JP7359210B2 - 水晶振動子、電子部品及び電子装置 - Google Patents
水晶振動子、電子部品及び電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7359210B2 JP7359210B2 JP2021536650A JP2021536650A JP7359210B2 JP 7359210 B2 JP7359210 B2 JP 7359210B2 JP 2021536650 A JP2021536650 A JP 2021536650A JP 2021536650 A JP2021536650 A JP 2021536650A JP 7359210 B2 JP7359210 B2 JP 7359210B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- conductive adhesive
- crystal
- epoxy compound
- crystal resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 164
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 129
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 129
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 83
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 83
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 56
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 23
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 22
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 22
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 18
- MFIBZDZRPYQXOM-UHFFFAOYSA-N [dimethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silyl]oxy-dimethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound C1OC1COCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCOCC1CO1 MFIBZDZRPYQXOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims description 7
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 35
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 32
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 32
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- -1 glycidyl siloxane Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
- H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
図1~図3を参照しつつ、本発明の第1実施形態に係る水晶振動子1の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係る水晶振動子の構成を概略的に示す分解斜視図である。図2は、第1実施形態に係る水晶振動子の構成を概略的に示す断面図である。図3は、導電性接着剤に添加されたエポキシ化合物の構造式を示す図である。なお、図2に示した断面図は、図1に示したII-II線に沿った水晶振動子1の断面を示している。
水晶振動素子10は、圧電効果により水晶を振動させ、電気エネルギと機械エネルギとを変換する素子である。水晶振動素子10は、薄片状の水晶片11と、一対の励振電極を構成する第1励振電極14a及び第2励振電極14bと、一対の引出電極を構成する第1引出電極15a及び第2引出電極15bと、一対の接続電極を構成する第1接続電極16a及び第2接続電極16bとを備えている。
ベース部材30は、水晶振動素子10を励振可能に保持するものである。ベース部材30は、互いに対向する上面31A及び下面31Bを有する基体31を備えている。上面31Aは、水晶振動素子10及び蓋部材40の側に位置し、水晶振動素子10が搭載される搭載面に相当する。下面31Bは、例えば、図示しない外部の回路基板に接合される実装面に相当する。基体31は、例えば絶縁性セラミック(アルミナ)などの焼結材である。熱応力の発生を抑制する観点から、基体31は耐熱性材料から構成されることが好ましい。熱履歴によって水晶振動素子10にかかる応力を抑制する観点から、基体31は、水晶片11に近い熱膨張率を有する材料によって設けられてもよく、例えば水晶によって設けられてもよい。
蓋部材40は、ベース部材30に接合され、ベース部材30との間に水晶振動素子10が収容される内部空間49を形成する。蓋部材40の材質は特に限定されるものではないが、例えば金属などの導電材料で構成されている。蓋部材40が導電体材料で構成されることによって、内部空間49への電磁波の出入りを低減する電磁シールド機能が蓋部材40に付与される。
