JP2021048566A - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１は、送信入力端子１１１と接続される第１共通送信経路に接続された共通端子と、アンテナ接続端子１００と接続される送信経路ＡＴに接続された第１選択端子と、アンテナ接続端子１００と接続される送信経路ＢＴに接続された第２選択端子とを有し、かつ、上記共通端子と第１選択端子との接続、および、上記共通端子と第２選択端子との接続を切り替えるスイッチ５１と、第１共通送信経路に配置された送信電力増幅器１１と、受信出力端子１２１およびアンテナ接続端子１００に接続される受信経路ＡＲまたはＢＲに配置された第１回路部品と、を備え、送信経路ＡＴは通信バンドＡの送信信号を伝送し、送信経路ＢＴは通信バンドＢの送信信号を伝送し、スイッチ５１は主面９１ａに配置されており、第１回路部品のうち少なくとも１つは主面９１ｂに配置されている。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。

携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。

特許文献１には、複数の通信バンド（周波数帯域）によるキャリアアグリゲーション（ＣＡ）を実行できるフロントエンド回路が開示されている。具体的には、フロントエンド回路は、第１の電力増幅器、ＣＡ対象の通信バンドを選択する第１のバンド選択スイッチ、各通信バンドに対応した複数のデュプレクサ、およびアンテナスイッチがこの順で接続された第１の送信経路と、第２の電力増幅器、ＣＡ対象の通信バンドを選択する第２のバンド選択スイッチ、各通信バンドに対応した複数のデュプレクサ、およびアンテナスイッチがこの順で接続された第２の送信経路と、を有している。これにより、フロントエンド回路は、第１の送信経路による第１の通信バンドの送信信号と第２の送信経路による第２の通信バンドの送信信号とを同時に送信することが可能である。

米国特許出願公開第２０１９／１９０５４８号明細書

しかしながら、特許文献１に開示されたフロントエンド回路を、移動体通信機器などの小型のフロントエンド回路として１つの高周波モジュールで構成する場合、電力増幅器から出力された大電力の送信信号を伝送する第１のバンド選択スイッチまたは第２のバンド選択スイッチが、受信経路に配置された回路部品の少なくとも１つと、磁界結合、電界結合、または電磁界結合することで、当該送信信号、当該送信信号の高調波、または相互変調歪などが上記受信経路に流入し、上記受信経路の受信感度が劣化するという問題が発生する。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよびそれを備えた通信装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、送信入力端子と、受信出力端子と、入出力端子と、前記送信入力端子と接続される共通送信経路に接続された共通端子と、前記入出力端子と接続される第１送信経路に接続された第１選択端子と、前記入出力端子と接続される第２送信経路に接続された第２選択端子とを有し、かつ、前記共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、前記共通送信経路に配置された送信電力増幅器と、前記受信出力端子および前記入出力端子に接続される受信経路に配置された第１回路部品と、を備え、前記第１送信経路は、第１通信バンドの送信信号を伝送する信号経路であり、前記第２送信経路は、第２通信バンドの送信信号を伝送する信号経路であり、前記第１スイッチは、前記第１主面に配置されており、前記第１回路部品のうち少なくとも１つは、前記第２主面に配置されている。

本発明によれば、受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。

実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 実施例１に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例１に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 変形例１に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 変形例２に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 変形例３に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 変形例４に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例２に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例２に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 実施例３に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 実施例３に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例４に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 実施例４に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 変形例５に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 変形例６に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例及び変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。

また、以下において、平行及び垂直等の要素間の関係性を示す用語、及び、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

また、以下において、基板に実装されたＡ、Ｂ及びＣにおいて、「基板（又は基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ直線がＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「信号経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

また、以下において、「ＡとＢとが接続されている」とは、ＡとＢとが物理的に接続されている場合に適用されるだけでなく、ＡとＢとが電気的に接続されている場合にも適用される。

（実施の形態）
［１．高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置５の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。

ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。

ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。

また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ５１、５２、５３、５４、５５および５６の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ５１〜５６の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。

アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。

図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１００と、送信電力増幅器１１および１２と、受信低雑音増幅器２１および２２と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔおよび６４Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒおよび６４Ｒと、送信出力整合回路３０と、受信入力整合回路４０と、整合回路７１、７２、７３および７４と、スイッチ５１、５２、５３、５４、５５および５６と、ダイプレクサ６０と、カプラ８０と、カプラ出力端子１８０と、を備える。

アンテナ接続端子１００は、入出力端子の一例であり、アンテナ２に接続されるアンテナ共通端子である。

送信電力増幅器１１は、送信入力端子１１１から入力された第１周波数帯域群に属する通信バンドＡ（第１通信バンド）および通信バンドＢ（第２通信バンド）の高周波信号を増幅する増幅器である。また、送信電力増幅器１２は、送信入力端子１１２から入力された、第１周波数帯域群と周波数が異なる第２周波数帯域群に属する通信バンドＣおよび通信バンドＤの高周波信号を増幅する増幅器である。

受信低雑音増幅器２１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢの高周波信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２１へ出力する増幅器である。また、受信低雑音増幅器２２は、通信バンドＣおよび通信バンドＤの高周波信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２２へ出力する増幅器である。

送信フィルタ６１Ｔは、送信電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６２Ｔは、送信電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６３Ｔは、送信電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＣＴに配置され、送信電力増幅器１２で増幅された送信信号のうち、通信バンドＣの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６４Ｔは、送信電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＤＴに配置され、送信電力増幅器１２で増幅された送信信号のうち、通信バンドＤの送信帯域の送信信号を通過させる。

受信フィルタ６１Ｒは、受信低雑音増幅器２１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６２Ｒは、受信低雑音増幅器２１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６３Ｒは、受信低雑音増幅器２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＣＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＣの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６４Ｒは、受信低雑音増幅器２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＤＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＤの受信帯域の受信信号を通過させる。

送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡを通過帯域とするデュプレクサ６１を構成している。また、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢを通過帯域とするデュプレクサ６２を構成している。また、送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒは、通信バンドＣを通過帯域とするデュプレクサ６３を構成している。また、送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒは、通信バンドＤを通過帯域とするデュプレクサ６４を構成している。

なお、デュプレクサ６１〜６４のそれぞれは、複数の送信フィルタのみで構成されたマルチプレクサ、複数の受信フィルタのみで構成されたマルチプレクサ、複数のデュプレクサで構成されたマルチプレクサであってもよい。

送信経路ＡＴは、第１送信経路の一例であり、通信バンドＡの送信信号を伝送する。送信経路ＡＴの一端はスイッチ５１に接続され、送信経路ＡＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信経路ＢＴは、第２送信経路の一例であり、通信バンドＢの送信信号を伝送する。送信経路ＢＴの一端はスイッチ５１に接続され、送信経路ＢＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信経路ＣＴは、通信バンドＣの送信信号を伝送する。送信経路ＣＴの一端はスイッチ５２に接続され、送信経路ＣＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信経路ＤＴは、通信バンドＤの送信信号を伝送する。送信経路ＤＴの一端はスイッチ５２に接続され、送信経路ＤＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。第１共通送信経路は、通信バンドＡおよびＢの送信信号を伝送する。第１共通送信経路の一端は送信入力端子１１１に接続され、他端はスイッチ５１の共通端子に接続されている。第２共通送信経路は、通信バンドＣおよびＤの送信信号を伝送する。第２共通送信経路の一端は送信入力端子１１２に接続され、他端はスイッチ５２の共通端子に接続されている。

受信経路ＡＲは、第１受信経路の一例であり、通信バンドＡの受信信号を伝送する。受信経路ＡＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＡＲの他端は受信出力端子１２１に接続されている。受信経路ＢＲは、第２受信経路の一例であり、通信バンドＢの受信信号を伝送する。受信経路ＢＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＢＲの他端は受信出力端子１２１に接続されている。受信経路ＣＲは、通信バンドＣの受信信号を伝送する。受信経路ＣＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＣＲの他端は受信出力端子１２２に接続されている。受信経路ＤＲは、通信バンドＤの受信信号を伝送する。受信経路ＤＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＤＲの他端は受信出力端子１２２に接続されている。

送信出力整合回路３０は、整合回路３１および３２を有する。整合回路３１は、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３２は、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとのインピーダンス整合をとる。

