信号以及第二发送信号及第二接收信号是FDD的信号的情况。
(2.1)功率放大器
图4所示的功率放大器21是对第一发送信号的振幅和第二发送信号的振幅进行放大的放大器。功率放大器21设置于将天线端子61与输入端子62连结的第一发送路径T11和第二发送路径T21中的、输入端子62与输出匹配电路42之间。功率放大器21具有输入端子和输出端子，功率放大器21的输入端子经由输入端子62来与外部电路(例如信号处理电路82)连接。输入端子62是将来自外部电路的高频信号(第一发送信号和第二发送信号)输入到高频模块1的端子。功率放大器21的输出端子与输出匹配电路42连接。
(2.2)控制器
图4所示的控制器23控制功率放大器21。更详细地说，控制器23基于来自信号处理电路82的控制信号来控制功率放大器21。
(2.3)低噪声放大器
图4所示的低噪声放大器22是使第一接收信号的振幅和第二接收信号的振幅以低噪声放大的放大器。低噪声放大器22设置于第一接收路径T12和第二接收路径T22中的输入匹配电路45与输出端子63之间。低噪声放大器22具有输入端子和输出端子，低噪声放大器22的输入端子与输入匹配电路45连接。低噪声放大器22的输出端子经由输出端子63来与外部电路(例如信号处理电路82)连接。输出端子63是将来自低噪声放大器22的高频信号(第一接收信号和第二接收信号)向外部电路输出的端子。
(2.4)第一发送用滤波器
图4所示的第一发送用滤波器34是使第一发送信号通过的第一通信频段的发送用滤波器。更详细地说，第一发送用滤波器34设置于第一发送路径T11中的第一开关47与第一匹配电路43之间。第一发送用滤波器34使被功率放大器21放大后的高频信号中的第一通信频段的发送带的发送信号即第一发送信号通过。
(2.5)第二发送用滤波器
图4所示的第二发送用滤波器35是使第二发送信号通过的第二通信频段的发送用滤波器。更详细地说，第二发送用滤波器35设置于第二发送路径T21中的第一开关47与第二匹配电路44之间。第二发送用滤波器35使被功率放大器21放大后的高频信号中的第二通信频段的发送带的发送信号即第二发送信号通过。
(2.6)第一接收用滤波器
图4所示的第一接收用滤波器36是使第一接收信号通过的第一通信频段的接收用滤波器。更详细地说，第一接收用滤波器36设置于将天线端子61与输出端子63连结的第一接收路径T12中的第一匹配电路43与第二开关48之间。第一接收用滤波器36使从天线端子61输入的高频信号中的第一通信频段的接收带的接收信号即第一接收信号通过。
(2.7)第二接收用滤波器
图4所示的第二接收用滤波器37是使第二接收信号通过的第二通信频段的接收用滤波器。更详细地说，第二接收用滤波器37设置于将天线端子61与输出端子63连结的第二接收路径T22中的第二匹配电路44与第二开关48之间。第二接收用滤波器37使从天线端子61输入的高频信号中的第二通信频段的接收带的接收信号即第二接收信号通过。
(2.8)滤波器
图4所示的滤波器33设置于多个发送用滤波器31的输出侧和多个接收用滤波器32的输入侧，使发送信号(第一发送信号、第二发送信号)和接收信号(第一接收信号、第二接收信号)通过。更详细地说，滤波器33设置于天线端子61与天线开关49之间。滤波器33例如包括多个电感器和电容器。滤波器33也可以是包括多个电感器和电容器的IPD(IntegratedPassive Device：集成无源设备)。此外，滤波器33包含于三工器。
(2.9)输出匹配电路
图4所示的输出匹配电路42至少包括电感器(未图示)。输出匹配电路42连接于第一发送路径T11和第二发送路径T21中的功率放大器21与第一开关47之间。输出匹配电路42取得功率放大器21与第一发送用滤波器34之间的阻抗匹配以及功率放大器21与第二发送用滤波器35之间的阻抗匹配。
(2.10)第一匹配电路
图4所示的第一匹配电路43至少包括电感器(未图示)。第一匹配电路43设置于第一发送路径T11中的第一发送用滤波器34与天线开关49之间且第一接收路径T12中的天线开关49与第一接收用滤波器36之间。第一匹配电路43取得第一发送用滤波器34与滤波器33之间的阻抗匹配以及滤波器33与第一接收用滤波器36之间的阻抗匹配。
(2.11)第二匹配电路
图4所示的第二匹配电路44至少包括电感器(未图示)。第二匹配电路44设置于第二发送路径T21中的第二发送用滤波器35与第二开关48之间且第二接收路径T22中的第二开关48与第二接收用滤波器37之间。第二匹配电路44取得第二发送用滤波器35与滤波器33之间的阻抗匹配以及滤波器33与第二接收用滤波器37之间的阻抗匹配。
(2.12)输入匹配电路
图4所示的输入匹配电路45至少包括电感器(未图示)。输入匹配电路45设置于第一接收路径T12和第二接收路径T22中的天线开关49与低噪声放大器22之间。输入匹配电路45取得第一接收用滤波器36与低噪声放大器22之间的阻抗匹配以及第二接收用滤波器37与低噪声放大器22之间的阻抗匹配。
(2.13)第一开关
如图4所示，第一开关47是对功率放大器21与多个发送用滤波器31的连接状态进行切换的开关。
第一开关47具有公共端子471和多个(在图示例中为2个)选择端子472、473。公共端子471与输出匹配电路42连接。多个选择端子472、473中的选择端子472与第一发送用滤波器34连接，选择端子473与第二发送用滤波器35连接。
第一开关47对公共端子471与多个选择端子472、473的连接状态进行切换。更详细地说，第一开关47例如由信号处理电路82进行控制。第一开关47按照来自信号处理电路82的RF信号处理电路83的控制信号来使公共端子471与多个选择端子472、473中的至少1个选择端子电连接。
(2.14)第二开关
如图4所示，第二开关48是对低噪声放大器22与多个接收用滤波器32的连接状态进行切换的开关。
第二开关48具有公共端子481和多个(在图示例中为2个)选择端子482、483。公共端子481与输入匹配电路45连接。多个选择端子482、483中的选择端子482与第一接收用滤波器36连接，选择端子483与第二接收用滤波器37连接。
第二开关48对公共端子481与多个选择端子482、483的连接状态进行切换。更详细地说，第二开关48例如由信号处理电路82进行控制。第二开关48按照来自信号处理电路82的RF信号处理电路83的控制信号来使公共端子481与多个选择端子482、483中的至少1个选择端子电连接。
