WO2022065017A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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WO2022065017A1
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circuit
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孝紀 上嶋
宏通 北嶋
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株式会社村田製作所
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    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier

Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module and a communication device.
  • Patent Document 1 describes a switch plexa (antenna switch) arranged between a plurality of transmitters (transmission path) and a plurality of receivers (reception path), and the plurality of transmitters and the plurality of receivers and an antenna. ), And the circuit configuration of the transceiver (transmitting / receiving circuit) including.
  • Each of the plurality of transmitters has a transmitter circuit, a PA (transmit power amplifier), and an output circuit
  • each of the plurality of receivers has a receiver circuit, an LNA (reception low noise amplifier), and an input circuit.
  • LNA reception low noise amplifier
  • the output circuit includes a transmit filter, an impedance matching circuit, a duplexer, etc.
  • the input circuit includes a receive filter, an impedance matching circuit, a duplexer, etc.
  • the transceiver (transmission / reception circuit) disclosed in Patent Document 1 is composed of a high-frequency module mounted on a mobile communication device, it is arranged in each of the transmission path, the reception path, and the transmission / reception path including the antenna switch. It is assumed that at least two of the circuit components are electromagnetically coupled. In this case, the harmonic component of the high-output transmission signal amplified by the PA (transmission power amplifier) may be superimposed on the transmission signal, and the quality of the transmission signal may deteriorate. In addition, the isolation between transmission and reception is reduced by the electromagnetic field coupling, and unnecessary waves such as the harmonics or intermodulation distortion between the transmission signal and other high frequency signals flow into the reception path and the reception sensitivity deteriorates. May be done.
  • the two received signals may interfere with each other due to the electromagnetic field coupling, and the receiving sensitivity may deteriorate.
  • the layout area of the electrodes of each circuit part becomes large and the module board cannot be miniaturized.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a small high-frequency module and a communication device in which quality deterioration of a transmission signal or a reception signal is suppressed.
  • the high-frequency module includes a module substrate having a main surface, first circuit components and second circuit components arranged on the main surface, and a metal arranged on the main surface and set to a ground potential.
  • the metal plate comprises a plate, and the metal plate has a main body portion extending in the vertical direction of the main surface and a first joint portion extending from the main body portion parallel to the main surface and separated from the main surface, and a first circuit component. And at least one top surface of the second circuit component and the first joint portion are connected by a bonding wire, and when the module substrate is viewed in a plan view, the metal plate is the first circuit component and the second circuit component. It is placed in between.
  • the present invention it is possible to provide a small high frequency module and a communication device in which quality deterioration of a transmission signal or a reception signal is suppressed.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 3A is an external perspective view showing a first example of the metal shield plate.
  • FIG. 3B is an external perspective view showing a second example of the metal shield plate.
  • FIG. 3C is an external perspective view showing a third example of the metal shield plate.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modified example of the via conductor.
  • the x-axis and the y-axis are axes orthogonal to each other on a plane parallel to the main surface of the module substrate.
  • the z-axis is an axis perpendicular to the main surface of the module substrate, the positive direction thereof indicates an upward direction, and the negative direction thereof indicates a downward direction.
  • connection includes not only the case of being directly connected by a connection terminal and / or a wiring conductor, but also the case of being electrically connected via other circuit components. .. Also, “connected between A and B” means connected to both A and B between A and B.
  • planar view means that an object is projected orthographically projected onto the xy plane from the positive side of the z-axis.
  • Parts are placed on the main surface of the board means that in addition to the parts being placed on the main surface in contact with the main surface of the board, the parts are placed on the main surface without contacting the main surface. It includes being arranged above and having a part of the component embedded in the substrate from the main surface side.
  • a is placed between B and C means that at least one of a plurality of line segments connecting any point in B and any point in C passes through A.
  • the "transmission path” is a transmission line composed of a wiring for transmitting a high frequency transmission signal, an electrode directly connected to the wiring, the wiring or a terminal directly connected to the electrode, and the like.
  • the "reception path” means a transmission line composed of a wiring for transmitting a high-frequency reception signal, an electrode directly connected to the wiring, and the wiring or a terminal directly connected to the electrode.
  • the "transmission / reception path” is a transmission composed of a wiring for transmitting both a high-frequency transmission signal and a high-frequency reception signal, an electrode directly connected to the wiring, and a terminal directly connected to the wiring or the electrode. It means that it is a railroad.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 1 and a communication device 5 according to an embodiment.
  • the communication device 5 includes a high frequency module 1, an antenna 2, an RF signal processing circuit (RFIC) 3, and a baseband signal processing circuit (BBIC) 4.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • BBIC baseband signal processing circuit
  • the RFIC 3 is an RF signal processing circuit that processes high frequency signals transmitted and received by the antenna 2. Specifically, the RFIC 3 processes the high frequency reception signal input via the reception signal path of the high frequency module 1 by down-conversion or the like, and outputs the reception signal generated by the signal processing to the BBIC 4. Further, the RFIC 3 processes the transmission signal input from the BBIC 4 by up-conversion or the like, and outputs the high frequency transmission signal generated by the signal processing to the transmission signal path of the high frequency module 1.
  • the BBIC 4 is a circuit that processes a signal using an intermediate frequency band having a lower frequency than the high frequency signal propagating in the high frequency module 1.
  • the signal processed by the BBIC 4 is used, for example, as an image signal for displaying an image, or as an audio signal for a call via a speaker.
  • the RFIC 3 also has a function as a control unit that controls the connection of the switches 40, 41, and 42 of the high frequency module 1 based on the communication band (frequency band) used. Specifically, the RFIC 3 switches the connection of the switches 40 to 42 of the high frequency module 1 by a control signal (not shown). Specifically, the RFIC 3 outputs a digital control signal for controlling the switches 40 to 42 to the PA control circuit 15.
  • the PA control circuit 15 of the high frequency module 1 controls the connection and disconnection of the switches 40 to 42 by outputting the digital control signal to the switches 40 to 42 by the digital control signal input from the RFIC 3.
  • the RFIC 3 also has a function as a control unit for controlling the gain of the power amplifier 10 of the high frequency module 1, the power supply voltage Vcc supplied to the power amplifier 10, and the bias voltage Vbias. Specifically, the RFIC 3 outputs a digital control signal to the control signal terminal 130 of the high frequency module 1.
  • the PA control circuit 15 adjusts the gain of the power amplifier 10 by outputting a control signal, a power supply voltage Vcc, or a bias voltage Vbias to the power amplifier 10 by a digital control signal input via the control signal terminal 130.
  • the control unit may be provided outside the RFIC3, or may be provided, for example, in the BBIC4.
  • the antenna 2 is connected to the antenna connection terminal 100 of the high frequency module 1, emits a high frequency signal output from the high frequency module 1, receives a high frequency signal from the outside, and outputs the high frequency signal to the high frequency module 1.
  • the antenna 2 and the BBIC 4 are not essential components.
  • the high frequency module 1 includes a power amplifier 10, a low noise amplifier 20, a PA control circuit 15, transmission filters 31 and 33, reception filters 32 and 34, and matching circuits 50, 51, 52. , 53, and 54, switches 40, 41 and 42, an antenna connection terminal 100, a transmission input terminal 110, a reception output terminal 120, and a control signal terminal 130.
  • the antenna connection terminal 100 is connected to the antenna 2.
  • the transmission input terminal 110 is a terminal for receiving a transmission signal from the outside (RFIC3) of the high frequency module 1.
  • the reception output terminal 120 is a terminal for supplying a received signal to the outside (RFIC3) of the high frequency module 1.
  • the power amplifier 10 is a transmission amplifier that amplifies the transmission signals of the communication band A and the communication band B.
  • the input terminal of the power amplifier 10 is connected to the transmission input terminal 110, and the output terminal of the power amplifier 10 is connected to the matching circuits 51 and 53 via the switch 41.
  • the low noise amplifier 20 is a reception amplifier that amplifies the reception signals of the communication band A and the communication band B with low noise.
  • the input terminal of the low noise amplifier 20 is connected to the matching circuits 52 and 54 via the switch 42, and the output terminal of the low noise amplifier 20 is connected to the receive output terminal 120.
  • the PA control circuit 15 adjusts the gain of the power amplifier 10 by the digital control signal MIPI or the like input via the control signal terminal 130.
  • the PA control circuit 15 may be formed of a semiconductor IC (Integrated Circuit).
  • the semiconductor IC is composed of, for example, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Specifically, it is formed by an SOI (Silicon On Insulator) process. This makes it possible to manufacture semiconductor ICs at low cost.
  • the semiconductor IC may be composed of at least one of GaAs, SiGe, and GaN. This makes it possible to output a high frequency signal having high quality amplification performance and noise performance.
  • the transmission filter 31 is arranged in the transmission path AT connecting the power amplifier 10 and the switch 40, and among the transmission signals amplified by the power amplifier 10, the transmission signal in the transmission band of the communication band A is passed. Further, the transmission filter 33 is arranged in the transmission path BT connecting the power amplifier 10 and the switch 40, and among the transmission signals amplified by the power amplifier 10, the transmission signal in the transmission band of the communication band B is passed.
  • the reception filter 32 is arranged in the reception path AR connecting the low noise amplifier 20 and the switch 40, and among the reception signals input from the antenna connection terminal 100, the reception signal in the reception band of the communication band A is passed. Further, the reception filter 34 is arranged in the reception path BR connecting the low noise amplifier 20 and the switch 40, and among the reception signals input from the antenna connection terminal 100, the reception signal in the reception band of the communication band B is passed.
  • the transmission filters 31 and 33 and the reception filters 32 and 34 are, for example, any of an elastic surface wave filter, an elastic wave filter using a BAW (Bulk Acoustic Wave), an LC resonance filter, and a dielectric filter. Well, and even more, not limited to these.
