CN116018676A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

高频模块(1A)具备具有主面(91a)的模块基板(91)、配置于主面(91a)的第1电路部件以及第2电路部件、和配置在主面(91a)上且被设定为接地电位的金属屏蔽板(70)，金属屏蔽板(70)具有在主面(91a)的垂直方向上延长的屏蔽部(71)、和与主面(91a)平行且与主面(91a)分离地从屏蔽部(71)延长的接合部(74)，第1电路部件以及第2电路部件的至少一者的顶面和接合部(74)通过接合引线(81)连接，在俯视模块基板(91)的情况下，金属屏蔽板(70)配置在第1电路部件与第2电路部件之间。

Description

高频模块以及通信装置
技术领域
本发明涉及高频模块以及通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动体通信设备中，特别是，伴随多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构复杂化。
在专利文献1公开了一种收发机(收发电路)的电路结构，其具备多个发送机(发送路径)以及多个接收机(接收路径)、和配置在该多个发送机以及多个接收机与天线之间的开关式共用器(switchplexer)(天线开关)。上述多个发送机分别具有发送电路、PA(发送功率放大器)、以及输出电路，上述多个接收机分别具有接收电路、LNA(接收低噪声放大器)、以及输入电路。输出电路包含发送滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等，输入电路包含接收滤波器、阻抗匹配电路、以及双工器等。根据上述结构，通过开关式共用器的切换动作，能够执行同时发送、同时接收、或者同时收发。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特表2014-522216号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
然而，在由搭载于移动体通信设备的高频模块构成专利文献1公开的收发机(收发电路)的情况下，可设想分别配置在发送路径、接收路径、以及包含天线开关的收发路径中的电路部件的至少2个电磁场耦合。在该情况下，由PA(发送功率放大器)放大后的高输出的发送信号的谐波分量重叠于发送信号，有时发送信号的品质下降。此外，收发间的隔离度由于上述电磁场耦合而下降，有时上述谐波、或者发送信号和其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。此外，2个接收信号由于上述电磁场耦合而相互干扰，有时接收灵敏度劣化。进而，若将多个上述电路部件配置在模块基板的表面，则存在各电路部件的电极的布局面积变大、无法将模块基板小型化之类的问题。
本发明为了解决上述技术问题而作，目的在于，提供一种发送信号或者接收信号的品质劣化得到了抑制的小型的高频模块以及通信装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式涉及的高频模块具备具有主面的模块基板、配置于主面的第1电路部件以及第2电路部件、和配置在主面上且被设定为接地电位的金属板，金属板具有在主面的垂直方向上延长的主体部、和与主面平行且与主面分离地从主体部延长的第1接合部，第1电路部件以及第2电路部件的至少一者的顶面和第1接合部通过接合引线连接，在俯视模块基板的情况下，金属板配置在第1电路部件与第2电路部件之间。
发明效果
根据本发明，能够提供一种发送信号或者接收信号的品质劣化得到了抑制的小型的高频模块以及通信装置。
附图说明
图1是实施方式涉及的高频模块以及通信装置的电路结构图。
图2是实施例涉及的高频模块的俯视图以及剖视图。
图3A是示出金属屏蔽板的第1例的外观立体图。
图3B是示出金属屏蔽板的第2例的外观立体图。
图3C是示出金属屏蔽板的第3例的外观立体图。
图4是示出过孔导体的变形例的剖视图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，以下说明的实施方式示出总括性或者具体的例子。此外，以下的实施方式、实施例以及变形例中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等为一个例子，其主旨并不是限定本发明。此外，关于以下的实施例以及变形例中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或者大小之比未必严谨。在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或者简化重复的说明。
此外，以下，平行以及垂直等表示要素间的关系性的术语、和矩形形状等表示要素的形状的术语、以及数值范围并非仅表示严格的意思，而意味着实质上等同的范围、例如还包含几％程度的差异。
在以下的各图中，x轴以及y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。此外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