接合部材50は、ベース部材30及び蓋部材40の各全周に亘って設けられ、矩形の枠状をなしている。ベース部材30の上面31Aを平面視したとき、第1電極パッド33a及び第2電極パッド33bは、接合部材50の内側に配置されており、接合部材50は水晶振動素子10を囲むように設けられている。接合部材50は、蓋部材40の側壁部42の先端と、ベース部材30の基体31の上面31Aとを接合し、内部空間49を封止している。接合部材50は、ガスバリア性の高いことが望ましく、透湿性の低いことがさらに望ましい。このような接合部材50は、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする接着剤の硬化物である。接合部材50を構成する樹脂系接着剤は、例えば、ビニル化合物、アクリル化合物、ウレタン化合物、シリコーン化合物などを含んでもよい。
図4~図7を参照しつつ、金属電極と導電性接着剤の硬化物との間での電気伝導性への湿気の影響について調べた耐湿性試験を説明する。図4は、耐湿性試験の評価用基板の構造を概略的に示す平面図である。図5は、耐湿性試験の評価用基板の構造を概略的に示す断面図である。図6は、実施例の評価結果を概略的に示すグラフである。図7は、比較例の評価結果を概略的に示すグラフである。図6及び図7のグラフにおいて、横軸は測定した抵抗値の位置を示し、縦軸は抵抗値(Ω)を示している。
測定電極E11と測定電極E21との間の抵抗値、測定電極E11と測定電極E22との間の抵抗値、測定電極E12と測定電極E22との間の抵抗値、及び、測定電極E12と測定電極E21との間の抵抗値を測定し、足し合わせた計算結果をAとした。
測定電極E11と測定電極E12との間の抵抗値、及び、測定電極E21と測定電極E22との間の抵抗値を測定し、足し合わせて2倍した計算結果をBとした。
AからBを差し引き、4で割ることで抵抗値1-2を算出した。
抵抗値1-3、抵抗値1-4、及び抵抗値1-5も同様に算出した。
500時間放置した後の状態であっても、抵抗値1-2、抵抗値1-3、抵抗値1-4、及び抵抗値1-5はいずれも1Ω以下であり、初期状態からの抵抗値の悪化はほとんど観察されなかった。
530時間放置したあとでは、抵抗値1-3、抵抗値1-4、及び抵抗値1-5が1Ωを超えており、初期状態からの悪化がみられた。特に、抵抗値1-4は、530時間放置した後の状態では、4Ωを超えていた。530時間放置した後の状態において、抵抗値1-3及び抵抗値1-5が抵抗値1-4よりも大きいことから、抵抗値の上昇の主要因は、導電性接着剤の硬化物自体の抵抗値の上昇ではなく、導電性接着剤の硬化物と電極対の中央部との接触抵抗の上昇であると考えられる。
これによれば、水晶振動素子の周波数温度特性の改善を図りつつ、高湿環境下におけるベース部材と水晶振動素子との間の抵抗値の悪化が抑制できる。具体的には、導電性保持部材と接続電極との接触抵抗、及び導電性保持部材と電極パッドとの接触抵抗の上昇が抑制できる。
導電性接着剤にエポキシ基を2つ以上有するエポキシ化合物が含有されるならば、樹脂系接着剤との密着性の低い金が電極パッドの最表面に含まれたとしても、高湿環境下での導電性接着剤と電極パッドとの接触抵抗の上昇が抑制できる。このため、導電性接着剤との密着性を向上させるための電極パッドへの表面処理(例えば、Agスパッタ)が不要であり、当該表面処理に起因する電極パッドの耐食性の低下が生じない。したがって、耐食性が高く且つ耐湿性の高い水晶振動子が提供できる。
導電性接着剤にエポキシ基を2つ以上有するエポキシ化合物が含有されるならば、樹脂系接着剤との密着性の低い金が接続電極の最表面に含まれたとしても、高湿環境下での導電性接着剤と接続電極との接触抵抗の上昇が抑制できる。このため、導電性接着剤との密着性を向上させるための接続電極への表面処理(例えば、Agスパッタ)が不要であり、当該表面処理に起因する接続電極の耐食性の低下が生じない。したがって、耐食性が高く且つ耐湿性の高い水晶振動子が提供できる。
ベース部材と蓋部材との接合が樹脂系接着剤による接着の場合、金属接合に比べて、水晶振動子の製造コストが低減できるが、透湿性が上昇する。このような場合でも、高湿環境下におけるベース部材と水晶振動素子との間の抵抗値の悪化が抑制できる。したがって、製造コストを抑制しつつ耐湿性の高い水晶振動子が提供できる。
これによれば、水晶振動子1の周波数温度依存性の悪化を抑制しつつ、導電性保持部材36a,36bの高湿環境下での抵抗値の上昇を抑制できる。
図8を参照しつつ、第2実施形態に係る電子装置100の構成について説明する。図8は、第2実施形態に係る電子装置の構成を概略的に示す断面図である。
これによれば、水晶振動素子の周波数温度特性の改善を図りつつ、高湿環境下におけるベース部材と水晶振動素子との間の抵抗値の悪化が抑制できる。具体的には、導電性保持部材と接続電極との接触抵抗、及び導電性保持部材と電極パッドとの接触抵抗の上昇が抑制できる。すなわち、耐湿性の高い水晶振動子が提供できる。
導電性接着剤に含有されるエポキシ化合物のエポキシ基がグリシジル基の一部であれば、特に耐湿性の高い水晶振動子が提供できる。
導電性接着剤にエポキシ基を2つ以上有するエポキシ化合物が含有されるならば、樹脂系接着剤との密着性の低い金が電極パッドの最表面に含まれたとしても、高湿環境下での導電性接着剤と電極パッドとの接触抵抗の上昇が抑制できる。このため、導電性接着剤との密着性を向上させるための電極パッドへの表面処理(例えば、Agスパッタ)が不要であり、当該表面処理に起因する電極パッドの耐食性の低下が生じない。したがって、耐食性が高く且つ耐湿性の高い水晶振動子が提供できる。
導電性接着剤にエポキシ基を2つ以上有するエポキシ化合物が含有されるならば、樹脂系接着剤との密着性の低い金が接続電極の最表面に含まれたとしても、高湿環境下での導電性接着剤と接続電極との接触抵抗の上昇が抑制できる。このため、導電性接着剤との密着性を向上させるための接続電極への表面処理(例えば、Agスパッタ)が不要であり、当該表面処理に起因する接続電極の耐食性の低下が生じない。したがって、耐食性が高く且つ耐湿性の高い水晶振動子が提供できる。
ベース部材と蓋部材との接合が樹脂系接着剤による接着の場合、金属接合に比べて、水晶振動子の製造コストが低減できるが、透湿性が上昇する。このような場合でも、高湿環境下におけるベース部材と水晶振動素子との間の抵抗値の悪化が抑制できる。したがって、製造コストを抑制しつつ耐湿性の高い水晶振動子が提供できる。
これによれば、水晶振動子の周波数温度依存性の悪化を抑制しつつ、導電性保持部材の高湿環境下での抵抗値の上昇を抑制できる。