  • BAW Bit Acoustic Wave
  • the transmission filter 31 and the reception filter 32 constitute a duplexer 30 having a communication band A as a pass band. Further, the transmission filter 33 and the reception filter 34 constitute a duplexer 35 having a communication band B as a pass band.
  • Each of the duplexers 30 and 35 may be one filter transmitted by a time division duplex (TDD: Time Division Duplex) method.
  • TDD Time Division Duplex
  • a switch for switching between transmission and reception is arranged at least one of the front stage and the rear stage of the one filter.
  • the matching circuit 50 is arranged in the transmission / reception path CTR connecting the antenna connection terminal 100 and the switch 40, and impedance matching is performed between the antenna 2 and the switch 40, the duplexers 30 and 35.
  • the matching circuit 50 has at least one inductor.
  • the matching circuit 50 may be arranged in series with the transmission / reception path CTR, or may be connected between the transmission / reception path CTR and ground.
  • the matching circuit 51 is arranged in the transmission path AT connecting the power amplifier 10 and the transmission filter 31, and impedance matching is performed between the power amplifier 10 and the transmission filter 31.
  • the matching circuit 51 has at least one inductor.
  • the matching circuit 51 may be arranged in series with the transmission path AT, or may be connected between the transmission path AT and the ground.
  • the matching circuit 53 is arranged in the transmission path BT connecting the power amplifier 10 and the transmission filter 33, and impedance matching is performed between the power amplifier 10 and the transmission filter 33.
  • the matching circuit 53 has at least one inductor.
  • the matching circuit 53 may be arranged in series with the transmission path BT, or may be connected between the transmission path BT and the ground.
  • the matching circuit 52 is arranged in the reception path AR connecting the low noise amplifier 20 and the reception filter 32, and performs impedance matching between the low noise amplifier 20 and the reception filter 32.
  • the matching circuit 52 has at least one inductor.
  • the matching circuit 52 may be arranged in series with the reception path AR, or may be connected between the reception path AR and the ground.
  • the matching circuit 54 is arranged in the reception path BR connecting the low noise amplifier 20 and the reception filter 34, and performs impedance matching between the low noise amplifier 20 and the reception filter 34.
  • the matching circuit 54 has at least one inductor.
  • the matching circuit 54 may be arranged in series with the reception path BR, or may be connected between the reception path BR and the ground.
  • a matching circuit may be arranged in the transmission path between the power amplifier 10 and the switch 41.
  • the switch 40 has a common terminal 40a, a selection terminal 40b and 40c, the common terminal 40a is connected to the antenna connection terminal 100 via the matching circuit 50, the selection terminal 40b is connected to the duplexer 30, and the selection terminal 40c is the duplexer. It is connected to 35. That is, the switch 40 is an antenna switch arranged between the antenna connection terminal 100 and the duplexers 30 and 35, (1) switching the connection and disconnection between the antenna connection terminal 100 and the duplexer 30, and (2) the antenna. Switching between connection and non-connection between the connection terminal 100 and the duplexer 35.
  • the switch 40 is composed of a multi-connection type switch circuit capable of simultaneously connecting the above (1) and (2).
  • a matching circuit may be arranged in the reception path between the low noise amplifier 20 and the switch 42.
  • a matching circuit may be arranged in place of the matching circuit 50 or in addition to the matching circuit 50 in the transmission / reception path connecting the switch 40 and the duplexer 30 and the transmission / reception path connecting the switch 40 and the duplexer 35. ..
  • the switch 41 has a common terminal 41a, selection terminals 41b and 41c, is arranged in a transmission path connecting the power amplifier 10 and the transmission filters 31 and 33, and is connected to the power amplifier 10 and the transmission filter 31 and a power amplifier. The connection between 10 and the transmission filter 33 is switched.
  • the common terminal 41a is connected to the output terminal of the power amplifier 10
  • the selection terminal 41b is connected to the transmission filter 31 via the matching circuit 51
  • the selection terminal 41c is connected to the transmission filter 33 via the matching circuit 53.
  • It is composed of a SPDT (Single Pole Double Throw) type switch circuit connected to the switch circuit.
  • the switch 42 has a common terminal 42a, selection terminals 42b and 42c, is arranged in a reception path connecting the low noise amplifier 20 and the reception filters 32 and 34, and connects the low noise amplifier 20 and the reception filter 32, and The connection between the low noise amplifier 20 and the reception filter 34 is switched.
  • the common terminal 42a is connected to the input terminal of the low noise amplifier 20
  • the selection terminal 42b is connected to the reception filter 32 via the matching circuit 52
  • the selection terminal 42c is connected to the reception filter via the matching circuit 54. It is composed of a SPDT type switch circuit connected to 34.
  • the transmission path AT is a signal path that transmits the transmission signal of the communication band A and connects the transmission input terminal 110 and the common terminal 40a of the switch 40.
  • the transmission path BT is a signal path that transmits a transmission signal of the communication band B and connects the transmission input terminal 110 and the common terminal 40a of the switch 40.
  • the reception path AR is a signal path that transmits the reception signal of the communication band A and connects the reception output terminal 120 and the common terminal 40a of the switch 40.
  • the reception path BR is a signal path that transmits the reception signal of the communication band B and connects the reception output terminal 120 and the common terminal 40a of the switch 40.
  • the transmission / reception path CTR is a signal path that transmits the transmission signal and the reception signal of the communication band A and the transmission signal and the reception signal of the communication band B and connects the antenna connection terminal 100 and the common terminal 40a of the switch 40. ..
  • the power amplifier 10, the switch 41, the matching circuit 51, and the transmission filter 31 constitute a first transmission circuit that outputs a transmission signal of the communication band A toward the antenna connection terminal 100. .. Further, the power amplifier 10, the switch 41, the matching circuit 53, and the transmission filter 33 constitute a second transmission circuit that outputs a transmission signal of the communication band B toward the antenna connection terminal 100.
  • the low noise amplifier 20, the switch 42, the matching circuit 52, and the reception filter 32 constitute a first reception circuit that inputs the reception signal of the communication band A from the antenna 2 via the antenna connection terminal 100.
  • the low noise amplifier 20, the switch 42, the matching circuit 54, and the reception filter 34 constitute a second reception circuit that inputs the reception signal of the communication band B from the antenna 2 via the antenna connection terminal 100.
  • the high frequency module 1 has (1) transmission / reception of high frequency signals of communication band A, (2) transmission / reception of high frequency signals of communication band B, and (3) transmission / reception of high frequency signals of communication band A. It is possible to execute at least one of simultaneous transmission, simultaneous reception, and simultaneous transmission / reception of the high frequency signal and the high frequency signal of the communication band B.
  • the transmission circuit and the reception circuit may not be connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 40, and the transmission circuit and the reception circuit may be connected to the antenna 2 via different terminals. It may be connected to.
  • the circuit configuration of the high frequency module according to the present invention it suffices to have at least two paths of a transmission path, a reception path, and a transmission / reception path, and each matching circuit arranged in the two paths. Further, it suffices to have either a first transmission circuit or a second transmission circuit. Further, it suffices to have either a first receiving circuit or a second receiving circuit.
  • the high frequency module 1 when at least two of the circuit components arranged in the transmission path, the reception path, and the transmission / reception path are electromagnetically coupled, a high output transmission signal amplified by the power amplifier is transmitted. Harmonic components may be superimposed on the transmitted signal, degrading the quality of the transmitted signal. In addition, the isolation between transmission and reception is reduced by the electromagnetic field coupling, and unnecessary waves such as the harmonics or intermodulation distortion between the transmission signal and other high frequency signals flow into the reception path and the reception sensitivity deteriorates. May be done. In addition, the two received signals may interfere with each other due to the electromagnetic field coupling, and the receiving sensitivity may deteriorate. Further, when a plurality of the above circuit parts are arranged on the surface of the module board, there is a problem that the layout area of the electrodes of each circuit part becomes large and the module board cannot be miniaturized.
  • the high frequency module 1 according to the present embodiment has a compact configuration while suppressing the electromagnetic field coupling.
  • a compact configuration for suppressing the electromagnetic field coupling of the high frequency module 1 according to the present embodiment will be described.
  • FIG. 2 is a plan view and a cross-sectional view of the high frequency module 1A according to the embodiment.
  • FIG. 2A shows a layout of circuit components when the main surface 91a of the module board 91 is viewed from the positive direction side of the z-axis.
  • FIG. 2B shows a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 2A.
  • the high frequency module 1A specifically shows the arrangement configuration of each circuit component constituting the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the high-frequency module 1A according to the present embodiment further includes a module substrate 91, a metal shield plate 70, a metal shield layer 95, and a via conductor. It has 96, a resin member 92, and an external connection terminal 150.
  • the module board 91 is a board on which the first and second transmission circuits and the first and second reception circuits are mounted on the main surface 91a.
  • the module substrate 91 include a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a high temperature co-fired ceramics (HTCC) substrate, and the like.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics
  • HTCC high temperature co-fired ceramics
  • RDL redistribution layer
  • the antenna connection terminal 100, the transmission input terminal 110, the reception output terminal 120, and the control signal terminal 130 may be formed on the module board 91.
  • the resin member 92 is arranged on the main surface 91a of the module board 91, and at least a part of the circuit components constituting the first and second transmission circuits and the first and second receiving circuits, and the main surface 91a of the module board 91. It has a function of ensuring reliability such as mechanical strength and moisture resistance of the above circuit parts.
  • the external connection terminal 150 is arranged on the main surface 91b of the module board 91.
  • the high frequency module 1A exchanges electric signals with an external board arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1A via a plurality of external connection terminals 150.
  • the ground terminal 150g out of the plurality of external connection terminals 150 is set to the ground potential of the external board.
  • the external connection terminal 150 may be a flat electrode formed on the main surface 91b, or may be a bump electrode formed on the main surface 91b.
  • the metal shield layer 95 is an example of a metal layer, covers the surface of the resin member 92, and is set to a ground potential.
