CN114208034A - 水晶振子、电子部件和电子装置 - Google Patents
水晶振子、电子部件和电子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114208034A CN114208034A CN202080052583.6A CN202080052583A CN114208034A CN 114208034 A CN114208034 A CN 114208034A CN 202080052583 A CN202080052583 A CN 202080052583A CN 114208034 A CN114208034 A CN 114208034A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- conductive adhesive
- electrode
- epoxy compound
- conductive
- crystal resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 141
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 141
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract description 85
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 85
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 57
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 55
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 27
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 21
- MFIBZDZRPYQXOM-UHFFFAOYSA-N [dimethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silyl]oxy-dimethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound C1OC1COCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCOCC1CO1 MFIBZDZRPYQXOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 14
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims description 7
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 37
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 37
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- -1 glycidyl siloxane Chemical class 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 2
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCCCOCC1CO1 SHKUUQIDMUMQQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUAUJXBLDYVELT-UHFFFAOYSA-N 2-[[2,2-dimethyl-3-(oxiran-2-ylmethoxy)propoxy]methyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCC(C)(C)COCC1CO1 KUAUJXBLDYVELT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910002115 bismuth titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N dilithium;[oxido(oxoboranyloxy)boranyl]oxy-oxoboranyloxyborinate Chemical compound [Li+].[Li+].O=BOB([O-])OB([O-])OB=O PSHMSSXLYVAENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
- H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
水晶振子(1)具备:具有激励电极(14a、14b)和与激励电极(14a、14b)电连接的连接电极(16a、16b)的水晶振动元件(10),具有电极垫(33a、33b)的基础构件(30),将连接电极(16a、16b)与电极垫(33a、33b)连接的导电性保持构件(36a、36b),在与基础构件(30)之间形成容纳水晶振动元件(10)的内部空间(26)的盖构件(20);导电性保持构件(36a、36b)为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
Description
技术领域
本发明涉及水晶振子、电子部件和电子装置。
背景技术
压电振子在移动通信终端、通信基站和家用电器等各种电子设备中被用于计时装置、传感器、振荡器等用途。例如,压电振子由具有利用压电效应将电振动转换为机械振动的机械振动部的压电振动元件、容纳该压电振动元件的保持器以及将压电振动元件与保持器连接的导电性保持构件构成。导电性保持构件例如为以环氧树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物。
在专利文献1中公开了包含环氧树脂、固化剂和导电材料而成的导电性粘接剂,该环氧树脂包含5~60重量%缩水甘油基硅氧烷。
在专利文献2中公开了一种导电性粘接剂,其特征在于,包含20~70重量%为缩水甘油基型反应性稀释材料的环氧树脂、50重量%以上为烷基甲阶型酚醛树脂和/或烷基酚醛清漆型酚醛树脂的酚醛树脂固化剂以及导电粒子。
