WO2022209757A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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智美 安田
俊介 木戸
雅則 加藤
孝紀 上嶋
正也 三浦
成 森戸
幸哉 山口
琢真 黒▲柳▼
裕基 福田
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Definitions

  • the RFIC 3 is an RF signal processing circuit that processes high frequency signals transmitted and received by the antennas 2A and 2B. Specifically, the RFIC 3 performs signal processing such as down-conversion on the received signal input via the receiving path of the high-frequency module 1 , and outputs the received signal generated by the signal processing to the BBIC 4 . The RFIC 3 also outputs a high-frequency transmission signal processed based on the signal input from the BBIC 4 to the transmission path of the high-frequency module 1 .
  • the RFIC 3 controls connection of the switches 30, 31 and 32 of the high frequency module 1 based on whether the high frequency module 1 is used for transmission or reception and the communication band (frequency band) used. It has a function as a control unit that Specifically, the RFIC 3 switches the connections of the switches 30, 31 and 32 of the high frequency module 1 according to a control signal (not shown).
  • the controller may be provided outside the RFIC 3, for example, in the high frequency module 1 or the BBIC 4.
  • the RFIC 3 also functions as a control section that controls the gains of the power amplifiers 61 and 62 of the high frequency module 1 and the power supply voltage Vcc and bias voltage Vbias supplied to the power amplifiers 61 and 62 .
  • the high frequency module 1 includes antenna connection terminals 110 and 120, a switch 30, and high frequency circuits 10 and 20.
  • the switch 32 has a common terminal and two selection terminals. A common terminal of the switch 32 is connected to the filter 12 . One selection terminal of switch 32 is connected to low noise amplifier 52 via matching circuit 43 , and the other selection terminal of switch 32 is connected to power amplifier 62 via matching circuit 44 . That is, the switch 32 is a TDD switch that switches the connection between the filter 12 and the low noise amplifier 52 and the connection between the filter 12 and the power amplifier 62 .
  • the switch 32 is composed of, for example, an SPDT type switch circuit.
  • the hybrid filter 21 is an example of a second hybrid filter, and is a filter including one or more second acoustic wave resonators, one or more second inductors, and one or more second capacitors.
  • One terminal of hybrid filter 21 is connected to selection terminal 30 e , and the other terminal is connected to low noise amplifier 53 via matching circuit 45 . Note that the hybrid filter 21 is not connected to the power amplifier.
  • the filter 22 is an example of a second filter, and is a filter including one or more fourth elastic wave resonators and one or more fifth inductors.
  • One terminal of the filter 22 is connected to the selection terminal 30 f and the other terminal is connected to the low noise amplifier 54 via the matching circuit 46 . Note that the filter 22 is not connected to the power amplifier.
  • the inductor L4 and capacitor C4 form an LC parallel resonance circuit.
  • a series connection circuit of elastic wave resonator P5 and inductor L5 is arranged between a node on a path connecting input/output terminal 103 and the LC parallel resonance circuit and the ground.
  • a series connection circuit of elastic wave resonator P6 and inductor L6 is arranged between a node on a path connecting input/output terminal 104 and the LC parallel resonance circuit and the ground.
  • the elastic wave resonators P5 and P6 form the elastic wave resonator A2 and are integrated into one chip, for example.
  • the hybrid filter 21 can secure a wide passband that cannot be achieved with an elastic wave resonator by using the LC circuit, and can secure a steep attenuation slope that cannot be achieved by an LC circuit by using the elastic wave resonator.
  • the passbands of the hybrid filters 11 and 21 include, for example, n77 of 5G-NR, and the passbands of the filters 12 and 22 include, for example, n79 of 5G-NR.
  • the wiring that connects each circuit component shown in FIG. 3A may be a bonding wire whose both ends are bonded to either the main surfaces 80a, 80b or the circuit parts constituting the high-frequency module 1A. It may be a formed terminal, electrode or wiring.
  • the circuit element formed inside the module substrate 80 may be either an acoustic wave resonator or a capacitor.
  • the first elastic wave resonator, the first inductor, and the first capacitor are arranged either inside the main surface 80a or the module substrate 80. may have been
  • the hybrid filter 21 and the low-noise amplifier 53 can be connected mainly through the via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the hybrid filter 21 and the low noise amplifier 53 can be shortened, and the transmission loss of the reception signal of the first communication band can be reduced.
  • the power amplifier 61, the third inductor, and the hybrid filter 11, which constitute the transmission path for transmitting the transmission signal of the first communication band, are arranged in this order counterclockwise around the reference point R1. be. Therefore, since the transmission path for transmitting the transmission signal of the first communication band can be shortened, the transmission loss of the high-output transmission signal of the first communication band can be reduced, and the power consumption can be reduced.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as mobile phones as a high-frequency module and communication device that can be applied to multiband systems.

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Abstract

高周波モジュール（１）は、互いに対向する主面（８０ａおよび８０ｂ）を有するモジュール基板（８０）と、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有するハイブリッドフィルタ（１１）と、第１高周波部品と、を備え、ハイブリッドフィルタ（１１）の通過帯域幅は、第１弾性波共振子の共振帯域幅よりも大きく、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタのうちの１つは主面（８０ａ）に配置されており、第１高周波部品は主面（８０ｂ）に配置されている。

Description

高周波モジュールおよび通信装置
　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
　特許文献１には、弾性共振器（弾性波共振子）、インダクタおよびキャパシタを含むハイブリッド弾性ＬＣフィルタが開示されている。これによれば、相対的に広い通過帯域を実現でき、さらには厳格な帯域外阻止仕様を満たすことができるとしている。
特開２０２０－１４２０４号公報
　しかしながら、特許文献１に開示されたハイブリッド弾性ＬＣフィルタは、弾性波共振子、インダクタおよびキャパシタが組み合わされたフィルタであるため部品点数が多い。このため、ハイブリッド弾性ＬＣフィルタを１つの回路部品として含む高周波モジュールが大型化してしまうという問題がある。
　そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、弾性波共振子、インダクタおよびキャパシタが組み合わされたハイブリッドフィルタを含む、小型の高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有する基板と、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有する第１ハイブリッドフィルタと、第１高周波部品と、を備え、第１ハイブリッドフィルタの通過帯域幅は、第１弾性波共振子の共振帯域幅よりも大きく、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタのうちの１つは、第１主面に配置されており、第１高周波部品は、第２主面に配置されている。
　本発明によれば、弾性波共振子、インダクタおよびキャパシタが組み合わされたハイブリッドフィルタを含む、小型の高周波モジュールおよび通信装置を提供することができる。
図１は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 図２Ａは、実施の形態に係る第１ハイブリッドフィルタの回路構成の一例を示す図である。 図２Ｂは、実施の形態に係る第２ハイブリッドフィルタの回路構成の一例を示す図である。 図３Ａは、実施例に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図３Ｂは、実施例に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図３Ｃは、変形例に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
　また、以下において、「Ａが基板の第１主面に配置されている」とは、Ａが第１主面上に直接実装されているだけでなく、基板で隔された第１主面側の空間および第２主面側の空間のうち、Ａが第１主面側の空間に配置されていることを意味する。つまり、Ａが第１主面上に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。
　また、以下において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路部品を介して電気的に接続される場合も含む。また、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。
　以下の各図において、ｘ軸およびｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
　また、本開示のモジュール構成において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、および、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。
　また、以下において、基板に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「基板（または基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つがＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。
　また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
　（実施の形態）
　［１．実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２Ａおよび２Ｂと、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２Ａおよび２Ｂで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された信号に基づいて処理された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝送する高周波信号よりも低い周波数の信号を用いてデータ処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
　また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が送信および受信のいずれに使用されるか、および、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ３０、３１および３２の接続を制御する制御部としての機能を有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ３０、３１および３２の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
　また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有する電力増幅器６１および６２の利得、電力増幅器６１および６２に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御する制御部としての機能も有する。
　アンテナ２Ａは、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１１０に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。アンテナ２Ｂは、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１２０に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２Ａ、２ＢおよびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
　図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１１０および１２０と、スイッチ３０と、高周波回路１０および２０と、を備える。
　アンテナ接続端子１１０はアンテナ２Ａに接続される第１アンテナ共通端子であり、アンテナ接続端子１２０はアンテナ２Ｂに接続される第２アンテナ共通端子である。
　スイッチ３０は、第１スイッチの一例であり、共通端子３０ａおよび３０ｂと、選択端子３０ｃ、３０ｄ、３０ｅおよび３０ｆを有し、共通端子３０ａと選択端子３０ｃ～３０ｆの少なくとも１つとの接続および非接続を切り替え、共通端子３０ｂと、選択端子３０ｃ～３０ｆの少なくとも１つとの接続および非接続を切り替える。共通端子３０ａはアンテナ接続端子１１０に接続されている。共通端子３０ｂはアンテナ接続端子１２０に接続されている。選択端子３０ｃはハイブリッドフィルタ１１に接続されている。選択端子３０ｄはフィルタ１２に接続されている。選択端子３０ｅはハイブリッドフィルタ２１に接続されている。選択端子３０ｆはフィルタ２２に接続されている。スイッチ３０は、ハイブリッドフィルタ１１とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替え、ハイブリッドフィルタ１１とアンテナ接続端子１２０との接続および非接続を切り替える。また、スイッチ３０は、フィルタ１２とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替え、フィルタ１２とアンテナ接続端子１２０との接続および非接続を切り替える。また、スイッチ３０は、ハイブリッドフィルタ２１とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替え、ハイブリッドフィルタ２１とアンテナ接続端子１２０との接続および非接続を切り替える。また、スイッチ３０は、フィルタ２２とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替え、フィルタ２２とアンテナ接続端子１２０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ３０の上記接続構成によれば、通信装置５は、アンテナ２Ａをハイブリッドフィルタ１１および２１、フィルタ１２および２２の少なくとも１つと接続することが可能であり、また、アンテナ２Ｂをハイブリッドフィルタ１１および２１、フィルタ１２および２２の少なくとも１つと接続することが可能である。
　高周波回路１０は、受信出力端子１３０および１５０と、送信入力端子１４０および１６０と、ハイブリッドフィルタ１１と、フィルタ１２と、スイッチ３１および３２と、整合回路４１、４２、４３および４４と、低雑音増幅器５１および５２と、電力増幅器６１および６２と、を備える。
　ハイブリッドフィルタ１１は、第１ハイブリッドフィルタの一例であり、１以上の第１弾性波共振子と、１以上の第１インダクタと、１以上の第１キャパシタと、を備えたフィルタである。ハイブリッドフィルタ１１の一方の端子は選択端子３０ｃに接続され、他方の端子はスイッチ３１に接続されている。
　フィルタ１２は、第１フィルタの一例であり、１以上の第３弾性波共振子と、１以上の第４インダクタと、を備えたフィルタである。フィルタ１２の一方の端子は選択端子３０ｄに接続され、他方の端子はスイッチ３２に接続されている。
　なお、第１弾性波共振子および第３弾性波素子は、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波共振子、または、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波共振子である。
　図２Ａは、実施の形態に係るハイブリッドフィルタ１１の回路構成の一例を示す図である。同図に示すように、ハイブリッドフィルタ１１は、弾性波共振子Ｐ１およびＰ２と、キャパシタＣ３と、インダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３と、を備える。弾性波共振子Ｐ１およびＰ２のそれぞれは第１弾性波共振子の一例であり、インダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３のそれぞれは第１インダクタの一例であり、キャパシタＣ３は第１キャパシタの一例である。
　インダクタＬ３とキャパシタＣ３とは、ＬＣ並列共振回路を構成している。弾性波共振子Ｐ１とインダクタＬ１との直列接続回路は、入出力端子１０１と上記ＬＣ並列共振回路とを結ぶ経路上のノードとグランドとの間に配置されている。弾性波共振子Ｐ２とインダクタＬ２との直列接続回路は、入出力端子１０２と上記ＬＣ並列共振回路とを結ぶ経路上のノードとグランドとの間に配置されている。弾性波共振子Ｐ１およびＰ２は、弾性波共振器Ａ１を形成しており、例えば、１チップ化されている。なお、複数の弾性波共振子が１チップ化されているとは、複数の弾性波共振子が１枚の圧電基板上に形成されている、または、複数の弾性波共振子が１つのパッケージ内に含まれていることと定義される。
　上記構成において、インダクタＬ３およびキャパシタＣ３からなるＬＣ並列共振回路の共振周波数と弾性波共振子Ｐ１およびＰ２の共振周波数および反共振周波数とを調整することにより、ハイブリッドフィルタ１１の通過帯域および減衰帯域が形成される。インダクタＬ３およびキャパシタＣ３からなるＬＣ並列共振回路により、ハイブリッドフィルタ１１の通過帯域が形成され、弾性波共振子Ｐ１およびＰ２により減衰極が形成される。
　つまり、ハイブリッドフィルタ１１は、ＬＣ回路により弾性波共振子では実現できない広い通過帯域を確保でき、弾性波共振子によりＬＣ回路では実現できない急峻な減衰スロープを確保できる。
　この観点から、ハイブリッドフィルタ１１の通過帯域幅は、弾性波共振子Ｐ１およびＰ２の共振帯域幅よりも大きい。
　なお、本実施の形態において、弾性波共振子の共振帯域幅とは、当該弾性波共振子の反共振周波数と共振周波数との差と定義される。また、比共振帯域幅は、上記共振帯域幅を反共振周波数および共振周波数の中間値で割った比率と定義される。一般的なＳＡＷ共振子およびＢＡＷ共振子は、０．１～１０ＧＨｚの周波数帯で、３～４％の比共振帯域幅を有することが知られている。
　なお、フィルタ１２は、キャパシタを備えていなくてもよく、フィルタ１２の通過帯域幅は、第３弾性波共振子の共振帯域幅以下であってもよい。
　図１に戻って高周波回路１０の回路部品の説明をする。
　低雑音増幅器５１は、第１低雑音増幅器の一例であり、第１通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１３０へ出力する増幅器である。低雑音増幅器５２は、第２通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１５０へ出力する増幅器である。
　電力増幅器６１は、第１電力増幅器の一例であり、送信入力端子１４０から入力された第１通信バンドの送信信号を増幅する増幅器である。電力増幅器６２は、送信入力端子１６０から入力された第２通信バンドの送信信号を増幅する増幅器である。
　整合回路４１は、低雑音増幅器５１とスイッチ３１との間に接続され、低雑音増幅器５１とスイッチ３１とのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、電力増幅器６１とスイッチ３１との間に接続され、電力増幅器６１とスイッチ３１とのインピーダンス整合をとる。整合回路４３は、低雑音増幅器５２とスイッチ３２との間に接続され、低雑音増幅器５２とスイッチ３２とのインピーダンス整合をとる。整合回路４４は、電力増幅器６２とスイッチ３２との間に接続され、電力増幅器６２とスイッチ３２とのインピーダンス整合をとる。
　スイッチ３１は、第２スイッチの一例であり、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３１の共通端子は、ハイブリッドフィルタ１１に接続されている。スイッチ３１の一方の選択端子は整合回路４１を介して低雑音増幅器５１の入力端子に接続され、スイッチ３１の他方の選択端子は整合回路４２を介して電力増幅器６１の出力端子に接続されている。つまり、スイッチ３１は、ハイブリッドフィルタ１１、低雑音増幅器５１、および電力増幅器６１に接続され、ハイブリッドフィルタ１１と低雑音増幅器５１との接続およびハイブリッドフィルタ１１と電力増幅器６１との接続を切り替える時分割複信（ＴＤＤ：Ｔｉｍｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｄｕｐｌｅｘ）スイッチである。スイッチ３１は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ３１によれば、ハイブリッドフィルタ１１は、低雑音増幅器５１および電力増幅器６１に接続される送信受信兼用フィルタとして機能する。
　スイッチ３２は、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３２の共通端子は、フィルタ１２に接続されている。スイッチ３２の一方の選択端子は整合回路４３を介して低雑音増幅器５２に接続され、スイッチ３２の他方の選択端子は整合回路４４を介して電力増幅器６２に接続されている。つまり、スイッチ３２は、フィルタ１２と低雑音増幅器５２との接続およびフィルタ１２と電力増幅器６２との接続を切り替えるＴＤＤスイッチである。スイッチ３２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ３２によれば、フィルタ１２は、低雑音増幅器５２および電力増幅器６２に接続される送信受信兼用フィルタとして機能する。
　高周波回路２０は、受信出力端子１７０および１８０と、ハイブリッドフィルタ２１と、フィルタ２２と、整合回路４５および４６と、低雑音増幅器５３および５４と、を備える。
　ハイブリッドフィルタ２１は、第２ハイブリッドフィルタの一例であり、１以上の第２弾性波共振子と、１以上の第２インダクタと、１以上の第２キャパシタと、を備えたフィルタである。ハイブリッドフィルタ２１の一方の端子は選択端子３０ｅに接続され、他方の端子は整合回路４５を介して低雑音増幅器５３に接続されている。なお、ハイブリッドフィルタ２１は、電力増幅器には接続されない。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ２１は、スイッチ３０と低雑音増幅器５３との間に接続された受信専用フィルタとして機能する。
　フィルタ２２は、第２フィルタの一例であり、１以上の第４弾性波共振子と、１以上の第５インダクタと、を備えたフィルタである。フィルタ２２の一方の端子は選択端子３０ｆに接続され、他方の端子は整合回路４６を介して低雑音増幅器５４に接続されている。なお、フィルタ２２は、電力増幅器には接続されない。
　これによれば、フィルタ２２は、スイッチ３０に接続された受信専用フィルタとして機能する。
　なお、第２弾性波共振子および第４弾性波素子は、例えば、ＳＡＷを用いた弾性波共振子、または、ＢＡＷを用いた弾性波共振子である。
　図２Ｂは、実施の形態に係るハイブリッドフィルタ２１の回路構成の一例を示す図である。同図に示すように、ハイブリッドフィルタ２１は、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６と、キャパシタＣ４と、インダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６と、を備える。弾性波共振子Ｐ５およびＰ６のそれぞれは第２弾性波共振子の一例であり、インダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６のそれぞれは第２インダクタの一例であり、キャパシタＣ４は第２キャパシタの一例である。
　インダクタＬ４とキャパシタＣ４とは、ＬＣ並列共振回路を構成している。弾性波共振子Ｐ５とインダクタＬ５との直列接続回路は、入出力端子１０３と上記ＬＣ並列共振回路とを結ぶ経路上のノードとグランドとの間に配置されている。弾性波共振子Ｐ６とインダクタＬ６との直列接続回路は、入出力端子１０４と上記ＬＣ並列共振回路とを結ぶ経路上のノードとグランドとの間に配置されている。弾性波共振子Ｐ５およびＰ６は、弾性波共振器Ａ２を形成しており、例えば、１チップ化されている。
　上記構成において、インダクタＬ４およびキャパシタＣ４からなるＬＣ並列共振回路の共振周波数と弾性波共振子Ｐ５およびＰ６の共振周波数および反共振周波数とを調整することにより、ハイブリッドフィルタ２１の通過帯域および減衰帯域が形成される。インダクタＬ４およびキャパシタＣ４からなるＬＣ並列共振回路により、ハイブリッドフィルタ２１の通過帯域が形成され、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６により減衰極が形成される。
　つまり、ハイブリッドフィルタ２１は、ＬＣ回路により弾性波共振子では実現できない広い通過帯域を確保でき、弾性波共振子によりＬＣ回路では実現できない急峻な減衰スロープを確保できる。
　この観点から、ハイブリッドフィルタ２１の通過帯域幅は、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６の共振帯域幅よりも大きい。
　なお、フィルタ２２は、キャパシタを備えていなくてもよく、フィルタ２２の通過帯域幅は、第４弾性波共振子の共振帯域幅以下であってもよい。
　図１に戻って高周波回路２０の回路部品の説明をする。
　低雑音増幅器５３は、第２低雑音増幅器の一例であり、第１通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１７０へ出力する増幅器である。低雑音増幅器５４は、第２通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１８０へ出力する増幅器である。
　整合回路４５は、低雑音増幅器５３とハイブリッドフィルタ２１との間に接続され、低雑音増幅器５３とハイブリッドフィルタ２１とのインピーダンス整合をとる。整合回路４６は、低雑音増幅器５４とフィルタ２２との間に接続され、低雑音増幅器５４とフィルタ２２とのインピーダンス整合をとる。
　上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、第１通信バンドの送信信号および受信信号、ならびに、第２通信バンドの送信信号および受信信号をそれぞれ単独で伝送でき、また、それらの少なくとも２つを同時に伝送することが可能である。
　なお、ハイブリッドフィルタ１１および２１の通過帯域は、例えば５Ｇ－ＮＲのｎ７７を含み、フィルタ１２および２２の通過帯域は、例えば５Ｇ－ＮＲのｎ７９を含む。
　なお、低雑音増幅器５１、５２、５３および５４、スイッチ３０、３１および３２のうちの少なくとも２以上が、１つの半導体ＩＣに形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩプロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
　なお、本実施の形態に係るハイブリッドフィルタ１１および２１の回路構成は、図２Ａおよび図２Ｂの回路構成に限定されない。本実施の形態に係るハイブリッドフィルタ１１および２１のそれぞれは、１以上の弾性波共振子と、１以上のインダクタと、１以上のキャパシタと、を備え、ハイブリッドフィルタの通過帯域幅が当該弾性波共振子の共振帯域幅よりも大きければよい。また、本実施の形態に係るハイブリッドフィルタ１１および２１の回路構成として、弾性波共振子とＬＣ回路との間には、スイッチは配置されない。例えば、ハイブリッドフィルタ１１では、インダクタＬ３およびキャパシタＣ３からなるＬＣ並列共振回路と弾性波共振子Ｐ１との間、および、当該ＬＣ並列共振回路と弾性波共振子Ｐ２との間にはスイッチは挿入されない。
　また、ハイブリッドフィルタ１１の一方の端子およびフィルタ１２の一方の端子は、スイッチ３０の同じ選択端子に接続されていてもよい。また、ハイブリッドフィルタ２１の一方の端子およびフィルタ２２の一方の端子は、スイッチ３０の同じ選択端子に接続されていてもよい。
　また、スイッチ３１と低雑音増幅器５１との間、スイッチ３１と電力増幅器６１との間、スイッチ３２と低雑音増幅器５２との間、および、スイッチ３２と電力増幅器６２との間に、フィルタが接続されていてもよい。
　なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、図１に示された回路部品および回路素子のうち、ハイブリッドフィルタ１１と低雑音増幅器５１とを少なくとも備えていればよい。
　ここで、上記回路構成を有する高周波モジュール１は、弾性波共振子、インダクタおよびキャパシタが組み合わされたハイブリッドフィルタを含むため、部品点数が多くなり大型化するという問題がある。また、小型化すべく実装密度を高くすると、部品間の不要な結合が生じ、高周波モジュール１の通過特性が劣化するという問題がある。
　これに対して、以下では、通過特性の劣化を抑制しつつ小型化された高周波モジュール１の構成について説明する。
　［２．実施例に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
　図３Ａは、実施例に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。また、図３Ｂは、実施例に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図３ＡのＩＩＩＢ－ＩＩＩＢ線における断面図である。なお、図３Ａの（ａ）には、モジュール基板８０の互いに対向する主面８０ａおよび８０ｂのうち、主面８０ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。一方、図３Ａの（ｂ）には、主面８０ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図３Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ａには、当該マークは付されていない。
　実施例に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
　図３Ａおよび図３Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板８０と、樹脂部材８１および８２と、外部接続端子１００と、金属シールド層８５と、を有している。
　モジュール基板８０は、基板の一例であり、互いに対向する主面８０ａおよび主面８０ｂを有し、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板８０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
　なお、本実施例では、主面８０ａは第１主面に相当し、主面８０ｂは第２主面に相当する。
　なお、モジュール基板８０は、基板の一例であり、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板８０の電磁界遮蔽機能が向上する。
　なお、図３Ａの（ｂ）に示すように、主面８０ｂ上に、アンテナ接続端子１１０および１２０、送信入力端子１４０および１６０、ならびに受信出力端子１３０、１５０、１７０および１８０が形成されていてもよい。
　樹脂部材８１は、主面８０ａに配置され、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の一部および主面８０ａを覆っている。樹脂部材８２は、主面８０ｂに配置され、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の一部および主面８０ｂを覆っている。樹脂部材８１および８２は、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。
　金属シールド層８５は、樹脂部材８１の表面を覆い、グランド電位に設定されている。金属シールド層８５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜である。
　なお、樹脂部材８１、８２および金属シールド層８５は、本実施の形態に係る高周波モジュール１に必須の構成要素ではない。
　本実施例では、整合回路４１～４６は、それぞれインダクタを含む。
　なお、図３Ａには図示していないが、図１に示された、各回路部品を接続する配線は、モジュール基板８０の内部、主面８０ａおよび８０ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面８０ａ、８０ｂおよび高周波モジュール１Ａを構成する回路部品のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
　図３Ａに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、ハイブリッドフィルタ１１および２１、フィルタ１２および２２、電力増幅器６１および６２、整合回路４２、４４、４５および４６は、主面８０ａに配置されている。一方、スイッチ３０、３１および３２、低雑音増幅器５１、５２、５３および５４は、主面８０ｂに配置されている。また、整合回路４１および４３は、モジュール基板８０の内部に配置されている。低雑音増幅器５１は、主面８０ｂに配置された第１高周波部品の一例である。
　上記構成によれば、高周波モジュール１Ａを構成するハイブリッドフィルタ１１と第１高周波部品である低雑音増幅器５１とが、モジュール基板８０を挟んで、モジュール基板８０の両面に振り分けられて配置されている。これにより、高周波モジュール１Ａを小型化できる。
　本実施例では、ハイブリッドフィルタ１１を構成する弾性波共振子Ｐ１およびＰ２、キャパシタＣ３、ならびにインダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３は、主面８０ａに配置されている。なお、弾性波共振子Ｐ１およびＰ２、キャパシタＣ３、ならびにインダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３のうちの少なくとも１つが主面８０ａに配置されていればよく、他の少なくとも１つがモジュール基板８０の内部または主面８０ｂに配置されていてもよい。また、主面８０ｂに配置される第１高周波部品は、低雑音増幅器５２～５４、スイッチ３０～３２のうちの１つであってもよい。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ１１の一部の回路素子と第１高周波部品とが、モジュール基板８０を挟んでモジュール基板８０の両面に振り分けられて配置されるので、高周波モジュール１Ａを小型化できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、主面８０ｂに複数の外部接続端子１００が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１００を経由して、電気信号のやりとりを行う。複数の外部接続端子１００のいくつかは、図３Ａの（ｂ）に示すように、アンテナ接続端子１１０および１２０、送信入力端子１４０および１６０、ならびに受信出力端子１３０、１５０、１７０および１８０であってもよい。また、複数の外部接続端子１００の他のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。
　なお、外部接続端子１００は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、樹脂部材８２をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、外部接続端子１００は、主面８０ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。この場合には、主面８０ｂ上の樹脂部材８２はなくてもよい。
　主面８０ａおよび８０ｂのうち、外部基板と対向する主面８０ｂには、低背化が困難な回路部品は配置されず、低背化が容易な低雑音増幅器５１～５４およびスイッチ３０～３２が配置されている。
　ここで、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、モジュール基板８０を平面視した場合、ハイブリッドフィルタ１１とスイッチ３０とは、少なくとも一部が重なっている。
　これによれば、送信信号および受信信号の双方が通過するハイブリッドフィルタ１１とスイッチ３０とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、ハイブリッドフィルタ１１とスイッチ３０とを結ぶ配線を短くでき、第１通信バンドの送信信号および受信信号の伝送損失を低減できる。
　また、ハイブリッドフィルタ２１を構成する弾性波共振子Ｐ５およびＰ６、キャパシタＣ４、ならびにインダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６が、主面８０ａに配置されている。一方、ハイブリッドフィルタ２１と整合回路４５を介して接続される低雑音増幅器５３が、主面８０ｂに配置されている。
　ここで、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、モジュール基板８０を平面視した場合、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とは、少なくとも一部が重なっている。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とを結ぶ配線を短くでき、第１通信バンドの受信信号の伝送損失を低減できる。
　なお、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６、キャパシタＣ４、ならびにインダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６のうちの少なくとも１つが主面８０ａに配置されていればよく、他の少なくとも１つがモジュール基板８０の内部または主面８０ｂに配置されてもよい。これによれば、ハイブリッドフィルタ２１の一部の回路素子と低雑音増幅器５３とが、モジュール基板８０を挟んでモジュール基板８０の両面に振り分けられて配置されるので、高周波モジュール１Ａを小型化できる。
　また、低雑音増幅器５１～５４およびスイッチ３０は、半導体ＩＣ７１に含まれている。これによれば、低雑音増幅器５１～５４およびスイッチ３０を小型化かつ低背化できる。
　また、スイッチ３１および３２は、半導体ＩＣ７２に含まれている。これによれば、スイッチ３１および３２を小型化かつ低背化できる。
　半導体ＩＣ７１および７２が主面８０ｂに配置されることにより、高周波モジュール１Ａを低背化できる。
　また、整合回路４２に含まれる第３インダクタとハイブリッドフィルタ１１との距離は、第３インダクタとハイブリッドフィルタ２１との距離よりも短い。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ１１と第３インダクタとを結ぶ配線を短くできるので、高出力である第１通信バンドの送信信号の伝送損失を低減でき、消費電力を低減できる。
　また、図３Ａの（ｂ）に示すように、モジュール基板８０を平面視した場合に、（１）モジュール基板８０上の基準点Ｒ１から右側かつ上側の領域である第１象限Ｑ１、（２）基準点Ｒ１から左側かつ上側の領域である第２象限Ｑ２、（３）基準点Ｒ１から左側かつ下側の領域である第３象限Ｑ３、および（４）基準点Ｒ１から右側かつ下側の領域である第４象限Ｑ４を定義する。この場合、ハイブリッドフィルタ２１の少なくとも一部は第１象限Ｑ１に配置されており、電力増幅器６１の少なくとも一部は第２象限Ｑ２に配置されており、第３インダクタの少なくとも一部は第３象限Ｑ３に配置されており、ハイブリッドフィルタ１１の少なくとも一部は第４象限Ｑ４に配置されている。
　これによれば、第１通信バンドの送信信号を伝送する送信経路を構成する電力増幅器６１、第３インダクタ、ハイブリッドフィルタ１１が、基準点Ｒ１を中心にして反時計回りに、この順で配置される。よって第１通信バンドの送信信号を伝送する送信経路を短くできるので、高出力である第１通信バンドの送信信号の伝送損失を低減でき、消費電力を低減できる。
　なお、モジュール基板８０上の基準点Ｒ１とは、モジュール基板８０を平面視した場合に、モジュール基板８０の外縁を除いたモジュール基板８０の任意の一点と定義される。言い換えると、基準点Ｒ１は、モジュール基板８０を平面視した場合に、第１象限Ｑ１、第２象限Ｑ２、第３象限Ｑ３および第４象限Ｑ４が、モジュール基板８０上に存在し得るように、モジュール基板８０上に配置された点である。
　［３．変形例に係る高周波モジュール１Ｂの回路素子配置構成］
　図３Ｃは、変形例に係る高周波モジュール１Ｂの断面構成概略図である。変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
　図３Ｃに示された高周波モジュール１Ｂは、実施例に係る高周波モジュール１Ａと比較して、ハイブリッドフィルタ１１およびフィルタ１２を構成する回路素子の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　ハイブリッドフィルタ１１は、弾性波共振器Ａ１（弾性波共振子Ｐ１およびＰ２）と、キャパシタＣ３と、インダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３と、を備える。
　フィルタ１２は、弾性波共振器Ａ３と、インダクタＬ７およびＬ８と、を備える。
　ここで、ハイブリッドフィルタ１１において、弾性波共振器Ａ１およびキャパシタＣ３は主面８０ａに配置されており、インダクタＬ３は、モジュール基板８０の内部に形成されている。インダクタＬ３は、例えば、複数の平面コイル導体とそれらを接続するビア導体とで構成される。
　また、フィルタ１２において、弾性波共振器Ａ３およびインダクタＬ７は主面８０ａに配置されており、インダクタＬ８は、モジュール基板８０の内部に形成されている。インダクタＬ８は、例えば、複数の平面コイル導体とそれらを接続するビア導体とで構成される。
　上記構成によれば、ハイブリッドフィルタ１１を構成する回路素子の一部が主面８０ａに配置され、他の回路素子がモジュール基板８０の内部に形成されるので、高周波モジュール１Ｂを小型化できる。
　なお、モジュール基板８０の内部に形成される回路素子は、弾性波共振器およびキャパシタのいずれかであってもよい。
　［４．効果等］
　以上のように、実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面８０ａおよび８０ｂを有するモジュール基板８０と、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有するハイブリッドフィルタ１１と、第１高周波部品と、を備え、ハイブリッドフィルタ１１の通過帯域幅は、第１弾性波共振子の共振帯域幅よりも大きく、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタのうちの１つは主面８０ａに配置されており、第１高周波部品は主面８０ｂに配置されている。
　これによれば、高周波モジュール１Ａを構成するハイブリッドフィルタ１１と第１高周波部品とが、モジュール基板８０を挟んで、モジュール基板８０の両面に振り分けられて配置されている。これにより、高周波モジュール１Ａを小型化できる。
　また、実施例に係る高周波モジュール１Ａおよび変形例に係る高周波モジュール１Ｂにおいて、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタは、主面８０ａおよびモジュール基板８０の内部のいずれかに配置されていてもよい。
　また、高周波モジュール１において、第１高周波部品は、低雑音増幅器５１であり、高周波モジュール１Ａおよび１Ｂは、さらに、主面８０ｂに配置された外部接続端子１００と、電力増幅器６１と、ハイブリッドフィルタ１１に接続され、ハイブリッドフィルタ１１とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替えるスイッチ３０と、ハイブリッドフィルタ１１、低雑音増幅器５１、および電力増幅器６１に接続され、ハイブリッドフィルタ１１と低雑音増幅器５１との接続およびハイブリッドフィルタ１１と電力増幅器６１との接続を切り替えるスイッチ３１と、を備え、ハイブリッドフィルタ１１は、低雑音増幅器５１および電力増幅器６１に接続された送信受信兼用フィルタであり、モジュール基板８０を平面視した場合、ハイブリッドフィルタ１１とスイッチ３１とは、少なくとも一部が重なっていてもよい。
　これによれば、送信信号および受信信号の双方が通過するハイブリッドフィルタ１１とスイッチ３０とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、ハイブリッドフィルタ１１とスイッチ３０とを結ぶ配線を短くでき、第１通信バンドの送信信号および受信信号の伝送損失を低減できる。
　また、高周波モジュール１は、さらに、第２弾性波共振子、第２インダクタ、および第２キャパシタを有するハイブリッドフィルタ２１と、主面８０ｂに配置された低雑音増幅器５３と、を備え、ハイブリッドフィルタ２１の通過帯域幅は、第２弾性波共振子の共振帯域幅よりも大きく、第２弾性波共振子、第２インダクタ、および第２キャパシタのうちの１つは主面８０ａに配置されており、ハイブリッドフィルタ２１は、スイッチ３０と低雑音増幅器５３との間に接続された受信専用フィルタであり、モジュール基板８０を平面視した場合、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とは、少なくとも一部が重なっていてもよい。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とを結ぶ配線を短くでき、第１通信バンドの受信信号の伝送損失を低減できる。
　また、高周波モジュール１において、低雑音増幅器５１および５３、ならびにスイッチ３０は、主面８０ｂに配置された半導体ＩＣ７１に含まれていてもよい。
　これによれば、低雑音増幅器５１および５３、ならびにスイッチ３０を小型化かつ低背化できる。
　また、高周波モジュール１は、さらに、電力増幅器６１の出力端子とハイブリッドフィルタ１１との間に接続された第３インダクタを備え、第３インダクタとハイブリッドフィルタ１１との距離は、第３インダクタとハイブリッドフィルタ２１との距離よりも短くてもよい。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ１１と第３インダクタとを結ぶ配線を短くできるので、高出力である第１通信バンドの送信信号の伝送損失を低減でき、消費電力を低減できる。
　また、高周波モジュール１において、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタは、主面８０ａに配置されており、第２弾性波共振子、第２インダクタ、および第２キャパシタは、主面８０ａに配置されており、モジュール基板８０を平面視した場合に、（１）モジュール基板８０上の基準点Ｒ１から右側かつ上側の領域である第１象限Ｑ１、（２）基準点Ｒ１から左側かつ上側の領域である第２象限Ｑ２、（３）基準点Ｒ１から左側かつ下側の領域である第３象限Ｑ３、および（４）基準点Ｒ１から右側かつ下側の領域である第４象限Ｑ４を定義した場合、ハイブリッドフィルタ２１の少なくとも一部は第１象限Ｑ１に配置されており、電力増幅器６１の少なくとも一部は第２象限Ｑ２に配置されており、第３インダクタの少なくとも一部は第３象限Ｑ３に配置されており、ハイブリッドフィルタ１１の少なくとも一部は第４象限Ｑ４に配置されていてもよい。
　これによれば、第１通信バンドの送信信号を伝送する送信経路を構成する電力増幅器６１、第３インダクタ、ハイブリッドフィルタ１１が、基準点Ｒ１を中心にして反時計回りに、この順で配置される。よって第１通信バンドの送信信号を伝送する送信経路を短くできるので、高出力である第１通信バンドの送信信号の伝送損失を低減でき、消費電力を低減できる。
　また、高周波モジュール１は、さらに、第３弾性波共振子および第４インダクタを有するフィルタ１２と、第４弾性波共振子および第５インダクタを有するフィルタ２２と、を備え、フィルタ１２は、スイッチ３０に接続された送信受信兼用フィルタであり、フィルタ２２は、スイッチ３０に接続された受信専用フィルタであり、ハイブリッドフィルタ１１および２１の通過帯域は、５Ｇ－ＮＲのｎ７７を含み、フィルタ１２および２２の通過帯域は、５Ｇ－ＮＲのｎ７９を含んでもよい。
　また、通信装置５は、アンテナ２Ａおよび２Ｂで受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝搬する高周波モジュール１と、を備える。
　これにより、弾性波共振子、インダクタおよびキャパシタが組み合わされたハイブリッドフィルタ１１を含む小型の通信装置を提供できる。
　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態、実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、実施の形態に係る高周波モジュール１は、送信受信兼用のハイブリッドフィルタ１１を備えるが、本発明に係る高周波モジュールは、送信受信兼用のハイブリッドフィルタ１１を備えず、受信専用のハイブリッドフィルタ２１を備える構成を有していてもよい。この場合、高周波モジュールは、ハイブリッドフィルタ２１と、低雑音増幅器５３と、互いに対向する主面８０ａおよび８０ｂを有するモジュール基板８０と、を備える。ハイブリッドフィルタ２１は、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６（第１弾性波共振子）と、キャパシタＣ４（第１キャパシタ）と、インダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６（第１インダクタ）と、を有する。ハイブリッドフィルタ２１の通過帯域幅は、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６の共振帯域幅よりも大きい。弾性波共振子Ｐ５およびＰ６、キャパシタＣ４、ならびにインダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６のうちの１つは主面８０ａに配置されており、低雑音増幅器５３（第１高周波部品）は主面８０ｂに配置されている。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ２１の一部の回路素子と第１高周波部品とが、モジュール基板８０を挟んでモジュール基板８０の両面に振り分けられて配置されるので、高周波モジュールを小型化できる。
　また、例えば、実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、各構成要素の間に、インダクタおよびキャパシタなどの整合素子、ならびにスイッチ回路が接続されていてもかまわない。なお、インダクタには、各構成要素間を繋ぐ配線による配線インダクタが含まれてもよい。
