CN102111116A - 整合的晶圆级别封装体 - Google Patents

Abstract

一种整合的晶圆级别封装体：具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，两晶圆之间隔有距离，第一晶圆的第二表面与第二晶圆的第一表面相面对并形成第一间距；在第一晶圆第二表面上的第一体声波滤波器；在第二晶圆第一表面上的第二体声波滤波器，两体声波滤波器直接面对，两者之间形成第二间距；存在于两个晶圆之间的密封圈，环绕两个体声波滤波器形成密封，密封圈和两个体声波滤波器之间形成一个空腔；至少存在一个外界电连接，外界电连接至少可以与两个体声波滤波器中的一个进行电耦合。本发明生产成本降，产品质量高，可将两个或者更多的滤波器组件同时包裹在一个晶圆级别封装中，防止滤波器被周围大气环境污染。

Description

整合的晶圆级别封装体

技术领域

本发明涉及一种晶圆级别的封装。特别是涉及一种整合的晶圆级别封装体。

背景技术

消费类电子产品，例如移动电话、个人电子辅助设备等的外形尺寸在逐渐变小，价格也持续降低，但功能却在逐渐增强。从而使得这些电子产品在尺寸和成本方面对其内部的电子元器件(例如集成电路(ICs)和微机电系统(MEMS)器件)提出了严格的要求。包括体声波滤波器在内的射频(RF)滤波器在所有的射频前端器件中是普遍存在的元器件，并且射频滤波器在蜂窝式手机(celluar handset)的设计中起着重要的作用。需要不断努力来提供廉价的、体积小的、频率调谐精准的滤波器或者双工器。一个体声波谐振器至少由一层压电薄膜和至少一对将压电薄膜夹在中间的上下电极组成。体声波谐振器的谐振频率是指在器件中的机械波的传播频率。在材料中给定一个机械波的相速度，那么行波的半波长就等于器件总厚度。除了压电层的厚度之外，体声波谐振器的其他层材料的性质和厚度也会影响谐振频率。制作体声波滤波器时具有挑战性的一道工艺就是保证沉积在整片晶圆上的薄膜的厚度足够精准，目的是为了保持频率的容差范围低至0.1％左右。最后，为了获得理想的良率，基于测量得到的频率分布，对谐振器最顶层的钝化层进行频率调整常常是必要的。

一个典型的体声波滤波器的例子就是被称为梯形结构的滤波器，它是由许多谐振器对组成的，一个谐振器对包括一个串联的和一个并联的谐振器。这两个谐振器的谐振频率有细微的差别，通常是几个百分点，通过一层薄的质量负载层来轻微地改变其中一个谐振器的谐振频率。在移动电话中，体声波谐振器同样也用来组成构造双工器的滤波器，其中双工器包括发射端(Tx)滤波器和接收端(Rx)滤波器。美国专利(U.S.Pat.No.6,407,649)提到一种在同一个基底上并排地制作发射端滤波器和接收端滤波器的方法。发射端滤波器和接收端滤波器所需的频率差异是通过在两个滤波器中的任意一个的叠层结构中增加一层调谐层来实现的。然而，在许多情况下，例如宽带码分多址(WCDMA)Band 1应用中，发射端频段的中心频率比接收端频段的中心频率低10％左右。为了达到最优的滤波器性能，组成发射端滤波器和接收端滤波器的叠层结构(layered stack)完全不同，并且单独对发射端滤波器和接收端滤波器进行频率调谐是必要的，但是这种频率调谐的方法对于两个间距小于5毫米的芯片来说是不可行的。为了适应移动电子产品更小体积和多功能的需求，正在发展多带滤波器模块上投入大量的努力，如由通带中心频率在1.575GHz的全球定位系统(GPS)滤波器和通带中心频率在1.960GHz的一个码分多址(CDMA)滤波器组成的多带滤波器模块。在美国专利(U.SPat.6,518,860)中提到，不同厚度的压电薄膜必须单独沉积，但这样会大大增加工艺的复杂度和制造成本。类似于前面所提到的问题，对并排放置的但不同频带的滤波器逐个进行频率调整是不可行的。总的来讲，在单一基底上制作体声波双工器或者多带体声波滤波器需要同时考虑滤波器的性能、制造良率以及可能因此带来的较为昂贵的工艺成本等因素，且往往需要在这些因素中进行折衷处理。

因此，上述诸多缺陷和不足需要得到很好的解决。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种用于整合晶圆级别的封装的整合的晶圆级别封装体。本发明的第一目的就是，从根本上通过晶圆的垂直整合来减少多带滤波器或者双工器的器件面积和生产成本。第二目的就是，在封装和键合工艺之前，通过对晶圆上的滤波器进行独立的频率调整来使得器件的良率达到最高。第三目标就是，提供一个可行的在晶圆封装体上的外界焊点，滤波器可以与外界焊点电耦合但无需增大芯片和封装体的尺寸。第四目的就是，使得两个或者更多的滤波器组件同时包裹在一个晶圆级别封装中，从而防止滤波器被周围大气环境污染。

本发明所采用的技术方案是：一种整合的晶圆级别封装体，包括：

(a)具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；

(b)具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆之间间隔一定距离，且第一晶圆的第二表面与第二晶圆的第一表面相面对，该两个表面之间形成第一间距；

(c)制作在第一晶圆第二表面上的第一体声波滤波器；

(d)制作在第二晶圆第一表面上的第二体声波滤波器，第一体声波滤波器与第二体声波滤波器直接面对，两者之间形成第二间距；

(e)存在于第一晶圆和第二晶圆之间的密封圈，环绕第一体声波滤波器和第二体声波滤波器形成密封，密封圈、第一体声波滤波器和第二体声波滤波器之间形成一个空腔；

(f)至少存在一个从外界可以接触到的外界电连接，该外界电连接至少可以与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个进行电耦合。

