KR20200118610A - 음향 공진기 필터 패키지 - Google Patents

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김정해
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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지는, 압전층과 압전층의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 전극을 포함하는 음향 공진기와, 음향 공진기가 배치되는 상면을 가지며 음향 공진기를 둘러싸도록 구성된 제1 결합 부재를 포함하는 제1 기판과, 음향 공진기로부터 상측으로 이격 배치되는 필터와, 필터가 배치되는 하면을 가지며 제1 결합 부재의 상측에 배치된 제2 결합 부재를 포함하는 제2 기판과, 제1 결합 부재와 제2 결합 부재를 서로 연결시키고 제1 및 제2 결합 부재와 다른 물질로 구성된 연결 부재를 포함할 수 있다.

Description

음향 공진기 필터 패키지{Acoustic resonator filter package}
본 발명은 음향 공진기 필터 패키지에 관한 것이다.
최근 이동통신기기, 화학 및 바이오기기 등의 급속한 발달에 따라, 이러한 기기에서 사용되는 소형 경량필터, 오실레이터(Oscillator), 공진소자(Resonant element), 음향공진 질량센서(Acoustic Resonant Mass Sensor) 등의 수요가 증가하고 있다.
음향 공진기는 이러한 소형 경량필터, 오실레이터, 공진소자, 음향공진 질량센서 등을 구현하는 수단으로 구성될 수 있으며, 박막 벌크 음향 공진기(Film Bulk Acoustic Resonator: FBAR)로 구현될 수 있다.
FBAR은 최소한의 비용으로 대량 생산이 가능하며, 초소형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 필터의 주요한 특성인 높은 품질 계수(Quality Factor: Q)값을 구현하는 것이 가능하고, 마이크로주파수 대역에서도 사용이 가능하며, 특히 PCS(Personal Communication System)와 DCS(Digital Cordless System) 대역까지도 구현할 수 있다는 장점이 있다.
공개특허공보 제10-2018-0003868호
본 발명은 음향 공진기에 필터가 추가된 음향 공진기 필터 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지는, 압전층과 상기 압전층의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 전극을 포함하는 음향 공진기; 상기 음향 공진기가 배치되는 상면을 가지며, 상기 음향 공진기를 둘러싸도록 구성된 제1 결합 부재를 포함하는 제1 기판; 상기 음향 공진기로부터 상측으로 이격 배치되는 필터; 상기 필터가 배치되는 하면을 가지며, 상기 제1 결합 부재의 상측에 배치된 제2 결합 부재를 포함하는 제2 기판; 및 상기 제1 결합 부재와 상기 제2 결합 부재를 서로 연결시키고 상기 제1 및 제2 결합 부재와 다른 물질로 구성된 연결 부재; 를 포함한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지는, 압전층과 상기 압전층의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 전극을 포함하는 음향 공진기; 상기 음향 공진기가 배치되는 상면을 가지는 제1 기판; 상기 음향 공진기로부터 상측으로 이격 배치되는 필터; 상기 필터가 배치되는 하면을 가지는 제2 기판; 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 배치공간을 둘러싸도록 구성되고 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 서로 연결시키는 연결 부재; 를 포함하고, 상기 제2 기판은 상기 필터가 내부에 배치되고 상기 연결 부재가 둘러싸는 배치공간의 수평방향 면적보다 더 작은 수평방향 면적을 가지는 캐비티(cavity)를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지는, 음향 공진기와 필터를 압축적으로 배치시켜서 축소된 사이즈를 가지면서도 음향 공진기와 필터의 배치공간을 안정적으로 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지를 나타낸 측면도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지에서 캐비티가 생략된 구조를 나타낸 측면도이다.
도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지에서 필터의 변형 구조를 예시한 측면도이다.
도 1d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지에서 봉합재가 추가된 구조를 예시한 측면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 패키징 과정을 예시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 제1 기판을 나타낸 평면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 제2 기판을 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 복수의 음향 공진기의 연결을 예시한 평면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 음향 공진기의 대역 통과 필터 구조를 예시한 회로도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 음향 공진기의 대역 통과를 예시한 그래프이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 필터의 하이패스필터를 예시한 블록도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 필터의 하이패스필터를 예시한 회로도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 음향 공진기와 필터의 조합을 예시한 블록도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터의 음향 공진기의 추가적 구성요소들을 예시한 측면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지를 나타낸 측면도이다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는, 음향 공진기(100), 제1 기판(110), 필터(F1), 제2 기판(120a) 및 연결 부재(130)를 포함한다.
음향 공진기(100)는 압전층(160)과 제1 및 제2 전극(150, 170)을 포함한다.