  • the metal shield layer 95 is, for example, a metal thin film formed by a sputtering method.
  • the high frequency module 1A does not have to have the resin member 92 and the metal shield layer 95.
  • the via conductor 96 is formed inside the module substrate 91 and extends in a direction intersecting the main surface 91a.
  • the via conductor 96 is set to the ground potential of the high frequency module 1A.
  • the via conductor 96 extends in a direction orthogonal to the main surface 91a and penetrates the module substrate 91.
  • the metal shield plate 70 is an example of a metal plate, is a metal wall body arranged on the main surface 91a and extending from the main surface 91a toward the top surface on the positive side of the z-axis of the resin member 92, and is set to the ground potential. Will be done.
  • FIG. 3A is an external perspective view showing a first example of the metal shield plate 70.
  • the metal shield plate 70A shown in the figure is an example of the metal shield plate 70 according to the embodiment.
  • the metal shield plate 70A has a shield portion 71 and joint portions 73 and 74.
  • the shield portion 71 is an example of the main body portion of the metal shield plate 70A, and extends in the vertical direction (z-axis direction) of the main surface 91a.
  • the joint portion 74 is an example of the first joint portion, and extends from the shield portion 71 in parallel with the main surface 91a and separated from the main surface 91a.
  • the joint portion 73 is an example of the second joint portion, and extends from the shield portion 71 in parallel with the main surface 91a and in contact with the main surface 91a. Further, a hole 72 is formed between the metal shield plate 70A and the main surface 91a so as to penetrate in the normal direction (x-axis direction) of the shield portion 71. The upper end of the shield portion 71 is not in contact with the metal shield layer 95.
  • the bonding wire is bonded to the surface of the bonding portion 74 and is not in contact with the metal shield layer 95. According to this, by connecting the circuit component arranged on the main surface 91a and the bonding portion 74 with a bonding wire, the ground electrode for setting the circuit component to the ground potential can be used as the bonding portion 74. It is not necessary to provide the ground electrode on the main surface 91a. Therefore, the layout area of the ground electrode on the main surface 91a can be reduced, so that the module substrate 91 can be miniaturized.
  • the metal shield plate 70A and the main surface 91a are joined by the joint portion 73, the placement accuracy of the metal shield plate 70A and the joint strength between the metal shield plate 70A and the main surface 91a are improved. Further, since the holes 72 are formed, good fluidity of the liquid resin can be ensured in the vicinity of the metal shield plate 70A in the step of forming the resin member 92 on the main surface 91a. Therefore, it is possible to suppress the generation of voids or the like in which the resin member 92 is not formed in the vicinity of the metal shield plate 70A.
  • the metal shield plate 70A is indispensably provided with the shield portion 71 and the joint portion 74, but the joint portion 73 may not be provided. Further, the hole 72 may not be formed in the metal shield plate 70A.
  • FIG. 3B is an external perspective view showing a second example of the metal shield plate 70.
  • the metal shield plate 70B shown in the figure is an example of the metal shield plate 70 according to the embodiment.
  • the metal shield plate 70B has a shield portion 71B and joint portions 73 and 74.
  • the shield portion 71B is an example of the main body portion of the metal shield plate 70B, and extends in the vertical direction (z-axis direction) of the main surface 91a.
  • the joint portion 74 is an example of the first joint portion, and extends from the shield portion 71B in parallel with the main surface 91a and separated from the main surface 91a.
  • the joint portion 73 is an example of the second joint portion, and extends from the shield portion 71B in parallel with the main surface 91a and in contact with the main surface 91a.
  • the upper end of the shield portion 71B is in contact with the metal shield layer 95.
  • a hole 72 is formed between the metal shield plate 70B and the metal shield layer 95 so as to penetrate in the normal direction (x-axis direction) of the shield portion 71B.
  • the bonding wire is bonded to the surface of the bonding portion 74 and is not in contact with the metal shield layer 95. According to this, by connecting the circuit component arranged on the main surface 91a and the bonding portion 74 with a bonding wire, the ground electrode for setting the circuit component to the ground potential can be used as the bonding portion 74. It is not necessary to provide the ground electrode on the main surface 91a. Therefore, the layout area of the ground electrode on the main surface 91a can be reduced, so that the module substrate 91 can be miniaturized.
  • the metal shield plate 70B and the main surface 91a are joined by the joint portion 73, the placement accuracy of the metal shield plate 70B and the joint strength between the metal shield plate 70B and the main surface 91a are improved. Further, since the holes 72 are formed, good fluidity of the liquid resin can be ensured in the vicinity of the metal shield plate 70B in the step of forming the resin member 92 on the main surface 91a. Therefore, it is possible to suppress the generation of voids or the like in which the resin member 92 is not formed in the vicinity of the metal shield plate 70B.
  • the metal shield plate 70B is indispensably provided with the shield portion 71B and the joint portion 74, but the joint portion 73 may not be provided. Further, the hole 72 may not be formed in the metal shield plate 70B.
  • FIG. 3C is an external perspective view showing a third example of the metal shield plate 70.
  • the metal shield plate 70C shown in the figure is an example of the metal shield plate 70 according to the embodiment.
  • the metal shield plate 70C has a shield portion 71 and joint portions 73 and 74.
  • the shield portion 71 is an example of the main body portion of the metal shield plate 70C, and extends in the vertical direction (z-axis direction) of the main surface 91a.
  • the plurality of shield portions 71 are discretely arranged via the holes 72
  • the plurality of joint portions 73 are discretely arranged via the holes 72.
  • the joint portion 74 is an example of the first joint portion, and extends from the shield portion 71 in parallel with the main surface 91a and separated from the main surface 91a.
  • the joint portion 73 is an example of the second joint portion, and extends from the shield portion 71 in parallel with the main surface 91a and in contact with the main surface 91a.
  • a hole 72 is formed between the main surface 91a and the metal shield layer 95 so as to penetrate in the normal direction (x-axis direction) of the shield portion 71.
  • the bonding wire is bonded to the surface of the bonding portion 74 and is not in contact with the metal shield layer 95. According to this, by connecting the circuit component arranged on the main surface 91a and the bonding portion 74 with a bonding wire, the ground electrode for setting the circuit component to the ground potential can be used as the bonding portion 74. It is not necessary to provide the ground electrode on the main surface 91a. Therefore, the layout area of the ground electrode on the main surface 91a can be reduced, so that the module substrate 91 can be miniaturized.
  • the metal shield plate 70C and the main surface 91a are joined by the joint portion 73, the placement accuracy of the metal shield plate 70C and the joint strength between the metal shield plate 70C and the main surface 91a are improved. Further, since the holes 72 are formed, good fluidity of the liquid resin can be ensured in the vicinity of the metal shield plate 70C in the step of forming the resin member 92 on the main surface 91a. Therefore, it is possible to suppress the generation of voids or the like in which the resin member 92 is not formed in the vicinity of the metal shield plate 70C.
  • the metal shield plate 70C is indispensably provided with the shield portion 71 and the joint portion 74, but the joint portion 73 may not be provided. Further, the hole 72 may not be formed in the metal shield plate 70C.
  • the structural example of the metal shield plate 70 according to this embodiment is not limited to the above-mentioned metal shield plates 70A to 70C.
  • a plurality of holes 72 may be arranged from the main surface 91a toward the metal shield layer 95.
  • the direction in which the joint portion 73 extends is not limited to the x-axis positive direction as shown in FIGS. 3A to 3C, and may be the x-axis negative direction.
  • the metal shield plate 70 has the x-axis positive direction. It may have both a joint portion 73 extending in the direction and a joint portion 73 extending in the negative direction of the x-axis.
  • the metal shield plate 70 is connected to the via conductor 96 on the main surface 91a.
  • the metal shield plate 70 and the via conductor 96 may be in direct contact with each other, and as shown in FIG. 2B, they are connected via a ground electrode 94g formed on the main surface 91a. You may. Further, although not shown in FIG. 2, the metal shield plate 70 may be in contact with the metal shield layer 95 at its upper end.
  • the metal shield plate 70 since the metal shield plate 70 is connected to the ground at least at the lower end thereof, the electromagnetic field shielding function is enhanced.
  • the metal shield plate 70 divides the main surface 91a into a region P and a region Q.
  • the power amplifier 10, the matching circuits 51, 53, and the switch 41 are examples of the first circuit components, and are arranged in the region P of the main surface 91a.
  • the low noise amplifier 20, duplexers 30 and 35, matching circuits 50, 52 and 54, and switches 40 and 42 are examples of second circuit components and are arranged in the region Q of the main surface 91a.
  • the matching circuit 51 is arranged in the transmission path AT connecting the transmission input terminal 110 and the common terminal 40a of the switch 40, and includes the first inductor.
  • the matching circuit 52 is arranged in the reception path AR connecting the reception output terminal 120 and the common terminal 40a of the switch 40, and includes a second inductor.
  • the low noise amplifier 20 and the switch 42 are included in one semiconductor IC 60.
  • the component mounting area of the main surface 91a can be reduced. Therefore, the high frequency module 1A can be miniaturized.
  • the semiconductor IC 60 may include at least one of the switches 40 and 41.
  • the metal shield plate 70 is on the main surface 91a and is arranged between the first circuit component and the second circuit component when the module board 91 is viewed in a plan view.
  • the first circuit component is a circuit component arranged in the transmission path AT or BT
  • the second circuit component is a circuit component arranged in the reception path AR, BR, or the transmission / reception path CTR.
  • the first circuit component arranged in the area P is a circuit component arranged in the reception path AR or BR
  • the second circuit component arranged in the area Q is in the transmission path AT, BT or the transmission / reception path CTR. It may be an arranged circuit component.
  • the first circuit component arranged in the area P is a circuit component arranged in the transmission / reception path CTR
  • the second circuit component arranged in the area Q is the transmission path AT, BT, the reception path AR, or BR. It may be a circuit component arranged in.