在专利文献3中公开了一种水晶振子,其特征在于,利用导电性粘接剂将设置于水晶片的金属电极与外围器的引出导体的一端进行粘接固定,该导电性粘接剂以在分子侧链或分子末端具有2个以上羧基的有机树脂、在同一分子中具有脂环式环氧基和缩水甘油基的环氧化合物和导电性粉末作为必需成分。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭59-172571号公报
专利文献2:日本特开平9-157613号公报
专利文献3:日本特开平2-180975号公报
发明内容
近年来,作为将水晶振动元件与保持器连接的导电性保持构件,进行了通过使用以有机硅树脂为主成分的有机硅系导电性粘接剂的固化物来实现频率温度特性的改善的研究。然而,使用树脂系粘接剂的固化物作为将构成保持器的基础构件与盖构件连接的接合构件的情况下,如果使用有机硅系导电性粘接剂的固化物作为导电性保持构件,则产生在高湿环境下电阻值变差的问题。
本发明是鉴于这样的情况而作出的,其目的在于提供可靠性得到改善的水晶振子、电子部件和电子装置。
本发明的一个方式的水晶振子具备:具有激励电极和与激励电极电连接的连接电极的水晶振动元件,具有电极垫的基础构件,将连接电极与电极垫连接的导电性保持构件,以及在与基础构件之间形成容纳水晶振动元件的内部空间的盖构件;导电性保持构件为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
本发明的一个方式的电子装置具备:电子部件,具有金属层的基板,以及将电子部件与基板的金属层连接的导电性粘接部;导电性粘接部为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
本发明的一个方式的电子部件具备:具有导电性的第一被粘部,具有导电性的第二被粘部,以及将第一被粘部与第二被粘部连接的导电性粘接部;导电性粘接部为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
根据本发明,能够提供可靠性得到改善的水晶振子、电子部件和电子装置。
附图说明
图1是概略地表示第一实施方式的水晶振子的构成的分解立体图。
图2是概略地表示第一实施方式的水晶振子的构成的截面图。
图3是表示导电性粘接剂中添加的环氧化合物的结构式的图。
图4是概略地表示耐湿性试验的评价用基板的结构的俯视图。
图5是概略地表示耐湿性试验的评价用基板的结构的截面图。
图6是概略地表示实施例的评价结果的图。
图7是概略地表示比较例的评价结果的图。
图8是概略地表示第二实施方式的电子装置的构成的截面图。
图9是表示环氧化合物的含有率为0重量%时的耐湿性的评价结果的图。
图10是表示环氧化合物的含有率为0.1重量%时的耐湿性的评价结果的图。
图11是表示环氧化合物的含有率为0.5重量%时的耐湿性的评价结果的图。
图12是表示环氧化合物的含有率为1重量%时的耐湿性的评价结果的图。
图13是表示环氧化合物的含有率为5重量%时的耐湿性的评价结果的图。
图14是表示环氧化合物的含有率为10重量%时的耐湿性的评价结果的图。
图15是表示第一变形例中添加的环氧化合物的结构式的图。
图16是表示第一变形例中的耐湿性的评价结果的图。
图17是表示第二变形例中添加的环氧化合物的结构式的图。
图18是表示第二变形例中的耐湿性的评价结果的图。
图19是表示第三变形例中添加的环氧化合物的结构式的图。
图20是表示第三变形例中的耐湿性的评价结果的图。
图21是表示第四变形例中添加的环氧化合物的结构式的图。
图22是表示第四变形例中的耐湿性的评价结果的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。各实施方式的附图是例示,各部的尺寸、形状是示意性的,不应理解为将本申请发明的技术范围限定于该实施方式。
<第一实施方式>
参照图1~图3对本发明的第一实施方式的水晶振子1的构成进行说明。图1是概略地表示第一实施方式的水晶振子的构成的分解立体图。图2是概略地表示第一实施方式的水晶振子的构成的截面图。图3是表示导电性粘接剂中添加的环氧化合物的结构式的图。应予说明,图2中示出的截面图表示沿图1中示出的II-II线的水晶振子1的截面。
各个附图中,为了清楚各个附图相互的关系,帮助理解各构件的位置关系,并且为了方便,提供由X轴、Y′轴以及Z′轴构成的正交坐标系。X轴、Y′轴和Z′轴在各附图中相互对应。X轴、Y′轴和Z′轴分别与后述的水晶片11的晶轴(Crystallographic Axes)对应。X轴与电轴(极性轴)对应,Y轴与机械轴对应,Z轴与光学轴对应。Y′轴和Z′轴是分别使Y轴和Z轴绕X轴从Y轴沿Z轴的方向旋转35度15分±1分30秒而得的轴。
以下的说明中,将与X轴平行的方向称为“X轴方向”,将与Y′轴平行的方向称为“Y′轴方向”,将与Z′轴平行的方向称为“Z′轴方向”。另外,将X轴、Y′轴和Z′轴的箭头的前端方向称为“+(正)”,将与箭头相反的方向称为“-(负)”。应予说明,为了方便,以+Y′轴方向为上方向,以-Y′轴方向为下方向进行说明,但水晶振子1的上下的朝向没有限定。例如,以下的说明中,以水晶振动元件10的+Y′轴方向一侧为上表面11A,以-Y′轴方向一侧为下表面11B,但水晶振子1可以配置为该上表面11A位于该下表面11B的垂直下侧。
水晶振子1具备水晶振动元件10、基础构件30、盖构件40和接合构件50。水晶振动元件10设置于基础构件30与盖构件40之间。基础构件30和盖构件40构成用于容纳水晶振动元件10的保持器。图1和图2中示出的例子中,基础构件30形成平板状,盖构件40在基础构件30侧具有容纳水晶振动元件10的有底的开口部。而且,水晶振动元件10搭载于基础构件30。应予说明,只要水晶振动元件10中的至少被激励的部分容纳于保持器中,基础构件30和盖构件40的形状就不限于上述。另外,水晶振动元件10的保持方法也不限于上述。例如,基础构件30可以在盖构件40侧具有容纳水晶振动元件10的有底的开口部。另外,基础构件30和盖构件40可以夹持水晶振动元件10中的被激励的部分的周边部。
首先,对水晶振动元件10进行说明。
水晶振动元件10是通过压电效应使水晶振动而将电能与机械能转换的元件。水晶振动元件10具备:薄片状的水晶片11、构成一对激励电极的第一激励电极14a和第二激励电极14b、构成一对引出电极和第一引出电极15a和第二引出电极15b以及构成一对连接电极的第一连接电极16a和第二连接电极16b。
水晶片11具有相互对置的上表面11A和下表面11B。上表面11A位于与面向基础构件30的一侧相反的一侧,即面向后述的盖构件40的顶面部41的一侧。下表面11B位于面向基础构件30的一侧。
