WO2022202328A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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WO2022202328A1
WO2022202328A1 PCT/JP2022/010316 JP2022010316W WO2022202328A1 WO 2022202328 A1 WO2022202328 A1 WO 2022202328A1 JP 2022010316 W JP2022010316 W JP 2022010316W WO 2022202328 A1 WO2022202328 A1 WO 2022202328A1
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switch
hybrid filter
frequency module
coupler
main surface
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俊介 木戸
孝紀 上嶋
成 森戸
正也 三浦
幸哉 山口
琢真 黒▲柳▼
智美 安田
雅則 加藤
裕基 福田
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to high frequency modules and communication devices.
  • Patent Document 1 discloses a hybrid elastic LC filter including an elastic resonator (acoustic wave resonator), an inductor and a capacitor. According to the document, a relatively wide passband can be realized, and a strict out-of-band rejection specification can be met.
  • a coupler for measuring signal strength is arranged in the signal path between the antenna connection terminal and the hybrid elastic LC filter.
  • an object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device having a hybrid filter and a coupler with reduced transmission loss.
  • a high-frequency module has a substrate having first and second main surfaces facing each other, an antenna connection terminal, a first elastic wave resonator, a first inductor, and a first capacitor.
  • a first hybrid filter, a first switch connected between the antenna connection terminal and the first hybrid filter and switching between connection and non-connection between the antenna connection terminal and the first hybrid filter, the antenna connection terminal and the first switch the first elastic wave resonator is arranged on the first main surface, and the first switch is included in the semiconductor IC arranged on the second main surface;
  • the coupler is arranged inside the substrate, and when the substrate is viewed from above, the semiconductor IC and the first acoustic wave resonator at least partially overlap, and the semiconductor IC and the coupler overlap at least partially.
  • a high frequency module includes a substrate having first and second main surfaces facing each other, an antenna connection terminal, a first elastic wave resonator, a first inductor, and a first capacitor. , a first switch connected between the antenna connection terminal and the first hybrid filter and switching between connection and non-connection between the antenna connection terminal and the first hybrid filter, the first switch and the first and a coupler arranged on a path connecting the hybrid filter, the first acoustic wave resonator being arranged on the first main surface, and the first switch being connected to the semiconductor IC arranged on the second main surface.
  • the coupler is arranged inside the substrate, and when the substrate is viewed from above, the coupler and the first acoustic wave resonator at least partially overlap, and the coupler and the semiconductor IC are at least partially overlapped. overlapping.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • 2A is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of a first hybrid filter according to the embodiment
  • FIG. 2B is a diagram illustrating an example of a circuit configuration of a second hybrid filter according to the embodiment
  • FIG. FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a high frequency module according to a modification of the embodiment.
  • 4A is a schematic plan view of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the high-frequency module according to the first embodiment;
  • FIG. FIG. 5A is a schematic plan view of a high-frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of a high-frequency module according to Example 2.
  • FIG. 5C is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high-frequency module according to Example 3.
  • a is arranged on the first main surface of the substrate means not only that A is directly mounted on the first main surface, but also that A is mounted on the first main surface side separated by the substrate. and the space on the second main surface side, A is arranged in the space on the first main surface side. In other words, it includes that A is mounted on the first main surface via other circuit elements, electrodes, and the like.
  • connection includes not only direct connection with connection terminals and/or wiring conductors, but also electrical connection via other circuit components. Also, “connected between A and B” means connected to both A and B between A and B.
  • the x-axis and the y-axis are axes orthogonal to each other on a plane parallel to the main surface of the module substrate.
  • the z-axis is an axis perpendicular to the main surface of the module substrate, and its positive direction indicates an upward direction and its negative direction indicates a downward direction.
  • planar view means viewing an object by orthographic projection from the z-axis positive side onto the xy plane.
  • the component is placed on the main surface of the board means that the component is placed on the main surface in contact with the main surface of the board, and in addition, the component is placed on the main surface without contacting the main surface. It includes being arranged above and being arranged such that a part of the component is embedded in the substrate from the main surface side.
  • C is arranged between A and B in a plan view of the board (or the main surface of the board)" means It means that at least one of a plurality of line segments connecting an arbitrary point in A and an arbitrary point in B in plan view passes through the area of C.
  • a plan view of the substrate means that the substrate and circuit elements mounted on the substrate are orthographically projected onto a plane parallel to the main surface of the substrate.
  • transmission path refers to a transmission line composed of a wiring through which a high-frequency transmission signal propagates, an electrode directly connected to the wiring, and a terminal directly connected to the wiring or the electrode.
  • receiving path means a transmission line composed of a wiring through which a high-frequency received signal propagates, an electrode directly connected to the wiring, and a terminal directly connected to the wiring or the electrode. do.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 1 and a communication device 5 according to an embodiment.
  • the communication device 5 includes a high frequency module 1, antennas 2A and 2B, an RF signal processing circuit (RFIC) 3, and a baseband signal processing circuit (BBIC) 4.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • BBIC baseband signal processing circuit
  • the RFIC 3 is an RF signal processing circuit that processes high frequency signals transmitted and received by the antennas 2A and 2B. Specifically, the RFIC 3 performs signal processing such as down-conversion on the received signal input via the receiving path of the high-frequency module 1 , and outputs the received signal generated by the signal processing to the BBIC 4 . The RFIC 3 also outputs a high-frequency transmission signal processed based on the signal input from the BBIC 4 to the transmission path of the high-frequency module 1 .
  • the BBIC 4 is a circuit that processes data using a signal with a frequency lower than the high frequency signal transmitted through the high frequency module 1 .
  • a signal processed by the BBIC 4 is used, for example, as an image signal for image display, or as an audio signal for calling through a speaker.
  • the RFIC 3 determines whether the high-frequency module 1 is used for transmission or reception, and based on the communication band (frequency band) to be used, switches 30, 31, 32 and 33 of the high-frequency module 1 are connected. It has a function as a control unit that controls the Specifically, the RFIC 3 switches connections of the switches 30, 31, 32 and 33 of the high frequency module 1 by means of control signals (not shown).
  • the controller may be provided outside the RFIC 3, for example, in the high frequency module 1 or the BBIC 4.
  • the RFIC 3 also functions as a control section that controls the gains of the power amplifiers 61 and 62 of the high frequency module 1 and the power supply voltage Vcc and bias voltage Vbias supplied to the power amplifiers 61 and 62 .
  • the antenna 2A is connected to the antenna connection terminal 110 of the high-frequency module 1, radiates a high-frequency signal output from the high-frequency module 1, and receives a high-frequency signal from the outside and outputs it to the high-frequency module 1.
  • the antenna 2B is connected to the antenna connection terminal 120 of the high-frequency module 1, radiates a high-frequency signal output from the high-frequency module 1, and receives a high-frequency signal from the outside and outputs the received high-frequency signal to the high-frequency module 1.
  • antennas 2A, 2B and BBIC 4 are not essential components in the communication device 5 according to the present embodiment.
  • the radio frequency module 1 includes antenna connection terminals 110 and 120, a coupler terminal 190, a coupler 75, switches 30 and 33, and radio frequency circuits 10 and 20.
  • the antenna connection terminal 110 is a first antenna common terminal connected to the antenna 2A
  • the antenna connection terminal 120 is a second antenna common terminal connected to the antenna 2B.
  • the switch 33 has a common terminal and two selection terminals.
  • the common terminal of switch 33 is connected to coupler terminal 190 .
  • One selection terminal of the switch 33 is connected to one sub line of the coupler 75
  • the other selection terminal of the switch 33 is connected to the other sub line of the coupler 75 . That is, the switch 33 switches the connection between the coupler terminal 190 and one of the sub-lines and the connection between the coupler terminal 190 and the other sub-line.
  • the switch 33 is configured by, for example, an SPDT (Single Pole Double Throw) type switch circuit.
  • the coupler 75 is arranged in a signal path (main line) connecting the switch 30 and the antenna connection terminal 110, detects a high frequency signal transmitted through the main line, and measures the signal strength of the high frequency signal.
  • the coupler 75 is composed of, for example, a sub-line and a terminating circuit arranged in parallel close to the main line. One end of the sub line is connected to the termination circuit, and the other end is connected to one selection terminal of the switch 33 . Note that the coupler 75 may have a plurality of sub-lines.
  • the coupler 75 has a plurality of sub-lines
  • the switch 33 to select the sub-line connected to the coupler terminal 190
  • the high-frequency wave flowing from the antenna connection terminal 110 to the switch 30 is Signal detection and detection of a high-frequency signal flowing from the switch 30 to the antenna connection terminal 110 can be selected.
  • the switch 33 to select the sub-line connected to the coupler terminal 190 it is possible to select the detection of the high-frequency signal of the first communication band and the detection of the high-frequency signal of the second communication band.
  • the switch 30 is an example of a first switch and has common terminals 30a and 30b and selection terminals 30c, 30d, 30e and 30f. , and switches connection and disconnection between the common terminal 30b and at least one of the selection terminals 30c to 30f.
  • the common terminal 30 a is connected to the antenna connection terminal 110 .
  • the common terminal 30 b is connected to the antenna connection terminal 120 .
  • the selection terminal 30 c is connected to the hybrid filter 11 .
  • the selection terminal 30 d is connected to the filter 12 .
  • the selection terminal 30 e is connected to the hybrid filter 21 .
  • the selection terminal 30 f is connected to the filter 22 .
  • the switch 30 switches connection and disconnection between the hybrid filter 11 and the antenna connection terminal 110 and switches connection and disconnection between the hybrid filter 11 and the antenna connection terminal 120 . Further, the switch 30 switches connection and disconnection between the filter 12 and the antenna connection terminal 110 and switches connection and disconnection between the filter 12 and the antenna connection terminal 120 . Switch 30 switches connection and disconnection between hybrid filter 21 and antenna connection terminal 110 and switches connection and disconnection between hybrid filter 21 and antenna connection terminal 120 . Further, the switch 30 switches connection and disconnection between the filter 22 and the antenna connection terminal 110 and switches connection and disconnection between the filter 22 and the antenna connection terminal 120 .
  • communication device 5 can connect antenna 2A to at least one of hybrid filters 11 and 21 and filters 12 and 22, and connect antenna 2B to hybrid filters 11 and 21. , with at least one of the filters 12 and 22 .
  • High frequency circuit 10 includes reception output terminals 130 and 150, transmission input terminals 140 and 160, hybrid filter 11, filter 12, switches 31 and 32, matching circuits 41, 42, 43 and 44, and a low noise amplifier. 51 and 52 and power amplifiers 61 and 62 .
  • the hybrid filter 11 is an example of a first hybrid filter, and is a filter including one or more first acoustic wave resonators, one or more first inductors, and one or more first capacitors.
  • One terminal of the hybrid filter 11 is connected to the selection terminal 30 c and the other terminal is connected to the switch 31 .
  • the filter 12 is a filter including one or more third acoustic wave resonators and one or more third inductors. One terminal of the filter 12 is connected to the selection terminal 30 d and the other terminal is connected to the switch 32 .
  • the first elastic wave resonator and the third elastic wave element are, for example, an elastic wave resonator using SAW (Surface Acoustic Wave) or an elastic wave resonator using BAW (Bulk Acoustic Wave).
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • BAW Bulk Acoustic Wave
  • FIG. 2A is a diagram showing an example of the circuit configuration of the hybrid filter 11 according to the embodiment.
  • the hybrid filter 11 includes acoustic wave resonators P1 and P2, a capacitor C3, and inductors L1, L2 and L3.