  • the ground electrode 61 g arranged on the top surface of the semiconductor IC 60 and the joint portion 74 of the metal shield plate 70 are connected by a bonding wire 81.
  • the top surface of the semiconductor IC 60 is the main surface of the semiconductor IC 60 facing each other, which is farther from the main surface 91a (on the positive direction side of the z-axis).
  • the arrangement of the metal shield plate 70 can suppress the electromagnetic field coupling between the first circuit component and the second circuit component. Therefore, since strong signal interference between the first circuit component and the second circuit component can be suppressed, quality deterioration of the transmission signal or the reception signal can be suppressed.
  • the semiconductor IC 60 is connected to the bonding portion 74 via the bonding wire 81, the ground electrode of the semiconductor IC 60 does not have to be arranged on the main surface 91a. Therefore, the layout area of the electrodes provided on the main surface 91a can be reduced, so that the module substrate 91 can be miniaturized. Therefore, it is possible to provide a small high frequency module 1A in which quality deterioration of the transmission signal or the reception signal is suppressed.
  • the metal shield plate 70 is thicker than the metal shield layer 95. As a result, the ability to suppress the high frequency noise generated in the circuit component of the high frequency module 1A from flowing into the other circuit components of the high frequency module 1A can be increased as compared with the ability to shield the external noise.
  • the outer diameter of the via conductor 96 is equal to or larger than the thickness of the metal shield plate 70. If the outer diameter of the via conductor 96 is smaller than the thickness of the metal shield plate 70, the potential of the metal shield plate 70 cannot be strongly set to the ground potential of the high frequency module 1A. On the other hand, according to this configuration, the ground of the metal shield plate 70 can be strengthened. Therefore, strong signal interference between two circuit components arranged across the metal shield plate 70 can be suppressed, so that isolation between the transmission path, the reception path, and the transmission / reception path can be improved, and the transmission signal or the reception signal can be improved. Quality deterioration can be suppressed with high accuracy.
  • the component connected to the bonding portion 74 via the bonding wire 81 is not limited to the semiconductor IC 60.
  • the ground electrode arranged on the top surface of at least one of the first circuit component and the second circuit component described above and the bonding portion 74 may be connected by a bonding wire 81.
  • the circuit component connected to the joint portion 74 is preferably a surface mount type electronic component.
  • the top surface of the first circuit component is the main surface of the main surfaces of the first circuit component facing each other, which is far from the main surface 91a (on the positive direction side of the z-axis).
  • the top surface of the second circuit component is the main surface of the main surfaces of the second circuit component facing each other, which is far from the main surface 91a (on the positive direction side of the z-axis).
  • the first circuit component may be the first inductor and the second circuit component may be the second inductor.
  • the first circuit component may be the power amplifier 10 and the second circuit component may be the low noise amplifier 20.
  • the structure of the via conductor 96 is not limited to the structure penetrating from the main surface 91a to the main surface 91b as shown in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a modified example of the via conductor 96.
  • the via conductor 96 has a configuration in which a plurality of columnar conductors 96a, 96b and 96c extending in the normal direction of the main surfaces 91a and 91b are longitudinally connected by shifting the center of gravity axis in the normal direction.
  • the formation region A1 of the columnar conductor 96a arranged in the positive direction of the z-axis in the module substrate 91 and the formation region A3 of the columnar conductor 96c arranged in the negative direction of the z-axis in the module substrate 91 are the module substrate 91. Does not have to overlap when viewed in a plan view.
  • the via conductor 96 does not have to have a region that overlaps with the columnar conductors 96a to 96c in a plan view of the module substrate 91.
  • the columnar conductor 96a and the columnar conductor 96b are connected via a conductor pattern 96P extending in the y-axis direction in the module substrate 91, and the columnar conductor 96b and the columnar conductor 96c are connected to each other in the module substrate 91. It is connected via a conductor pattern 96P extending in the y-axis direction.
  • the high frequency module 1A is arranged on the module substrate 91 having the main surface 91a, the first circuit component and the second circuit component arranged on the main surface 91a, and the ground potential.
  • the metal shield plate 70 is provided with the metal shield plate 70 set to the above, and the metal shield plate 70 extends from the shield portion 71 extending in the vertical direction of the main surface 91a and parallel to the main surface 91a and separated from the main surface 91a. It has a joint portion 74, and the top surface of at least one of the first circuit component and the second circuit component and the joint portion 74 are connected by a bonding wire 81, and when the module substrate 91 is viewed in a plan view, it is made of metal.
  • the shield plate 70 is arranged between the first circuit component and the second circuit component.
  • the electromagnetic field coupling between the first circuit component and the second circuit component since strong signal interference between the first circuit component and the second circuit component can be suppressed, quality deterioration of the transmission signal or the reception signal can be suppressed.
  • at least one of the first circuit component and the second circuit component is connected to the bonding portion 74 via the bonding wire 81, it is not necessary to arrange the ground electrode of the one on the main surface 91a. Therefore, the layout area of the electrodes provided on the main surface 91a can be reduced, so that the module substrate 91 can be miniaturized. Therefore, it is possible to provide a small high frequency module 1A in which quality deterioration of the transmission signal or the reception signal is suppressed.
  • the high frequency module 1A further includes a resin member 92 that covers at least a part of the main surface 91a, the first circuit component and the second circuit component, and a metal shield layer that covers the surface of the resin member 92 and is set to a ground potential. 95 and may be provided.
  • the metal shield plate 70 and the metal shield layer 95 are in contact with each other, and the metal shield plate 70 may be thicker than the metal shield layer 95.
  • the ability to suppress the high frequency noise generated in the circuit component of the high frequency module 1A from flowing into the other circuit components of the high frequency module 1A can be increased as compared with the ability to shield the external noise.
  • a hole 72 penetrating in the normal direction of the shield portion 71 may be formed between the metal shield plate 70 and the main surface 91a.
  • a hole may be formed between the metal shield plate 70 and the main surface 91a so as to penetrate in the normal direction of the shield portion 71.
  • the metal shield plate 70 further has a joint portion 73 that is parallel to the main surface 91a and is in contact with the main surface 91a and extends from the shield portion 71, and the joint portion 73 is a ground electrode of the module substrate 91. It may be joined with 94 g.
  • the metal shield plate 70 and the main surface 91a are joined by the joint portion 73, the arrangement accuracy of the metal shield plate 70 and the joint strength between the metal shield plate 70 and the main surface 91a are improved.
  • the high frequency module 1A further includes a via conductor 96 formed inside the module substrate 91, extending in a direction intersecting the main surface 91a, and set to a ground potential, and the metal shield plate 70 has a main surface 91a.
  • the via conductor 96 is connected to the via conductor 96, and the outer diameter of the via conductor 96 may be greater than or equal to the thickness of the metal shield plate 70.
  • the ground of the metal shield plate 70 can be strengthened. Therefore, strong signal interference between two circuit components arranged across the metal shield plate 70 can be suppressed, so that isolation between the transmission path, the reception path, and the transmission / reception path can be improved, and the transmission signal or the reception signal can be improved. Quality deterioration can be suppressed with high accuracy.
  • At least one of the first circuit component and the second circuit component may be a surface mount type electronic component or a semiconductor IC.
  • surface mount type electronic components and semiconductor ICs can form a ground electrode on the top surface thereof. Therefore, it is possible to connect to the bonding portion 74 via the bonding wire 81 without arranging the ground electrode on the main surface 91a.
  • the high frequency module 1A further includes a power amplifier 10 and a low noise amplifier 20, the first circuit component is a first inductor connected to the output terminal of the power amplifier 10, and the second circuit component is low. It may be a second inductor connected to the input terminal of the noise amplifier 20.
  • the first circuit component is a power amplifier 10
  • the second circuit component is a low noise amplifier 20
  • the low noise amplifier 20 is included in the semiconductor IC 60 and is bonded to the top surface of the semiconductor IC 60.
  • the portion 74 may be connected with the bonding wire 81.
  • the module board 91 can be miniaturized while strengthening the ground of the low noise amplifier 20.
  • the communication device 5 includes an RFIC 3 that processes a high frequency signal transmitted and received by the antenna 2, and a high frequency module 1 that transmits a high frequency signal between the antenna 2 and the RFIC 3.
  • the high-frequency module and communication device according to the present invention have been described above with reference to embodiments, examples, and modifications. However, the high-frequency module and communication device according to the present invention have the above-described embodiments, examples, and modifications. Not limited to. To the extent that the gist of the present invention is not deviated from the other embodiments realized by combining arbitrary components in the above-described embodiments, examples and modifications, and the above-described embodiments, examples and modifications. The present invention also includes various modifications obtained by performing various modifications that can be conceived by those skilled in the art, and various devices incorporating the high frequency module and the communication device.
  • each circuit component constituting the high frequency module 1A is arranged on one main surface 91a of the module board 91, but each circuit component faces each other on the main surface of the module board 91. It may be distributed and arranged on the 91a and the main surface 91b. That is, each circuit component constituting the high frequency module 1A may be mounted on one side of the module board or may be mounted on both sides.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as a high-frequency module arranged in a multi-band compatible front end portion.