此外，在本公开的电路结构中，所谓“连接”，不仅包含通过连接端子以及/或者布线导体而直接连接的情况，还包含经由其他电路部件而电连接的情况。此外，所谓“连接在A与B之间”，意味着在A与B之间与A以及B双方连接。
此外，在本公开的模块结构中，所谓“俯视”，意味着从z轴正侧向xy平面对物体进行正投影来观察。所谓“部件配置于基板的主面”，除了部件以与基板的主面接触的状态配置在主面上之外，还包含部件不与主面接触地配置在主面的上方、以及部件的一部分从主面侧嵌入基板内而配置。所谓“A配置在B与C之间”，意味着将B内的任意的点和C内的任意的点连结的多个线段之中的至少1个通过A。此外，“平行”以及“垂直”等表示要素间的关系性的术语、以及“矩形”等表示要素的形状的术语并非仅表示严格的意思，而意味着实质上等同的范围、例如还包含几％程度的误差。
此外，以下，所谓“发送路径”，意味着由传输高频发送信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。此外，所谓“接收路径”，意味着由传输高频接收信号的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。此外，所谓“收发路径”，意味着由传输高频发送信号以及高频接收信号双方的布线、与该布线直接连接的电极、以及与该布线或者该电极直接连接的端子等构成的传输线路。
(实施方式)
[1.高频模块1以及通信装置5的电路结构]
图1是实施方式涉及的高频模块1以及通信装置5的电路结构图。如该图所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RF信号处理电路(RFIC)3、和基带信号处理电路(BBIC)4。
RFIC3是对由天线2收发的高频信号进行处理的RF信号处理电路。具体地，RFIC3通过下变频等对经由高频模块1的接收信号路径而输入的高频接收信号进行信号处理，并将该进行信号处理而生成的接收信号向BBIC4输出。此外，RFIC3通过上变频等对从BBIC4输入的发送信号进行信号处理，并将该进行信号处理而生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。
BBIC4是利用比在高频模块1传播的高频信号低频的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC4处理的信号，例如，作为用于图像显示的图像信号被使用，或者，为了经由扬声器的通话而作为声音信号被使用。
此外，RFIC3还具有作为基于被使用的通信频段(频带)对高频模块1所具有的开关40、41以及42的连接进行控制的控制部的功能。具体地，RFIC3根据控制信号(未图示)对高频模块1所具有的开关40～42的连接进行切换。具体地，RFIC3将用于控制开关40～42的数字控制信号输出到PA控制电路15。高频模块1的PA控制电路15根据从RFIC3被输入的数字控制信号，向开关40～42输出数字控制信号，由此对开关40～42的连接以及非连接进行控制。
此外，RFIC3还具有作为对高频模块1所具有的功率放大器10的增益、向功率放大器10供给的电源电压Vcc以及偏置电压Vbias进行控制的控制部的功能。具体地，RFIC3将数字控制信号输出到高频模块1的控制信号端子130。PA控制电路15根据经由控制信号端子130而被输入的数字控制信号，向功率放大器10输出控制信号、电源电压Vcc或者偏置电压Vbias，由此对功率放大器10的增益进行调整。另外，控制部也可以设置在RFIC3的外部，例如，也可以设置于BBIC4。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，此外，接收来自外部的高频信号并向高频模块1输出。
另外，在本实施方式涉及的通信装置5中，天线2以及BBIC4并非必须的构成要素。
接着，对高频模块1的详细的结构进行说明。
如图1所示，高频模块1具备功率放大器10、低噪声放大器20、PA控制电路15、发送滤波器31以及33、接收滤波器32以及34、匹配电路50、51、52、53、以及54、开关40、41以及42、天线连接端子100、发送输入端子110、接收输出端子120、和控制信号端子130。
天线连接端子100与天线2连接。发送输入端子110是用于从高频模块1的外部(RFIC3)接受发送信号的端子。接收输出端子120是用于向高频模块1的外部(RFIC3)供给接收信号的端子。
功率放大器10是对通信频段A以及通信频段B的发送信号进行放大的发送放大器。功率放大器10的输入端子与发送输入端子110连接，功率放大器10的输出端子经由开关41而与匹配电路51以及53连接。
低噪声放大器20是以低噪声对通信频段A以及通信频段B的接收信号进行放大的接收放大器。低噪声放大器20的输入端子经由开关42而与匹配电路52以及54连接，低噪声放大器20的输出端子与接收输出端子120连接。
PA控制电路15根据经由控制信号端子130而被输入的数字控制信号MIPI等对功率放大器10的增益进行调整。另外，PA控制电路15也可以由半导体IC(Integrated Circuit，集成电路)形成。半导体IC例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)构成。具体地，通过SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上硅)工艺而形成。由此，能够廉价地制造半导体IC。另外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN的至少任一者构成。由此，能够输出具有高品质的放大性能以及噪声性能的高频信号。