(2.15)天线开关
如图4所示，天线开关49是对天线端子61与多个发送用滤波器31的连接状态进行切换的开关。
天线开关49具有公共端子491和多个(在图示例中为2个)选择端子492、493。公共端子491与天线端子61连接。多个选择端子492、493中的选择端子492与第一匹配电路43连接，选择端子493与第一匹配电路43连接。选择端子492与第一匹配电路43连接，选择端子493与第二匹配电路44连接。在天线端子61上连接天线81。
天线开关49对公共端子491与多个选择端子492、493的连接状态进行切换。更详细地说，天线开关49例如由信号处理电路82进行控制。天线开关49按照来自信号处理电路82的RF信号处理电路83的控制信号来使公共端子491与多个选择端子492、493中的至少1个选择端子电连接。
(3)高频模块的构造
下面，参照附图来说明实施方式所涉及的高频模块1的构造。
如图1～图3所示，高频模块1具备安装基板5、多个外部连接端子6、第一树脂构件71以及第二树脂构件72。
高频模块1能够与外部基板(未图示)电连接。外部基板例如相当于便携式电话和通信设备等的主板。此外，高频模块1能够与外部基板电连接不仅包括高频模块1直接安装在外部基板上的情况，还包括高频模块1间接安装在外部基板上的情况。此外，高频模块1间接安装在外部基板上的情况是指高频模块1被安装于在外部基板上安装的其它高频模块上的情况等。
(3.1)安装基板
如图1～图3所示，安装基板5具有彼此相向的第一主面51和第二主面52。第一主面51和第二主面52在安装基板5的厚度方向D1上彼此相向。在高频模块1设置于外部基板(未图示)时，第二主面52与外部基板相向。安装基板5是在第一主面51和第二主面52分别安装有电路元件的双面安装基板。
安装基板5是多个电介质层层叠而成的多层基板。安装基板5具有多个导体图案部53和多个贯通电极54。多个导体图案部53包括被设定为地电位的导体图案部。多个贯通电极54使用于安装于第一主面51的电路元件与安装基板5的导体图案部53的电连接。另外，多个贯通电极54使用于安装于第一主面51的电路元件与安装于第二主面52的电路元件的电连接以及安装基板5的导体图案部53与外部连接端子6的电连接。
在安装基板5的第一主面51配置有功率放大器21、滤波器33、第一双工器38、第二双工器39、以及多个匹配电路41(输出匹配电路42、第一匹配电路43、第二匹配电路44、输入匹配电路45)。在安装基板5的第二主面52配置有接收用IC 24(低噪声放大器22、第二开关48)、控制器23、第一开关47以及天线开关49。并且，在安装基板5的第二主面52配置有多个外部连接端子6。
(3.2)功率放大器
如图1和图3所示，功率放大器21配置于安装基板5的第一主面51。在图1和图3的例子中，功率放大器21安装于安装基板5的第一主面51。此外，也可以是，功率放大器21的一部分安装于安装基板5的第一主面51，功率放大器21的剩余部分安装于安装基板5内。总之，功率放大器21配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。
(3.3)控制器
如图2和图3所示，控制器23配置于安装基板5的第二主面52。在图2和图3的例子中，控制器23安装于安装基板5的第二主面52。此外，也可以是，控制器23的一部分安装于安装基板5的第二主面52，控制器23的剩余部分安装于安装基板5内。总之，控制器23配置于安装基板5的比第一主面51靠第二主面52侧的位置，且至少具有安装于第二主面52的部分。
(3.4)第一双工器
如图1和图3所示，第一双工器38配置于安装基板5的第一主面51。在图1和图3的例子中，第一双工器38安装于安装基板5的第一主面51。此外，也可以是，第一双工器38的一部分安装于安装基板5的第一主面51，第一双工器38的剩余部分安装于安装基板5内。总之，第一双工器38配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。
第一双工器38中的第一发送用滤波器34例如是包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW(Surface AcousticWave：声表面波)滤波器。并且，第一发送用滤波器34也可以包括与多个串联臂谐振器中的任一个串联或并联地连接的电感器和电容器中的至少一方，还可以包括与多个并联臂谐振器中的任一个串联或并联地连接的电感器或电容器。
第一双工器38中的第一接收用滤波器36与第一发送用滤波器34同样地，例如是包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW滤波器。并且，第一接收用滤波器36也可以包括与多个串联臂谐振器中的任一个串联或并联地连接的电感器和电容器中的至少一方，还可以包括与多个并联臂谐振器中的任一个串联或并联地连接的电感器或电容器。
(3.5)第二双工器
如图1和图3所示，第二双工器39配置于安装基板5的第一主面51。在图1和图3的例子中，第二双工器39安装于安装基板5的第一主面51。此外，也可以是，第二双工器39的一部分安装于安装基板5的第一主面51，第二双工器39的剩余部分安装于安装基板5内。总之，第二双工器39配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。
第二双工器39中的第二发送用滤波器35例如是包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW滤波器。并且，第二发送用滤波器35也可以包括与多个串联臂谐振器中的任一个串联或并联地连接的电感器和电容器中的至少一方，还可以包括与多个并联臂谐振器中的任一个串联或并联地连接的电感器或电容器。
第二双工器39中的第二接收用滤波器37与第二发送用滤波器35同样地，例如是包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW滤波器。并且，第二接收用滤波器37也可以包括与多个串联臂谐振器中的任一个串联或并联地连接的电感器和电容器中的至少一方，还可以包括与多个并联臂谐振器中的任一个串联或并联地连接的电感器或电容器。