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Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、主面（９１ａ）を有するモジュール基板（９１）と、主面（９１ａ）に配置された第１回路部品および第２回路部品と、主面（９１ａ）上に配置され、グランド電位に設定された金属シールド板（７０）と、を備え、金属シールド板（７０）は、主面（９１ａ）の垂直方向に延びるシールド部（７１）と、主面（９１ａ）と平行かつ主面（９１ａ）と離間してシールド部（７１）から延びる接合部（７４）と、を有し、第１回路部品および第２回路部品の少なくとも一方の天面と接合部（７４）とは、ボンディングワイヤ（８１）で接続されており、モジュール基板（９１）を平面視した場合、金属シールド板（７０）は、第１回路部品と第２回路部品との間に配置されている。

Description

高周波モジュールおよび通信装置
　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
　携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。
　特許文献１には、複数の送信機（送信経路）および複数の受信機（受信経路）と、当該複数の送信機および複数の受信機とアンテナとの間に配置されたスイッチプレクサ（アンテナスイッチ）と、を備えたトランシーバ（送受信回路）の回路構成が開示されている。上記複数の送信機のそれぞれは、送信回路、ＰＡ（送信電力増幅器）、および出力回路を有し、上記複数の受信機のそれぞれは、受信回路、ＬＮＡ（受信低雑音増幅器）、および入力回路を有している。出力回路は、送信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含み、入力回路は、受信フィルタ、インピーダンス整合回路、およびデュプレクサなどを含む。上記構成によれば、スイッチプレクサの切り替え動作により、同時送信、同時受信、または同時送受信を実行できる。
特表２０１４－５２２２１６号公報
　しかしながら、特許文献１に開示されたトランシーバ（送受信回路）を、移動体通信機器に搭載される高周波モジュールで構成する場合、送信経路、受信経路、およびアンテナスイッチを含む送受信経路のそれぞれに配置された回路部品の少なくとも２つが電磁界結合することが想定される。この場合、ＰＡ（送信電力増幅器）で増幅された高出力の送信信号の高調波成分が送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。また、上記電磁界結合により送受信間のアイソレーションが低下し、上記高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路に流入して受信感度が劣化する場合がある。また、上記電磁界結合により２つの受信信号が干渉し合い、受信感度が劣化する場合がある。さらに、複数の上記回路部品をモジュール基板の表面に配置すると、各回路部品の電極のレイアウト面積が大きくなりモジュール基板を小型化できないといった問題がある。
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された小型の高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、主面を有するモジュール基板と、主面に配置された第１回路部品および第２回路部品と、主面上に配置され、グランド電位に設定された金属板と、を備え、金属板は、主面の垂直方向に延びる本体部と、主面と平行かつ主面と離間して本体部から延びる第１接合部と、を有し、第１回路部品および第２回路部品の少なくとも一方の天面と第１接合部とは、ボンディングワイヤで接続されており、モジュール基板を平面視した場合、金属板は、第１回路部品と第２回路部品との間に配置されている。
　本発明によれば、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された小型の高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
図１は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 図２は、実施例に係る高周波モジュールの平面図および断面図である。 図３Ａは、金属シールド板の第１例を示す外観斜視図である。 図３Ｂは、金属シールド板の第２例を示す外観斜視図である。 図３Ｃは、金属シールド板の第３例を示す外観斜視図である。 図４は、ビア導体の変形例を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、包括的または具体的な例を示すものである。また、以下の実施の形態、実施例および変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略または簡略化する場合がある。
　また、以下において、平行および垂直等の要素間の関係性を示す用語、および、矩形状等の要素の形状を示す用語、ならびに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。
　以下の各図において、ｘ軸およびｙ軸は、モジュール基板の主面と平行な平面上で互いに直交する軸である。また、ｚ軸は、モジュール基板の主面に垂直な軸であり、その正方向は上方向を示し、その負方向は下方向を示す。
　また、本開示の回路構成において、「接続される」とは、接続端子および／または配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路部品を介して電気的に接続される場合も含む。また、「ＡおよびＢの間に接続される」とは、ＡおよびＢの間でＡおよびＢの両方に接続されることを意味する。
　また、本開示のモジュール構成において、「平面視」とは、ｚ軸正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、および、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。「ＡがＢおよびＣの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。また、「平行」および「垂直」などの要素間の関係性を示す用語、および、「矩形」などの要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の誤差をも含むことを意味する。
　また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「送受信経路」とは、高周波送信信号および高周波受信信号の双方を伝送する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。
　（実施の形態）
　［１．高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信信号経路に出力する。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
　また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ４０、４１および４２の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ４０～４２の接続を切り替える。具体的には、ＲＦＩＣ３は、スイッチ４０～４２を制御するためのディジタル制御信号をＰＡ制御回路１５に出力する。高周波モジュール１のＰＡ制御回路１５は、ＲＦＩＣ３から入力されたディジタル制御信号によって、スイッチ４０～４２にディジタル制御信号を出力することで、スイッチ４０～４２の接続および非接続を制御する。
　また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有する電力増幅器１０の利得、電力増幅器１０に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓを制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ディジタル制御信号を高周波モジュール１の制御信号端子１３０に出力する。ＰＡ制御回路１５は、制御信号端子１３０を介して入力されたディジタル制御信号によって、電力増幅器１０に制御信号、電源電圧Ｖｃｃまたはバイアス電圧Ｖｂｉａｓを出力することで、電力増幅器１０の利得を調整する。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。
　アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。
　図１に示すように、高周波モジュール１は、電力増幅器１０と、低雑音増幅器２０と、ＰＡ制御回路１５と、送信フィルタ３１および３３と、受信フィルタ３２および３４と、整合回路５０、５１、５２、５３、および５４と、スイッチ４０、４１および４２と、アンテナ接続端子１００と、送信入力端子１１０と、受信出力端子１２０と、制御信号端子１３０と、を備える。
　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。送信入力端子１１０は、送信信号を高周波モジュール１の外部（ＲＦＩＣ３）から受けるための端子である。受信出力端子１２０は、受信信号を高周波モジュール１の外部（ＲＦＩＣ３）に供給するための端子である。
　電力増幅器１０は、通信バンドＡおよび通信バンドＢの送信信号を増幅する送信増幅器である。電力増幅器１０の入力端子は送信入力端子１１０に接続され、電力増幅器１０の出力端子は、スイッチ４１を介して整合回路５１および５３に接続される。
　低雑音増幅器２０は、通信バンドＡおよび通信バンドＢの受信信号を低雑音で増幅する受信増幅器である。低雑音増幅器２０の入力端子は、スイッチ４２を介して整合回路５２および５４に接続され、低雑音増幅器２０の出力端子は、受信出力端子１２０に接続される。
　ＰＡ制御回路１５は、制御信号端子１３０を介して入力されたディジタル制御信号ＭＩＰＩなどによって、電力増幅器１０の利得を調整する。なお、ＰＡ制御回路１５は、半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）で形成されていてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。
　送信フィルタ３１は、電力増幅器１０とスイッチ４０とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、電力増幅器１０で増幅された送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ３３は、電力増幅器１０とスイッチ４０とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、電力増幅器１０で増幅された送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の送信信号を通過させる。
　受信フィルタ３２は、低雑音増幅器２０とスイッチ４０とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ３４は、低雑音増幅器２０とスイッチ４０とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の受信信号を通過させる。
　なお、上記の送信フィルタ３１および３３、受信フィルタ３２および３４は、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれであってもよく、さらには、これらには限定されない。
　送信フィルタ３１および受信フィルタ３２は、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ３０を構成している。また、送信フィルタ３３および受信フィルタ３４は、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ３５を構成している。
　なお、デュプレクサ３０および３５のそれぞれは、時分割複信（ＴＤＤ：Ｔｉｍｅ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｄｕｐｌｅｘ）方式で伝送する１つのフィルタであってもよい。この場合には、上記１つのフィルタの前段および後段の少なくとも一方に、送信および受信を切り替えるスイッチが配置される。
　整合回路５０は、アンテナ接続端子１００とスイッチ４０とを結ぶ送受信経路ＣＴＲに配置され、アンテナ２と、スイッチ４０、デュプレクサ３０および３５とのインピーダンス整合をとる。整合回路５０は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５０は、送受信経路ＣＴＲに直列配置されていてもよいし、送受信経路ＣＴＲとグランドとの間に接続されていてもよい。
　整合回路５１は、電力増幅器１０と送信フィルタ３１とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、電力増幅器１０と送信フィルタ３１とのインピーダンス整合をとる。整合回路５１は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５１は、送信経路ＡＴに直列配置されていてもよいし、送信経路ＡＴとグランドとの間に接続されていてもよい。