水晶片11例如为AT切割型的水晶片。AT切割型的水晶片11形成为在由相互交叉的X轴、Y′轴和Z′轴构成的正交坐标系中,与由X轴和Z′轴确定的面平行的面(以下,称为“XZ′面”。对于由其它轴确定的面也同样)为主面,与Y′轴平行的方向为厚度。例如,AT切割型的水晶片11通过对水晶基板(例如,水晶晶圆)进行蚀刻加工而形成,该水晶基板是对人工水晶(Synthetic Quartz Crystal)的晶体进行切割和研磨加工而得到的。
使用AT切割型的水晶片11的水晶振动元件10在宽的温度范围具有高的频率稳定性。AT切割型的水晶振动元件10中使用厚度切变振动模式(Thickness Shear VibrationMode)作为主要振动。应予说明,AT切割型的水晶片11中的Y′轴和Z′轴的旋转角度可以在从35度15分到-5度以上且15度以下的范围倾斜。水晶片11的切割角度可以应用AT切割以外的不同切割。例如可以应用BT切割、GT切割、SC切割等。另外,水晶振动元件也可以为被称为Z板的使用切割角的水晶片的音叉型水晶振动元件。
AT切割型的水晶片11是具有与X轴方向平行的长边延伸的长边方向、与Z′轴方向平行的短边延伸的短边方向和与Y′轴方向平行的厚度延伸的厚度方向的板状。水晶片11在俯视上表面11A时为矩形形状,具有位于中央且有助于激励的激励部17以及与激励部17邻接的周边部18、19。激励部17和周边部18、19分别遍及沿水晶片11的Z′轴方向的整个宽度呈带状地形成。周边部18位于激励部17的-X轴方向侧,周边部19位于激励部17的+X轴方向侧。
应予说明,俯视上表面11A时的水晶片11的平面形状不限于矩形形状。水晶片11的平面形状也可以为多边形状、圆形状、椭圆形状或者它们的组合。水晶片11的平面形状也可以为具有基部和从基部平行延伸的振动臂部的音叉形状。为了抑制振动泄漏、应力传播,可以在水晶片11形成有狭缝。水晶片11的激励部17和周边部18、19的形状也不限于遍及整个宽度的带状。例如,激励部的平面形状也可以为在Z′轴方向上也与周边部邻接的岛状,周边部的平面形状也可以形成为包围激励部的框状。
水晶片11是激励部17的厚度大于周边部18、19的厚度的所谓的台面型结构。利用台面型结构的水晶片11,能够抑制来自激励部17的振动泄漏。水晶片11为两面台面型结构,在上表面11A和下表面11B的两侧,激励部17从周边部18、19突出。激励部17与周边部18的边界和激励部17与周边部19的边界形成厚度连续地变化的锥形,但也可以形成厚度变化不连续的阶梯形状。该边界也可以是厚度的变化量连续地变化的凸面形状或者厚度的变化量不连续地变化的斜角形状。应予说明,水晶片11也可以是在上表面11A或下表面11B的一侧,激励部17从周边部18、19突出的单面台面型结构。另外,水晶片11也可以是激励部17的厚度小于周边部18、19的厚度的所谓的倒台面型结构。
第一激励电极14a和第二激励电极14b设置于激励部17。第一激励电极14a设置于水晶片11的上表面11A侧,第二激励电极14b设置于水晶片11的下表面11B侧。换言之,第一激励电极14a设置于水晶片11的盖构件40侧的主面,第二激励电极14b设置于水晶片11的基础构件30侧的主面。第一激励电极14a和第二激励电极14b夹着水晶片11相互对置。俯视水晶片11的上表面11A时,第一激励电极14a和第二激励电极14b分别形成矩形形状,配置成彼此的大致整体重叠。第一激励电极14a和第二激励电极14b分别遍及沿水晶片11的Z′轴方向的整个宽度呈带状地形成。
应予说明,俯视水晶片11的上表面11A时的第一激励电极14a和第二激励电极14b的平面形状不限于矩形形状。第一激励电极14a和第二激励电极14b的平面形状也可以为多边形状、圆形状、椭圆形状或它们的组合。
第一引出电极15a和第二引出电极15b设置于周边部18。第一引出电极15a设置于水晶片11的上表面11A侧,第二引出电极15b设置于水晶片11的下表面11B侧。第一引出电极15a将第一激励电极14a与第一连接电极16a电连接。第二引出电极15b将第二激励电极14b与第二连接电极16b电连接。例如,如图1所示,第一引出电极15a的一端在激励部17与第一激励电极14a连接,另一端在周边部18经由设置于将水晶片11的上表面11A与下表面11B连接的侧面的侧面电极与第一连接电极16a连接。另外,第二引出电极15b的一端在激励部17与第二激励电极14b连接,另一端在周边部18经由侧面电极与第二连接电极16b连接。为了减少杂散电容,第一引出电极15a和第二引出电极15b优选在俯视水晶片11的上表面11A时相互分离。例如,从第二引出电极15b观察时,第一引出电极15a设置于+Z′轴方向。
第一连接电极16a和第二连接电极16b分别是用于将第一激励电极14a和第二激励电极14b与基础构件30电连接的电极,在周边部18设置于水晶片11的下表面11B侧。第一连接电极16a设置于由水晶片11的-X轴方向侧的端部和+Z′轴方向侧的端部形成的角部,第二连接电极16b设置于由水晶片11的-X轴方向侧的端部和-Z′轴方向侧的端部形成的角部。
第一激励电极14a、第一引出电极15a和第一连接电极16a一体地形成,第二激励电极14b、第二引出电极15b和第二连接电极16b一体地形成。水晶振动元件10的各种电极(第一激励电极14a和第二激励电极14b、第一引出电极15a和第二引出电极15b、第一连接电极16a和第二连接电极16b)例如依次层叠铬(Cr)和金(Au)而设置。在与水晶片11的密合性方面,铬比金优异,在化学稳定性方面,金比铬优异。因此,在与水晶片11接触的最底面含有铬且在内部空间49暴露的最表面含有金的情况下,能够抑制水晶振动元件10的因各种电极的剥离所致的损伤、因氧化所致的电导率的变动,能够提供可靠性高的水晶振动元件10。水晶振动元件10的各种电极的最表面优选大致仅由金构成。应予说明,第一连接电极16a和第二连接电极16b的各自的最表面相当于具有与第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b分别接触的区域的接触面。在将水晶振动元件10的各种电极的最底面与最表面连接的侧面,含有铬的层和含有金的层露出。
接下来,对基础构件30进行说明。
基础构件30水晶振动元件10,以便能够激励水晶振动元件10。基础构件30具备具有相互对置的上表面31A和下表面31B的基体31。上表面31A位于水晶振动元件10和盖构件40的一侧,相当于搭载水晶振动元件10的搭载面。下表面31B例如相当于与未图示的外部的电路基板接合的安装面。基体31例如为绝缘性陶瓷(氧化铝)等烧结材料。从抑制热应力的产生的观点考虑,基体31优选由耐热性材料构成。从抑制因热经历对水晶振动元件10施加的应力的观点考虑,基体31可以由具有接近水晶片11的热膨胀率的材料进行设置,例如可以由水晶进行设置。
