KR20210034505A - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

Abstract

고주파 모듈(1)은 송신 입력 단자(111)와 접속되는 제 1 공통 송신 경로에 접속된 공통 단자와, 안테나 접속 단자(100)와 접속되는 송신 경로(AT)에 접속된 제 1 선택 단자와, 안테나 접속 단자(100)와 접속되는 송신 경로(BT)에 접속된 제 2 선택 단자를 갖고, 또한 상기 공통 단자와 제 1 선택 단자의 접속 및 상기 공통 단자와 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭하는 스위치(51)와, 제 1 공통 송신 경로에 배치된 송신 전력 증폭기(11)와, 수신 출력 단자(121) 및 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 수신 경로(AR 또는 BR)에 배치된 제 1 회로 부품을 구비하고, 송신 경로(AT)는 통신 밴드(A)의 송신 신호를 전송하고, 송신 경로(BT)는 통신 밴드(B)의 송신 신호를 전송하고, 스위치(51)는 주면(91a)에 배치되어 있고, 제 1 회로 부품 중 적어도 1개는 주면(91b)에 배치되어 있다.

Description

고주파 모듈 및 통신 장치{HIGH-FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE}

본 발명은 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.

휴대 전화 등의 이동체 통신 기기에서는 특히, 멀티밴드화의 진전에 따라, 고주파 프런트엔드 회로를 구성하는 회로 소자의 배치 구성이 복잡화되고 있다.

특허문헌 1에는 복수의 통신 밴드(주파수 대역)에 의한 캐리어 어그리게이션(CA)을 실행할 수 있는 프런트엔드 회로가 개시되어 있다. 구체적으로는 프런트엔드 회로는 제 1 전력 증폭기, CA 대상의 통신 밴드를 선택하는 제 1 밴드 선택 스위치, 각 통신 밴드에 대응한 복수의 듀플렉서, 및 안테나 스위치가 이 순서로 접속된 제 1 송신 경로와, 제 2 전력 증폭기, CA 대상의 통신 밴드를 선택하는 제 2 밴드 선택 스위치, 각 통신 밴드에 대응한 복수의 듀플렉서, 및 안테나 스위치가 이 순서로 접속된 제 2 송신 경로를 갖고 있다. 이것에 의해, 프런트엔드 회로는 제 1 송신 경로에 의한 제 1 통신 밴드의 송신 신호와 제 2 송신 경로에 의한 제 2 통신 밴드의 송신 신호를 동시에 송신하는 것이 가능하다.

미국특허출원공개 제2019/190548호 명세서

그러나, 특허문헌 1에 개시된 프런트엔드 회로를, 이동체 통신 기기 등의 소형의 프런트엔드 회로로서 1개의 고주파 모듈로 구성하는 경우, 전력 증폭기로부터 출력된 대전력의 송신 신호를 전송하는 제 1 밴드 선택 스위치 또는 제 2 밴드 선택 스위치가, 수신 경로에 배치된 회로 부품의 적어도 1개와 자계 결합, 전계 결합 또는 전자계 결합함으로써 상기 송신 신호, 상기 송신 신호의 고조파 또는 상호 변조 왜곡 등이 상기 수신 경로에 유입하여 상기 수신 경로의 수신 감도가 열화한다고 하는 문제가 발생한다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로서, 수신 감도의 열화가 억제된 고주파 모듈 및 그것을 구비한 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일형태에 따른 고주파 모듈은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 모듈 기판과, 송신 입력 단자와, 수신 출력 단자와, 입출력 단자와, 상기 송신 입력 단자와 접속되는 공통 송신 경로에 접속된 공통 단자와, 상기 입출력 단자와 접속되는 제 1 송신 경로에 접속된 제 1 선택 단자와, 상기 입출력 단자와 접속되는 제 2 송신 경로에 접속된 제 2 선택 단자를 갖고, 또한 상기 공통 단자와 상기 제 1 선택 단자의 접속 및 상기 공통 단자와 상기 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭하는 제 1 스위치와, 상기 공통 송신 경로에 배치된 송신 전력 증폭기와, 상기 수신 출력 단자 및 상기 입출력 단자에 접속되는 수신 경로에 배치된 제 1 회로 부품을 구비하고, 상기 제 1 송신 경로는 제 1 통신 밴드의 송신 신호를 전송하는 신호 경로이고, 상기 제 2 송신 경로는 제 2 통신 밴드의 송신 신호를 전송하는 신호 경로이고, 상기 제 1 스위치는 상기 제 1 주면에 배치되어 있고, 상기 제 1 회로 부품 중 적어도 1개는 상기 제 2 주면에 배치되어 있다.

본 발명에 의하면, 수신 감도의 열화가 억제된 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.

도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 2a는 실시예 1에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 2b는 실시예 1에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
도 2c는 변형예 1에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 2d는 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 2e는 변형예 3에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 2f는 변형예 4에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 3a는 실시예 2에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 3b는 실시예 2에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
도 4는 실시예 3에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 5는 실시예 3에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 6은 실시예 4에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 7a는 실시예 4에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 7b는 변형예 5에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 7c는 변형예 6에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.

이하, 본 발명의 실시형태 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태에 나타내는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이고, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다. 이하의 실시예 및 변형예에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타내는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지는 않다. 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 관해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략 또는 간략화하는 경우가 있다.

또한, 이하에 있어서, 평행 및 수직 등의 요소 사이의 관계성을 나타내는 용어 및 직사각형 형상 등의 요소의 형상을 나타내는 용어, 및 수치 범위는 엄격한 의미만을 나타내는 것이 아니고, 실질적으로 동등한 범위, 예를 들면, 몇% 정도의 차이도 포함하는 것을 의미한다.

또한, 이하에 있어서, 기판에 실장된 A, B 및 C에 있어서, 「기판(또는 기판의 주면)의 평면으로 볼 때에 있어서, A와 B 사이에 C가 배치되어 있다」란 기판의 평면으로 볼 때에 있어서 A 내의 임의의 점과 B 내의 임의의 점을 연결하는 직선이 C의 영역을 통과하는 것을 의미한다. 또한, 기판의 평면으로 볼 때란, 기판 및 기판에 실장된 회로 소자를 기판에 평행한 평면으로 정투영하여 보는 것을 의미한다.

또한, 이하에 있어서, 「송신 경로」란 고주파 송신 신호가 전파하는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다. 또한, 「수신 경로」란 고주파 수신 신호가 전파하는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다. 또한,「신호 경로」란 고주파 신호가 전파하는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다.

또한, 이하에 있어서, 「A와 B가 접속되어 있다」란 A와 B가 물리적으로 접속되어 있는 경우에 적용될 뿐만 아니라, A와 B가 전기적으로 접속되어 있는 경우에도 적용된다.

(실시형태)

[1. 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성]

도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(5)는 고주파 모듈(1)과, 안테나(2)와, RF 신호 처리 회로(RFIC)(3)와, 베이스 밴드 신호 처리 회로(BBIC)(4)를 구비한다.

RFIC(3)는 안테나(2)로 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로이다. 구체적으로는 RFIC(3)는 고주파 모듈(1)의 수신 경로를 통해서 입력된 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 수신 신호를 BBIC(4)로 출력한다. 또한, RFIC(3)는 BBIC(4)로부터 입력된 송신 신호를 업 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리하여 생성된 송신 신호를 고주파 모듈(1)의 송신 경로로 출력한다.

BBIC(4)는 고주파 모듈(1)을 전송하는 고주파 신호보다 저주파인 중간 주파수 대역을 이용하여 신호 처리하는 회로이다. BBIC(4)로 처리된 신호는 예를 들면, 화상 표시를 위한 화상 신호로서 사용되고, 또는 스피커를 통한 통화를 위해 음성 신호로서 사용된다.

또한, RFIC(3)는 사용되는 통신 밴드(주파수 대역)에 기초하여 고주파 모듈(1)이 갖는 스위치(51, 52, 53, 54, 55 및 56)의 접속을 제어하는 제어부로서의 기능도 갖는다. 구체적으로는 RFIC(3)는 제어 신호(도시하지 않음)에 의해 고주파 모듈(1)이 갖는 스위치(51∼56)의 접속을 스위칭한다. 또한, 제어부는 RFIC(3)의 외부에 설치되어 있어도 되고, 예를 들면 고주파 모듈(1) 또는 BBIC(4)에 설치되어 있어도 된다.

안테나(2)는 고주파 모듈(1)의 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 고주파 모듈(1)로부터 출력된 고주파 신호를 방사하고, 또한 외부로부터의 고주파 신호를 수신하여 고주파 모듈(1)로 출력한다.

또한, 본 실시형태에 따른 통신 장치(5)에 있어서, 안테나(2) 및 BBIC(4)는 필수 구성 요소는 아니다.

다음으로, 고주파 모듈(1)의 상세한 구성에 관하여 설명한다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1)은 안테나 접속 단자(100)와, 송신 전력 증폭기(11 및 12)와, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)와, 송신 필터(61T, 62T, 63T 및 64T)와, 수신 필터(61R, 62R, 63R 및 64R)와, 송신 출력 정합 회로(30)와, 수신 입력 정합 회로(40)와, 정합 회로(71, 72, 73 및 74)와, 스위치(51, 52, 53, 54, 55 및 56)와, 다이플렉서(60)와, 커플러(80)와, 커플러 출력 단자(180)를 구비한다.

안테나 접속 단자(100)는 입출력 단자의 일례이고, 안테나(2)에 접속되는 안테나 공통 단자이다.

송신 전력 증폭기(11)는 송신 입력 단자(111)로부터 입력된 제 1 주파수 대역군에 속하는 통신 밴드(A)(제 1 통신 밴드) 및 통신 밴드(B)(제 2 통신 밴드)의 고주파 신호를 증폭하는 증폭기이다. 또한, 송신 전력 증폭기(12)는 송신 입력 단자(112)로부터 입력된 제 1 주파수 대역군과 주파수가 다른 제 2 주파수 대역군에 속하는 통신 밴드(C) 및 통신 밴드(D)의 고주파 신호를 증폭하는 증폭기이다.

수신 저잡음 증폭기(21)는 통신 밴드(A) 및 통신 밴드(B)의 고주파 신호를 저잡음으로 증폭하고, 수신 출력 단자(121)로 출력하는 증폭기이다. 또한, 수신 저잡음 증폭기(22)는 통신 밴드(C) 및 통신 밴드(D)의 고주파 신호를 저잡음으로 증폭하고, 수신 출력 단자(122)로 출력하는 증폭기이다.

송신 필터(61T)는 송신 전력 증폭기(11)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 송신 경로(AT)에 배치되고, 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호 중, 통신 밴드(A)의 송신 대역의 송신 신호를 통과시킨다. 또한, 송신 필터(62T)는 송신 전력 증폭기(11)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 송신 경로(BT)에 배치되고, 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호 중, 통신 밴드(B)의 송신 대역의 송신 신호를 통과시킨다. 또한, 송신 필터(63T)는 송신 전력 증폭기(12)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 송신 경로(CT)에 배치되고, 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호 중, 통신 밴드(C)의 송신 대역의 송신 신호를 통과시킨다. 또한, 송신 필터(64T)는 송신 전력 증폭기(12)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 송신 경로(DT)에 배치되고, 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호 중, 통신 밴드(D)의 송신 대역의 송신 신호를 통과시킨다.

