KR20180003868A - 벌크 탄성파 필터 - Google Patents

벌크 탄성파 필터 Download PDF

Info

Publication number
KR20180003868A
KR20180003868A KR1020160083572A KR20160083572A KR20180003868A KR 20180003868 A KR20180003868 A KR 20180003868A KR 1020160083572 A KR1020160083572 A KR 1020160083572A KR 20160083572 A KR20160083572 A KR 20160083572A KR 20180003868 A KR20180003868 A KR 20180003868A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
piezoelectric layer
disposed
housing
electrode
Prior art date
Application number
KR1020160083572A
Other languages
English (en)
Inventor
이상현
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020160083572A priority Critical patent/KR20180003868A/ko
Priority to US15/615,088 priority patent/US10340882B2/en
Priority to CN201710511500.5A priority patent/CN107565927B/zh
Publication of KR20180003868A publication Critical patent/KR20180003868A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/105Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/125Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/542Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material including passive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/56Monolithic crystal filters
    • H03H9/564Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6403Programmable filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 기판과, 기판상에 배치되고 압전성 물질(piezoelectric)을 포함하는 압전층과, 압전층의 양면에 배치되는 제1 및 제2 전극과, 기판상에 결합되어 압전층, 제1 및 제2 전극을 수용하는 하우징과, 하우징에 접하는 수동소자; 를 포함할 수 있다.

Description

벌크 탄성파 필터{Bluk acoustic wave filter}
본 발명은 벌크 탄성파 필터에 관한 것이다.
최근 무선이동통신기술은 빠르게 발전하고 있다. 이러한 이동통신기술은 한정된 주파수 대역에서 효율적으로 정보를 전달할 수 있는 다양한 고주파 부품들을 요구한다. 이러한 고주파 부품들 중 필터, 송신기, 수신기 또는 듀플렉서 등은 이동통신기술에 사용되는 핵심 부품 중 하나로서, 무수히 많은 전파 중에 이용자가 필요로 하는 신호를 선택하거나 전송하고자 하는 신호를 필터링 하여 줌으로서 고품질의 통신을 가능하게 한다.
이러한 필터, 송신기, 수신기 또는 듀플렉서 등에 많이 사용되고 있는 것은 벌크 탄성파(Bluk Acoustic Wave, BAW) 필터이다. 그러나, 통상 벌크 탄성파 필터의 크기 및 단가는 고주파 부품들 중에서 상대적으로 큰 비중을 차지할 수 있다. 따라서, 고주파 부품들 전체 크기 및 단가의 감소를 위해, 벌크 탄성파 필터의 크기 및 단가는 감소할 필요가 있다.
일본 공개특허공보 특개2002-141771호
본 발명의 일 실시 예는 벌크 탄성파 필터를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 기판; 상기 기판상에 배치되고 압전성 물질(piezoelectric)을 포함하는 압전층; 상기 압전층의 양면에 배치되는 제1 및 제2 전극; 상기 기판상에 결합되어 상기 압전층, 제1 및 제2 전극을 수용하는 하우징; 및 상기 하우징에 접하는 수동소자; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 속이 빈(hollow) 다면체 형상을 가지는 부재; 상기 부재의 내면들(inner sides) 중 하나에 배치되고 압전성 물질(piezoelectric)을 포함하는 압전층; 상기 압전층의 양면에 배치되는 제1 및 제2 전극; 및 상기 부재의 내면들 중 다른 하나에 배치되는 수동소자; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예는 벌크 탄성파 필터는, 공간을 효율적으로 활용하여 벌크 탄성파 필터의 크기 및 단가를 감소시킬 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시 예는 벌크 탄성파 필터는 전극과 수동소자간의 전기적인 경로를 확보하여 벌크 탄성파 필터의 설계 자유도를 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터를 나타낸 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터의 측면을 나타낸 도면이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터의 상면을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터에 포함된 기판과 하우징의 결합 전을 나타낸 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터에 포함된 기판과 하우징의 결합 후를 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터를 나타낸 사시도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 압전층(110), 제1 전극(120), 제2 전극(130), 기판(140), 하우징(150) 및 수동소자(160)를 포함할 수 있다.
압전층(110)은 전기적 에너지를 기계적 에너지로 변환시키는 압전성 물질(piezoelectric)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 압전층(110)은 압전성 물질로서 산화아연(ZnO) 또는 질화알루미늄(AlN)을 포함할 수 있으며, 고주파 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering)방법에 의해 박막으로 전극에 증착될 수 있다.
제1 및 제2 전극(120, 130)은 압전층(110)의 양면 상에 각각 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전극(120, 130)은 고주파의 전기적 신호를 통과시킬 수 있도록 전도성이 큰 재질로 구현될 수 있다.
상기 전기적 신호의 주파수가 특정 주파수에 가까워질수록, 압전층(110)의 표면에는 공명 현상에 따른 체적 탄성파가 발생할 수 있다. 상기 체적 탄성파는 상기 제1 및 제2 전극(120, 130)의 사이로 신호를 통과시키게 하는 매개체 역할을 수행할 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 전극(120, 130)과 압전층(110)은 특정 주파수의 전기적 신호를 선택적으로 통과시키는 필터 역할을 수행할 수 있다.
기판(140)은 제1 전극(120)에 배치 공간을 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(140)은 고주파 회로, 도선, 그라운드 및 비아를 포함하는 인쇄회로기판일 수 있다. 상기 인쇄회로기판에 포함된 구성들은 제1 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
하우징(150)은 기판(140)에 물리적으로 결합되어 압전층(110), 제1 및 제2 전극(120, 130)을 수용할 수 있다. 여기서, 수용한다는 것은 수용 대상을 물리적/전기적 충격으로부터 보호하거나 수용 대상이 외부로부터 받는 영향을 줄이는 것을 의미한다.
