CN213585768U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

Abstract

提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：模块基板(100)；配置在模块基板(100)的第一主面(101)上的第一电路部件；以及层叠在第一电路部件上的第二电路部件，其中，第一电路部件和第二电路部件中的一方包括接收滤波器(61R)，第一电路部件和第二电路部件中的另一方包括连接于天线连接端子(90)与接收滤波器(61R)之间的开关(80)，第二电路部件经由形成于第一电路部件的通路电极(150B)或侧面布线(150)来与第一电路部件连接。

Description

高频模块和通信装置

技术领域

本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。

背景技术

在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。

在专利文献1中，通过在弹性波滤波器上层叠集成电路，来削减了高频模块的尺寸。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2019/0115309号说明书

实用新型内容

实用新型要解决的问题

然而，在上述专利文献1的高频模块中，层叠于上侧的集成电路与其它电路之间的布线长度变长，因布线损耗和布线偏差引起的失配损耗增加。

因此，本实用新型提供一种能够减少因布线损耗和布线偏差引起的失配损耗来改善电气特性的高频模块和通信装置。

用于解决问题的方案

本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：基板，其具有第一主面；第一电路部件，其配置在所述第一主面上；以及第二电路部件，其层叠在所述第一电路部件上，其中，所述第一电路部件和所述第二电路部件中的一方包括第一滤波器，所述第一电路部件和所述第二电路部件中的另一方包括连接于天线连接端子与所述第一滤波器之间的第一开关，所述第二电路部件经由形成于所述第一电路部件的通路电极或侧面布线来与所述第一电路部件连接。

优选地，所述基板在与所述第一主面相反的一侧具有第二主面，所述高频模块还具备配置在所述第二主面上的第三电路部件，所述第三电路部件包括对高频接收信号进行放大的低噪声放大器。

优选地，所述第一滤波器是接收滤波器，在俯视所述基板时，所述第一电路部件和所述第二电路部件中的所述一方的至少一部分与所述第三电路部件的至少一部分重叠。

优选地，所述高频模块还具备配置在所述第一主面上的第三电路部件，所述第三电路部件包括对高频接收信号进行放大的低噪声放大器。

优选地，所述第一电路部件和所述第二电路部件中的所述另一方还包括连接于所述第一滤波器与所述低噪声放大器之间的第二开关。

优选地，所述高频模块还具备配置在所述基板的第一主面上的第四电路部件，所述第四电路部件包括第二滤波器，所述第一开关连接于所述天线连接端子与所述第一滤波器及所述第二滤波器之间。

优选地，所述第三电路部件还包括连接于所述天线连接端子与所述第一开关之间的第三开关。

优选地，所述第一滤波器具有频率比所述第二滤波器的通带低的通带。

本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：信号处理电路，其对利用天线发送接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线与所述信号处理电路之间传输所述高频信号。

实用新型的效果

根据本实用新型，能够减少因布线损耗和布线偏差引起的失配损耗来改善电气特性。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图2A是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。

图2B是实施方式1所涉及的高频模块的仰视图。

图3是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。

图4是实施方式2所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。

图5A是实施方式2所涉及的高频模块的俯视图。

图5B是实施方式2所涉及的高频模块的仰视图。

图6是实施方式2所涉及的高频模块的截面图。

图7是变形例1所涉及的高频模块的局部截面图。

图8是变形例2所涉及的高频模块的局部截面图。

图9是变形例3所涉及的高频模块的局部截面图。

图10是变形例4所涉及的高频模块的局部截面图。

图11是变形例5所涉及的高频模块的俯视图。

图12是变形例5所涉及的高频模块的截面图。

图13是其它实施方式所涉及的高频模块的截面图。

附图标记说明

1、1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5、5A：通信装置；11：功率放大器；12：低噪声放大器；21、22：匹配电路；31、32、80、80A、81A：开关；61、62：双工器；61R、62R：接收滤波器；61T、62T：发送滤波器；90：天线连接端子；91：发送输入端子；92：接收输出端子；100：模块基板；101：第一主面；102：第二主面；110：柱电极；110F、110G：凸块电极；120、120A、120D、121D：半导体IC；130：树脂构件；140：屏蔽电极层；150：侧面布线；150B：通路电极。