(3.6)滤波器
如图1和图3所示，滤波器33配置于安装基板5的第一主面51。在图1和图3的例子中，滤波器33安装于安装基板5的第一主面51。此外，也可以是，滤波器33的一部分安装于安装基板5的第一主面51，滤波器33的剩余部分安装于安装基板5内。总之，滤波器33配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。
(3.7)接收用IC
如图2和图3所示，接收用IC 24配置于安装基板5的第二主面52。换言之，低噪声放大器22和第二开关48配置于安装基板5的第二主面52。在图2和图3的例子中，接收用IC 24安装于安装基板5的第二主面52。此外，也可以是，接收用IC 24的一部分安装于安装基板5的第二主面52，接收用IC的剩余部分安装于安装基板5内。总之，接收用IC 24配置于安装基板5的比第一主面51靠第二主面52侧的位置，且至少具有安装于第二主面52的部分。
(3.8)输出匹配电路
如图1和图3所示，输出匹配电路42配置于安装基板5的第一主面51。输出匹配电路42的电感器(未图示)例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或安装于安装基板5内的导体图案部。在图1和图3的例子中，输出匹配电路42的电感器安装于安装基板5的第一主面51。此外，输出匹配电路42也可以既包括电感器也包括电容器(未图示)。电容器例如是包括安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或安装于安装基板5内且彼此相向的2个导体图案部的结构。总之，输出匹配电路42配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。
(3.9)第一匹配电路
如图1和图3所示，第一匹配电路43配置于安装基板5的第一主面51。第一匹配电路43的电感器(未图示)例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或安装于安装基板5内的导体图案部。在图1和图3的例子中，第一匹配电路43的电感器安装于安装基板5的第一主面51。此外，第一匹配电路43也可以既包括电感器也包括电容器(未图示)。电容器例如是包括安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或安装于安装基板5内且彼此相向的2个导体图案部的结构。总之，第一匹配电路43配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。
(3.10)第二匹配电路
如图1和图3所示，第二匹配电路44配置于安装基板5的第一主面51。第二匹配电路44的电感器(未图示)例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或安装于安装基板5内的导体图案部。在图1和图3的例子中，第二匹配电路44的电感器安装于安装基板5的第一主面51。此外，第二匹配电路44也可以既包括电感器也包括电容器(未图示)。电容器例如是包括安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或安装于安装基板5内且彼此相向的2个导体图案部的结构。总之，第二匹配电路44配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。
(3.11)输入匹配电路
如图1和图3所示，输入匹配电路45配置于安装基板5的第一主面51。输入匹配电路45的电感器(未图示)例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或安装于安装基板5内的导体图案部。在图1和图3的例子中，输入匹配电路45的电感器安装于安装基板5的第一主面51。此外，输入匹配电路45也可以既包括电感器也包括电容器(未图示)。电容器例如是包括安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或安装于安装基板5内且彼此相向的2个导体图案部的结构。总之，输入匹配电路45配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。
(3.12)第一开关
如图2和图3所示，第一开关47配置于安装基板5的第二主面52。在图2和图3的例子中，第一开关47安装于安装基板5的第二主面52。此外，也可以是，第一开关47的一部分安装于安装基板5的第二主面52，第一开关47的剩余部分安装于安装基板5内。总之，第一开关47配置于安装基板5的比第一主面51靠第二主面52侧的位置，且至少具有安装于第二主面52的部分。
(3.13)天线开关
如图2和图3所示，天线开关49配置于安装基板5的第二主面52。在图2和图3的例子中，天线开关49安装于安装基板5的第二主面52。此外，也可以是，天线开关49的一部分安装于安装基板5的第二主面52，天线开关49的剩余部分安装于安装基板5内。总之，天线开关49配置于安装基板5的比第一主面51靠第二主面52侧的位置，且至少具有安装于第二主面52的部分。
(3.14)外部连接端子
图2和图3所示的多个外部连接端子6是用于使安装基板5与外部基板(未图示)电连接的端子。多个外部连接端子6包括图4所示的天线端子61、输入端子62及输出端子63、以及多个地电极。
多个外部连接端子6配置于安装基板5的第二主面52。多个外部连接端子6是设置在安装基板5的第二主面52上的柱状(例如，圆柱状)的电极。多个外部连接端子6的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。多个外部连接端子6中的各外部连接端子6在安装基板5的厚度方向D1上具有与安装基板5的第二主面52接合的基端部以及与基端部相反一侧的前端部。多个外部连接端子6各自的前端部例如也可以包含镀金层。
在高频模块1中，从增加向主板(外部基板)安装高频模块1的安装性、增加高频模块1的地电极的数量的观点等出发，设置有多个外部连接端子6。
(3.15)第一树脂构件/第二树脂构件