发送滤波器31配置于将功率放大器10和开关40连结的发送路径AT，使由功率放大器10放大后的发送信号之中通信频段A的发送频带的发送信号通过。此外，发送滤波器33配置于将功率放大器10和开关40连结的发送路径BT，使由功率放大器10放大后的发送信号之中通信频段B的发送频带的发送信号通过。
接收滤波器32配置于将低噪声放大器20和开关40连结的接收路径AR，使从天线连接端子100输入的接收信号之中通信频段A的接收频带的接收信号通过。此外，接收滤波器34配置于将低噪声放大器20和开关40连结的接收路径BR，使从天线连接端子100输入的接收信号之中通信频段B的接收频带的接收信号通过。
另外，上述的发送滤波器31以及33、和接收滤波器32以及34例如可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器的任意者，进而，并不限定于这些。
发送滤波器31以及接收滤波器32构成将通信频段A作为通带的双工器30。此外，发送滤波器33以及接收滤波器34构成将通信频段B作为通带的双工器35。
另外，双工器30以及35分别也可以是以时分双工(TDD：Time Division Duplex)方式来进行传输的1个滤波器。在该情况下，在上述1个滤波器的前级以及后级的至少一者配置对发送以及接收进行切换的开关。
匹配电路50配置于将天线连接端子100和开关40连结的收发路径CTR，取得天线2与开关40、双工器30以及35的阻抗匹配。匹配电路50具有至少1个电感器。另外，匹配电路50既可以串联配置于收发路径CTR，也可以连接在收发路径CTR与接地之间。
匹配电路51配置于将功率放大器10和发送滤波器31连结的发送路径AT，取得功率放大器10与发送滤波器31的阻抗匹配。匹配电路51具有至少1个电感器。另外，匹配电路51既可以串联配置于发送路径AT，也可以连接在发送路径AT与接地之间。
匹配电路53配置于将功率放大器10和发送滤波器33连结的发送路径BT，取得功率放大器10与发送滤波器33的阻抗匹配。匹配电路53具有至少1个电感器。另外，匹配电路53既可以串联配置于发送路径BT，也可以连接在发送路径BT与接地之间。
匹配电路52配置于将低噪声放大器20和接收滤波器32连结的接收路径AR，取得低噪声放大器20与接收滤波器32的阻抗匹配。匹配电路52具有至少1个电感器。另外，匹配电路52既可以串联配置于接收路径AR，也可以连接在接收路径AR与接地之间。
匹配电路54配置于将低噪声放大器20和接收滤波器34连结的接收路径BR，取得低噪声放大器20与接收滤波器34的阻抗匹配。匹配电路54具有至少1个电感器。另外，匹配电路54既可以串联配置于接收路径BR，也可以连接在接收路径BR与接地之间。
另外，也可以取代匹配电路51以及53，或者除了匹配电路51以及53之外，在功率放大器10与开关41之间的发送路径配置有匹配电路。
开关40具有公共端子40a、选择端子40b以及40c，公共端子40a经由匹配电路50而与天线连接端子100连接，选择端子40b与双工器30连接，选择端子40c与双工器35连接。即，开关40是配置在天线连接端子100与双工器30以及35之间的天线开关，对(1)天线连接端子100和双工器30的连接以及非连接进行切换，对(2)天线连接端子100和双工器35的连接以及非连接进行切换。另外，开关40由能够同时进行上述(1)以及上述(2)的连接的多连接型的开关电路构成。
另外，也可以取代匹配电路52以及54，或者除了匹配电路52以及54之外，在低噪声放大器20与开关42之间的接收路径配置有匹配电路。
此外，也可以取代匹配电路50，或者除了匹配电路50之外，在将开关40和双工器30连结的收发路径以及将开关40和双工器35连结的收发路径配置有匹配电路。
开关41具有公共端子41a、选择端子41b以及41c，配置于将功率放大器10和发送滤波器31以及33连结的发送路径，对功率放大器10和发送滤波器31的连接、以及功率放大器10和发送滤波器33的连接进行切换。开关41例如由公共端子41a与功率放大器10的输出端子连接、且选择端子41b经由匹配电路51而与发送滤波器31连接、且选择端子41c经由匹配电路53而与发送滤波器33连接的、SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关电路构成。
开关42具有公共端子42a、选择端子42b以及42c，配置于将低噪声放大器20和接收滤波器32以及34连结的接收路径，对低噪声放大器20和接收滤波器32的连接、以及低噪声放大器20和接收滤波器34的连接进行切换。开关42例如由公共端子42a与低噪声放大器20的输入端子连接、且选择端子42b经由匹配电路52而与接收滤波器32连接、且选择端子42c经由匹配电路54而与接收滤波器34连接的、SPDT型的开关电路构成。