압전층(160)은 전기적 에너지를 탄성파 형태의 기계적 에너지로 변환하는 압전 효과를 일으키도록 압전 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 압전 재료는 질화 알루미늄(AlN), 산화아연(ZnO), 납 지르코늄 티타늄 산화물(PZT; PbZrTiO) 중 하나를 포함할 수 있으며, 희토류 금속(Rare earth metal)과 전이 금속 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있으며, 2가 금속인 마그네슘(Mg)도 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 희토류 금속은 스칸듐(Sc), 에르븀(Er), 이트륨(Y), 및 란탄(La) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 전이 금속은 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 탄탈륨 (Ta), 니오비윰 (Nb) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 전극(150, 170)은 압전층(160)의 제1 면(예: 하면) 및 제2 면(예: 상면)에 각각 배치된다. 이에 따라, 제1 및 제2 전극(150, 170)은 압전층(160)으로 전기적 에너지를 제공하거나 압전층(160)으로부터 전기적 에너지를 제공받을 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(150, 170)은 RF(Radio Frequency) 신호 등의 전기적 신호가 효율적으로 입출력되도록 RF 신호의 파장에 대응되는 두께, 폭, 길이 및/또는 비저항을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제2 전극(150, 170)은 압전층(160)과의 결합 효율을 향상시키기 위해 몰리브덴(molybdenum : Mo)과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 루테늄(ruthenium : Ru), 텅스텐(tungsten : W), 이리듐 (Iridiym : Ir), 플래티늄 (Platinium : Pt), 구리(Copper : Cu), 티타늄 (Titanium : Ti), 탄탈 (Tantalum : Ta), 니켈 (Nickel : Ni) , 크롬 (Chromium : Cr) 등과 같은 전도성 재질 또는 이의 합금으로 이루어질 수 있다.
제1 및 제2 전극(150, 170) 각각에서 압전층(160)에 상하방향(예: z방향)으로 오버랩(overlap)되는 부분과 압전층(160)의 조합 구조는 제1 전극(150)과 제2 전극(170)의 사이를 통과하는 전기 에너지 중 특정 주파수의 전기 에너지에 대해 공진함으로써, 특정 주파수의 전기 에너지의 통과를 크게 방해할 수 있다.
따라서, 음향 공진기(100)는 공진 주파수의 전기 에너지의 통과를 크게 방해하면서도 공진 주파수 근처의 전기 에너지를 잘 통과시킬 수 있다. 즉, 음향 공진기(100)는 날카로운(sharp) 스커트(skirt) 특성의 차단 대역을 가질 수 있으며, 스커트 특성이 날카로운 고주파 필터로 사용될 수 있다.
음향 공진기(100)는 복수의 음향 공진기의 조합 구조에 포함될 수 있다. 상기 조합 구조는 복수의 음향 공진기 중 음향 공진기(100)가 제공하는 제1 공진 주파수와, 복수의 음향 공진기 중 타 음향 공진기가 제공하는 제2 공진 주파수의 조합에 기반하여 RF 신호에 대한 통과 대역을 가질 수 있다. 상기 통과 대역은 제1 및 제2 공진 주파수의 스커트 특성에 따라 날카로운 스커트 특성을 가질 수 있다.
여기서, 통과 대역의 대역폭은 상기 스커트 특성이 날카로울수록 넓어지기 어려울 수 있다. 상기 대역폭은 상기 복수의 음향 공진기의 개수 확장에 의해 넓어질 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 음향 공진기는 제1, 제2, 제3 및 제4 공진 주파수의 주파수 스펙트럼에서 나란히 배치시킴으로써 더욱 넓은 대역폭을 가질 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 음향 공진기(100)와 필터(F1)가 합쳐진 구조를 제공함으로써, 더욱 넓은 대역폭을 가질 수 있다.
즉, 필터(F1)는 음향 공진기(100)의 통과 대역을 확장시키는 용도로 사용될 수 있다. 예를 들어, 필터(F1)는 음향 공진기(100)와 같이 압전 원리를 사용하도록 구성되거나 캐패시터 부품과 인덕터 부품의 조합과 같이 회로적 원리를 사용하도록 구성될 수 있으며, 도전성 구성요소와 유전 구성요소의 조합과 같이 전자기적 원리를 사용하도록 구성될 수 있다.
한편, 음향 공진기(100)의 공진 주파수는 음향 공진기(100)의 전반적인 크기가 작을수록 높아질 수 있다. 즉, 음향 공진기(100)는 음향 공진기(100)의 크기가 작아짐에 따라 더 높은 주파수 대역에 대해 사용될 수 있다.
그러나, 음향 공진기(100)의 크기가 너무 작아질 경우, 제1 전극 및 제2 전극(150, 170)의 저항값은 제1 전극 및 제2 전극(150, 170)의 얇아지는 두께에 따라 커질 수 있으며, 제1 전극 및 제2 전극(150, 170)의 전기 에너지와 기계적 에너지 사이의 변환 효율은 제1 전극 및 제2 전극(150, 170)의 수평방향(예: x방향 및/또는 y방향) 면적 감소에 따라 저하될 수 있다. 이는 삽입손실(insertion loss)을 유발할 수 있다.
필터(F1)는 음향 공진기(100)가 상대적으로 가지기 어려운 높은 주파수 대역의 RF 신호에 대해 필터링할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 음향 공진기(100)와 필터(F1)가 합쳐진 구조를 제공함으로써, 상대적으로 낮은 주파수 대역(예: 3~4GHz)에 대한 필터링 성능을 확보하면서도 상대적으로 높은 주파수 대역(예: 5~6GHz)에 대한 필터링 성능도 효율적으로 구현할 수 있다.