基础构件30具备构成一对电极垫的第一电极垫33a和第二电极垫33b。第一电极垫33a和第二电极垫33b设置于基体31的上表面31A。第一电极垫33a和第二电极垫33b是用于将水晶振动元件10电连接于基础构件30的端子。从抑制因氧化所致的可靠性的降低的观点考虑,第一电极垫33a和第二电极垫33b各自的最表面优选含有金,进一步优选大致仅由金构成。例如,第一电极垫33a和第二电极垫33b可以为具有提高与基体31的密合性的基底层和含有金而抑制氧化的表面层的两层结构。应予说明,第一电极垫33a和第二电极垫33b各自的最表面相当于具有与第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b分别接触的区域的接触面。
基础构件30具备第一外部电极35a、第二外部电极35b、第三外部电极35c和第四外部电极35d。第一外部电极35a~第四外部电极35d设置于基体31的下表面31B。第一外部电极35a和第二外部电极35b是用于将未图示的外部的基板与水晶振子1电连接的端子。第三外部电极35c和第四外部电极35d是不输入输出电信号等的虚拟电极,但也可以为使盖构件40接地而提高盖构件20的电磁屏蔽功能的接地电极。应予说明,第三外部电极35c和第四外部电极35d可以省略。
第一电极垫33a和第二电极垫33b在基础构件30的-X轴方向一侧的端部沿Z′轴方向排列。第一外部电极35a和第二外部电极35b在基础构件30的-X轴方向一侧的端部沿Z′轴方向排列。第三外部电极35c和第四外部电极35d在基础构件30的+X轴方向一侧的端部沿Z′轴方向排列。第一电极垫33a经由沿Y′轴方向贯通基体31的第一贯通电极34a与第一外部电极35a电连接。第二电极垫33b经由沿Y′轴方向贯通基体31的第二贯通电极34b与第二外部电极35b电连接。
第一电极垫33a和第二电极垫33b分别可以经由设置于将基体31的上表面31A与下表面31B连接的侧面的侧面电极与第一外部电极35a和第二外部电极35b电连接。第一外部电极35a~第四外部电极35d可以为呈凹状设置于基体31的侧面的齿形电极。
基础构件30具备构成一对导电性保持构件的第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b。第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b将水晶振动元件10搭载于基础构件30,将水晶振动元件10与基础构件30电连接。第一导电性保持构件36a与第一电极垫33a和第一连接电极16a接合,将第一电极垫33a与第一连接电极16a电连接。第二导电性保持构件36b与第二电极垫33b和第二连接电极16b接合,将第二电极垫33b与第二连接电极16b电连接。第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b从基础构件30空出间隔地保持水晶振动元件10以便能够激励激励部17。
第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b为包含热固性树脂、光固化性树脂等的导电性粘接剂的固化物,第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b的主成分为有机硅树脂。第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b包含导电性粒子,作为该导电性粒子,例如可使用包含银(Ag)的金属粒子。第一导电性保持构件36a将第一电极垫33a与第一连接电极16a粘接,第二导电性保持构件36b将第二电极垫33b与第二连接电极16b粘接。有机硅树脂的弹性模量在宽的温度范围比环氧树脂稳定。通过使第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b的主成分为有机硅树脂,与使环氧树脂为主成分的情况相比,水晶振动元件10的频率温度特性得到改善。
导电性粘接剂中含有具有2个以上缩水甘油基的环氧化合物。本实施方式中,导电性粘接剂中含有的环氧化合物为图3所示的1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。导电性粘接剂中的1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的含有率例如为1重量%。由此,第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b的耐湿性提高。这里所说的耐湿性的提高是指抑制高湿环境下的导电性粘接剂的固化物与被粘物之间的接触电阻的上升。
应予说明,导电性粘接剂中含有的环氧化合物不限于上述,只要为具有2个以上环氧基的环氧化合物即可。其中,为了提高耐湿性,优选具有2个以上缩水甘油基的环氧化合物。另外,导电性粘接剂中的该环氧化合物的含有率不限于1重量%,但为了提高耐湿性,优选为0.1重量%以上。导电性粘接剂中含有的该环氧化合物优选为有机硅化合物,进一步优选为具有硅氧烷键的环氧化合物。例如,该环氧化合物可以为具有1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷作为构成单元的低聚物或聚合物。应予说明,导电性粘接剂的成分重量比例如为导电性粒子60重量%、有机硅树脂组合物20重量%、溶剂20重量%。具有2个以上缩水甘油基的环氧化合物包含在有机硅树脂组合物中,该环氧化合物的含有率为该环氧化合物的重量相对于导电性粘接剂的总重量的比例。即,在导电性粘接剂由导电性粒子、有机硅树脂组合物和溶剂构成的情况下,该环氧化合物的含有率是环氧化合物的重量相对于导电性粒子、有机硅树脂组合物和溶剂各自的重量之和的比例。
导电性粘接剂中除了成为有机硅树脂的原料的硅烷或硅氧烷、导电性粒子、具有2个以上环氧基的环氧化合物以外,还可以含有添加剂。添加剂例如为以提高导电性粘接剂的作业性、保存性等为目的的增稠剂、填充剂、增稠剂、敏化剂、抗老化剂、消泡剂等。另外,为了增加固化物的强度,或者保持基础构件30与水晶振动元件10的间隔,也可以添加填料。