受信入力整合回路４０は、整合回路４１および４２を有する。整合回路４１は、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとを結ぶ受信経路に配置され、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６３Ｒおよび６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。

スイッチ５１は、第１スイッチの一例であり、共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有する。スイッチ５１の共通端子は、送信入力端子１１１と接続される第１共通送信経路に接続されている。スイッチ５１の第１選択端子は送信経路ＡＴの一端に接続され、スイッチ５１の第２選択端子は送信経路ＢＴの一端に接続されている。この接続構成において、スイッチ５１は、共通端子と第１選択端子との接続、および、共通端子と第２選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５１は、送信電力増幅器１１と送信経路ＡＴとの接続、および、送信電力増幅器１１と送信経路ＢＴとの接続、を切り替える。また、スイッチ５１の第１選択端子は送信フィルタ６１Ｔに接続され、スイッチ５１の第２選択端子は送信フィルタ６２Ｔに接続されている。つまり、スイッチ５１は、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔとの接続、および、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６２Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５１は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５２は、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５２の共通端子は、送信入力端子１１２と接続される第２共通送信経路に接続されている。スイッチ５２の一方の選択端子は送信経路ＣＴの一端に接続され、スイッチ５２の他方の選択端子は送信経路ＤＴの一端に接続されている。この接続構成において、スイッチ５２は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５２は、送信電力増幅器１２と送信経路ＣＴとの接続、および、送信電力増幅器１２と送信経路ＤＴとの接続、を切り替える。スイッチ５２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５３は、第２スイッチの一例であり、共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有する。スイッチ５３の共通端子は、整合回路４１を介して受信低雑音増幅器２１の入力端子に接続されている。スイッチ５３の第３選択端子は受信経路ＡＲに配置された受信フィルタ６１Ｒに接続され、スイッチ５３の第４選択端子は受信経路ＢＲに配置された受信フィルタ６２Ｒに接続されている。この接続構成において、スイッチ５３は、共通端子と第３選択端子との接続および非接続を切り替え、共通端子と第４選択端子との接続および非接続を切り替える。つまり、スイッチ５３は、受信低雑音増幅器２１と受信経路ＡＲとの接続および非接続を切り替え、受信低雑音増幅器２１と受信経路ＢＲとの接続および非接続を切り替える。スイッチ５３は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５４は、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５４の共通端子は、整合回路４２を介して受信低雑音増幅器２２の入力端子に接続されている。スイッチ５４の一方の選択端子は受信経路ＣＲに配置された受信フィルタ６３Ｒに接続され、スイッチ５４の他方の選択端子は受信経路ＤＲに配置された受信フィルタ６４Ｒに接続されている。この接続構成において、スイッチ５４は、共通端子と一方の選択端子との接続および非接続を切り替え、共通端子と他方の選択端子との接続および非接続を切り替える。つまり、スイッチ５４は、受信低雑音増幅器２２と受信経路ＣＲとの接続および非接続を切り替え、受信低雑音増幅器２２と受信経路ＤＲとの接続および非接続を切り替える。スイッチ５４は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５５は、アンテナスイッチの一例であり、ダイプレクサ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続され、（１）アンテナ接続端子１００と送信経路ＡＴおよび受信経路ＡＲとの接続、（２）アンテナ接続端子１００と送信経路ＢＴおよび受信経路ＢＲとの接続、（３）アンテナ接続端子１００と送信経路ＣＴおよび受信経路ＣＲとの接続、ならびに（４）アンテナ接続端子１００と送信経路ＤＴおよび受信経路ＤＲとの接続、を切り替える。なお、スイッチ５５は、上記（１）〜（４）のうちの２以上の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

整合回路７１は、スイッチ５５とデュプレクサ６１とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６１とのインピーダンス整合をとる。整合回路７２は、スイッチ５５とデュプレクサ６２とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６２とのインピーダンス整合をとる。整合回路７３は、スイッチ５５とデュプレクサ６３とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６３とのインピーダンス整合をとる。整合回路７４は、スイッチ５５とデュプレクサ６４とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６４とのインピーダンス整合をとる。

ダイプレクサ６０は、マルチプレクサの一例であり、フィルタ６０Ｌおよび６０Ｈで構成されている。フィルタ６０Ｌは、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とするフィルタであり、フィルタ６０Ｈは、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群と周波数が異なる他の周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とするフィルタである。フィルタ６０Ｌの一方の端子とフィルタ６０Ｈの一方の端子とは、アンテナ接続端子１００に共通接続されている。フィルタ６０Ｌおよび６０Ｈのそれぞれは、チップ状のインダクタおよびキャパシタの少なくとも一方で構成されたＬＣフィルタである。なお、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群が上記他の周波数帯域群より低周波数側に位置する場合には、フィルタ６０Ｌはローパスフィルタであってもよく、また、フィルタ６０Ｈはハイパスフィルタであってもよい。

カプラ８０およびスイッチ５６は、アンテナ接続端子１００とスイッチ５５との間を伝送する高周波信号の電力強度をモニタする回路であり、モニタした電力強度を、カプラ出力端子１８０を介してＲＦＩＣ３などに出力する。

なお、上記の送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒは、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれかであってもよく、さらには、これらには限定されない。

また、送信電力増幅器１１および１２、ならびに、受信低雑音増幅器２１および２２は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）またはＧａＡｓを材料とした、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）またはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。

また、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびに、スイッチ５３、５４および５５は、１つの半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）に形成されていてもよい。さらに、上記半導体ＩＣは、さらに、送信電力増幅器１１および１２、ならびに、スイッチ５１および５２を含んでいてもよい。半導体ＩＣは、例えば、ＣＭＯＳで構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、半導体ＩＣは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。

なお、整合回路７１〜７４、カプラ８０、スイッチ５６、およびカプラ出力端子１８０は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。

上記高周波モジュール１の構成において、送信電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、送信フィルタ６１Ｔ、整合回路７１、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を伝送する第１送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７１、受信フィルタ６１Ｒ、スイッチ５３、整合回路４１、および受信低雑音増幅器２１は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を伝送する第１受信回路を構成する。

また、送信電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、送信フィルタ６２Ｔ、整合回路７２、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの送信信号を伝送する第２送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７２、受信フィルタ６２Ｒ、スイッチ５３、整合回路４１、および受信低雑音増幅器２１は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの受信信号を伝送する第２受信回路を構成する。

また、送信電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、送信フィルタ６３Ｔ、整合回路７３、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＣの送信信号を伝送する第３送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７３、受信フィルタ６３Ｒ、スイッチ５４、整合回路４２、および受信低雑音増幅器２２は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＣの受信信号を伝送する第３受信回路を構成する。

また、送信電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、送信フィルタ６４Ｔ、整合回路７４、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＤの送信信号を伝送する第４送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７４、受信フィルタ６４Ｒ、スイッチ５４、整合回路４２、および受信低雑音増幅器２２は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＤの受信信号を伝送する第４受信回路を構成する。

上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢのいずれかの通信バンドの高周波信号と、通信バンドＣおよび通信バンドＤのいずれかの通信バンドの高周波信号とを、同時送信、同時受信、および同時送受信の少なくともいずれかで実行することが可能である。

なお、本発明に係る高周波モジュールでは、上記４つの送信回路および上記４つの受信回路がスイッチ５５を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記４つの送信回路および上記４つの受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールは、第１送信回路、第２送信回路、および第１受信回路を、少なくとも有していればよい。また、この場合には、高周波モジュールは、（１）通信バンドＡの送信と通信バンドＡの受信との同時実施、および、（２）通信バンドＡの送信と通信バンドＢの受信との同時実施、が可能である。

また、本発明に係る高周波モジュールにおいて、第１送信回路は、送信電力増幅器１１、スイッチ５１および送信経路ＡＴを有していればよい。また、第２送信回路は、送信電力増幅器１１、スイッチ５１および送信経路ＢＴを有していればよい。また、第１受信回路は、受信低雑音増幅器２１、整合回路４１、スイッチ５３、受信フィルタ６１Ｒ、整合回路７１、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌの少なくとも１つと、受信経路ＡＲと、を備えていればよい。

ここで、上記高周波モジュール１を構成する各回路素子を、小型のフロントエンド回路として１つのモジュールで構成する場合、例えば、第１送信回路および第２送信回路と第１受信回路とが近接することが想定される。この場合、送信電力増幅器１１から出力された大電力の送信信号が送信経路ＡＴまたはＢＴを伝送する際に、受信経路ＡＲ、ＢＲ、ＣＲまたはＤＲに、当該送信信号、高調波、または相互変調歪が流入し、受信経路ＡＲ、ＢＲ、ＣＲまたはＤＲの受信感度が劣化するという問題が発生する。特に、送信経路を選別するスイッチ５１は、送信電力増幅器１１から出力された大電力の送信信号を通過させる。このため、例えば、スイッチ５１の非線形作用により当該送信信号のみならず高調波も発生し、これらの送信信号および高調波が、不要波として受信経路ＡＲ、ＢＲ、ＣＲまたはＤＲに流入し、受信感度を低下させてしまうことが想定される。

例えば、送信電力増幅器１１で増幅された通信バンドＡの送信信号の高調波の周波数が通信バンドＢの受信帯域の少なくとも一部と重複する場合が挙げられる。また、例えば、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の周波数が、通信バンドＡ〜Ｄの受信帯域の少なくとも一部と重複する場合が挙げられる。

これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、スイッチ５１および５２と受信経路上の回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の上記電界結合、上記磁界結合、または電磁界結合を抑制する構成について説明する。

［２．実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
図２Ａは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。また、図２Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。なお、図２Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、を有している。

モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。なお、モジュール基板９１上に、アンテナ接続端子１００、送信入力端子１１１および１１２、ならびに受信出力端子１２１および１２２が形成されていてもよい。

樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材９３は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ｂを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２および９３は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。

整合回路３１、３２、４１および４２のそれぞれは、少なくともチップ状のインダクタを含む。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、送信電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６１〜６４、スイッチ５１および５２、整合回路３１、３２、４１および４２は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５３、５４および５５、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、整合回路７１〜７４、ならびに、カプラ８０は、図２Ａおよび図２Ｂには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。なお、カプラ８０は、高周波モジュール１Ａを伝送する高周波信号の電力強度をモニタし、当該電力強度を、カプラ出力端子１８０を介してＲＦＩＣ３などの外部回路に出力するため、外部基板側の主面９１ｂに実装されていることが望ましい。

本実施例では、受信低雑音増幅器２１、スイッチ５３、ダイプレクサ６０、およびスイッチ５５は、受信経路ＡＲおよびＢＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。一方、スイッチ５１は主面９１ａに実装されている。

上記構成によれば、モジュール基板９１の主面９１ａ上にスイッチ５１が配置され、主面９１ｂ上に受信経路ＡＲおよびＢＲに配置された第１回路部品が配置されている。つまり、スイッチ５１と第１回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。これにより、送信電力増幅器１１から出力された大電力の通信バンドＡまたはＢの送信信号が送信経路ＡＴまたはＢＴを伝送する際に、スイッチ５１と受信経路ＡＲまたはＢＲに配置された回路部品とが電界結合、磁界結合または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡまたはＢの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔまたは６２Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲまたはＢＲに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

さらに、上記構成によれば、モジュール基板９１の主面９１ａ上にスイッチ５２が配置され、主面９１ｂ上に受信低雑音増幅器２２およびスイッチ５４が配置されている。これにより、送信電力増幅器１１から出力された大電力の通信バンドＡもしくはＢの送信信号、または、送信電力増幅器１２から出力された大電力の通信バンドＣもしくはＤの送信信号が、送信経路ＡＴ、ＢＴ、ＣＴ、またはＤＴを伝送する際に、スイッチ５１および５２の少なくとも１つと受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つとが電界結合、磁界結合または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ、Ｂ、Ｃ、またはＤの送信信号が受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つに流入することを抑制できる。よって、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、送信電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６１〜６４、スイッチ５１および５２、整合回路３１、３２、４１および４２が主面９１ａに配置され、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５３、５４および５５、ならびにダイプレクサ６０が主面９１ｂに配置されている構成としたが、スイッチ５１および５２の少なくとも１つが主面９１ａに配置され、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５３、５４および５５、ならびにダイプレクサ６０の少なくとも１つが主面９１ｂに配置されていればよい。

これによれば、スイッチ５１および５２と、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５３、５４および５５、ならびにダイプレクサ６０とが、同一の主面に配置された構成を有する高周波モジュールに比べて、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

また、本発明に係る高周波モジュールは、主面９１ａにスイッチ５１および５２の少なくとも１つが実装され、主面９１ｂに、以下に列挙された回路部品の少なくとも１つ（第１回路部品）が実装されていればよい。すなわち、第１回路部品としては、
（１）受信低雑音増幅器２１または２２、
（２）整合回路４１のインダクタまたは整合回路４２のインダクタ、
（３）スイッチ５３または５４、
（４）受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒのいずれか、または、デュプレクサ６１〜６４のいずれか、
（５）ダイプレクサ６０、および、
（６）スイッチ５５、
の少なくとも１つであればよい。

なお、モジュール基板９１は、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板９１の電磁界遮蔽機能が向上する。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。また、複数の外部接続端子１５０のいくつかは、外部基板のグランド電位に設定される。主面９１ａおよび９１ｂのうち、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が困難な送信電力増幅器１１および１２が配置されず、低背化が容易な受信低雑音増幅器２１および２２、ならびに、スイッチ５３、５４および５５が配置されているので、高周波モジュール１Ａ全体を低背化することが可能となる。また、受信回路の受信感度に大きく影響する受信低雑音増幅器２１および２２の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０が複数配置されるので、受信回路の受信感度の劣化を抑制できる。

外部接続端子１５０は、図２Ａおよび２Ｂに示すように、樹脂部材９３をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、送信電力増幅器１１および１２は、主面９１ａに実装されている。

送信電力増幅器１１および１２は、高周波モジュール１Ａが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させるには、送信電力増幅器１１および１２の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ｂに実装した場合、送信電力増幅器１１および１２に接続される電極配線は主面９１ｂ上に配置される。このため、放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。

これに対して、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ａに実装した場合、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通する貫通電極を介して、送信電力増幅器１１および１２と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、送信電力増幅器１１および１２の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、送信電力増幅器１１および１２からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１Ａを提供することが可能となる。

また、高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させる上記構成によれば、送信電力増幅器１１および１２とｚ軸方向に対向する主面９１ｂの領域には、放熱を目的とする外部接続端子などが配置されるため、回路部品の配置が制約される。一方、送信電力増幅器１１とスイッチ５１とを結ぶ送信経路には大電力の送信信号が流れるため、当該送信経路はできる限り短くすることが望ましい。この観点から、送信電力増幅器１１とスイッチ５１とは、モジュール基板９１を挟んで対向するように配置されることが望ましいが、上記制約により、スイッチ５１を送信電力増幅器１１と対向するように配置することは困難である。よって、スイッチ５１を、送信電力増幅器１１が実装される主面９１ａに、送信電力増幅器１１と隣り合うように実装することが望ましい。

また、モジュール基板９１を平面視した場合に、主面９１ｂに実装されたスイッチ５３と、主面９１ａに実装された送信電力増幅器１１とは重複せず、かつ、主面９１ａに実装されたスイッチ５１と主面９１ｂに実装されたスイッチ５３とは重複しない、ことが望ましい。

これにより、受信経路に配置されたスイッチ５３と送信電力増幅器１１とが、モジュール基板９１を挟んで配置されるだけでなく、スイッチ５３と送信電力増幅器１１との距離を大きく確保できる。また、受信経路に配置されたスイッチ５３と送信経路に配置されたスイッチ５１とが、モジュール基板９１を挟んで配置されるだけでなく、スイッチ５３とスイッチ５１との距離を大きく確保できる。これにより、送信回路と受信回路とのアイソレーションがより一層向上するので、送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路に流入し、受信感度を低下させてしまうことをより一層抑制できる。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、主面９１ａに実装された整合回路４１のインダクタと主面９１ｂに実装されたスイッチ５３とは重複していることが望ましい。これにより、整合回路４１のインダクタとスイッチ５３とがモジュール基板９１を介して対向しているので、整合回路４１のインダクタとスイッチ５３とを結ぶ配線長を短くできる。よって、受信経路における伝送損失を低減できる。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、主面９１ａに実装されたデュプレクサ６１（または受信フィルタ６１Ｒ）および６２（または受信フィルタ６２Ｒ）の少なくとも一方と、主面９１ｂに実装されたスイッチ５３とは重複していることが望ましい。これにより、デュプレクサ６１および６２の少なくとも一方とスイッチ５３とがモジュール基板９１を介して対向しているので、デュプレクサ６１および６２の少なくとも一方とスイッチ５３とを結ぶ配線長を短くできる。よって、受信経路における伝送損失を低減できる。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、送信電力増幅器１１、スイッチ５１、デュプレクサ６１（または送信フィルタ６１Ｔ）または６２（または送信フィルタ６２Ｔ）の順で、主面９１ａ上に配置されていることが望ましい。これによれば、電気的な接続順序と同じ順序で、送信電力増幅器１１、スイッチ５１、デュプレクサ６１または６２が、主面９１ａ上に配置されることとなる。これにより、送信電力増幅器１１、スイッチ５１、デュプレクサ６１または６２を結ぶ配線長を短くできる。よって、送信経路における伝送損失を低減できる。