　整合回路５３は、電力増幅器１０と送信フィルタ３３とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、電力増幅器１０と送信フィルタ３３とのインピーダンス整合をとる。整合回路５３は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５３は、送信経路ＢＴに直列配置されていてもよいし、送信経路ＢＴとグランドとの間に接続されていてもよい。
　整合回路５２は、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３２とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３２とのインピーダンス整合をとる。整合回路５２は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５２は、受信経路ＡＲに直列配置されていてもよいし、受信経路ＡＲとグランドとの間に接続されていてもよい。
　整合回路５４は、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３４とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３４とのインピーダンス整合をとる。整合回路５４は、少なくとも１つのインダクタを有している。なお、整合回路５４は、受信経路ＢＲに直列配置されていてもよいし、受信経路ＢＲとグランドとの間に接続されていてもよい。
　なお、整合回路５１および５３に代わって、または、整合回路５１および５３に加えて、電力増幅器１０とスイッチ４１との間の送信経路に整合回路が配置されていてもよい。
　スイッチ４０は、共通端子４０ａ、選択端子４０ｂおよび４０ｃを有し、共通端子４０ａが整合回路５０を介してアンテナ接続端子１００に接続され、選択端子４０ｂがデュプレクサ３０に接続され、選択端子４０ｃがデュプレクサ３５に接続されている。つまり、スイッチ４０は、アンテナ接続端子１００とデュプレクサ３０および３５との間に配置されたアンテナスイッチであり、（１）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ３０との接続および非接続を切り替え、（２）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ３５との接続および非接続を切り替える。なお、スイッチ４０は、上記（１）および上記（２）の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。
　なお、整合回路５２および５４に代わって、または、整合回路５２および５４に加えて、低雑音増幅器２０とスイッチ４２との間の受信経路に整合回路が配置されていてもよい。
　また、整合回路５０に代わって、または、整合回路５０に加えて、スイッチ４０とデュプレクサ３０とを結ぶ送受信経路およびスイッチ４０とデュプレクサ３５とを結ぶ送受信経路に、整合回路が配置されていてもよい。
　スイッチ４１は、共通端子４１ａ、選択端子４１ｂおよび４１ｃを有し、電力増幅器１０と送信フィルタ３１および３３とを結ぶ送信経路に配置され、電力増幅器１０と送信フィルタ３１との接続、および、電力増幅器１０と送信フィルタ３３との接続、を切り替える。スイッチ４１は、例えば、共通端子４１ａが電力増幅器１０の出力端子に接続され、選択端子４１ｂが整合回路５１を介して送信フィルタ３１に接続され、選択端子４１ｃが整合回路５３を介して送信フィルタ３３に接続された、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。
　スイッチ４２は、共通端子４２ａ、選択端子４２ｂおよび４２ｃを有し、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３２および３４とを結ぶ受信経路に配置され、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３２との接続、および、低雑音増幅器２０と受信フィルタ３４との接続、を切り替える。スイッチ４２は、例えば、共通端子４２ａが低雑音増幅器２０の入力端子に接続され、選択端子４２ｂが整合回路５２を介して受信フィルタ３２に接続され、選択端子４２ｃが整合回路５４を介して受信フィルタ３４に接続された、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。
　なお、送信経路ＡＴは、通信バンドＡの送信信号を伝送し、送信入力端子１１０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。また、送信経路ＢＴは、通信バンドＢの送信信号を伝送し、送信入力端子１１０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。また、受信経路ＡＲは、通信バンドＡの受信信号を伝送し、受信出力端子１２０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。また、受信経路ＢＲは、通信バンドＢの受信信号を伝送し、受信出力端子１２０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。また、送受信経路ＣＴＲは、通信バンドＡの送信信号および受信信号、ならびに、通信バンドＢの送信信号および受信信号を伝送し、アンテナ接続端子１００とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ信号経路である。
　上記回路構成を有する高周波モジュール１において、電力増幅器１０、スイッチ４１、整合回路５１、および送信フィルタ３１は、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、電力増幅器１０、スイッチ４１、整合回路５３、および送信フィルタ３３は、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの送信信号を出力する第２送信回路を構成する。
　また、低雑音増幅器２０、スイッチ４２、整合回路５２、および受信フィルタ３２は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を入力する第１受信回路を構成する。また、低雑音増幅器２０、スイッチ４２、整合回路５４、および受信フィルタ３４は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの受信信号を入力する第２受信回路を構成する。
　上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、（１）通信バンドＡの高周波信号の送受信、（２）通信バンドＢの高周波信号の送受信、および（３）通信バンドＡの高周波信号と通信バンドＢの高周波信号との同時送信、同時受信、または同時送受信、の少なくともいずれかを実行することが可能である。
　なお、本発明に係る高周波モジュールでは、送信回路および受信回路がスイッチ４０を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記送信回路および上記受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールの回路構成として、送信経路、受信経路、および送受信経路のうちの少なくとも２つの経路と、当該２つの経路に配置された各整合回路を有していればよい。また、第１送信回路および第２送信回路のうちのいずれかを有していればよい。また、第１受信回路および第２受信回路のうちのいずれかを有していればよい。
　ここで、上記回路構成を有する高周波モジュール１において、送信経路、受信経路、および送受信経路のそれぞれに配置された回路部品の少なくとも２つが電磁界結合すると、電力増幅器で増幅された高出力の送信信号の高調波成分が送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。また、上記電磁界結合により送受信間のアイソレーションが低下し、上記高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路に流入して受信感度が劣化する場合がある。また、上記電磁界結合により２つの受信信号が干渉し合い、受信感度が劣化する場合がある。さらに、複数の上記回路部品をモジュール基板の表面に配置すると、各回路部品の電極のレイアウト面積が大きくなりモジュール基板を小型化できないといった問題がある。
　これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、上記電磁界結合を抑制しつつ小型の構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の上記電磁界結合を抑制する小型の構成について説明する。
　［２．実施例に係る高周波モジュール１Ａの回路部品配置構成］
　図２は、実施例に係る高周波モジュール１Ａの平面図および断面図である。図２の（ａ）には、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路部品の配置図が示されている。また、図２の（ｂ）には、図２の（ａ）のＩＩ－ＩＩ線における断面図が示されている。高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路部品の配置構成を具体的に示したものである。
　図２に示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、金属シールド板７０と、金属シールド層９５と、ビア導体９６と、樹脂部材９２と、外部接続端子１５０と、を有している。
　モジュール基板９１は、主面９１ａ上に、第１および第２送信回路、ならびに第１および第２受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板９１上に、アンテナ接続端子１００、送信入力端子１１０、受信出力端子１２０および制御信号端子１３０が形成されていてもよい。
　樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、第１および第２送信回路、ならびに第１および第２受信回路を構成する回路部品の少なくとも一部、ならびにモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。
　外部接続端子１５０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のうちのグランド端子１５０ｇは、外部基板のグランド電位に設定される。なお、外部接続端子１５０は、図２に示すように、主面９１ｂに形成された平面電極であってもよいし、また、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。
　金属シールド層９５は、金属層の一例であり、樹脂部材９２の表面を覆い、グランド電位に設定されている。金属シールド層９５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜である。
　なお、高周波モジュール１Ａにおいて、樹脂部材９２および金属シールド層９５は、なくてもよい。
　ビア導体９６は、モジュール基板９１の内部に形成され、主面９１ａと交差する方向に延伸している。ビア導体９６は、高周波モジュール１Ａのグランド電位に設定されている。本実施例では、ビア導体９６は、主面９１ａと直交する方向に延伸し、モジュール基板９１を貫通している。
　金属シールド板７０は、金属板の一例であり、主面９１ａに配置され、主面９１ａから樹脂部材９２のｚ軸正方向側の天面に向けて延びる金属壁体であり、グランド電位に設定される。
　図３Ａは、金属シールド板７０の第１例を示す外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ａは、実施例に係る金属シールド板７０の一例である。同図に示すように、金属シールド板７０Ａは、シールド部７１と、接合部７３および７４と、を有している。シールド部７１は、金属シールド板７０Ａの本体部の一例であり、主面９１ａの垂直方向（ｚ軸方向）に延びている。接合部７４は、第１接合部の一例であり、主面９１ａと平行かつ主面９１ａと離間してシールド部７１から延びている。接合部７３は、第２接合部の一例であり、主面９１ａと平行かつ主面９１ａと接してシールド部７１から延びている。さらに、金属シールド板７０Ａと主面９１ａとの間には、シールド部７１の法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。シールド部７１の上端は、金属シールド層９５と接していない。
　接合部７４は、その表面にボンディングワイヤが接合され、金属シールド層９５とは接していない。これによれば、主面９１ａ上に配置された回路部品と接合部７４とをボンディングワイヤで接続することで、当該回路部品をグランド電位に設定するためのグランド電極を接合部７４とできるので、当該グランド電極を主面９１ａに設ける必要がない。よって、主面９１ａ上におけるグランド電極のレイアウト面積を小さくできるのでモジュール基板９１を小型化できる。
　接合部７３により、金属シールド板７０Ａと主面９１ａとが接合されるので、金属シールド板７０Ａの配置精度、および、金属シールド板７０Ａと主面９１ａとの接合強度が向上する。また、穴７２が形成されていることにより、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ａの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ａの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。
　なお、金属シールド板７０Ａは、シールド部７１および接合部７４を必須に備えるが、接合部７３を備えなくてもよい。また、金属シールド板７０Ａにおいて、穴７２は形成されていなくてもよい。