これによれば、高湿環境下における電子部品と基板との間の抵抗値の悪化が抑制できる。すなわち、耐湿性の高い電子装置が提供できる。
これによれば、高湿環境下における第1被着部と第2被着部との間の抵抗値の悪化が抑制できる。すなわち、耐湿性の高い電子装置が提供できる。
電子素子のように、搬送中の衝撃や作動中の変位などによって、被着部と導電性接着部との界面に負荷が掛かる構成の電子部品であっても、本発明の実施形態によれば、高湿環境下での接触抵抗の上昇が抑制できる。
10…水晶振動素子、
11…水晶片、
14a,14b…励振電極、
15a,15b…引出電極、
16a,16b…接続電極、
30…ベース部材、
31…基体、
33a、33b…電極パッド、
34a、34b…貫通電極、
35a~35d…外部電極、
36a、36b…導電性保持部材、
40…蓋部材、
50…接合部材、
Claims (8)
- 励振電極と前記励振電極に電気的に接続された接続電極とを有する水晶振動素子と、
電極パッドを有するベース部材と、
前記接続電極と前記電極パッドとを接続する導電性保持部材と、
前記水晶振動素子を収容する内部空間を前記ベース部材との間に形成する蓋部材と
を備え、
前記導電性保持部材は、シリコーン樹脂を主成分とする導電性接着剤の硬化物であり、
前記導電性接着剤にはエポキシ基を2つ以上有するエポキシ化合物が含有され、
前記エポキシ化合物は、有機ケイ素化合物である、
水晶振動子。 - 前記エポキシ基は、グリシジル基の一部である、
請求項1に記載の水晶振動子。 - 前記電極パッドの最表面は、金を含有する、
請求項1又は2に記載の水晶振動子。 - 前記接続電極の最表面は、金を含有する、
請求項1から3のいずれか1項に記載の水晶振動子。 - 前記ベース部材と前記蓋部材とを接合して前記内部空間を封止する接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、樹脂系接着剤の硬化物である、
請求項1から4のいずれか1項に記載の水晶振動子。 - 前記エポキシ化合物は、シロキサン結合を有する、
請求項1から5のいずれか1項に記載の水晶振動子。 - 前記エポキシ化合物は、1,3-ビス(3-グリシドキシプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン又はこれを構成単位として有する、
請求項1から6のいずれか1項に記載の水晶振動子。 - 前記導電性接着剤における前記エポキシ化合物の含有率は、0.5重量%以上10.0重量%以下である、
請求項1から7のいずれか1項に記載の水晶振動子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019138921 | 2019-07-29 | ||
JP2019138921 | 2019-07-29 | ||
PCT/JP2020/023184 WO2021019932A1 (ja) | 2019-07-29 | 2020-06-12 | 水晶振動子、電子部品及び電子装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021019932A1 JPWO2021019932A1 (ja) | 2021-02-04 |
JPWO2021019932A5 JPWO2021019932A5 (ja) | 2022-04-01 |
JP7359210B2 true JP7359210B2 (ja) | 2023-10-11 |
Family
ID=74228563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021536650A Active JP7359210B2 (ja) | 2019-07-29 | 2020-06-12 | 水晶振動子、電子部品及び電子装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220140815A1 (ja) |
JP (1) | JP7359210B2 (ja) |
CN (1) | CN114208034A (ja) |
WO (1) | WO2021019932A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002324432A (ja) | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電材テープ |
WO2009022574A1 (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | 接着剤及び接合体 |
JP4300984B2 (ja) | 2003-11-10 | 2009-07-22 | マックス株式会社 | 綴じ処理装置 |
JP2014101480A (ja) | 2012-11-22 | 2014-06-05 | Dow Corning Toray Co Ltd | 潤滑被膜用塗料組成物 |
JP2015170939A (ja) | 2014-03-06 | 2015-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスの製造方法 |
WO2018212184A1 (ja) | 2017-05-17 | 2018-11-22 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子の製造方法 |
WO2019097852A1 (ja) | 2017-11-14 | 2019-05-23 | 株式会社高木化学研究所 | 分離安定性に優れたフィラー充填高熱伝導性分散液組成物、前記分散液組成物の製造方法、前記分散液組成物を用いたフィラー充填高熱伝導性材料、前記材料の製造方法、及び前記材料を用いて得られる成形品 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3791053B2 (ja) * | 1996-06-10 | 2006-06-28 | 株式会社デンソー | 導電性接着剤及び電子部品搭載装置 |
JP4030174B2 (ja) * | 1998-02-23 | 2008-01-09 | 三菱電機株式会社 | 導電性接着剤およびそれを用いてなる半導体装置 |
-
2020