具体实施方式

下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式及其变形例。此外，下面说明的实施方式及其变形例均示出总括性或具体性的例子。下面的实施方式及其变形例所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。

此外，各图是为了表示本实用新型而适当进行了强调、省略、或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。

在下面的各图中，X轴和Y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，Z轴是与模块基板的主面垂直的轴，Z轴的正方向表示向上方向，Z轴的负方向表示向下方向。

另外，本实用新型中的用语的含义如下。

·“连接”不仅包括通过连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，还包括经由其它电路元件来电连接的情况。

·“平行”和“垂直”等表示要素之间的关系性的用语、“矩形”等表示要素的形状的用语以及数值范围表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的差异，而不是仅表示严格的含义。

·“俯视”是指从Z方向将物体正投影到XY平面来进行观察。

·“在俯视基板时，A与B重叠”是指在俯视该基板的情况下被投影的A的区域与在俯视该基板的情况下被投影的B的区域重叠。

(实施方式1)

参照图1～图3来说明实施方式1。

[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]

说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。图1是实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。

[1.1.1通信装置5的电路结构]

首先，参照图1来具体说明通信装置5的电路结构。如图1所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RFIC 3以及BBIC 4。

高频模块1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1的详细电路结构在后面叙述。

天线2与高频模块1的天线连接端子90连接，辐射从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。

RFIC 3与对利用天线2发送接收的高频信号进行处理的信号处理电路对应。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收信号路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。

BBIC 4是使用频率比由高频模块1传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。

另外，RFIC 3基于所使用的通信频段来控制高频模块1所具有的开关31、32及80的连接。另外，RFIC 3将用于调整高频模块1的功率放大器11的增益等的控制信号传递到高频模块1。

此外，本实施方式所涉及的通信装置5也可以不具备天线2和BBIC 4。也就是说，天线2和BBIC 4不是本实用新型所涉及的通信装置所必需的结构要素。

[1.1.2高频模块1的电路结构]

接着，参照图1来具体说明高频模块1的电路结构。如图1所示，高频模块1具备功率放大器11、低噪声放大器12、匹配电路21、22、开关31、32及80、双工器61及62、天线连接端子90、发送输入端子91以及接收输出端子92。

功率放大器11对从发送输入端子91输入的高频发送信号进行放大。具体地说，功率放大器11对通信频段A(第一通信频段)和通信频段B(第二通信频段)的高频发送信号进行放大。

低噪声放大器12将高频接收信号放大后输出到接收输出端子92。具体地说，低噪声放大器12将通信频段A和通信频段B的高频接收信号以低噪声进行放大。

双工器61使通信频段A的高频信号通过。双工器61将通信频段A的发送信号和接收信号以频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)方式进行传输。双工器61包括发送滤波器61T和接收滤波器61R。

发送滤波器61T连接于功率放大器11与天线连接端子90之间。发送滤波器61T使被功率放大器11放大后的发送信号中的通信频段A的发送带的发送信号通过。

接收滤波器61R是第一滤波器的一例，连接于低噪声放大器12与天线连接端子90之间。接收滤波器61R使从天线连接端子90输入的接收信号中的通信频段A的接收带的接收信号通过。

双工器62使通信频段B的高频信号通过。双工器62将通信频段B的发送信号和接收信号以FDD方式进行传输。双工器62包括发送滤波器62T和接收滤波器62R。

发送滤波器62T连接于功率放大器11与天线连接端子90之间。发送滤波器62T使被功率放大器11放大后的发送信号中的通信频段B的发送带的发送信号通过。

接收滤波器62R是第二滤波器的一例，连接于低噪声放大器12与天线连接端子90之间。接收滤波器62R使从天线连接端子90输入的接收信号中的通信频段B的接收带的接收信号通过。

此外，在本实施方式中，通信频段A位于比通信频段B靠低频侧的位置。也就是说，双工器61具有频率比双工器62的通带低的通带。

匹配电路21连接于功率放大器11与发送滤波器61T及62T之间，与功率放大器11的输出端子连接。匹配电路21取得功率放大器11与发送滤波器61T及62T的阻抗匹配。

匹配电路22连接于低噪声放大器12与接收滤波器61R及62R之间，与低噪声放大器12的输入端子连接。匹配电路22取得低噪声放大器12与接收滤波器61R及62R的阻抗匹配。