　図３Ｂは、金属シールド板７０の第２例を示す外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ｂは、実施例に係る金属シールド板７０の一例である。同図に示すように、金属シールド板７０Ｂは、シールド部７１Ｂと、接合部７３および７４と、を有している。シールド部７１Ｂは、金属シールド板７０Ｂの本体部の一例であり、主面９１ａの垂直方向（ｚ軸方向）に延びている。接合部７４は、第１接合部の一例であり、主面９１ａと平行かつ主面９１ａと離間してシールド部７１Ｂから延びている。接合部７３は、第２接合部の一例であり、主面９１ａと平行かつ主面９１ａと接してシールド部７１Ｂから延びている。シールド部７１Ｂの上端は、金属シールド層９５と接している。さらに、金属シールド板７０Ｂと金属シールド層９５との間には、シールド部７１Ｂの法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。
　接合部７４は、その表面にボンディングワイヤが接合され、金属シールド層９５とは接していない。これによれば、主面９１ａ上に配置された回路部品と接合部７４とをボンディングワイヤで接続することで、当該回路部品をグランド電位に設定するためのグランド電極を接合部７４とできるので、当該グランド電極を主面９１ａに設ける必要がない。よって、主面９１ａ上におけるグランド電極のレイアウト面積を小さくできるのでモジュール基板９１を小型化できる。
　接合部７３により、金属シールド板７０Ｂと主面９１ａとが接合されるので、金属シールド板７０Ｂの配置精度、および、金属シールド板７０Ｂと主面９１ａとの接合強度が向上する。また、穴７２が形成されていることにより、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ｂの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ｂの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。
　なお、金属シールド板７０Ｂは、シールド部７１Ｂおよび接合部７４を必須に備えるが、接合部７３を備えなくてもよい。また、金属シールド板７０Ｂにおいて、穴７２は形成されていなくてもよい。
　図３Ｃは、金属シールド板７０の第３例を示す外観斜視図である。同図に示された金属シールド板７０Ｃは、実施例に係る金属シールド板７０の一例である。同図に示すように、金属シールド板７０Ｃは、シールド部７１と、接合部７３および７４と、を有している。シールド部７１は、金属シールド板７０Ｃの本体部の一例であり、主面９１ａの垂直方向（ｚ軸方向）に延びている。金属シールド板７０Ｃでは、複数のシールド部７１が穴７２を介して離散的に配置されており、また、複数の接合部７３が穴７２を介して離散的に配置されている。接合部７４は、第１接合部の一例であり、主面９１ａと平行かつ主面９１ａと離間してシールド部７１から延びている。接合部７３は、第２接合部の一例であり、主面９１ａと平行かつ主面９１ａと接してシールド部７１から延びている。主面９１ａと金属シールド層９５との間には、シールド部７１の法線方向（ｘ軸方向）に貫通する穴７２が形成されている。
　接合部７４は、その表面にボンディングワイヤが接合され、金属シールド層９５とは接していない。これによれば、主面９１ａ上に配置された回路部品と接合部７４とをボンディングワイヤで接続することで、当該回路部品をグランド電位に設定するためのグランド電極を接合部７４とできるので、当該グランド電極を主面９１ａに設ける必要がない。よって、主面９１ａ上におけるグランド電極のレイアウト面積を小さくできるのでモジュール基板９１を小型化できる。
　接合部７３により、金属シールド板７０Ｃと主面９１ａとが接合されるので、金属シールド板７０Ｃの配置精度、および、金属シールド板７０Ｃと主面９１ａとの接合強度が向上する。また、穴７２が形成されていることにより、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０Ｃの近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０Ｃの近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。
　なお、金属シールド板７０Ｃは、シールド部７１および接合部７４を必須に備えるが、接合部７３を備えなくてもよい。また、金属シールド板７０Ｃにおいて、穴７２は形成されていなくてもよい。
　なお、本実施例に係る金属シールド板７０の構造例は、上記の金属シールド板７０Ａ～７０Ｃに限られるものではない。例えば、穴７２は、主面９１ａから金属シールド層９５に向けて複数配置されていてもよい。また、接合部７３が延びる方向は、図３Ａ～図３Ｃに示されるようなｘ軸正方向に限られず、ｘ軸負方向であってもよく、さらには、金属シールド板７０は、ｘ軸正方向に延びる接合部７３およびｘ軸負方向に延びる接合部７３の双方を有していてもよい。
　また、図２の（ｂ）に示すように、金属シールド板７０は、主面９１ａにてビア導体９６と接続されている。なお、金属シールド板７０とビア導体９６とは、直接接していてもよく、また、図２の（ｂ）に示すように、主面９１ａ上に形成されたグランド電極９４ｇを介して接続されていてもよい。また、図２には図示していないが、金属シールド板７０は、その上端で金属シールド層９５に接していてもよい。
　金属シールド板７０の上記構成によれば、金属シールド板７０は、少なくともその下端でグランドに接続されているので、電磁界遮蔽機能が強化される。
　また、図２の（ａ）に示すように、金属シールド板７０は、主面９１ａを、領域Ｐと領域Ｑとに区画している。図２の（ａ）に示すように、電力増幅器１０、整合回路５１、５３、およびスイッチ４１は、第１回路部品の一例であり、主面９１ａの領域Ｐに配置されている。また、低雑音増幅器２０、デュプレクサ３０および３５、整合回路５０、５２および５４、ならびにスイッチ４０および４２は、第２回路部品の一例であり、主面９１ａの領域Ｑに配置されている。なお、整合回路５１は、送信入力端子１１０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、第１インダクタを含む。また、整合回路５２は、受信出力端子１２０とスイッチ４０の共通端子４０ａとを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、第２インダクタを含む。
　また、低雑音増幅器２０およびスイッチ４２は、１つの半導体ＩＣ６０に含まれている。これにより、主面９１ａの部品実装面積を小さくできる。よって、高周波モジュール１Ａを小型化できる。さらに、半導体ＩＣ６０は、スイッチ４０および４１の少なくとも１つを含んでもよい。
　つまり、金属シールド板７０は、主面９１ａ上であって、モジュール基板９１を平面視した場合に、第１回路部品と第２回路部品との間に配置されている。
　本実施例では、第１回路部品は、送信経路ＡＴまたはＢＴに配置された回路部品であり、第２回路部品は、受信経路ＡＲ、ＢＲ、または送受信経路ＣＴＲに配置された回路部品である。
　なお、領域Ｐに配置された第１回路部品は、受信経路ＡＲまたはＢＲに配置された回路部品であり、領域Ｑに配置された第２回路部品は、送信経路ＡＴ、ＢＴまたは送受信経路ＣＴＲに配置された回路部品であってもよい。
　また、領域Ｐに配置された第１回路部品は、送受信経路ＣＴＲに配置された回路部品であり、領域Ｑに配置された第２回路部品は、送信経路ＡＴ、ＢＴ、受信経路ＡＲ、またはＢＲに配置された回路部品であってもよい。
　また、図２に示すように、半導体ＩＣ６０の天面に配置されたグランド電極６１ｇと金属シールド板７０の接合部７４とは、ボンディングワイヤ８１で接続されている。
　なお、半導体ＩＣ６０の天面とは、半導体ＩＣ６０が有する互いに対向する主面のうちの、主面９１ａから遠い方（ｚ軸正方向側）の主面である。
　上記構成によれば、金属シールド板７０の配置により、第１回路部品と第２回路部品とが電磁界結合することを抑制できる。よって、第１回路部品と第２回路部品との間の強い信号干渉を抑制できるので、送信信号または受信信号の品質劣化を抑制できる。
　また、半導体ＩＣ６０がボンディングワイヤ８１を介して接合部７４と接続されていることにより、半導体ＩＣ６０のグランド電極を主面９１ａに配置しなくてよい。このため、主面９１ａに設けられる電極のレイアウト面積を小さくできるのでモジュール基板９１を小型化できる。よって、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された小型の高周波モジュール１Ａを提供できる。
　なお、金属シールド板７０は、金属シールド層９５よりも厚いことが望ましい。これにより、外来ノイズを遮蔽する能力と比較して、高周波モジュール１Ａの回路部品で発生した高周波ノイズを、高周波モジュール１Ａの他の回路部品に流入することを抑制する能力を高くできる。
　また、ビア導体９６の外径は、金属シールド板７０の厚さ以上であることが望ましい。仮に、ビア導体９６の外径が金属シールド板７０の厚さより小さいと、金属シールド板７０の電位を、高周波モジュール１Ａのグランド電位に強く設定できない。これに対して、本構成によれば、金属シールド板７０のグランドを強化できる。よって、金属シールド板７０を挟んで配置された２つの回路部品間の強い信号干渉を抑制できるので、送信経路、受信経路、および送受信経路の間のアイソレーションを向上でき、送信信号または受信信号の品質劣化を高精度に抑制できる。
　なお、ボンディングワイヤ８１を介して接合部７４と接続される部品は、半導体ＩＣ６０に限定されない。上述した第１回路部品および前記第２回路部品の少なくとも一方の天面に配置されたグランド電極と接合部７４とが、ボンディングワイヤ８１で接続されていてもよい。また、第１回路部品および第２回路部品のうち、接合部７４と接続される回路部品は、表面実装型の電子部品であることが望ましい。
　なお、第１回路部品の天面とは、第１回路部品が有する互いに対向する主面のうちの、主面９１ａから遠い方（ｚ軸正方向側）の主面である。また、第２回路部品の天面とは、第２回路部品が有する互いに対向する主面のうちの、主面９１ａから遠い方（ｚ軸正方向側）の主面である。
　また、本実施例において、特に、第１回路部品が第１インダクタであり、第２回路部品が第２インダクタであってもよい。
　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとが電磁界結合することを抑制できるので、電力増幅器で増幅された高出力の送信信号、その高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が受信経路に流入して受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、本実施例において、特に、第１回路部品が電力増幅器１０であり、第２回路部品が低雑音増幅器２０であってもよい。
　これによれば、電力増幅器１０と低雑音増幅器２０とが電磁界結合することを抑制できるので、電力増幅器で増幅された高出力の送信信号、その高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が受信経路に流入して受信感度が劣化することを抑制できる。
　［３．変形例に係るビア導体の構造］
　なお、ビア導体９６の構造は、図２に示されるような、主面９１ａから主面９１ｂにわたって貫通する構造に限定されない。
　図４は、ビア導体９６の変形例を示す断面図である。同図に示すように、ビア導体９６は、主面９１ａおよび９１ｂの法線方向に延伸する複数の柱状導体９６ａ、９６ｂおよび９６ｃが上記法線方向に重心軸をずらせて縦続接続された構成を有する。さらに、モジュール基板９１において最もｚ軸正方向に配置された柱状導体９６ａの形成領域Ａ１と、モジュール基板９１において最もｚ軸負方向に配置された柱状導体９６ｃの形成領域Ａ３とは、モジュール基板９１を平面視した場合に、重ならなくてもよい。つまり、変形例に係るビア導体９６は、モジュール基板９１を平面視した場合に、柱状導体９６ａ～９６ｃに共通して重なる領域を有さなくてもよい。なお、柱状導体９６ａと柱状導体９６ｂとは、モジュール基板９１内のｙ軸方向に延在する導体パターン９６Ｐを介して接続されており、柱状導体９６ｂと柱状導体９６ｃとは、モジュール基板９１内のｙ軸方向に延在する導体パターン９６Ｐを介して接続されている。
　［４．効果など］
　以上、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、主面９１ａを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された第１回路部品および第２回路部品と、主面９１ａ上に配置され、グランド電位に設定された金属シールド板７０と、を備え、金属シールド板７０は、主面９１ａの垂直方向に延びるシールド部７１と、主面９１ａと平行かつ主面９１ａと離間してシールド部７１から延びる接合部７４と、を有し、第１回路部品および第２回路部品の少なくとも一方の天面と接合部７４とは、ボンディングワイヤ８１で接続されており、モジュール基板９１を平面視した場合、金属シールド板７０は、第１回路部品と第２回路部品との間に配置されている。
　これによれば、第１回路部品と第２回路部品とが電磁界結合することを抑制できる。よって、第１回路部品と第２回路部品との間の強い信号干渉を抑制できるので、送信信号または受信信号の品質劣化を抑制できる。また、第１回路部品および第２回路部品の少なくとも一方がボンディングワイヤ８１を介して接合部７４と接続されていることにより、当該一方のグランド電極を主面９１ａに配置しなくてよい。このため、主面９１ａに設けられる電極のレイアウト面積を小さくできるのでモジュール基板９１を小型化できる。よって、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された小型の高周波モジュール１Ａを提供できる。