  • Each of elastic wave resonators P1 and P2 is an example of a first elastic wave resonator
  • each of inductors L1, L2 and L3 is an example of a first inductor
  • capacitor C3 is an example of a first capacitor.
  • the inductor L3 and the capacitor C3 form an LC parallel resonance circuit.
  • a series connection circuit of elastic wave resonator P1 and inductor L1 is arranged between a node on a path connecting input/output terminal 101 and the LC parallel resonance circuit and the ground.
  • a series connection circuit of elastic wave resonator P2 and inductor L2 is arranged between a node on a path connecting input/output terminal 102 and the LC parallel resonance circuit and the ground.
  • the elastic wave resonators P1 and P2 form an elastic wave resonator A1, and are integrated into one chip, for example.
  • a plurality of acoustic wave resonators integrated into one chip means that a plurality of acoustic wave resonators are formed on one piezoelectric substrate, or that a plurality of acoustic wave resonators are contained in one package. defined as being contained in
  • the passband and attenuation band of the hybrid filter 11 are adjusted by adjusting the resonance frequency of the LC parallel resonance circuit composed of the inductor L3 and the capacitor C3 and the resonance and antiresonance frequencies of the elastic wave resonators P1 and P2. It is formed.
  • An LC parallel resonance circuit consisting of inductor L3 and capacitor C3 forms the pass band of hybrid filter 11, and elastic wave resonators P1 and P2 form attenuation poles.
  • the hybrid filter 11 can secure a wide passband that cannot be achieved with an elastic wave resonator by using the LC circuit, and can secure a steep attenuation slope that cannot be achieved by an LC circuit by using the elastic wave resonator.
  • the pass band width of the hybrid filter 11 is larger than the resonance band widths of the elastic wave resonators P1 and P2.
  • the resonance bandwidth of an elastic wave resonator is defined as the difference between the anti-resonance frequency and the resonance frequency of the elastic wave resonator.
  • a specific resonance bandwidth is defined as a ratio obtained by dividing the resonance bandwidth by the intermediate value of the anti-resonance frequency and the resonance frequency.
  • Common SAW resonators and BAW resonators are known to have a specific resonance bandwidth of 3-4% in the frequency band of 0.1-10 GHz.
  • the filter 12 may not have a capacitor, and the passband width of the filter 12 may be equal to or less than the resonance bandwidth of the third elastic wave resonator.
  • circuit components of the high-frequency circuit 10 will be described.
  • the low-noise amplifier 51 is an example of a first low-noise amplifier, and is an amplifier that amplifies the reception signal of the first communication band with low noise and outputs it to the reception output terminal 130 .
  • the low noise amplifier 52 is an amplifier that amplifies the received signal of the second communication band with low noise and outputs the amplified signal to the reception output terminal 150 .
  • the power amplifier 61 is an example of a first power amplifier, and is an amplifier that amplifies the transmission signal of the first communication band input from the transmission input terminal 140 .
  • the power amplifier 62 is an amplifier that amplifies the transmission signal of the second communication band input from the transmission input terminal 160 .
  • the matching circuit 41 is connected between the low noise amplifier 51 and the switch 31 to match the impedance of the low noise amplifier 51 and the switch 31 .
  • the matching circuit 42 is connected between the power amplifier 61 and the switch 31 and performs impedance matching between the power amplifier 61 and the switch 31 .
  • the matching circuit 43 is connected between the low noise amplifier 52 and the switch 32 and performs impedance matching between the low noise amplifier 52 and the switch 32 .
  • the matching circuit 44 is connected between the power amplifier 62 and the switch 32 to provide impedance matching between the power amplifier 62 and the switch 32 .
  • the switch 31 is an example of a second switch and has a common terminal and two selection terminals.
  • a common terminal of the switch 31 is connected to the hybrid filter 11 .
  • One selection terminal of the switch 31 is connected to the input terminal of the low noise amplifier 51 via the matching circuit 41, and the other selection terminal of the switch 31 is connected to the output terminal of the power amplifier 61 via the matching circuit 42. . That is, the switch 31 is connected to the hybrid filter 11, the low noise amplifier 51, and the power amplifier 61, and switches the connection between the hybrid filter 11 and the low noise amplifier 51 and the connection between the hybrid filter 11 and the power amplifier 61.
  • It is a transmission (TDD: Time Division Duplex) switch.
  • the switch 31 is composed of, for example, an SPDT type switch circuit.
  • the hybrid filter 11 functions as a transmission/reception combined filter connected to the low noise amplifier 51 and the power amplifier 61 .
  • the switch 32 has a common terminal and two selection terminals. A common terminal of the switch 32 is connected to the filter 12 . One selection terminal of switch 32 is connected to low noise amplifier 52 via matching circuit 43 , and the other selection terminal of switch 32 is connected to power amplifier 62 via matching circuit 44 . That is, the switch 32 is a TDD switch that switches the connection between the filter 12 and the low noise amplifier 52 and the connection between the filter 12 and the power amplifier 62 .
  • the switch 32 is composed of, for example, an SPDT type switch circuit.
  • filter 12 functions as a transmit/receive filter connected to low noise amplifier 52 and power amplifier 62 .
  • the high frequency circuit 20 includes reception output terminals 170 and 180, a hybrid filter 21, a filter 22, matching circuits 45 and 46, and low noise amplifiers 53 and .
  • the hybrid filter 21 is an example of a second hybrid filter, and is a filter including one or more second acoustic wave resonators, one or more second inductors, and one or more second capacitors.
  • One terminal of hybrid filter 21 is connected to selection terminal 30 e , and the other terminal is connected to low noise amplifier 53 via matching circuit 45 . Note that the hybrid filter 21 is not connected to the power amplifier.
  • the hybrid filter 21 functions as a reception-only filter connected between the switch 30 and the low noise amplifier 53.
  • the filter 22 is a filter including one or more fourth elastic wave resonators and one or more fourth inductors. One terminal of the filter 22 is connected to the selection terminal 30 f and the other terminal is connected to the low noise amplifier 54 via the matching circuit 46 . Note that the filter 22 is not connected to the power amplifier.
  • the filter 22 functions as a reception-only filter connected to the switch 30.
  • the second elastic wave resonator and the fourth elastic wave element are, for example, an elastic wave resonator using SAW or an elastic wave resonator using BAW.
  • FIG. 2B is a diagram showing an example of the circuit configuration of the hybrid filter 21 according to the embodiment.
  • the hybrid filter 21 includes elastic wave resonators P5 and P6, a capacitor C4, and inductors L4, L5 and L6.
  • elastic wave resonators P5 and P6 is an example of a second elastic wave resonator
  • each of inductors L4, L5 and L6 is an example of a second inductor
  • capacitor C4 is an example of a second capacitor.
  • the inductor L4 and capacitor C4 form an LC parallel resonance circuit.
  • a series connection circuit of elastic wave resonator P5 and inductor L5 is arranged between a node on a path connecting input/output terminal 103 and the LC parallel resonance circuit and the ground.
  • a series connection circuit of elastic wave resonator P6 and inductor L6 is arranged between a node on a path connecting input/output terminal 104 and the LC parallel resonance circuit and the ground.
  • the elastic wave resonators P5 and P6 form the elastic wave resonator A2 and are integrated into one chip, for example.
  • the passband and attenuation band of the hybrid filter 21 are adjusted by adjusting the resonance frequency of the LC parallel resonance circuit composed of the inductor L4 and the capacitor C4 and the resonance and antiresonance frequencies of the elastic wave resonators P5 and P6. It is formed.
  • An LC parallel resonance circuit composed of inductor L4 and capacitor C4 forms the passband of hybrid filter 21, and elastic wave resonators P5 and P6 form attenuation poles.
  • the hybrid filter 21 can secure a wide passband that cannot be achieved with an elastic wave resonator by using the LC circuit, and can secure a steep attenuation slope that cannot be achieved by an LC circuit by using the elastic wave resonator.
  • the pass band width of the hybrid filter 21 is larger than the resonance band widths of the elastic wave resonators P5 and P6.
  • the filter 22 may not have a capacitor, and the passband width of the filter 22 may be equal to or less than the resonance bandwidth of the fourth elastic wave resonator.
  • circuit components of the high-frequency circuit 20 will be described.
  • the low-noise amplifier 53 is an example of a second low-noise amplifier, and is an amplifier that amplifies the reception signal of the first communication band with low noise and outputs it to the reception output terminal 170 .
  • the low noise amplifier 54 is an amplifier that amplifies the received signal of the second communication band with low noise and outputs the amplified signal to the reception output terminal 180 .
  • the matching circuit 45 is connected between the low noise amplifier 53 and the hybrid filter 21 and performs impedance matching between the low noise amplifier 53 and the hybrid filter 21 .
  • the matching circuit 46 is connected between the low noise amplifier 54 and the filter 22 to provide impedance matching between the low noise amplifier 54 and the filter 22 .
  • the high-frequency module 1 can independently transmit the transmission signal and the reception signal of the first communication band and the transmission signal and the reception signal of the second communication band, and can transmit at least two of them. It is possible to transmit simultaneously.
  • the passbands of hybrid filters 11 and 21 include, for example, 5G-NR (5th Generation New Radio) n77 (3300-4200MHz), and the passbands of filters 12 and 22 include, for example, 5G-NR n79 (4400-5000MHz). including.
  • the passbands of any of the hybrid filters 11 and 21 and filters 12 and 22 are 4G-LTE (4th Generation Long Term Evolution) Band 42 (3400-3600 MHz), Band 43 (3600-3800 MHz), Band 48 (3550-3700 MHz) ), Band49 (3550-3700 MHz), 5G-NR n77 (3300-4200 MHz), n78 (3300-3800 MHz), n79 (4400-5000 MHz), n46 (5150-5925 MHz), n96 (5925-7125 MHz) and n97, It may include at least one of WLAN (5150-5350 MHz), WLAN (5470-5850 MHz), and WLAN (5925-7125 MHz).
  • the switch 30 is formed in a semiconductor IC. At least one of the low noise amplifiers 51, 52, 53 and 54 and the switches 31 and 32 may be formed together with the switch 30 in one semiconductor IC.
  • the semiconductor IC is composed of CMOS, for example. Specifically, it is formed by an SOI process. This makes it possible to manufacture semiconductor ICs at low cost.
  • the semiconductor IC may be made of at least one of GaAs, SiGe and GaN. This makes it possible to output a high frequency signal with high quality amplification performance and noise performance.
  • each of the hybrid filters 11 and 21 according to the present embodiment includes one or more elastic wave resonators, one or more inductors, and one or more capacitors, and the passband width of the hybrid filter is set to the elastic wave resonance It is sufficient if it is larger than the resonance bandwidth of the child. Further, in the circuit configuration of hybrid filters 11 and 21 according to the present embodiment, no switch is arranged between the elastic wave resonator and the LC circuit.
  • no switch is inserted between the LC parallel resonant circuit including the inductor L3 and the capacitor C3 and the elastic wave resonator P1, and between the LC parallel resonant circuit and the elastic wave resonator P2.
  • one terminal of the hybrid filter 11 and one terminal of the filter 12 may be connected to the same selection terminal of the switch 30 .
  • one terminal of hybrid filter 21 and one terminal of filter 22 may be connected to the same selection terminal of switch 30 .
  • Filters are connected between the switch 31 and the low noise amplifier 51, between the switch 31 and the power amplifier 61, between the switch 32 and the low noise amplifier 52, and between the switch 32 and the power amplifier 62. may have been
  • the high-frequency module 1 only needs to include at least the antenna connection terminal 110, the hybrid filter 11, the switch 30, and the coupler 75 among the circuit parts and circuit elements shown in FIG. .
  • FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 6 according to a modification of the embodiment.
  • the high frequency module 6 includes antenna connection terminals 110 and 120, a coupler terminal 190, a coupler 76, a switch 30, and high frequency circuits 10 and 20.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 6 according to a modification of the embodiment.
  • the high frequency module 6 includes antenna connection terminals 110 and 120, a coupler terminal 190, a coupler 76, a switch 30, and high frequency circuits 10 and 20.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 6 according to a modification of the embodiment.
  • the high frequency module 6 includes antenna connection terminals 110 and 120, a coupler terminal 190, a coupler 76, a switch 30, and high frequency circuits 10 and 20.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 6 according to a modification of the embodiment.
  • the high frequency module 6 includes antenna connection terminals 110 and 120,
  • the high-frequency module 6 according to this modified example differs from the high-frequency module 1 according to the embodiment in the configuration and arrangement position of the coupler 76 .
  • the description of the same configuration as that of the high-frequency module 1 according to the embodiment will be omitted, and the description will focus on the different configuration.
  • the coupler 76 is arranged on a signal path (main line) connecting the switch 30 and the hybrid filter 11 of the high-frequency circuit 10, detects the high-frequency signal transmitted on the main line, and measures the signal strength of the high-frequency signal.
  • the coupler 76 is composed of, for example, a sub-line and a terminating circuit arranged in parallel close to the main line. One end of the sub line is connected to the termination circuit and the other end is connected to the coupler terminal 190 . Note that the coupler 76 may have a plurality of sub-lines.
  • the coupler 76 has a plurality of sub-lines, for example, by switching the switch connected to the coupler 76 to select the sub-line connected to the coupler terminal 190, the switch 30 to the hybrid filter 11 detection of a high frequency signal flowing to the switch 30 and detection of a high frequency signal flowing from the hybrid filter 11 to the switch 30 can be selected.
  • the layout area including the coupler and the hybrid filter tends to be large. Therefore, there is concern that the wiring of the signal path connecting the antenna connection terminal 110 and the hybrid filter 11 will be long, and the transmission loss of the high frequency modules 1 and 6 will increase.
  • FIG. 4A is a schematic plan view of the high-frequency module 1A according to the first embodiment.
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the high-frequency module 1A according to the first embodiment, more specifically, a cross-sectional view taken along line IVB-IVB of FIG. 4A.
  • FIG. 4A (a) shows a layout of circuit components when the main surface 80a of the main surfaces 80a and 80b facing each other of the module substrate 80 is viewed from the positive direction of the z-axis. .
  • each circuit component is provided with a mark representing its function so that the layout relationship of each circuit component can be easily understood. do not have.
  • a high-frequency module 1A according to Example 1 specifically shows the arrangement configuration of each circuit element that constitutes the high-frequency module 1 according to the embodiment.
  • a high frequency module 1A further includes a module substrate 80, resin members 81 and 82, and external connection terminals 100 in addition to the circuit configuration shown in FIG. and a metal shield layer 85 .
  • the module substrate 80 is an example of a substrate, and is a substrate that has a main surface 80a and a main surface 80b facing each other and on which circuit components that constitute the high frequency module 1A are mounted.
  • a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a high temperature co-fired ceramics (HTCC) substrate, A component-embedded substrate, a substrate having a redistribution layer (RDL), a printed substrate, or the like is used.
  • the principal surface 80a corresponds to the first principal surface
  • the principal surface 80b corresponds to the second principal surface
  • the module substrate 80 is an example of a substrate, and has a multilayer structure in which a plurality of dielectric layers are laminated, and a ground electrode pattern is formed on at least one of the plurality of dielectric layers. is desirable. This improves the electromagnetic field shielding function of the module substrate 80 .
  • antenna connection terminals 110 and 120, transmission input terminals 140 and 160, reception output terminals 130, 150, 170 and 180, and a coupler terminal 190 are formed on the main surface 80b. may have been
  • the resin member 81 is arranged on the main surface 80a and covers part of the circuit components forming the high frequency module 1A and the main surface 80a.
  • the resin member 82 is arranged on the main surface 80b and covers part of the circuit components forming the high frequency module 1A and the main surface 80b.
  • the resin members 81 and 82 have a function of ensuring reliability such as mechanical strength and moisture resistance of the circuit parts forming the high frequency module 1A.
  • the metal shield layer 85 covers the surface of the resin member 81 and is set to the ground potential.
  • the metal shield layer 85 is, for example, a metal thin film formed by sputtering.
  • the resin members 81 and 82 and the metal shield layer 85 are not essential components of the high frequency module 1 according to this embodiment.
  • the matching circuits 41-46 each include an inductor.
  • the wiring that connects each circuit component shown in FIG. 4A may be a bonding wire whose both ends are bonded to either the main surfaces 80a, 80b or the circuit parts constituting the high-frequency module 1A. It may be a formed terminal, electrode or wiring.
  • the hybrid filters 11 and 21, the filters 12 and 22, the power amplifiers 61 and 62, and the matching circuits 42, 44, 45 and 46 are arranged on the main surface 80a. It is On the other hand, switches 30, 31 and 32 and low noise amplifiers 51, 52, 53 and 54 are arranged on main surface 80b. Coupler 75 and matching circuits 41 and 43 are arranged inside module substrate 80 . Also, the switch 30 is built in the semiconductor IC 71 . Although not shown in FIG. 4A, the switch 33 may be arranged on either of the main surfaces 80a and 80b. The switch 33 may be built in the semiconductor IC 71 together with the switch 30 or may be built in the semiconductor IC 72 together with the switches 31 and 32, for example.
  • the circuit components constituting the high-frequency module 1A are distributed and arranged on both sides of the module substrate 80 with the module substrate 80 interposed therebetween. Thereby, the high frequency module 1A can be miniaturized.
  • the elastic wave resonators A1 elastic wave resonators P1 and P2 constituting the hybrid filter 11 are arranged on the main surface 80a, and other circuit elements constituting the hybrid filter 11, the hybrid Filter 21 , filters 12 and 22 , power amplifiers 61 and 62 , and matching circuits 42 , 44 , 45 and 46 circuit components may be located on major surface 80 b or inside module substrate 80 .
  • Switch 30 must be arranged on main surface 80 b , and switches 31 and 32 and low noise amplifiers 51 , 52 , 53 and 54 are arranged on main surface 80 a or inside module substrate 80 .
  • the coupler 75 must be arranged inside the module substrate 80, and the matching circuits 41 and 43 may be arranged on the main surface 80a or 80b.
  • the semiconductor IC 71 and the acoustic wave resonator A1 at least partially overlap, and the semiconductor IC 71 and the coupler 75 at least partially overlap. ing.
  • the switch 30 and the hybrid filter 11 can be connected mainly by via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the switch 30 and the hybrid filter 11 can be shortened. Also, the switch 30 and the coupler 75 can be connected mainly by via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the switch 30 and the coupler 75 can be shortened. As a result, the wiring between the coupler 75 and the hybrid filter 11 can be shortened, so that the high frequency module 1A with reduced transmission loss of high frequency signals in the first communication band and the second communication band can be provided.
  • the power consumption of the high-frequency module 1A can be reduced due to the reduction in transmission loss.
  • a plurality of external connection terminals 100 are arranged on the main surface 80b.
  • the high-frequency module 1A exchanges electric signals with an external substrate arranged on the z-axis negative direction side of the high-frequency module 1A via a plurality of external connection terminals 100 .
  • Some of the plurality of external connection terminals 100 are antenna connection terminals 110 and 120, transmission input terminals 140 and 160, reception output terminals 130, 150, 170 and 180, and coupler terminals, as shown in FIG. It may be 190.
  • Some other external connection terminals 100 are set to the ground potential of the external substrate.
  • the external connection terminal 100 may be a columnar electrode penetrating the resin member 82 in the z-axis direction. It may be a formed bump electrode. In this case, the resin member 82 on the main surface 80b may be omitted.
  • the main surface 80b facing the external substrate is not provided with circuit components that are difficult to reduce in height, and the low-noise amplifiers 51 to 54 and switches 30 to 32 that are easy to reduce in height are arranged. are placed.
  • the low noise amplifiers 51 to 54 and the switch 30 are included in the semiconductor IC 71 . According to this, the low noise amplifiers 51 to 54 and the switch 30 can be reduced in size and height.
  • the switches 31 and 32 are included in the semiconductor IC 72 . According to this, the switches 31 and 32 can be reduced in size and height.
  • the height of the high frequency module 1A can be reduced.
  • the power amplifiers 61 and 62 are arranged on the main surface 80a, and the low noise amplifiers 51 to 54 are arranged on the main surface 80b. According to this, since the power amplifiers 61 and 62 and the low noise amplifiers 51 to 54 are distributed across the module substrate 80, the isolation between transmission and reception can be improved.
  • elastic wave resonators P5 and P6, capacitor C4, and inductors L4, L5 and L6, which constitute hybrid filter 21, are arranged on main surface 80a.
  • low noise amplifier 53 connected to hybrid filter 21 via matching circuit 45 is arranged on main surface 80b.
  • the hybrid filter 21 and the low noise amplifier 53 at least partially overlap each other.
  • the hybrid filter 21 and the low-noise amplifier 53 can be connected mainly through the via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the hybrid filter 21 and the low noise amplifier 53 can be shortened, and the transmission loss of the reception signal of the first communication band can be reduced.
  • At least one of acoustic wave resonators P5 and P6, capacitor C4, and inductors L4, L5, and L6 may be arranged on main surface 80a, and at least one other one may be arranged inside module substrate 80 or on the main surface. 80b. According to this, some circuit elements of the hybrid filter 21 and the low-noise amplifier 53 are distributed and arranged on both sides of the module substrate 80 with the module substrate 80 interposed therebetween, so that the high-frequency module 1A can be miniaturized.
  • FIG. 5A is a schematic plan view of the high-frequency module 1B according to the second embodiment.
  • FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the high-frequency module 1B according to the second embodiment, more specifically, a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 5A.
  • FIG. 5A (a) shows a layout diagram of circuit components when the principal surface 80a of the opposed principal surfaces 80a and 80b of the module substrate 80 is viewed from the positive direction of the z-axis. .
  • (b) of FIG. 5A shows a transparent view of the layout of the circuit components when the main surface 80b is viewed from the positive direction of the z-axis.
  • each circuit component is provided with a mark indicating its function so that the layout relationship of each circuit component can be easily understood. do not have.
  • a high-frequency module 1B according to Example 2 specifically shows the arrangement configuration of each circuit element constituting a high-frequency module 6 according to a modification of the embodiment.
  • a high frequency module 1B further includes a module substrate 80, resin members 81 and 82, and external connection terminals 100 in addition to the circuit configuration shown in FIG. and a metal shield layer 85 .
  • the high-frequency module 1B according to the present embodiment differs from the high-frequency module 1A according to the first embodiment in the arrangement configuration of the coupler 76.
  • the description of the same configuration as that of the high-frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and the description will focus on the different configuration.
  • the wiring shown in FIG. 3 that connects each circuit component is formed inside the module substrate 80, on the main surfaces 80a and 80b.
  • the wiring may be a bonding wire whose both ends are bonded to either the main surfaces 80a, 80b and the circuit parts constituting the high-frequency module 1B. It may be a formed terminal, electrode or wiring.
  • the hybrid filters 11 and 21, the filters 12 and 22, the power amplifiers 61 and 62, the matching circuits 42, 44, 45 and 46 are arranged on the main surface 80a. It is on the other hand, switches 30, 31 and 32 and low noise amplifiers 51, 52, 53 and 54 are arranged on main surface 80b. Coupler 76 and matching circuits 41 and 43 are arranged inside module substrate 80 . Also, the switch 30 is built in the semiconductor IC 71 .