设置第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b的工序例如具有:将调整粘度而制成糊状的导电性粘接剂涂布在第一电极垫33a和第二电极垫33b上的涂布工序,在导电性粘接剂上载置水晶振动元件10而由已在第一连接电极16a和第二连接电极16b的表面润湿扩展的导电性粘接剂支承水晶振动元件10的载置工序,以及使导电性粘接剂固化的固化工序。应予说明,设置第一导电性保持构件36a和第二导电性保持构件36b的工序可以在载置工序之前或之后具有使导电性粘接剂不完全固化的临时固化工序。由此,能够抑制因固化工序之前水晶振动元件10的姿态崩塌所致的水晶振动元件10与基础构件30的接触。
接下来,对盖构件40进行说明。
盖构件40与基础构件30接合,在与基础构件30之间形成容纳水晶振动元件10的内部空间49。盖构件40的材质没有特别限定,例如由金属等导电材料构成。通过盖构件40由导电体材料构成,从而对盖构件40赋予减少电磁波向内部空间49进出的电磁屏蔽功能。
盖构件40具有平板状的顶面部41和与顶面部41的外缘连接且在与顶面部41的主面交叉的方向延伸的侧壁部42。从主面的法线方向俯视时的顶面部41的平面形状例如为矩形形状。顶面部41在中间夹着水晶振动元件10与基础构件30对置,侧壁部42在与XZ′面平行的方向包围水晶振动元件10的周围。侧壁部42的前端比水晶振动元件10更靠基础构件30侧呈框状延伸。
盖构件40可以由陶瓷材料,半导体材料,树脂材料等设置。另外,顶面部41的平面形状可以为多边形状、圆形状、椭圆形状和它们的组合。
接下来,对接合构件50进行说明。
接合构件50遍及基础构件30和盖构件40的各整个圆周而设置,形成矩形的框状。俯视基础构件30的上表面31A时,第一电极垫33a和第二电极垫33b配置于接合构件50的内侧,接合构件50设置成包围水晶振动元件10。接合构件50将盖构件40的侧壁部42的前端与基础构件30的基体31的上表面31A接合而密封内部空间49。接合构件50优选气体阻隔性高,进一步优选透湿性低。这样的接合构件50例如为以环氧树脂为主成分的粘接剂的固化物。构成接合构件50的树脂系粘接剂例如可以包含乙烯基化合物、丙烯酸化合物、氨基甲酸酯化合物、有机硅化合物等。
应予说明,接合构件50不限于在圆周方向连续的框状,也可以在圆周方向不连续地设置。接合构件50可以由包含水玻璃等的硅系粘接剂的固化物、包含水泥等的钙系粘接剂的固化物、Au-Sn合金系的金属焊料等设置。在由金属焊料设置接合构件50的情况下,为了提高基础构件30与接合构件50的密合性,可以在基础构件30设置金属化层。接合构件50可以具备树脂系粘接剂的固化物和透湿性比树脂系粘接剂的固化物低的涂层。
(耐湿性评价)
参照图4~图7,说明对湿气对金属电极与导电性粘接剂的固化物之间的电导率的影响进行调查的耐湿性试验。图4是概略地表示耐湿性试验的评价用基板的结构的俯视图。图5是概略地表示耐湿性试验的评价用基板的结构的截面图。图6是概略地表示实施例的评价结果的图。图7是概略地表示比较例的评价结果的图。图6和图7的图中,横轴表示测定的电阻值的位置,纵轴表示电阻值(Ω)。
如图4所示,在评价用基板B10依次排列设置有第一电极对E10、第二电极对E20、第三电极对E30、第四电极对E40和第五电极对E50。第一电极对E10~第五电极对E50设置于绝缘基板上。第一电极对E10具有一对测定电极E11、E12以及将测定电极E11与测定电极E12连接的桥式电极E13。同样地,第二电极对E20具有一对测定电极E21、E22和桥式电极E23,第三电极对E30具有一对测定电极E31、E32和桥式电极E33,第四电极对E40具有一对测定电极E41、E42和桥式电极E43,第五电极对E50具有一对测定电极E51、E52和桥式电极E53。桥式电极E13~E53各自的中央部E1、E2、E3、E4、E5被导电性粘接剂的固化物E9覆盖。导电性粘接剂的固化物E9是大致均匀的宽度和厚度,在第一电极对E10~第五电极对E50的排列方向延伸。第一电极对E10~第五电极对E50由导电性粘接剂的固化物E9电连接。
绝缘基板为氧化铝基板。第一电极对E10~第五电极对E50是具有由镍构成的基底层和由金构成表面层的层叠结构的金属电极。第一电极对E10~第五电极对E50的最表面由金形成。导电性粘接剂的固化物E9以有机硅树脂为主成分。实施例的导电性粘接剂中含有1%的1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。比较例的导电性粘接剂除了不含有1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷以外,与实施例的导电性粘接剂相同。
如图5所示,通过测定中央部E1与中央部E2之间的电阻值1-2、中央部E1与中央部E3之间的电阻值1-3、中央部E1与中央部E4之间的电阻值1-4以及中央部E1与中央部E5之间的电阻值1-5各自的变化来评价导电性粘接剂的固化物E9的耐湿性。电阻值1-2由中央部E1与导电性粘接剂的固化物E9的接触电阻、中央部E1与中央部E2之间的导电性粘接剂的固化物E9的电阻以及导电性粘接剂的固化物E9与中央部E2的接触电阻决定。电阻值1-3、电阻值1-4和电阻值1-5也同样地分别由导电性粘接剂的固化物E9本身的电阻和导电性粘接剂的固化物E9与电极对的中央部的接触电阻决定。
电阻值1-2的测定中,为了抵消中央部E1、E2和导电性粘接剂的固化物E9以外的影响,如下进行测定。
对测定电极E11与测定电极E21之间的电阻值、测定电极E11与测定电极E22之间的电阻值、测定电极E12与测定电极E22之间的电阻值以及测定电极E12与测定电极E21之间的电阻值进行测定,将相加的计算结果设为A。
对测定电极E11与测定电极E12之间的电阻值以及测定电极E21与测定电极E22之间的电阻值进行测定し,将相加并加倍的计算结果设为B。
从A中减去B,除以4,由此算出电阻值1-2。
电阻值1-3、电阻值1-4和电阻值1-5也同样地算出。
如图6所示,实施例中,在初始状态;在恒温恒湿槽中,在温度85℃且湿度85RH%的环境(以下为“85℃85RH%”)下放置100小时后的状态;以及在85℃85RH%中放置500小时后的状态下进行测定。图6中,将表示初始状态的电阻值的折线图描绘为“初始”,将表示放置100小时后的状态的电阻值的折线图描绘为“100h后”,将表示放置500小时后的状态的电阻值的折线图描绘为“500h后”。
即便是放置500小时后的状态,电阻值1-1、电阻值1-3、电阻值1-4和电阻值1-5均为1Ω以下,几乎没有观察到从初始状态起的电阻值的恶化。
如图7所示,比较例中,在初始状态;在85℃85RH%中放置150小时后的状态;以及在85℃85RH%中放置530小时后的状态下进行电阻值的测定。图7中,将表示初始状态的电阻值的折线图描绘为“初始”,将表示放置150小时后的状态的电阻值的折线图标绘为“150h后”,将表示放置530小时后的状态的电阻值的折线图描绘为“530h后”。