如图3所示，第一树脂构件71设置于安装基板5的第一主面51，覆盖配置于第一主面51的电路元件和第一主面51。第一树脂构件71具有确保配置于第一主面51的电路元件的机械强度(耐撞击性)和耐湿性等的可靠性的功能。也就是说，第一树脂构件71具有保护配置于第一主面51的电路元件的功能。
如图3所示，第二树脂构件72设置于安装基板5的第二主面52，覆盖配置于第二主面52的电路元件和第二主面52。第二树脂构件72具有确保配置于第二主面52的电路元件的机械强度(耐撞击性)和耐湿性等的可靠性的功能。也就是说，第二树脂构件72具有保护配置于第二主面52的电路元件的功能。
(3.16)配置关系
如图1～图3所示，功率放大器21、输出匹配电路42、第一开关47以及多个发送用滤波器31以在与安装基板5的厚度方向D1正交的方向上按功率放大器21、输出匹配电路42、第一开关47以及多个发送用滤波器31的顺序排列的方式配置于安装基板5。更详细地说，功率放大器21、输出匹配电路42、第一开关47、第一双工器38、第一匹配电路43、天线开关49以及滤波器33以在与安装基板5的厚度方向D1正交的上述方向上按功率放大器21、输出匹配电路42、第一开关47、第一双工器38、第一匹配电路43、天线开关49以及滤波器33的顺序排列的方式配置于安装基板5。
在此，配置的基准是：在各元件中，在与安装基板5的厚度方向D1正交的上述方向上，以功率放大器21侧的端缘为基准。因而，“功率放大器21、第一开关47以及第一双工器38以在与安装基板5的厚度方向D1正交的方向上按功率放大器21、第一开关47以及第一双工器38的顺序排列的方式配置”是指：以使功率放大器21的端缘、第一开关47的端缘以及第一双工器38的端缘按此顺序定位的方式将功率放大器21、第一开关47以及第一双工器38排列配置。
由此，能够使功率放大器21、输出匹配电路42、第一开关47、第一双工器38、第一匹配电路43、天线开关49以及滤波器33的布线简单。也就是说，能够使第一发送路径T11简单。同样地，能够使功率放大器21、输出匹配电路42、第一开关47、第二双工器39、第二匹配电路44、天线开关49以及滤波器33的布线简单。也就是说，能够使第二发送路径T21简单。
另外，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，天线开关49配置于安装基板5中的相对于低噪声放大器22而言与功率放大器21相反一侧的位置。根据上述，能够使天线开关49与功率放大器21之间的距离长，因此能够在天线开关49中减少功率放大器21的干扰。
如图1～图3所示，功率放大器21、第一双工器38、第二双工器39、输出匹配电路42、第一匹配电路43、第二匹配电路44以及输入匹配电路45配置于安装基板5的第一主面51。另一方面，接收用IC 24(低噪声放大器22、第二开关48)、第一开关47以及天线开关49配置于安装基板5的第二主面52。
根据上述，与功率放大器及第一开关这两方配置于安装基板5的同一主面的情况相比，能够使功率放大器21和第一开关47的配置面积小。
并且，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，第一开关47的一部分与多个发送用滤波器31中的至少1个重叠。在图1的例子中，第一开关47的一部分与第一双工器38及第二双工器39重叠。
如图1～图3所示，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，天线开关49与滤波器33重叠。更详细地说，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，天线开关49的一部分与滤波器33的一部分重叠。此外，也可以是，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，天线开关49的一部分与滤波器33的全部重叠。或者，也可以是，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，天线开关49的全部与滤波器33的一部分或全部重叠。总之，只要在从安装基板5的厚度方向D1俯视时天线开关49的至少一部分与滤波器33的至少一部分重叠即可。
由此，能够使天线开关49与滤波器33之间的布线长度短，因此能够减少布线带来的损耗。另外，与天线开关及滤波器配置于安装基板的同一主面的情况相比，能够使从安装基板5的厚度方向D1俯视时的天线开关49和滤波器33的配置面积小。
如图1～图3所示，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，接收用IC 24(低噪声放大器22、第二开关48)的一部分与输入匹配电路45的全部重叠。此外，也可以是，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，接收用IC 24的一部分与输入匹配电路45的一部分重叠。或者，也可以是，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，接收用IC 24的全部与输入匹配电路45的一部分或全部重叠。总之，只要在从安装基板5的厚度方向D1俯视时接收用IC 24的至少一部分与输入匹配电路45的至少一部分重叠即可。
由此，能够使接收用IC 24(低噪声放大器22、第二开关48)与输入匹配电路45之间的布线长度短，因此能够减少布线带来的损耗。另外，与接收用IC及输入匹配电路配置于安装基板的同一主面的情况相比，能够使从安装基板5的厚度方向D1俯视时的接收用IC 24和输入匹配电路45的配置面积小。
另外，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，安装基板5呈直角四边形形状，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，安装基板5具有4个区域R1。4个区域R1是在相互正交的长边方向D2(第一方向)和短边方向D3(第二方向)上各分割2个而形成的。4个区域R1包括第一区域R11、第二区域R12、第三区域R13以及第四区域R14。第一区域R11和第二区域R12位于互为对角的位置。