  • the circuit components constituting the high-frequency module 1B are distributed and arranged on both sides of the module substrate 80 with the module substrate 80 interposed therebetween. Thereby, the high frequency module 1B can be miniaturized.
  • the elastic wave resonators A1 elastic wave resonators P1 and P2 constituting the hybrid filter 11 are arranged on the main surface 80a, and other circuit elements constituting the hybrid filter 11, the hybrid Filter 21 , filters 12 and 22 , power amplifiers 61 and 62 , and matching circuits 42 , 44 , 45 and 46 circuit components may be located on major surface 80 b or inside module substrate 80 .
  • Switch 30 must be arranged on main surface 80 b , and switches 31 and 32 and low noise amplifiers 51 , 52 , 53 and 54 are arranged on main surface 80 a or inside module substrate 80 .
  • the coupler 76 must be arranged inside the module substrate 80, and the matching circuits 41 and 43 may be arranged on the main surface 80a or 80b.
  • the coupler 76 and the hybrid filter 11 can be connected mainly by via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the coupler 76 and the hybrid filter 11 can be shortened. Also, the coupler 76 and the switch 30 can be mainly connected by via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the hybrid filter 11 and the switch 30 can be shortened. As a result, the wiring between the switch 30 and the hybrid filter 11 can be shortened, so that the high frequency module 1B with reduced transmission loss of the high frequency signal of the first communication band can be provided.
  • the power consumption of the high-frequency module 1B can be reduced due to the reduction in transmission loss.
  • FIG. 5C is a cross-sectional schematic diagram of a high-frequency module 1C according to the third embodiment.
  • a high-frequency module 1C according to the present embodiment specifically shows an arrangement configuration of circuit elements constituting a high-frequency module 6 according to a modification of the embodiment.
  • a high-frequency module 1C shown in FIG. 5C differs from the high-frequency module 1B according to the second embodiment in the arrangement configuration of the circuit elements that constitute the hybrid filter 11 .
  • the description of the same configuration as that of the high-frequency module 1B according to the second embodiment will be omitted, and the description will focus on the different configuration.
  • the hybrid filter 11 includes an elastic wave resonator A1 (acoustic wave resonators P1 and P2), a capacitor C3, and inductors L1, L2 and L3.
  • the elastic wave resonator A1 and the capacitor C3 are arranged on the main surface 80a, and the inductor L3 is formed inside the module substrate 80.
  • the inductor L3 is composed of, for example, a plurality of planar coil conductors and via conductors connecting them.
  • part of the circuit elements forming the hybrid filter 11 are arranged on the main surface 80a, and other circuit elements forming the hybrid filter 11 are formed inside the module substrate 80. Therefore, the high frequency module 1C can be made smaller.
  • the circuit element formed inside the module substrate 80 may be the capacitor C3.
  • the high-frequency module 1A includes the module substrate 80 having the main surfaces 80a and 80b facing each other, the antenna connection terminal 110, the first elastic wave resonator, the first inductor, and the first a hybrid filter 11 having a capacitor; a switch 30 connected between the antenna connection terminal 110 and the hybrid filter 11 for switching between connection and non-connection between the antenna connection terminal 110 and the hybrid filter 11;
  • the first acoustic wave resonator is arranged on the main surface 80a
  • the switch 30 is included in the semiconductor IC 71 arranged on the main surface 80b
  • the coupler 75 is arranged on the path connecting the 75 is arranged inside the module substrate 80.
  • the switch 30 and the hybrid filter 11 can be connected mainly by via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the switch 30 and the hybrid filter 11 can be shortened. Also, the switch 30 and the coupler 75 can be connected mainly by via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the switch 30 and the coupler 75 can be shortened. As a result, the wiring between the coupler 75 and the hybrid filter 11 can be shortened, so that the high frequency module 1A with reduced transmission loss of high frequency signals in the first communication band and the second communication band can be provided. Furthermore, since a high-power transmission signal is transmitted through the wiring between the coupler 75 and the hybrid filter 11, the power consumption of the high-frequency module 1A can be reduced by reducing the transmission loss.
  • the high-frequency module 1B has a module substrate 80 having main surfaces 80a and 80b facing each other, an antenna connection terminal 110, a first acoustic wave resonator, a first inductor, and a first capacitor.
  • Hybrid filter 11, switch 30 connected between antenna connection terminal 110 and hybrid filter 11 and switching between connection and non-connection between antenna connection terminal 110 and hybrid filter 11, and path connecting switch 30 and hybrid filter 11 a coupler 76 arranged on the main surface 80a, the switch 30 is included in the semiconductor IC 71 arranged on the main surface 80b, and the coupler 76 is arranged on the module substrate 80 , and when the module substrate 80 is viewed from above, the coupler 76 and the first acoustic wave resonator at least partially overlap, and the coupler 76 and the semiconductor IC 71 at least partially overlap.
  • the coupler 76 and the hybrid filter 11 can be connected mainly by via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the coupler 76 and the hybrid filter 11 can be shortened. Also, the coupler 76 and the switch 30 can be mainly connected by via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the hybrid filter 11 and the switch 30 can be shortened. As a result, the wiring between the switch 30 and the hybrid filter 11 can be shortened, so that the high frequency module 1B with reduced transmission loss of the high frequency signal of the first communication band can be provided. Furthermore, since a high-power transmission signal is transmitted through the wiring between the switch 30 and the hybrid filter 11, the power consumption of the high-frequency module 1B can be reduced by reducing the transmission loss.
  • At least one of the first inductor and the first capacitor may be arranged inside the module substrate 80 .
  • part of the circuit elements forming the hybrid filter 11 are arranged on the main surface 80a, and the other circuit elements forming the hybrid filter 11 are formed inside the module substrate 80, so that the high frequency module 1C can be Can be made smaller.
  • the high frequency modules 1A to 1C are further connected to the power amplifier 61, the low noise amplifier 51, the hybrid filter 11, the power amplifier 61 and the low noise amplifier 51, the connection between the hybrid filter 11 and the power amplifier 61 and the hybrid A switch 31 for switching connection between the filter 11 and the low noise amplifier 51 may be provided.
  • the hybrid filter 11 can function as a TDD filter for both transmission and reception.
  • the high frequency modules 1A to 1C further include external connection terminals 100 arranged on the main surface 80b, the power amplifier 61 is arranged on the main surface 80a, and the low noise amplifier 52 is included in the semiconductor IC 71. good too.
  • the power amplifier 61 and the low noise amplifier 51 are distributed across the module substrate 80, so that the isolation between transmission and reception can be improved.
  • the high-frequency modules 1A to 1C further include a hybrid filter 21 having a second elastic wave resonator, a second inductor, and a second capacitor, and a low noise amplifier 53 arranged on the main surface 80b.
  • a hybrid filter 21 having a second elastic wave resonator, a second inductor, and a second capacitor, and a low noise amplifier 53 arranged on the main surface 80b.
  • One of the two acoustic wave resonators, the second inductor, and the second capacitor is arranged on the main surface 80a, and the hybrid filter 21 is a reception-only filter connected between the switch 30 and the low noise amplifier 53.
  • the hybrid filter 21 and the low noise amplifier 53 may at least partially overlap each other.
  • the hybrid filter 21 and the low-noise amplifier 53 can be connected mainly through the via wiring formed in the module substrate 80 along the vertical direction of the module substrate 80 . Therefore, the wiring connecting the hybrid filter 21 and the low noise amplifier 53 can be shortened, and the transmission loss of the reception signal of the first communication band can be reduced.
  • the low noise amplifier 53 may be included in the semiconductor IC 71 in the high frequency modules 1A to 1C.
  • the low noise amplifier 53 and the switch 30 can be reduced in size and height.
  • the passband of the hybrid filter 11 is 4G-LTE Band 42, Band 43, Band 48, Band 49, 5G-NR n77, n78, n79, n46, n96 and n97, WLAN (5150-5350 MHz ), WLAN (5470-5850 MHz), and WLAN (5925-7125 MHz).
  • the communication device 5 also includes an RFIC 3 that processes high-frequency signals received by the antennas 2A and 2B, and a high-frequency module 1 that propagates the high-frequency signals between the antennas 2A and 2B and the RFIC 3.
  • matching elements such as inductors and capacitors, and switch circuits may be connected between each component.
  • the inductor may include a wiring inductor that is a wiring that connects each component.
  • the present invention can be widely used in communication equipment such as mobile phones as a high-frequency module and communication device that can be applied to multiband systems.

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Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、互いに対向する主面（８０ａおよび８０ｂ）を有するモジュール基板（８０）と、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有するハイブリッドフィルタ（１１）と、アンテナ接続端子（１１０）とハイブリッドフィルタ（１１）との接続および非接続を切り替えるスイッチ（３０）と、アンテナ接続端子（１１０）とスイッチ（３０）とを結ぶ経路に配置されたカプラ（７５）と、を備え、第１弾性波共振子は主面（８０ａ）に配置されており、スイッチ（３０）は主面（８０ｂ）に配置された半導体ＩＣ（７１）に含まれており、カプラ（７５）はモジュール基板（８０）の内部に配置されており、モジュール基板（８０）を平面視した場合、半導体ＩＣ（７１）と第１弾性波共振子とは少なくとも一部重なっており、半導体ＩＣ（７１）とカプラ（７５）とは少なくとも一部重なっている。

Description

高周波モジュールおよび通信装置
　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
　特許文献１には、弾性共振器（弾性波共振子）、インダクタおよびキャパシタを含むハイブリッド弾性ＬＣフィルタが開示されている。これによれば、相対的に広い通過帯域を実現でき、さらには厳格な帯域外阻止仕様を満たすことができるとしている。
特開２０２０－１４２０４号公報
　特許文献１に開示されたハイブリッド弾性ＬＣフィルタが配置されたフロントエンドの高周波モジュールでは、アンテナ接続端子とハイブリッド弾性ＬＣフィルタとの間の信号経路に、信号強度を測定するカプラが配置される。
　しかしながら、ハイブリッド弾性ＬＣフィルタおよびカプラを有する高周波モジュールでは、ハイブリッド弾性ＬＣフィルタの部品点数が多いため、カプラおよびハイブリッド弾性ＬＣフィルタを含む配置面積が大きくなる傾向がある。このため、上記信号経路の配線が長くなり、高周波モジュールの伝送損失が増大することが懸念される。
　そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、ハイブリッドフィルタおよびカプラを有しつつ伝送損失が低減された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有する基板と、アンテナ接続端子と、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有する第１ハイブリッドフィルタと、アンテナ接続端子と第１ハイブリッドフィルタとの間に接続され、アンテナ接続端子と第１ハイブリッドフィルタとの接続および非接続を切り替える第１スイッチと、アンテナ接続端子と第１スイッチとを結ぶ経路に配置されたカプラと、を備え、第１弾性波共振子は、第１主面に配置されており、第１スイッチは、第２主面に配置された半導体ＩＣに含まれており、カプラは、基板の内部に配置されており、基板を平面視した場合、半導体ＩＣと第１弾性波共振子とは少なくとも一部重なっており、半導体ＩＣとカプラとは少なくとも一部重なっている。
　また、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有する基板と、アンテナ接続端子と、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有する第１ハイブリッドフィルタと、アンテナ接続端子と第１ハイブリッドフィルタとの間に接続され、アンテナ接続端子と第１ハイブリッドフィルタとの接続および非接続を切り替える第１スイッチと、第１スイッチと第１ハイブリッドフィルタとを結ぶ経路に配置されたカプラと、を備え、第１弾性波共振子は、第１主面に配置されており、第１スイッチは、第２主面に配置された半導体ＩＣに含まれており、カプラは、基板の内部に配置されており、基板を平面視した場合、カプラと第１弾性波共振子とは少なくとも一部重なっており、カプラと半導体ＩＣとは少なくとも一部重なっている。
　本発明によれば、ハイブリッドフィルタおよびカプラを有しつつ伝送損失が低減された高周波モジュールおよび通信装置を提供することができる。
図１は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 図２Ａは、実施の形態に係る第１ハイブリッドフィルタの回路構成の一例を示す図である。 図２Ｂは、実施の形態に係る第２ハイブリッドフィルタの回路構成の一例を示す図である。 図３は、実施の形態の変形例に係る高周波モジュールの回路構成図である。 図４Ａは、実施例１に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図４Ｂは、実施例１に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図５Ａは、実施例２に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 図５Ｂは、実施例２に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図５Ｃは、実施例３に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
　また、以下において、「Ａが基板の第１主面に配置されている」とは、Ａが第１主面上に直接実装されているだけでなく、基板で隔された第１主面側の空間および第２主面側の空間のうち、Ａが第１主面側の空間に配置されていることを意味する。つまり、Ａが第１主面上に、その他の回路素子や電極などを介して実装されていることを含む。
　また、以下において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路部品を介して電気的に接続される場合も含む。また、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。
　以下の各図において、ｘ軸およびｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
　また、本開示のモジュール構成において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、および、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。
　また、以下において、基板に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「基板（または基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ複数の線分の少なくとも１つがＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板の主面に平行な平面に正投影して見ることを意味する。
　また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
　（実施の形態）
　［１．実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２Ａおよび２Ｂと、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２Ａおよび２Ｂで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された信号に基づいて処理された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝送する高周波信号よりも低い周波数の信号を用いてデータ処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
　また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が送信および受信のいずれに使用されるか、および、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ３０、３１、３２および３３の接続を制御する制御部としての機能を有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ３０、３１、３２および３３の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
　また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有する電力増幅器６１および６２の利得、電力増幅器６１および６２に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御する制御部としての機能も有する。
　アンテナ２Ａは、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１１０に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。アンテナ２Ｂは、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１２０に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２Ａ、２ＢおよびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
　図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１１０および１２０と、カプラ端子１９０と、カプラ７５と、スイッチ３０および３３と、高周波回路１０および２０と、を備える。
　アンテナ接続端子１１０はアンテナ２Ａに接続される第１アンテナ共通端子であり、アンテナ接続端子１２０はアンテナ２Ｂに接続される第２アンテナ共通端子である。
　スイッチ３３は、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３３の共通端子はカプラ端子１９０に接続されている。スイッチ３３の一方の選択端子は、カプラ７５が有する一方の副線路に接続されており、スイッチ３３の他方の選択端子は、カプラ７５が有する他方の副線路に接続されている。つまり、スイッチ３３は、カプラ端子１９０と一方の副線路との接続およびカプラ端子１９０と他方の副線路との接続を切り替える。スイッチ３３は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。
　カプラ７５は、スイッチ３０とアンテナ接続端子１１０とを結ぶ信号経路（主線路）に配置され、当該主線路を伝送する高周波信号を検波し、当該高周波信号の信号強度を測定する。カプラ７５は、例えば、上記主線路に近接して平行配置された副線路と終端回路とで構成されている。副線路の一端は終端回路に接続され、他端はスイッチ３３の一方の選択端子に接続されている。なお、カプラ７５は、複数の副線路を有していてもよい。カプラ７５が複数の副線路を有している場合には、例えば、スイッチ３３の切り替えによりカプラ端子１９０に接続される副線路が選択されることで、アンテナ接続端子１１０からスイッチ３０へと流れる高周波信号の検波、および、スイッチ３０からアンテナ接続端子１１０へと流れる高周波信号の検波を選択できる。あるいは、スイッチ３３の切り替えによりカプラ端子１９０に接続される副線路が選択されることで、第１通信バンドの高周波信号の検波、および、第２通信バンドの高周波信号の検波を選択できる。
　スイッチ３０は、第１スイッチの一例であり、共通端子３０ａおよび３０ｂと、選択端子３０ｃ、３０ｄ、３０ｅおよび３０ｆを有し、共通端子３０ａと選択端子３０ｃ～３０ｆの少なくとも１つとの接続および非接続を切り替え、共通端子３０ｂと、選択端子３０ｃ～３０ｆの少なくとも１つとの接続および非接続を切り替える。共通端子３０ａはアンテナ接続端子１１０に接続されている。共通端子３０ｂはアンテナ接続端子１２０に接続されている。選択端子３０ｃはハイブリッドフィルタ１１に接続されている。選択端子３０ｄはフィルタ１２に接続されている。選択端子３０ｅはハイブリッドフィルタ２１に接続されている。選択端子３０ｆはフィルタ２２に接続されている。スイッチ３０は、ハイブリッドフィルタ１１とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替え、ハイブリッドフィルタ１１とアンテナ接続端子１２０との接続および非接続を切り替える。また、スイッチ３０は、フィルタ１２とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替え、フィルタ１２とアンテナ接続端子１２０との接続および非接続を切り替える。また、スイッチ３０は、ハイブリッドフィルタ２１とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替え、ハイブリッドフィルタ２１とアンテナ接続端子１２０との接続および非接続を切り替える。また、スイッチ３０は、フィルタ２２とアンテナ接続端子１１０との接続および非接続を切り替え、フィルタ２２とアンテナ接続端子１２０との接続および非接続を切り替える。
　スイッチ３０の上記接続構成によれば、通信装置５は、アンテナ２Ａをハイブリッドフィルタ１１および２１、フィルタ１２および２２の少なくとも１つと接続することが可能であり、また、アンテナ２Ｂをハイブリッドフィルタ１１および２１、フィルタ１２および２２の少なくとも１つと接続することが可能である。
　高周波回路１０は、受信出力端子１３０および１５０と、送信入力端子１４０および１６０と、ハイブリッドフィルタ１１と、フィルタ１２と、スイッチ３１および３２と、整合回路４１、４２、４３および４４と、低雑音増幅器５１および５２と、電力増幅器６１および６２と、を備える。
　ハイブリッドフィルタ１１は、第１ハイブリッドフィルタの一例であり、１以上の第１弾性波共振子と、１以上の第１インダクタと、１以上の第１キャパシタと、を備えたフィルタである。ハイブリッドフィルタ１１の一方の端子は選択端子３０ｃに接続され、他方の端子はスイッチ３１に接続されている。
　フィルタ１２は、１以上の第３弾性波共振子と、１以上の第３インダクタと、を備えたフィルタである。フィルタ１２の一方の端子は選択端子３０ｄに接続され、他方の端子はスイッチ３２に接続されている。
　なお、第１弾性波共振子および第３弾性波素子は、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波共振子、または、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波共振子である。
　図２Ａは、実施の形態に係るハイブリッドフィルタ１１の回路構成の一例を示す図である。同図に示すように、ハイブリッドフィルタ１１は、弾性波共振子Ｐ１およびＰ２と、キャパシタＣ３と、インダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３と、を備える。弾性波共振子Ｐ１およびＰ２のそれぞれは第１弾性波共振子の一例であり、インダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３のそれぞれは第１インダクタの一例であり、キャパシタＣ３は第１キャパシタの一例である。
　インダクタＬ３とキャパシタＣ３とは、ＬＣ並列共振回路を構成している。弾性波共振子Ｐ１とインダクタＬ１との直列接続回路は、入出力端子１０１と上記ＬＣ並列共振回路とを結ぶ経路上のノードとグランドとの間に配置されている。弾性波共振子Ｐ２とインダクタＬ２との直列接続回路は、入出力端子１０２と上記ＬＣ並列共振回路とを結ぶ経路上のノードとグランドとの間に配置されている。弾性波共振子Ｐ１およびＰ２は、弾性波共振器Ａ１を形成しており、例えば、１チップ化されている。なお、複数の弾性波共振子が１チップ化されているとは、複数の弾性波共振子が１枚の圧電基板上に形成されている、または、複数の弾性波共振子が１つのパッケージ内に含まれていることと定義される。