예를 들어, 상기 하우징(150)은 전자기 차폐 특성을 확보하기 위해 금속 층을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 금속 층의 양면은 산화 알루미늄 또는 합성 수지와 같은 절연 세라믹으로 커버될 수 있다.
상기 하우징(150)의 수용 대상은 고주파의 신호를 정밀하고 효율적으로 필터링하기 위해 정교하게 설계될 수 있다. 이에 따라, 상기 하우징(150)의 수용 대상은 물리적/전기적 충격 또는 외부로부터 받는 영향에 대해 취약할 수 있다.
따라서, 상기 하우징(150)은 수용 대상의 설계에 따라 수용 대상의 크기보다 상당히 큰 수용 공간을 제공할 수 있다. 즉, 상기 하우징(150)의 수용 공간 중 여유 공간은 클 수 있다. 만약 압전층(110), 제1 및 제2 전극(120, 130)이 박막으로 구현될 경우, 상기 여유 공간의 대부분은 제2 전극(130) 상의 공간일 수 있다.
수동소자(160)는 하우징(150)에 접하여 배치됨으로써 상기 여유 공간을 차지할 수 있다. 만약 압전층(110), 제1 및 제2 전극(120, 130)이 박막으로 구현될 경우, 상기 수동소자(160)는 하우징(150)의 천정에 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 여유 공간은 효율적으로 활용될 수 있다.
예를 들어, 상기 수동소자(160)는 캐패시터 및/또는 인덕터일 수 있다. 상기 수동소자(160)는 제1 및 제2 전극(120, 130)에 전기적으로 연결되어 고주파의 전기적 신호를 필터링하거나, 기판(140)의 고주파 회로에 전기적으로 연결되어 고주파의 전기적 신호에 대한 생성, 증폭, 합성, 전달 등의 동작에 대해 보조할 수 있다.
상기 수동소자(160)가 고주파 소자 또는 고주파 회로에 보조될 경우, 수동소자(160)의 크기는 벌크 탄성파 필터 전체 크기에서 큰 비중을 차지할 수 있다. 만약, 상기 수동소자(160)가 하우징(150)의 외부에 배치될 경우, 상기 벌크 탄성파 필터의 크기는 커질 수 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는 수동소자(160)를 하우징(150) 내부의 여유 공간에 배치함으로써, 벌크 탄성파 필터 전체의 크기 및 단가를 줄일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 압전층(210), 제1 전극(220), 제2 전극(230), 기판(240), 하우징(250), 캐패시터(261), 인덕터(262) 및 배선(270)을 포함할 수 있다. 여기서, 압전층(210), 제1 전극(220), 제2 전극(230), 기판(240) 및 하우징(250)은 각각 도 1에 도시된 압전층, 제1 전극, 제2 전극, 기판 및 하우징과 동일할 수 있다.
캐패시터(261)는 수동소자로서 하우징(250)의 내부 일측면에 배치될 수 있다.인덕터(262)는 수동소자로서 하우징(250)의 내부 타측면에 배치될 수 있다.
벌크 탄성파 필터의 설계에 따라 하우징(250) 내부의 여유 공간의 대부분은 압전층(210) 측면의 공간일 수 있다. 따라서, 상기 캐패시터(261) 및 인덕터(262)는 하우징(250)의 천정 대신에 내부 측면에 배치될 수도 있다.
배선(270)은 캐패시터(261)와 제2 전극(230)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 여기서, 캐패시터(261)는 기판(240)에 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 상기 배선(270)은 제2 전극(230)의 기판(240)에 대한 전기적인 경로를 형성할 수 있다.
이에 따라, 제2 전극(230)은 기판(240)에 물리적으로 연결되지 않을 수 있다. 제2 전극(230)이 기판(240)에 물리적으로 연결될 필요가 없을 경우, 압전층(210), 제1 및 제2 전극(220, 230)의 설계 자유도는 향상될 수 있다. 이에 따라, 압전층(210), 제1 및 제2 전극(220, 230)은 더욱 효율적으로 설계될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 압전층(310), 제1 전극(320), 제2 전극(330), 기판(340), 하우징(350), 수동소자(360) 및 제1 비아(371) 및 제3 비아(373)를 포함할 수 있다.
제2 전극(330)은 기판(340)에 물리적/전기적으로 연결되기 위해 육면체 형태 대신에 꺾인 형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 압전층(310)도 꺾인 형태를 가질 수 있다.
또한, 제1 전극(320) 상에는 제1 비아(371)가 세워질 수 있다. 상기 제1 비아(371)는 제1 전극(320)과 수동소자(360)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
또한, 기판(340) 상에는 제3 비아(373)가 세워질 수 있다. 상기 제3 비아(373)는 기판(340)과 수동소자(360)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
이에 따라, 기판(340), 제2 전극(330), 압전층(310), 제1 전극(310), 제1 비아(371), 수동소자(360), 제3 전극(373) 및 기판(340) 순의 전기적인 경로는 입체적으로 형성될 수 있다. 입체적인 경로는 벌크 탄성파 필터의 설계 자유도를 향상시킬 수 있다.
도 4a 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터의 측면을 나타낸 도면이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터의 상면을 나타낸 도면이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 압전층(410), 제2 압전층(415), 제1 전극(420), 제3 전극(425), 제2 전극(430), 기판(440), 하우징(450), 캐패시터(461), 인덕터(462), 제1 비아(471), 제2 비아(472), 제3 비아(473), 제4 비아(474) 및 능동소자(480)를 포함할 수 있다.
제2 압전층(415)은 제2 전극(430)의 하면 상에 배치되고 압전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 압전층(415)의 구현 방법은 압전층(410)의 구현 방법과 동일할 수 있다.
제3 전극(425)은 제2 압전층(415)의 하면 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 전극(425)의 구현 방법은 제1 전극(420)의 구현 방법과 동일할 수 있다.
이에 따라, 고주파의 전기적 신호는 반복적으로 변환될 수 있다.
제1 전극(420) 상에는 제1 비아(471)가 세워질 수 있다. 상기 제1 비아(471)는 제1 전극(420)과 캐패시터(461)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
또한, 제3 전극(425) 상에는 제2 비아(472)가 세워질 수 있다. 상기 제2 비아(472)는 제3 전극(425)과 인덕터(462)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
또한, 기판(440) 상에는 제2 및 제4 비아(472, 474)가 세워질 수 있다. 상기 제2 비아(472)는 기판(440)과 캐패시터(461)를 전기적으로 연결시킬 수 있고, 상기 제4 비아(474)는 기판(440)과 인덕터(462)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
이에 따라, 기판(440), 캐패시터(461), 압전층(410), 제2 압전층(415), 인덕터(462) 및 기판(440)의 순의 전기적인 경로는 입체적으로 형성될 수 있다. 입체적인 경로는 벌크 탄성파 필터의 설계 자유도를 향상시킬 수 있다.
한편, 캐패시터(461)는 제1 파트(461a)와 제2 파트(461b)가 전기적으로 결합되도록 구현될 수 있다. 인덕터(462)는 하우징(450)의 일면상에서 감겨져서 구현될 수 있다.
한편, 능동소자(480)는 기판(440) 상에 집적회로에 포함된 형태로 실장될 수 있다. 상기 능동소자(480)는 캐패시터(461) 및/또는 인덕터(462)와 함께 고주파의 전기적 신호에 대한 생성, 증폭, 합성, 전달 등의 동작을 수행할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터에 포함된 기판과 하우징의 결합 전을 나타낸 사시도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 압전층(510), 제1 전극(520), 제2 전극(530), 기판(540), 하우징(550) 및 수동소자(560)를 포함할 수 있다.
하우징(550)은 덮개(551)와 결합부(552)를 포함할 수 있다.
상기 결합부(552)는 덮개(551)와 기판(540)의 사이에서 덮개(551)와 기판(540)에 부착되어 압전층(510), 제1 및 제2 전극(520, 530)이 배치된 공간을 가둘 수 있다.
예를 들어, 상기 결합부(552)는 접착성 물질을 포함하여 기판(540)에 접착될 수 있다. 예를 들어, 기판(540)은 결합부(552)가 끼워지는 홈을 가져서 상기 결합부(552)와 기계적으로 결합될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터에 포함된 기판과 하우징의 결합 후를 나타낸 사시도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는, 압전층(510), 제1 전극(520), 제2 전극(530), 기판(540), 하우징(550), 캐패시터(561a, 561b) 및 인덕터(562)를 포함할 수 있다.
캐패시터(561a, 561b)는 하우징(550)의 외부 면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 캐패시터(561a, 561b)는 하우징(550)의 면을 따라 기판(540)까지 이어질 수 있다.
인덕터(562)는 하우징(550)의 내부 면에 배치될 수 있다. 즉, 캐패시터(561a, 561b) 및 인덕터(562)는 수동소자로서 하우징(550)의 내부 면에 배치될 수도 있고 외부 면에 배치될 수도 있다.
수동소자가 하우징(550)의 외부 면에 배치될 경우, 상기 수동소자가 기판(540)상에 배치되지 않을 수 있다. 이에 따라, 기판(540)의 x축y축 넓이는 감소될 수 있으며, 하우징(550)의 내부 여유 공간도 z축 방향으로 감소할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터의 크기는 감소될 수 있다.
수동소자가 하우징(550)의 내부 면에 배치될 경우, 하우징(550)의 내부 여유 공간은 상기 수동소자의 배치 공간으로 활용될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터의 크기는 감소될 수 있다.
캐패시터(561a, 561b) 및 인덕터(562) 중 하나가 하우징(550)의 내부 면에 배치되고 다른 하나가 하우징(550)의 외부 면에 배치될 경우, 하우징(550)의 내부 여유 공간은 더욱 효율적으로 활용될 수 있다. 예를 들어, 캐패시터(561a, 561b) 및 인덕터(562) 중 하우징(550)의 내부 여유 공간의 크기와 유사한 크기를 가지는 하나는 선택적으로 하우징(550)의 내부 면에 배치될 수 있다.
또한 캐패시터(561a, 561b) 및 인덕터(562) 중 하나가 하우징(550)의 내부 면에 배치되고 다른 하나가 하우징(550)의 외부 면에 배치될 경우, 하우징(550)이 캐패시터(561a, 561b)와 인덕터(562)간의 잔자파 차폐 역할도 수행될 수 있다. 이에 따라, 캐패시터(561a, 561b)와 인덕터(562)에 전기적으로 연결된 고주파 회로나 고주파 소자의 고주파 특성도 개선될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터에 포함된 부재를 나타낸 사시도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 벌크 탄성파 필터는 다면체 형태를 가지는 부재(645)를 포함할 수 있다.
상기 부재(645)의 내부에는 수동소자, 압전층, 제1 및 제2 기판이 도 1 내지 도 6을 통해 전술한 바와 같이 배치될 수 있다. 수동소자는 상기 부재(645)에서 압전층, 제1 및 제2 전극이 배치된 면과 다른 면에 배치될 수 있으며, 적어도 하나의 비아를 통해 압전층, 제1 및 제2 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 상기 부재(645)는 기판과 하우징이 결합되어 다면체를 이루는 형태를 가질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
n10: 압전층
n15: 제2 압전층
n20: 제1 전극
n25: 제3 전극
n30: 제2 전극
n40: 기판
n45: 부재
n50: 하우징
n51: 덮개
n52: 결합부
n60: 수동소자
n61: 캐패시터
n62: 인덕터
n70: 배선
n71 제1 비아
n72: 제2 비아
n73: 제3 비아
n74: 제4 비아
n80: 능동소자
여기서, [n]은 자연수이다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판상에 배치되고 압전성 물질(piezoelectric)을 포함하는 압전층;
    상기 압전층의 양면에 배치되는 제1 및 제2 전극;
    상기 기판상에 결합되어 상기 압전층, 제1 및 제2 전극을 수용하는 하우징; 및
    상기 하우징의 일면 상에 배치되는 수동소자; 를 포함하는 벌크 탄성파 필터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수동소자와 상기 제1 또는 제2 전극을 전기적으로 연결하고 상기 하우징에 의해 수용되는 배선을 더 포함하는 벌크 탄성파 필터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 수동소자는 상기 하우징에서 상기 기판을 마주보는 면에 배치되는 벌크 탄성파 필터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 하우징은,
    덮개; 및
    상기 덮개와 상기 기판의 사이에서 상기 덮개와 상기 기판에 부착되어 상기 압전층, 제1 및 제2 전극이 배치된 공간을 가두는 결합부; 를 포함하는 벌크 탄성파 필터.
  5. 제1항에 있어서,
    일면이 상기 제2 전극에 배치되는 제2 압전층; 및
    상기 제2 압전층의 타면에 배치되는 제3 전극; 을 더 포함하고,
    상기 제1 및 제3 전극의 일면은 상기 기판에 접하는 벌크 탄성파 필터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 전극의 타면상에 세워지는 제1 비아;
    상기 제2 전극의 일면상에 세워지는 제2 비아; 및
    상기 기판상에 세워지는 제3 및 제4 비아; 를 더 포함하는 벌크 탄성파 필터.
  7. 제6항에 있어서, 상기 수동소자는,
    상기 제1 및 제3 비아에 전기적으로 연결되는 캐패시터; 및
    상기 제2 및 제4 비아에 전기적으로 연결되는 인덕터; 를 포함하는 벌크 탄성파 필터.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 수동소자는 상기 하우징을 사이에 두고 배치되는 캐패시터와 인덕터를 포함하는 벌크 탄성파 필터.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판상에 실장되는 능동소자를 더 포함하는 벌크 탄성파 필터.
  10. 속이 빈(hollow) 다면체 형상을 가지는 부재;
    상기 부재의 내면들(inner sides) 중 하나에 배치되고 압전성 물질(piezoelectric)을 포함하는 압전층;
    상기 압전층의 양면에 배치되는 제1 및 제2 전극; 및
    상기 부재의 내면들 중 다른 하나에 배치되는 수동소자; 를 포함하는 벌크 탄성파 필터.
KR1020160083572A 2016-07-01 2016-07-01 벌크 탄성파 필터 KR20180003868A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160083572A KR20180003868A (ko) 2016-07-01 2016-07-01 벌크 탄성파 필터
US15/615,088 US10340882B2 (en) 2016-07-01 2017-06-06 Bulk acoustic wave filter
CN201710511500.5A CN107565927B (zh) 2016-07-01 2017-06-28 体声波滤波器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160083572A KR20180003868A (ko) 2016-07-01 2016-07-01 벌크 탄성파 필터