在如上所述的安装基板5中，功率放大器21设置于第一区域R11。另一方面，低噪声放大器22设置于第四区域R14。根据上述，能够减少在功率放大器21中产生的谐波失真。
(4)高频模块的各结构要素的详细构造
(4.1)安装基板
图1～图3所示的安装基板5例如是印刷电路板、LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics：低温共烧陶瓷)基板等。在此，安装基板5例如是包括多个电介质层和多个导体图案部53的多层基板。多个电介质层和多个导体图案部53在安装基板5的厚度方向D1上层叠。多个导体图案部53分别形成为规定图案。多个导体图案部53中的各导体图案部在与安装基板5的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导体图案部53的材料例如是铜。
安装基板5的第一主面51和第二主面52在安装基板5的厚度方向D1上分离，与安装基板5的厚度方向D1交叉。安装基板5的第一主面51例如与安装基板5的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板5的第二主面52例如与安装基板5的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板5的第一主面51和第二主面52也可以形成有细微的凹凸或凹部或凸部。
(4.2)双工器
说明图1～3所示的第一双工器38和第二双工器39的详细构造。在下面的说明中，将第一双工器38和第二双工器39作为双工器而不进行区分。
双工器是单芯片的滤波器。在此，在双工器中，例如，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器分别由弹性波谐振器构成。在该情况下，双工器例如具备基板、压电体层以及多个IDT电极(Interdigital Transducer：叉指换能器)。基板具有第一面和第二面。压电体层设置于基板的第一面。压电体层设置在低声速膜上。多个IDT电极设置在压电体层上。在此，低声速膜直接或间接地设置在基板上。另外，压电体层直接或间接地设置在低声速膜上。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。在基板中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。压电体层的材料例如是钽酸锂。低声速膜的材料例如是氧化硅。基板例如是硅基板。例如，在将由IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。低声速膜的厚度例如为2.0λ以下。
压电体层例如只要由钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝以及锆钛酸铅中的任一个形成即可。另外，低声速膜只要包含从由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、在氧化硅中添加氟或碳或硼而得到的化合物构成的组中选择的至少1种材料即可。另外，基板只要包含从由硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少1种材料即可。
双工器例如还具备间隔层和罩构件。间隔层和罩构件设置于基板的第一面。在从基板的厚度方向俯视时，间隔层包围多个IDT电极。在从基板的厚度方向俯视时，间隔层呈框状(矩形框状)。间隔层具有电绝缘性。间隔层的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。罩构件呈平板状。在从基板的厚度方向俯视时，罩构件呈长方形状，但是不限于此，例如也可以呈正方形状。在滤波器中，在从基板的厚度方向俯视时，罩构件的外形尺寸与间隔层的外形尺寸大致相同。罩构件以在基板的厚度方向上与基板相向的方式配置于间隔层。罩构件在基板的厚度方向上与多个IDT电极重叠，并且在基板的厚度方向上与多个IDT电极分离。罩构件具有电绝缘性。罩构件的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。滤波器具有由基板、间隔层以及罩构件包围出的空间。在滤波器中，气体进入空间。气体例如是空气、非活性气体(例如，氮气)等。多个端子从罩构件暴露出来。多个端子中的各端子例如是凸块。各凸块例如是焊锡凸块。各凸块不限于焊锡凸块，例如也可以是金凸块。
双工器例如也可以包括插入安装在低声速膜与压电体层之间的贴合层。贴合层例如由树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)形成。另外，双工器也可以在低声速膜与压电体层之间、压电体层上、以及低声速膜下中的任一处具备电介质膜。
另外，双工器例如也可以具备插入安装在基板与低声速膜之间的高声速膜。在此，高声速膜直接或间接地设置在基板上。低声速膜直接或间接地设置在高声速膜上。压电体层直接或间接地设置在低声速膜上。在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。
高声速膜由类金刚石、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、镁、金刚石、或者以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料形成。
关于高声速膜的厚度，由于高声速膜具有将弹性波限制在压电体层和低声速膜中的功能，因此高声速膜的厚度越厚则越理想。压电体基板也可以具有贴合层、电介质膜等来作为除高声速膜、低声速膜以及压电体层以外的其它膜。
多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器不限于上述的弹性波谐振器，例如也可以是SAW谐振器或BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)谐振器。在此，SAW谐振器例如包括压电体基板以及设置在压电体基板上的IDT电极。关于滤波器，在利用SAW谐振器构成多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器的情况下，在1个压电体基板上具有与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT电极以及与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。压电体基板例如是钽酸锂基板、铌酸锂基板等。