なお、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびにスイッチ５３、５４および５５は、１つの半導体ＩＣ１０に内蔵されていてもよい。これにより、主面９１ｂ側のｚ軸方向の高さを低減でき、また主面９１ｂの部品実装面積を小さくできる。よって、高周波モジュール１Ａを小型化できる。

［３．変形例１に係る高周波モジュール１Ｃの回路素子配置構成］
図２Ｃは、変形例１に係る高周波モジュール１Ｃの平面構成概略図である。なお、図２Ｃの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ｃの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

変形例１に係る高周波モジュール１Ｃは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

本変形例に係る高周波モジュール１Ｃは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、高周波モジュール１Ｃを構成する回路素子の配置構成のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

図２Ｃに示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃでは、送信電力増幅器１１および１２、スイッチ５１および５２、デュプレクサ６１〜６４、整合回路３１、３２、４１および４２は、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５３、５４、および５５は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、整合回路７１〜７４、ならびに、カプラ８０は、図２Ｃには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。

本変形例では、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびにスイッチ５３、５４および５５は、受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。一方、スイッチ５１および５２は主面９１ａに実装されている。

上記構成によれば、スイッチ５１および５２と第１回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。これにより、送信電力増幅器１１および１２から出力された大電力の通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が送信経路ＡＴ〜ＤＴを伝送する際に、スイッチ５１または５２と受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された回路部品とが電界結合、磁界結合または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

また、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃでは、モジュール基板９１の主面９１ｂ側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。アンテナ接続端子１００は、複数の外部接続端子１５０のうちの１つで構成されており、モジュール基板９１を挟んでダイプレクサ６０と対向する位置に形成されている。この配置により、アンテナ接続端子１００とダイプレクサ６０とを結ぶ配線長を短くできるので、高周波モジュール１Ｃを伝送する送受信信号の伝送損失を低減できる。送信入力端子１１１および１１２は、複数の外部接続端子１５０のうちの２つで構成されており、モジュール基板９１を挟んで送信電力増幅器１１および１２と対向する位置に形成されている。この配置により、送信入力端子１１１と送信電力増幅器１１とを結ぶ配線長を短くでき、送信入力端子１１２と送信電力増幅器１２とを結ぶ配線長を短くできるので、高周波モジュール１Ｃを伝送する送信信号の伝送損失を低減できる。受信出力端子１２１および１２２は、複数の外部接続端子１５０のうちの２つで構成されており、主面９１ｂにて受信低雑音増幅器２１および２２と隣り合う位置に形成されている。この配置により、受信出力端子１２１と受信低雑音増幅器２１とを結ぶ配線長を短くでき、受信出力端子１２２と受信低雑音増幅器２２とを結ぶ配線長を短くできるので、高周波モジュール１Ｃを伝送する受信信号の伝送損失を低減できる。

［４．変形例２に係る高周波モジュール１Ｄの回路素子配置構成］
図２Ｄは、変形例２に係る高周波モジュール１Ｄの平面構成概略図である。なお、図２Ｄの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ｄの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

変形例２に係る高周波モジュール１Ｄは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、変形例１に係る高周波モジュール１Ｃと比較して、整合回路４１および４２の配置構成のみが異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｄについて、変形例１に係る高周波モジュール１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

図２Ｄに示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｄでは、送信電力増幅器１１および１２、スイッチ５１および５２、デュプレクサ６１〜６４、整合回路３１および３２、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２、整合回路４１および４２、ならびにスイッチ５３、５４、および５５は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。

本変形例では、受信低雑音増幅器２１および２２、整合回路４１および４２、ならびにスイッチ５３、５４および５５は、受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。一方、スイッチ５１および５２は主面９１ａに実装されている。

上記構成によれば、通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

［５．変形例３に係る高周波モジュール１Ｅの回路素子配置構成］
図２Ｅは、変形例３に係る高周波モジュール１Ｅの平面構成概略図である。なお、図２Ｅの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ｅの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

変形例３に係る高周波モジュール１Ｅは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

本変形例に係る高周波モジュール１Ｅは、変形例１に係る高周波モジュール１Ｃと比較して、ダイプレクサ６０の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｅについて、変形例１に係る高周波モジュール１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

図２Ｅに示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｅでは、送信電力増幅器１１および１２、スイッチ５１および５２、デュプレクサ６１〜６４、ならびに整合回路３１、３２、４１および４２は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５３、５４、および５５、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。

本変形例では、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５３、５４、および５５、ならびにダイプレクサ６０は、受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。一方、スイッチ５１および５２は主面９１ａに実装されている。

上記構成によれば、通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

［６．変形例４に係る高周波モジュール１Ｆの回路素子配置構成］
図２Ｆは、変形例４に係る高周波モジュール１Ｆの平面構成概略図である。なお、図２Ｆの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ｆの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

変形例４に係る高周波モジュール１Ｆは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

本変形例に係る高周波モジュール１Ｆは、変形例１に係る高周波モジュール１Ｃと比較して、スイッチ５３、５３および５５の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆについて、変形例１に係る高周波モジュール１Ｃと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

図２Ｆに示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆでは、送信電力増幅器１１および１２、スイッチ５１〜５５、デュプレクサ６１〜６４、整合回路３１、３２、４１および４２、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。

本変形例では、受信低雑音増幅器２１および２２は、受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。一方、スイッチ５１および５２は主面９１ａに実装されている。

上記構成によれば、通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

［７．実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの回路素子配置構成］
図３Ａは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの平面構成概略図である。また、図３Ｂは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの断面構成概略図であり、具体的には、図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。なお、図３Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図３Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

実施例２に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

本実施例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、高周波モジュール１Ｂを構成する回路素子の配置構成のみが異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第２主面）および主面９１ｂ（第１主面）を有する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有するＬＴＣＣ基板、ＨＴＣＣ基板、部品内蔵基板、ＲＤＬを有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

図３Ａおよび図３Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂでは、送信電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６１〜６４、整合回路３１、３２、４１および４２は、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５１、５２、５３、５４、および５５は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、整合回路７１〜７４、ならびに、カプラ８０は、図３Ａおよび図３Ｂには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。

本実施例では、整合回路４１のインダクタおよびダイプレクサ６０は、受信経路ＡＲおよびＢＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ａに実装されている。一方、スイッチ５１は主面９１ｂに実装されている。つまり、スイッチ５１と第１回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。

上記構成によれば、モジュール基板９１の主面９１ｂ上にスイッチ５１が配置され、主面９１ａ上に受信経路ＡＲおよびＢＲに配置された第１回路部品が配置されている。これにより、送信電力増幅器１１から出力された大電力の通信バンドＡまたはＢの送信信号が送信経路ＡＴまたはＢＴを伝送する際に、スイッチ５１と受信経路ＡＲまたはＢＲとが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡまたはＢの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔまたは６２Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲまたはＢＲに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

さらに、上記構成によれば、モジュール基板９１の主面９１ｂ上にスイッチ５２が配置され、主面９１ａ上に、整合回路４２のインダクタが配置されている。これにより、送信電力増幅器１１から出力された大電力の通信バンドＡもしくはＢの送信信号、または、送信電力増幅器１２から出力された大電力の通信バンドＣもしくはＤの送信信号が、送信経路ＡＴ、ＢＴ、ＣＴ、またはＤＴを伝送する際に、スイッチ５１および５２の少なくとも１つと受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つとが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ、Ｂ、ＣまたはＤの送信信号が受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つに流入することを抑制できる。よって、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲの少なくとも１つに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂでは、スイッチ５１および５２が主面９１ｂに配置され、主面９１ａ上に、整合回路４１および４２のインダクタ、ならびに、ダイプレクサ６０が配置されているが、これに限られない。