开关31连接于发送滤波器61T及62T与功率放大器11之间。具体地说，开关31具有公共端子和2个选择端子。开关31的公共端子经由匹配电路21来与功率放大器11连接。开关31的一方的选择端子与发送滤波器61T连接，开关31的另一方的选择端子与发送滤波器62T连接。在该连接结构中，开关31对公共端子与一方的选择端子的连接以及公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关31是对功率放大器11与发送滤波器61T的连接以及功率放大器11与发送滤波器62T的连接进行切换的频段选择开关。开关31例如由SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。

开关32是第二开关的一例，连接于接收滤波器61R及62R与低噪声放大器12之间。具体地说，开关32具有公共端子和2个选择端子。开关32的公共端子经由匹配电路22来与低噪声放大器12连接。开关32的一方的选择端子与接收滤波器61R连接，开关32的另一方的选择端子与接收滤波器62R连接。在该连接结构中，开关32对公共端子与一方的选择端子的连接以及公共端子与另一方的选择端子的连接进行切换。也就是说，开关32是对低噪声放大器12与接收滤波器61R的连接以及低噪声放大器12与接收滤波器62R的连接进行切换的内嵌开关。开关32例如由SPDT型的开关电路构成。

开关80是第一开关的一例，连接于天线连接端子90与双工器61及62之间。具体地说，开关80具有公共端子和2个选择端子。开关80的公共端子与天线连接端子90连接。开关80的一方的选择端子与双工器61连接，开关80的另一方的选择端子与双工器62连接。在该连接结构中，开关80对公共端子与一方的选择端子的连接和非连接进行切换，对公共端子与另一方的选择端子的连接和非连接进行切换。也就是说，开关80是对天线2与双工器61的连接和非连接进行切换、对天线2与双工器62的连接和非连接进行切换的天线开关。开关80例如由多连接型的开关电路构成。

此外，也可以是，图1中示出的电路元件中的几个不包括在高频模块1中。例如，高频模块1只要至少具备接收滤波器61R和开关80即可，也可以不具备其它电路元件。

[1.2高频模块1的电路部件的配置]

接着，参照图2A、图2B以及图3来具体说明如以上那样构成的高频模块1的电路部件的配置。

图2A是实施方式1所涉及的高频模块1的俯视图。图2B是实施方式1所涉及的高频模块1的仰视图。图3是实施方式1所涉及的高频模块1的截面图。图3中的高频模块1的截面是图2A和图2B的iii-iii线处的截面。

如图2A、图2B以及图3所示，高频模块1除了具备图1中示出的内置电路元件的电路部件以外，还具备模块基板100、多个柱电极110、树脂构件130、屏蔽电极层140以及其它电路部件(无附图标记)。此外，在图2A和图2B中，省略了树脂构件130和屏蔽电极层140的记载。

模块基板100具有第一主面101以及位于第一主面101的相反侧的第二主面102。作为模块基板100，例如能够使用印刷电路板(Printed Circuit Board：PCB)、低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics：LTCC)基板、或者树脂多层基板等，但是不限定于此。

第一主面101有时被称为上表面或表面。如图2A所示，在第一主面101安装有功率放大器11、匹配电路21及22、开关31及80、发送滤波器61T及62T、以及接收滤波器61R及62R。

第二主面102有时被称为下表面或背面。如图2B所示，在第二主面102安装有低噪声放大器12和开关32。

匹配电路21及22中的各匹配电路包括1个以上的电感器。匹配电路21及22中的各匹配电路例如作为表面安装部件(SMD)或集成型无源部件(IPD)安装于第一主面101。此外，匹配电路21及22中的各匹配电路也可以除了包括1个以上的电感器以外还包括1个以上的电容器。

开关80作为开关部件配置在第一主面101上。开关80的开关部件是第一电路部件的一例。作为开关部件，例如能够使用半导体IC(Integrated Circuit：集成电路)，但是不限定于此。半导体IC例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成，具体地说，是通过SOI(Siliconon In sulator：绝缘体上的硅)工艺来构成的。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。

此外，下面不对开关80及其开关部件进行区分，而称为开关80。

接收滤波器61R作为滤波器部件层叠在开关80上。接收滤波器61R的滤波器部件是第二电路部件的一例。作为滤波器部件，例如能够使用利用SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)的弹性波滤波器、利用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、电介质滤波器或者它们的任意的组合，但是不限定于此。