所述的由密封圈形成的密封是气密性密封。

还包括在至少一个外界电连接上形成的至少一个焊球。

所述的至少存在一个的外界电连接包括与第一体声波滤波器电耦合的第一外界电连接和与第二体声波滤波器电耦合的第二外界电连接。

第一晶圆具有第一过孔，通过该过孔将第一外界电连接和第一体声波滤波器电耦合在一起，还具有第二过孔，通过该过孔将第二外界电连接和第二体声波滤波器电耦合在一起。

所述的第一过孔和第二过孔的制作方法为以下方法中的至少一种，这些方法包括：干法刻蚀、湿法刻蚀、深反应离子刻蚀、超声波钻磨、钻磨、机械钻磨或者激光钻磨。

所述的第一过孔和第二过孔内都填充导电材料。

还包括：

(a)形成在第一晶圆和第二晶圆之间的第一圆柱物，并且其临近第一过孔，因此有利于第一外界电连接与第一体声波滤波器之间进行电耦合，或者有利于第一外界电连接与第二体声波滤波器之间进行电耦合；和

(b)形成在第一晶圆和第二晶圆之间的第二圆柱物，并且其临近第二过孔，因此有利于第二外界电连接与第二体声波滤波器之间进行电耦合，或者有利于第二外界电连接与第一体声波滤波器之间进行电耦合。

所述的第一圆柱物至少与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个电耦合。

所述的第二圆柱物至少与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个电耦合。

把第一晶圆和第二晶圆通过密封圈键合在一起从而形成密封，其中键合的方法是以下方法中的至少一种：阳极键合、热压键合、共晶键合、焊锡键合、玻璃粉键合、粘合键合或者聚合物键合。

所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(c)制作在第二金属焊点上的电介质圈；和

(d)环绕电介质圈的金属层，该金属层的顶面与第一金属焊点键合。

所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属层的材料为同种材料或者不同材料。

所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属层的材料包括铜、金、锗、铝、镍和银中的一种或两种以上的混合物，电介质圈的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、旋制氧化矽或者玻璃粉。

所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(c)制作在第二金属焊点上的金属圈，该金属圈的顶面与第一金属焊点键合。

所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属圈的材料为同种材料或者不同材料。

所述的所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属圈的材料包括铜、金、锗、铝、镍、银的一种或两种以上的混合物，金属圈的制作方法为以下几种方法中的一种：电镀、化学电镀、物理气相沉积或者化学气相沉积。

所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(c)制作在第二金属焊点上的金属圈；

(d)制作在金属圈顶面上的扩散阻挡层；和

(e)在扩散阻挡层上的焊锡层，焊锡层的上表面与第一金属焊点键合。

所述的第一金属焊点和第二金属焊点的材料包括铜、金、镍、银和钛中的一种或两种以上的混合物，金属圈的材料为金或者铜，焊锡层由锡和金、银、铜、锌、硅、锗、铅、铟、铋、锑中的一种混合组成。

所述的金属圈的制作方法为以下几种方法的一种：电镀、化学电镀、物理气相沉积或者化学气相沉积。

所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第一金属焊点上的一个电介质薄膜，在电介质薄膜、第一金属焊点和第一晶圆中定义第三个过孔，该过孔穿通电介质薄膜和第一金属焊点，并终止于第一晶圆体内；

(c)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(d)制作在第一金属焊点上的第一圈，该圈具有第四过孔，该过孔穿通第一圈，第一圈的顶面与电介质薄膜键合；并且

(e)第三过孔和第四过孔内都填充导电材料。

所述的第一金属焊点和第二金属焊点的材料包括铜、金、铝中的一种或两种以上的混合物，电介质薄膜的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝或旋制氧化矽中的一种。

所述的第一圈的材料为电介质材料，包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、旋制氧化矽或者玻璃粉中的一种，或者为聚合物材料，包括光刻的聚合物、苯环丁烯、SU8，聚对二甲苯、聚酰亚胺、Avatrel、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷或者干薄膜光刻胶中的一种。

所述的密封圈包括：由非导电材料组成的一个圈，该圈沉积在第二晶圆的第一表面之上，该圈的顶面与第一晶圆第二表面键合。

还包括：

(a)包围第一体声波滤波器的第一保护层，并在保护层和第一体声波滤波器之间形成一个空腔；和

(b)包围第二体声波滤波器的第二保护层，并在保护层和第二体声波滤波器之间形成一个空腔。

所述的第一保护层和第二保护层的材料为以下几种材料中的一种：聚合物、非金属材料、金属材料或者这几种材料的混合物。

所述的聚合物材料包括可光刻的聚合物、苯环丁烯、SU8，聚对二甲苯、聚酰亚胺、Avatrel，聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷中的一种或两种以上的混合物，所述的非金属材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、金刚石或硅中的一种或两种以上的混合物，所述的金属材料包括铜、金、铝、铂、镍、钛或铬中的一种或两种以上的混合物。

一种采用整合的晶圆级别封装体的多封装体整合的晶圆级别封装体，包括：多个整合的晶圆级别封装体的封装体，以垂直每片晶圆的第一表面的方向垂直整合在一起，每个晶圆级别封装体通过第二密封圈与相邻的晶圆级别封装体粘接在一起。

一种整合的晶圆级别封装体，包括：

(a)具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；

(b)具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆之间间隔一定距离，且第一晶圆的第二表面与第二晶圆的第一表面相面对，该两个表面之间形成第一间距；