本発明に係る高周波モジュールは、主面９１ｂに、スイッチ５１および５２の少なくとも１つが実装され、主面９１ａに、以下に列挙された回路部品の少なくとも１つ（第１回路部品）が実装されていればよい。すなわち、第１回路部品としては、
（１）整合回路４１のインダクタまたは整合回路４２のインダクタ、および、
（２）ダイプレクサ６０、
の少なくとも１つであればよい。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、主面９１ａに実装された整合回路４１のインダクタと主面９１ｂに実装されたスイッチ５３とは重複していることが望ましい。これにより、整合回路４１のインダクタとスイッチ５３とがモジュール基板９１を介して対向しているので、整合回路４１のインダクタとスイッチ５３とを結ぶ配線長を短くできる。よって、受信経路における伝送損失を低減できる。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂに示すように、モジュール基板９１を平面視した場合に、主面９１ａに実装されたデュプレクサ６１（または受信フィルタ６１Ｒ）および６２（または受信フィルタ６２Ｒ）の少なくとも一方と主面９１ｂに実装されたスイッチ５３とは重複していることが望ましい。これにより、デュプレクサ６１および６２の少なくとも一方とスイッチ５３とがモジュール基板９１を介して対向しているので、デュプレクサ６１および６２の少なくとも一方とスイッチ５３とを結ぶ配線長を短くできる。よって、受信経路における伝送損失を低減できる。

なお、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびにスイッチ５３、５４および５５は、１つの半導体ＩＣ１０に内蔵されていてもよい。さらに、スイッチ５１および５２が半導体ＩＣ１０に内蔵されていてもよい。これにより、主面９１ｂ側のｚ軸方向の高さを低減でき、また主面９１ｂの部品実装面積を小さくできる。よって、高周波モジュール１Ｂを小型化できる。

［８．実施例３に係る高周波モジュール１Ｇおよび通信装置５Ｇの回路構成］
図４は、実施例３に係る高周波モジュール１Ｇおよび通信装置５Ｇの回路構成図である。同図に示すように、通信装置５Ｇは、高周波モジュール１Ｇと、アンテナ接続端子１００と、アンテナ２と、送信出力整合回路３０と、送信電力増幅器１１および１２と、送信入力端子１１１および１１２と、ダイプレクサ６０と、カプラ８０と、スイッチ５６と、カプラ出力端子１８０と、ＲＦＩＣ３と、ＢＢＩＣ４と、を備える。同図に示された通信装置５Ｇは、実施の形態に係る通信装置５と比較して、高周波モジュール１Ｇの回路構成が異なる。以下、通信装置５Ｇについて、高周波モジュール１Ｇの回路構成を中心に説明する。

図４に示すように、高周波モジュール１Ｇは、信号入出力端子１３０（入出力端子）と、受信低雑音増幅器２１および２２と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔおよび６４Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒおよび６４Ｒと、受信入力整合回路４０と、整合回路７１、７２、７３および７４と、スイッチ５１、５２、５３、５４、および５５と、を備える。本実施例に係る高周波モジュール１Ｇは、実施の形態に係る高周波モジュール１と比較して、送信出力整合回路３０、送信電力増幅器１１および１２、ダイプレクサ６０、カプラ８０、ならびにスイッチ５６を備えていない点が異なる。つまり、高周波モジュール１Ｇは、主として、送信電力増幅器１１および１２を備えていない高周波モジュールである。

信号入力端子１３１は、送信入力端子の一例であり、整合回路３１を介して送信電力増幅器１１の出力端子に接続されている。信号入力端子１３２は、送信入力端子の一例であり、整合回路３２を介して送信電力増幅器１２の出力端子に接続されている。

スイッチ５１は、第１スイッチの一例であり、共通端子、第１選択端子および第２選択端子を有する。スイッチ５１の共通端子は、信号入力端子１３１に接続されている。スイッチ５１の第１選択端子は送信経路ＡＴの一端に接続され、スイッチ５１の第２選択端子は送信経路ＢＴの一端に接続されている。この接続構成において、スイッチ５１は、共通端子と第１選択端子との接続、および、共通端子と第２選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５１は、信号入力端子１３１と送信経路ＡＴとの接続、および、信号入力端子１３１と送信経路ＢＴとの接続、を切り替える。また、スイッチ５１の第１選択端子は送信フィルタ６１Ｔに接続され、スイッチ５１の第２選択端子は送信フィルタ６２Ｔに接続されている。つまり、スイッチ５１は、信号入力端子１３１と送信フィルタ６１Ｔとの接続、および、信号入力端子１３１と送信フィルタ６２Ｔとの接続、を切り替える。スイッチ５１は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５２は、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５２の共通端子は、信号入力端子１３２に接続されている。スイッチ５２の一方の選択端子は送信経路ＣＴの一端に接続され、スイッチ５２の他方の選択端子は送信経路ＤＴの一端に接続されている。この接続構成において、スイッチ５２は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５２は、信号入力端子１３２と送信経路ＣＴとの接続、および、信号入力端子１３２と送信経路ＤＴとの接続、を切り替える。スイッチ５２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

［９．実施例３に係る高周波モジュール１Ｇの回路素子配置構成］
図５は、実施例３に係る高周波モジュール１Ｇの平面構成概略図である。なお、図５の（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図５の（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

本実施例に係る高周波モジュール１Ｇは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、整合回路３１および３２、ならびに送信電力増幅器１１および１２を備えていない点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｇの回路素子配置構成について、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成異なる点を中心に説明する。

図５に示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｇでは、デュプレクサ６１〜６４、スイッチ５１および５２、整合回路３１、３２、４１および４２は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、受信低雑音増幅器２１および２２、スイッチ５３、５４および５５、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、ダイプレクサ６０は、高周波モジュール１Ｇの構成要素ではないが、図５のように、モジュール基板９１の主面に配置されていてもよい。また、整合回路７１〜７４は、図５には図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。

本実施例では、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびにスイッチ５３、５４および５５は、受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。一方、スイッチ５１および５２は主面９１ａに実装されている。

上記構成によれば、スイッチ５１および５２と第１回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。これにより、信号入力端子１３１および１３２から入力された大電力の通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が送信経路ＡＴ〜ＤＴを伝送する際に、スイッチ５１または５２と受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された回路部品とが電界結合、磁界結合または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、信号入力端子１３１から入力された送信信号と信号入力端子１３２から入力された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

［１０．実施例４に係る高周波モジュール１Ｈおよび通信装置５Ｈの回路構成］
図６は、実施例４に係る高周波モジュール１Ｈおよび通信装置５Ｈの回路構成図である。同図に示すように、通信装置５Ｈは、高周波モジュール１Ｈと、アンテナ接続端子１００と、アンテナ２と、送信出力整合回路３０と、送信電力増幅器１１および１２と、送信入力端子１１１および１１２と、受信入力整合回路４０と、受信低雑音増幅器２１および２２と、受信出力端子１２１および１２２と、ダイプレクサ６０と、カプラ８０と、スイッチ５６と、カプラ出力端子１８０と、ＲＦＩＣ３と、ＢＢＩＣ４と、を備える。同図に示された通信装置５Ｈは、実施例３に係る通信装置５Ｇと比較して、高周波モジュール１Ｈの回路構成が異なる。以下、通信装置５Ｈについて、高周波モジュール１Ｈの回路構成を中心に説明する。

図６に示すように、高周波モジュール１Ｈは、信号入出力端子１３０（入出力端子）、と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔおよび６４Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒおよび６４Ｒと、整合回路７１、７２、７３および７４と、スイッチ５１、５２、５３、５４、および５５と、を備える。本実施例に係る高周波モジュール１Ｈは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｇと比較して、受信入力整合回路４０、ならびに受信低雑音増幅器２１および２２を備えていない点が異なる。つまり、高周波モジュール１Ｈは、主として、送信電力増幅器１１および１２、ならびに受信低雑音増幅器２１および２２を備えていない高周波モジュールである。

信号出力端子１４１は、受信出力端子の一例であり、整合回路４１を介して受信低雑音増幅器２１の入力端子に接続されている。信号出力端子１４２は、受信出力端子の一例であり、整合回路４２を介して受信低雑音増幅器２２の入力端子に接続されている。