　上記構成において、インダクタＬ３およびキャパシタＣ３からなるＬＣ並列共振回路の共振周波数と弾性波共振子Ｐ１およびＰ２の共振周波数および反共振周波数とを調整することにより、ハイブリッドフィルタ１１の通過帯域および減衰帯域が形成される。インダクタＬ３およびキャパシタＣ３からなるＬＣ並列共振回路により、ハイブリッドフィルタ１１の通過帯域が形成され、弾性波共振子Ｐ１およびＰ２により減衰極が形成される。
　つまり、ハイブリッドフィルタ１１は、ＬＣ回路により弾性波共振子では実現できない広い通過帯域を確保でき、弾性波共振子によりＬＣ回路では実現できない急峻な減衰スロープを確保できる。
　この観点から、ハイブリッドフィルタ１１の通過帯域幅は、弾性波共振子Ｐ１およびＰ２の共振帯域幅よりも大きい。
　なお、本実施の形態において、弾性波共振子の共振帯域幅とは、当該弾性波共振子の反共振周波数と共振周波数との差と定義される。また、比共振帯域幅は、上記共振帯域幅を反共振周波数および共振周波数の中間値で割った比率と定義される。一般的なＳＡＷ共振子およびＢＡＷ共振子は、０．１～１０ＧＨｚの周波数帯で、３～４％の比共振帯域幅を有することが知られている。
　なお、フィルタ１２は、キャパシタを備えていなくてもよく、フィルタ１２の通過帯域幅は、第３弾性波共振子の共振帯域幅以下であってもよい。
　図１に戻って高周波回路１０の回路部品の説明をする。
　低雑音増幅器５１は、第１低雑音増幅器の一例であり、第１通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１３０へ出力する増幅器である。低雑音増幅器５２は、第２通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１５０へ出力する増幅器である。
　電力増幅器６１は、第１電力増幅器の一例であり、送信入力端子１４０から入力された第１通信バンドの送信信号を増幅する増幅器である。電力増幅器６２は、送信入力端子１６０から入力された第２通信バンドの送信信号を増幅する増幅器である。
　整合回路４１は、低雑音増幅器５１とスイッチ３１との間に接続され、低雑音増幅器５１とスイッチ３１とのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、電力増幅器６１とスイッチ３１との間に接続され、電力増幅器６１とスイッチ３１とのインピーダンス整合をとる。整合回路４３は、低雑音増幅器５２とスイッチ３２との間に接続され、低雑音増幅器５２とスイッチ３２とのインピーダンス整合をとる。整合回路４４は、電力増幅器６２とスイッチ３２との間に接続され、電力増幅器６２とスイッチ３２とのインピーダンス整合をとる。
　スイッチ３１は、第２スイッチの一例であり、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３１の共通端子は、ハイブリッドフィルタ１１に接続されている。スイッチ３１の一方の選択端子は整合回路４１を介して低雑音増幅器５１の入力端子に接続され、スイッチ３１の他方の選択端子は整合回路４２を介して電力増幅器６１の出力端子に接続されている。つまり、スイッチ３１は、ハイブリッドフィルタ１１、低雑音増幅器５１、および電力増幅器６１に接続され、ハイブリッドフィルタ１１と低雑音増幅器５１との接続およびハイブリッドフィルタ１１と電力増幅器６１との接続を切り替える時分割複信（ＴＤＤ：Ｔｉｍｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｄｕｐｌｅｘ）スイッチである。スイッチ３１は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ３１によれば、ハイブリッドフィルタ１１は、低雑音増幅器５１および電力増幅器６１に接続される送信受信兼用フィルタとして機能する。
　スイッチ３２は、共通端子および２つの選択端子を有する。スイッチ３２の共通端子は、フィルタ１２に接続されている。スイッチ３２の一方の選択端子は整合回路４３を介して低雑音増幅器５２に接続され、スイッチ３２の他方の選択端子は整合回路４４を介して電力増幅器６２に接続されている。つまり、スイッチ３２は、フィルタ１２と低雑音増幅器５２との接続およびフィルタ１２と電力増幅器６２との接続を切り替えるＴＤＤスイッチである。スイッチ３２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ３２によれば、フィルタ１２は、低雑音増幅器５２および電力増幅器６２に接続される送信受信兼用フィルタとして機能する。
　高周波回路２０は、受信出力端子１７０および１８０と、ハイブリッドフィルタ２１と、フィルタ２２と、整合回路４５および４６と、低雑音増幅器５３および５４と、を備える。
　ハイブリッドフィルタ２１は、第２ハイブリッドフィルタの一例であり、１以上の第２弾性波共振子と、１以上の第２インダクタと、１以上の第２キャパシタと、を備えたフィルタである。ハイブリッドフィルタ２１の一方の端子は選択端子３０ｅに接続され、他方の端子は整合回路４５を介して低雑音増幅器５３に接続されている。なお、ハイブリッドフィルタ２１は、電力増幅器には接続されない。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ２１は、スイッチ３０と低雑音増幅器５３との間に接続された受信専用フィルタとして機能する。
　フィルタ２２は、１以上の第４弾性波共振子と、１以上の第４インダクタと、を備えたフィルタである。フィルタ２２の一方の端子は選択端子３０ｆに接続され、他方の端子は整合回路４６を介して低雑音増幅器５４に接続されている。なお、フィルタ２２は、電力増幅器には接続されない。
　これによれば、フィルタ２２は、スイッチ３０に接続された受信専用フィルタとして機能する。
　なお、第２弾性波共振子および第４弾性波素子は、例えば、ＳＡＷを用いた弾性波共振子、または、ＢＡＷを用いた弾性波共振子である。
　図２Ｂは、実施の形態に係るハイブリッドフィルタ２１の回路構成の一例を示す図である。同図に示すように、ハイブリッドフィルタ２１は、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６と、キャパシタＣ４と、インダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６と、を備える。弾性波共振子Ｐ５およびＰ６のそれぞれは第２弾性波共振子の一例であり、インダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６のそれぞれは第２インダクタの一例であり、キャパシタＣ４は第２キャパシタの一例である。
　インダクタＬ４とキャパシタＣ４とは、ＬＣ並列共振回路を構成している。弾性波共振子Ｐ５とインダクタＬ５との直列接続回路は、入出力端子１０３と上記ＬＣ並列共振回路とを結ぶ経路上のノードとグランドとの間に配置されている。弾性波共振子Ｐ６とインダクタＬ６との直列接続回路は、入出力端子１０４と上記ＬＣ並列共振回路とを結ぶ経路上のノードとグランドとの間に配置されている。弾性波共振子Ｐ５およびＰ６は、弾性波共振器Ａ２を形成しており、例えば、１チップ化されている。
　上記構成において、インダクタＬ４およびキャパシタＣ４からなるＬＣ並列共振回路の共振周波数と弾性波共振子Ｐ５およびＰ６の共振周波数および反共振周波数とを調整することにより、ハイブリッドフィルタ２１の通過帯域および減衰帯域が形成される。インダクタＬ４およびキャパシタＣ４からなるＬＣ並列共振回路により、ハイブリッドフィルタ２１の通過帯域が形成され、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６により減衰極が形成される。
　つまり、ハイブリッドフィルタ２１は、ＬＣ回路により弾性波共振子では実現できない広い通過帯域を確保でき、弾性波共振子によりＬＣ回路では実現できない急峻な減衰スロープを確保できる。
　この観点から、ハイブリッドフィルタ２１の通過帯域幅は、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６の共振帯域幅よりも大きい。
　なお、フィルタ２２は、キャパシタを備えていなくてもよく、フィルタ２２の通過帯域幅は、第４弾性波共振子の共振帯域幅以下であってもよい。
　図１に戻って高周波回路２０の回路部品の説明をする。
　低雑音増幅器５３は、第２低雑音増幅器の一例であり、第１通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１７０へ出力する増幅器である。低雑音増幅器５４は、第２通信バンドの受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１８０へ出力する増幅器である。
　整合回路４５は、低雑音増幅器５３とハイブリッドフィルタ２１との間に接続され、低雑音増幅器５３とハイブリッドフィルタ２１とのインピーダンス整合をとる。整合回路４６は、低雑音増幅器５４とフィルタ２２との間に接続され、低雑音増幅器５４とフィルタ２２とのインピーダンス整合をとる。
　上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、第１通信バンドの送信信号および受信信号、ならびに、第２通信バンドの送信信号および受信信号をそれぞれ単独で伝送でき、また、それらの少なくとも２つを同時に伝送することが可能である。
　ハイブリッドフィルタ１１および２１の通過帯域は、例えば５Ｇ－ＮＲ（５ｔｈ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　Ｎｅｗ　Ｒａｄｉｏ）のｎ７７（３３００－４２００ＭＨｚ）を含み、フィルタ１２および２２の通過帯域は、例えば５Ｇ－ＮＲのｎ７９（４４００－５０００ＭＨｚ）を含む。
　なお、ハイブリッドフィルタ１１および２１ならびにフィルタ１２および２２のいずれかの通過帯域は、４Ｇ－ＬＴＥ（４ｔｈ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ４２（３４００－３６００ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ４３（３６００－３８００ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ４８（３５５０－３７００ＭＨｚ）、Ｂａｎｄ４９（３５５０－３７００ＭＨｚ）、５Ｇ－ＮＲのｎ７７（３３００－４２００ＭＨｚ）、ｎ７８（３３００－３８００ＭＨｚ）、ｎ７９（４４００－５０００ＭＨｚ）、ｎ４６（５１５０－５９２５ＭＨｚ）、ｎ９６（５９２５－７１２５ＭＨｚ）およびｎ９７、ＷＬＡＮ（５１５０－５３５０ＭＨｚ）、ＷＬＡＮ（５４７０－５８５０ＭＨｚ）、およびＷＬＡＮ（５９２５－７１２５ＭＨｚ）の少なくとも１つを含んでもよい。
　なお、スイッチ３０は、半導体ＩＣに形成されている。また、低雑音増幅器５１、５２、５３および５４、スイッチ３１および３２のうちの少なくとも１つは、スイッチ３０とともに１つの半導体ＩＣに形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩプロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
　なお、本実施の形態に係るハイブリッドフィルタ１１および２１の回路構成は、図２Ａおよび図２Ｂの回路構成に限定されない。本実施の形態に係るハイブリッドフィルタ１１および２１のそれぞれは、１以上の弾性波共振子と、１以上のインダクタと、１以上のキャパシタと、を備え、ハイブリッドフィルタの通過帯域幅が当該弾性波共振子の共振帯域幅よりも大きければよい。また、本実施の形態に係るハイブリッドフィルタ１１および２１の回路構成として、弾性波共振子とＬＣ回路との間には、スイッチは配置されない。例えば、ハイブリッドフィルタ１１では、インダクタＬ３およびキャパシタＣ３からなるＬＣ並列共振回路と弾性波共振子Ｐ１との間、および、当該ＬＣ並列共振回路と弾性波共振子Ｐ２との間にはスイッチは挿入されない。
　また、ハイブリッドフィルタ１１の一方の端子およびフィルタ１２の一方の端子は、スイッチ３０の同じ選択端子に接続されていてもよい。また、ハイブリッドフィルタ２１の一方の端子およびフィルタ２２の一方の端子は、スイッチ３０の同じ選択端子に接続されていてもよい。
　また、スイッチ３１と低雑音増幅器５１との間、スイッチ３１と電力増幅器６１との間、スイッチ３２と低雑音増幅器５２との間、および、スイッチ３２と電力増幅器６２との間に、フィルタが接続されていてもよい。
　なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、図１に示された回路部品および回路素子のうち、アンテナ接続端子１１０、ハイブリッドフィルタ１１、スイッチ３０、およびカプラ７５を、少なくとも備えていればよい。
　［２．実施の形態の変形例に係る高周波モジュール６の構成］
　次に、実施の形態の変形例に係る高周波モジュール６の構成について説明する。
　図３は、実施の形態の変形例に係る高周波モジュール６の回路構成図である。同図に示すように、高周波モジュール６は、アンテナ接続端子１１０および１２０と、カプラ端子１９０と、カプラ７６と、スイッチ３０と、高周波回路１０および２０と、を備える。
　本変形例に係る高周波モジュール６は、実施の形態に係る高周波モジュール１と比較して、カプラ７６の構成およびその配置位置が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール６について、実施の形態に係る高周波モジュール１と同じ構成は説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　カプラ７６は、スイッチ３０と高周波回路１０のハイブリッドフィルタ１１とを結ぶ信号経路（主線路）に配置され、当該主線路を伝送する高周波信号を検波し、当該高周波信号の信号強度を測定する。カプラ７６は、例えば、上記主線路に近接して平行配置された副線路と終端回路とで構成されている。副線路の一端は終端回路に接続され、他端はカプラ端子１９０に接続されている。なお、カプラ７６は、複数の副線路を有していてもよい。カプラ７６が複数の副線路を有している場合には、例えば、カプラ７６に接続されたスイッチの切り替えによりカプラ端子１９０に接続される副線路が選択されることで、スイッチ３０からハイブリッドフィルタ１１へと流れる高周波信号の検波、および、ハイブリッドフィルタ１１からスイッチ３０へと流れる高周波信号の検波を選択できる。
　ここで、高周波モジュール１および６では、ハイブリッドフィルタ１１の部品点数が多いため、カプラおよびハイブリッドフィルタを含む配置面積が大きくなる傾向がある。このため、アンテナ接続端子１１０とハイブリッドフィルタ１１とを結ぶ信号経路の配線が長くなり、高周波モジュール１および６の伝送損失が増大することが懸念される。
　これに対して、以下では、ハイブリッドフィルタおよびカプラを有しつつ伝送損失が低減された高周波モジュール１および６の構成について説明する。
　［３．実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