(c)制作在第一晶圆第二表面上的第一体声波滤波器；

(d)制作在第二晶圆第一表面上的第二体声波滤波器，第一体声波滤波器与第二体声波滤波器直接面对，两者之间形成第二间距；

(e)具有第一表面和对应的第二表面的第三晶圆；第二晶圆和第三晶圆之间间隔一定距离，第二晶圆的第二表面与第三晶圆的第一表面相面对，两个表面之间形成第三间距；

(f)具有第一表面和对应的第二表面的第四晶圆，第四晶圆和第三晶圆之间间隔一定距离，第三晶圆的第二表面与第四晶圆的第一表面相面对，两个表面之间形成第四间距；

(g)制作在第三晶圆第二表面上的第三体声波滤波器；

(h)制作在第四晶圆第一表面上的第四体声波滤波器，第三体声波滤波器与第四体声波滤波器直接面对，两者之间形成第五间距；

(i)存在于第一晶圆和第二晶圆之间的第一密封圈，环绕第一体声波滤波器和第二体声波滤波器形成第一密封，并且在第一密封圈、第一体声波滤波器和第二体声波滤波器之间形成第一空腔；

(j)存在于第二晶圆和第三晶圆之间的第二密封圈；

(k)存在于第三晶圆和第四晶圆之间的第三密封圈，环绕第三体声波滤波器和第四体声波滤波器形成第二密封，并且在第三密封圈、第三体声波滤波器和第四体声波滤波器之间形成第二空腔；

(l)至少存在一个从外界可以接触到的外界电连接，该外界电连接至少与第一体声波滤波器、第二体声波滤波器、第三体声波滤波器和第四体声波滤波器中的一个进行电耦合。

由第一密封圈形成的第一密封和由第三密封圈形成的第二密封属于气密性密封。

一种整合的晶圆级别封装体，包括

(a)具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；

(b)具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆之间间隔一定段距离，且第一晶圆第二表面与第二晶圆第一表面相面对，两个表面之间形成第一间距；

(c)制作在第一晶圆第二表面上的第一微器件；

(d)制作在第二晶圆第一表面上的第二微器件，第一微器件与第二微器件直接面对，两者之间形成第二间距；

(e)存在于第一晶圆和第二晶圆之间的密封圈，环绕第一微器件和第二微器件形成密封，并且在密封圈、第一微器件和第二微器件之间形成一个空腔；并且，

(f)至少存在一个从外界可以接触到的外界电连接，该外界电连接至少与第一微器件和第二微器件中的一个进行电耦合。

所述的由密封圈形成的密封属于气密性密封。

至少存在一个的外界电连接包括与第一微器件电耦合的第一外界电连接和与第二微器件电耦合的第二外界电连接。

所述的第一晶圆具有第一过孔，通过该过孔将第一外界电连接和第一微器件电耦合在一起，第二过孔，通过该过孔将第二外界电连接和第二微器件电耦合在一起。

还包括：

(a)制作在第一晶圆和第二晶圆之间的第一圆柱物，并且该第一圆柱物临近第一过孔，因此利于第一外界电连接与第一微器件之间的电耦合，或者是利于第一外界电连接与第二微器件之间的电耦合；和

(b)制作在第一晶圆和第二晶圆之间的第二圆柱物，并且该第二圆柱物临近第二过孔，因此利于第二外界电连接与第二微器件之间的电耦合，或者是利于第二外界电连接与第一微器件之间的电耦合。

所述的第一圆柱物至少与第一微器件和第二微器件中的一个电耦合。

所述的第二圆柱物至少与第一微器件和第二微器件中的一个电耦合。

所述的第二微器件是一个无缘器件。

所述的第一微器件是一个体声波滤波器。

本发明的整合的晶圆级别封装体，从根本上减少了多带滤波器或者双工器的器件面积和生产成本，并使得器件的良率达到最高。本发明的滤波器可以与外界焊点电耦合但无需增大芯片和封装体的尺寸。本发明使得两个或者更多的滤波器组件同时包裹在一个晶圆级别封装中，从而防止滤波器被周围大气环境污染。

附图说明

附图为了详尽体现本发明，连同说明一同阐述本发明的原理。在附图中尽可能使用相同的号码指示相同或类似的部分，其中：

图1为根据本发明的一个实例得到的整合的晶圆级别封装体的截面图；

图2为根据本发明的一个实例得到的密封圈的截面图；

图3为根据本发明的另一个实例得到的密封圈的截面图；

图4为根据本发明的又一个实例得到的密封圈的截面图；

图5为根据本发明的又一个实例得到的密封圈的截面图；

图6为根据本发明的另一个实例得到的整合的晶圆级别封装体的截面图；

图7为根据本发明的一个实例得到的多封装体整合的晶圆级别封装体的截面图；

图8为根据本发明的又一个实例得到的整合的晶圆级别封装体的截面图。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本发明的整合的晶圆级别封装体做出详细说明。

本发明将连同参考附图在下文中进行详尽说明，其典型实例也在此展示。尽管本发明有许多不同形式的体现，但本发明不局限于这里所描述的实例。更准确的来说，这些实例的提供是为了使该技术的阐述能够详尽和完全，并能向熟悉此领域的人们充分传达本发明的范围。相同的参考标号始终代表相同的部分。

本发明的一个方面，整合的晶圆级别封装体包括在第一基底上的第一声波滤波器和在第二基底上的第二声波滤波器，滤波器的频率单独调整之后再将两片晶圆键合在一起，因此良率可以达到最大值。将翻转的滤波器晶圆作为帽子结构，可以消除每个滤波器所需要的额外封装结构，这种封装结构是一种保护可动部件免受污染的传统方法。因为两个滤波器是垂直叠加，所以双工器的平面面积相对传统方法至少减少一半。多带滤波器或者双工器可以使用类似的方法，甚至可以减少更多的面积。晶圆之间的整合主要与以下五个方面的工艺有关：晶圆对准、晶圆键合、在晶圆键合界面的电连接、形成穿通晶圆(硅晶圆)的过孔和晶圆剪薄(wafer thinning)。在一个实例中，每个滤波器都封装在一个聚合物/塑料或者金属的包裹体中，所以非气密性的晶圆键合就已经足够了。

本发明的另一个方面，晶圆整合包括由各种技术制作的器件。例如，体声波滤波器、无源组件(例如电感、电容)，和/或制作在硅基底或者其他绝缘基底(例如绝缘衬底上的(SOI)和蓝宝石)上的射频开关可以整合到单个晶圆封装中形成射频前端模块(例如：开关多工器(switchplexer))。主要的优点包括模块体积和尺寸的极大减小，用短的垂直互连取代长的空间互连，降低寄生效应同时提高器件性能。