(4.3)开关
说明图1～图3所示的第一开关47、第二开关48以及天线开关49的详细构造。在下面的说明中，将第一开关47、第二开关48以及天线开关49作为开关而不进行区分。
开关是开关IC。更详细地说，开关例如是具备基板和开关功能部的单芯片的IC。基板具有彼此相向的第一面和第二面。基板例如是硅基板。开关功能部包括形成于基板的第一面的FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)。开关功能部是具有切换连接状态的功能的功能部。开关以使基板的第一面为安装基板5侧的方式倒装芯片安装于安装基板5的第一主面51或第二主面52。在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，开关的外周形状呈四边形形状。
(4.4)功率放大器
图1和图3所示的功率放大器21例如是具备基板和放大功能部的单芯片的IC。基板具有彼此相向的第一面和第二面。基板例如是砷化镓基板。放大功能部包括形成于基板的第一面的至少1个晶体管。放大功能部是具有对规定频带的发送信号进行放大的功能的功能部。晶体管例如是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极晶体管)。在功率放大器21中，来自控制器23的电源电压被施加于HBT的集电极-发射极之间。功率放大器21也可以除了包括放大功能部以外还包括例如直流截止用的电容器。功率放大器21例如以使基板的第一面为安装基板5的第一主面51侧的方式倒装芯片安装于安装基板5的第一主面51。在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，功率放大器21的外周形状呈四边形形状。
(4.5)低噪声放大器
说明图2和图3所示的低噪声放大器22的构造的详情。
低噪声放大器22例如是具备基板和放大功能部的1个IC芯片。基板具有彼此相向的第一面和第二面。基板例如是硅基板。放大功能部形成于基板的第一面。放大功能部是具有对规定频带的接收信号进行放大的功能的功能部。低噪声放大器22例如以使基板的第一面为安装基板5侧的方式倒装芯片安装于安装基板5。在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，低噪声放大器22的外周形状呈四边形形状。
(5)通信装置
如图4所示，通信装置8具备高频模块1、天线81以及信号处理电路82。
天线81与高频模块1的天线端子61连接。天线81具有将从高频模块1输出的第一发送信号和第二发送信号以电波形式进行辐射的发送功能以及将第一接收信号和第二接收信号以电波形式从外部接收后输出到高频模块1的接收功能。
信号处理电路82包括RF信号处理电路83和基带信号处理电路84。信号处理电路82对第一发送信号及第一接收信号以及第二发送信号及第二接收信号进行处理。
RF信号处理电路83例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。
RF信号处理电路83对从基带信号处理电路84输出的高频信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到高频模块1。具体地说，RF信号处理电路83对从基带信号处理电路84输出的第一发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的第一发送信号输出到高频模块1的第一发送路径T11。另外，RF信号处理电路83对从基带信号处理电路84输出的第二发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的第二发送信号输出到高频模块1的第二发送路径T21。
RF信号处理电路83对从高频模块1输出的高频信号进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到基带信号处理电路84。具体地说，RF信号处理电路83对从高频模块1的第一接收路径T12输出的第一接收信号进行信号处理，并将进行了信号处理的第一接收信号输出到基带信号处理电路84。另外，RF信号处理电路83对从高频模块1的第二接收路径T22输出的第二接收信号进行信号处理，并将进行了信号处理的第二接收信号输出到基带信号处理电路84。
基带信号处理电路84例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)，对来自信号处理电路82的外部的发送信号进行规定的信号处理。由基带信号处理电路84处理后的接收信号例如被用作用于图像显示的图像信号、或者被用作用于通话的声音信号。
另外，RF信号处理电路83还具有作为基于所使用的通信频段(频带)来控制高频模块1所具有的第一开关47、第二开关48以及天线开关49的连接的控制部的功能。具体地说，RF信号处理电路83通过控制信号(未图示)来切换高频模块1的第一开关47、第二开关48以及天线开关49的连接。此外，控制部也可以设置于RF信号处理电路83的外部，例如也可以设置于高频模块1或基带信号处理电路84。
(6)效果
在实施方式所涉及的高频模块1中，功率放大器21、输出匹配电路42、第一开关47以及多个发送用滤波器31以在与安装基板5的厚度方向D1正交的方向上按此顺序排列的方式配置于安装基板5。由此，功率放大器21、输出匹配电路42、第一开关47以及多个发送用滤波器31按第一发送信号和第二发送信号(发送信号)通过的顺序进行配置，因此能够使布线简单。
在实施方式所涉及的高频模块1中，功率放大器21配置于安装基板5的第一主面51，并且，第一开关47配置于安装基板5的第二主面52。由此，与功率放大器21及第一开关47这两方配置于安装基板5的同一主面的情况相比，能够使功率放大器21和第一开关47的配置面积小。