- 2020-06-12 WO PCT/JP2020/023184 patent/WO2021019932A1/ja active Application Filing
- 2020-06-12 CN CN202080052583.6A patent/CN114208034A/zh active Pending
- 2020-06-12 JP JP2021536650A patent/JP7359210B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-19 US US17/578,829 patent/US20220140815A1/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002324432A (ja) | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電材テープ |
JP4300984B2 (ja) | 2003-11-10 | 2009-07-22 | マックス株式会社 | 綴じ処理装置 |
WO2009022574A1 (ja) | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | 接着剤及び接合体 |
JP2014101480A (ja) | 2012-11-22 | 2014-06-05 | Dow Corning Toray Co Ltd | 潤滑被膜用塗料組成物 |
JP2015170939A (ja) | 2014-03-06 | 2015-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスの製造方法 |
WO2018212184A1 (ja) | 2017-05-17 | 2018-11-22 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動子の製造方法 |
WO2019097852A1 (ja) | 2017-11-14 | 2019-05-23 | 株式会社高木化学研究所 | 分離安定性に優れたフィラー充填高熱伝導性分散液組成物、前記分散液組成物の製造方法、前記分散液組成物を用いたフィラー充填高熱伝導性材料、前記材料の製造方法、及び前記材料を用いて得られる成形品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114208034A (zh) | 2022-03-18 |
WO2021019932A1 (ja) | 2021-02-04 |
US20220140815A1 (en) | 2022-05-05 |
JPWO2021019932A1 (ja) | 2021-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10756698B2 (en) | Elastic wave device | |
JP6472945B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
US20150381184A1 (en) | Composite electronic component, oscillator, electronic apparatus, and mobile object | |
KR20110088503A (ko) | 굴곡 진동편, 굴곡 진동자, 및 압전 디바이스 | |
JP2004129224A (ja) | 圧電部品およびその製造方法 | |
CN113765494B (zh) | 振子以及振荡器 | |
JP6488667B2 (ja) | 表面弾性波デバイス | |
JP7359210B2 (ja) | 水晶振動子、電子部品及び電子装置 | |
US8525606B2 (en) | Vibrator element, vibrator, oscillator, and electronic device | |
US20220278268A1 (en) | Piezoelectric vibration element, piezoelectric resonator unit, and electronic device | |
JP5818903B2 (ja) | 表面弾性波共振器の低加速度感度取付け | |
US20220123705A1 (en) | Piezoelectric resonator unit and oscillator provided with the same | |
JP2010103805A (ja) | 屈曲振動片、屈曲振動子、および圧電デバイス | |
WO2021215040A1 (ja) | 圧電振動子 | |
JP7465458B2 (ja) | 圧電振動子 | |
JP7497754B2 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
JP7416248B2 (ja) | 圧電振動子 | |
WO2021220542A1 (ja) | 圧電振動子 | |
WO2021059576A1 (ja) | 圧電振動子 | |
WO2021220544A1 (ja) | 圧電振動子及びそれを備える圧電発振器 | |
JP7369363B2 (ja) | 水晶振動素子、水晶振動子及び水晶発振器 | |
JP7389410B2 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
JP2011155339A (ja) | 圧電デバイス、電子機器及び圧電デバイスの製造方法 | |
US20240195359A1 (en) | Piezoelectric oscillator | |
JP2004328553A (ja) | 電子部品用パッケージおよび当該パッケージを用いた圧電振動デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230911 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7359210 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |