KR100485702B1 - 지지대를 갖는 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법 - Google Patents

지지대를 갖는 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

지지 구조물을 갖는 압전체를 이용한 박막 벌크 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: FBAR)가 개시된다. FBAR는 기판 상면에 신호라인이 형성되며, 기판으로부터 소정거리 이격되도록 2개의 지지대 및 비아(Via)를 통해 공진구조물(410)을 형성한다. 비아는 공진기의 하부전극과 기판 상에 형성된 신호라인이 전기적으로 연결되도록 형성한다. 또한, 신호라인에 인덕터 패턴을 형성하고, 비아와 신호 라인 사이에 캐패시터를 더 형성할 수 있다. 이와 같은 FBAR는 공진기가 지지대에 의해 지지되므로 이상적인 공진기 형태를 얻을 수 있으며, 지지대에 의해 형성된 에어 갭에 의해 공진기 구동에 따른 기판 손실을 방지할 수 있어 공진 특성을 향상시킬 수 있으며, 인덕터 및 캐패시터를 통해 공진주파수를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 임피던스 매칭을 손쉬워진다.

Description

지지대를 갖는 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법{Film bulk acoustic resonator having support structure and method thereof}
본 발명은 음향 공진기에 관한 것으로서, 특히, 압전체를 이용한 박막 벌크 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: FBAR) 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근 무선이동통신기술은 눈부시게 발전하고 있다. 이러한 이동통신기술은 한정된 주파수 대역에서 효율적으로 정보를 전달할 수 있는 다양한 고주파(RF : Radio Frequency)부품들이 요구된다. 특히, RF 부품들 중 필터는 이동통신기술에 사용되는 핵심 부품 중 하나로서, 무수히 많은 공중파 중에 이용자가 필요로 하는 신호를 선택하거나 전송하고자 하는 신호를 필터링 하여 줌으로서 고품질의 통신을 가능하게 한다.
현재 무선통신용 RF 필터로 가장 많이 사용되고 있는 것이 유전체 필터와 표면탄성파(Surface Acoustic wave: SAW) 필터이다. 유전체 필터는 높은 유전율, 저삽입 손실, 높은 온도에서의 안정성, 내진동, 내충격에 강한 장점을 가지고 있다. 그러나 유전체 필터는 최근의 기술 발전 동향인 소형화 및 MMIC(Monolithic Microwave IC)화에는 한계성을 가지고 있다. 또한, SAW 필터는 유전체 필터에 비해 소형이면서 신호처리가 용이하고 회로가 단순하며, 반도체 공정을 이용함으로써 대량생산이 가능한 이점을 가지고 있다. 또한, SAW 필터는 유전체 필터에 비해 통과 대역 내의 사이드 리젝션(Side Rejection)이 높아 고품위의 정보를 주고받을 수 있는 장점이 있다. 그러나 SAW 필터 공정에는 자외선(UV)을 사용하여 노광을 하는 공정이 포함되므로 IDT(InterDigital Transducer) 선폭이 0.5㎛ 정도가 한계라는 단점을 가지고 있다. 따라서 SAW필터를 이용하여 초고주파(5㎓ 이상) 대역을 커버하기는 불가능하다는 문제점이 있으며, 근본적으로 반도체기판에서 이루어지는 MMIC구조와 단일칩상으로 구성되기는 불가능하다는 문제점이 있다.
위와 같은 한계 및 문제점들을 극복하기 위하여 기존 반도체(Si, GaAs)기판에 다른 능동소자들과 함께 집적되어 주파수 제어회로를 완전히 MMIC화 할 수 있는 FBAR 필터가 제안되었다.
FBAR는 박막(Thin Film)소자로 저가격, 소형이면서 고품질(High Q)계수의 특성이 가능하므로 각종 주파 대역(9백㎒∼10㎓)의 무선통신기기, 군용 레이더 등에 사용 가능하다. 또한, 유전체 필터 및 집중 정수(LC) 필터보다 수백 분의 1 크기로 소형화가 가능하고, SAW 필터보다 삽입손실이 매우 작다는 특성을 가지고 있다. 따라서 FBAR는 안정성이 높고 고품질계수를 요구하는 MMIC에 적용될 수 있다.