在实施方式所涉及的高频模块1中，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，对天线端子61与多个发送用滤波器31的连接状态进行切换的天线开关49配置于安装基板5中的相对于低噪声放大器22而言与功率放大器21相反一侧的位置。由此，能够使天线开关49与功率放大器21之间的距离长，因此能够在天线开关49中减少功率放大器21的干扰。
在实施方式所涉及的高频模块1中，对低噪声放大器22与多个接收用滤波器32的连接状态进行切换的第二开关48和低噪声放大器22由单芯片构成。由此，与第二开关及低噪声放大器为不同个体的情况相比，能够使第二开关48和低噪声放大器22的配置面积小。
(7)变形例
下面，说明实施方式的变形例。
作为实施方式的变形例1，也可以是，在高频模块1a中，如图5所示，滤波器33配置于安装基板5的第二主面52，天线开关49配置于安装基板5的第一主面51。
作为实施方式的变形例2，也可以是，在高频模块1b中，如图6所示，滤波器33和天线开关49这两方配置于安装基板5的第二主面52。
作为实施方式的变形例3，也可以是，在高频模块1c中，如图7所示，滤波器33和天线开关49这两方配置于安装基板5的第一主面51。
在变形例1、3所涉及的高频模块1a、1c中，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，具有在安装基板5的长边方向D2上分割得到的第一区域R21和第二区域R22。功率放大器21设置于第一区域R21。接收用IC 24(低噪声放大器22、第二开关48)和天线开关49设置于第二区域R22。
作为实施方式的变形例4，也可以是，高频模块1d具备如图8所示的多个外部连接端子6d来代替多个外部连接端子6(参照图3)。
多个外部连接端子6d不是柱状电极，而是具有凸块构造。多个外部连接端子6d配置于安装基板5的第二主面52。在变形例4所涉及的高频模块1d中，省略了第二树脂构件72(参照图3)。
在实施方式中，第一双工器38和第二双工器39例如是声表面波滤波器。但是，作为实施方式的其它变形例，第一双工器38和第二双工器39不限定于声表面波滤波器，也可以是声表面波滤波器以外的双工器。第一双工器38和第二双工器39例如也可以是使用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一个。
在上述的各变形例所涉及的高频模块中，也起到与实施方式所涉及的高频模块1同样的效果。
以上说明的实施方式和变形例不过是本实用新型的各种实施方式和变形例的一部分。另外，实施方式和变形例只要能够实现本实用新型的目的，则能够根据设计等来进行各种变更。
(方式)
本说明书公开了以下的方式。
第1方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)具备安装基板(5)、功率放大器(21)、多个发送用滤波器(31)、第一开关(47)、输出匹配电路(42)、低噪声放大器(22)以及外部连接端子(6)。安装基板(5)具有彼此相向的第一主面(51)和第二主面(52)。第一开关(47)对功率放大器(21)与多个发送用滤波器(31)的连接状态进行切换。输出匹配电路(42)连接于功率放大器(21)与第一开关(47)之间。低噪声放大器(22)配置于安装基板(5)的第二主面(52)。外部连接端子(6)配置于安装基板(5)的第二主面(52)。功率放大器(21)、输出匹配电路(42)、第一开关(47)以及多个发送用滤波器(31)以在与安装基板(5)的厚度方向(D1)正交的方向上按功率放大器(21)、输出匹配电路(42)、第一开关(47)以及多个发送用滤波器(31)的顺序排列的方式配置于安装基板(5)。
根据第1方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)，功率放大器(21)、输出匹配电路(42)、第一开关(47)以及多个发送用滤波器(31)按发送信号(第一发送信号和第二发送信号)通过的顺序进行配置，因此能够使布线简单。
在第2方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)中，在第1方式中，功率放大器(21)配置于安装基板(5)的第一主面(51)。第一开关(47)配置于安装基板(5)的第二主面(52)。
根据第2方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)，与功率放大器及第一开关这两方配置于安装基板的同一主面的情况相比，能够使功率放大器(21)和第一开关(47)的配置面积小。
第3方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)如下：在第1方式或第2方式中，还具备天线端子(61)和天线开关(49)。天线开关(49)对天线端子(61)与多个发送用滤波器(31)的连接状态进行切换。在从安装基板(5)的厚度方向(D1)俯视时，天线开关(49)配置于安装基板(5)中的相对于低噪声放大器(22)而言与功率放大器(21)相反一侧的位置。
在第3方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)中，在从安装基板(5)的厚度方向(D1)俯视时，对天线端子(61)与多个发送用滤波器(31)的连接状态进行切换的天线开关(49)配置于安装基板(5)中的相对于低噪声放大器(22)而言与功率放大器(21)相反一侧的位置。由此，能够使天线开关(49)与功率放大器(21)之间的距离长，因此能够在天线开关(49)中减少功率放大器(21)的干扰。
第4方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)如下：在第1方式～第3方式中的任一个方式中，还具备多个接收用滤波器(32)和第二开关(48)。第二开关(48)对低噪声放大器(22)与多个接收用滤波器(32)的连接状态进行切换。第二开关(48)和低噪声放大器(22)由单芯片构成。
根据第4方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)，与第二开关及低噪声放大器为不同个体的情况相比，能够使第二开关(48)和低噪声放大器(22)的配置面积小。