スイッチ５３は、第２スイッチの一例であり、共通端子、第３選択端子および第４選択端子を有する。スイッチ５３の共通端子は、信号出力端子１４１に接続されている。スイッチ５３の第３選択端子は受信経路ＡＲに配置された受信フィルタ６１Ｒに接続され、スイッチ５３の第４選択端子は受信経路ＢＲに配置された受信フィルタ６２Ｒに接続されている。この接続構成において、スイッチ５３は、共通端子と第３選択端子との接続および非接続を切り替え、共通端子と第４選択端子との接続および非接続を切り替える。つまり、スイッチ５３は、信号出力端子１４１と受信経路ＡＲとの接続および非接続を切り替え、信号出力端子１４１と受信経路ＢＲとの接続および非接続を切り替える。スイッチ５３は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５４は、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５４の共通端子は、信号出力端子１４２に接続されている。スイッチ５４の一方の選択端子は受信経路ＣＲに配置された受信フィルタ６３Ｒに接続され、スイッチ５４の他方の選択端子は受信経路ＤＲに配置された受信フィルタ６４Ｒに接続されている。この接続構成において、スイッチ５４は、共通端子と一方の選択端子との接続および非接続を切り替え、共通端子と他方の選択端子との接続および非接続を切り替える。つまり、スイッチ５４は、信号出力端子１４２と受信経路ＣＲとの接続および非接続を切り替え、信号出力端子１４２と受信経路ＤＲとの接続および非接続を切り替える。スイッチ５４は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

［１１．実施例４に係る高周波モジュール１Ｈの回路素子配置構成］
図７Ａは、実施例４に係る高周波モジュール１Ｈの平面構成概略図である。なお、図７Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図７Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

本実施例に係る高周波モジュール１Ｈは、実施例３に係る高周波モジュール１Ｇと比較して、受信低雑音増幅器２１および２２を備えていない点が異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｈの回路素子配置構成について、実施例３に係る高周波モジュール１Ｇの回路素子配置構成異なる点を中心に説明する。

図７Ａに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｈでは、デュプレクサ６１〜６４、スイッチ５１および５２、整合回路４１および４２、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、スイッチ５３、５４および５５は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、ダイプレクサ６０、整合回路４１および４２は、高周波モジュール１Ｈの構成要素ではないが、図７Ａのように、モジュール基板９１の主面に配置されていてもよい。また、整合回路７１〜７４は、図７Ａには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。

本実施例では、スイッチ５３、５４および５５は、受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。一方、スイッチ５１および５２は主面９１ａに実装されている。

上記構成によれば、スイッチ５１および５２と第１回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。これにより、信号入力端子１３１および１３２から入力された大電力の通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が送信経路ＡＴ〜ＤＴを伝送する際に、スイッチ５１または５２と受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された回路部品とが電界結合、磁界結合または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、信号入力端子１３１から入力された送信信号と信号入力端子１３２から入力された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

［１２．変形例５に係る高周波モジュール１Ｊの回路素子配置構成］
図７Ｂは、変形例５に係る高周波モジュール１Ｊの平面構成概略図である。なお、図７Ｂの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図７Ｂの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

本変形例に係る高周波モジュール１Ｊは、実施例４に係る高周波モジュール１Ｈと比較して、スイッチ５１および５２の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｊの回路素子配置構成について、実施例４に係る高周波モジュール１Ｈの回路素子配置構成異なる点を中心に説明する。

図７Ｂに示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｊでは、デュプレクサ６１〜６４、整合回路４１および４２、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、スイッチ５１、５２、５３、５４および５５は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、ダイプレクサ６０、整合回路４１および４２は、高周波モジュール１Ｊの構成要素ではないが、図７Ｂのように、モジュール基板９１の主面に配置されていてもよい。また、整合回路７１〜７４は、図７Ｂには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。

本実施例では、デュプレクサ６１〜６４、整合回路４１および４２、ならびにダイプレクサ６０は、受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ａに実装されている。一方、スイッチ５１および５２は主面９１ｂに実装されている。

上記構成によれば、スイッチ５１および５２と第１回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。これにより、信号入力端子１３１および１３２から入力された大電力の通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が送信経路ＡＴ〜ＤＴを伝送する際に、スイッチ５１または５２と受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された回路部品とが電界結合、磁界結合または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、信号入力端子１３１から入力された送信信号と信号入力端子１３２から入力された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

［１３．変形例６に係る高周波モジュール１Ｋの回路素子配置構成］
図７Ｃは、変形例６に係る高周波モジュール１Ｋの平面構成概略図である。なお、図７Ｃの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図７Ｃの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

本変形例に係る高周波モジュール１Ｋは、実施例４に係る高周波モジュール１Ｈと比較して、ダイプレクサ６０の配置構成が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｋの回路素子配置構成について、実施例４に係る高周波モジュール１Ｈの回路素子配置構成異なる点を中心に説明する。

図７Ｃに示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｋでは、スイッチ５１および５２、デュプレクサ６１〜６４、ならびに整合回路４１および４２は、モジュール基板９１の主面９１ａに表面実装されている。一方、スイッチ５３、５４および５５、ならびにダイプレクサ６０は、モジュール基板９１の主面９１ｂに表面実装されている。なお、ダイプレクサ６０、整合回路４１および４２は、高周波モジュール１Ｋの構成要素ではないが、図７Ｃのように、モジュール基板９１の主面に配置されていてもよい。また、整合回路７１〜７４は、図７Ｃには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。

本変形例では、、スイッチ５３、５４および５５、ならびにダイプレクサ６０は、受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された第１回路部品であり、主面９１ｂに実装されている。一方、スイッチ５１および５２は主面９１ａに実装されている。

上記構成によれば、スイッチ５１および５２と第１回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。これにより、信号入力端子１３１および１３２から入力された大電力の通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が送信経路ＡＴ〜ＤＴを伝送する際に、スイッチ５１または５２と受信経路ＡＲ〜ＤＲに配置された回路部品とが電界結合、磁界結合または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡ〜Ｄの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１および５２の非線形作用により発生する高調波、さらには、信号入力端子１３１から入力された送信信号と信号入力端子１３２から入力された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲ〜ＤＲのいずれかに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

［１４．効果など］
以上、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、送信入力端子１１１と、受信出力端子１２１と、アンテナ接続端子１００と、送信入力端子１１１と接続される第１共通送信経路に接続された共通端子と、アンテナ接続端子１００と接続される送信経路ＡＴに接続された第１選択端子と、アンテナ接続端子１００と接続される送信経路ＢＴに接続された第２選択端子とを有し、かつ、上記共通端子と第１選択端子との接続、および、上記共通端子と第２選択端子との接続を切り替えるスイッチ５１と、第１共通送信経路に配置された送信電力増幅器１１と、受信出力端子１２１およびアンテナ接続端子１００に接続される受信経路ＡＲまたはＢＲに配置された第１回路部品と、を備え、送信経路ＡＴは通信バンドＡの送信信号を伝送する信号経路であり、送信経路ＢＴは通信バンドＢの送信信号を伝送する信号経路であり、スイッチ５１は主面９１ａに配置されており、第１回路部品のうち少なくとも１つは主面９１ｂに配置されている。

これにより、送信電力増幅器１１から出力された大電力の通信バンドＡまたはＢの送信信号が送信経路ＡＴまたはＢＴを伝送する際に、スイッチ５１と受信経路ＡＲまたはＢＲとが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡまたはＢの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔまたは６２Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路ＡＲまたはＢＲに流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

また、第１回路部品は、（１）受信低雑音増幅器２１、（２）受信低雑音増幅器２１の入力端子に接続された整合回路４１のインダクタ、（３）受信経路ＡＲおよびＢＲと受信低雑音増幅器２１との接続および非接続を切り替えるスイッチ５３、（４）受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、デュプレクサ６１、またはデュプレクサ６２、（５）インダクタおよびキャパシタの少なくとも一方で構成されたフィルタ６０Ｌ、ならびに、（６）アンテナ接続端子１００またはフィルタ６０Ｌに接続され、アンテナ接続端子１００と送信経路ＡＴとの接続、アンテナ接続端子１００と送信経路ＢＴとの接続、アンテナ接続端子１００と受信経路ＡＲとの接続、およびアンテナ接続端子１００と受信経路ＢＲとの接続、を切り替えるスイッチ５５、の少なくとも１つであってもよい。