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180003868A true KR20180003868A (ko) 2018-01-10

Family

ID=60808004

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160083572A KR20180003868A (ko) 2016-07-01 2016-07-01 벌크 탄성파 필터

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10340882B2 (ko)
KR (1) KR20180003868A (ko)
CN (1) CN107565927B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200118610A (ko) 2019-04-08 2020-10-16 삼성전기주식회사 음향 공진기 필터 패키지
WO2021231132A1 (en) * 2020-05-13 2021-11-18 Avx Corporation Filter with cover layer and shield layer

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017130924B3 (de) * 2017-12-21 2019-05-16 RF360 Europe GmbH Hybridfilter

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002141771A (ja) 2000-08-21 2002-05-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置
KR100486627B1 (ko) * 2003-02-21 2005-05-03 엘지전자 주식회사 반도체 패키지
KR100485702B1 (ko) 2003-05-29 2005-04-28 삼성전자주식회사 지지대를 갖는 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법
US7183622B2 (en) * 2004-06-30 2007-02-27 Intel Corporation Module integrating MEMS and passive components
KR100666693B1 (ko) * 2004-11-23 2007-01-11 삼성전자주식회사 모놀리식 듀플렉서
JP2006319796A (ja) * 2005-05-13 2006-11-24 Toshiba Corp 薄膜バルク波音響共振器
US8384497B2 (en) * 2009-12-18 2013-02-26 Hao Zhang Piezoelectric resonator structure having an interference structure
JP5134045B2 (ja) * 2010-06-23 2013-01-30 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及びその製造方法
CN102111116A (zh) * 2010-11-24 2011-06-29 张�浩 整合的晶圆级别封装体
CN103560763B (zh) * 2013-11-08 2017-08-01 诺思(天津)微系统有限公司 片上集成型体波谐振器及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200118610A (ko) 2019-04-08 2020-10-16 삼성전기주식회사 음향 공진기 필터 패키지
US10951195B2 (en) 2019-04-08 2021-03-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Acoustic resonator filter package
WO2021231132A1 (en) * 2020-05-13 2021-11-18 Avx Corporation Filter with cover layer and shield layer

Also Published As

Publication number Publication date
US20180006632A1 (en) 2018-01-04
CN107565927B (zh) 2020-08-07
US10340882B2 (en) 2019-07-02
CN107565927A (zh) 2018-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107453037B (zh) 近场电磁感应(nfemi)天线
US9319808B2 (en) Hearing aid having a near field resonant parasitic element
JP5660229B2 (ja) アンテナ装置および通信装置
US11011826B2 (en) Near-field electromagnetic induction (NFEMI) device
KR20180003868A (ko) 벌크 탄성파 필터
JP5310316B2 (ja) 高周波結合器並びに通信装置
CN107431478B (zh) 双工器
EP2733962B1 (en) A hearing aid having a near field resonant parasitic element
JP2021152549A (ja) レーダ装置
JP2014154941A (ja) モジュール
JP2009212263A (ja) 電子回路モジュール
JP5777693B2 (ja) 無線装置
JP2012008480A (ja) 光トランシーバおよび電子装置
WO2020024673A1 (zh) 移动终端的天线系统及移动终端
JP5999295B1 (ja) デュプレクサ
JP2005183410A (ja) 無線回路モジュールおよび無線回路基板
US20130044032A1 (en) Antenna
US10735868B2 (en) MEMS packaging
CN214960035U (zh) 指向性麦克风
TWI613865B (zh) 電子裝置
CN116094528A (zh) 基于磁场耦合的密闭金属腔体通信方案
TW202408177A (zh) 無線電子裝置之天線電路及其操作方法
JP2011160021A (ja) フィルタ装置
JPWO2022024560A5 (ko)
JP5122401B2 (ja) 電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
WITB Written withdrawal of application