　図４Ａは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。また、図４Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図４ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ線における断面図である。なお、図４Ａの（ａ）には、モジュール基板８０の互いに対向する主面８０ａおよび８０ｂのうち、主面８０ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。一方、図４Ａの（ｂ）には、主面８０ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図４Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ａには、当該マークは付されていない。
　実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
　図４Ａおよび図４Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板８０と、樹脂部材８１および８２と、外部接続端子１００と、金属シールド層８５と、を有している。
　モジュール基板８０は、基板の一例であり、互いに対向する主面８０ａおよび主面８０ｂを有し、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品を実装する基板である。モジュール基板８０としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。
　なお、本実施例では、主面８０ａは第１主面に相当し、主面８０ｂは第２主面に相当する。
　なお、モジュール基板８０は、基板の一例であり、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板８０の電磁界遮蔽機能が向上する。
　なお、図４Ａの（ｂ）に示すように、主面８０ｂ上に、アンテナ接続端子１１０および１２０、送信入力端子１４０および１６０、受信出力端子１３０、１５０、１７０および１８０、ならびにカプラ端子１９０が形成されていてもよい。
　樹脂部材８１は、主面８０ａに配置され、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の一部および主面８０ａを覆っている。樹脂部材８２は、主面８０ｂに配置され、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の一部および主面８０ｂを覆っている。樹脂部材８１および８２は、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。
　金属シールド層８５は、樹脂部材８１の表面を覆い、グランド電位に設定されている。金属シールド層８５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜である。
　なお、樹脂部材８１、８２および金属シールド層８５は、本実施の形態に係る高周波モジュール１に必須の構成要素ではない。
　本実施例では、整合回路４１～４６は、それぞれインダクタを含む。
　なお、図４Ａには図示していないが、図１に示された、各回路部品を接続する配線は、モジュール基板８０の内部、主面８０ａおよび８０ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面８０ａ、８０ｂおよび高周波モジュール１Ａを構成する回路部品のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
　図４Ａに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、ハイブリッドフィルタ１１および２１、フィルタ１２および２２、電力増幅器６１および６２、整合回路４２、４４、４５および４６は、主面８０ａに配置されている。一方、スイッチ３０、３１および３２、低雑音増幅器５１、５２、５３および５４は、主面８０ｂに配置されている。また、カプラ７５、整合回路４１および４３は、モジュール基板８０の内部に配置されている。また、スイッチ３０は、半導体ＩＣ７１に内蔵されている。なお、図４Ａには図示していないが、スイッチ３３は、主面８０ａおよび８０ｂのいずれに配置されていてもよい。スイッチ３３は、例えば、スイッチ３０とともに半導体ＩＣ７１に内蔵されていてもよいし、スイッチ３１および３２とともに半導体ＩＣ７２に内蔵されていてもよい。
　上記構成によれば、高周波モジュール１Ａを構成する回路部品が、モジュール基板８０を挟んで、モジュール基板８０の両面に振り分けられて配置されている。これにより、高周波モジュール１Ａを小型化できる。
　なお、ハイブリッドフィルタ１１を構成する弾性波共振器Ａ１（弾性波共振子Ｐ１およびＰ２）は、主面８０ａに配置されていることが必須であり、ハイブリッドフィルタ１１を構成するその他の回路素子、ハイブリッドフィルタ２１、フィルタ１２および２２、電力増幅器６１および６２、ならびに整合回路４２、４４、４５および４６回路部品は、主面８０ｂまたはモジュール基板８０の内部に配置されていてもよい。
　また、スイッチ３０は、主面８０ｂに配置されていることが必須であり、スイッチ３１および３２、低雑音増幅器５１、５２、５３および５４は、主面８０ａまたはモジュール基板８０の内部に配置されていてもよい。
　また、カプラ７５は、モジュール基板８０の内部に配置されていることが必須であり、整合回路４１および４３は、主面８０ａまたは８０ｂに配置されていてもよい。
　ここで、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、モジュール基板８０を平面視した場合、半導体ＩＣ７１と弾性波共振器Ａ１とは少なくとも一部重なっており、半導体ＩＣ７１とカプラ７５とは少なくとも一部重なっている。
　上記構成によれば、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１とを結ぶ配線を短くできる。また、スイッチ３０とカプラ７５とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、スイッチ３０とカプラ７５とを結ぶ配線を短くできる。これにより、カプラ７５とハイブリッドフィルタ１１との間の配線を短くできるので、第１通信バンドおよび第２通信バンドの高周波信号の伝送損失が低減された高周波モジュール１Ａを提供できる。
　さらに、カプラ７５とハイブリッドフィルタ１１との間の配線は高出力の送信信号が伝送するので、伝送損失の低減により高周波モジュール１Ａの消費電力を低減できる。
　また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、主面８０ｂに複数の外部接続端子１００が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１００を経由して、電気信号のやりとりを行う。複数の外部接続端子１００のいくつかは、図４Ａの（ｂ）に示すように、アンテナ接続端子１１０および１２０、送信入力端子１４０および１６０、受信出力端子１３０、１５０、１７０および１８０、ならびにカプラ端子１９０であってもよい。また、複数の外部接続端子１００の他のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。
　なお、外部接続端子１００は、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、樹脂部材８２をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、外部接続端子１００は、主面８０ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。この場合には、主面８０ｂ上の樹脂部材８２はなくてもよい。
　主面８０ａおよび８０ｂのうち、外部基板と対向する主面８０ｂには、低背化が困難な回路部品は配置されず、低背化が容易な低雑音増幅器５１～５４およびスイッチ３０～３２が配置されている。
　また、低雑音増幅器５１～５４およびスイッチ３０は、半導体ＩＣ７１に含まれている。これによれば、低雑音増幅器５１～５４およびスイッチ３０を小型化かつ低背化できる。
　また、スイッチ３１および３２は、半導体ＩＣ７２に含まれている。これによれば、スイッチ３１および３２を小型化かつ低背化できる。
　半導体ＩＣ７１および７２が主面８０ｂに配置されることにより、高周波モジュール１Ａを低背化できる。
　また、電力増幅器６１および６２は主面８０ａに配置されており、低雑音増幅器５１～５４は主面８０ｂに配置されている。これによれば、モジュール基板８０を挟んで、電力増幅器６１および６２と低雑音増幅器５１～５４とが振り分けられているので、送受信間のアイソレーションを向上させることができる。
　また、ハイブリッドフィルタ２１を構成する弾性波共振子Ｐ５およびＰ６、キャパシタＣ４、ならびにインダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６が、主面８０ａに配置されている。一方、ハイブリッドフィルタ２１と整合回路４５を介して接続される低雑音増幅器５３が、主面８０ｂに配置されている。
　ここで、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、モジュール基板８０を平面視した場合、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とは、少なくとも一部が重なっている。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とを結ぶ配線を短くでき、第１通信バンドの受信信号の伝送損失を低減できる。
　なお、弾性波共振子Ｐ５およびＰ６、キャパシタＣ４、ならびにインダクタＬ４、Ｌ５およびＬ６のうちの少なくとも１つが主面８０ａに配置されていればよく、他の少なくとも１つがモジュール基板８０の内部または主面８０ｂに配置されてもよい。これによれば、ハイブリッドフィルタ２１の一部の回路素子と低雑音増幅器５３とが、モジュール基板８０を挟んでモジュール基板８０の両面に振り分けられて配置されるので、高周波モジュール１Ａを小型化できる。
　［４．実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの回路素子配置構成］
　図５Ａは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの平面構成概略図である。また、図５Ｂは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの断面構成概略図であり、具体的には、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における断面図である。なお、図５Ａの（ａ）には、モジュール基板８０の互いに対向する主面８０ａおよび８０ｂのうち、主面８０ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。一方、図５Ａの（ｂ）には、主面８０ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置を透視した図が示されている。また、図５Ａでは、各回路部品の配置関係が容易に理解されるよう各回路部品にはその機能を表すマークが付されているが、実際の高周波モジュール１Ｂには、当該マークは付されていない。
　実施例２に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態の変形例に係る高周波モジュール６を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
　図５Ａおよび図５Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂは、図３に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板８０と、樹脂部材８１および８２と、外部接続端子１００と、金属シールド層８５と、を有している。
　本実施例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、カプラ７６の配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ構成は説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　なお、図５Ａには図示していないが、図３に示された、各回路部品を接続する配線は、モジュール基板８０の内部、主面８０ａおよび８０ｂに形成されている。また、上記配線は、両端が主面８０ａ、８０ｂおよび高周波モジュール１Ｂを構成する回路部品のいずれかに接合されたボンディングワイヤであってもよく、また、高周波モジュール１Ｂを構成する回路部品の表面に形成された端子、電極または配線であってもよい。
　図５Ａに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂでは、ハイブリッドフィルタ１１および２１、フィルタ１２および２２、電力増幅器６１および６２、整合回路４２、４４、４５および４６は、主面８０ａに配置されている。一方、スイッチ３０、３１および３２、低雑音増幅器５１、５２、５３および５４は、主面８０ｂに配置されている。また、カプラ７６、整合回路４１および４３は、モジュール基板８０の内部に配置されている。また、スイッチ３０は、半導体ＩＣ７１に内蔵されている。
　上記構成によれば、高周波モジュール１Ｂを構成する回路部品が、モジュール基板８０を挟んで、モジュール基板８０の両面に振り分けられて配置されている。これにより、高周波モジュール１Ｂを小型化できる。
　なお、ハイブリッドフィルタ１１を構成する弾性波共振器Ａ１（弾性波共振子Ｐ１およびＰ２）は、主面８０ａに配置されていることが必須であり、ハイブリッドフィルタ１１を構成するその他の回路素子、ハイブリッドフィルタ２１、フィルタ１２および２２、電力増幅器６１および６２、ならびに整合回路４２、４４、４５および４６回路部品は、主面８０ｂまたはモジュール基板８０の内部に配置されていてもよい。
　また、スイッチ３０は、主面８０ｂに配置されていることが必須であり、スイッチ３１および３２、低雑音増幅器５１、５２、５３および５４は、主面８０ａまたはモジュール基板８０の内部に配置されていてもよい。
　また、カプラ７６は、モジュール基板８０の内部に配置されていることが必須であり、整合回路４１および４３は、主面８０ａまたは８０ｂに配置されていてもよい。
　ここで、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、モジュール基板８０を平面視した場合、カプラ７６と弾性波共振器Ａ１とは少なくとも一部重なっており、カプラ７６と半導体ＩＣ７１とは少なくとも一部重なっている。
　上記構成によれば、カプラ７６とハイブリッドフィルタ１１とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、カプラ７６とハイブリッドフィルタ１１とを結ぶ配線を短くできる。また、カプラ７６とスイッチ３０とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、ハイブリッドフィルタ１１とスイッチ３０とを結ぶ配線を短くできる。これにより、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１との間の配線を短くできるので、第１通信バンドの高周波信号の伝送損失が低減された高周波モジュール１Ｂを提供できる。
　さらに、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１との間の配線は高出力の送信信号が伝送するので、伝送損失の低減により高周波モジュール１Ｂの消費電力を低減できる。
　［５．実施例３に係る高周波モジュール１Ｃの回路素子配置構成］