また、主面９１ｂには、外部基板と接続される外部接続端子１５０が配置されていてもよい。

これによれば、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が容易な受信系の回路部品が配置されるので、高周波モジュール１全体を低背化することが可能となる。また、受信感度に大きく影響する受信系の回路部品の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０が複数配置されるので、受信回路の受信感度の劣化を抑制できる。

また、送信電力増幅器１１は、主面９１ａに配置されていてもよい。

これにより、送信電力増幅器１１の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きい平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、送信電力増幅器１１からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１を提供することが可能となる。

また、さらに、受信低雑音増幅器２１を備え、上記第１回路部品は、受信経路ＡＲおよびＢＲと受信低雑音増幅器２１との接続および非接続を切り替えるスイッチ５３であり、主面９１ｂにはスイッチ５３が配置されており、モジュール基板９１を平面視した場合に、スイッチ５３と送信電力増幅器１１とは重複せず、かつ、スイッチ５１とスイッチ５３とは重複しない、ことが望ましい。

これにより、受信経路に配置されたスイッチ５３と送信電力増幅器１１とが、モジュール基板９１を挟んで対向するだけでなく、スイッチ５３と送信電力増幅器１１との距離を大きく確保できる。また、受信経路に配置されたスイッチ５３と送信経路に配置されたスイッチ５１とが、モジュール基板９１を挟んで対向するだけでなく、スイッチ５３とスイッチ５１との距離を大きく確保できる。これにより、送信回路と受信回路とのアイソレーションがより一層向上するので、送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路に流入し、受信感度を低下させてしまうことをより一層抑制できる。

また、さらに、受信低雑音増幅器２１と、（１）受信低雑音増幅器２１の入力端子に接続された整合回路４１のインダクタ、ならびに、（２）受信フィルタ６１Ｒまたはデュプレクサ６１、の少なくとも一方と、を備え、上記第１回路部品は、受信経路ＡＲおよびＢＲと受信低雑音増幅器２１との接続および非接続を切り替えるスイッチ５３であり、主面９１ａには（１）整合回路４１のインダクタ、ならびに、（２）受信フィルタ６１Ｒまたはデュプレクサ６１、の上記少なくとも一方が配置されており、主面９１ｂにはスイッチ５３が配置されており、モジュール基板９１を平面視した場合に、受信フィルタ６１Ｒまたはデュプレクサ６１と、スイッチ５３とは重複している、ことが望ましい。

これにより、受信フィルタ６１Ｒまたはデュプレクサ６１とスイッチ５３とがモジュール基板９１を介して対向している。このため、受信フィルタ６１Ｒまたはデュプレクサ６１とスイッチ５３とを結ぶ配線長、を短くできる。よって、受信経路における伝送損失を低減できる。

また、さらに、スイッチ５１と接続された送信フィルタ６１Ｔまたはデュプレクサ６１を備え、主面９１ａには、送信フィルタ６１Ｔまたはデュプレクサ６１が実装されており、モジュール基板９１を平面視した場合、送信電力増幅器１１、スイッチ５１、送信フィルタ６１Ｔまたはデュプレクサ６１の順で、主面９１ａ上に配置されていることが望ましい。

これにより、電気的な接続順序と同じ順序で、送信電力増幅器１１、スイッチ５１、送信フィルタ６１Ｔまたはデュプレクサ６１が主面９１ａ上に配置されているので、送信電力増幅器１１、スイッチ５１、送信フィルタ６１Ｔまたはデュプレクサ６１を結ぶ配線長を短くできる。よって、送信経路における伝送損失を低減できる。

また、さらに、受信低雑音増幅器２１を備え、上記第１回路部品は、（１）受信低雑音増幅器２１の入力端子に接続された整合回路４１のインダクタ、および、（２）フィルタ６０Ｌ、の少なくとも一方であり、主面９１ｂには外部接続端子１５０が配置されており、主面９１ｂにはスイッチ５１が配置されており、主面９１ａには（１）整合回路４１のインダクタ、および、（２）フィルタ６０Ｌ、の上記少なくとも一方が配置されていてもよい。

これにより、送信電力増幅器１１から出力された大電力の通信バンドＡまたはＢの送信信号が送信経路ＡＴまたはＢＴを伝送する際に、スイッチ５１と受信経路ＡＲまたはＢＲとが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、通信バンドＡまたはＢの送信信号が、送信フィルタ６１Ｔまたは６２Ｔ、および、スイッチ５５を経由せずに、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入することを抑制できる。また、スイッチ５１の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、受信経路ＡＲまたはＢＲに流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、受信感度の低下を抑制できる。

また、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、送信入力端子１１１と、受信出力端子１２１と、アンテナ接続端子１００と、送信入力端子１１１に接続された送信電力増幅器１１と、アンテナ接続端子１００に接続された送信フィルタ６１Ｔと、アンテナ接続端子１００に接続された送信フィルタ６２Ｔと、送信電力増幅器１１の出力端子に接続された共通端子、送信フィルタ６１Ｔに接続された第１選択端子、および、送信フィルタ６２Ｔに接続された第２選択端子を有し、かつ、上記共通端子と第１選択端子との接続、および、上記共通端子と第２選択端子との接続を切り替えるスイッチ５１と、受信出力端子１２１およびアンテナ接続端子１００に接続された第１回路部品と、を備え、スイッチ５１は主面９１ａに配置されており、第１回路部品のうち少なくとも１つは主面９１ｂに配置されている。

これにより、送信電力増幅器１１から出力された大電力の送信信号が送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔが配置された送信経路を伝送する際に、スイッチ５１と上記第１回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、上記送信信号またはその高調波が、送信フィルタ６１Ｔまたは６２Ｔなどの送信経路に配置された回路部品を経由せずに、第１回路部品に流入することを抑制できる。また、スイッチ５１の非線形作用により発生する高調波、さらには、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号と送信電力増幅器１２で増幅された送信信号との相互変調歪の不要波が、第１回路部品に流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路に流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

また、アンテナ接続端子１００に接続された第１共通端子と、第１共通端子に接続された送信フィルタ６１Ｔと、第１共通端子に接続された受信フィルタ６１Ｒと、を有するデュプレクサ６１と、アンテナ接続端子１００に接続された第２共通端子と、第２共通端子に接続された送信フィルタ６２Ｔと、第２共通端子に接続された受信フィルタ６２Ｒと、を有するデュプレクサ６２と、を備え、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒは、上記第１回路部品であってもよい。

これにより、送信電力増幅器１１から出力された大電力の送信信号が送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔが配置された送信経路を伝送する際に、スイッチ５１と上記第１回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路に流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

また、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ｇは、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、信号入力端子１３１と、受信出力端子１２１と、アンテナ接続端子１００と、アンテナ接続端子１００に接続された送信フィルタ６１Ｔと、アンテナ接続端子１００に接続された送信フィルタ６２Ｔと、信号入力端子１３１に接続された共通端子、送信フィルタ６１Ｔに接続された第１選択端子、および、送信フィルタ６２Ｔに接続された第２選択端子を有し、かつ、上記共通端子と第１選択端子との接続、および、上記共通端子と第２選択端子との接続を切り替えるスイッチ５１と、受信出力端子１２１およびアンテナ接続端子１００に接続される受信経路ＡＲまたはＢＲに配置された第１回路部品と、を備え、スイッチ５１は主面９１ａに配置されており、第１回路部品のうち少なくとも１つは主面９１ｂに配置されている。

これによれば、スイッチ５１と第１回路部品とが、モジュール基板９１を挟んで配置されている。これにより、信号入力端子１３１から入力された大電力の送信信号が送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔが配置された送信経路を伝送する際に、スイッチ５１と上記第１回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。このため、上記送信信号またはその高調波が、送信フィルタ６１Ｔまたは６２Ｔなどの送信経路に配置された回路部品を経由せずに、第１回路部品に流入することを抑制できる。また、スイッチ５１の非線形作用により発生する高調波、さらには、信号入力端子１３１から入力された送信信号と信号入力端子１３２から入力された送信信号との相互変調歪の不要波が、第１回路部品に流入することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路に流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