放置530小时后,电阻值1-3、电阻值1-4和电阻值1-5超过1Ω,观察到从初始状态的恶化。特别是电阻值1-4在放置530小时后的状态下超过4Ω。在放置530小时后的状态下,电阻值1-3和电阻值1-5大于电阻值1-4,因此认为电阻值的上升的主要因素不是导电性粘接剂的固化物本身的电阻值的上升,而是导电性粘接剂的固化物与电极对的中央部的接触电阻的上升。
根据实施例和比较例的评价结果,可知通过导电性粘接剂的树脂组合物中含有1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷,能够抑制以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物与金属电极的接触电阻在高湿环境下上升。
接下来,参照图9~图14对1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的含有率与导电性粘接剂的固化物的耐湿性的关系进行说明。图9是表示环氧化合物的含有率为0重量%时的耐湿性的评价结果的图。图10是表示环氧化合物的含有率为0.1重量%时的耐湿性的评价结果的图。图11是表示环氧化合物的含有率为0.5重量%时的耐湿性的评价结果的图。图12是表示环氧化合物的含有率为1重量%时的耐湿性的评价结果的图。图13是表示环氧化合物的含有率为5重量%时的耐湿性的评价结果的图。图14是表示环氧化合物的含有率为10重量%时的耐湿性的评价结果的图。
耐湿性试验与图4~图7中示出的实施例和比较例的评价方法同样地测定85℃85RH%下的电阻值的变化并进行比较。图9~图14中,“初始”表示投入到85℃85RH%之前的初始状态下的电阻值,“100h后”表示在85℃85RH%下经过100小时时的电阻值,“500h后”表示在85℃85RH%下经过500小时时的电阻值,“1000h后”表示在85℃85RH%下经过1000小时时的电阻值。应予说明,图9相当于比较例的评价结果,图12相当于实施例的评价结果。不论1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的含有率,初始状态的电阻值大致为0Ω。因此,经过100、500、1000小时时的电阻值分别相当于从初始状态起的电阻值的变化量。电阻值的变化量越大,表示耐湿性越低。
1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的含有率为0重量%时,换言之,在不含有环氧化合物的情况下,电阻值在经过100小时时已经上升,经过500小时时最大上升至5.0Ω左右,经过1000小时时最大超过15.0Ω。在1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的含有率为0.1重量%的情况下,电阻值经过100小时时几乎不上升,经过500小时时开始上升,经过1000小时时最大上升至4.0Ω左右。在1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷的含有率为0.5~10重量%的情况下,电阻值经过1000小时也几乎不上升。
综上所述,可知有机硅系的导电性粘接剂的固化物的耐湿性只要添加0.1重量%以上的具有2个以上环氧基的环氧化合物就会提高,如果添加0.5重量%以上,则进一步提高。应予说明,如果向有机硅系的导电性粘接剂添加环氧化合物,则粘度降低。特别是在环氧化合物的含有率超过10重量%的情况下,因粘度的降低而作业性变差,水晶振子中有时不良品的产生率上升。因此,为了在维持作业性的同时提高耐湿性,环氧化合物的含有率优选为0.1重量%~10重量%,进一步优选为0.5重量%~10重量%。另外,在环氧化合物的含有率超过10重量%的情况下,有机硅树脂的特性有时从导电性粘接剂的固化物中消失。例如,在环氧化合物的含有率超过10重量%的情况下,有时导电性粘接剂的固化物的弹性模量的温度变化变大,水晶振动元件10的频率温度特性变差。因此,从抑制频率温度特性变差的观点出发,环氧化合物的含有率优选为10重量%以下。
接下来,参照图15~图22对含有1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷以外的环氧化合物的导电性粘接剂的固化物的耐湿性进行说明。图15是表示第一变形例中添加的环氧化合物的结构式的图。图16是表示第一变形例中的耐湿性的评价结果的图。图17是表示第二变形例中添加的环氧化合物的结构式的图。图18是表示第二变形例中的耐湿性的评价结果的图。图19是表示第三变形例中添加的环氧化合物的结构式的图。图20是表示第三变形例中的耐湿性的评价结果的图。图21是表示第四变形例中添加的环氧化合物的结构式的图。图22是表示第四变形例中的耐湿性的评价结果的图。
对第一~第四变形例的耐湿性试验与图4~图7中示出的实施例和比较例的评价方法同样地测定在85℃85RH%下的电阻值的变化并进行比较。“初始”表示投入到85℃85RH%之前的初始状态的电阻值,“100h后”表示在85℃85RH%下经过100小时时的电阻值,“240h后”表示在85℃85RH%下经过240小时时的电阻值,“500h后”表示在85℃85RH%下经过500小时时的电阻值,“1000h后”表示在85℃85RH%下经过1000小时时的电阻值。第一~第四变形例各自的初始状态的电阻值大致为0Ω。因此,经过100、240、500、1000小时时的电阻值分别相当于从初始状态起的电阻值的变化量。电阻值的变化量越大,表示耐湿性越低。
第一~第四变形例除了导电性粘接剂中含有的环氧化合物的种类不同以外,是与本实施方式相同的结构。第一变形例的导电性粘接剂中含有的环氧化合物为图15所示的1,4-丁二醇二缩水甘油醚。第二变形例的导电性粘接剂中含有的环氧化合物为图17所示的新戊二醇二缩水甘油醚。第三变形例的导电性粘接剂中含有的环氧化合物为图19所示的三羟甲基丙烷三缩水甘油醚。第四变形例的导电性粘接剂中含有的环氧化合物为图21所示的聚乙二醇二缩水甘油醚。第一~第四变形例各自的环氧化合物的含有率为1.0重量%。
在图16所示的第一变形例的情况下,电阻值到经过100小时为止几乎不上升,在经过240小时时开始上升,在经过1000小时时最大上升至14Ω左右。在图18所示的第二变形例的情况下,电阻值到经过240小时为止几乎不上升,在经过500小时时开始上升,在经过1000小时时最大上升至5~6Ω左右。在图20所示的第三变形例的情况下,电阻值到经过240小时为止几乎不上升,在经过500小时时开始上升,在经过1000小时时最大上升至5~6Ω左右。在图22所示的第四变形例的情况下,电阻值经过1000小时也几乎不上升。