FBAR 필터는 반도체 기판인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs)에 압전유전체 물질인 산화아연(ZnO), 질화알루미늄(AlN)을 RF 스퍼터링 방법으로 직접 증착해 압전 특성으로 인한 공진을 유발한다. 이러한 FBAR는 양 전극 사이에 압전박막을 증착해 체적파(Bulk Acoustic Wave)를 유발시켜 공진을 발생시킨다.
도 1 내지 도 3은 종래 FBAR들의 구조를 나타낸 도면이다.
도 1은 종래 멤브레인형(Bulk micro machining 형) FBAR의 구조를 나타낸 도면으로, 멤브레인형 FBAR는 기판(11) 위에 실리콘산화막(SiO2: 12)을 증착하고, 기판(11) 반대면을 이방성 에칭(Isotropic Etching)하여 형성된 캐버티(Cavity: 16)를 통해 멤브레인층(12)을 형성한다. 그리고 실리콘산화막(12) 상부로 하부전극(13)을 형성하고, 이 하부전극층(13) 상부로 압전물질(14)을 RF 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering)방법으로 증착하여 압전층(14)을 형성하며, 압전층(14) 상부로 상부전극(15)을 형성하고 있다.
위와 같은 멤브레인형 FBAR는 캐버티(16)에 의해 기판(11) 유전손실이 적으며, 전력손실이 작은 장점을 가지고 있다. 하지만, 멤브레인형 FBAR는 실리콘 기판의 방향성에 의하여 소자가 차지하는 면적이 크며, 후속 패키징 공정시 구조적 안정성이 낮아 파손에 의한 수율 저하가 문제점이 되고 있었다. 따라서, 최근 멤브레인에 의한 손실을 줄이고 소자 제조공정을 단순화하기 위해 에어 갭(Air Gap)형과 브래그 리플렉터(Bragg Reflector)형 FBAR가 등장했다.
도 2는 브래그 리플렉터형 FBAR의 구조를 나타낸 도면이다. 브래그 리플렉터형 FBAR는 음향반사기(28)를 기판(21) 위에 적층하고, 음향반사기(28) 상부로 공진기(29)를 적층하는 구조로 제조되고 있다. 이와 같은 브래그 리플렉터형 FBAR는 기판 위에 음향 임피던스(Acoustic Impedance) 차가 큰 물질을 격층으로 증착, 브래그 반사를 유발시켜 음파에너지가 상하의 전극층(25, 27) 사이에서 공진되도록 한다.
따라서 브래그 리플렉터형 FBAR는 구조가 견고하고, 공진기(29)의 휨에 의한 스트레스(stress)가 발생하지 않으며, 제조시간이 절약되고 외부 충격에 강하다는 장점을 갖는다. 그러나 브래그 리플렉터형 FBAR는 전반사를 이루기 위한 층간 두께 조절이 쉽지 않으며, 반사층(28) 형성에 따른 제조비용이 상승하는 문제점이 있다.
도 3은 에어 갭형(surface micro machining 형) FBAR의 구조를 나타낸 도면이다. 에어 갭형 FBAR는 마이크로머시닝(Micromachining)기술을 이용, 기판(31) 표면에 희생(Sacrificial)층을 통해 에어 갭(36)을 형성하는 것으로, 멤브레인층을 형성한다. 부재번호 32는 산화실리콘막, 33은 하부전극, 34는 압전물질, 그리고 35는 상부전극을 나타낸다.
에어 갭형 FBAR는 도 1의 멤브레인 형성을 위한 기판 반대면 에칭시 소요되는 긴 공정시간과 유해가스로 인한 위험성을 줄일 수 있으며, 기판 유전체 손실이 적고, 면적이 작다는 장점이 있다. 그러나 에어 갭형 FBAR는 희생층 식각시 구조물이 장시간 노출되어 후속 공정에서 쉽게 파손이 될 수 있어 수율을 떨어뜨리는 원인이 되며, 제조 공정이 복잡하다는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 기판 유전체 손실이 적으면서 공진 특성 및 수율을 향상시킬 수 있는 박막 벌크 음향공진기 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 박막 벌크 음향 공진기는, 반도체 기판 상면에 형성된 신호라인과, 상기 반도체기판과 소정 높이로 이격되며, 압전박막 상하부에 각각 전극으로 이용하기 위한 금속막이 접합되어 형성된 압전공진구조물과, 상기 반도체기판으로부터 상기 압전공진구조물을 지지하는 적어도 하나 이상의 지지대, 및 상기 신호라인과 상기 압전공진구조물의 하부 금속막을 전기적으로 연결하는 비아(via)를 포함한다.