また、アンテナ接続端子１００に接続された第１共通端子と、第１共通端子に接続された送信フィルタ６１Ｔと、第１共通端子に接続された受信フィルタ６１Ｒと、を有するデュプレクサ６１と、アンテナ接続端子１００に接続された第２共通端子と、第２共通端子に接続された送信フィルタ６２Ｔと、第２共通端子に接続された受信フィルタ６２Ｒと、を有するデュプレクサ６２と、を備え、受信フィルタ６１Ｒおよび６２Ｒは、上記第１回路部品であってもよい。

これにより、信号入力端子１３１から出力された大電力の送信信号が送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔが配置された送信経路を伝送する際に、スイッチ５１と上記第１回路部品とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できる。よって、送信回路と受信回路とのアイソレーションが向上するので、上記送信信号、高調波、および相互変調歪の不要波が受信経路に流入し、受信感度を低下させてしまうことを抑制できる。

また、通信装置５は、アンテナ２と、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

これにより、受信感度の劣化が抑制された通信装置５を提供することが可能となる。

（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および実施例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

例えば、上記実施の形態およびその実施例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。

本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｊ、１Ｋ 高周波モジュール
２ アンテナ
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４ ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
５、５Ｇ、５Ｈ 通信装置
１１、１２ 送信電力増幅器
２１、２２ 受信低雑音増幅器
３０ 送信出力整合回路
３１、３２、４１、４２、７１、７２、７３、７４ 整合回路
４０ 受信入力整合回路
５１、５２、５３、５４、５５、５６ スイッチ
６０ ダイプレクサ
６０Ｈ、６０Ｌ フィルタ
６１、６２、６３、６４ デュプレクサ
６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ、６４Ｒ 受信フィルタ
６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、６４Ｔ 送信フィルタ
８０ カプラ
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
９２、９３ 樹脂部材
１００ アンテナ接続端子
１１１、１１２ 送信入力端子
１２１、１２２ 受信出力端子
１３０ 信号入出力端子
１３１、１３２ 信号入力端子
１４１、１４２ 信号出力端子
１５０ 外部接続端子
１８０ カプラ出力端子

Claims (13)

1. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
   送信入力端子と、
   受信出力端子と、
   入出力端子と、
   前記送信入力端子と接続される共通送信経路に接続された共通端子と、前記入出力端子と接続される第１送信経路に接続された第１選択端子と、前記入出力端子と接続される第２送信経路に接続された第２選択端子とを有し、かつ、前記共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
   前記共通送信経路に配置された送信電力増幅器と、
   前記受信出力端子および前記入出力端子に接続される受信経路に配置された第１回路部品と、を備え、
   前記第１送信経路は、第１通信バンドの送信信号を伝送する信号経路であり、
   前記第２送信経路は、第２通信バンドの送信信号を伝送する信号経路であり、
   前記第１スイッチは、前記第１主面に配置されており、
   前記第１回路部品のうち少なくとも１つは、前記第２主面に配置されている、
   高周波モジュール。
2. 前記第１回路部品は、
   （１）受信低雑音増幅器、
   （２）前記受信低雑音増幅器の入力端子に接続されたインダクタ、
   （３）前記受信経路と前記受信低雑音増幅器との接続および非接続を切り替える第２スイッチ、
   （４）受信フィルタまたはデュプレクサ、
   （５）インダクタおよびキャパシタの少なくとも一方で構成されたＬＣフィルタ、ならびに、
   （６）前記入出力端子または前記ＬＣフィルタに接続され、前記第１送信経路と前記入出力端子との接続、前記第２送信経路と前記入出力端子との接続、および、前記受信経路と前記入出力端子との接続を切り替えるアンテナスイッチ、
   の少なくとも１つである、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記第２主面には、外部接続端子が配置されている、
   請求項１または２に記載の高周波モジュール。
4. 前記送信電力増幅器は、前記第１主面に実装されている、
   請求項３に記載の高周波モジュール。
5. さらに、受信低雑音増幅器を備え、
   前記第１回路部品は、前記受信経路と前記受信低雑音増幅器との接続および非接続を切り替える第２スイッチであり、
   前記第２主面には、前記第２スイッチが配置されており、
   前記モジュール基板を平面視した場合に、前記送信電力増幅器と前記第２スイッチとは重複せず、かつ、第１スイッチと前記第２スイッチとは重複しない、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
6. さらに、
   受信低雑音増幅器と、
   （１）前記受信低雑音増幅器の入力端子に接続されたインダクタ、および、（２）前記受信経路に配置された受信フィルタまたはデュプレクサ、の少なくとも一方と、を備え、
   前記第１回路部品は、前記受信低雑音増幅器と前記受信経路との接続および非接続を切り替える第２スイッチであり、
   前記第１主面には、前記インダクタ、および、前記受信フィルタまたは前記デュプレクサ、の前記少なくとも一方が配置されており、
   前記第２主面には、前記第２スイッチが配置されており、
   前記モジュール基板を平面視した場合に、前記受信フィルタまたは前記デュプレクサと前記第２スイッチとは重複している、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
7. さらに、
   前記第１スイッチと接続された送信フィルタまたはデュプレクサを備え、
   前記第１主面には、前記送信フィルタまたは前記デュプレクサが実装されており、
   前記第１主面を平面視した場合、前記送信電力増幅器、前記第１スイッチ、前記送信フィルタまたは前記デュプレクサの順で、前記第１主面上に配置されている、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
8. さらに、受信低雑音増幅器を備え、
   前記第１回路部品は、（１）前記受信低雑音増幅器の入力端子に接続されたインダクタ、ならびに、（２）前記入出力端子に接続されインダクタおよびキャパシタの少なくとも一方で構成されたＬＣフィルタ、の少なくとも一方であり、
   前記第１主面には、外部接続端子が配置されており、
   前記第２主面には、前記インダクタおよび前記ＬＣフィルタの前記少なくとも一方が配置されている、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
9. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
   送信入力端子と、
   受信出力端子と、
   入出力端子と、
   前記送信入力端子に接続された送信電力増幅器と、
   前記入出力端子に接続された第１送信フィルタと、
   前記入出力端子に接続された第２送信フィルタと、
   前記送信電力増幅器の出力端子に接続された共通端子、前記第１送信フィルタに接続された第１選択端子、および、前記第２送信フィルタに接続された第２選択端子を有し、かつ、前記共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
   前記受信出力端子および前記入出力端子に接続された第１回路部品と、を備え、
   前記第１スイッチは、前記第１主面に配置され、
   前記第１回路部品の少なくとも１つは、前記第２主面に配置されている、
   高周波モジュール。
10. 前記入出力端子に接続された第１共通端子と、前記第１共通端子に接続された前記第１送信フィルタと、前記第１共通端子に接続された第１受信フィルタと、を有する第１デュプレクサと、
    前記入出力端子に接続された第２共通端子と、前記第２共通端子に接続された前記第２送信フィルタと、前記第２共通端子に接続された第２受信フィルタと、を有する第２デュプレクサと、を備え、
    前記第１受信フィルタは、前記第１回路部品であり、
    前記第２受信フィルタは、前記第１回路部品である、
    請求項９に記載の高周波モジュール。
11. 互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
    送信入力端子と、
    受信出力端子と、
    入出力端子と、
    前記入出力端子に接続された第１送信フィルタと、
    前記入出力端子に接続された第２送信フィルタと、
    前記送信入力端子に接続された共通端子、前記第１送信フィルタに接続された第１選択端子、および、前記第２送信フィルタに接続された第２選択端子を有し、かつ、前記共通端子と前記第１選択端子との接続、および、前記共通端子と前記第２選択端子との接続を切り替える第１スイッチと、
    前記受信出力端子および前記入出力端子に接続された第１回路部品と、を備え、
    前記第１スイッチは、前記第１主面に配置され、
    前記第１回路部品の少なくとも１つは、前記第２主面に配置されている、
    高周波モジュール。
12. 前記入出力端子に接続された第１共通端子と、前記第１共通端子に接続された前記第１送信フィルタと、前記第１共通端子に接続された第１受信フィルタと、を有する第１デュプレクサと、
    前記入出力端子に接続された第２共通端子と、前記第２共通端子に接続された前記第２送信フィルタと、前記第２共通端子に接続された第２受信フィルタと、を有する第２デュプレクサと、を備え、
    前記第１受信フィルタは、前記第１回路部品であり、
    前記第２受信フィルタは、前記第１回路部品である、
    請求項１１に記載の高周波モジュール。
13. アンテナと、
    前記アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝送する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    通信装置。

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