　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、主面９１ａ、第１回路部品および第２回路部品の少なくとも一部を覆う樹脂部材９２と、樹脂部材９２の表面を覆い、グランド電位に設定された金属シールド層９５と、を備えてもよい。
　これによれば、第１回路部品および第２回路部品の機械強度および耐湿性などの信頼性を向上させることができるとともに、高周波モジュール１Ａへの外来ノイズの流入を抑制できる。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板７０と金属シールド層９５とは接しており、金属シールド板７０は、金属シールド層９５よりも厚くてもよい。
　これによれば、外来ノイズを遮蔽する能力と比較して、高周波モジュール１Ａの回路部品で発生した高周波ノイズを、高周波モジュール１Ａの他の回路部品に流入することを抑制する能力を高くできる。
　また、金属シールド板７０と主面９１ａとの間には、シールド部７１の法線方向に貫通する穴７２が形成されていてもよい。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板７０と主面９１ａとの間には、シールド部７１の法線方向に貫通する穴が形成されていてもよい。
　これによれば、樹脂部材９２を主面９１ａ上に形成する工程において、金属シールド板７０の近傍における液状樹脂の良好な流動性を確保できる。よって、金属シールド板７０の近傍において樹脂部材９２が形成されていない空隙などの発生を抑制できる。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、金属シールド板７０は、さらに、主面９１ａと平行かつ主面９１ａと接してシールド部７１から延びる接合部７３を有し、接合部７３は、モジュール基板９１のグランド電極９４ｇと接合されていてもよい。
　これによれば、金属シールド板７０と主面９１ａとが接合部７３により接合されるので、金属シールド板７０の配置精度、および、金属シールド板７０と主面９１ａとの接合強度が向上する。
　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、モジュール基板９１の内部に形成され、主面９１ａと交差する方向に延伸し、グランド電位に設定されたビア導体９６を備え、金属シールド板７０は、主面９１ａにてビア導体９６と接続されており、ビア導体９６の外径は、金属シールド板７０の厚さ以上であってもよい。
　これによれば、金属シールド板７０のグランドを強化できる。よって、金属シールド板７０を挟んで配置された２つの回路部品間の強い信号干渉を抑制できるので、送信経路、受信経路、および送受信経路の間のアイソレーションを向上でき、送信信号または受信信号の品質劣化を高精度に抑制できる。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、記第１回路部品および第２回路部品の少なくとも一方は、表面実装型の電子部品または半導体ＩＣであってもよい。
　これによれば、表面実装型の電子部品および半導体ＩＣは、その天面にグランド電極を形成することが可能である。よって、主面９１ａにグランド電極を配置することなく、ボンディングワイヤ８１を介して接合部７４と接続することが可能となる。
　また、高周波モジュール１Ａは、さらに、電力増幅器１０と、低雑音増幅器２０と、を備え、第１回路部品は電力増幅器１０の出力端子に接続された第１インダクタであり、第２回路部品は低雑音増幅器２０の入力端子に接続された第２インダクタであってもよい。
　これによれば、第１インダクタと第２インダクタとが電磁界結合することを抑制できるので、電力増幅器で増幅された高出力の送信信号、その高調波、または、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が受信経路に流入して受信感度が劣化することを抑制できる。
　また、高周波モジュール１Ａにおいて、第１回路部品は電力増幅器１０であり、第２回路部品は低雑音増幅器２０であり、低雑音増幅器２０は半導体ＩＣ６０に含まれており、半導体ＩＣ６０の天面と接合部７４とは、ボンディングワイヤ８１で接続されていてもよい。
　これによれば、半導体ＩＣ６０の天面にグランド電極６１ｇを形成することで、主面９１ａにグランド電極を配置することなく、ボンディングワイヤ８１を介して接合部７４と接続することが可能となる。よって、低雑音増幅器２０のグランドを強化しつつ、モジュール基板９１を小型化できる。
　また、通信装置５は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。
　これによれば、送信信号または受信信号の品質劣化が抑制された通信装置５を提供できる。
　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態、実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態、実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態、実施例および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、高周波モジュール１Ａを構成する各回路部品がモジュール基板９１の片方の主面９１ａに配置されているが、各回路部品がモジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび主面９１ｂに振り分けられて配置されていてもよい。つまり、高周波モジュール１Ａを構成する各回路部品は、モジュール基板に片面実装されていてもよく、また、両面実装されていてもよい。
　例えば、上記実施の形態、実施例および変形例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ　　高周波モジュール
　２　　アンテナ
　３　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　４　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　５　　通信装置
　１０　　電力増幅器
　１５　　ＰＡ制御回路
　２０　　低雑音増幅器
　３０、３５　　デュプレクサ
　３１、３３　　送信フィルタ
　３２、３４　　受信フィルタ
　４０、４１、４２　　スイッチ
　４０ａ、４１ａ、４２ａ　　共通端子
　４０ｂ、４０ｃ、４１ｂ、４１ｃ、４２ｂ、４２ｃ　　選択端子
　５０、５１、５２、５３、５４　　整合回路
　６０　　半導体ＩＣ
　６１ｇ、９４ｇ　　グランド電極
　７０、７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃ　　金属シールド板
　７１、７１Ｂ　　シールド部
　７２　　穴
　７３、７４　　接合部
　８１　　ボンディングワイヤ
　９１　　モジュール基板
　９１ａ、９１ｂ　　主面
　９２　　樹脂部材
　９５　　金属シールド層
　９６　　ビア導体
　９６ａ、９６ｂ、９６ｃ　　柱状導体
　９６Ｐ　　導体パターン
　１００　　アンテナ接続端子
　１１０　　送信入力端子
　１２０　　受信出力端子
　１３０　　制御信号端子
　１５０　　外部接続端子
　１５０ｇ　　グランド端子
　Ａ１、Ａ３　　形成領域
　ＡＲ、ＢＲ　　受信経路
　ＡＴ、ＢＴ　　送信経路
　ＣＴＲ　　送受信経路
　Ｐ、Ｑ　　領域

Claims (10)

  1. 　主面を有するモジュール基板と、
    　前記主面に配置された第１回路部品および第２回路部品と、
    　前記主面上に配置され、グランド電位に設定された金属板と、を備え、
    　前記金属板は、
    　前記主面の垂直方向に延びる本体部と、
    　前記主面と平行かつ前記主面と離間して前記本体部から延びる第１接合部と、を有し、
    　前記第１回路部品および前記第２回路部品の少なくとも一方の天面と前記第１接合部とは、ボンディングワイヤで接続されており、
    　前記モジュール基板を平面視した場合、前記金属板は、前記第１回路部品と前記第２回路部品との間に配置されている、
    　高周波モジュール。
  2. 　さらに、
    　前記主面、前記第１回路部品および前記第２回路部品の少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
    　前記樹脂部材の表面を覆い、グランド電位に設定された金属層と、を備える、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記金属板と前記金属層とは接しており、
    　前記金属板は、前記金属層よりも厚い、
    　請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記金属板と前記主面との間には、前記本体部の法線方向に貫通する穴が形成されている、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記金属板は、さらに、
    　前記主面と平行かつ前記主面と接して前記本体部から延びる第２接合部を有し、
    　前記第２接合部は、前記モジュール基板のグランド電極と接合されている、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　さらに、
    　前記モジュール基板の内部に形成され、前記主面と交差する方向に延伸し、グランド電位に設定されたビア導体を備え、
    　前記金属板は、前記主面にて前記ビア導体と接続されており、
    　前記ビア導体の外径は、前記金属板の厚さ以上である、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第１回路部品および前記第２回路部品の少なくとも前記一方は、表面実装型の電子部品または半導体ＩＣである、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 　さらに、
    　電力増幅器と、
    　低雑音増幅器と、を備え、
    　前記第１回路部品は、前記電力増幅器の出力端子に接続された第１インダクタであり、
    　前記第２回路部品は、前記低雑音増幅器の入力端子に接続された第２インダクタである、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第１回路部品は、電力増幅器であり、
    　前記第２回路部品は、低雑音増幅器であり、
    　前記低雑音増幅器は、第１半導体ＩＣに含まれており、
    　前記第１半導体ＩＣの天面と前記第１接合部とは、ボンディングワイヤで接続されている、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝搬する請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999021228A1 (fr) * 1997-10-20 1999-04-29 Hitachi, Ltd. Module a semiconducteur et convertisseur de puissance comprenant ce module
JP2005050974A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Toshiba Corp 半導体パッケージおよび光通信モジュール並びに半導体装置
JP2015111803A (ja) * 2013-10-30 2015-06-18 太陽誘電株式会社 通信モジュール
JP2018067644A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 株式会社 日立パワーデバイス パワー半導体モジュール

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999021228A1 (fr) * 1997-10-20 1999-04-29 Hitachi, Ltd. Module a semiconducteur et convertisseur de puissance comprenant ce module
JP2005050974A (ja) * 2003-07-31 2005-02-24 Toshiba Corp 半導体パッケージおよび光通信モジュール並びに半導体装置
JP2015111803A (ja) * 2013-10-30 2015-06-18 太陽誘電株式会社 通信モジュール
JP2018067644A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 株式会社 日立パワーデバイス パワー半導体モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210306018A1 (en) * 2020-03-31 2021-09-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency module and communication device
US11528044B2 (en) * 2020-03-31 2022-12-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency module and communication device

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