JP2016152612A - 弾性波デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基板10と、前記支持基板上に接合された圧電基板12と、前記圧電基板上に形成された弾性波素子18と、前記支持基板上に前記弾性波素子を囲んで設けられた枠体22と、前記枠体上に、前記弾性波素子が露出する空洞26を前記圧電基板上に有して設けられた基板28と、を備え、前記圧電基板の面方向において、同じ方向における前記支持基板と前記圧電基板との線膨張係数の差よりも、前記同じ方向における前記支持基板と前記基板との線膨張係数の差が小さく、前記弾性波素子が形成された領域の前記圧電基板は残存し、前記枠体が形成された領域の前記圧電基板は除去されている弾性波デバイス。
【選択図】図3
Description
12、12a、12b 圧電基板
18 弾性波素子
20 配線
22 枠体
24 突起電極
26 空洞
28、28a 基板
30 ビア配線
32 端子
34 弾性波素子
36 配線
38 ビア配線
40 端子
Claims (9)
- 支持基板と、
前記支持基板上に接合された圧電基板と、
前記圧電基板上に形成された第1弾性波素子と、
前記支持基板上に前記第1弾性波素子を囲んで設けられた枠体と、
前記枠体上に、前記第1弾性波素子が露出する空洞を前記圧電基板上に有して設けられた基板と、を備え、
前記圧電基板の面方向において、同じ方向における前記支持基板と前記圧電基板との線膨張係数の差よりも、前記同じ方向における前記支持基板と前記基板との線膨張係数の差が小さく、
前記第1弾性波素子が形成された領域の前記圧電基板は残存し、前記枠体が形成された領域の前記圧電基板は除去されていることを特徴とする弾性波デバイス。 - 前記支持基板と前記基板との間に、前記支持基板に設けられた前記第1弾性波素子に電気的に接続する配線と前記基板に設けられた配線とに接続する突起電極を備え、
前記突起電極が形成された領域の前記圧電基板は除去されていることを特徴とする請求項1記載の弾性波デバイス。 - 前記枠体は、前記同じ方向における前記支持基板と前記圧電基板との線膨張係数の差よりも、前記同じ方向における前記支持基板の線膨張係数との差が小さい材料を含むことを特徴とする請求項1または2記載の弾性波デバイス。
- 前記同じ方向は、前記支持基板と前記圧電基板との線膨張係数の差が最も大きくなる方向であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記支持基板と前記基板とは、同じ材料からなることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記支持基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板は、回転YカットX伝搬タンタル酸リチウム基板または回転YカットX伝搬ニオブ酸リチウム基板であり、
前記回転YカットX伝搬タンタル酸リチウム基板または前記回転YカットX伝搬ニオブ酸リチウム基板のX軸方向における前記支持基板と前記圧電基板との線膨張係数の差よりも、前記X軸方向における前記支持基板と前記基板との線膨張係数の差が小さいことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記基板下に、前記空洞に露出して設けられた第2弾性波素子を備えることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
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