CN111193492A - 封装结构、半导体器件、电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，其中：所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：所述截面的宽度在垫圈结构的凸出方向上变小。本发明还涉及一种具有上述封装结构的半导体器件以及一种具有上述半导体器件的电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体器件的封装，尤其涉及一种半导体器件用封装结构，一种具有该封装结构的半导体器件，以及一种具有该半导体器件的设备。
背景技术
20世纪80年代以来,各类电子设备的便携性、多功能、高性能、低成本的发展趋势对半导体器件提出了更高的要求，促使其朝着小型化、高集成、高可靠性、高良率的方向发展。其中，声波谐振器是一类重要的半导体器件，是构成滤波器、振荡器、传感器的核心器件，在通信滤波、时钟发生、导航定位和生化传感等领域中发挥重要作用。随着微纳制造技术的发展，先后产生了表面声波谐振器和体声波谐振器。其中，体声波谐振器凭借其高Q值、低温度漂移、能够与IC制造工艺兼容的优势，在最近十几年中迅速脱颖而出，被广泛应用于无线通讯中。在体声波谐振器中，其工作频率与薄膜厚度成反比，通过良好的薄膜制备工艺，谐振器压电层的厚度可以缩减到几百纳米至几微米之间，因此，谐振频率能够提高到几GHz以上，实现了声波器件的高频化和小型化，弥补了传统石英晶体谐振器的不足。但是，同时使得谐振器裸芯片对外界环境极其敏感，环境中的尘埃，水汽，光热辐射，机械冲击，氧化作用都可能造成谐振器性能大幅下降。因此，需要构建一定的保护结构将谐振器与外界环境进行有效隔离，从而确保谐振器长期稳定工作。
基底级封装结构是一种常用的用于保护MEMS半导体器件的封装结构，该结构通常包含具有芯片的功能基底和用于保护芯片的封装基底。在封装过程中通过键合工艺，使功能基底与封装基底形成一个整体，从而实现裸芯片的密封保护。
图1A-图1D示出了传统的封装结构。
图1A为传统封装结构的基本组成部分示意图。如图1A所示，封装结构包含功能基底F100和封装基底C100，其中，F100的俯视图如图1B所示。图1B所示的功能部分的主要结构包含声波滤波器核心部分F201，键合层部分F203(阴影部分)，以及基底部分F202。沿着直线AA’将上述结构剖开，可得到如图1C所示的键合剖面结构(该结构包含了封装基底C100)。
图1C所示的封装剖面结构中，F212为功能部分的基底，F211为滤波器核心，F213为键合层金属，C111为封装基底，并且C111的两侧具有突起结构(垫圈结构)，从而在封装时可在滤波器核心和封装基底之间形成空腔C115。
图1D为图1C中DT111区域的放大示意图。图1D中，C190为封装基底，该基底具有突起的垫圈结构G190，垫圈结构G190的截面为矩形；F190为功能基板，其上表面水平向两侧延伸；在G190和位于其下方的F190之间具有一定厚度的键合层金属A190，通过该金属层封基板和功能基板键合为一个整体。
但是，图1D所示的传统封装结构存在的问题是：一方面，键合过程中外界施加在待封装系统的压力沿MM’方向，但由于系统对外界施加力的响应方式存在张量关系，且待封装结构的几何形状在横向上变化较大，就不可避免的在封装基板C190和垫圈G190之间形成剪切应变，而C190和G190之间形成的直角拐点结构区域(CR100)对而这一应变最为敏感，容易产生裂纹甚至断裂，从而严重影响封装可靠性。另一方面，当有外界冲击力直接作用在封装后的芯片上时，也会在封装基板C190和垫圈G190之间形成剪切应变，容易导致封装失效。
解决上述问题的一种方案是采用较宽的垫圈，但是，在芯片尺寸一定的条件下，较宽的垫圈结构会使得空腔C115变小，从而影响功能芯片的布局及性能。
发明内容
为缓解或解决上述键合式封装结构中尚存在的不足的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，其中：所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：所述截面的宽度在垫圈结构的凸出方向上变小。
可选的，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为梯形。
可选的，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小两个矩形组合的形状。
可选的，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小三个矩形组合的形状。
可选的，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为梯形与矩形组合的形状。
可选的，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小梯形组合的形状。
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一侧垫圈结构的宽度范围为15-140μm，优选范围为25-70μm；所述第一基底的一侧垫圈结构的宽度范围为10-100μm，优选范围20-40μm。
对于两个个几何体组合情况，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底一侧垫圈结构的厚度范围为1-20μm，优选范围2-8μm；所述第一基底一侧垫圈结构的厚度范围为1-20μm，优选范围2-8μm。
对于三个几何体组合的情况，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，垫圈每部分厚度范围1-12μm，优选范围2-8μm。
基底