在图9所示的比较例的情况下,电阻值在经过100小时时开始上升,在1000小时经过时最大超过15Ω。在图12所示的实施例的情况下,电阻值经过1000小时时也大致为0Ω。因此,第一~第四变形例中的电阻值的上升开始比比较例慢。另外,第一变形例中的电阻值的最大值比实施例的电阻值的最大值大,比比较例的电阻值的最大值小。第二和第三变形例中的电阻值的最大值比实施例的电阻值的最大值大,是比较例的电阻值的最大值的一半以下。第四变形例中的电阻值的最大值与实施例的电阻值的最大值为相同程度。换言之,第一~第四变形例的耐湿性与实施例同样地比比较例提高。另外,第一变形例的耐湿性比比较例的耐湿性高。第二变形例的耐湿性与第三变形例的耐湿性大致同等,比第一变形例的耐湿性高。第四变形例的耐湿性与实施例的耐湿性大致同等,比第二和第三变形例的耐湿性高。
综上所述,可知提高有机硅系的导电性粘接剂的固化物的耐湿性的环氧化合物不限于1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷,只要为具有2个以上环氧基的环氧化合物即可。另外,由于实施例和第四变形例中的耐湿性特别高,因此可推测作为提高耐湿性的环氧化合物的特征,可举出具有硅氧烷键的有机硅化合物、将2个环氧基连接的主链长(例如9原子以上)等。
如上所述,本实施方式的水晶振子1中,将连接电极16a、16b与电极垫33a、33b连接的导电性保持构件36a、36b为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
由此,能够实现水晶振动元件的频率温度特性的改善,同时抑制高湿环境下的基础构件与水晶振动元件之间的电阻值变差。具体而言,能够抑制导电性保持构件与连接电极的接触电阻以及导电性保持构件与电极垫的接触电阻的上升。
另外,本实施方式的水晶振子1中,电极垫33a、33b的最表面含有金。
如果导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物,则即便在电极垫的最表面包含与树脂系粘接剂的密合性低的金,也能够抑制高湿环境下的导电性粘接剂与电极垫的接触电阻的上升。因此,不需要用于提高与导电性粘接剂的密合性的对电极垫的表面处理(例如,Ag溅射),不会产生由该表面处理引起的电极垫的耐腐蚀性的降低。因此,能够提供耐腐蚀性高且耐湿性高的水晶振子。
另外,本实施方式的水晶振子1中,连接电极16a、16b的最表面含有金。
如果导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物,则即便在连接电极的最表面包含与树脂系粘接剂的密合性低的金,也能够抑制高湿环境下的导电性粘接剂与连接电极的接触电阻的上升。因此,不需要用于提高与导电性粘接剂的密合性的对连接电极表面处理(例如,Ag溅射),不会产生由该表面处理引起的连接电极的耐腐蚀性的降低。因此,能够提供耐腐蚀性高且耐湿性高的水晶振子。
另外,本实施方式的水晶振子1中,进一步具备将基础构件30与盖构件40接合而密封内部空间49的接合构件50,接合构件50为树脂系粘接剂的固化物。
在基础构件与盖构件的接合是利用树脂系粘接剂进行粘接的情况下,与金属接合相比,能够降低水晶振子的制造成本,但透湿性上升。即便在这样的情况下,也能够抑制高湿环境下的基础构件与水晶振动元件之间的电阻值变差。因此,能够提供抑制制造成本的同时耐湿性高的水晶振子。
另外,本实施方式的水晶振子1中,导电性粘接剂中含有的环氧化合物为具有硅氧烷键的有机硅化合物即1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。
另外,本实施方式的水晶振子1中,导电性粘接剂中的环氧化合物的含有率为0.5重量%~10.0重量%。
由此,能够抑制水晶振子1的频率温度依存性变差,同时抑制导电性保持构件36a、36b的高湿环境下的电阻值的上升。
应予说明,本发明的实施方式不限于水晶振子,也能够应用于压电振子。压电振子(Piezoelectric Resonator Unit)的一个例子为具备水晶振动元件(Quartz CrystalResonator)的水晶振子(Quartz Crystal Resonator Unit)。水晶振动元件利用水晶片(Quartz Crystal Element)作为通过压电效应而激励的压电片,但压电片可以由压电单晶、压电陶瓷、压电薄膜或者压电高分子膜等任意的压电材料形成。作为一个例子,压电单晶可举出铌酸锂(LiNbO3)。同样地,压电陶瓷可举出钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)、锆钛酸铅(Pb(ZrxTi1-x)O3;PZT)、氮化铝(AlN)、铌酸锂(LiNbO3)、偏铌酸锂(LiNb2O6)、钛酸铋(Bi4Ti3O12)、钽酸锂(LiTaO3)、四硼酸锂(Li2B4O7)、硅酸镓镧(La3Ga5SiO14)或五氧化钽(Ta2O5)等。压电薄膜可举出通过溅射法等将上述的压电陶瓷成膜在石英或蓝宝石等基板上的压电薄膜。压电高分子膜可举出聚乳酸(PLA)、聚偏二氟乙烯(PVDF)或偏二氟乙烯/三氟乙烯(VDF/TrFE)共聚物等。上述的各种压电材料可以相互层叠而使用,也可以层叠于其它构件。
本发明的实施方式不限于压电振子,具备:具有导电性的第一被粘部,具有导电性的第二被粘部,以及将第一被粘部与第二被粘部连接的导电性粘接部,导电性粘接部为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,只要是在导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物的电子部件就可以应用。如果列举水晶振子1,则第一被粘部相当于连接电极16a、16b,第二被粘部相当于电极垫33a、33b,导电性粘接部相当于导电性保持构件36a、36b,电子部件相当于水晶振子1。即,只要是在内部具有被导电性粘接部粘接且要求与导电性粘接部导通的连接部分的电子部件就没有特别限定,可成为本发明的实施方式。这样的电子部件例如为水晶振子以外的振子、晶体管、二极管、电容器、电感器、电阻器、集成电路(IC)、摄像元件、显示元件、传感器、MEMS元件等。
例如,如果电子部件为具有机械振动部的振动元件,则对导电性粘接部施加由振动产生的负荷。因此,在被粘部与导电性粘接部的密合力不充分的情况下,在被粘部与导电性粘接部的界面,因密合力的降低而接触电阻上升,最差的情况因剥离而失去导电性。如此,即便是因输送中的冲击、动作中的位移等而对被粘部与导电性粘接部的界面施加负荷的构成的电子部件,根据本发明的实施方式,也能够抑制高湿环境下的接触电阻的上升。