여기서, 상기 박막 벌크 음향 공진기는 상기 신호라인 상면 일부로 유전체 및 상기 유전체 상부로 금속막이 적층되어 형성된 캐패시터를 더 포함하며, 상기 비아는 상기 압전공진구조물의 상기 하부전극과 상기 캐패시터를 이루는 유전체 상부 금속막이 연결되도록 할 수 있다.
또한, 상기 박막 벌크 음향 공진기는 상기 신호라인에 인덕터 패턴을 형성할 수 있으며, 또한, 상기 비아 중단부에 유전체 상하로 금속막이 접합되어 형성된 캐패시터를 더 포함할 수 있다.
또한, 비아는 접지(ground)에 곧바로 연결되는 스터브(stub)로 이용할 수 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법은 반도체 기판 상면에 금속막을 적층하는 단계와, 상기 반도체 기판 상면의 금속막을 패터닝하여 신호라인을 형성하는 단계와, 상기 신호라인이 형성된 상기 반도체 기판 상면에 희생층을 적층하는 단계와, 상기 희생층 상면으로부터 상기 신호라인에 연통되는 제1 관통홀 및 상기 기판에 연통되는 적어도 하나 이상의 제2 관통홀을 형성하는 단계와, 상기 제1 관통홀에 금속물질을, 상기 제2 관통홀에 절연물질을 채워 비아 및 지지대를 형성하는 단계와, 상기 금속물질 및 상기 절연물질이 채워진 상기 희생층 상면에 금속막을 적층하여 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 전극을 이루는 상기 금속막 상면에 압전체막을 적층하는 단계와, 상기 압전체막 상면에 금속막을 적층하여 제2 전극을 형성하는 단계, 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법은, 상기 신호라인이 형성된 상기 반도체 기판 상면에 유전체막을 적층하는 단계와, 상기 유전체막 상면에 금속막을 적층하는 단계, 및 상기 유전체막 및 상기 유전체막 상면에 적층된 금속막에 대해 상기 신호라인 일부에 대응되는 영역을 제외하고 식각하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 관통홀은 상기 유전체막 상면에 적층된 금속막에 연통되도록 형성할 수 있다.
또한, 상기 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법에서, 상기 신호라인은 패터닝을 통해 형성된 인덕터를 포함하며, 상기 신호라인 상부로 1차 희생층을 적층하는 단계와, 상기 1차 희생층 상면으로부터 상기 신호라인에 연통되는 제3 관통홀을 형성하는 단계와, 상기 제3 관통홀에 금속물질을 채워 상기 비아 하부를 형성하는 단계와, 상기 비아 하부가 형성된 상기 1차 희생층 상면에 1차 금속막, 유전체막, 그리고 2차 금속막을 순차적으로 적층하고, 상기 제3 관통홀에 형성된 비아 하부를 포함하는 일부 영역을 제외한 나머지 영역을 식각하여 캐패시터를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 제1 관통홀은 상기 캐패시터에 연통되도록 형성할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법에 의하면, 공진구조물이 기판으로부터 소정 거리 이격됨에 따라 기판 유전율 손실을 저하시킬 수 있으며, 기판과 공진 구조물 사이의 공간에 인덕터 및/또는 캐패시터등의 수동소자 및 능동소자를 집적할 수 있어 외부회로와 임피던스 매칭이 수월할 뿐만 아니라 집적도를 향상시킬 수 있게 된다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일실시예에 따른 FBAR의 평면도 및 단면도이다. FBAR는 기판(401) 상면에 신호라인(402)이 형성되며, 압전물질(406) 상하부에 각각 전극(405, 407)이 접합되어 형성된 공진구조물(410)이 기판(401)으로부터 소정거리 이격되어 2개의 지지대(404) 및 비아(Via: 403))를 통해 지지되고 있는 모습을 나타내고 있다. 비아(403)는 공진기(410)의 하부전극(405)과 기판(401) 상에 형성된 신호라인(402)을 전기적으로 연결한다.
도 9a 내지 도 9g는 도 4a 및 도 4b에 보인 FBAR의 제조공정을 순차적으로 나타낸 도면이다. FBAR는, 먼저, 도 9a에 보인 기판(901) 상면에 도 9b에서처럼 신호라인(902)을 형성한 후, 도 9c와 같이 신호라인(902)이 형성된 기판(901) 상면으로 희생층(903)을 적층한다. 희생층(903)은 포토 레지스트 등을 이용할 수 있다. 이후, 희생층(903) 상면에 지지대 및 비아 형성 위치를 패터닝한 후, 도 9d에서와 같이 각각 식각을 통해 관통홀(904, 904')을 형성한다. 이때, 비아용 관통홀(904)은 신호라인(902)에 연통되며, 지지대용 관통홀(904')은 기판(901) 상면에 연통된다. 다음으로 도 9e와 같이 비아용 관통홀(904)에 금속물질(905)을, 지지대용 관통홀(904')에 부도체의 물질(906)을 채운다. 이후, 각 관통홀(904, 904')에 각각의 물질(905, 906)이 채워진 희생층 상면에 대해 평탄화 작업을 한 후, 도 9f와 같이 하부전극용 금속막(907), 압전물질(908), 상부전극용 금속막(909)을 순차적으로 형성하여 공진기(910)를 형성한다. 이후, 희생층(903)을 제거한다.
위와 같은 제조 공정을 통해 공진기(910)는 기판으로부터 소정 높이로 떠 있는 상태의 FBAR가 완성되며, 기판(901)과 공진기(910) 사이에 형성된 에어 갭(903-1)에 의해 공진기(910)의 구동에 따른 기판 손실을 저감시킬 수 있게 된다.
한편, 위의 제조 공정에서 지지대용 관통홀(904')의 연통 위치는 반드시 기판(901) 상면으로 한정되지는 않으며, 공진기(910)를 가장 안정적으로 지지할 수 있는 위치에 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유는 지지대(906)는 부도체이므로 신호라인(902)에 연결될지라도 하부전극(907)과 신호라인(902)을 전기적으로 단락(short)시키지 않기 때문이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 FBAR의 단면도이다. FBAR는 도 4의 비아(403)를 대신하여 하부전극(504)과 접지(ground: 미도시) 사이를 스터브(stub)를 통해 연결한 상태를 보이고 있다.
또한, 도 6은 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 FBAR의 단면도이다. FBAR는 반도체 기판(601) 상면에 형성된 신호라인(602)에 인덕터 패턴(602-1)을 더 형성하고, 지지대(603)가 공진기(610)를 양측에서 지지하도록 형성하고 있다. 또한, 비아는 인덕터(602-1)와 공진기(610)의 하부전극(605)을 연결하는 구조이다. 이와 같은 도 6의 구조에서 인덕터 패턴의 형태를 이용하여 공진주파수를 조절할 수 있으며, 외부회로와 임피던스 매칭이 손쉬워진다.
도 7 역시 본 발명의 또 다른 실시예를 나타낸 FBAR의 단면도이다. FBAR는 신호라인(702) 상면에 유전물질(703) 및 금속막(704)을 순차 적층하여 캐패시터(709)를 형성하며, 비아(806)는 공진기(710)의 하부전극(706)과 캐패시터(709)를 연결하고 있다. 이러한 FBAR 역시, 공진기(710)를 이루는 압전층(707)의 두께로 공진주파수를 변경하지 않고, 캐패시터(709)의 용량에 따라 공진주파수를 조절할 수 있게 되며, 외부 회로와의 임피던스 매칭을 손쉽게 한다.
위와 같이 캐패시터(709)가 형성된 FBAR를 제조하기 위해서는 먼저 신호라인(702)이 형성된 반도체 기판 상면에 유전체막(703)을 적층한 후, 유전체막(703) 상면에 금속막(704)을 적층한다. 다음으로, 유전체막(703) 및 유전체막(703) 상면에 적층된 금속막(704)에 대해 신호라인(702) 일부에 대응되는 영역을 제외하고 식각을 한 후, 비아(705)를 공진기(710)의 하부전극(706)과 캐패시터(709)를 연결하는 공정을 통해 제조할 수 있다. 물론, 캐패시터를 포함하는 FBAR의 제조는 상기와 같은 공정에 한정되지 않으며, 다양한 제조 공정을 통해 제조될 수 있다. 예를 들어, 희생층을 이용하여 캐패시터 형성 영역에 대해서만 유전체막 및 유전체막 상부로 금속막을 적층하여 캐패시터를 형성할 수도 있다.