可选的，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述封装结构在第二基底上的中点与所述封装结构在第二基底上的中点的连线构成中心线；所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状关于所述中心线对称。
可选的，所述垫圈结构的所述端面设置有压强增加结构。进一步的，所述压强增加结构为条状凸出结构或者网状凸出结构或者柱状凸出结构。更进一步的，所述凸出结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：连接垫圈结构的端面的一侧的宽度大于远离所述端面的一侧的宽度。
可选的，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状中，直角拐点的个数不少于4个；或者所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状中，钝角拐点的个数不少于2个。
可选的，垫圈由单晶硅、石英、砷化镓或、蓝宝石制成；粘附层由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金、聚二甲基硅氧烷或聚氨酯制成，或其合金或组合制成。
本发明的实施例也提出了一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，其中：所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状中，直角拐点的个数不少于4个；或者所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状中，钝角拐点的个数不少于2个。
根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种半导体器件，包括：上述的封装结构；第一基底；第二基底，与第一基底相对布置，其中：所述封装结构设置在所述第一基底与所述第二基底之间，第一基底、第二基底与封装结构围合成容纳空间。可选的，所述半导体器件为体声波滤波器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括根据上述的半导体器件。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1A-图1D为现有技术中封装结构的示意图；
图2为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图；
图3为根据本发明的另一个示例性实施例的封装结构的示意图；
图4为根据本发明的还一个示例性实施例的封装结构的示意图；
图5为根据本发明的再一个示例性实施例的封装结构的示意图；
图6为根据本发明的又一个示例性实施例的封装结构的示意图；
图7为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图；
图8为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图；
图9为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图；
图10为根据本发明的一个示例性实施例的垫圈结构端面上设置的压强增加结构的示意图；
图11为根据本发明的一个示例性实施例的垫圈结构端面上设置的压强增加结构的示意图；
图12为根据本发明的一个示例性实施例的垫圈结构端面上设置的压强增加结构的示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
下面参照附图2-9描述根据本发明的实施例的半导体器件用封装结构。
本发明通过对垫圈结构的几何结构进行改进，实现对垫圈和封装基板交界处结构的加固，同时降低拐点结构处对剪切应变的敏感性并对应力进行分散。发明人发现，可以通过相对于现有技术增加直角拐点的数量来分担剪切应变或者通过相对于现有技术减少直角拐点来提高垫圈结构的抗剪切应变能力。
基于此，本发明的实施例提出了一种半导体器件用封装结构。如图2-9所示，所述半导体器件包括对置的第一基底F100(F200、F300、F400、F500、F600、F700、F800)与第二基底C100(C200、C300、C400、C500、C600、C700、C800)，所述封装结构包括：垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和粘附层AL100(AL200、AL300、AL400、AL500、AL600、AL700、AL800)，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，其中：所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：所述截面的宽度在垫圈结构的凸出方向上变小。
需要指出的是，虽然在附图中，第一基底为功能基板，第二基底为封装基板，但是，垫圈结构也可以设置在功能基板上，同样可以提高垫圈结构的抗剪切应变能力，这也在本发明的保护范围之内。
图2为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图。图2中示出了封装基底C100，功能基底F100，位于功能基底F100之上的键合层AL100，以及由封装基底C100下表面向下凸起的垫圈结构。
如图2所示，本实施例中的垫圈结构的截面(垂直于垫圈延伸方向截得)由上至下包含矩形突起G100(图2中矩形ABCD)和矩形突起G110(图2中矩形A’B’C’D’)，其中矩形G100的长度D100(对应于截面宽度)的范围为25-60μm，宽度H100(对应于截面高度)范围为2-8μm；矩形G110的长度D110的范围为20-40μm，宽度H110范围为2-8μm，具体实施中确保D100大于D110。