此外，下面不对接收滤波器61R及其滤波器部件进行区分，而称为接收滤波器61R。

接收滤波器61R经由形成于开关80的侧面的侧面布线150来与开关80连接。侧面布线150可以通过任意方法形成在开关80的侧面，其材质等没有特别限定。

接收滤波器62R作为滤波器部件配置在第一主面101上。接收滤波器62R的滤波器部件是第四电路部件的一例。作为滤波器部件，例如能够使用利用SAW的弹性波滤波器、利用BAW的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、电介质滤波器或者它们的任意的组合，但是不限定于此。

此外，下面不对接收滤波器62R及其滤波器部件进行区分，而称为接收滤波器62R。

低噪声放大器12和开关32内置于配置在第二主面102上的半导体IC 120。半导体IC 120是第三电路部件的一例。半导体IC 120例如由CMOS构成，具体地说，是通过SOI工艺来构成的。由此，能够廉价地制造半导体IC 120。此外，半导体IC 120也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。由此，能够输出具有高质量的放大性能和噪声性能的高频信号。

在俯视模块基板100时，半导体IC 120的至少一部分与接收滤波器61R的至少一部分重叠。

多个柱电极110是外部连接端子的一例。多个柱电极110分别配置于模块基板100的第二主面102，从第二主面102垂直地延伸。另外，多个柱电极110分别贯通树脂构件130，各自的一端从树脂构件130暴露出来。从树脂构件130暴露出来的多个柱电极110的一端与配置于高频模块1的Z轴负方向侧的主板上的输入输出端子和/或地电极等连接。

树脂构件130配置在模块基板100的第一主面101及第二主面102上，覆盖了第一主面101及第二主面102上的电路部件。树脂构件130具有确保第一主面101及第二主面102上的电路部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。

屏蔽电极层140形成为覆盖树脂构件130的上表面和侧表面，被设定为地电位。屏蔽电极层140具有抑制外来噪声侵入到构成高频模块1的电路部件的功能。

此外，高频模块1也可以不具备树脂构件130和屏蔽电极层140。也就是说，树脂构件130和屏蔽电极层140不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。

[1.3效果等]

如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1具备模块基板100、配置在模块基板100的第一主面101上的第一电路部件、以及层叠在第一电路部件上的第二电路部件。第一电路部件包括连接于天线连接端子90与接收滤波器61R之间的开关80。第二电路部件包括接收滤波器61R，经由形成于第一电路部件的侧面布线150来与第一电路部件连接。

另外，本实施方式所涉及的通信装置5具备：RFIC 3，其对利用天线2发送接收的高频信号进行处理；以及高频模块1，其在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。

据此，能够在开关80上层叠接收滤波器61R，从而能够实现高频模块1的小型化。并且，通过将开关80与接收滤波器61R经由侧面布线150进行连接，能够使开关80与接收滤波器61R之间的布线长度短。其结果，能够减少因布线损耗和布线偏差引起的失配损耗，能够改善高频模块1的电气特性(例如噪声指数(NF)、增益特性等)。特别是，能够在接收路径的上游侧减少布线损耗等，因此能够抑制噪声扩散到接收路径的下游侧，从而能够有效改善高频模块1的接收电路的电气特性。

另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1也可以具备第三电路部件(半导体IC120)，该第三电路部件配置于模块基板100的与第一主面101相反的一侧的第二主面102。另外，第三电路部件也可以包括对高频接收信号进行放大的低噪声放大器12。

据此，能够在模块基板100的两面安装电路部件，能够实现高频模块1的进一步的小型化。

另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，在俯视模块基板100时，第二电路部件(接收滤波器61R)的至少一部分与第三电路部件(半导体IC 120)的至少一部分重叠。

据此，能够将接收滤波器61R与低噪声放大器12配置得更近，能够使接收电路的布线长度短。其结果，能够减少因布线损耗和布线偏差引起的失配损耗，能够进一步改善高频模块1的电气特性。

另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1也可以具备第四电路部件，该第四电路部件配置于模块基板100的第一主面101。另外，第四电路部件也可以包括接收滤波器62R，开关80也可以连接于天线连接端子90与接收滤波器61R及接收滤波器62R之间。

据此，与2个通信频段A及B对应的2个接收滤波器61R及62R连接于开关80。因而，能够在为了利用载波聚合(CA)而将2个接收滤波器61R及62R这两方连接于天线连接端子90的状态下使2个接收滤波器61R及62R之间的布线长度短。因而，能够减少利用CA时的匹配误差，能够改善高频模块1利用CA时的电气特性。

另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，接收滤波器61R也可以包括频率比接收滤波器62R的通带低的通带。

据此，能够将低频侧的接收滤波器61R层叠在开关80上。因而，能够使布线长度对电气特性的影响大的低频侧的接收滤波器61R与开关80之间的布线长度短，能够进一步改善高频模块1利用CA时的电气特性。

(实施方式2)

接着，参照图4～图6来说明实施方式2。在本实施方式中，主要在以下方面与上述实施方式1不同：上述实施方式1中的开关80被分割为2个开关，为能够将更多的滤波器连接于天线2的结构。下面，以与上述实施方式1不同的方面为中心来说明本实施方式所涉及的高频模块1A和通信装置5A。

[2.1高频模块1A和通信装置5A的电路结构]

说明本实施方式所涉及的高频模块1A和通信装置5A的电路结构。图4是实施方式2所涉及的高频模块1A和通信装置5A的电路结构图。

如图4所示，通信装置5A具备高频模块1A、天线2、RFIC 3以及BBIC 4。高频模块1A具备功率放大器11、低噪声放大器12、匹配电路21、22、开关31、32、80A及81A、双工器61及62、天线连接端子90、发送输入端子91以及接收输出端子92。

开关80A是第三开关的一例，连接于天线连接端子90与开关81A之间。具体地说，开关80A具有公共端子和2个选择端子。开关80A的公共端子与天线连接端子90连接。开关80A的一方的选择端子与开关81A的公共端子连接，开关80A的另一方的选择端子与其它电路元件(未图示)连接。在该连接结构中，开关80A对公共端子与一方的选择端子的连接和非连接进行切换，对公共端子与另一方的选择端子的连接和非连接进行切换。也就是说，开关80A是对天线连接端子90与开关81A的连接和非连接进行切换、对天线连接端子90与其它电路元件的连接和非连接进行切换的天线开关。开关81A例如由多连接型的开关电路构成。

开关81A是第一开关的一例，连接于天线连接端子90与双工器61及62之间。具体地说，开关81A具有公共端子和2个选择端子。开关81A的公共端子能够经由开关80A来与天线连接端子90连接。开关81A的一方的选择端子与双工器61连接，开关81A的另一方的选择端子与双工器62连接。在该连接结构中，开关81A对公共端子与一方的选择端子的连接和非连接进行切换，对公共端子与另一方的选择端子的连接和非连接进行切换。也就是说，开关81A是对开关80A与双工器61的连接和非连接进行切换、对开关80A与双工器62的连接和非连接进行切换的管束开关。开关81A例如由多连接型的开关电路构成。

[2.2高频模块1A的电路部件的配置]

接着，参照图5A、图5B以及图6来具体说明如以上那样构成的高频模块1A的电路部件的配置。

图5A是实施方式2所涉及的高频模块1A的俯视图。图5B是实施方式2所涉及的高频模块1A的仰视图。图6是实施方式2所涉及的高频模块1A的截面图。图6中的高频模块1A的截面是图5A和图5B的vi-vi线处的截面。

开关81A作为开关部件配置在第一主面101上。开关81A的开关部件是第一电路部件的一例。作为开关部件，例如能够使用半导体IC，但是不限定于此。半导体IC例如由CMOS构成，具体地说，是通过SOI工艺来构成的。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。

开关80A与低噪声放大器12及开关32一起内置于配置在第二主面102上的半导体IC 120A。半导体IC 120A是第三电路部件的一例。半导体IC 120A与实施方式1的半导体IC120同样地例如由CMOS构成，具体地说，是通过SOI工艺来构成的。另外，半导体IC 120A也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。

在俯视模块基板100时，半导体IC 120A的至少一部分与接收滤波器61R的至少一部分重叠。

[2.3效果等]