도 8 역시 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 FBAR의 단면도이다. FBAR는 인덕터(802-1)와 캐패시터(811)를 모두 포함하여 형성되어 있다. 인덕터(802-1)는 신호라인(802)에 형성되며, 캐패시터(811)는 비아(806) 중단부에 형성되고 있다.
위와 같이 인덕터(802-1)와 캐패시터(811)를 모두 포함한 FBAR의 제조를 위해서는, 먼저, 신호라인(802) 상부로 1차 희생층을 적층하고, 1차 희생층 상면으로부터 상기 신호라인에 연통되는 관통홀을 형성한 후, 그 관통홀에 금속물질을 채워 비아(806) 하부를 형성한다. 그리고 비아 하부가 형성된 1차 희생층 상면에 금속막(803), 유전체막(804), 금속막(805)을 순차적으로 적층한 후, 관통홀에 채워진 비아(806) 하부를 포함하는 일부 영역을 제외한 나머지 영역을 식각하여 캐패시터(811)를 형성한다. 그리고 캐패시터(811)가 형성된 1차 희생층 상면으로 2차 희생층을 적층한 후, 지지대(812) 및 캐패시터(811)의 상부 금속막에 연결되도록 비아(806) 상부를 형성한다. 다음으로 공진기(810)를 적층하여 FBAR의 제조를 완료한다. 물론, 위와 같이 인덕터 및 캐패시터를 모두 포함하는 FBAR의 제조 공정 역시 상기의 공정으로 한정되지 않으며, 다양한 공정을 통해 제조하는 것이 가능하다.
도 10 및 11은 각각 본 발명에 따른 FBAR가 필터에 적용된 예를 나타낸 단면도들이다. 복수의 부재를 대표부호로서 설명하면, 부재번호 1001 및 1101은 반도체 기판을, 1003 및 1103은 지지대를, 1004 및 1104는 비아를, 그리고 부재번호 1010 및 1110은 각각 전극(1005, 1007, 1105, 1107) 및 압전체(1006, 1106)로 이루어진 공진기이며, 이러한 공진기들이 복수개 연결되어 필터의 일부분으로서 사용된다.
위 도 10 및 도 11에 보인 각각의 필터 적용예를 보면, 도 10에서는 공진기들 간의 연결을 위해 서로 상반되는 전극을 비아를 통해 연결하고 있으며, 도 11에서는 공진기들의 상부전극을 일체로 형성하고 있다.
이상과 같은 본 발명에 따른 FBAR는 지지대를 통해 압전공진구조물과 기판 사이에 에어 갭(air gap)이 형성되므로 이상적인 공진기의 형태를 얻을 수 있으며, 기판 손실을 저감시킬 수 있어 공진 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 인덕터 및/또는 캐패시터를 더 형성하여 공진주파수의 조절을 압전층의 두께가 아닌 인덕터 및 캐패시터를 이용하여 조절할 수 있으며, 외부회로와의 임피던스 매칭을 손쉽게 할 수 있게 된다.