在进一步的实施例中，矩形G100和矩形G110均关于直线MM’对称，MM’连接AD的中点以及B’C’的中点，可以将其作为垫圈结构的中心线。
在突起G110的末端区域GD100内可具有细节结构，参见附图10-12。
在图2所示的封装结构的实施例中，一方面加宽了垫圈结构与封装基底下表面交界处的结构，从而提高了该处的抗剪切应变性能；另一方面结构间直角拐点的个数由传统结构中的2个增加到4个，从而有助于分散剪切应变造成的负面影响。
同时，由于在图2中垫圈结构的右侧附近的功能基底F100上表面具有滤波器核心结构，因此图2中垫圈结构的上大下小的断面构造还有助于在封装使避让以上涉及的滤波器结构，该项优点在后续实施例中均得到继承，不再复述。
以上实施例的示意图图2中的虚线AD和A’D’仅作为具体描述几何区域划分的辅助线，而并不存在于真实剖面结构中；此外，如‘矩形ABCD’等具体描述几何区域的方式作为示意性说明仅出现在本实施例A100中。后续各实施例中的几何区域划分与本实施例类似，不再采用以上具体说明。
图3为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图。图3中示出了封装基底C200，功能基底F200，位于功能基底F200之上的键合层AL200，以及由封装基底C200下表面向下凸起的垫圈结构。
如图3所示，本实施例中的垫圈结构的截面由上至下包含矩形突起G200，矩形突起G210和矩形突起G220，其中矩形G200的长度D200的范围为30-60μm，高度H200范围为2-5μm；矩形G210的长度D210的范围为25-50μm，高度H210范围为2-5μm；矩形G220的长度D220的范围为20-40μm，高度H220范围为2-5μm；具体实施中确保D200大于D210，且D210大于D220。
可选的，矩形G200、矩形G210和矩形G220均关于直线MM’对称。
在突起G220的末端区域GD200内可具有细节结构，参见附图10-12。
本实施例进一步对关键部分的结构进行了加固并以6个直角拐点分散了应力影响，从而进一步提高了结构的可靠性。
图4为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图。图4中示出了封装基底C300，功能基底F300，位于功能基底F300之上的键合层AL300，以及由封装基底C300下表面向下凸起的垫圈结构。
如图4所示，本实施例中的垫圈结构的截面由上至下包含倒梯形突起G300，矩形突起G310和矩形突起G320。其中梯形G300的上底长度D300的范围为30-60μm，下底长度D310的范围为25-50μm，高度H300范围为2-5μm；矩形G310的长度与梯形下底长度D310相同，而其宽度H310范围为2-5μm；矩形G320的长度D320的范围为20-40μm，宽度H320范围为2-5μm；具体实施中确保D300大于D310，且D310大于D320。
可选的，梯形G300、矩形G310和矩形G320均关于直线MM’对称。
在突起G320的末端区域GD300内可具有细节结构，参见附图10-12。
本实施例中采用1个梯形结构代替了1个矩形结构，其优点在于可以形成4个钝角拐点结构代替了A200中的6个直角拐点结构中的4个，这样可进一步降低拐点处对剪切应变的敏感性，从而使结构稳定性进一步提高。
图5为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图。图5中示出了封装基底C400，功能基底F400，位于功能基底F400之上的键合层AL400，以及由封装基底C400下表面向下凸起的垫圈结构。
如图5所示，本实施例中的垫圈结构的截面由上至下包含倒梯形突起G400和矩形突起G410，其中梯形G400的上底长度D400的范围为25-60μm，下底长度D410的范围为20-40μm，高度H400范围为2-8μm；矩形G410的长度与梯形下底长度D410相同，而其宽度H410范围为2-8μm；具体实施中确保D400大于D410。
在可选的实施例中，梯形G400和矩形G410均关于直线MM’对称。
在突起G410的末端区域GD400内可具有细节结构，参见附图10-12。
本实施例中采用了1个梯形和1个矩形结构的组合，在进一步降低拐点处对剪切应变的敏感性的同时，可以牺牲一小部分稳定性为代价使加工工艺得到简化。
图6为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图。图6中示出了封装基底C500，功能基底F500，位于功能基底F500之上的键合层AL500，以及由封装基底C500下表面向下凸起的垫圈结构。
如图6所示，本实施例中的垫圈结构的截面仅包含1个倒梯形突起G500。其中梯形G500的上底长度D500的范围为25-60μm，下底长度D510的范围为20-40μm，高度H500范围为4-16μm；具体实施中确保D500大于D510。
在可选的实施例中，梯形G500关于直线MM’对称。
在突起G500的末端区域GD500内可具有细节结构，参见附图10-12。
本实施例中采用了1个梯形结构替换掉图2的实施例中的两个矩形结构，在同样加宽垫圈与封装基底交界处结构的基础上，引入2个钝角拐点结构。
同时，图6中的实施例中，在进一步降低拐点处对剪切应变的敏感性的同时，可以牺牲一小部分稳定性为代价使加工工艺得到大幅简化。
图7为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图。图7中示出了封装基底C600，功能基底F600，位于功能基底F600之上的键合层AL600，以及由封装基底C600下表面向下凸起的垫圈结构。
如图7所示，本实施例中的垫圈结构的截面由上至下包含1个倒梯形突起G600和1个矩形突起G610，其中梯形G600的上底长度D600的范围为30-60μm，下底长度D610的范围为25-50μm，高度H600范围为2-8μm；矩形G610长度D620范围25-40μm，宽度H610范围为2-8μm；具体实施中确保D600大于D610，D610大于D620。
在可选的实施例中，梯形G600和矩形G610关于直线MM’对称。
在突起G610的末端区域GD600内可具有细节结构，参见附图10-12。
本实施例中采用了1个梯形结构和1个矩形结构，比图6中的实施例多2个直角拐点结构。
图8为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图。图8中示出了封装基底C700，功能基底F700，位于功能基底F700之上的键合层AL700，以及由封装基底C700下表面向下凸起的垫圈结构。
如图8所示，本实施例中的垫圈结构的截面由上至下包含倒梯形突起G700、倒梯形突起G710和1个矩形突起G720，其中梯形G700的上底长度D700的范围为35-70μm，下底长度D710的范围为30-60μm，高度H700范围为2-5μm；梯形G710上底长度D720范围25-50μm，下底长度D730的范围为20-40μm，宽度H710范围为1-3μm；矩形G720长度与D730相同，宽度H720范围为1-5μm；具体实施中确保D700大于D710，D710大于D720；D720大于D730。
在可选的实施例中，梯形G700、G710和矩形G720关于直线MM’对称。
在突起G720的末端区域GD700内可具有细节结构，参见附图10-12。
本实施例中采用了2个梯形结构和1个矩形结构，共构成6个钝角拐点结构，可大幅度提高结构的抗剪切应变性能。
图9为根据本发明的一个示例性实施例的封装结构的示意图。图9中示出了封装基底C800，功能基底F800，位于功能基底F800之上的键合层AL800，以及由封装基底C800下表面向下凸起的垫圈结构。
如图9所示，本实施例中的垫圈结构的截面由上至下包含倒梯形突起G800和倒梯形突起G810。其中梯形G800的上底长度D800的范围为35-70μm，下底长度D810的范围为30-60μm，高度H800范围为2-8μm；梯形G810上底长度D720范围25-50μm，下底长度D730的范围为20-40μm，高度H7610范围为2-8μm；具体实施中确保D800大于D810，D810大于D820；D820大于D830。
在可选的实施例中，梯形G800和梯形G810关于直线MM’对称。
需要特别注意的，上述实施例中，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，均关于中心线左右对称，但本发明的实施例也不限于左右对称结构，在所述截面中，垫圈结构也可以是非对称的状态。
在突起G810的末端区域GD800内可具有细节结构，参见附图10-12。
本实施例中采用了2个梯形结构，共构成4个钝角拐点结构，相比于图8中的实施例不会损失太多的稳定性，工艺可以得到一定简化。
在本发明中，功能基底和封装基底以及垫圈的材料选用但不限于：单晶硅(首选)，蓝宝石，砷化镓，石英等。
在本发明中，作为粘附层的键合层材料选用但不限于：
金(首选)、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金、聚二甲基硅氧烷或聚氨酯，或其合金或组合。
下面参照附图10-12描述垫圈结构的末端或者端面上设置的呈周期分布的压强增强结构的实施例。
如图10所示，在该实施例中，压强增强结构的截面由倒等腰梯形P100构成；梯形上底DP110长度范围为2-5μm，下底DP100的长度范围为1-3.5μm，梯形高度HP100范围1-3μm；相邻两个梯形的上底之间的间距距离1-3.5μm。
如图11所示，在该实施例中，压强增强结构的截面由上至下由矩形P200和倒等腰梯形P210构成；矩形长度DP210范围为2-5μm，宽度HP210范围0.5-1.5μm；梯形上底长度与DP210相等，下底DP200的长度范围为1-3.5μm；突起整体高度HP200范围1-3μm；相邻两个矩形的长度之间的间距距离1-3.5μm。
如图12所示，在该实施例中，压强增强结构的截面由上至下由倒等腰梯形P300和矩形P310构成；梯形上底长度DP310长度范围2-5μm，下底DP300的长度范围为1-3.5μm，高度HP310范围为0.5-1.5μm；矩形长度等于DP300；突起整体高度HP300范围1-3μm；相邻两个矩形的长度之间的间距距离1-3.5μm。
综合考虑到对内部核心器件的避让以及封装结构的稳定性，可以对垫圈结构尺寸范围作出限定。
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一侧垫圈结构的宽度范围为15-140μm，优选范围为25-70μm；所述第一基底的一侧垫圈结构的宽度范围为10-100μm，优选范围20-40μm。
对于两个个几何体组合情况，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底一侧垫圈结构的厚度范围(即高度范围)为1-20μm，优选范围2-8μm；所述第一基底一侧垫圈结构的厚度范围为1-20μm，优选范围2-8μm。
对于三个几何体组合的情况，所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，垫圈每部分厚度范围1-12μm，优选范围2-8μm。
本发明的封装结构可适用于半导体器件的封装，例如可适用于射频滤波器封装，也可用于其它MEMS元器件封装结构中。虽然没有示出，本发明的实施例也涉及一种半导体器件，包括上述的封装结构；第一基底；第二基底，与第一基底相对布置，其中：所述封装结构设置在所述第一基底与所述第二基底之间，第一基底、第二基底与封装结构围合成容纳空间。可选的，所述半导体器件为体声波滤波器。
虽然没有示出，本发明的实施例还涉及一种电子设备，包括上述的半导体器件。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (23)
1.一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：
垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和
粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，
其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：所述截面的宽度在垫圈结构的凸出方向上变小。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为梯形。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小两个矩形组合的形状。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小三个矩形组合的形状。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为梯形与矩形组合的形状。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小梯形组合的形状。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一侧垫圈结构的宽度范围为15-140μm；所述第一基底的一侧垫圈结构的宽度范围为10-100μm。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一侧垫圈结构的宽度范围为25-70μm。
9.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第一基底的一侧垫圈结构的宽度范围为20-40μm。
10.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为大小两个矩形组合的形状；且
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底的一侧垫圈结构的厚度范围为1-20μm；所述第一基底的一侧垫圈结构的厚度范围为1-20μm。
11.根据权利要求10所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述第二基底和/或所述第一基底一侧的垫圈结构的厚度范围为2-8μm。
12.根据权利要求7所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为三层几何体组合的形状；且
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，每一层几何体的厚度范围为1-12μm。
13.根据权利要求12所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，每一层几何体的厚度范围为2-8μm。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面中，所述封装结构在第二基底上的中点与所述封装结构在第二基底上的中点的连线构成中心线；
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状关于所述中心线对称。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的所述端面设置有压强增加结构。
16.根据权利要求15所述的封装结构，其中：
所述压强增加结构为条状凸出结构或者网状凸出结构或者柱状凸出结构。
17.根据权利要求16所述的封装结构，其中：
所述凸出结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状为：连接垫圈结构的端面的一侧的宽度大于远离所述端面的一侧的宽度。
18.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状中，直角拐点的个数不少于4个；或者
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状中，钝角拐点的个数不少于2个。
19.根据权利要求1所述的封装结构，其中：
垫圈由单晶硅、石英、砷化镓或、蓝宝石制成；
粘附层由金、钨、钼、铂、钌、铱、锗、铜、钛、钛钨、铝、铬、砷掺杂金、聚二甲基硅氧烷或聚氨酯制成，或其合金或组合制成。
20.一种半导体器件用封装结构，所述半导体器件包括对置的第一基底与第二基底，所述封装结构包括：
垫圈结构，所述垫圈结构自第二基底朝向第一基底凸出；和
粘附层，设置在垫圈结构与第一基底相对的端面和/或设置在第一基底上与垫圈结构相对的表面，
其中：
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状中，直角拐点的个数不少于4个；或者
所述垫圈结构的垂直于垫圈延伸方向的截面形状中，钝角拐点的个数不少于2个。
21.一种半导体器件，包括：
根据权利要求1-20中任一项所述的封装结构；
第一基底；
第二基底，与第一基底相对布置，
其中：
所述封装结构设置在所述第一基底与所述第二基底之间，第一基底、第二基底与封装结构围合成容纳空间。
22.根据权利要求21所述的半导体器件，其中：
所述半导体器件为体声波滤波器。
23.一种电子设备，包括根据权利要求21或22所述的半导体器件。
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