　本発明は、マルチバンドシステムに適用できる高周波モジュールおよび通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ、１Ｂ　　高周波モジュール
　２Ａ、２Ｂ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１０、２０　　高周波回路
　１１、２１　　ハイブリッドフィルタ
　１２、２２　　フィルタ
　３０、３１、３２　　スイッチ
　３０ａ、３０ｂ　　共通端子
　３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ、３０ｆ　　選択端子
　４１、４２、４３、４４、４５、４６　　整合回路
　５１、５２、５３、５４　　低雑音増幅器
　６１、６２　　電力増幅器
　７１、７２　　半導体ＩＣ
　８０　　モジュール基板
　８０ａ、８０ｂ　　主面
　８１、８２　　樹脂部材
　８５　　金属シールド層
　１００　　外部接続端子
　１０１、１０２、１０３、１０４　　入出力端子
　１１０、１２０　　アンテナ接続端子
　１３０、１５０、１７０、１８０　　受信出力端子
　１４０、１６０　　送信入力端子
　Ａ１、Ａ２、Ａ３　　弾性波共振器
　Ｃ３、Ｃ４　　キャパシタ
　Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８　　インダクタ
　Ｐ１、Ｐ２、Ｐ５、Ｐ６　　弾性波共振子
　Ｑ１　　第１象限
　Ｑ２　　第２象限
　Ｑ３　　第３象限
　Ｑ４　　第４象限
　Ｒ１　　基準点

Claims (10)

  1. 　互いに対向する第１主面および第２主面を有する基板と、
    　第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有する第１ハイブリッドフィルタと、
    　第１高周波部品と、を備え、
    　前記第１ハイブリッドフィルタの通過帯域幅は、前記第１弾性波共振子の共振帯域幅よりも大きく、
    　前記第１弾性波共振子、前記第１インダクタ、および前記第１キャパシタのうちの１つは、前記第１主面に配置されており、
    　前記第１高周波部品は、前記第２主面に配置されている、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記第１弾性波共振子、前記第１インダクタ、および前記第１キャパシタは、前記第１主面および前記基板の内部のいずれかに配置されている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第１高周波部品は、第１低雑音増幅器であり、
    　前記高周波モジュールは、さらに、
    　前記第２主面に配置された外部接続端子と、
    　第１電力増幅器と、
    　前記第１ハイブリッドフィルタに接続され、前記第１ハイブリッドフィルタとアンテナ接続端子との接続および非接続を切り替える第１スイッチと、
    　前記第１ハイブリッドフィルタ、前記第１低雑音増幅器、および前記第１電力増幅器に接続され、前記第１ハイブリッドフィルタと前記第１低雑音増幅器との接続および前記第１ハイブリッドフィルタと前記第１電力増幅器との接続を切り替える第２スイッチと、を備え、
    　前記第１ハイブリッドフィルタは、前記第１低雑音増幅器および前記第１電力増幅器に接続された送信受信兼用フィルタであり、
    　前記基板を平面視した場合、前記第１ハイブリッドフィルタと前記第１スイッチとは、少なくとも一部が重なっている、
    　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　さらに、
    　第２弾性波共振子、第２インダクタ、および第２キャパシタを有する第２ハイブリッドフィルタと、
    　前記第２主面に配置された第２低雑音増幅器と、を備え、
    　前記第２ハイブリッドフィルタの通過帯域幅は、前記第２弾性波共振子の共振帯域幅よりも大きく、
    　前記第２弾性波共振子、前記第２インダクタ、および前記第２キャパシタのうちの１つは、前記第１主面に配置されており、
    　前記第２ハイブリッドフィルタは、前記第１スイッチと前記第２低雑音増幅器との間に接続された受信専用フィルタであり、
    　前記基板を平面視した場合、前記第２ハイブリッドフィルタと前記第２低雑音増幅器とは、少なくとも一部が重なっている、
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第１低雑音増幅器、前記第２低雑音増幅器、および前記第１スイッチは、前記第２主面に配置された半導体ＩＣに含まれている、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　さらに、
    　前記第１電力増幅器の出力端子と前記第１ハイブリッドフィルタとの間に接続された第３インダクタを備え、
    　前記第３インダクタと前記第１ハイブリッドフィルタとの距離は、前記第３インダクタと前記第２ハイブリッドフィルタとの距離よりも短い、
    　請求項４または５に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第１弾性波共振子、前記第１インダクタ、および前記第１キャパシタは、前記第１主面に配置されており、
    　前記第２弾性波共振子、前記第２インダクタ、および前記第２キャパシタは、前記第１主面に配置されており、
    　前記基板を平面視した場合に、（１）前記基板上の基準点から右側かつ上側の領域である第１象限、（２）前記基準点から左側かつ上側の領域である第２象限、（３）前記基準点から左側かつ下側の領域である第３象限、および（４）前記基準点から右側かつ下側の領域である第４象限を定義した場合、
    　前記第２ハイブリッドフィルタの少なくとも一部は前記第１象限に配置されており、
    　前記第１電力増幅器の少なくとも一部は、前記第２象限に配置されており、
    　前記第３インダクタの少なくとも一部は、前記第３象限に配置されており、
    　前記第１ハイブリッドフィルタの少なくとも一部は、前記第４象限に配置されている、
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第１高周波部品は、第３低雑音増幅器であり、
    　前記高周波モジュールは、さらに、
    　前記第２主面に配置された外部接続端子を備え、
    　前記第１ハイブリッドフィルタは、前記第３低雑音増幅器に接続された受信専用フィルタであり、
    　前記基板を平面視した場合、前記第１ハイブリッドフィルタと前記第３低雑音増幅器とは、少なくとも一部が重なっている、
    　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  9. 　さらに、
    　第３弾性波共振子および第４インダクタを有する第１フィルタと、
    　第４弾性波共振子および第５インダクタを有する第２フィルタと、を備え、
    　前記第１フィルタは、前記第１スイッチに接続された送信受信兼用フィルタであり、
    　前記第２フィルタは、前記第１スイッチに接続された受信専用フィルタであり、
    　前記第１ハイブリッドフィルタおよび前記第２ハイブリッドフィルタの通過帯域は、５Ｇ－ＮＲのｎ７７を含み、
    　前記第１フィルタおよび前記第２フィルタの通過帯域は、５Ｇ－ＮＲのｎ７９を含む、
    　請求項４～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　アンテナで受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝搬する請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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