另外，发送路径AT是传输通信频段A的发送信号且将发送输入端子110和开关40的公共端子40a连结的信号路径。此外，发送路径BT是传输通信频段B的发送信号且将发送输入端子110和开关40的公共端子40a连结的信号路径。此外，接收路径AR是传输通信频段A的接收信号且将接收输出端子120和开关40的公共端子40a连结的信号路径。此外，接收路径BR是传输通信频段B的接收信号且将接收输出端子120和开关40的公共端子40a连结的信号路径。此外，收发路径CTR是传输通信频段A的发送信号以及接收信号和通信频段B的发送信号以及接收信号且将天线连接端子100和开关40的公共端子40a连结的信号路径。
在具有上述电路结构的高频模块1中，功率放大器10、开关41、匹配电路51、以及发送滤波器31构成朝向天线连接端子100输出通信频段A的发送信号的第1发送电路。此外，功率放大器10、开关41、匹配电路53、以及发送滤波器33构成朝向天线连接端子100输出通信频段B的发送信号的第2发送电路。
此外，低噪声放大器20、开关42、匹配电路52、以及接收滤波器32构成从天线2经由天线连接端子100而输入通信频段A的接收信号的第1接收电路。此外，低噪声放大器20、开关42、匹配电路54、以及接收滤波器34构成从天线2经由天线连接端子100而输入通信频段B的接收信号的第2接收电路。
根据上述电路结构，本实施方式涉及的高频模块1能够执行(1)通信频段A的高频信号的收发、(2)通信频段B的高频信号的收发、以及(3)通信频段A的高频信号和通信频段B的高频信号的同时发送、同时接收、或者同时收发的至少任一者。
另外，在本发明涉及的高频模块中，发送电路以及接收电路也可以不经由开关40而与天线连接端子100连接，上述发送电路以及上述接收电路还可以经由不同的端子而与天线2连接。此外，作为本发明涉及的高频模块的电路结构，只要具有发送路径、接收路径、以及收发路径之中的至少2个路径、和配置于该2个路径的各匹配电路即可。此外，只要具有第1发送电路以及第2发送电路之中的任一者即可。此外，只要具有第1接收电路以及第2接收电路之中的任一者即可。
在此，在具有上述电路结构的高频模块1中，若分别配置在发送路径、接收路径、以及收发路径中的电路部件的至少2个电磁场耦合，则由功率放大器放大后的高输出的发送信号的谐波分量重叠于发送信号，有时发送信号的品质下降。此外，收发间的隔离度由于上述电磁场耦合而下降，有时上述谐波、或者发送信号和其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。此外，2个接收信号由于上述电磁场耦合而相互干扰，有时接收灵敏度劣化。进而，若将多个上述电路部件配置在模块基板的表面，则存在各电路部件的电极的布局面积变大、无法将模块基板小型化之类的问题。
与之相对，本实施方式涉及的高频模块1在抑制上述电磁场耦合的同时具有小型的结构。以下，对本实施方式涉及的高频模块1的抑制上述电磁场耦合的小型的结构进行说明。
[2.实施例涉及的高频模块1A的电路部件配置结构]
图2是实施例涉及的高频模块1A的俯视图以及剖视图。在图2的(a)中示出了从z轴正方向侧观察模块基板91的主面91a的情况下的电路部件的配置图。此外，在图2的(b)中示出了图2的(a)的II-II线处的剖视图。高频模块1A具体地示出了构成实施方式涉及的高频模块1的各电路部件的配置结构。
如图2所示，本实施例涉及的高频模块1A除了具有图1所示的电路结构之外，还具有模块基板91、金属屏蔽板70、金属屏蔽层95、过孔导体96、树脂构件92、和外部连接端子150。
模块基板91是在主面91a上安装第1以及第2发送电路和第1以及第2接收电路的基板。作为模块基板91，例如，可使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LowTemperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有重布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷基板等。另外，在模块基板91上，也可以形成有天线连接端子100、发送输入端子110、接收输出端子120以及控制信号端子130。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖构成第1以及第2发送电路和第1以及第2接收电路的电路部件的至少一部分、和模块基板91的主面91a，具有确保上述电路部件的机械强度以及耐湿性等可靠性的功能。
外部连接端子150配置于模块基板91的主面91b。高频模块1A经由多个外部连接端子150而与配置在高频模块1A的z轴负方向侧的外部基板进行电信号的交换。此外，多个外部连接端子150之中的接地端子150g被设定为外部基板的接地电位。另外，外部连接端子150既可以如图2所示是形成于主面91b的平面电极，此外，也可以是形成在主面91b上的凸块电极。
金属屏蔽层95是金属层的一个例子，覆盖树脂构件92的表面，被设定为接地电位。金属屏蔽层95例如是通过溅射法形成的金属薄膜。
另外，在高频模块1A中，也可以没有树脂构件92以及金属屏蔽层95。
过孔导体96形成于模块基板91的内部，在与主面91a交叉的方向上延伸。过孔导体96被设定为高频模块1A的接地电位。在本实施例中，过孔导体96在与主面91a正交的方向上延伸，贯通了模块基板91。
金属屏蔽板70是金属板的一个例子，是配置于主面91a且从主面91a朝向树脂构件92的z轴正方向侧的顶面延长的金属壁体，被设定为接地电位。
图3A是示出金属屏蔽板70的第1例的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板70A是实施例涉及的金属屏蔽板70的一个例子。如该图所示，金属屏蔽板70A具有屏蔽部71、和接合部73以及74。屏蔽部71是金属屏蔽板70A的主体部的一个例子，在主面91a的垂直方向(z轴方向)上延长。接合部74是第1接合部的一个例子，与主面91a平行且与主面91a分离地从屏蔽部71延长。接合部73是第2接合部的一个例子，与主面91a平行且与主面91a相接地从屏蔽部71延长。进而，在金属屏蔽板70A与主面91a之间，形成有在屏蔽部71的法线方向(x轴方向)上贯通的孔72。屏蔽部71的上端不与金属屏蔽层95相接。
接合部74在其表面接合有接合引线，不与金属屏蔽层95相接。由此，通过利用接合引线对配置在主面91a上的电路部件和接合部74进行连接，从而能够使得用于将该电路部件设定为接地电位的接地电极为接合部74，因此无需将该接地电极设置于主面91a。因而，能够减小主面91a上的接地电极的布局面积，因此能够将模块基板91小型化。
通过接合部73接合金属屏蔽板70A和主面91a，因此金属屏蔽板70A的配置精度、以及金属屏蔽板70A和主面91a的接合强度提高。此外，通过形成有孔72，从而在将树脂构件92形成于主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板70A的附近处的液状树脂的良好的流动性。因而，在金属屏蔽板70A的附近能够抑制未形成树脂构件92的空隙等的产生。
另外，金属屏蔽板70A必须具备屏蔽部71以及接合部74，但也可以不具备接合部73。此外，在金属屏蔽板70A中，也可以不形成孔72。
图3B是示出金属屏蔽板70的第2例的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板70B是实施例涉及的金属屏蔽板70的一个例子。如该图所示，金属屏蔽板70B具有屏蔽部71B、和接合部73以及74。屏蔽部71B是金属屏蔽板70B的主体部的一个例子，在主面91a的垂直方向(z轴方向)上延长。接合部74是第1接合部的一个例子，与主面91a平行且与主面91a分离地从屏蔽部71B延长。接合部73是第2接合部的一个例子，与主面91a平行且与主面91a相接地从屏蔽部71B延长。屏蔽部71B的上端与金属屏蔽层95相接。进而，在金属屏蔽板70B与金属屏蔽层95之间，形成有在屏蔽部71B的法线方向(x轴方向)上贯通的孔72。
接合部74在其表面接合有接合引线，不与金属屏蔽层95相接。由此，通过利用接合引线对配置在主面91a上的电路部件和接合部74进行连接，从而能够使得用于将该电路部件设定为接地电位的接地电极为接合部74，因此无需将该接地电极设置于主面91a。因而，能够减小主面91a上的接地电极的布局面积，因此能够将模块基板91小型化。
通过接合部73接合金属屏蔽板70B和主面91a，因此金属屏蔽板70B的配置精度、以及金属屏蔽板70B和主面91a的接合强度提高。此外，通过形成有孔72，从而在将树脂构件92形成于主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板70B的附近处的液状树脂的良好的流动性。因而，在金属屏蔽板70B的附近能够抑制未形成树脂构件92的空隙等的产生。
另外，金属屏蔽板70B必须具备屏蔽部71B以及接合部74，但也可以不具备接合部73。此外，在金属屏蔽板70B中，也可以不形成孔72。
图3C是示出金属屏蔽板70的第3例的外观立体图。该图所示的金属屏蔽板70C是实施例涉及的金属屏蔽板70的一个例子。如该图所示，金属屏蔽板70C具有屏蔽部71、和接合部73以及74。屏蔽部71是金属屏蔽板70C的主体部的一个例子，在主面91a的垂直方向(z轴方向)上延长。在金属屏蔽板70C中，多个屏蔽部71隔着孔72而离散地配置，此外，多个接合部73隔着孔72而离散地配置。接合部74是第1接合部的一个例子，与主面91a平行且与主面91a分离地从屏蔽部71延长。接合部73是第2接合部的一个例子，与主面91a平行且与主面91a相接地从屏蔽部71延长。在主面91a与金属屏蔽层95之间，形成有在屏蔽部71的法线方向(x轴方向)上贯通的孔72。
接合部74在其表面接合有接合引线，不与金属屏蔽层95相接。由此，通过利用接合引线对配置在主面91a上的电路部件和接合部74进行连接，从而能够使得用于将该电路部件设定为接地电位的接地电极为接合部74，因此无需将该接地电极设置于主面91a。因而，能够减小主面91a上的接地电极的布局面积，因此能够将模块基板91小型化。
通过接合部73接合金属屏蔽板70C和主面91a，因此金属屏蔽板70C的配置精度、以及金属屏蔽板70C和主面91a的接合强度提高。此外，通过形成有孔72，从而在将树脂构件92形成于主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板70C的附近处的液状树脂的良好的流动性。因而，在金属屏蔽板70C的附近能够抑制未形成树脂构件92的空隙等的产生。
另外，金属屏蔽板70C必须具备屏蔽部71以及接合部74，但也可以不具备接合部73。此外，在金属屏蔽板70C中，也可以不形成孔72。
另外，本实施例涉及的金属屏蔽板70的构造例并不限于上述的金属屏蔽板70A～70C。例如，也可以从主面91a朝向金属屏蔽层95配置有多个孔72。此外，接合部73延长的方向并不限于如图3A～图3C所示的x轴正方向，也可以是x轴负方向，进而，金属屏蔽板70也可以具有在x轴正方向上延长的接合部73以及在x轴负方向上延长的接合部73双方。
此外，如图2的(b)所示，金属屏蔽板70在主面91a与过孔导体96连接。另外，金属屏蔽板70和过孔导体96可以直接相接，此外，如图2的(b)所示，也可以经由形成在主面91a上的接地电极94g而连接。此外，虽然在图2中未图示，但金属屏蔽板70也可以在其上端与金属屏蔽层95相接。
根据金属屏蔽板70的上述结构，金属屏蔽板70至少在其下端与接地连接，因此可强化电磁场遮蔽功能。
此外，如图2的(a)所示，金属屏蔽板70将主面91a划分为区域P和区域Q。如图2的(a)所示，功率放大器10、匹配电路51、53、以及开关41是第1电路部件的一个例子，配置在主面91a的区域P。此外，低噪声放大器20、双工器30以及35、匹配电路50、52以及54、和开关40以及42是第2电路部件的一个例子，配置在主面91a的区域Q。另外，匹配电路51配置于将发送输入端子110和开关40的公共端子40a连结的发送路径AT，包含第1电感器。此外，匹配电路52配置于将接收输出端子120和开关40的公共端子40a连结的接收路径AR，包含第2电感器。
此外，低噪声放大器20以及开关42包含于1个半导体IC60。由此，能够减小主面91a的部件安装面积。因而，能够将高频模块1A小型化。进而，半导体IC60也可以包含开关40以及41的至少1个。
即，金属屏蔽板70配置在主面91a上，且在俯视模块基板91的情况下配置于第1电路部件与第2电路部件之间。
在本实施例中，第1电路部件是配置于发送路径AT或者BT的电路部件，第2电路部件是配置于接收路径AR、BR、或者收发路径CTR的电路部件。
另外，也可以是，配置于区域P的第1电路部件是配置于接收路径AR或者BR的电路部件，配置于区域Q的第2电路部件是配置于发送路径AT、BT、或者收发路径CTR的电路部件。
此外，也可以是，配置于区域P的第1电路部件是配置于收发路径CTR的电路部件，配置于区域Q的第2电路部件是配置于发送路径AT、BT、接收路径AR、或者BR的电路部件。
此外，如图2所示，配置于半导体IC60的顶面的接地电极61g和金属屏蔽板70的接合部74通过接合引线81连接。
另外，所谓半导体IC60的顶面，是半导体IC60所具有的相互对置的主面之中的、远离主面91a的一方(z轴正方向侧)的主面。
根据上述结构，通过金属屏蔽板70的配置，能够抑制第1电路部件和第2电路部件电磁场耦合。因而，能够抑制第1电路部件与第2电路部件之间的较强的信号干扰，因此能够抑制发送信号或者接收信号的品质劣化。
此外，半导体IC60经由接合引线81而与接合部74连接，由此也可以不将半导体IC60的接地电极配置于主面91a。因此，能够减小设置于主面91a的电极的布局面积，所以能够将模块基板91小型化。因而，能够提供发送信号或者接收信号的品质劣化得到了抑制的小型的高频模块1A。
另外，金属屏蔽板70优选比金属屏蔽层95厚。由此，与遮蔽外来噪声的能力相比较，能够提高抑制使由高频模块1A的电路部件产生的高频噪声流入高频模块1A的其他电路部件的能力。
此外，过孔导体96的外径优选为金属屏蔽板70的厚度以上。若假设过孔导体96的外径比金属屏蔽板70的厚度小，则无法将金属屏蔽板70的电位强有力地设定为高频模块1A的接地电位。与之相对，根据本结构，能够强化金属屏蔽板70的接地。因而，能够抑制隔着金属屏蔽板70而配置的2个电路部件间的较强的信号干扰，因此能够提高发送路径、接收路径、以及收发路径之间的隔离度，能够高精度地抑制发送信号或者接收信号的品质劣化。
另外，经由接合引线81而与接合部74连接的部件并不限定于半导体IC60。在上述的第1电路部件以及所述第2电路部件的至少一者的顶面上配置的接地电极和接合部74也可以通过接合引线81连接。此外，第1电路部件以及第2电路部件之中与接合部74连接的电路部件优选为表面安装型的电子部件。
另外，所谓第1电路部件的顶面，是第1电路部件所具有的相互对置的主面之中的、远离主面91a的一方(z轴正方向侧)的主面。此外，所谓第2电路部件的顶面，是第2电路部件所具有的相互对置的主面之中的、远离主面91a的一方(z轴正方向侧)的主面。
此外，在本实施例中，特别地，也可以是，第1电路部件为第1电感器，第2电路部件为第2电感器。
由此，能够抑制第1电感器和第2电感器电磁场耦合，因此能够抑制由功率放大器放大后的高输出的发送信号、其谐波、或者发送信号和其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。
此外，在本实施例中，特别地，也可以是，第1电路部件为功率放大器10，第2电路部件为低噪声放大器20。
由此，能够抑制功率放大器10和低噪声放大器20电磁场耦合，因此能够抑制由功率放大器放大后的高输出的发送信号、其谐波、或者发送信号和其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。
[3.变形例涉及的过孔导体的构造]
另外，过孔导体96的构造并不限定于如图2所示的、从主面91a一直贯通到主面91b的构造。
图4是示出过孔导体96的变形例的剖视图。如该图所示，过孔导体96具有如下结构，即，在主面91a以及91b的法线方向上延伸的多个柱状导体96a、96b以及96c使重心轴在上述法线方向上偏离地级联连接。进而，在模块基板91中配置于最靠z轴正方向的柱状导体96a的形成区域A1、和在模块基板91中配置于最靠z轴负方向的柱状导体96c的形成区域A3在俯视模块基板91的情况下也可以不重叠。即，变形例涉及的过孔导体96在俯视模块基板91的情况下也可以不具有柱状导体96a～96c共同地重叠的区域。另外，柱状导体96a和柱状导体96b经由模块基板91内的在y轴方向上延伸的导体图案96P而连接，柱状导体96b和柱状导体96c经由模块基板91内的在y轴方向上延伸的导体图案96P而连接。
[4.效果等]
以上，本实施例涉及的高频模块1A具备具有主面91a的模块基板91、配置于主面91a的第1电路部件以及第2电路部件、和配置在主面91a上且被设定为接地电位的金属屏蔽板70，金属屏蔽板70具有在主面91a的垂直方向上延长的屏蔽部71、和与主面91a平行且与主面91a分离地从屏蔽部71延长的接合部74，第1电路部件以及第2电路部件的至少一者的顶面和接合部74通过接合引线81连接，在俯视模块基板91的情况下，金属屏蔽板70配置在第1电路部件与第2电路部件之间。
由此，能够抑制第1电路部件和第2电路部件电磁场耦合。因而，能够抑制第1电路部件与第2电路部件之间的较强的信号干扰，因此能够抑制发送信号或者接收信号的品质劣化。此外，第1电路部件以及第2电路部件的至少一者经由接合引线81而与接合部74连接，由此也可以不将该一者的接地电极配置于主面91a。因此，能够减小设置于主面91a的电极的布局面积，所以能够将模块基板91小型化。因而，能够提供一种发送信号或者接收信号的品质劣化得到了抑制的小型的高频模块1A。
此外，高频模块1A也可以还具备：树脂构件92，覆盖主面91a、第1电路部件以及第2电路部件的至少一部分；和金属屏蔽层95，覆盖树脂构件92的表面，被设定为接地电位。
由此，能够使第1电路部件以及第2电路部件的机械强度以及耐湿性等可靠性提高，并且能够抑制外来噪声向高频模块1A的流入。
此外，在高频模块1A中，也可以是，金属屏蔽板70和金属屏蔽层95相接，金属屏蔽板70比金属屏蔽层95厚。
由此，与遮蔽外来噪声的能力相比较，能够提高抑制使由高频模块1A的电路部件产生的高频噪声流入高频模块1A的其他电路部件的能力。
此外，也可以在金属屏蔽板70与主面91a之间，形成有在屏蔽部71的法线方向上贯通的孔72。
此外，在高频模块1A中，也可以在金属屏蔽板70与主面91a之间，形成有在屏蔽部71的法线方向上贯通的孔。
由此，在将树脂构件92形成于主面91a上的工序中，能够确保金属屏蔽板70的附近处的液状树脂的良好的流动性。因而，在金属屏蔽板70的附近能够抑制未形成树脂构件92的空隙等的产生。
此外，在高频模块1A中，也可以是，金属屏蔽板70还具有与主面91a平行且与主面91a相接地从屏蔽部71延长的接合部73，接合部73与模块基板91的接地电极94g接合。
由此，金属屏蔽板70和主面91a通过接合部73接合，因此金属屏蔽板70的配置精度、以及金属屏蔽板70和主面91a的接合强度提高。
此外，也可以是，高频模块1A还具备形成于模块基板91的内部、在与主面91a交叉的方向上延伸且被设定为接地电位的过孔导体96，金属屏蔽板70在主面91a与过孔导体96连接，过孔导体96的外径为金属屏蔽板70的厚度以上。
由此，能够强化金属屏蔽板70的接地。因而，能够抑制隔着金属屏蔽板70而配置的2个电路部件间的较强的信号干扰，因此能够提高发送路径、接收路径、以及收发路径之间的隔离度，能够高精度地抑制发送信号或者接收信号的品质劣化。
此外，在高频模块1A中，第1电路部件以及第2电路部件的至少一者也可以为表面安装型的电子部件或者半导体IC。
由此，表面安装型的电子部件以及半导体IC能够在其顶面形成接地电极。因而，能够经由接合引线81与接合部74连接而不在主面91a配置接地电极。
此外，也可以是，高频模块1A还具备功率放大器10和低噪声放大器20，第1电路部件是与功率放大器10的输出端子连接的第1电感器，第2电路部件是与低噪声放大器20的输入端子连接的第2电感器。
由此，能够抑制第1电感器和第2电感器电磁场耦合，因此能够抑制由功率放大器放大后的高输出的发送信号、其谐波、或者发送信号和其他高频信号的互调失真等的无用波流入接收路径从而接收灵敏度劣化。
此外，在高频模块1A中，也可以是，第1电路部件为功率放大器10，第2电路部件为低噪声放大器20，低噪声放大器20包含于半导体IC60，半导体IC60的顶面和接合部74通过接合引线81连接。
由此，通过在半导体IC60的顶面形成接地电极61g，从而能够经由接合引线81与接合部74连接而不在主面91a配置接地电极。因而，能够在强化低噪声放大器20的接地的同时将模块基板91小型化。
此外，通信装置5具备对由天线2收发的高频信号进行处理的RFIC3、和在天线2与RFIC3之间传输高频信号的高频模块1。
由此，能够提供一种发送信号或者接收信号的品质劣化得到了抑制的通信装置5。
(其他实施方式等)
以上，列举实施方式、实施例以及变形例对本发明涉及的高频模块以及通信装置进行了说明，但本发明涉及的高频模块以及通信装置并不限定于上述实施方式、实施例以及变形例。将上述实施方式、实施例以及变形例中的任意的构成要素组合而实现的其它的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式、实施例以及变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置了上述高频模块以及通信装置的各种设备也包含于本发明。
例如，在实施例涉及的高频模块1A中，构成高频模块1A的各电路部件配置于模块基板91的单个主面91a，但各电路部件也可以分开配置于模块基板91的相互对置的主面91a以及主面91b。即，构成高频模块1A的各电路部件既可以被单面安装于模块基板，此外，也可以被双面安装于模块基板。
例如，在上述实施方式、实施例以及变形例涉及的高频模块以及通信装置中，也可以在附图公开的连接各电路元件以及信号路径的路径之间，插入其它的电路元件以及布线等。
产业上的可利用性
本发明能够作为配置于应对多频段的前端部的高频模块而广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A 高频模块；
2 天线；
3 RF信号处理电路(RFIC)；
4 基带信号处理电路(BBIC)；
5 通信装置；
10 功率放大器；
15 PA控制电路；
20 低噪声放大器；
30、35 双工器；
31、33 发送滤波器；
32、34 接收滤波器；
40、41、42 开关；
40a、41a、42a 公共端子；
40b、40c、41b、41c、42b、42c 选择端子；
50、51、52、53、54 匹配电路；
60 半导体IC；
61g、94g 接地电极；
70、70A、70B、70C 金属屏蔽板；
71、71B 屏蔽部；
72 孔；
73、74 接合部；
81 接合引线；
91 模块基板；
91a、91b 主面；
92 树脂构件；
95 金属屏蔽层；
96 过孔导体；
96a、96b、96c 柱状导体；
96P 导体图案；
100 天线连接端子；
110 发送输入端子；
120 接收输出端子；
130 控制信号端子；
150 外部连接端子；
150g 接地端子；
A1、A3 形成区域；
AR、BR 接收路径；
AT、BT 发送路径；
CTR 收发路径；
P、Q 区域。

Claims (10)

1.一种高频模块，具备：
模块基板，具有主面；
第1电路部件以及第2电路部件，配置于所述主面；和
金属板，配置在所述主面上，被设定为接地电位，
所述金属板具有：
主体部，在所述主面的垂直方向上延长；和
第1接合部，与所述主面平行且与所述主面分离地从所述主体部延长，
所述第1电路部件以及所述第2电路部件的至少一者的顶面和所述第1接合部通过接合引线连接，
在俯视所述模块基板的情况下，所述金属板配置在所述第1电路部件与所述第2电路部件之间。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
还具备：
树脂构件，覆盖所述主面、所述第1电路部件以及所述第2电路部件的至少一部分；和
金属层，覆盖所述树脂构件的表面，被设定为接地电位。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
所述金属板和所述金属层相接，
所述金属板比所述金属层厚。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的高频模块，其中，
在所述金属板与所述主面之间，形成有在所述主体部的法线方向上贯通的孔。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频模块，其中，
所述金属板还具有：第2接合部，与所述主面平行且与所述主面相接地从所述主体部延长，
所述第2接合部与所述模块基板的接地电极接合。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的高频模块，其中，
还具备：过孔导体，形成于所述模块基板的内部，在与所述主面交叉的方向上延伸，被设定为接地电位，
所述金属板在所述主面与所述过孔导体连接，
所述过孔导体的外径为所述金属板的厚度以上。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1电路部件以及所述第2电路部件的至少所述一者是表面安装型的电子部件或者半导体IC。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的高频模块，其中，
还具备：
功率放大器；和
低噪声放大器，
所述第1电路部件是与所述功率放大器的输出端子连接的第1电感器，
所述第2电路部件是与所述低噪声放大器的输入端子连接的第2电感器。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的高频模块，其中，
所述第1电路部件是功率放大器，
所述第2电路部件是低噪声放大器，
所述低噪声放大器包含于第1半导体IC，
所述第1半导体IC的顶面和所述第1接合部通过接合引线连接。
10.一种通信装置，具备：
RF信号处理电路，对由天线收发的高频信号进行处理；和
权利要求1～9中任一项所述的高频模块，在所述天线与所述RF信号处理电路之间传播所述高频信号。
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