如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1A具备：模块基板100；第一电路部件，其配置在模块基板100的第一主面101上；第二电路部件，其层叠在第一电路部件上；第三电路部件，其配置于模块基板100的与第一主面101相反的一侧的第二主面102；以及第四电路部件，其配置在模块基板100的第一主面101上。第一电路部件包括连接于天线连接端子90与接收滤波器61R及62R之间的开关81A。第二电路部件包括接收滤波器61R，经由形成于第一电路部件的侧面布线150来与第一电路部件连接。第三电路部件包括对高频接收信号进行放大的低噪声放大器12以及连接于天线连接端子90与开关81A之间的开关80A。第四电路部件包括接收滤波器62R。

据此，能够将连接于开关80A与接收滤波器61R及62R之间的开关81A同接收滤波器61R进行层叠。因而，能够在使接收滤波器61R与开关81A之间的布线长度短的同时，将用于其它通信频段的接收滤波器和/或发送滤波器等连接于天线连接端子90。其结果，能够在提高高频模块1A的电路结构的自由度的同时改善高频模块1A的电气特性。

接着，说明针对上述各实施方式的多个变形例。下面，说明实施方式1的各变形例，但是各变形例基本上也能够应用于实施方式2。

(变形例1)

首先，参照图7来说明变形例1。在本变形例中，主要在以下方面与上述实施方式1不同：接收滤波器61R经由通路电极150B与开关80连接，来代替接收滤波器61R经由侧面布线150与开关80连接。下面，以与上述实施方式1不同的方面为中心来说明本变形例所涉及的高频模块1B。

图7是变形例1所涉及的高频模块1B的局部截面图。如图7所示，在本变形例中，在开关80形成有通路电极150B。层叠在开关80上的接收滤波器61R经由通路电极150B来与开关80连接。

通路电极150B例如是硅通孔(TSV)，将形成于滤波器部件的下表面的接收滤波器61R的电极与形成于开关部件的下表面的开关80的电极连接。此外，通路电极150B不限定于通孔。例如，通路电极150B也可以是形成于开关部件的上表面的非通孔。在该情况下，通路电极150B也可以与开关部件内的布线图案连接。另外，通路电极150B也可以通过2个非通孔与布线图案的组合来实现，其中，该2个非通孔形成于开关部件的上表面和下表面，该布线图案将该2个非通孔在开关部件内连接。

如以上那样，本变形例所涉及的高频模块1B具备模块基板100、配置在模块基板100的第一主面101上的第一电路部件、以及层叠在第一电路部件上的第二电路部件。第一电路部件包括连接于天线连接端子90与接收滤波器61R之间的开关80。第二电路部件包括接收滤波器61R，经由形成于第一电路部件的通路电极150B来与第一电路部件连接。

据此，通过将开关80与接收滤波器61R经由通路电极150B进行连接，能够与实施方式1同样地使开关80与接收滤波器61R之间的布线长度短。其结果，能够减少因布线损耗和布线偏差引起的失配损耗，能够改善高频模块1B的电气特性。

(变形例2)

接着，参照图8来说明变形例2。在本变形例中，主要在以下方面与上述实施方式1不同：开关80和接收滤波器61R的上下倒转。下面，以与上述实施方式1不同的方面为中心来说明本变形例所涉及的高频模块1C。

图8是变形例2所涉及的高频模块1C的局部截面图。如图8所示，在本变形例中，接收滤波器61R包括在配置在模块基板100的第一主面101上的第一电路部件中，开关80包括在层叠在第一电路部件上的第二电路部件中。开关80经由形成于接收滤波器61R的侧面的侧面布线150来与接收滤波器61R连接。

如以上那样，本变形例所涉及的高频模块1C具备模块基板100、配置在模块基板100的第一主面101上的第一电路部件、以及层叠在第一电路部件上的第二电路部件。第一电路部件包括接收滤波器61R。第二电路部件包括连接于天线连接端子90与接收滤波器61R之间的开关80，经由形成于第一电路部件的侧面布线150来与第一电路部件连接。

据此，能够在接收滤波器61R上层叠开关80，能够与实施方式1同样地实现高频模块1C的小型化和电气特性的改善。

(变形例3)

接着，参照图9来说明变形例3。在本变形例中，主要在以下方面与上述实施方式1不同：层叠部件的下侧的第一电路部件除了包括开关80以外还包括连接于接收滤波器61R与低噪声放大器12之间的开关32。下面，以与上述实施方式1不同的方面为中心来说明本变形例所涉及的高频模块1D。