또한, 기판에 FBAR와 별도로 수동소자 및 능동 소자를 제작할 수 있어 기판 효율을 높일 수 있으며, CMOS 공정과 호환성이 있어 공정 효율도 높일 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하고 있으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
도 1은 종래 멤브레인형 FBAR의 단면도,
도 2는 종래 브래그 리플렉터형 FBAR의 단면도,
도 3은 종래 에어 갭형 FBAR의 단면도,
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 일실시예에 따른 FBAR의 평면도 및 단면도,
도 5 내지 도 8은 각각 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 FBAR의 단면도들,
도 9는 도 4a 및 도 4b에 보인 FBAR의 제조 공정을 순차적으로 나타낸 도면, 그리고
도 10 및 11은 각각 본 발명에 따른 FBAR를 응용한 필터들의 예를 나타낸 단면도들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
11, 21, 31, 401, 501, 601, 701, 801, 901, 1001, 1101: 반도체 기판
17, 29, 37, 410, 510, 610, 710, 810, 910, 1010, 1110: 공진기
16, 36, 903-1: 에어 갭 28: 리플렉터(반사기)
403, 604, 705, 806, 1004, 1104: 비아(via)
503, 603, 711, 812, 906, 1003, 1103: 지지대
602-1, 802-1: 인덕터 705, 811: 캐패시터

Claims (10)

  1. 반도체 기판;
    상기 반도체 기판 상면에 형성된 신호라인;
    상기 반도체기판과 소정 높이로 이격되며, 압전박막 상하부에 각각 전극으로 이용하기 위한 금속막이 접합되어 형성된 압전공진구조물;
    상기 반도체기판으로부터 상기 압전공진구조물을 지지하는 적어도 하나 이상의 지지대; 및,
    상기 신호라인 상부에 제작되어 상기 압전공진구조물을 지지하며, 상기 신호라인과 상기 압전공진구조물의 하부 전극을 전기적으로 연결하는 적어도 하나 이상의 비아(via);를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 신호라인 상면 일부로 유전체 및 상기 유전체 상부로 금속막이 적층되어 형성된 캐패시터;를 더 포함하며,
    상기 비아는 상기 압전공진구조물의 상기 하부전극과 상기 캐패시터를 연결하는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 신호라인은, 패터닝을 통해 인덕터를 형성한 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기.
  5. 제 4항에 있어서,
    유전체 상하로 금속막이 접합되어 형성된 캐패시터;를 더 포함하며,
    상기 캐패시터는 상기 비아 중단부에 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기.
  6. 반도체 기판 상면에 금속막을 적층하는 단계;
    상기 반도체 기판 상면의 금속막을 패터닝하여 신호라인을 형성하는 단계;
    상기 신호라인이 형성된 상기 반도체 기판 상면에 희생층을 적층하는 단계;
    상기 희생층 상면으로부터 상기 신호라인에 연통되는 제1 관통홀 및 상기 기판에 연통되는 적어도 하나 이상의 제2 관통홀을 형성하는 단계;
    상기 제1 관통홀에 금속물질을, 상기 제2 관통홀에 절연물질을 매립하는 단계;
    상기 금속물질 및 상기 절연물질이 매립된 상기 희생층 상면에 금속막을 적층하여 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극을 이루는 상기 금속막 상면에 압전체막을 적층하는 단계;
    상기 압전체막 상면에 금속막을 적층하여 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 희생층을 제거하여, 상기 제1관통홀 및 상기 제2관통홀 각각의 위치에 상기 금속물질 및 상기 절연물질로 이루어진 비아 및 지지대를 각각 제작하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 신호라인이 형성된 상기 반도체 기판 상면에 유전체막을 적층하는 단계;
    상기 유전체막 상면에 금속막을 적층하는 단계; 및
    상기 유전체막 및 상기 유전체막 상면에 적층된 금속막에 대해 상기 신호라인 일부에 대응되는 영역을 제외하고 식각하는 단계;를 더 포함하며,
    상기 제1 관통홀은 상기 유전체막 상면에 적층된 상기 금속막에 연통되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 신호라인은 패터닝을 통해 인덕터를 형성한 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 신호라인 상부로 1차 희생층을 적층하는 단계;
    상기 1차 희생층 상면으로부터 상기 신호라인에 연통되는 제3 관통홀을 형성하는 단계;
    상기 제3 관통홀에 금속물질을 채워 상기 비아 하부를 형성하는 단계;
    상기 비아 하부가 형성된 상기 1차 희생층 상면에 1차 금속막, 유전체막, 2차 금속막을 순차적으로 적층하는 단계; 및,
    상기 제3 관통홀에 채워진 비아 하부를 포함하는 일부 영역을 제외한 나머지 영역을 식각하여 캐패시터를 형성하는 단계;를 더 포함하며,
    상기 제1 관통홀은 상기 캐패시터에 연통되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기의 제조방법.
  10. 반도체 기판;
    상기 반도체 기판 상면에 형성된 신호라인;
    상기 반도체기판과 소정 높이로 이격되며, 압전박막 상하부에 각각 전극으로 이용하기 위한 금속막이 접합되어 형성된 압전공진구조물; 및
    상기 신호라인 상부에 제작되어 상기 압전공진구조물을 지지하며, 상기 신호라인과 상기 압전공진구조물의 하부 전극을 전기적으로 연결하는 비아(via);를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 벌크 음향 공진기.
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