예를 들어, 필터(F1)는 음향 공진기(100)의 공진 주파수보다 더 높은 컷-오프 주파수를 가지는 하이패스필터(high pass filter)로 구성될 수 있다. 여기서, 컷-오프 주파수는 공진 주파수에 대응될 수 있다.
하이패스필터는 대역통과필터의 일부 공진 주파수보다 낮은 공진 주파수들의 조합으로 구성될 수 있으므로, 상대적으로 높은 주파수 대역에 대해 대역통과필터보다 더 쉽게 필터링 성능을 확보할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 상대적으로 높은 주파수 대역에 대한 필터링 성능을 보다 효율적으로 구현할 수 있다.
필터(F1)는 음향 공진기(100)로부터 상측으로 이격 배치된다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 필터(F1)와 음향 공진기(100) 사이의 간섭을 줄이면서도 필터(F1)와 음향 공진기(100)를 보다 압축적으로 배치시킴으로써 보다 효율적으로 소형화될 수 있다.
제1 기판(110)은 음향 공진기(100)가 배치되는 상면을 가진다. 제1 기판(110)은 음향 공진기(100)를 수평방향 기준으로 둘러싸도록 구성된 제1 결합 부재(111)를 포함할 수 있다.
제2 기판(120a)은 필터(F1)가 배치되는 하면을 가진다. 제2 기판(120a)은 제1 결합 부재(111)의 상측에 배치된 제2 결합 부재(121)를 포함할 수 있다.
즉, 음향 공진기(100))와 필터(F1)는 모두 제1 기판(110)과 제2 기판(120a)의 사이에 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 더욱 쉽게 소형화될 수 있다.
예를 들어, 제1 기판(110)의 하부 및/또는 제2 기판(120a)의 상부는 에칭(etching)에 의해 절단될 수 있다. 여기서, 음향 공진기(100)와 필터(F1)는 제1 기판(110) 및/또는 제2 기판(120a)의 소형화 과정에서 제1 기판(110) 및/또는 제2 기판(120a)에 의해 외부 환경으로부터 보호될 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 음향 공진기(100))와 필터(F1)의 실질적인 열화 없이 제1 기판(110) 및/또는 제2 기판(120a)의 소형화에 따라 축소된 사이즈를 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제2 기판(110, 120a)은 실리콘 웨이퍼로 구현되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 구조를 가질 수 있으며, 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package)에 사용되는 기판으로 구현될 수 있다.
여기서, 제1 기판(110)과 제2 기판(120a)의 사이 배치공간은 음향 공진기(100)와 필터(F1)의 안정적 배치를 위해 안정적으로 확보될 수 있다.
이를 위해, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 제1 기판(110)과 제2 기판(120a)를 연결시키고 상기 배치공간을 둘러싸는 연결 부재(130)를 포함할 수 있다.
연결 부재(130)는 제1 결합 부재(111)와 제2 결합 부재(121)를 서로 연결시키고 제1 및 제2 결합 부재(111, 121)와 다른 물질로 구성될 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제2 결합 부재(111, 121)는 주석(Sn)과 같이 상대적으로 낮은 용융점을 가지는 물질로 구성될 수 있으며, 연결 부재(130)는 금(Au)과 같이 상대적으로 안정적인 금속으로 구성될 수 있다.
여기서, 연결 부재(130)는 제1 및 제2 결합 부재(111, 121)의 사이에 배치되어 제1 및 제2 결합 부재(111, 121)의 용융점보다 높은 온도에서 상하방향(예: z방향)으로 압착됨으로써 음향 공진기(100)와 필터(F1)의 배치공간을 안정적으로 제공할 수 있으며, 제1 기판(110)과 제2 기판(120a) 사이의 이격 거리가 특정 이격 거리 이상으로 안정적으로 확보되도록 제1 기판(110)과 제2 기판(120a) 사이를 지지하는 구조를 안정적으로 이룰 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 음향 공진기(100)와 필터(F1)의 배치공간을 안정적으로 제공함으로써 음향 공진기(100)와 필터(F1) 각각의 성능 열화를 방지하고 전반적으로 축소된 사이즈를 가질 수 있다.
또한, 제2 기판(120a)은 하측으로 캐비티(152)를 제공하도록 구성될 수 있다. 필터(F1)는 캐비티(152)에 배치될 수 있다.
이에 따라, 제1 기판(110)과 제2 기판(120a) 사이의 이격 거리는 특정 이격 거리 이상으로 안정적으로 확보될 수 있다.
또한, 캐비티(152)의 제1 기판(110)과 제2 기판(120a) 사이 이격 거리 연장에 따라, 연결 부재(130)의 높이는 보다 짧아질 수 있으며, 연결 부재(130)는 보다 간단한 구조(예: 제1 및/또는 제2 결합 부재의 생략)를 가질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)는 필터(F1)와 제1 기판(120a) 사이의 전기적 연결 경로를 효율적으로 확보하기 위해 적어도 하나의 도전성 기둥(140a, 140b)을 포함할 수 있다.
도전성 기둥(140a, 140b)은 필터(F1)와 제1 기판(120a) 사이의 전기적 길이(electrical length)를 줄일 수 있으므로, 필터(F1)와 제1 기판(120a) 사이를 흐르는 RF 신호의 전송손실을 줄일 수 있다.
예를 들어, 도전성 기둥(140a, 140b)은 제1 기판(120a)에 전기적으로 연결된 제1 도전성 결합 기둥(141a, 141b)과, 필터(F1)에 전기적으로 연결된 제2 도전성 결합 기둥(142a, 142b)과, 제1 및 제2 도전성 결합 기둥의 사이를 연결시키고 제1 및 제2 도전성 결합 기둥과 다른 물질로 구성된 도전성 연결 기둥(143a, 143b)을 포함할 수 있다.
이에 따라, 도전성 기둥(140a, 140b)은 보다 안정적으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 도전성 기둥(140a, 140b)은 연결 부재(130)와 함께 구현될 수 있다.
즉, 제1 및 제2 도전성 결합 기둥(141a, 141b, 142a, 142b)과 제1 및 제2 결합 부재(111, 121)는 서로 동일한 물질(예: 주석)로 구성되고, 도전성 연결 기둥(143a, 143b)과 연결 부재(130)는 서로 동일한 물질(예: 금)로 구성될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)의 공정 효율은 더욱 향상될 수 있다.
도전성 기둥(140a, 140b)의 상단은 캐비티 단자(151a, 151b)에 전기적으로 연결될 수 있다. 캐비티 단자(151a, 151b)는 공정 과정에서 제2 도전성 결합 기둥(142a, 142b)의 배치공간을 제공할 수 있다. 이에 따라, 도전성 기둥(140a, 140b)은 캐비티(152)를 가지는 제2 기판(120a)의 구조에 보다 효율적으로 결합될 수 있다.
캐비티 단자(151a, 151b)는 도전성 기둥(140a, 140b)과 다른 물질(예: 금, 구리 등)로 구성됨으로써 공정 과정에서 제2 도전성 결합 기둥(142a, 142b)의 배치공간을 보다 안정적으로 제공할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또한, 캐비티 단자(151a, 151b)의 하단은 제2 기판(120a)의 하면 가장자리에 맞춰질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
한편, 제1 기판(110)은 제1 및 제2 전극(150, 170)에 각각 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 노출단자(115, 117)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 및 제2 노출단자(115, 117)는 연결 부재(130)와 동일한 물질(예: 금)을 포함하도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 노출단자(115, 117)의 비저항은 보다 쉽게 낮아질 수 있으며, 음향 공진기(100)를 통과하는 RF 신호의 전송손실은 감소할 수 있다.
도 1b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지에서 캐비티가 생략된 구조를 나타낸 측면도이다.
도 1b를 참조하면, 제2 기판(120b)의 하면은 평면일 수 있으며, 필터(F1)의 배치공간을 제공할 수 있다. 즉, 캐비티는 생략될 수 있다.
한편, 제1 도전성 결합 기둥(141a, 141b)의 일단과 제1 결합 부재(111)의 일단은 제1 기판(110)의 상면에 평행한 가상의 제1 면(Lv1)에 위치하고, 제2 도전성 결합 기둥(142a, 142b)의 일단과 제2 결합 부재(121)의 일단은 제1 기판(110)의 상면에 평행한 가상의 제2 면(Lv2)에 위치할 수 있다. 여기서, 가상의 제1 및 제2 면(Lv1, Lv2)의 위치는 특별히 한정되지 않는다.
이에 따라, 도전성 기둥(140a, 140b)과 연결 부재(130)는 공정 과정에서 보다 효율적으로 구현될 수 있다.
도 1c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지에서 필터의 변형 구조를 예시한 측면도이다.
도 1c를 참조하면, 필터는 제1 필터 전극(155)과 필터 압전층(156)과 제2 필터 전극(157)이 적층된 구조를 가질 수 있으며, 음향 공진기(100)와 유사한 구조를 가질 수 있다.
제1 필터 전극(155)과 필터 압전층(156)과 제2 필터 전극(157)이 캐비티(152)에 배치될 수 있으므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)의 필터의 유형(예: 압전형, 컴포넌트형 등)은 보다 자유롭게 선택될 수 있다.
도 1d는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지에서 봉합재가 추가된 구조를 예시한 측면도이다.
도 1d를 참조하면, 캐비티는 필터(F1)를 봉합하는 봉합재(153)를 더 포함할 수 있다. 봉합재(153)는 제2 기판(120c)이 제1 기판(110)에 결합되기 전에 캐비티에 채워질 수 있다. 따라서, 봉합재(153)는 음향 공진기(100)로부터 이격 배치될 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200)의 내부 배치공간은 더욱 안정적으로 구성될 수 있다.
예를 들어, 봉합재(153)는 PIE(Photo Imageable Encapsulant), ABF (Ajinomoto Build-up Film), 에폭시몰딩컴파운드(epoxy molding compound, EMC) 등으로 구현될 수 있다.
한편, 도 1d를 참조하면, 제2 기판(120c)의 캐비티를 둘러싸는 부분의 폭(W2)은 연결 부재(130)의 폭(W1)보다 두꺼울 수 있다.
즉, 제2 기판(120c)은 필터(F1)가 내부에 배치되고 연결 부재(130)가 둘러싸는 배치공간의 수평방향 면적보다 더 작은 수평방향 면적을 가지는 캐비티를 제공할 수 있다.
따라서, 캐비티를 포함하는 제2 기판(120c)의 구조는 뚜껑(cap) 구조와는 다르다. 뚜껑 구조와 비교하여, 캐비티를 포함하는 제2 기판(120c)은 음향 공진기 필터 패키지(200)의 상하방향(예: z방향) 길이를 보다 쉽게 축소시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 패키징 과정을 예시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 캐비티(152)는 제2 기판(120a)에 형성될 수 있으며, 필터(F1) 및 캐비티 단자(151a, 151b)는 캐비티(152)에 배치될 수 있다. 캐비티(152)는 설계에 따라 생략될 수 있다.
음향 공진기(100)는 제1 기판(110)의 상면 상에 배치될 수 있다.
이후, 제1 기판(110)과 제2 기판(120a)은 연결 부재(130)를 통해 결합될 수 있다. 연결 부재(130)의 상측 및 하측에 배치된 제1 및/또는 제2 결합 부재(111, 121)는 설계에 따라 생략될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 3을 참조하면, 제1 및/또는 제2 결합 부재(111, 121)는 음향 공진기(100)와 필터(F1)가 배치되는 배치공간을 수평방향으로 둘러싸도록 구성될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 제1 기판을 나타낸 평면도이고, 도 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 제2 기판을 나타낸 평면도이다.
도 4a를 참조하면, 제1 결합 부재(111b)는 복수의 기둥이 제1 기판(110)의 가장자리를 따라 배열된 구조를 가질 수 있다.
도 4b를 참조하면, 제2 결합 부재(121b)는 복수의 기둥이 제2 기판(120a)의 가장자리를 따라 배열된 구조를 가질 수 있으며, 제1 결합 부재(111b)에 z방향으로 대응되는 위치에 배열될 수 있다.
또한, 제2 결합 부재(121b)가 둘러싸는 배치공간의 면적은 캐비티(152)의 면적보다 클 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 복수의 음향 공진기의 연결을 예시한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지(200b)는 서로 전기적으로 연결되고 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 포트(P1, P2, P3, P4, P5)에 전기적으로 연결된 복수의 음향 공진기(100a, 100b, 100c, 100d, 100e, 100f, 100g, 100h, 100i, 100j, 100k, 100l, 100m, 100n, 100o, 100p, 100q, 100r, 100s, 100t)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 음향 공진기의 구체적 구조는 특별히 한정되지 않으나, 도 9a 내지 도 9c에 도시된 구조일 수 있다.
여기서, 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 포트(P1, P2, P3, P4, P5)는 전술한 제1 및 제2 노출단자에 대응될 수 있으며, 도전성 기둥의 위치에 대응될 수도 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 음향 공진기의 대역 통과 필터 구조를 예시한 회로도이다.
도 6a를 참조하면, 복수의 음향 공진기는 시리즈 음향 공진기(SE)와 션트 음향 공진기(SH)가 결합된 구조를 가질 수 있다. 여기서, 시리즈 음향 공진기(SE)와 션트 음향 공진기(SH) 중 적어도 하나는 전술한 음향 공진기에 대응될 수 있다.
도 6b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 음향 공진기의 대역 통과를 예시한 그래프이다.
도 6b를 참조하면, 복수의 음향 공진기의 이득(graph3)은 시리즈 음향 공진기의 이득(graph1)과 션트 음향 공진기의 이득(graph2)에 기반하여 결정될 수 있으며, 대역 통과 특성을 가질 수 있다.
시리즈 음향 공진기는 제1 및 제2 공진 주파수(fa_SE, fr_SE)를 가질 수 있으며, 션트 음향 공진기는 제3 및 제4 공진 주파수(fa_SH, fr_SH)를 가질 수 있다.
한편, 도 6b는 복수의 음향 공진기의 통과 대역이 2.5GHz 내지 2.6GHz인 것을 도시하나, 상기 통과 대역의 스펙트럼에서의 위치는 특별히 한정되지 않는다.
도 7a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 필터의 하이패스필터를 예시한 블록도이고, 도 7b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 필터의 하이패스필터를 예시한 회로도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 하이패스필터(F2)는 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 공진 회로부(10, 20, 30, 40, 50)의 조합에 따라 하이 패스 특성을 가질 수 있으며, 입력단(IN2)과 출력단(OUT2)을 포함할 수 있다.
제1 공진 회로부(10)는 제1 캐패시터(C1)와 제1 인덕터(L1)의 제1 조합을 포함할 수 있으며, 제2 공진 회로부(20)는 제2 캐패시터(C2)와 제2 인덕터(L2)의 제2 조합을 포함할 수 있으며, 제3 공진 회로부(30)는 제3 캐패시터(C3)와 제3 인덕터(L3)의 제3 조합을 포함할 수 있다.
제4 및 제5 공진 회로부(40)는 각각 음향 공진기를 포함할 수 있다.
한편, 하이패스필터(F2)는 도 7a 및 도 7b에 도시된 구조로 한정되지 않으며, 단일 컴포넌트 유형으로도 구현될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터 패키지의 음향 공진기와 필터의 조합을 예시한 블록도이다.
도 8을 참조하면, 음향 공진기(100U)는 입력단(IN1)과 출력단(OUT1)을 포함할 수 있으며, 하이패스필터(F2)는 입력단(IN2)과 출력단(OUT2)을 포함할 수 있다. 여기서, 입력단과 출력단은 전술한 제1 및 제2 전극에 대응될 수 있다.
음향 공진기(100U)의 입력단(IN1)과 하이패스필터(F2)의 입력단(IN2)은 각각 안테나(ANT)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 주파수 대역(예: 3~4GHz)의 RF 신호는 음향 공진기(100U)를 통과할 수 있으며, 제2 주파수 대역(예: 5~6GHz)의 RF 신호는 하이패스필터(F2)를 통과할 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시 예에 따른 음향 공진기 필터의 음향 공진기의 추가적 구성요소들을 예시한 측면도이다.
도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 공진부(300)는 일예로서, 희생층(320), 식각방지부(330), 멤브레인층(340), 하부전극(350), 압전체층(360), 상부전극(370), 삽입층(380) 및 페시베이션층(390)을 포함하여 구성될 수 있다.
기판(310)으로는 실리콘 웨이퍼가 이용되거나, SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판이 이용될 수 있다.
기판(310)의 상면에는 절연층(312)이 마련되어 기판(310)과 공진부(300)를 전기적으로 격리시킬 수 있다. 또한 절연층(312)은 음향 공진기 제조 과정에서 캐비티(C)를 형성할 때, 에칭가스에 의해 기판(310)이 식각되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 절연층(312)은 이산화규소(SiO2), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 산화 알루미늄(Al2O2), 및 질화 알루미늄(AlN) 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 열 산화(Thermal oxidation), 화학 기상 증착(Chemical vapor deposition), RF 마그네트론 스퍼터링(RF Magnetron Sputtering), 및 에바포레이션(Evaporation) 중 어느 하나의 공정을 통해 기판(110)에 형성될 수 있다.
희생층(320)은 기판(310)의 절연층(312) 상에 형성되며, 희생층(320)의 내측에는 캐비티(C)와 식각방지부(330)가 배치될 수 있다. 캐비티(C)는 제조 시 희생층(320)의 일부분을 제거함으로써 형성될 수 있다. 이와 같이, 캐비티(C)가 희생층(320)의 내측에 형성됨에 따라, 희생층(320)의 상부에 배치되는 하부전극(350) 등은 편평하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 희생층(320)은 식각에 용이한 폴리실리콘 또는 폴리머 등의 재질이 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
식각방지부(330)는 캐비티(C)의 경계를 따라 배치될 수 있다. 식각방지부(330)는 캐비티(C) 형성 과정에서 캐비티 영역 이상으로 식각이 진행되는 것을 방지할 수 있다. 식각방지부(330)는 절연층(312)과 동일한 재료로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
멤브레인층(340)은 기판(310)과 함께 캐비티(C)를 형성할 수 있다. 또한, 멤브레인층(340)은 희생층(320)의 제거 시 에칭가스(예: 불소(F), 염소(Cl) 등의 할라이드계, XeF2)와 반응성이 낮은 재질로 이루어질 수 있다. 한편, 식각방지부(330)는 멤브레인층(340)에 의해 형성된 홈부(342)에 삽입 배치될 수 있다. 한편, 멤브레인층(340)은 질화실리콘(Si3N4), 산화실리콘(SiO2), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)이 사용될 수 있다.
한편, 멤브레인층(340) 상에는 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어지는 시드층(미도시)이 형성될 수 있다. 즉, 시드층은 멤브레인층(340)과 하부전극(350) 사이에 배치될 수 있다. 시드층은 질화 알루미늄(AlN) 이외에도 HCP 결정 구조를 가지는 유전체 또는 금속을 이용하여 형성될 수 있다. 일예로서, 시드층이 금속일 경우 시드층은 티타늄(Ti)으로 형성될 수 있다.
하부전극(350)은 멤브레인층(340) 상에 형성되며, 일부분이 캐비티(C)의 상부에 배치될 수 있다.
압전체층(360)은 적어도 캐비티(C)의 상부에 배치되는 하부전극(350)을 덮도록 형성될 수 있다.
한편, 압전체층(360)은 평탄부(S)에 배치되는 압전부(362), 그리고 확장부(E)에 배치되는 굴곡부(364)를 포함할 수 있다.
압전부(362)는 하부전극(350)의 상부면에 직접 적층되는 부분이다. 따라서 압전부(362)는 하부전극(350)과 상부전극(370) 사이에 개재되어 하부전극(350), 상부전극(370)과 함께 편평한 형태로 형성될 수 있다.
굴곡부(364)는 압전부(362)에서 외측으로 연장되어 확장부(E) 내에 위치하는 영역으로 정의될 수 있다.
굴곡부(364)는 후술되는 삽입층(380) 상에 배치되며, 삽입층(380)의 형상을 따라 융기되는 형태로 형성될 수 있다. 이에 압전체층(360)은 압전부(362)와 굴곡부(364)의 경계에서 굴곡되며, 굴곡부(364)는 삽입층(380)의 두께와 형상에 대응하여 융기될 수 있다.
굴곡부(364)는 경사부(364a)와 연장부(364b)로 구분될 수 있다.