本发明的这些和其他方面将在下面的例子中得到进一步的阐述，这些例子不应该被理解为以任何方式局限于当前讲授的范围。

实例1

如图1所示，整合的晶圆级别封装体100为根据本发明得到的一个实例。一个典型的具体实例，这个整合的晶圆级别封装体100包括第一晶圆110、第二晶圆120、第一体声波滤波器112、第二体声波滤波器124以及密封圈130。第一晶圆110具有第一表面102和对应的第二表面111。第二晶圆120具有第一表面122和对应的第二表面104。第一晶圆110和第二晶圆120之间隔开一段距离，第一晶圆110的第二表面111与第二晶圆120的第一表面122相面对，从而在两个表面之间形成第一间距。第一体声波滤波器112制作在第一晶圆110的第二表面111之上，第二体声波滤波器124制作在第二晶圆120的第一表面122之上。第一体声波滤波器112与第二体声波滤波器124直接面对，两者之间形成第二间距。密封圈130存在于第一晶圆110和第二晶圆120之间，从而形成一个包围第一体声波滤波器112和第二体声波滤波器124的密封，同时在密封圈130、第一体声波滤波器112和第二体声波滤波器124之间形成一个空腔170。空腔170保持第一体声波滤波器112和第二体声波滤波器124工作在一个可控制的环境当中，因此使其免受水汽、沙尘和其他的污染。由密封圈130形成的密封可以是气密性密封或者非气密性密封。

上述的整合的晶圆级别封装体形成一个垂直整合的双工器。在第一晶圆110和第二晶圆120通过密封圈键合之前，对晶圆上的每一个滤波器进行频率调整以达到滤波器最大的良率。因为第一、第二两个体声波滤波器112和124是垂直叠在一起，所以相对传统方法来看，双工器的平面面积至少减小一半。将翻转的第二晶圆120作为帽子的技术可以消除传统的用额外结构来包裹每一个滤波器的需求，这种结构是用来保护滤波器免受到水汽、灰尘和一些其他的污染。

如图1所示，整合的晶圆级别封装体100还具有第一外界电连接140，它可以与第一体声波滤波器112电耦合；第二外界电连接142，它可以与第二体声波滤波器124电耦合；形成在第一外界电连接140上的第一焊球160，形成在第二外界电连接142上的第二焊球162。除此之外，第一晶圆110具有第一过孔113，第一外界电连接140与第一体声波滤波器112通过这个过孔进行电耦合；第二过孔114，第二外界电连接142与第二体声波滤波器124通过这个过孔进行电耦合。制作第一过孔113和第二过孔114的方法包括：湿法刻蚀(wetetching)、干法刻蚀(dry etching)、深反应离子刻蚀(DRIE)、超声波钻磨(ultrasonic milling)、钻磨(drilling)、机械钻磨(mechanical drilling)和激光钻磨。第一过孔113和第二过孔114都填充导电物质，包括铜(copper)、金(gold)、锗(germanium)、铝(aluminum)、镍(nickel)和银(silver)。

整合的晶圆级别封装体100还包括第三外界电连接144和第四外界电连接146，以及形成在第三外界电连接144上的第三焊球164和形成在第四外界电连接146上的第四焊球166。第一晶圆110具有第三过孔115，第三外界电连接144和密封圈130通过这个过孔进行电耦合，第一晶圆110还具有第四过孔116，第四外界电连接146和密封圈130通过这个过孔进行电耦合。第三、第四过孔115/116、第三、第四外界电连接144/146和第三、第四焊球164/166是可任意选择的。例如，如图6所示的实例，密封圈由非导电材料组成，例如聚合物薄膜、电介质薄膜、玻璃粉等等，并且不需要过孔115/116、外界电连接144/146和焊球164/166。在其他的实例中，整合的晶圆级别封装体可能有更多或者更少的外界焊点。

另外，这个整合的晶圆级别封装体100在第一晶圆110和第二晶圆120之间形成有第一柱状物152和第二柱状物150。第一柱状物152和第二柱状物150的材料可以与密封圈的材料相同，或者是由导电金属构成，包括铜、金、锗、铝、镍和银。第一柱状物152对准或者临近第一过孔113，第二柱状物150对准或者临近第二过孔114。在一个实例中，第一柱状物152与第一外界电连接140和第一体声波滤波器112进行电耦合。第二柱状物150与第二外界电连接142和第二体声波滤波器124进行电耦合，这样有利于第二外界电连接142与第二体声波滤波器进行电耦合。在另一个实例中，第一柱状物152可能与第一体声波滤波器112和第二体声波滤波器124同时进行电耦合，从而使第一体声波滤波器112与第二体声波滤波器124进行电连接。这种情况下，第一外界电连接140通过第一过孔113提供到两个体声波滤波器的电学途径。类似的，第二柱状物150可能与第一体声波滤波器112和第二体声波滤波器124同时进行电耦合。这种情况下，第二外界电连接142通过第二过孔114提供到两个体声波滤波器的电学途径。

第一晶圆110和第二晶圆120通过一个密封圈130键合在一起，键合方法包括：阳极键合(anodic bonding)、共晶键合(eutectic bonding)、玻璃粉键合(glass frit bonding)、热压键合(thermal compression bonding)、焊锡键合(solder bonding)、粘合键合(adhesive bonding)和聚合物键合(polymer bonding)。

参考图2，在一个典型的实例中，密封圈130包括形成在第一晶圆110的第二表面111上第一金属焊点202，形成在第二晶圆120的第一表面122上的第二金属焊点204，形成在第二金属焊点204上的电介质圈206，以及包围电介质圈206的金属层208。金属层208的上表面210与第一金属焊点202键合，键合方法包括热压键合和共晶键合。第一金属焊点202、第二金属焊点204和金属层208的厚度范围在1微米到2微米之间。电介质圈206的高度约为5微米到8微米。第一金属焊点202、第二金属焊点204、电介质圈206和金属层208的厚度可能为其他值或者大于上述的厚度。第一金属焊点202、第二金属焊点204和金属层208可能属于同一种金属材料或者不同种金属材料，包括铜、金、锗、铝、镍、银，或者它们的混合物。电介质圈206的材料可能是氧化硅、氮化硅或者其他绝缘材料。

也可以用其他方法制作密封圈130。例如，在图3中所示的典型的实例，密封圈130包括形成在第一晶圆110的第二表面111上的第一金属焊点302，形成在第二晶圆120的第一表面122的第二金属焊点304，制作在第二金属焊点304上的金属圈306。金属圈306的上表面308与第一金属焊点302利用如热压键合方法进行键合。第一金属焊点302和第二金属焊点304的厚度范围在1微米到2微米之间。金属圈306的高度可从5微米到10微米。第一金属焊点302、第二金属焊点304和金属圈306的厚度可能为其他值或者大于上述的厚度。第一金属焊点302、第二金属焊点304和金属圈306可能属于同一种金属材料或者不同种金属材料，包括铜、金、锗、铝、镍、银，或者它们的混合物。制作金属圈306的方法包括电镀(electroplating)、化学电镀(electroless plating)、物理气相沉积(PVD)或是化学气相沉积(CVD)。

图4为密封圈130的另一个实例。在这个实例中，密封圈130包括形成在第一晶圆110的第二表面111上的第一金属焊点402，形成在第二晶圆120的第一表面122上的第二金属焊点404，制作在第二金属焊点404上的金属圈406，形成在金属圈406上表面412的扩散阻挡层408，在扩散阻挡层408上制作的焊锡层410。焊锡层410的上表面416与第一金属焊点402键合，键合方法为共晶键合或者焊锡键合。第一金属焊点402和第二金属焊点404的厚度范围在1微米到2微米之间。金属圈406的高度可从5微米到10微米。扩散阻挡层408的厚度在1微米左右。焊锡层410的厚度范围为3微米到5微米。第一金属焊点402、第二金属焊点404、金属圈406、扩散阻挡层408和焊锡层410的厚度可能为其他值或者大于上述的厚度。第一金属焊点402和第二金属焊点404的材料包括铜、金、镍、银、钛或者它们的混合物。金属圈406的材料可能为金或者铜。焊锡层是由锡和金、银、铜、锌、硅、锗、铅、铟、铋和锑中的至少一种混合组成。制作金属圈406的方法包括电镀、化学电镀、物理气相沉积和化学气相沉积。

图5为密封圈130的又一实例。密封圈130包括形成在第一晶圆110的第二表面111上的第一金属焊点502，制作在第一金属焊点502上的电介质薄膜508，形成在第二晶圆120的第一表面122上的第二金属焊点504，制作在第二金属焊点504上的圈506。电介质薄膜508、第一金属焊点502和第一晶圆110定义第三过孔510，该第三过孔510穿通电介质薄膜508和第一金属焊点502，并终止在第一晶圆110体内。圈506具有第四过孔512，该第四过孔512穿通圈506。第三过孔510和第四过孔512内填充导电材料，包括铜、金、锗、铝、镍和银。圈516的上表面514与电介质薄膜508键合。另一个实例，电介质薄膜并不存在，圈506的上表面514与第一金属焊点502键合。第一金属焊点502和第二金属焊点504的厚度范围在1微米到2微米之间。圈506的高度可从5微米到10微米。电介质薄膜508的厚度在0.5微米左右。第一金属焊点502、第二金属焊点504、圈506和电介质薄膜508的厚度可能为其他值或者大于上述的厚度。第一金属焊点502和第二金属焊点504的金属材料包括铜、金、铝或者它们的混合物。电介质圈508的材料是氧化硅、氮化硅、氧化铝、旋制氧化矽和玻璃粉。在一个实例中，圈506材料为聚合物，包括可光刻的聚合物(photographic polymer)、苯环丁烯(BCB)、SU8、聚对二甲苯、聚酰亚胺、Avatrel、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷(PDMS)和干膜光刻胶(dry film)。

图6为密封圈130的又一实例。密封圈130包括由不导电材料构成的圈606，其中圈606沉积在第二晶圆120的第一表面122上，圈606的上表面608与第一晶圆110的第二表面111键合。不导电材料包括聚合物薄膜、电介质薄膜、玻璃粉等等。

键合第一晶圆和第二晶圆的方法还包括除上述方法之外的其他方法。

参考图7，整合的晶圆级别封装体700为根据本发明得到的另一个实例。整合的晶圆级别封装体700与整合的晶圆级别封装体100结构类似。另外，整合的晶圆级别封装体700具有包裹第一体声波滤波器112的第一保护层704，并且在第一体声波滤波器112与第一保护层704之间形成空腔702，还具有包裹第二体声波滤波器124的第二保护层708，并且在第二体声波滤波器124和第二保护层708之间形成空腔706。空腔702和706保证第一和第二体声波滤波器在可控的环境中，以免水汽、灰尘和其他污染物的污染。在这种情况下，由密封圈130所形成的密封无需是气密性密封。第一保护层704和第二保护层708可能由聚合物材料构成，包括可光刻的聚合物、苯环丁烯、SU8、聚对二甲苯、聚酰亚胺、Avatrel、聚甲基丙烯酸甲酯和聚二甲基硅氧烷。在另一个实例中，保护层704和708可能由不导电材料构成，包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、金刚石和硅。在其他实例中，它们可能由金属材料构成，包括铜、金、铝、铂、镍、钛、铬或者它们的混合物。

实例2

在另一个实例中，如例子1中所描述的大量的整合的晶圆级别封装体垂直叠在一起，每一个晶圆级别封装的封装体通过第二密封圈与相邻的晶圆级别封装的封装体粘接在一起。这样可以减小更多的平面面积。

图8为一个在晶圆级别封装体里的一个垂直整合的双带双工器。整合的晶圆级别封装体800包括第一晶圆802，第二晶圆808，第一体声波滤波器828，第二体声波滤波器830。第一晶圆802具有第一表面804和对应的第二表面806。第二晶圆808具有第一表面810和对应的第二表面812。第一晶圆802和第二晶圆808之间隔开一段距离，第一晶圆802的第二表面806与第二晶圆808的第一表面810相面对，因此在两个表面之间形成第一个间距。第一体声波滤波器828制作在第一晶圆802的第二表面806之上，第二体声波滤波器830制作在第二晶圆808的第一表面810之上。第一体声波滤波器828与第二体声波滤波器830相面对，在两者之间形成第二个间距。

参考图8，整合的晶圆级别封装体800还包括有第三晶圆814，第四晶圆820，第三体声波滤波器838，第四体声波滤波器840。第三晶圆814具有第一表面816和对应的第二表面818。第三晶圆814和第二晶圆808间隔一段距离，因此，第三晶圆814的第一表面816面与第二晶圆808的第二表面812相面对，从而在两者之间形成第三个间距。第四晶圆820具有第一表面822和对应的第二表面824。第四晶圆820和第三晶圆814之间隔开一段距离，第四晶圆820的第一表面822与第三晶圆814的第二表面818相面对，因此在两个表面之间形成第四个间距。第三体声波滤波器838制作在第三晶圆814的第二表面818之上，第四体声波滤波器840制作在第四晶圆820的第一表面822之上。第三体声波滤波器838与第四体声波滤波器840直接面对，在两者之间形成第五个间距。

参考图8，整合的晶圆级别封装体800还包括第一密封圈844，第二密封圈846和第三密封圈848。第一密封圈844存在于第一晶圆802和第二晶圆808之间，所以形成一个环绕在第一体声波滤波器828和第二体声波滤波器830之间的第一密封，从而在第一密封圈844、第一体声波滤波器828和第二体声波滤波器830之间形成第一空腔870。第二密封圈846存在于第二晶圆808与第三晶圆814之间。第三密封圈848存在于第三晶圆814和第四晶圆824之间，从而形成围绕第三体声波滤波器838和第四体声波滤波器840的第二密封，进而在第三密封圈848、第三体声波滤波器838和第四体声波滤波器840之间形成第二空腔872。由第一密封圈844形成的第一密封和由第三密封圈848形成的第二密封可能属于气密性密封或者非气密性密封。第二密封圈846有利于第一密封圈和第三密封圈之间的电耦合，所以不对气密性做要求。第二密封圈846的材料可能与第一或第三密封圈的材料不同。

整合的晶圆级别封装体800还包括至少一个对于这个晶圆级别封装可行的外界电连接850/852，并且这个电连接可以至少与第一体声波滤波器828、第二体声波滤波器830、第三体声波滤波器838和第四体声波滤波器840其中的一个电耦合。

上述的多封装体整合的晶圆级别封装体包括两个单独的封装体，两个以上的单独封装体，例如三个或者四个单独封装体可以以类似的方式整合在一起。

实例3

图9为本发明的一个整合的晶圆级别封装体的一个具体实例。整合的晶圆级别封装体900包括第一晶圆910，第二晶圆920，第一微器件912，第二微器件924和密封圈930。第一晶圆910具有第一表面902和对应的第二表面911。第二晶圆920具有第一表面922和对应的第二表面904。第一晶圆910和第二晶圆920之间隔开一段距离，并且第一晶圆910的第二表面911与第二晶圆920的第一表面922相面对，因此两个表面之间形成第一间距。第一微器件912制作在第一晶圆910的第二表面911之上，第二微器件924制作在第二晶圆920的第一表面922之上。第一微器件912与第二微器件924直接面对，从而在两者之间形成第二间距。密封圈930存在于第一晶圆910和第二晶圆920之间，从而形成一个环绕第一微器件912和第二微器件924的密封，并且在密封圈930、第一微器件912和第二微器件924之间形成第一空腔970。由密封圈930形成的密封可能为气密性密封或者非气密性密封。

整合的晶圆级别封装体900有第一外界电连接940，其可以与第一微器件912电耦合，第二外界电连接942，其可以与第二微器件924电耦合。在一个实例中，第一晶圆910具有第一过孔913，第一外界电连接940与第一微器件912通过这个过孔进行电耦合，还具有第二过孔914，第二外界电连接942与第二微器件924通过这个过孔进行电耦合。在另一个实例中，整合的晶圆级别封装体可能包括更多或者更少的外界电连接。

在一个实例中，整合的晶圆级别封装体900有第一柱状物952和第二柱状物950，它们形成在第一晶圆910和第二晶圆920之间。第一柱状物952对准或者临近第一过孔913，第二柱状物950对准或者临近第二过孔914。在一个实例中，第一柱状物952与第一外界电连接940和第一微器件912进行电耦合。第二柱状物950与第二外界电连接942和第二微器件924进行电耦合，从而有利于第二外界电连接942与第二微器件924进行电耦合。在另一个实例中，第一柱状物952可能与第一微器件912和第二微器件924同时进行电耦合，因此将第一微器件912和第二微器件924电连接在一起。这种情况下，第一外界电连接通过第一过孔913提供到两个微器件的电学途径。类似的，第二柱状物950可能与第一微器件912和第二微器件924同时进行电耦合。这种情况下，第一外界电连接942通过第二过孔914提供到两个微器件的电学途径。

在一个实例中，第一微器件和第二微器件都可能为体声波滤波器、无源器件(如电感或电容等)、或者是制作在硅基底或者其他基底(如SOI或蓝宝石等)上的射频开关。在一些实例中，体声波滤波器、无源器件和射频开关可以整合到一个晶圆封装体中，从而形成射频前端模块(如开关多工器)。这种模块的优点包括体积和尺寸的极大减小，用较短的垂直电连接取代长的平面二维电连接，减少寄生效应同时提高器件性能。

上述对本发明中几种典型实例的描述仅仅是为了说明，这些说明不是很详尽，不会限制发明的确切形式。鉴于本发明，可以做出许多修改和变化。实例的选择和描述是为了解释本发明的原理和实际应用，以便激励该领域的其他技术使用本发明和各种实例，并根据特定用途进行适当的修改。不偏离本发明精神和范围，应用该领域的技术对实例进行改变是很容易的。因此，本发明的范围由附加权利要求定义，而不是由上述描述和其中讨论的实例决定。

Claims (39)

1.一种整合的晶圆级别封装体，其特征在于：包括：

(a)具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；

(b)具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆之间间隔一定距离，且第一晶圆的第二表面与第二晶圆的第一表面相面对，该两个表面之间形成第一间距；

(c)制作在第一晶圆第二表面上的第一体声波滤波器；

(d)制作在第二晶圆第一表面上的第二体声波滤波器，第一体声波滤波器与第二体声波滤波器直接面对，两者之间形成第二间距；

(e)存在于第一晶圆和第二晶圆之间的密封圈，环绕第一体声波滤波器和第二体声波滤波器形成密封，密封圈、第一体声波滤波器和第二体声波滤波器之间形成一个空腔；

(f)至少存在一个从外界可以接触到的外界电连接，该外界电连接至少可以与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个进行电耦合。

2.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的由密封圈形成的密封是气密性密封。

3.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，还包括在至少一个外界电连接上形成的至少一个焊球。

4.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的至少存在一个的外界电连接包括与第一体声波滤波器电耦合的第一外界电连接和与第二体声波滤波器电耦合的第二外界电连接。

5.根据权利要求4所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，第一晶圆具有第一过孔，通过该过孔将第一外界电连接和第一体声波滤波器电耦合在一起，还具有第二过孔，通过该过孔将第二外界电连接和第二体声波滤波器电耦合在一起。

6.根据权利要求5所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一过孔和第二过孔的制作方法为以下方法中的至少一种，这些方法包括：干法刻蚀、湿法刻蚀、深反应离子刻蚀、超声波钻磨、钻磨、机械钻磨或者激光钻磨。

7.根据权利要求5所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一过孔和第二过孔内都填充导电材料。

8.根据权利要求5所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，还包括：

(a)形成在第一晶圆和第二晶圆之间的第一圆柱物，并且其临近第一过孔，因此有利于第一外界电连接与第一体声波滤波器之间进行电耦合，或者有利于第一外界电连接与第二体声波滤波器之间进行电耦合；和

(b)形成在第一晶圆和第二晶圆之间的第二圆柱物，并且其临近第二过孔，因此有利于第二外界电连接与第二体声波滤波器之间进行电耦合，或者有利于第二外界电连接与第一体声波滤波器之间进行电耦合。

9.根据权利要求8所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一圆柱物至少与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个电耦合。

10.根据权利要求8所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第二圆柱物至少与第一体声波滤波器和第二体声波滤波器中的一个电耦合。

11.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，把第一晶圆和第二晶圆通过密封圈键合在一起从而形成密封，其中键合的方法是以下方法中的至少一种：阳极键合、热压键合、共晶键合、焊锡键合、玻璃粉键合、粘合键合或者聚合物键合。

12.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(c)制作在第二金属焊点上的电介质圈；和

(d)环绕电介质圈的金属层，该金属层的顶面与第一金属焊点键合。

13.根据权利要求12所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属层的材料为同种材料或者不同材料。

14.根据权利要求12所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属层的材料包括铜、金、锗、铝、镍和银中的一种或两种以上的混合物，电介质圈的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、旋制氧化矽或者玻璃粉。

15.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(c)制作在第二金属焊点上的金属圈，该金属圈的顶面与第一金属焊点键合。

16.根据权利要求15所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属圈的材料为同种材料或者不同材料。

17.根据权利要求15所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的所述的第一金属焊点、第二金属焊点和金属圈的材料包括铜、金、锗、铝、镍、银的一种或两种以上的混合物，金属圈的制作方法为以下几种方法中的一种：电镀、化学电镀、物理气相沉积或者化学气相沉积。

18.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(c)制作在第二金属焊点上的金属圈；

(d)制作在金属圈顶面上的扩散阻挡层；和

(e)在扩散阻挡层上的焊锡层，焊锡层的上表面与第一金属焊点键合。

19.根据权利要求18所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一金属焊点和第二金属焊点的材料包括铜、金、镍、银和钛中的一种或两种以上的混合物，金属圈的材料为金或者铜，焊锡层由锡和金、银、铜、锌、硅、锗、铅、铟、铋、锑中的一种混合组成。

20.根据权利要求18所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的金属圈的制作方法为以下几种方法的一种：电镀、化学电镀、物理气相沉积或者化学气相沉积。

21.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的密封圈包括：

(a)形成在第一晶圆第二表面上的第一金属焊点；

(b)形成在第一金属焊点上的一个电介质薄膜，在电介质薄膜、第一金属焊点和第一晶圆中定义第三个过孔，该过孔穿通电介质薄膜和第一金属焊点，并终止于第一晶圆体内；

(c)形成在第二晶圆第一表面上的第二金属焊点；

(d)制作在第一金属焊点上的第一圈，该圈具有第四过孔，该过孔穿通第一圈，第一圈的顶面与电介质薄膜键合；并且

(e)第三过孔和第四过孔内都填充导电材料。

22.根据权利要求21所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一金属焊点和第二金属焊点的材料包括铜、金、铝中的一种或两种以上的混合物，电介质薄膜的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝或旋制氧化矽中的一种。

23.根据权利要求21所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一圈的材料为电介质材料，包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、旋制氧化矽或者玻璃粉中的一种，或者为聚合物材料，包括光刻的聚合物、苯环丁烯、SU8，聚对二甲苯、聚酰亚胺、Avatrel、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷或者干薄膜光刻胶中的一种。

24.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的密封圈包括：由非导电材料组成的一个圈，该圈沉积在第二晶圆的第一表面之上，该圈的顶面与第一晶圆第二表面键合。

25.根据权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，还包括：

(a)包围第一体声波滤波器的第一保护层，并在保护层和第一体声波滤波器之间形成一个空腔；和

(b)包围第二体声波滤波器的第二保护层，并在保护层和第二体声波滤波器之间形成一个空腔。

26.根据权利要求25所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一保护层和第二保护层的材料为以下几种材料中的一种：聚合物、非金属材料、金属材料或者这几种材料的混合物。

27.根据权利要求26所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的聚合物材料包括可光刻的聚合物、苯环丁烯、SU8，聚对二甲苯、聚酰亚胺、Avatrel，聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷中的一种或两种以上的混合物，所述的非金属材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、金刚石或硅中的一种或两种以上的混合物，所述的金属材料包括铜、金、铝、铂、镍、钛或铬中的一种或两种以上的混合物。

28.一种采用权利要求1所述的整合的晶圆级别封装体的多封装体整合的晶圆级别封装体，其特征在于，包括：多个整合的晶圆级别封装体的封装体，以垂直每片晶圆的第一表面的方向垂直整合在一起，每个晶圆级别封装体通过第二密封圈与相邻的晶圆级别封装体粘接在一起。

29.一种整合的晶圆级别封装体，其特征在于，包括：

(a)具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；

(b)具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆之间间隔一定距离，且第一晶圆的第二表面与第二晶圆的第一表面相面对，该两个表面之间形成第一间距；

(c)制作在第一晶圆第二表面上的第一体声波滤波器；

(d)制作在第二晶圆第一表面上的第二体声波滤波器，第一体声波滤波器与第二体声波滤波器直接面对，两者之间形成第二间距；

(e)具有第一表面和对应的第二表面的第三晶圆；第二晶圆和第三晶圆之间间隔一定距离，第二晶圆的第二表面与第三晶圆的第一表面相面对，两个表面之间形成第三间距；

(f)具有第一表面和对应的第二表面的第四晶圆，第四晶圆和第三晶圆之间间隔一定距离，第三晶圆的第二表面与第四晶圆的第一表面相面对，两个表面之间形成第四间距；

(g)制作在第三晶圆第二表面上的第三体声波滤波器；

(h)制作在第四晶圆第一表面上的第四体声波滤波器，第三体声波滤波器与第四体声波滤波器直接面对，两者之间形成第五间距；

(i)存在于第一晶圆和第二晶圆之间的第一密封圈，环绕第一体声波滤波器和第二体声波滤波器形成第一密封，并且在第一密封圈、第一体声波滤波器和第二体声波滤波器之间形成第一空腔；

(j)存在于第二晶圆和第三晶圆之间的第二密封圈；

(k)存在于第三晶圆和第四晶圆之间的第三密封圈，环绕第三体声波滤波器和第四体声波滤波器形成第二密封，并且在第三密封圈、第三体声波滤波器和第四体声波滤波器之间形成第二空腔；

(l)至少存在一个从外界可以接触到的外界电连接，该外界电连接至少与第一体声波滤波器、第二体声波滤波器、第三体声波滤波器和第四体声波滤波器中的一个进行电耦合。

30.根据权利要求29所述的整合的晶圆级别封装体体，其特征在于，由第一密封圈形成的第一密封和由第三密封圈形成的第二密封属于气密性密封。

31.一种整合的晶圆级别封装体，其特征在于，包括

(a)具有第一表面和对应的第二表面的第一晶圆；

(b)具有第一表面和对应的第二表面的第二晶圆，第一晶圆和第二晶圆之间间隔一定段距离，且第一晶圆第二表面与第二晶圆第一表面相面对，两个表面之间形成第一间距；

(c)制作在第一晶圆第二表面上的第一微器件；

(d)制作在第二晶圆第一表面上的第二微器件，第一微器件与第二微器件直接面对，两者之间形成第二间距；

(e)存在于第一晶圆和第二晶圆之间的密封圈，环绕第一微器件和第二微器件形成密封，并且在密封圈、第一微器件和第二微器件之间形成一个空腔；并且，

(f)至少存在一个从外界可以接触到的外界电连接，该外界电连接至少与第一微器件和第二微器件中的一个进行电耦合。

32.根据权利要求31所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的由密封圈形成的密封属于气密性密封。

33.根据权利要求31所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，至少存在一个的外界电连接包括与第一微器件电耦合的第一外界电连接和与第二微器件电耦合的第二外界电连接。

34.根据权利要求33所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一晶圆具有第一过孔，通过该过孔将第一外界电连接和第一微器件电耦合在一起，第二过孔，通过该过孔将第二外界电连接和第二微器件电耦合在一起。

35.根据权利要求34所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，还包括：

(a)制作在第一晶圆和第二晶圆之间的第一圆柱物，并且该第一圆柱物临近第一过孔，因此利于第一外界电连接与第一微器件之间的电耦合，或者是利于第一外界电连接与第二微器件之间的电耦合；和

(b)制作在第一晶圆和第二晶圆之间的第二圆柱物，并且该第二圆柱物临近第二过孔，因此利于第二外界电连接与第二微器件之间的电耦合，或者是利于第二外界电连接与第一微器件之间的电耦合。

36.根据权利要求35所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一圆柱物至少与第一微器件和第二微器件中的一个电耦合。

37.根据权利要求35所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第二圆柱物至少与第一微器件和第二微器件中的一个电耦合。

38.根据权利要求35所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第二微器件是一个无缘器件。

39.根据权利要求31所述的整合的晶圆级别封装体，其特征在于，所述的第一微器件是一个体声波滤波器。

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