图9是变形例3所涉及的高频模块1D的局部截面图。如图9所示，在本变形例中，连接于接收滤波器61R与低噪声放大器12之间的开关32同开关80一起包括在半导体IC 121D中。也就是说，开关32不包括在配置在模块基板100的第二主面102上的半导体IC 120D中。在此，半导体IC 121D相当于第一电路部件，半导体IC 120D相当于第三电路部件。

如以上那样，本变形例所涉及的高频模块1D具备：模块基板100；第一电路部件，其配置在模块基板100的第一主面101上；第二电路部件，其层叠在第一电路部件上；以及第三电路部件，其配置于模块基板100的与第一主面101相反的一侧的第二主面102。第一电路部件包括连接于天线连接端子90与接收滤波器61R之间的开关80以及连接于接收滤波器61R与低噪声放大器12之间的开关32。第二电路部件包括接收滤波器61R，经由形成于第一电路部件的侧面布线150来与第一电路部件连接。第三电路部件包括低噪声放大器12。

据此，能够使第一电路部件除了包括连接于天线连接端子90与接收滤波器61R之间的开关80以外还包括连接于接收滤波器61R与低噪声放大器12之间的开关32，能够实现高频模块1D的进一步的小型化。另外，能够使接收滤波器61R与开关32之间的布线长度也短，能够进一步改善高频模块1D的电气特性。

(变形例4)

接着，参照图10来说明变形例4。在本变形例中，主要在以下方面与上述实施方式1不同：层叠部件的上侧的第二电路部件包括发送滤波器61T来代替包括接收滤波器61R。下面，以与上述实施方式1不同的方面为中心来说明本变形例所涉及的高频模块1E。

图10是变形例4所涉及的高频模块1E的局部截面图。如图10所示，在本变形例中，发送滤波器61T是第一滤波器的一例，作为滤波器部件层叠在开关80上。发送滤波器61T的滤波器部件是第二电路部件的一例。作为滤波器部件，例如能够使用利用SAW的弹性波滤波器、利用BAW的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、电介质滤波器或者它们的任意的组合，但是不限定于此。

如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1E具备模块基板100、配置在模块基板100的第一主面101上的第一电路部件、以及层叠在第一电路部件上的第二电路部件。第一电路部件包括连接于天线连接端子90与发送滤波器61T之间的开关80。第二电路部件包括发送滤波器61T，经由形成于第一电路部件的侧面布线150来与第一电路部件连接。

据此，能够代替接收滤波器61R而将发送滤波器61T层叠在开关80上。因而，能够使开关80与发送滤波器61T之间的布线长度短。其结果，能够减少发送电路的布线损耗，并且能够抑制在开关80与发送滤波器61T之间流动的发送信号对接收信号的干扰，从而能够改善高频模块1E的电气特性。

(变形例5)

接着，参照图11和图12来说明变形例5。在本变形例中，主要在以下方面与上述实施方式1不同：在模块基板100的第一主面101上配置有电路部件，在第二主面102上没有配置电路部件。下面，以与上述实施方式1不同的方面为中心来说明本变形例所涉及的高频模块1F。

图11是变形例5所涉及的高频模块1F的俯视图。图12是变形例5所涉及的高频模块1F的截面图。图12中的高频模块1F的截面是图11的xii-xii线处的截面。

如图11所示，在本变形例中，低噪声放大器12作为放大部件配置在第一主面101上。低噪声放大器12的放大部件是第三电路部件的一例。作为放大部件，例如能够使用半导体IC，但是不限于此。半导体IC例如由CMOS构成，具体地说，是通过SOI工艺来构成的。此外，半导体IC也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。

此外，下面不对低噪声放大器12及其放大部件进行区分，而称为低噪声放大器12。

另外，在本变形例中，与变形例3同样地，开关32与开关80一起包括在半导体IC121D中。

在俯视模块基板100时，低噪声放大器12、匹配电路22以及半导体IC121D是并排地配置的。由此，能够使低噪声放大器12与匹配电路22之间的距离以及匹配电路22与半导体IC 121D之间的距离短，能够缩短接收电路的布线长度。其结果，能够减少因布线损耗和布线偏差引起的失配损耗，能够提高接收灵敏度。