경사부(364a)는 후술되는 삽입층(380)의 경사면(L)을 따라 경사지게 형성되는 부분을 의미한다. 그리고 연장부(364b)는 경사부(364a)에서 외측으로 연장되는 부분을 의미한다.
경사부(364a)는 삽입층(380) 경사면(L)과 평행하게 형성되며, 경사부(364a)의 경사각은 삽입층(380) 경사면(L)의 경사각(도 6의 θ)과 동일하게 형성될 수 있다.
상부전극(370)은 적어도 캐비티(C)의 상부에 배치되는 압전체층(360)을 덮도록 형성될 수 있다.
삽입층(380)은 하부전극(350)과 압전체층(360) 사이에 배치될 수 있다. 삽입층(380)은 산화규소(SiO2), 질화알루미늄(AlN), 산화알루미늄(Al2O3), 질화규소(Si3N4), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 티탄산 지르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO)등의 유전체로 형성될 수 있으나, 압전체층(360)과는 다른 재질로 형성된다. 또한, 필요에 따라 삽입층(380)이 구비되는 영역을 빈 공간(air)으로 형성하는 것도 가능하다. 이는 제조 과정에서 삽입층(380)을 제거함으로써 구현될 수 있다.
본 실시예에서 삽입층(380)의 두께는 하부전극(350)의 두께와 동일하거나, 유사하게 형성될 수 있다. 또한 압전체층(360)과 유사하거나 압전체층(360) 보다 얇게 형성될 수 있다. 예를 들어 삽입층(380)은 100Å 이상의 두께로 형성되되 압전체층(360)의 두께보다는 얇게 형성될 수 있다. 그러나 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 삽입층(380)은 멤브레인층(340)과 하부전극(350), 그리고 식각방지부(330)에 의해 형성되는 표면을 따라 배치될 수 있다.
삽입층(380)은 평탄부(S)의 주변에 배치되어 압전체층(360)의 굴곡부(364)를 지지할 수 있다. 따라서 압전체층(360)의 굴곡부(364)는 삽입층(380)의 형상을 따라 경사부(364a)와 연장부(364b)로 구분될 수 있다.
삽입층(380)은 평탄부(S)를 제외한 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어 삽입층(380)은 평탄부(S)를 제외한 영역 전체에 배치되거나, 일부 영역에 배치될 수 있다.
또한 삽입층(380)은 적어도 일부가 압전체층(360)과 하부전극(350) 사이에 배치될 수 있다.
평탄부(S)의 경계를 따라 배치되는 삽입층(380)의 측면은 평탄부(S)에서 멀어질수록 두께가 두꺼워지는 형태로 형성될 수 있다. 이로 인해 삽입층(380)은 평탄부(S)와 인접하게 배치되는 측면이 일정한 경사각(θ)을 갖는 경사면(L)으로 형성될 수 있다.
삽입층(380) 측면의 경사각(θ)이 5°보다 작게 형성되면, 이를 제조하기 위해서는 삽입층(380)의 두께를 매우 얇게 형성하거나 경사면(L)의 면적을 과도하게 크게 형성해야 하므로, 실질적으로 구현이 어려울 수 있다.
또한 삽입층(380) 측면의 경사각(θ)이 70°보다 크게 형성되면, 삽입층(380) 상에 적층되는 압전체층(360)의 경사부(364a) 경사각도 70°보다 크게 형성될 수 있다. 이 경우 압전체층(360)이 과도하게 굴곡되므로, 압전체층(360)의 굴곡 부분에서 크랙(crack)이 발생될 수 있다.
따라서, 본 실시예에서 상기 경사면(L)의 경사각(θ)은 5°이상, 70°이하의 범위로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
페시베이션층(390)은 하부전극(350)과 상부전극(370)의 일부분을 제외한 영역에 형성될 수 있다. 한편, 페시베이션층(390)은 공정 중 상부전극(370) 및 하부전극(350)이 손상되는 것을 방지하는 역할을 수행한다.
나아가, 페시베이션층(390)은 최종 공정에서 주파수 조절을 위해 식각에 의해 일부분이 제거될 수 있다. 즉, 페시베이션층(390)의 두께가 조절될 수 있다. 페시베이션층(390)은 일예로서, 질화실리콘(Si3N4), 산화실리콘(SiO2), 산화망간(MgO), 산화지르코늄(ZrO2), 질화알루미늄(AlN), 티탄산 리르콘산 연(PZT), 갈륨비소(GaAs), 산화하프늄(HfO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 중 어느 하나의 재질을 함유하는 유전체층(Dielectric layer)이 사용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100, 100U: 음향 공진기
110: 제1 기판
111: 제1 결합 부재
115: 제1 노출단자
117: 제2 노출단자
120a, 120b: 제2 기판
121: 제2 결합 부재
130: 연결 부재
140a, 140b: 도전성 기둥
141a, 141b: 제1 도전성 결합 기둥
142a, 142b: 제2 도전성 결합 기둥
143a, 143b: 도전성 연결 기둥
150: 제1 전극
151a, 151b: 캐비티 단자
152: 캐비티(cavity)
153: 봉합재(encapsulant)
155: 제1 필터 전극
156: 필터 압전층
157: 제2 필터 전극
160: 압전층
170: 제2 전극
200: 음향 공진기 필터 패키지
F1: 필터
F2: 하이패스필터(high pass filter)

Claims (16)

  1. 압전층과 상기 압전층의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 전극을 포함하는 음향 공진기;
    상기 음향 공진기가 배치되는 상면을 가지며, 상기 음향 공진기를 둘러싸도록 구성된 제1 결합 부재를 포함하는 제1 기판;
    상기 음향 공진기로부터 상측으로 이격 배치되는 필터;
    상기 필터가 배치되는 하면을 가지며, 상기 제1 결합 부재의 상측에 배치된 제2 결합 부재를 포함하는 제2 기판; 및
    상기 제1 결합 부재와 상기 제2 결합 부재를 서로 연결시키고 상기 제1 및 제2 결합 부재와 다른 물질로 구성된 연결 부재; 를 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 필터는 상기 음향 공진기의 공진 주파수보다 더 높은 컷-오프 주파수를 가지는 하이패스필터(high pass filter)를 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 필터와 상기 제1 기판의 사이를 전기적으로 연결시키도록 배치된 도전성 기둥을 더 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
  4. 제3항에 있어서, 상기 도전성 기둥은,
    상기 제1 기판에 전기적으로 연결된 제1 도전성 결합 기둥;
    상기 필터에 전기적으로 연결된 제2 도전성 결합 기둥; 및
    상기 제1 및 제2 도전성 결합 기둥의 사이를 연결시키고 상기 제1 및 제2 도전성 결합 기둥과 다른 물질로 구성된 도전성 연결 기둥; 을 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전성 결합 기둥과 상기 제1 및 제2 결합 부재는 서로 동일한 물질로 구성되고,
    상기 도전성 연결 기둥과 상기 연결 부재는 서로 동일한 물질로 구성된 음향 공진기 필터 패키지.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1 도전성 결합 기둥의 일단과 상기 제1 결합 부재의 일단은 상기 제1 기판의 상면에 평행한 가상의 제1 면에 위치하고,
    상기 제2 도전성 결합 기둥의 일단과 상기 제2 결합 부재의 일단은 상기 제1 기판의 상면에 평행한 가상의 제2 면에 위치하는 음향 공진기 필터 패키지.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 필터가 내부에 배치되는 캐비티(cavity)를 하측 방향으로 제공하고,
    상기 도전성 기둥은 상기 제2 도전성 결합 기둥과 상기 필터의 사이를 전기적으로 연결시키고 상기 캐비티 내에 배치되는 캐비티 단자를 더 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 도전성 기둥과 상기 필터의 사이를 전기적으로 연결시키는 캐비티 단자를 더 포함하고,
    상기 제2 기판은 상기 필터와 상기 캐비티 단자가 내부에 배치되는 캐비티(cavity)를 하측 방향으로 제공하는 음향 공진기 필터 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 캐비티는 상기 필터를 봉합하는 봉합재(encapsulant)를 더 포함하고,
    상기 봉합재는 상기 음향 공진기로부터 이격 배치된 음향 공진기 필터 패키지.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 캐비티 단자는 상기 도전성 기둥과 다른 물질로 구성된 음향 공진기 필터 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 결합 부재 각각의 용융점은 상기 연결 부재의 용융점보다 낮은 음향 공진기 필터 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 기판은 상기 음향 공진기의 제1 및 제2 전극이 각각 전기적으로 연결되고 각각 상기 연결 부재와 동일한 물질을 포함하는 제1 및 제2 노출단자를 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
  13. 압전층과 상기 압전층의 제1 및 제2 면에 각각 배치된 제1 및 제2 전극을 포함하는 음향 공진기;
    상기 음향 공진기가 배치되는 상면을 가지는 제1 기판;
    상기 음향 공진기로부터 상측으로 이격 배치되는 필터;
    상기 필터가 배치되는 하면을 가지는 제2 기판; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 배치공간을 둘러싸도록 구성되고 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 서로 연결시키는 연결 부재; 를 포함하고,
    상기 제2 기판은 상기 필터가 내부에 배치되고 상기 연결 부재가 둘러싸는 배치공간의 수평방향 면적보다 더 작은 수평방향 면적을 가지는 캐비티(cavity)를 제공하는 음향 공진기 필터 패키지.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상면 상에서 세워진 도전성 기둥; 및
    상기 도전성 기둥과 상기 필터의 사이를 전기적으로 연결시키고 상기 캐비티에 배치되는 캐비티 단자; 를 더 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
  15. 제14항에 있어서, 상기 도전성 기둥은,
    상기 제1 기판 상에 배치된 제1 도전성 결합 기둥;
    상기 캐비티 단자에 전기적으로 연결된 제2 도전성 결합 기둥; 및
    상기 제1 및 제2 도전성 결합 기둥의 사이에 배치되고 상기 제1 및 제2 도전성 결합 기둥과 다른 물질로 구성된 도전성 연결 기둥; 을 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 필터는 상기 음향 공진기의 공진 주파수보다 더 높은 컷-오프 주파수를 가지는 하이패스필터(high pass filter)를 포함하는 음향 공진기 필터 패키지.
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