在第5方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)中，在第1方式～第4方式中的任一个方式中，功率放大器(21)和输出匹配电路(42)配置于安装基板(5)的第一主面(51)。
第6方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)如下：在第1方式～第5方式中的任一个方式中，还具备控制器(23)。控制器(23)控制功率放大器(21)。控制器(23)配置于安装基板(5)的第二主面(52)。
第7方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)如下：在第1方式～第6方式中的任一个方式中，还具备滤波器(33)。滤波器(33)设置于多个发送用滤波器(31)的输出侧。滤波器(33)配置于安装基板(5)的第二主面(52)。
第8方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)如下：在第1方式～第6方式中的任一个方式中，还具备天线端子(61)、天线开关(49)以及滤波器(33)。天线开关(49)对天线端子(61)与多个发送用滤波器(31)的连接状态进行切换。滤波器(33)设置于天线端子(61)与天线开关(49)之间。在从安装基板(5)的厚度方向(D1)俯视时，天线开关(49)与滤波器(33)重叠。
在第9方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)中，在第1方式～第8方式中的任一个方式中，在从安装基板(5)的厚度方向(D1)俯视时，第一开关(47)的一部分与多个发送用滤波器(31)中的至少1个重叠。
第10方式所涉及的高频模块(1；1a～1d)如下：在第1方式～第9方式中的任一个方式中，还具备天线端子(61)和天线开关(49)。天线开关(49)对天线端子(61)与多个发送用滤波器(31)的连接状态进行切换。天线开关(49)配置于安装基板(5)的第二主面(52)。
第11方式所涉及的通信装置(8)具备第1方式～第10方式中的任一个方式的高频模块(1；1a～1d)以及信号处理电路(82)。信号处理电路(82)对信号(第一发送信号、第二发送信号、第一接收信号、第二接收信号)进行处理。
根据第11方式所涉及的通信装置(8)，在高频模块中，功率放大器(21)、输出匹配电路(42)、第一开关(47)以及多个发送用滤波器(31)按发送信号(第一发送信号、第二发送信号)通过的顺序进行配置，因此能够使布线简单。

Claims (11)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
功率放大器；
多个发送用滤波器；
第一开关，其对所述功率放大器与所述多个发送用滤波器的连接状态进行切换；
输出匹配电路，其连接于所述功率放大器与所述第一开关之间；
低噪声放大器，其配置于所述安装基板的所述第二主面；以及
外部连接端子，其配置于所述安装基板的所述第二主面，
其中，所述功率放大器、所述输出匹配电路、所述第一开关以及所述多个发送用滤波器以在与所述安装基板的厚度方向正交的方向上按所述功率放大器、所述输出匹配电路、所述第一开关以及所述多个发送用滤波器的顺序排列的方式配置于所述安装基板。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述功率放大器配置于所述安装基板的所述第一主面，
所述第一开关配置于所述安装基板的所述第二主面。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，还具备：
天线端子；以及
天线开关，其对所述天线端子与所述多个发送用滤波器的连接状态进行切换，
其中，在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述天线开关配置于所述安装基板中的相对于所述低噪声放大器而言与所述功率放大器相反一侧的位置。
4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，还具备：
多个接收用滤波器；以及
第二开关，其对所述低噪声放大器与所述多个接收用滤波器的连接状态进行切换，
其中，所述第二开关和所述低噪声放大器由单芯片构成。
5.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述功率放大器和所述输出匹配电路配置于所述安装基板的所述第一主面。
6.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备控制所述功率放大器的控制器，
所述控制器配置于所述安装基板的所述第二主面。
7.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备设置于所述多个发送用滤波器的输出侧的滤波器，
所述滤波器配置于所述安装基板的所述第一主面。
8.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，还具备：
天线端子；以及
天线开关，其对所述天线端子与所述多个发送用滤波器的连接状态进行切换；以及
滤波器，其设置于所述天线端子与所述天线开关之间，
其中，在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述天线开关与所述滤波器重叠。
9.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第一开关的一部分与所述多个发送用滤波器中的至少1个发送用滤波器重叠。
10.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，还具备：
天线端子；以及
天线开关，其对所述天线端子与所述多个发送用滤波器的连接状态进行切换，
其中，所述天线开关配置于所述安装基板的所述第二主面。
11.一种通信装置，其特征在于，具备：
根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块；以及
对信号进行处理的信号处理电路。
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