在模块基板100的第二主面102配置有多个凸块电极110F来代替多个柱电极110。多个凸块电极110F是外部连接端子的一例，与配置于高频模块1F的Z轴负方向侧的主板上的输入输出端子和/或地电极等连接。

如以上那样，本变形例所涉及的高频模块1F具备：模块基板100；第一电路部件，其配置在模块基板100的第一主面101上；第二电路部件，其层叠在第一电路部件上；以及第三电路部件，其配置在模块基板100的第一主面101上。第一电路部件包括连接于天线连接端子90与接收滤波器61R之间的开关80。第二电路部件包括接收滤波器61R，经由形成于第一电路部件的侧面布线150来与第一电路部件连接。第三电路部件包括对高频接收信号进行放大的低噪声放大器12。

据此，即使在第一主面101上配置第一电路部件～第三电路部件的情况下，也能够与实施方式1同样地通过将开关80与接收滤波器61R层叠来实现高频模块1F的小型化和电气特性的改善。

(其它实施方式)

以上，关于本实用新型所涉及的高频模块和通信装置，列举实施方式及其变形例来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式及其变形例。将上述实施方式及其变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式及其变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、以及内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本实用新型中。

例如，在上述各实施方式及其变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间插入其它的电路元件和布线等。例如也可以是，在双工器61与开关80之间和/或双工器62与开关80之间连接有匹配电路。另外，例如也可以是，在功率放大器11与发送输入端子91之间和/或低噪声放大器12与接收输出端子92之间连接有开关。在该情况下，该开关也可以包括在半导体IC 120或120D中。

此外，在上述各实施方式及其变形例1～4中，进行了两面安装的高频模块具备柱电极110来作为外部连接端子，但是外部连接端子不限定于此。例如也可以是，高频模块1G如图13所示那样具备凸块电极110G作为外部连接端子，来代替柱电极110。在该情况下，在高频模块1G中，树脂构件130也可以不覆盖第二主面102和半导体IC 120。

此外，在上述各实施方式及其变形例中，高频模块具备发送电路，但是也可以不具备发送电路。在该情况下，高频模块也可以不具备发送滤波器和功率放大器等。

此外，在上述各实施方式及其变形例中，将1个以上的开关与1个滤波器层叠，但是不限定于此。例如，也可以将1个以上的开关与2个以上的滤波器层叠。例如，也可以是接收滤波器61R及发送滤波器61T与开关80层叠，还可以是接收滤波器61R及62R与开关80层叠。

产业上的可利用性

本实用新型作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (9)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：

基板，其具有第一主面；

第一电路部件，其配置在所述第一主面上；以及

第二电路部件，其层叠在所述第一电路部件上，

其中，所述第一电路部件和所述第二电路部件中的一方包括第一滤波器，

所述第一电路部件和所述第二电路部件中的另一方包括连接于天线连接端子与所述第一滤波器之间的第一开关，

所述第二电路部件经由形成于所述第一电路部件的通路电极或侧面布线来与所述第一电路部件连接。

2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

所述基板在与所述第一主面相反的一侧具有第二主面，

所述高频模块还具备配置在所述第二主面上的第三电路部件，

所述第三电路部件包括对高频接收信号进行放大的低噪声放大器。

3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，

所述第一滤波器是接收滤波器，

在俯视所述基板时，所述第一电路部件和所述第二电路部件中的所述一方的至少一部分与所述第三电路部件的至少一部分重叠。

4.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，

还具备配置在所述第一主面上的第三电路部件，

所述第三电路部件包括对高频接收信号进行放大的低噪声放大器。

5.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，

所述第一电路部件和所述第二电路部件中的所述另一方还包括连接于所述第一滤波器与所述低噪声放大器之间的第二开关。

6.根据权利要求2～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，

还具备配置在所述基板的第一主面上的第四电路部件，

所述第四电路部件包括第二滤波器，

所述第一开关连接于所述天线连接端子与所述第一滤波器及所述第二滤波器之间。

7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，

所述第三电路部件还包括连接于所述天线连接端子与所述第一开关之间的第三开关。

8.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，

所述第一滤波器具有频率比所述第二滤波器的通带低的通带。

9.一种通信装置，其特征在于，具备：

信号处理电路，其对利用天线发送接收的高频信号进行处理；以及

根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块，其在所述天线与所述信号处理电路之间传输所述高频信号。

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