수신 필터(61R)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 수신 경로(AR)에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 통신 밴드(A)의 수신 대역의 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(62R)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 수신 경로(BR)에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 통신 밴드(B)의 수신 대역의 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(63R)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 수신 경로(CR)에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 통신 밴드(C)의 수신 대역의 수신 신호를 통과시킨다. 또한, 수신 필터(64R)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 수신 경로(DR)에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 통신 밴드(D)의 수신 대역의 수신 신호를 통과시킨다.

송신 필터(61T) 및 수신 필터(61R)는 통신 밴드(A)를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(61)를 구성하고 있다. 또한, 송신 필터(62T) 및 수신 필터(62R)는 통신 밴드(B)를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(62)를 구성하고 있다. 또한, 송신 필터(63T) 및 수신 필터(63R)는 통신 밴드(C)를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(63)를 구성하고 있다. 또한, 송신 필터(64T) 및 수신 필터(64R)는 통신 밴드(D)를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(64)를 구성하고 있다.

또한, 듀플렉서(61∼64) 각각은 복수의 송신 필터만으로 구성된 멀티플렉서, 복수의 수신 필터만으로 구성된 멀티플렉서, 복수의 듀플렉서로 구성된 멀티플렉서이어도 된다.

송신 경로(AT)는 제 1 송신 경로의 일례이고, 통신 밴드(A)의 송신 신호를 전송한다. 송신 경로(AT)의 일단은 스위치(51)에 접속되고, 송신 경로(AT)의 타단은 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있다. 송신 경로(BT)는 제 2 송신 경로의 일례이고, 통신 밴드(B)의 송신 신호를 전송한다. 송신 경로(BT)의 일단은 스위치(51)에 접속되고, 송신 경로(BT)의 타단은 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있다. 송신 경로(CT)는 통신 밴드(C)의 송신 신호를 전송한다. 송신 경로(CT)의 일단은 스위치(52)에 접속되고, 송신 경로(CT)의 타단은 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있다. 송신 경로(DT)는 통신 밴드(D)의 송신 신호를 전송한다. 송신 경로(DT)의 일단은 스위치(52)에 접속되고, 송신 경로(DT)의 타단은 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있다. 제 1 공통 송신 경로는 통신 밴드(A 및 B)의 송신 신호를 전송한다. 제 1 공통 송신 경로의 일단은 송신 입력 단자(111)에 접속되고, 타단은 스위치(51)의 공통 단자에 접속되어 있다. 제 2 공통 송신 경로는 통신 밴드(C 및 D)의 송신 신호를 전송한다. 제 2 공통 송신 경로의 일단은 송신 입력 단자(112)에 접속되고, 타단은 스위치(52)의 공통 단자에 접속되어 있다.

수신 경로(AR)는 제 1 수신 경로의 일례이고, 통신 밴드(A)의 수신 신호를 전송한다. 수신 경로(AR)의 일단은 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 수신 경로(AR)의 타단은 수신 출력 단자(121)에 접속되어 있다. 수신 경로(BR)는 제 2 수신 경로의 일례이고, 통신 밴드(B)의 수신 신호를 전송한다. 수신 경로(BR)의 일단은 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 수신 경로(BR)의 타단은 수신 출력 단자(121)에 접속되어 있다. 수신 경로(CR)는 통신 밴드(C)의 수신 신호를 전송한다. 수신 경로(CR)의 일단은 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 수신 경로(CR)의 타단은 수신 출력 단자(122)에 접속되어 있다. 수신 경로(DR)는 통신 밴드(D)의 수신 신호를 전송한다. 수신 경로(DR)의 일단은 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 수신 경로(DR)의 타단은 수신 출력 단자(122)에 접속되어 있다.

송신 출력 정합 회로(30)는 정합 회로(31 및 32)를 갖는다. 정합 회로(31)는 송신 전력 증폭기(11)와 송신 필터(61T 및 62T)를 연결하는 송신 경로에 배치되어 송신 전력 증폭기(11)와 송신 필터(61T 및 62T)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(32)는 송신 전력 증폭기(12)와 송신 필터(63T 및 64T)를 연결하는 송신 경로에 배치되어 송신 전력 증폭기(12)와 송신 필터(63T 및 64T)의 임피던스 정합을 취한다.

수신 입력 정합 회로(40)는 정합 회로(41 및 42)를 갖는다. 정합 회로(41)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 필터(61R 및 62R)를 연결하는 수신 경로에 배치되어 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 필터(61R 및 62R)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(42)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 필터(63R 및 64R)를 연결하는 수신 경로에 배치되어 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 필터(63R 및 64R)의 임피던스정합을 취한다.

스위치(51)는 제 1 스위치의 일례이고, 공통 단자, 제 1 선택 단자 및 제 2 선택 단자를 갖는다. 스위치(51)의 공통 단자는 송신 입력 단자(111)와 접속되는 제 1 공통 송신 경로에 접속되어 있다. 스위치(51)의 제 1 선택 단자는 송신 경로(AT)의 일단에 접속되고, 스위치(51)의 제 2 선택 단자는 송신 경로(BT)의 일단에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(51)는 공통 단자와 제 1 선택 단자의 접속 및 공통 단자와 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(51)는 송신 전력 증폭기(11)와 송신 경로(AT)의 접속 및 송신 전력 증폭기(11)와 송신 경로(BT)의 접속을 스위칭한다. 또한, 스위치(51)의 제 1 선택 단자는 송신 필터(61T)에 접속되고, 스위치(51)의 제 2 선택 단자는 송신 필터(62T)에 접속되어 있다. 즉, 스위치(51)는 송신 전력 증폭기(11)와 송신 필터(61T)의 접속 및 송신 전력 증폭기(11)와 송신 필터(62T)의 접속을 스위칭한다. 스위치(51)는 예를 들면, SPDT(Single Pole Double Throｗ)형의 스위치 회로로 구성된다.

스위치(52)는 공통 단자 및 2개의 선택 단자를 갖는다. 스위치(52)의 공통 단자는 송신 입력 단자(112)와 접속되는 제 2 공통 송신 경로에 접속되어 있다. 스위치(52)의 일방의 선택 단자는 송신 경로(CT)의 일단에 접속되고, 스위치(52)의 타방의 선택 단자는 송신 경로(DT)의 일단에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(52)는 공통 단자와 일방의 선택 단자의 접속 및 공통 단자와 타방의 선택 단자의 접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(52)는 송신 전력 증폭기(12)와 송신 경로(CT)의 접속 및 송신 전력 증폭기(12)와 송신 경로(DT)의 접속을 스위칭한다. 스위치(52)는 예를 들면, SPDT형의 스위치 회로로 구성된다.

스위치(53)는 제 2 스위치의 일례이고, 공통 단자, 제 3 선택 단자 및 제 4 선택 단자를 갖는다. 스위치(53)의 공통 단자는 정합 회로(41)를 통해서 수신 저잡음 증폭기(21)의 입력 단자에 접속되어 있다. 스위치(53)의 제 3 선택 단자는 수신 경로(AR)에 배치된 수신 필터(61R)에 접속되고, 스위치(53)의 제 4 선택 단자는 수신 경로(BR)에 배치된 수신 필터(62R)에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(53)는 공통 단자와 제 3 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 공통 단자와 제 4 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(53)는 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 경로(AR)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 수신 저잡음 증폭기(21)와 수신 경로(BR)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(53)는 예를 들면, SPDT형의 스위치 회로로 구성된다.

스위치(54)는 공통 단자 및 2개의 선택 단자를 갖는다. 스위치(54)의 공통 단자는 정합 회로(42)를 통해서 수신 저잡음 증폭기(22)의 입력 단자에 접속되어 있다. 스위치(54)의 일방의 선택 단자는 수신 경로(CR)에 배치된 수신 필터(63R)에 접속되고, 스위치(54)의 타방의 선택 단자는 수신 경로(DR)에 배치된 수신 필터(64R)에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(54)는 공통 단자와 일방의 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 공통 단자와 타방의 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(54)는 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 경로(CR)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 수신 저잡음 증폭기(22)와 수신 경로(DR)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(54)는 예를 들면, SPDT형의 스위치 회로로 구성된다.

스위치(55)는 안테나 스위치의 일례이고, 다이플렉서(60)를 통해서 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, (1) 안테나 접속 단자(100)와, 송신 경로(AT) 및 수신 경로(AR)의 접속, (2) 안테나 접속 단자(100)와, 송신 경로(BT) 및 수신 경로(BR)의 접속, (3) 안테나 접속 단자(100)와, 송신 경로(CT) 및 수신 경로(CR)의 접속, 및 (4) 안테나 접속 단자(100)와, 송신 경로(DT) 및 수신 경로(DR)의 접속을 스위칭한다. 또한, 스위치(55)는 상기 (1)∼(4) 중 2개 이상의 접속을 동시에 행하는 것이 가능한 멀티 접속형의 스위치 회로로 구성된다.

정합 회로(71)는 스위치(55)와 듀플렉서(61)를 연결하는 경로에 배치되어 안테나(2) 및 스위치(55)와, 듀플렉서(61)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(72)는 스위치(55)와 듀플렉서(62)를 연결하는 경로에 배치되어 안테나(2) 및 스위치(55)와, 듀플렉서(62)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(73)는 스위치(55)와 듀플렉서(63)를 연결하는 경로에 배치되어 안테나(2) 및 스위치(55)와, 듀플렉서(63)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(74)는 스위치(55)와 듀플렉서(64)를 연결하는 경로에 배치되어 안테나(2) 및 스위치(55)와, 듀플렉서(64)의 임피던스 정합을 취한다.

다이플렉서(60)는 멀티플렉서의 일례이고, 필터(60L 및 60H)로 구성되어 있다. 필터(60L)는 제 1 주파수 대역군 및 제 2 주파수 대역군을 포함하는 주파수 범위를 통과 대역으로 하는 필터이고, 필터(60H)는 제 1 주파수 대역군 및 제 2 주파수 대역군과 주파수가 다른 그 밖의 주파수 대역군을 포함하는 주파수 범위를 통과 대역으로 하는 필터이다. 필터(60L)의 일방의 단자와 필터(60H)의 일방의 단자는 안테나 접속 단자(100)에 공통 접속되어 있다. 필터(60L 및 60H)의 각각은 칩형상의 인덕터 및 커패시터 중 적어도 일방으로 구성된 LC 필터이다. 또한, 제 1 주파수 대역군 및 제 2 주파수 대역군이 상기 그 밖의 주파수 대역군보다 저주파수측에 위치하는 경우에는 필터(60L)는 로우 패스 필터이어도 되고, 또한 필터(60H)는 하이 패스 필터이어도 된다.

커플러(80) 및 스위치(56)는 안테나 접속 단자(100)와 스위치(55) 사이를 전송하는 고주파 신호의 전력 강도를 모니터하는 회로이고, 모니터한 전력 강도를, 커플러 출력 단자(180)를 통해서 RFIC(3) 등으로 출력한다.

또한, 상기의 송신 필터(61T∼64T) 및 수신 필터(61R∼64R)는 예를 들면, SAW(Surface Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, LC 공진 필터 및 유전체 필터 중 어느 하나이어도 되고, 또는 이들에는 한정되지 않는다.

또한, 송신 전력 증폭기(11 및 12) 및 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)는 예를 들면, Si계의 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 또는 GaAs를 재료로 한, 전계 효과형 트랜지스터(FET) 또는 헤테로 바이폴러 트랜지스터(HBT) 등으로 구성되어 있다.

또한, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22) 및 스위치(53, 54 및 55)는 1개의 반도체 IC(Integrated Circuit)에 형성되어 있어도 된다. 또한, 상기 반도체 IC는 송신 전력 증폭기(11 및 12) 및 스위치(51 및 52)를 더 포함하고 있어도 된다. 반도체 IC는 예를 들면, CMOS로 구성되어 있다. 구체적으로는 SOI(Silicon On Insulator)프로세스에 의해 형성되어 있다. 이것에 의해, 반도체 IC를 저렴하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 IC는 GaAs, SiGe 및 GaN 중 적어도 어느 하나로 구성되어 있어도 된다. 이것에 의해, 고품질의 증폭 성능 및 잡음 성능을 갖는 고주파 신호를 출력하는 것이 가능해진다.

또한, 정합 회로(71∼74), 커플러(80), 스위치(56) 및 커플러 출력 단자(180)는 본 발명에 따른 고주파 모듈에 필수적인 구성 요소는 아니다.

상기 고주파 모듈(1)의 구성에 있어서, 송신 전력 증폭기(11), 정합 회로(31), 스위치(51), 송신 필터(61T), 정합 회로(71), 스위치(55) 및 필터(60L)는 안테나 접속 단자(100)를 향해서 통신 밴드(A)의 송신 신호를 전송하는 제 1 송신 회로를 구성한다. 또한, 필터(60L), 스위치(55), 정합 회로(71), 수신 필터(61R), 스위치(53), 정합 회로(41) 및 수신 저잡음 증폭기(21)는 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해서 통신 밴드(A)의 수신 신호를 전송하는 제 1 수신 회로를 구성한다.

또한, 송신 전력 증폭기(11), 정합 회로(31), 스위치(51), 송신 필터(62T), 정합 회로(72), 스위치(55) 및 필터(60L)는 안테나 접속 단자(100)를 향해서 통신 밴드(B)의 송신 신호를 전송하는 제 2 송신 회로를 구성한다. 또한, 필터(60L), 스위치(55), 정합 회로(72), 수신 필터(62R), 스위치(53), 정합 회로(41) 및 수신 저잡음 증폭기(21)는 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해서 통신 밴드(B)의 수신 신호를 전송하는 제 2 수신 회로를 구성한다.

또한, 송신 전력 증폭기(12), 정합 회로(32), 스위치(52), 송신 필터(63T), 정합 회로(73), 스위치(55) 및 필터(60L)는 안테나 접속 단자(100)를 향해서 통신 밴드(C)의 송신 신호를 전송하는 제 3 송신 회로를 구성한다. 또한, 필터(60L), 스위치(55), 정합 회로(73), 수신 필터(63R), 스위치(54), 정합 회로(42) 및 수신 저잡음 증폭기(22)는 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해서 통신 밴드(C)의 수신 신호를 전송하는 제 3 수신 회로를 구성한다.

또한, 송신 전력 증폭기(12), 정합 회로(32), 스위치(52), 송신 필터(64T), 정합 회로(74), 스위치(55) 및 필터(60L)는 안테나 접속 단자(100)를 향해서 통신 밴드(D)의 송신 신호를 전송하는 제 4 송신 회로를 구성한다. 또한, 필터(60L), 스위치(55), 정합 회로(74), 수신 필터(64R), 스위치(54), 정합 회로(42) 및 수신 저잡음 증폭기(22)는 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해서 통신 밴드(D)의 수신 신호를 전송하는 제 4 수신 회로를 구성한다.

상기 회로 구성에 의하면, 고주파 모듈(1)은 통신 밴드(A) 및 통신 밴드(B) 중 어느 하나의 통신 밴드의 고주파 신호와 통신 밴드(C) 및 통신 밴드(D) 중 어느 하나의 통신 밴드의 고주파 신호를, 동시 송신, 동시 수신 및 동시 송수신 중 적어도 어느 하나로 실행하는 것이 가능하다.

또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈에서는 상기 4개의 송신 회로 및 상기 4개의 수신 회로가 스위치(55)를 통해서 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있지 않아도 되고, 상기 4개의 송신 회로 및 상기 4개의 수신 회로가 다른 단자를 통해서 안테나(2)에 접속되어 있어도 된다. 또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈은, 제 1 송신 회로, 제 2 송신 회로 및 제 1 수신 회로를 적어도 갖고 있으면 된다. 또한, 이 경우에는 고주파 모듈은 (1) 통신 밴드(A)의 송신과 통신 밴드(A)의 수신의 동시 실시 및 (2) 통신 밴드(A)의 송신과 통신 밴드(B)의 송신의 동시 실시가 가능하다.

또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈에 있어서, 제 1 송신 회로는 송신 전력 증폭기(11), 스위치(51) 및 송신 경로(AT)를 갖고 있으면 된다. 또한, 제 2 송신 회로는 송신 전력 증폭기(11), 스위치(51) 및 송신 경로(BT)를 갖고 있으면 된다. 또한, 제 1 수신 회로는 수신 저잡음 증폭기(21), 정합 회로(41), 스위치(53), 수신 필터(61R), 정합 회로(71), 스위치(55) 및 필터(60L) 중 적어도 1개와, 수신 경로(AR)를 구비하고 있으면 된다.

여기서, 상기 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자를, 소형의 프런트엔드 회로로서 1개의 모듈로 구성하는 경우, 예를 들면 제 1 송신 회로 및 제 2 송신 회로와 제 1 수신 회로가 근접하는 것이 상정된다. 이 경우, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 송신 신호가 송신 경로(AT 또는 BT)를 전송할 때에, 수신 경로(AR, BR, CR 또는 DR)에 상기 송신 신호, 고조파 또는 상호 변조 왜곡이 유입하여 수신 경로(AR, BR, CR 또는 DR)의 수신 감도가 열화한다고 하는 문제가 발생한다. 특히, 송신 경로를 선별하는 스위치(51)는 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 송신 신호를 통과시킨다. 이 때문에, 예를 들면 스위치(51)의 비선형작용에 의해 상기 송신 신호뿐만 아니라 고조파도 발생하고, 이들의 송신 신호 및 고조파가 불요파로서 수신 경로(AR, BR, CR 또는 DR)에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것이 상정된다.

예를 들면, 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 통신 밴드(A)의 송신 신호의 고조파의 주파수가 통신 밴드(B)의 수신 대역의 적어도 일부와 중복하는 경우가 열거된다. 또한, 예를 들면 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 주파수가, 통신 밴드(A∼D)의 수신 대역 중 적어도 일부와 중복하는 경우가 열거된다.

이에 대하여 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는 스위치(51 및 52)와 수신 경로 상의 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제하는 구성을 갖고 있다. 이하에서는 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)의 상기 전계 결합, 상기 자계 결합 또는 전자계 결합을 억제하는 구성에 관하여 설명한다.

[2. 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)의 회로 소자 배치 구성]

도 2a는 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 2b는 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)의 단면 구성 개략도이고, 구체적으로는 도 2a의 IIB-IIB선에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 2a의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 2a의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.

도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은 도 1에 나타내어진 회로 구성에 더해서, 모듈 기판(91)과, 수지 부재(92 및 93)를 더 갖고 있다.

모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(91a)(제 1 주면) 및 주면(91b)(제 2 주면)을 갖고, 상기 송신 회로 및 상기 수신 회로를 실장하는 기판이다. 모듈 기판(91)으로서는 예를 들면, 복수의 유전체층의 적층 구조를 갖는 저온 동시 소성 세라믹스(Loｗ Temperature Co-fired Ceramics: LTCC) 기판, 고온 동시 소성 세라믹스(High Temperature Co-fired Ceramics: HTCC) 기판, 부품 내장 기판, 재배선층 (Redistribution Layer: RDL)을 갖는 기판 또는 프린트 기판 등이 사용된다. 또한, 모듈 기판(91) 상에, 안테나 접속 단자(100), 송신 입력 단자(111 및 112) 및 수신 출력 단자(121 및 122)가 형성되어 있어도 된다.

수지 부재(92)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되고, 상기 송신 회로의 일부, 상기 수신 회로의 일부 및 모듈 기판(91)의 주면(91a)을 덮고 있고, 상기 송신 회로 및 상기 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 수지 부재(93)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되고, 상기 송신 회로의 일부, 상기 수신 회로의 일부 및 모듈 기판(91)의 주면(91b)을 덮고 있고, 상기 송신 회로 및 상기 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한, 수지 부재(92 및 93)는 본 발명에 따른 고주파 모듈에 필수적인 구성 요소는 아니다.

정합 회로(31, 32, 41 및 42)의 각각은 적어도 칩형상의 인덕터를 포함한다.

도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는 송신 전력 증폭기(11 및 12), 듀플렉서(61∼64), 스위치(51 및 52), 정합 회로(31, 32, 41 및 42)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다. 또한, 정합 회로(71∼74) 및 커플러(80)는 도 2a 및 도 2b에는 도시되어 있지 않지만, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b) 중 어디에나 표면 실장되어 있어도 되고, 또한 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 된다. 또한, 커플러(80)는 고주파 모듈(1A)을 전송하는 고주파 신호의 전력 강도를 모니터하고, 상기 전력 강도를, 커플러 출력 단자(180)를 통해서 RFIC(3) 등의 외부 회로로 출력하기 위해, 외부 기판측의 주면(91b)에 실장되어 있는 것이 바람직하다.

본 실시예에서는 수신 저잡음 증폭기(21), 스위치(53), 다이플렉서(60) 및 스위치(55)는 수신 경로(AR 및 BR)에 배치된 제 1 회로 부품이고, 주면(91b)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 모듈 기판(91)의 주면(91a) 상에 스위치(51)가 배치되고, 주면(91b) 상에 수신 경로(AR 및 BR)에 배치된 제 1 회로 부품이 배치되어 있다. 즉, 스위치(51)와 제 1 회로 부품이 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되어 있다. 이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호가 송신 경로(AT 또는 BT)를 전송할 때에, 스위치(51)와 수신 경로(AR 또는 BR)에 배치된 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호가, 송신 필터(61T 또는 62T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션(isolation)이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 상기 구성에 의하면, 모듈 기판(91)의 주면(91a) 상에 스위치(52)가 배치되고, 주면(91b) 상에 수신 저잡음 증폭기(22) 및 스위치(54)가 배치되어 있다. 이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호 또는 송신 전력 증폭기(12)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(C 또는 D)의 송신 신호가, 송신 경로(AT, BT, CT 또는 DT)를 전송할 때에, 스위치(51 및 52)의 적어도 1개와 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개가 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A, B, C 또는 D)의 송신 신호가 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는 송신 전력 증폭기(11 및 12), 듀플렉서(61∼64), 스위치(51 및 52), 정합 회로(31, 32, 41 및 42)가 주면(91a)에 배치되고, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60)가 주면(91b)에 배치되어 있는 구성으로 했지만, 스위치(51 및 52) 중 적어도 1개가 주면(91a)에 배치되고, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60) 중 적어도 1개가 주면(91b)에 배치되어 있으면 된다.

이것에 의하면, 스위치(51 및 52)와, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60)가 동일한 주면에 배치된 구성을 갖는 고주파 모듈에 비하여 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈은 주면(91a)에 스위치(51 및 52) 중 적어도 1개가 실장되고, 주면(91b)에 이하에 열거된 회로 부품 중 적어도 1개(제 1 회로 부품)가 실장되어 있으면 된다. 즉, 제 1 회로 부품으로서는,

(1) 수신 저잡음 증폭기(21 또는 22),

(2) 정합 회로(41)의 인덕터 또는 정합 회로(42)의 인덕터,

(3) 스위치(53 또는 54),

(4) 수신 필터(61R∼64R) 중 어느 하나 또는 듀플렉서(61∼64) 중 어느 하나,

(5) 다이플렉서(60), 및

(6) 스위치(55),

중 적어도 1개이면 된다.

또한, 모듈 기판(91)은 복수의 유전체층이 적층된 다층 구조를 갖고, 상기 복수의 유전체층 중 적어도 1개에는 그라운드 전극 패턴이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 모듈 기판(91)의 전자계 차폐 기능이 향상한다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는 모듈 기판(91)의 주면(91b) 측에 복수의 외부 접속 단자(150)가 배치되어 있다. 고주파 모듈(1A)은 고주파 모듈(1A)의 z축 부방향측에 배치되는 외부 기판과, 복수의 외부 접속 단자(150)를 경유하여 전기 신호의 주고 받기를 행한다. 또한, 복수의 외부 접속 단자(150)의 몇몇은 외부 기판의 그라운드 전위에 설정된다. 주면(91a 및 91b) 중, 외부 기판과 대향하는 주면(91b)에는 저배화(低背化)가 곤란한 송신 전력 증폭기(11 및 12)가 배치되지 않고, 저배화가 용이한 수신 저잡음 증폭기(21 및 22) 및 스위치(53, 54 및 55)가 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A) 전체를 저배화하는 것이 가능해진다. 또한, 수신 회로의 수신 감도에 크게 영향을 주는 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)의 주위에, 그라운드 전극으로서 적용되는 외부 접속 단자(150)가 복수 배치되므로, 수신 회로의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.

외부 접속 단자(150)는 도 2a 및 2b에 나타내는 바와 같이, 수지 부재(93)를 z축 방향으로 관통하는 기둥 형상 전극이어도 되고, 또한 주면(91b) 상에 형성된 범프 전극이어도 된다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는 송신 전력 증폭기(11 및 12)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

송신 전력 증폭기(11 및 12)는 고주파 모듈(1A)이 갖는 회로 부품 중에서 발열량이 큰 부품이다. 고주파 모듈(1A)의 방열성을 향상시키기 위해서는 송신 전력 증폭기(11 및 12)의 발열을, 작은 열저항을 갖는 방열 경로에 의해 외부 기판으로 방열하는 것이 중요하다. 가령, 송신 전력 증폭기(11 및 12)를 주면(91b)에 실장한 경우, 송신 전력 증폭기(11 및 12)에 접속되는 전극 배선은 주면(91b) 상에 배치된다. 이 때문에, 방열 경로로서는 주면(91b) 상의(xy 평면 방향을 따른다) 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 포함하는 것이 된다. 상기 평면 배선 패턴은 금속박막으로 형성되기 때문에 열저항이 크다. 이 때문에, 송신 전력 증폭기(11 및 12)를 주면(91b) 상에 배치한 경우에는 방열성이 저하한다.

이에 대하여 송신 전력 증폭기(11 및 12)를 주면(91a)에 실장한 경우, 주면(91a)과 주면(91b) 사이를 관통하는 관통 전극을 통해서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)와 외부 접속 단자(150)를 접속할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)의 방열 경로로서, 모듈 기판(91) 내의 배선 중 열저항이 큰 xy 평면 방향을 따르는 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기(11 및 12)로부터의 외부 기판으로의 방열성이 향상한 소형의 고주파 모듈(1A)을 제공하는 것이 가능해진다.

또한, 고주파 모듈(1A)의 방열성을 향상시키는 상기 구성에 의하면, 송신 전력 증폭기(11 및 12)와 z축 방향에 대향하는 주면(91b)의 영역에는 방열을 목적으로 하는 외부 접속 단자 등이 배치되기 때문에, 회로 부품의 배치가 제약된다. 한편, 송신 전력 증폭기(11)와 스위치(51)를 연결하는 송신 경로에는 대전력의 송신 신호가 흐르기 때문에, 상기 송신 경로는 될 수 있는 한 짧게 하는 것이 바람직하다. 이 관점으로부터, 송신 전력 증폭기(11)와 스위치(51)는 모듈 기판(91)을 사이에 두고 대향하도록 배치되는 것이 바람직하지만, 상기 제약에 의해, 스위치(51)를 송신 전력 증폭기(11)와 대향하도록 배치하는 것은 곤란하다. 따라서, 스위치(51)를 송신 전력 증폭기(11)가 실장되는 주면(91a)에 송신 전력 증폭기(11)와 인접하도록 실장하는 것이 바람직하다.

또한, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 주면(91b)에 실장된 스위치(53)와 주면(91a)에 실장된 송신 전력 증폭기(11)는 중복하지 않고, 또한 주면(91a)에 실장된 스위치(51)와 주면(91b)에 실장된 스위치(53)는 중복하지 않는 것이 바람직하다.

이것에 의해, 수신 경로에 배치된 스위치(53)와 송신 전력 증폭기(11)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치될 뿐만 아니라, 스위치(53)와 송신 전력 증폭기(11)의 거리를 크게 확보할 수 있다. 또한, 수신 경로에 배치된 스위치(53)와 송신 경로에 배치된 스위치(51)가 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치될 뿐만 아니라, 스위치(53)와 스위치(51)의 거리를 크게 확보할 수 있다. 이것에 의해 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 보다 한층 향상하므로, 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 주면(91a)에 실장된 정합 회로(41)의 인덕터와 주면(91b)에 실장된 스위치(53)는 중복하고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해 정합 회로(41)의 인덕터와 스위치(53)가 모듈 기판(91)을 통해서 대향하고 있으므로, 정합 회로(41)의 인덕터와 스위치(53)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 수신 경로에 있어서의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 주면(91a)에 실장된 듀플렉서(61(또는 수신 필터(61R)) 및 62(또는 수신 필터(62R))) 중 적어도 일방과, 주면(91b)에 실장된 스위치(53)는 중복하고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 듀플렉서(61 및 62) 중 적어도 일방과 스위치(53)가 모듈 기판(91)을 통해서 대향하고 있으므로, 듀플렉서(61 및 62) 중 적어도 일방과 스위치(53)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 수신 경로에 있어서의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에 나타내는 바와 같이 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 송신 전력 증폭기(11), 스위치(51), 듀플렉서(61 (또는 송신 필터(61T)) 또는 62(또는 송신 필터(62T)))의 순서로 주면(91a) 상에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 전기적인 접속 순서와 같은 순서로 송신 전력 증폭기(11), 스위치(51), 듀플렉서(61 또는 62)가 주면(91a) 상에 배치되는 것이 된다. 이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11), 스위치(51), 듀플렉서(61 또는 62)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 송신 경로에 있어서의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22) 및 스위치(53, 54 및 55)는 1개의 반도체 IC(10)에 내장되어서 있어도 된다. 이것에 의해, 주면(91b)측의 z축 방향의 높이를 저감할 수 있고, 또한 주면(91b)의 부품 실장 면적을 작게 할 수 있다. 따라서, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다.

[3. 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)의 회로 소자 배치 구성]

도 2c는 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 2c의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 2c의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.

본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)은 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 비교하여 고주파 모듈(1C)을 구성하는 회로 소자의 배치 구성만이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)에 대해서, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 같은 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.

모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(91a)(제 1 주면) 및 주면(91b)(제 2 주면)을 갖는 기판이다. 모듈 기판(91)으로서는 예를 들면, 복수의 유전체층의 적층구조를 갖는 LTCC 기판, HTCC 기판, 부품 내장 기판, RDL을 갖는 기판 또는 프린트 기판 등이 사용된다.

도 2c에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)에서는 송신 전력 증폭기(11 및 12), 스위치(51 및 52), 듀플렉서(61∼64), 정합 회로(31, 32, 41 및 42), 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(53, 54 및 55)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다. 또한, 정합 회로(71∼74) 및 커플러(80)는 도 2c에는 도시되어 있지 않지만, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b) 중 어느 하나에 표면 실장되어 있어도 되고, 또한 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 된다.

본 변형예에서는 수신 저잡음 증폭기(21 및 22) 및 스위치(53, 54 및 55)는 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 제 1 회로 부품이며, 주면(91b)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51 및 52)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 스위치(51 및 52)와 제 1 회로 부품이 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되어 있다. 이것에 의해 송신 전력 증폭기(11 및 12)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 경로(AT∼DT)를 전송할 때에, 스위치(51 또는 52)와 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 필터(61T∼64T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파, 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)에서는 모듈 기판(91)의 주면(91b) 측에, 복수의 외부 접속 단자(150)가 배치되어 있다. 안테나 접속 단자(100)는 복수의 외부 접속 단자(150) 중 1개로 구성되어 있고, 모듈 기판(91)을 사이에 두고다이플렉서(60)와 대향하는 위치에 형성되어 있다. 이 배치에 의해, 안테나 접속 단자(100)와 다이플렉서(60)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있으므로, 고주파 모듈(1C)을 전송하는 송수신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 송신 입력 단자(111 및 112)는 복수의 외부 접속 단자(150) 중 2개로 구성되어 있고, 모듈 기판(91)을 사이에 두고 송신 전력 증폭기(11 및 12)와 대향하는 위치에 형성되어 있다. 이 배치에 의해, 송신 입력 단자(111)와 송신 전력 증폭기(11)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있고, 송신 입력 단자(112)와 송신 전력 증폭기(12)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있으므로, 고주파 모듈(1C)을 전송하는 송신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 수신 출력 단자(121 및 122)는 복수의 외부 접속 단자(150) 중 2개로 구성되어 있고, 주면(91b)에서 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)와 인접한 위치에 형성되어 있다. 이 배치에 의해, 수신 출력 단자(121)와 수신 저잡음 증폭기(21)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있고, 수신 출력 단자(122)와 수신 저잡음 증폭기(22)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있으므로, 고주파 모듈(1C)을 전송하는 수신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.

[4. 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1D)의 회로 소자 배치 구성]

도 2d는 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1D)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 2d의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 2d의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

변형예 2에 따른 고주파 모듈(1D)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.

본 변형예에 따른 고주파 모듈(1D)은 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)과 비교하여 정합 회로(41 및 42)의 배치 구성만이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1D)에 대해서, 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)과 같은 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.

도 2d에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1D)에서는 송신 전력 증폭기(11 및 12), 스위치(51 및 52), 듀플렉서(61∼64), 정합 회로(31 및 32) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 정합 회로(41 및 42) 및 스위치(53, 54 및 55)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다.

본 변형예에서는 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 정합 회로(41 및 42) 및 스위치(53, 54 및 55)는 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 제 1 회로 부품이고, 주면(91b)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51 및 52)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 필터(61T∼64T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파, 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

[5. 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1E)의 회로 소자 배치 구성]

도 2e는 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1E)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 2e의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 2e의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

변형예 3에 따른 고주파 모듈(1E)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.

본 변형예에 따른 고주파 모듈(1E)은 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)과 비교하여 다이플렉서(60)의 배치 구성이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1E)에 대해서, 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)과 같은 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.

도 2e에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1E)에서는 송신 전력 증폭기(11 및 12), 스위치(51 및 52), 듀플렉서(61∼64) 및 정합 회로(31, 32, 41 및 42)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다.

본 변형예에서는 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60)는 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 제 1 회로 부품이고, 주면(91b)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51 및 52)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가, 송신 필터(61T∼64T),및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파, 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

[6. 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1F)의 회로 소자 배치 구성]

도 2f는 변형예 4에 따른 고주파 모듈(1F)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 2f의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 2f의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

변형예 4에 따른 고주파 모듈(1F)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.

본 변형예에 따른 고주파 모듈(1F)은 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)과 비교하여 스위치(53, 53 및 55)의 배치 구성이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1F)에 대해서, 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1C)과 같은 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.

도 2f에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1F)에서는 송신 전력 증폭기(11 및 12), 스위치(51∼55), 듀플렉서(61∼64), 정합 회로(31, 32, 41 및 42) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다.

본 변형예에서는, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)는 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 제 1 회로 부품이고, 주면(91b)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51 및 52)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가, 송신 필터(61T∼64T),및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

[7. 실시예 2에 따른 고주파 모듈(1B)의 회로 소자 배치 구성]

도 3a는 실시예 2에 따른 고주파 모듈(1B)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 3b는 실시예 2에 따른 고주파 모듈(1B)의 단면 구성 개략도이고, 구체적으로는 도 3a의 IIIB-IIIB선에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 3a의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 3a의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

실시예 2에 따른 고주파 모듈(1B)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.

본 실시예에 따른 고주파 모듈(1B)은 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 비교하여 고주파 모듈(1B)을 구성하는 회로 소자의 배치 구성만이 다르다. 이하, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1B)에 대해서, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 같은 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.

모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(91a)(제 2 주면) 및 주면(91b)(제 1 주면)을 갖는 기판이다. 모듈 기판(91)으로서는 예를 들면, 복수의 유전체층의 적층 구조를 갖는 LTCC 기판, HTCC 기판, 부품 내장 기판, RDL을 갖는 기판 또는 프린트 기판 등이 사용된다.

도 3a 및 도 3b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1B)에서는 송신 전력 증폭기(11 및 12), 듀플렉서(61∼64), 정합 회로(31, 32, 41 및 42) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(51, 52, 53, 54 및 55)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다. 또한, 정합 회로(71∼74) 및 커플러(80)는 도 3a 및 도 3b에는 도시되어 있지 않지만, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b) 중 어디에나 표면 실장되어 있어도 되고, 또한 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 된다.

본 실시예에서는 정합 회로(41)의 인덕터 및 다이플렉서(60)는 수신 경로(AR 및 BR)에 배치된 제 1 회로 부품이고, 주면(91a)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51)는 주면(91b)에 실장되어 있다. 즉, 스위치(51)와 제 1 회로 부품이 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되어 있다.

상기 구성에 의하면, 모듈 기판(91)의 주면(91b) 상에 스위치(51)가 배치되고, 주면(91a) 상에 수신 경로(AR 및 BR)에 배치된 제 1 회로 부품이 배치되어 있다. 이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호가 송신 경로(AT 또는 BT)를 전송할 때에, 스위치(51)와 수신 경로(AR 또는 BR)가 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호가, 송신 필터(61T 또는 62T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한 스위치(51)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 상기 구성에 의하면, 모듈 기판(91)의 주면(91b) 상에 스위치(52)가 배치되고, 주면(91a) 상에 정합 회로(42)의 인덕터가 배치되어 있다. 이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호 또는 송신 전력 증폭기(12)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(C 또는 D)의 송신 신호가 송신 경로(AT, BT, CT 또는 DT)를 전송할 때에, 스위치(51 및 52) 중 적어도 1개와 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개가 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A, B, C 또는 D)의 송신 신호가 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 적어도 1개에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1B)에서는 스위치(51 및 52)가 주면(91b)에 배치되고, 주면(91a) 상에 정합 회로(41 및 42)의 인덕터 및 다이플렉서(60)가 배치되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다.

본 발명에 따른 고주파 모듈은 주면(91b)에 스위치(51 및 52) 중 적어도 1개가 실장되고, 주면(91a)에 이하에 열거된 회로 부품 중 적어도 1개(제 1 회로 부품)가 실장되어 있으면 된다. 즉, 제 1 회로 부품으로서는,

(1) 정합 회로(41)의 인덕터 또는 정합 회로(42)의 인덕터, 및

(2) 다이플렉서(60),

중 적어도 1개이면 된다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1B)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 주면(91a)에 실장된 정합 회로(41)의 인덕터와 주면(91b)에 실장된 스위치(53)는 중복하고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해 정합 회로(41)의 인덕터와 스위치(53)가 모듈 기판(91)을 개재해서 대향하고 있으므로, 정합 회로(41)의 인덕터와 스위치(53)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 수신 경로에 있어서의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1B)에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 주면(91a)에 실장된 듀플렉서(61(또는 수신 필터(61R)) 및 62(또는 수신 필터(62R))) 중 적어도 일방과 주면(91b)에 실장된 스위치(53)는 중복하고 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해 듀플렉서(61 및 62) 중 적어도 일방과 스위치(53)가 모듈 기판(91)을 통해서 대향하고 있으므로, 듀플렉서(61 및 62) 중 적어도 일방과 스위치(53)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 수신 경로에 있어서의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22) 및 스위치(53, 54 및 55)는 1개의 반도체 IC(10)에 내장되어 있어도 된다. 또한, 스위치(51 및 52)가 반도체 IC(10)에 내장되어서 있어도 된다. 이것에 의해, 주면(91b)측의 z축 방향의 높이를 저감할 수 있고, 또한 주면(91b)의 부품 실장 면적을 작게 할 수 있다. 따라서, 고주파 모듈(1B)을 소형화할 수 있다.

[8. 실시예 3에 따른 고주파 모듈(1G) 및 통신 장치(5G)의 회로 구성]

도 4는 실시예 3에 따른 고주파 모듈(1G) 및 통신 장치(5G)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(5G)는 고주파 모듈(1G)과, 안테나 접속 단자(100)와, 안테나(2)와, 송신 출력 정합 회로(30)와, 송신 전력 증폭기(11 및 12)와, 송신 입력 단자(111 및 112)와, 다이플렉서(60)와, 커플러(80)와, 스위치(56)와, 커플러 출력 단자(180)와, RFIC(3)와, BBIC(4)를 구비한다. 동 도면에 나타내어진 통신 장치(5G)는 실시형태에 따른 통신 장치(5)와 비교하여 고주파 모듈(1G)의 회로 구성이 다르다. 이하, 통신 장치(5G)에 대해서, 고주파 모듈(1G)의 회로 구성을 중심으로 설명한다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1G)은 신호 입출력 단자(130)(입출력 단자)와, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)와, 송신 필터(61T, 62T, 63T 및 64T)와, 수신 필터(61R, 62R, 63R 및 64R)와, 수신 입력 정합 회로(40)와, 정합 회로(71, 72, 73 및 74)와, 스위치(51, 52, 53, 54 및 55)를 구비한다. 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1G)은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)과 비교하여 송신 출력 정합 회로(30), 송신 전력 증폭기(11 및 12), 다이플렉서(60), 커플러(80) 및 스위치(56)를 구비하지 않는 점이 다르다. 즉, 고주파 모듈(1G)은 주로, 송신 전력 증폭기(11 및 12)를 구비하지 않는 고주파 모듈이다.

신호 입력 단자(131)는 송신 입력 단자의 일례이고, 정합 회로(31)를 통해서 송신 전력 증폭기(11)의 출력 단자에 접속되어 있다. 신호 입력 단자(132)는 송신 입력 단자의 일례이고, 정합 회로(32)를 통해서 송신 전력 증폭기(12)의 출력 단자에 접속되어 있다.

스위치(51)는 제 1 스위치의 일례이고, 공통 단자, 제 1 선택 단자 및 제 2 선택 단자를 갖는다. 스위치(51)의 공통 단자는 신호 입력 단자(131)에 접속되어 있다. 스위치(51)의 제 1 선택 단자는 송신 경로(AT)의 일단에 접속되고, 스위치(51)의 제 2 선택 단자는 송신 경로(BT)의 일단에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(51)는 공통 단자와 제 1 선택 단자의 접속 및 공통 단자와 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(51)는 신호 입력 단자(131)와 송신 경로(AT)의 접속 및 신호 입력 단자(131)와 송신 경로(BT)의 접속을 스위칭한다. 또한, 스위치(51)의 제 1 선택 단자는 송신 필터(61T)에 접속되고, 스위치(51)의 제 2 선택 단자는 송신 필터(62T)에 접속되어 있다. 즉, 스위치(51)는 신호 입력 단자(131)와 송신 필터(61T)의 접속 및 신호 입력 단자(131)와 송신 필터(62T)의 접속을 스위칭한다. 스위치(51)는 예를 들면, SPDT(Single Pole Double Throｗ)형의 스위치 회로로 구성된다.

스위치(52)는 공통 단자 및 2개의 선택 단자를 갖는다. 스위치(52)의 공통 단자는 신호 입력 단자(132)에 접속되어 있다. 스위치(52)의 일방의 선택 단자는 송신 경로(CT)의 일단에 접속되고, 스위치(52)의 타방의 선택 단자는 송신 경로(DT)의 일단에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(52)는 공통 단자와 일방의 선택 단자의 접속 및 공통 단자와 타방의 선택 단자의 접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(52)는 신호 입력 단자(132)와 송신 경로(CT)의 접속 및 신호 입력 단자(132)와 송신 경로(DT)의 접속을 스위칭한다. 스위치(52)는 예를 들면, SPDT형의 스위치 회로로 구성된다.

[9. 실시예 3에 따른 고주파 모듈(1G)의 회로 소자 배치 구성]

도 5는 실시예 3에 따른 고주파 모듈(1G)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 5의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 5의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

본 실시예에 따른 고주파 모듈(1G)은 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)과 비교하여 송신 전력 증폭기(11 및 12)를 구비하지 않는 점이 다르다. 이하, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1G)의 회로 소자 배치 구성에 대해서, 실시예 1에 따른 고주파 모듈(1A)의 회로 소자 배치 구성과 다른 점을 중심으로 설명한다.

도 5에 나타내는 바와 같이 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1G)에서는, 듀플렉서(61∼64), 스위치(51 및 52), 정합 회로(31, 32, 41 및 42)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22), 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다. 또한, 다이플렉서(60)는 고주파 모듈(1G)의 구성 요소는 아니지만, 도 5와 같이, 모듈 기판(91)의 주면에 배치되어 있어도 된다. 또한, 정합 회로(71∼74)는 도 5에는 도시되어 있지 않지만, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b) 중 어디에나 표면 실장되어 있어도 되고, 또한 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 된다.

본 실시예에서는 수신 저잡음 증폭기(21 및 22) 및 스위치(53, 54 및 55)는 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 제 1 회로 부품이고, 주면(91b)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51 및 52)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 스위치(51 및 52)와 제 1 회로 부품이 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되어 있다. 이것에 의해, 신호 입력 단자(131 및 132)로부터 입력된 대전력의 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 경로(AT∼DT)를 전송할 때에, 스위치(51 또는 52)와 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 필터(61T∼64T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 신호 입력 단자(131)로부터 입력된 송신 신호와 신호 입력 단자(132)로부터 입력된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

[10. 실시예 4에 따른 고주파 모듈(1H) 및 통신 장치(5H)의 회로 구성]

도 6은 실시예 4에 따른 고주파 모듈(1H) 및 통신 장치(5H)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(5H)는 고주파 모듈(1H)과, 안테나 접속 단자(100)와, 안테나(2)와, 송신 출력 정합 회로(30)와, 송신 전력 증폭기(11 및 12)와, 송신 입력 단자(111 및 112)와, 수신 입력 정합 회로(40)와, 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)와, 수신 출력 단자(121 및 122)와, 다이플렉서(60)와, 커플러(80)와, 스위치(56)와, 커플러 출력 단자(180)와, RFIC(3)와, BBIC(4)를 구비한다. 동 도면에 나타내어진 통신 장치(5H)는 실시예 3에 따른 통신 장치(5G)와 비교하여 고주파 모듈(1H)의 회로 구성이 다르다. 이하, 통신 장치(5H)에 대해서, 고주파 모듈(1H)의 회로 구성을 중심으로 설명한다.

도 6에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1H)은 신호 입출력 단자(130)(입출력 단자)와, 송신 필터(61T, 62T, 63T 및 64T)와, 수신 필터(61R, 62R, 63R 및 64R)와, 정합 회로(71, 72, 73 및 74)와, 스위치(51, 52, 53, 54 및 55)를 구비한다. 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1H)은 실시예 3에 따른 고주파 모듈(1G)과 비교하여 수신 입력 정합 회로(40) 및 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)를 구비하지 않는 점이 다르다. 즉, 고주파 모듈(1H)은 주로, 송신 전력 증폭기(11 및 12) 및 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)를 구비하지 않는 고주파 모듈이다.

신호 출력 단자(141)는 수신 출력 단자의 일례이고, 정합 회로(41)를 통해서 수신 저잡음 증폭기(21)의 입력 단자에 접속되어 있다. 신호 출력 단자(142)는 수신 출력 단자의 일례이고, 정합 회로(42)를 통해서 수신 저잡음 증폭기(22)의 입력 단자에 접속되어 있다.

스위치(53)는 제 2 스위치의 일례이고, 공통 단자, 제 3 선택 단자 및 제 4 선택 단자를 갖는다. 스위치(53)의 공통 단자는 신호 출력 단자(141)에 접속되어 있다. 스위치(53)의 제 3 선택 단자는 수신 경로(AR)에 배치된 수신 필터(61R)에 접속되고, 스위치(53)의 제 4 선택 단자는 수신 경로(BR)에 배치된 수신 필터(62R)에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(53)는 공통 단자와 제 3 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 공통 단자와 제 4 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(53)는 신호 출력 단자(141)와 수신 경로(AR)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 신호 출력 단자(141)와 수신 경로(BR)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(53)는 예를 들면, SPDT형의 스위치 회로로 구성된다.

스위치(54)는 공통 단자 및 2개의 선택 단자를 갖는다. 스위치(54)의 공통 단자는 신호 출력 단자(142)에 접속되어 있다. 스위치(54)의 일방의 선택 단자는 수신 경로(CR)에 배치된 수신 필터(63R)에 접속되고, 스위치(54)의 타방의 선택 단자는 수신 경로(DR)에 배치된 수신 필터(64R)에 접속되어 있다. 이 접속 구성에 있어서, 스위치(54)는 공통 단자와 일방의 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 공통 단자와 타방의 선택 단자의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 즉, 스위치(54)는 신호 출력 단자(142)와 수신 경로(CR)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 신호 출력 단자(142)와 수신 경로(DR)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(54)는 예를 들면, SPDT형의 스위치 회로로 구성된다.

[11. 실시예 4에 따른 고주파 모듈(1H)의 회로 소자 배치 구성]

도 7a는 실시예 4에 따른 고주파 모듈(1H)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 7a의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도7a의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

본 실시예에 따른 고주파 모듈(1H)은 실시예 3에 따른 고주파 모듈(1G)과 비교하여 수신 저잡음 증폭기(21 및 22)를 구비하지 않는 점이 다르다. 이하, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1H)의 회로 소자 배치 구성에 대해서, 실시예 3에 따른 고주파 모듈(1G)의 회로 소자 배치 구성과 다른 점을 중심으로 설명한다.

도 7a에 나타내는 바와 같이 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1H)에서는 듀플렉서(61∼64), 스위치(51 및 52), 정합 회로(41 및 42) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 스위치(53, 54 및 55)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다. 또한, 다이플렉서(60), 정합 회로(41 및 42)는 고주파 모듈(1H)의 구성 요소는 아니지만, 도 7a와 같이, 모듈 기판(91)의 주면에 배치되어 있어도 된다. 또한, 정합 회로(71∼74)는 도 7a에는 도시되어 있지 않지만, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b) 중 어디에나 표면 실장되어 있어도 되고, 또한, 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 된다.

본 실시예에서는, 스위치(53, 54 및 55)는 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 제 1 회로 부품이고, 주면(91b)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51 및 52)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 스위치(51 및 52)와 제 1 회로 부품이 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되어 있다. 이것에 의해 신호 입력 단자(131 및 132로)부터 입력된 대전력의 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 경로(AT∼DT)를 전송할 때에, 스위치(51 또는 52)와 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 필터(61T∼64T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 신호 입력 단자(131)로부터 입력된 송신 신호와 신호 입력 단자(132)로부터 입력된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

[12. 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1J)의 회로 소자 배치 구성]

도 7b는 변형예 5에 따른 고주파 모듈(1J)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 7b의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 7b의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

본 변형예에 따른 고주파 모듈(1J)은 실시예 4에 따른 고주파 모듈(1H)과 비교하여 스위치(51 및 52)의 배치 구성이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1J)의 회로 소자 배치 구성에 대해서, 실시예 4에 따른 고주파 모듈(1H)의 회로 소자 배치 구성과 다른 점을 중심으로 설명한다.

도 7b에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1J)에서는 듀플렉서(61∼64), 정합 회로(41 및 42) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 스위치(51, 52, 53, 54 및 55)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다. 또한, 다이플렉서(60), 정합 회로(41 및 42)는 고주파 모듈(1J)의 구성 요소는 아니지만, 도 7b와 같이, 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되어 있어도 된다. 또한, 정합 회로(71∼74)는 도 7b에는 도시되어 있지 않지만, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b) 중 어디에나 표면 실장되어 있어도 되고, 또한 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 된다.

본 실시예에서는 듀플렉서(61∼64), 정합 회로(41 및 42) 및 다이플렉서(60)는 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 제 1 회로 부품이며, 주면(91a)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51 및 52)는 주면(91b)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 스위치(51 및 52)와 제 1 회로 부품이 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되어 있다. 이것에 의해, 신호 입력 단자(131 및 132)로부터 입력된 대전력의 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 경로(AT∼DT)를 전송할 때에, 스위치(51 또는 52)와 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 필터(61T∼64T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 신호 입력 단자(131)로부터 입력된 송신 신호와 신호 입력 단자(132)로부터 입력된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

[13. 변형예 6에 따른 고주파 모듈(1K)의 회로 소자 배치 구성]

도 7c는 변형예 6에 따른 고주파 모듈(1K)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 7c의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 7c의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 본 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

본 변형예에 따른 고주파 모듈(1K)은 실시예 4에 따른 고주파 모듈(1H)과 비교하여 다이플렉서(60)의 배치 구성이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1K)의 회로 소자 배치 구성에 대해서, 실시예 4에 따른 고주파 모듈(1H)의 회로 소자 배치 구성과 다른 점을 중심으로 설명한다.

도 7c에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1K)에서는 스위치(51 및 52), 듀플렉서(61∼64) 및 정합 회로(41 및 42)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 표면 실장되어 있다. 한편, 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 표면 실장되어 있다. 또한, 다이플렉서(60), 정합 회로(41 및 42)는 고주파 모듈(1K)의 구성 요소는 아니지만, 도 7c와 같이, 모듈 기판(91)의 주면에 배치되어 있어도 된다. 또한, 정합 회로(71∼74)는 도 7c에는 도시되어 있지 않지만, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b) 중 어디에 표면 실장되어 있어도 되고, 또한 모듈 기판(91)에 내장되어 있어도 된다.

본 변형예에서는 스위치(53, 54 및 55) 및 다이플렉서(60)는 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 제 1 회로 부품이고, 주면(91b)에 실장되어 있다. 한편, 스위치(51 및 52)는 주면(91a)에 실장되어 있다.

상기 구성에 의하면, 스위치(51 및 52)와 제 1 회로 부품이 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되어 있다. 이것에 의해, 신호 입력 단자(131 및 132)로부터 입력된 대전력의 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 경로(AT∼DT)를 전송할 때에, 스위치(51 또는 52)와 수신 경로(AR∼DR)에 배치된 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A∼D)의 송신 신호가 송신 필터(61T∼64T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51 및 52)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 신호 입력 단자(131)로부터 입력된 송신 신호와 신호 입력 단자(132)로부터 입력된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR∼DR) 중 어느 하나에 유입하고, 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

[14. 효과 등]

이상, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖는 모듈 기판(91)과, 송신 입력 단자(111)와, 수신 출력 단자(121)와, 안테나 접속 단자(100)와, 송신 입력 단자(111)가 접속되는 제 1 공통 송신 경로에 접속된 공통 단자와, 안테나 접속 단자(100)와 접속되는 송신 경로(AT)에 접속된 제 1 선택 단자와, 안테나 접속 단자(100)와 접속되는 송신 경로(BT)에 접속된 제 2 선택 단자를 갖고, 또한, 상기 공통 단자와 제 1 선택 단자의 접속 및 상기 공통 단자와 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭하는 스위치(51)와, 제 1 공통 송신 경로에 배치된 송신 전력 증폭기(11)와, 수신 출력 단자(121) 및 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 수신 경로(AR 또는 BR)에 배치된 제 1 회로 부품을 구비하고, 송신 경로(AT)는 통신 밴드(A)의 송신 신호를 전송하는 신호 경로이고, 송신 경로(BT)는 통신 밴드(B)의 송신 신호를 전송하는 신호 경로이며, 스위치(51)는 주면(91a)에 배치되어 있고, 제 1 회로 부품 중 적어도 1개는 주면(91b)에 배치되어 있다.

이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호가 송신 경로(AT 또는 BT)를 전송할 때에, 스위치(51)와 수신 경로(AR 또는 BR)가 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호가, 송신 필터(61T 또는 62T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 제 1 회로 부품은 (1) 수신 저잡음 증폭기(21), (2) 수신 저잡음 증폭기(21)의 입력 단자에 접속된 정합 회로(41)의 인덕터, (3) 수신 경로(AR 및 BR)와 수신 저잡음 증폭기(21)의 접속 및 비접속을 스위칭하는 스위치(53), (4) 수신 필터(61R, 62R), 듀플렉서(61) 또는 듀플렉서(62), (5) 인덕터 및 커패시터의 적어도 일방으로 구성된 필터(60L) 및 (6) 안테나 접속 단자(100) 또는 필터(60L)에 접속되고, 안테나 접속 단자(100)와 송신 경로(AT)의 접속, 안테나 접속 단자(100)와 송신 경로(BT)의 접속, 안테나 접속 단자(100)와 수신 경로(AR)의 접속 및 안테나 접속 단자(100)와 수신 경로(BR)의 접속을 스위칭하는 스위치(55) 중 적어도 1개 이어도 된다.

또한, 주면(91b)에는 외부 기판과 접속되는 외부 접속 단자(150)가 배치되어 있어도 된다.

이것에 의하면, 외부 기판과 대향하는 주면(91b)에는 저배화가 용이한 수신계의 회로 부품이 배치되므로, 고주파 모듈(1) 전체를 저배화하는 것이 가능해진다. 또한, 수신 감도에 크게 영향을 주는 수신계의 회로 부품의 주위에, 그라운드 전극으로서 적용되는 외부 접속 단자(150)가 복수 배치되므로, 수신 회로의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.

또한, 송신 전력 증폭기(11)는 주면(91a)에 배치되어 있어도 된다.

이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)의 방열 경로로서, 모듈 기판(91) 내의 배선 중 열저항이 큰 평면 배선 패턴만을 경유한 방열 경로를 배제할 수 있다. 따라서, 송신 전력 증폭기(11)로부터의 외부 기판으로의 방열성이 향상된 소형의 고주파 모듈(1)을 제공하는 것이 가능해진다.

또한, 수신 저잡음 증폭기(21)를 더 구비하고, 상기 제 1 회로 부품은 수신 경로(AR 및 BR)와 수신 저잡음 증폭기(21)의 접속 및 비접속을 스위칭하는 스위치(53)이고, 주면(91b)에는 스위치(53)가 배치되어 있고, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 스위치(53)와 송신 전력 증폭기(11)는 중복하지 않고, 또한 스위치(51)와 스위치(53)는 중복하지 않는다는 것이 바람직하다.

이것에 의해, 수신 경로에 배치된 스위치(53)와 송신 전력 증폭기(11)가, 모듈 기판(91)을 사이에 두고 대향할 뿐만 아니라, 스위치(53)와 송신 전력 증폭기(11)의 거리를 크게 확보할 수 있다. 또한, 수신 경로에 배치된 스위치(53)와 송신 경로에 배치된 스위치(51)가, 모듈 기판(91)을 사이에 두고 대향할 뿐만 아니라, 스위치(53)와 스위치(51)의 거리를 크게 확보할 수 있다. 이것에 의해, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 보다 한층 향상하므로 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 보다 한층 억제할 수 있다.

또한, 수신 저잡음 증폭기(21)와, (1) 수신 저잡음 증폭기(21)의 입력 단자에 접속된 정합 회로(41)의 인덕터 및 (2) 수신 필터(61R) 또는 듀플렉서(61) 중 적어도 일방을 더 구비하고, 상기 제 1 회로 부품은 수신 경로(AR 및 BR)와 수신 저잡음 증폭기(21)의 접속 및 비접속을 스위칭하는 스위치(53)이고, 주면(91a)에는 (1) 정합 회로(41)의 인덕터 및 (2) 수신 필터(61R) 또는 듀플렉서(61) 중 상기 적어도 일방이 배치되어 있고, 주면(91b)에는 스위치(53)가 배치되어 있고, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우에, 수신 필터(61R) 또는 듀플렉서(61)와 스위치(53)는 중복하고 있다는 것이 바람직하다.

이것에 의해, 수신 필터(61R) 또는 듀플렉서(61)와 스위치(53)가 모듈 기판(91)을 통해서 대향하고 있다. 이 때문에, 수신 필터(61R) 또는 듀플렉서(61)와 스위치(53)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 수신 경로에 있어서의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 스위치(51)와 접속된 송신 필터(61T) 또는 듀플렉서(61)를 더 구비하고, 주면(91a)에는 송신 필터(61T) 또는 듀플렉서(61)가 실장되어 있고, 모듈 기판(91)을 평면으로 본 경우, 송신 전력 증폭기(11), 스위치(51), 송신 필터(61T) 또는 듀플렉서(61)의 순서로 주면(91a) 상에 배치되어 있는 것이 바람직하다.

이것에 의해, 전기적인 접속 순서와 같은 순서로 송신 전력 증폭기(11), 스위치(51), 송신 필터(61T) 또는 듀플렉서(61)가 주면(91a) 상에 배치되어 있으므로, 송신 전력 증폭기(11), 스위치(51), 송신 필터(61T) 또는 듀플렉서(61)를 연결하는 배선 길이를 짧게 할 수 있다. 따라서, 송신 경로에 있어서의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 수신 저잡음 증폭기(21)를 더 구비하고, 상기 제 1 회로 부품은 (1) 수신 저잡음 증폭기(21)의 입력 단자에 접속된 정합 회로(41)의 인덕터 및 (2) 필터(60L) 중 적어도 일방이고, 주면(91b)에는 외부 접속 단자(150)가 배치되어 있고, 주면(91b)에는 스위치(51)가 배치되어 있고, 주면(91a)에는 (1) 정합 회로(41)의 인덕터 및 (2) 필터(60L) 중 상기 적어도 일방이 배치되어 있어도 된다.

이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호가 송신 경로(AT 또는 BT)를 전송할 때에, 스위치(51)와 수신 경로(AR 또는 BR)가 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 통신 밴드(A 또는 B)의 송신 신호가 송신 필터(61T 또는 62T) 및 스위치(55)를 경유하지 않고, 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로(AR 또는 BR)에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 수신 감도의 저하를 억제할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖는 모듈 기판(91)과, 송신 입력 단자(111)와, 수신 출력 단자(121)와, 안테나 접속 단자(100)와, 송신 입력 단자(111)에 접속된 송신 전력 증폭기(11)와, 안테나 접속 단자(100)에 접속된 송신 필터(61T)와, 안테나 접속 단자(100)에 접속된 송신 필터(62T)와, 송신 전력 증폭기(11)의 출력 단자에 접속된 공통 단자, 송신 필터(61T)에 접속된 제 1 선택 단자 및 송신 필터(62T)에 접속된 제 2 선택 단자를 갖고, 또한, 상기 공통 단자와 제 1 선택 단자의 접속 및 상기 공통 단자와 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭하는 스위치(51)와, 수신 출력 단자(121) 및 안테나 접속 단자(100)에 접속된 제 1 회로 부품을 구비하고, 스위치(51)는 주면(91a)에 배치되어 있고, 제 1 회로 부품 중 적어도 1개는 주면(91b)에 배치되어 있다.

이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 송신 신호가 송신 필터(61T 및 62T)가 배치된 송신 경로를 전송할 때에, 스위치(51)와 상기 제 1 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 상기 송신 신호 또는 그 고조파가 송신 필터(61T 또는 62T) 등의 송신 경로에 배치된 회로 부품을 경유하지 않고, 제 1 회로 부품에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한 스위치(51)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 송신 전력 증폭기(11)로 증폭된 송신 신호와 송신 전력 증폭기(12)로 증폭된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 제 1 회로 부품에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 안테나 접속 단자(100)에 접속된 제 1 공통 단자와, 제 1 공통 단자에 접속된 송신 필터(61T)와, 제 1 공통 단자에 접속된 수신 필터(61R)를 갖는 듀플렉서(61)와, 안테나 접속 단자(100)에 접속된 제 2 공통 단자와, 제 2 공통 단자에 접속된 송신 필터(62T)와, 제 2 공통 단자에 접속된 수신 필터(62R)를 갖는 듀플렉서(62)를 구비하고, 수신 필터(61R 및 62R)는 상기 제 1 회로 부품이어도 된다.

이것에 의해, 송신 전력 증폭기(11)로부터 출력된 대전력의 송신 신호가 송신 필터(61T 및 62T)가 배치된 송신 경로를 전송할 때에, 스위치(51)와 상기 제 1 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1G)은 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖는 모듈 기판(91)과, 신호 입력 단자(131)와, 수신 출력 단자(121)와, 안테나 접속 단자(100)와, 안테나 접속 단자(100)에 접속된 송신 필터(61T)와, 안테나 접속 단자(100)에 접속된 송신 필터(62T)와, 신호 입력 단자(131)에 접속된 공통 단자, 송신 필터(61T)에 접속된 제 1 선택 단자 및 송신 필터(62T)에 접속된 제 2 선택 단자를 갖고, 또한, 상기 공통 단자와 제 1 선택 단자의 접속 및 상기 공통 단자와 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭하는 스위치(51)와, 수신 출력 단자(121) 및 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 수신 경로(AR 또는 BR)에 배치된 제 1 회로 부품을 구비하고, 스위치(51)는 주면(91a)에 배치되어 있고, 제 1 회로 부품 중 적어도 1개는 주면(91b)에 배치되어 있다.

이것에 의하면, 스위치(51)와 제 1 회로 부품이 모듈 기판(91)을 사이에 두고 배치되어 있다. 이것에 의해, 신호 입력 단자(131)로부터 입력된 대전력의 송신 신호가 송신 필터(61T 및 62T)가 배치된 송신 경로를 전송할 때에, 스위치(51)와 상기 제 1 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 상기 송신 신호 또는 그 고조파가 송신 필터(61T 또는 62T) 등의 송신 경로에 배치된 회로 부품을 경유하지 않고, 제 1 회로 부품에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 스위치(51)의 비선형 작용에 의해 발생하는 고조파 또는 신호 입력 단자(131)로부터 입력된 송신 신호와 신호 입력 단자(132)로부터 입력된 송신 신호의 상호 변조 왜곡의 불요파가 제 1 회로 부품에 유입하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 안테나 접속 단자(100)에 접속된 제 1 공통 단자와, 제 1 공통 단자에 접속된 송신 필터(61T)와, 제 1 공통 단자에 접속된 수신 필터(61R)를 갖는 듀플렉서(61)와, 안테나 접속 단자(100)에 접속된 제 2 공통 단자와, 제 2 공통 단자에 접속된 송신 필터(62T)와, 제 2 공통 단자에 접속된 수신 필터(62R)를 갖는 듀플렉서(62)를 구비하고, 수신 필터(61R 및 62R)는 상기 제 1 회로 부품이어도 된다.

이것에 의해, 신호 입력 단자(131)로부터 출력된 대전력의 송신 신호가 송신 필터(61T 및 62T)가 배치된 송신 경로를 전송할 때에, 스위치(51)와 상기 제 1 회로 부품이 전계 결합, 자계 결합 또는 전자계 결합하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 송신 회로와 수신 회로의 아이솔레이션이 향상하므로, 상기 송신 신호, 고조파 및 상호 변조 왜곡의 불요파가 수신 경로에 유입하여 수신 감도를 저하시키는 것을 억제할 수 있다.

또한, 통신 장치(5)는 안테나(2)와, 안테나(2)로 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RFIC(3)와, 안테나(2)와 RFIC(3) 사이에서 고주파 신호를 전송하는 고주파 모듈(1)을 구비한다.

이것에 의해, 수신 감도의 열화가 억제된 통신 장치(5)를 제공하는 것이 가능해진다.

(그 밖의 실시형태 등)

이상, 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 대해서, 실시형태 및 실시예를 들어서 설명했지만, 본 발명에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치는 상기 실시형태 및 실시예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태 및 실시예에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합시켜서 실현되는 다른 실시형태나 상기 실시형태 및 실시예에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해 내는 각종 변형을 실시하여 얻어지는 변형예나, 상기 고주파 모듈 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.

예를 들면, 상기 실시형태 및 그 실시예에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 있어서, 도면에 개시된 각 회로 소자 및 신호 경로를 접속하는 경로 사이에, 별도의 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어 있어도 된다.

(산업상 이용 가능성)

본 발명은 멀티밴드 대응의 프런트엔드부에 배치되는 고주파 모듈로서, 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.

Claims (13)

1. 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 모듈 기판과,
   송신 입력 단자와,
   수신 출력 단자와,
   입출력 단자와,
   상기 송신 입력 단자와 접속되는 공통 송신 경로에 접속된 공통 단자와, 상기 입출력 단자와 접속되는 제 1 송신 경로에 접속된 제 1 선택 단자와, 상기 입출력 단자와 접속되는 제 2 송신 경로에 접속된 제 2 선택 단자를 갖고, 또한 상기 공통 단자와 상기 제 1 선택 단자의 접속 및 상기 공통 단자와 상기 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭하는 제 1 스위치와,
   상기 공통 송신 경로에 배치된 송신 전력 증폭기와,
   상기 수신 출력 단자 및 상기 입출력 단자에 접속되는 수신 경로에 배치된 제 1 회로 부품을 구비하고,
   상기 제 1 송신 경로는 제 1 통신 밴드의 송신 신호를 전송하는 신호 경로이고,
   상기 제 2 송신 경로는 제 2 통신 밴드의 송신 신호를 전송하는 신호 경로이고,
   상기 제 1 스위치는 상기 제 1 주면에 배치되어 있고,
   상기 제 1 회로 부품 중 적어도 1개는 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 회로 부품은,
   (1) 수신 저잡음 증폭기,
   (2) 상기 수신 저잡음 증폭기의 입력 단자에 접속된 인덕터,
   (3) 상기 수신 경로와 상기 수신 저잡음 증폭기의 접속 및 비접속을 스위칭하는 제 2 스위치,
   (4) 수신 필터 또는 듀플렉서,
   (5) 인덕터 및 커패시터 중 적어도 일방으로 구성된 LC 필터, 및
   (6) 상기 입출력 단자 또는 상기 LC 필터에 접속되고, 상기 제 1 송신 경로와 상기 입출력 단자의 접속, 상기 제 2 송신 경로와 상기 입출력 단자의 접속, 및 상기 수신 경로와 상기 입출력 단자의 접속을 스위칭하는 안테나 스위치
   중 적어도 1개인 고주파 모듈.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 2 주면에는 외부 접속 단자가 배치되어 있는 고주파 모듈.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 송신 전력 증폭기는 상기 제 1 주면에 실장되어 있는 고주파 모듈.
5. 제 4 항에 있어서,
   수신 저잡음 증폭기를 더 구비하고,
   상기 제 1 회로 부품은 상기 수신 경로와 상기 수신 저잡음 증폭기의 접속 및 비접속을 스위칭하는 제 2 스위치이고,
   상기 제 2 주면에는 상기 제 2 스위치가 배치되어 있고,
   상기 모듈 기판을 평면으로 본 경우에, 상기 송신 전력 증폭기와 상기 제 2 스위치는 중복하지 않고, 또한 제 1 스위치와 상기 제 2 스위치는 중복하지 않는 고주파 모듈.
6. 제 4 항에 있어서,
   수신 저잡음 증폭기와,
   (1) 상기 수신 저잡음 증폭기의 입력 단자에 접속된 인덕터, 및 (2) 상기 수신 경로에 배치된 수신 필터 또는 듀플렉서 중 적어도 일방을 더 구비하고,
   상기 제 1 회로 부품은 상기 수신 저잡음 증폭기와 상기 수신 경로의 접속 및 비접속을 스위칭하는 제 2 스위치이고,
   상기 제 1 주면에는 상기 인덕터, 및 상기 수신 필터 또는 상기 듀플렉서 중 상기 적어도 일방이 배치되어 있고,
   상기 제 2 주면에는 상기 제 2 스위치가 배치되어 있고,
   상기 모듈 기판을 평면으로 본 경우에, 상기 수신 필터 또는 상기 듀플렉서와 상기 제 2 스위치는 중복하고 있는 고주파 모듈.
7. 제 4 항에 있어서,
   상기 제 1 스위치와 접속된 송신 필터 또는 듀플렉서를 더 구비하고,
   상기 제 1 주면에는 상기 송신 필터 또는 상기 듀플렉서가 실장되어 있고,
   상기 제 1 주면을 평면으로 본 경우, 상기 송신 전력 증폭기, 상기 제 1 스위치, 상기 송신 필터 또는 상기 듀플렉서의 순서로 상기 제 1 주면 상에 배치되어 있는 고주파 모듈.
8. 제 1 항에 있어서,
   수신 저잡음 증폭기를 더 구비하고,
   상기 제 1 회로 부품은, (1) 상기 수신 저잡음 증폭기의 입력 단자에 접속된 인덕터, 및 (2) 상기 입출력 단자에 접속되어 인덕터 및 커패시터 중 적어도 일방으로 구성된 LC 필터 중 적어도 일방이고,
   상기 제 1 주면에는 외부 접속 단자가 배치되어 있고,
   상기 제 2 주면에는 상기 인덕터 및 상기 LC 필터 중 상기 적어도 일방이 배치되어 있는 고주파 모듈.
9. 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 모듈 기판과,
   송신 입력 단자와,
   수신 출력 단자와,
   입출력 단자와,
   상기 송신 입력 단자에 접속된 송신 전력 증폭기와,
   상기 입출력 단자에 접속된 제 1 송신 필터와,
   상기 입출력 단자에 접속된 제 2 송신 필터와,
   상기 송신 전력 증폭기의 출력 단자에 접속된 공통 단자, 상기 제 1 송신 필터에 접속된 제 1 선택 단자 및 상기 제 2 송신 필터에 접속된 제 2 선택 단자를 갖고, 또한 상기 공통 단자와 상기 제 1 선택 단자의 접속 및 상기 공통 단자와 상기 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭하는 제 1 스위치와,
   상기 수신 출력 단자 및 상기 입출력 단자에 접속된 제 1 회로 부품을 구비하고,
   상기 제 1 스위치는 상기 제 1 주면에 배치되고,
   상기 제 1 회로 부품 중 적어도 1개는 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 입출력 단자에 접속된 제 1 공통 단자와, 상기 제 1 공통 단자에 접속된 상기 제 1 송신 필터와, 상기 제 1 공통 단자에 접속된 제 1 수신 필터를 갖는 제 1 듀플렉서와,
    상기 입출력 단자에 접속된 제 2 공통 단자와, 상기 제 2 공통 단자에 접속된 상기 제 2 송신 필터와, 상기 제 2 공통 단자에 접속된 제 2 수신 필터를 갖는 제 2 듀플렉서를 구비하고,
    상기 제 1 수신 필터는 상기 제 1 회로 부품이고,
    상기 제 2 수신 필터는 상기 제 1 회로 부품인 고주파 모듈.
11. 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 모듈 기판과,
    송신 입력 단자와,
    수신 출력 단자와,
    입출력 단자와,
    상기 입출력 단자에 접속된 제 1 송신 필터와,
    상기 입출력 단자에 접속된 제 2 송신 필터와,
    상기 송신 입력 단자에 접속된 공통 단자, 상기 제 1 송신 필터에 접속된 제1 선택 단자 및 상기 제 2 송신 필터에 접속된 제 2 선택 단자를 갖고, 또한 상기공통 단자와 상기 제 1 선택 단자의 접속 및 상기 공통 단자와 상기 제 2 선택 단자의 접속을 스위칭하는 제 1 스위치와,
    상기 수신 출력 단자 및 상기 입출력 단자에 접속된 제 1 회로 부품을 구비하고,
    상기 제 1 스위치는 상기 제 1 주면에 배치되고,
    상기 제 1 회로 부품 중 적어도 1개는 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
12. 제 11 항에 있어서,
    상기 입출력 단자에 접속된 제 1 공통 단자와, 상기 제 1 공통 단자에 접속된 상기 제 1 송신 필터와, 상기 제 1 공통 단자에 접속된 제 1 수신 필터를 갖는 제 1 듀플렉서와,
    상기 입출력 단자에 접속된 제 2 공통 단자와, 상기 제 2 공통 단자에 접속된 상기 제 2 송신 필터와, 상기 제 2 공통 단자에 접속된 제 2 수신 필터를 갖는 제 2 듀플렉서를 구비하고,
    상기 제 1 수신 필터는 상기 제 1 회로 부품이고,
    상기 제 2 수신 필터는 상기 제 1 회로 부품인 고주파 모듈.
13. 안테나와,
    상기 안테나로 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로와,
    상기 안테나와 상기 RF 신호 처리 회로 사이에 상기 고주파 신호를 전송하는 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치.

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