　図５Ｃは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｃの断面構成概略図である。本実施例に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態の変形例に係る高周波モジュール６を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。
　図５Ｃに示された高周波モジュール１Ｃは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂと比較して、ハイブリッドフィルタ１１を構成する回路素子の配置構成が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｃについて、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
　ハイブリッドフィルタ１１は、弾性波共振器Ａ１（弾性波共振子Ｐ１およびＰ２）と、キャパシタＣ３と、インダクタＬ１、Ｌ２およびＬ３と、を備える。
　ここで、ハイブリッドフィルタ１１において、弾性波共振器Ａ１およびキャパシタＣ３は主面８０ａに配置されており、インダクタＬ３は、モジュール基板８０の内部に形成されている。インダクタＬ３は、例えば、複数の平面コイル導体とそれらを接続するビア導体とで構成される。
　上記構成によれば、ハイブリッドフィルタ１１を構成する回路素子の一部が主面８０ａに配置され、ハイブリッドフィルタ１１を構成する他の回路素子がモジュール基板８０の内部に形成されるので、高周波モジュール１Ｃを小型化できる。
　なお、モジュール基板８０の内部に形成される回路素子は、キャパシタＣ３であってもよい。
　［６．効果等］
　以上のように、実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、互いに対向する主面８０ａおよび８０ｂを有するモジュール基板８０と、アンテナ接続端子１１０と、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有するハイブリッドフィルタ１１と、アンテナ接続端子１１０とハイブリッドフィルタ１１との間に接続され、アンテナ接続端子１１０とハイブリッドフィルタ１１との接続および非接続を切り替えるスイッチ３０と、アンテナ接続端子１１０とスイッチ３０とを結ぶ経路に配置されたカプラ７５と、を備え、第１弾性波共振子は主面８０ａに配置されており、スイッチ３０は主面８０ｂに配置された半導体ＩＣ７１に含まれており、カプラ７５はモジュール基板８０の内部に配置されており、モジュール基板８０を平面視した場合、半導体ＩＣ７１と第１弾性波共振子とは少なくとも一部重なっており、半導体ＩＣ７１とカプラ７５とは少なくとも一部重なっている。
　これによれば、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１とを結ぶ配線を短くできる。また、スイッチ３０とカプラ７５とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、スイッチ３０とカプラ７５とを結ぶ配線を短くできる。これにより、カプラ７５とハイブリッドフィルタ１１との間の配線を短くできるので、第１通信バンドおよび第２通信バンドの高周波信号の伝送損失が低減された高周波モジュール１Ａを提供できる。さらに、カプラ７５とハイブリッドフィルタ１１との間の配線は高出力の送信信号が伝送するので、伝送損失の低減により高周波モジュール１Ａの消費電力を低減できる。
　また、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂは、互いに対向する主面８０ａおよび８０ｂを有するモジュール基板８０と、アンテナ接続端子１１０と、第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有するハイブリッドフィルタ１１と、アンテナ接続端子１１０とハイブリッドフィルタ１１との間に接続され、アンテナ接続端子１１０とハイブリッドフィルタ１１との接続および非接続を切り替えるスイッチ３０と、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１とを結ぶ経路に配置されたカプラ７６と、を備え、第１弾性波共振子は主面８０ａに配置されており、スイッチ３０は主面８０ｂに配置された半導体ＩＣ７１に含まれており、カプラ７６はモジュール基板８０の内部に配置されており、モジュール基板８０を平面視した場合、カプラ７６と第１弾性波共振子とは少なくとも一部重なっており、カプラ７６と半導体ＩＣ７１とは少なくとも一部重なっている。
　これによれば、カプラ７６とハイブリッドフィルタ１１とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、カプラ７６とハイブリッドフィルタ１１とを結ぶ配線を短くできる。また、カプラ７６とスイッチ３０とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、ハイブリッドフィルタ１１とスイッチ３０とを結ぶ配線を短くできる。これにより、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１との間の配線を短くできるので、第１通信バンドの高周波信号の伝送損失が低減された高周波モジュール１Ｂを提供できる。さらに、スイッチ３０とハイブリッドフィルタ１１との間の配線は高出力の送信信号が伝送するので、伝送損失の低減により高周波モジュール１Ｂの消費電力を低減できる。
　また、実施例３に係る高周波モジュール１Ｃにおいて、第１インダクタおよび第１キャパシタの少なくとも１つは、モジュール基板８０の内部に配置されていてもよい。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ１１を構成する回路素子の一部が主面８０ａに配置され、ハイブリッドフィルタ１１を構成する他の回路素子がモジュール基板８０の内部に形成されるので、高周波モジュール１Ｃを小型化できる。
　また、高周波モジュール１Ａ～１Ｃは、さらに、電力増幅器６１と、低雑音増幅器５１と、ハイブリッドフィルタ１１、電力増幅器６１および低雑音増幅器５１に接続され、ハイブリッドフィルタ１１と電力増幅器６１との接続およびハイブリッドフィルタ１１と低雑音増幅器５１との接続を切り替えるスイッチ３１と、を備えてもよい。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ１１は、送信受信兼用のＴＤＤ用フィルタとして機能することが可能となる。
　また、高周波モジュール１Ａ～１Ｃは、さらに、主面８０ｂに配置された外部接続端子１００を備え、電力増幅器６１は主面８０ａに配置されており、低雑音増幅器５２は半導体ＩＣ７１に含まれていてもよい。
　これによれば、モジュール基板８０を挟んで、電力増幅器６１と低雑音増幅器５１とが振り分けられているので、送受信間のアイソレーションを向上させることができる。
　また、高周波モジュール１Ａ～１Ｃは、さらに、第２弾性波共振子、第２インダクタ、および第２キャパシタを有するハイブリッドフィルタ２１と、主面８０ｂに配置された低雑音増幅器５３と、を備え、第２弾性波共振子、第２インダクタ、および第２キャパシタのうちの１つは主面８０ａに配置されており、ハイブリッドフィルタ２１は、スイッチ３０と低雑音増幅器５３との間に接続された受信専用フィルタであり、モジュール基板８０を平面視した場合、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とは、少なくとも一部が重なっていてもよい。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とを、モジュール基板８０の垂直方向に沿ってモジュール基板８０内に形成されたビア配線を主として接続できる。よって、ハイブリッドフィルタ２１と低雑音増幅器５３とを結ぶ配線を短くでき、第１通信バンドの受信信号の伝送損失を低減できる。
　また、高周波モジュール１Ａ～１Ｃにおいて、低雑音増幅器５３は半導体ＩＣ７１に含まれていてもよい。
　これによれば、低雑音増幅器５３およびスイッチ３０を小型化かつ低背化できる。
　また、高周波モジュール１Ａ～１Ｃにおいて、ハイブリッドフィルタ１１の通過帯域は、４Ｇ－ＬＴＥのＢａｎｄ４２、Ｂａｎｄ４３、Ｂａｎｄ４８、Ｂａｎｄ４９、５Ｇ－ＮＲのｎ７７、ｎ７８、ｎ７９、ｎ４６、ｎ９６およびｎ９７、ＷＬＡＮ（５１５０－５３５０ＭＨｚ）、ＷＬＡＮ（５４７０－５８５０ＭＨｚ）、およびＷＬＡＮ（５９２５－７１２５ＭＨｚ）の少なくとも１つを含んでもよい。
　また、通信装置５は、アンテナ２Ａおよび２Ｂで受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２Ａおよび２ＢとＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝搬する高周波モジュール１と、を備える。
　これによれば、ハイブリッドフィルタ１１およびカプラ７５を有しつつ伝送損失が低減された通信装置５を提供できる。
　（その他の実施の形態）
　以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　また、例えば、実施の形態および実施例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、各構成要素の間に、インダクタおよびキャパシタなどの整合素子、ならびにスイッチ回路が接続されていてもかまわない。なお、インダクタには、各構成要素間を繋ぐ配線による配線インダクタが含まれてもよい。
　本発明は、マルチバンドシステムに適用できる高周波モジュールおよび通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、６　　高周波モジュール
　２Ａ、２Ｂ　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１０、２０　　高周波回路
　１１、２１　　ハイブリッドフィルタ
　１２、２２　　フィルタ
　３０、３１、３２、３３　　スイッチ
　３０ａ、３０ｂ　　共通端子
　３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ、３０ｆ　　選択端子
　４１、４２、４３、４４、４５、４６　　整合回路
　５１、５２、５３、５４　　低雑音増幅器
　６１、６２　　電力増幅器
　７１、７２　　半導体ＩＣ
　７５、７６　　カプラ
　８０　　モジュール基板
　８０ａ、８０ｂ　　主面
　８１、８２　　樹脂部材
　８５　　金属シールド層
　１００　　外部接続端子
　１０１、１０２、１０３、１０４　　入出力端子
　１１０、１２０　　アンテナ接続端子
　１３０、１５０、１７０、１８０　　受信出力端子
　１４０、１６０　　送信入力端子
　１９０　　カプラ端子
　Ａ１、Ａ２、Ａ３　　弾性波共振器
　Ｃ３、Ｃ４　　キャパシタ
　Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、Ｌ８　　インダクタ
　Ｐ１、Ｐ２、Ｐ５、Ｐ６　　弾性波共振子

Claims (9)

  1. 　互いに対向する第１主面および第２主面を有する基板と、
    　アンテナ接続端子と、
    　第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有する第１ハイブリッドフィルタと、
    　前記アンテナ接続端子と前記第１ハイブリッドフィルタとの間に接続され、前記アンテナ接続端子と前記第１ハイブリッドフィルタとの接続および非接続を切り替える第１スイッチと、
    　前記アンテナ接続端子と前記第１スイッチとを結ぶ経路に配置されたカプラと、を備え、
    　前記第１弾性波共振子は、前記第１主面に配置されており、
    　前記第１スイッチは、前記第２主面に配置された半導体ＩＣに含まれており、
    　前記カプラは、前記基板の内部に配置されており、
    　前記基板を平面視した場合、前記半導体ＩＣと前記第１弾性波共振子とは少なくとも一部重なっており、前記半導体ＩＣと前記カプラとは少なくとも一部重なっている、
    　高周波モジュール。
  2. 　互いに対向する第１主面および第２主面を有する基板と、
    　アンテナ接続端子と、
    　第１弾性波共振子、第１インダクタ、および第１キャパシタを有する第１ハイブリッドフィルタと、
    　前記アンテナ接続端子と前記第１ハイブリッドフィルタとの間に接続され、前記アンテナ接続端子と前記第１ハイブリッドフィルタとの接続および非接続を切り替える第１スイッチと、
    　前記第１スイッチと前記第１ハイブリッドフィルタとを結ぶ経路に配置されたカプラと、を備え、
    　前記第１弾性波共振子は、前記第１主面に配置されており、
    　前記第１スイッチは、前記第２主面に配置された半導体ＩＣに含まれており、
    　前記カプラは、前記基板の内部に配置されており、
    　前記基板を平面視した場合、前記カプラと前記第１弾性波共振子とは少なくとも一部重なっており、前記カプラと前記半導体ＩＣとは少なくとも一部重なっている、
    　高周波モジュール。
  3. 　前記第１インダクタおよび第１キャパシタの少なくとも１つは、前記基板の内部に配置されている、
    　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　さらに、
    　第１電力増幅器と、
    　第１低雑音増幅器と、
    　前記第１ハイブリッドフィルタ、前記第１電力増幅器、および前記第１低雑音増幅器に接続され、前記第１ハイブリッドフィルタと前記第１電力増幅器との接続および前記第１ハイブリッドフィルタと前記第１低雑音増幅器との接続を切り替える第２スイッチと、を備える、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　さらに、前記第２主面に配置された外部接続端子を備え、
    　前記第１電力増幅器は、前記第１主面に配置されており、
    　前記第１低雑音増幅器は、前記半導体ＩＣに含まれている、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　さらに、
    　第２弾性波共振子、第２インダクタ、および第２キャパシタを有する第２ハイブリッドフィルタと、
    　前記第２主面に配置された第２低雑音増幅器と、を備え、
    　前記第２弾性波共振子、前記第２インダクタ、および前記第２キャパシタのうちの１つは、前記第１主面に配置されており、
    　前記第２ハイブリッドフィルタは、前記第１スイッチと前記第２低雑音増幅器との間に接続された受信専用フィルタであり、
    　前記基板を平面視した場合、前記第２ハイブリッドフィルタと前記第２低雑音増幅器とは、少なくとも一部が重なっている、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第２低雑音増幅器は、前記半導体ＩＣに含まれている、
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第１ハイブリッドフィルタの通過帯域は、４Ｇ－ＬＴＥのＢａｎｄ４２、Ｂａｎｄ４３、Ｂａｎｄ４８、Ｂａｎｄ４９、５Ｇ－ＮＲのｎ７７、ｎ７８、ｎ７９、ｎ４６、ｎ９６およびｎ９７、ＷＬＡＮ（５１５０－５３５０ＭＨｚ）、ＷＬＡＮ（５４７０－５８５０ＭＨｚ）、およびＷＬＡＮ（５９２５－７１２５ＭＨｚ）の少なくとも１つを含む、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　アンテナで受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝搬する請求項１～８のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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