以下,对本发明的其它实施方式的电子装置的构成进行说明。应予说明,下述的实施方式中,对与上述的第一实施方式共同的事项省略记载,仅对不同点进行说明。特别是对于基于同样的结构的同样的作用效果不再依次赘述。
<第二实施方式>
参照图8对第二实施方式的电子装置100的结构进行说明。图8是概略地表示第二实施方式的电子装置的结构的截面图。
第二实施方式的电子装置100具备:电子部件70,具有金属层91的基板90,将电子部件70与基板90的金属层91连接的导电性粘接部80。导电性粘接部80为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,在导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。图8中例如描绘水晶振子作为电子部件70。但是,电子部件70不限于水晶振子,也可以为水晶振子以外的振子、晶体管、二极管、电容器、电感器、电阻器、集成电路(IC)、摄像元件、显示元件、传感器、MEMS元件等。
以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,并且在导电性粘接剂中含有具有2个以上的环氧基的环氧化合物的导电性粘接部可以如第二实施方式那样被用于电子部件的外部的电连接,也可以如第一实施方式那样被用于电子部件的内部的电连接。
以下,附记本发明的实施方式的一部分或者全部,对其效果进行说明。应予说明,本发明并不限于以下的附记。
根据本发明的一个方式,可提供一种水晶振子,具备:具有激励电极和与激励电极电连接的连接电极的水晶振动元件,具有电极垫的基础构件,将电极与电极垫连接的导电性保持构件,以及在与基础构件之间形成容纳水晶振动元件的内部空间的盖构件;导电性保持构件为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,在导电性粘接剂中含有具有2个以上的环氧基的环氧化合物。
由此,能够实现水晶振动元件的频率温度特性的改善,抑制高湿环境下的基础构件与水晶振动元件之间的电阻值变差。具体而言,能够抑制导电性保持构件与连接电极的接触电阻,以及导电性保持构件与电极垫的接触电阻的上升。即,能够提供耐湿性高的水晶振子。
作为一个方式,环氧基为缩水甘油基的一部分。
如果导电性粘接剂中含有的环氧化合物的环氧基为缩水甘油基的一部分,则能够提供耐湿性特别高的水晶振子。
作为一个方式,电极垫的最表面含有金。
如果导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物,则即便在电极垫的最表面含有与树脂系粘接剂的密合性低的金,也能够抑制高湿环境下的导电性粘接剂与电极垫的接触电阻的上升。因此,不需要用于提高与导电性粘接剂的密合性的对电极垫的表面处理(例如,Ag溅射),不会产生由该表面处理引起的电极垫的耐腐蚀性的降低。因此,能够提供耐腐蚀性高且耐湿性高的水晶振子。
作为一个方式,连接电极的最表面含有金。
如果导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物,则即便在连接电极的最表面含有与树脂系粘接剂的密合性低的金,也能够抑制高湿环境下的导电性粘接剂与连接电极的接触电阻的上升。因此,不需要用于提高与导电性粘接剂的密合性的对连接电极的表面处理(例如,Ag溅射),不会产生由该表面处理引起的连接电极的耐腐蚀性的降低。因此,能够提供耐腐蚀性高且耐湿性高的水晶振子。
作为一个方式,进一步具备将基础构件与盖构件接合而密封内部空间的接合构件,接合构件为树脂系粘接剂。
在基础构件与盖构件的接合为利用树脂系粘接剂进行粘接的情况下,与金属接合相比,能够降低水晶振子的制造成本,但透湿性上升。即便在这样的情况下,也能够抑制高湿环境下的基础构件与水晶振动元件之间的电阻值变差。因此,能够提供抑制制造成本的同时耐湿性高的水晶振子。
作为一个方式,环氧化合物为有机硅化合物。
作为一个方式,环氧化合物具有硅氧烷键。
作为一个方式,环氧化合物具有1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷或者具有该1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷作为构成单元。
另外,本实施方式的水晶振子1中,导电性粘接剂中的环氧化合物的含有率为0.5重量%~10.0重量%。
由此,能够抑制水晶振子的频率温度依赖性变差,同时抑制导电性保持构件的高湿环境下的电阻值的上升。
根据本发明的另一个方式,可提供一种电子装置,具备电子部件,具有金属层的基板,以及将电子部件与基板的金属层连接的导电性粘接部;导电性粘接部为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,导电性粘接剂中含有具有2个以上的环氧基的环氧化合物。
由此,能够抑制高湿环境下的电子部件与基板之间的电阻值变差。即,能够提供耐湿性高的电子装置。
根据本发明的又一个方式,可提供一种电子部件,具备:具有导电性的第一被粘部,具有导电性的第二被粘部,以及将第一被粘部与第二被粘部连接的导电性粘接部;导电性粘接部为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,在导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
由此,能够抑制高湿环境下的第一被粘部与第二被粘部之间的电阻值变差。即,能够提供耐湿性高的电子装置。
作为一个方式,第一被粘部为设置于具有机械振动部的振动元件的连接电极。
即便是如电子元件那样因输送中的冲击、动作中的位移等而对被粘部与导电性粘接部的界面施加负荷的构成的电子部件,根据本发明的实施方式,也能够抑制高湿环境下的接触电阻的上升。
如上说明,根据本发明的一个方式,能够提供可靠性改善的水晶振子、电子部件和电子装置。
应予说明,以上说明的实施方式是为了便于本发明的理解,并非用于限定地解释本发明。本发明可在不脱离其主旨的情况下进行变更/改进,并且在本发明中也包含其等价物。即,本领域技术人员对各实施方式适当地加以设计变更而得的技术方案只要具备本发明的特征,则也包含在本发明的范围中。例如,各实施方式所具备的各要素和其配置、材料、条件、形状、尺寸等不限于例示,可以适当地变更。例如,本发明的振动元件和振子可以用于计时装置或负载传感器。另外,各实施方式具备的各要素只要在技术上可能就可以组合,将它们组合而得的技术方案只要包含本发明的特征,则也包含在本发明的范围中。
符号说明
1…水晶振子,
10…水晶振动元件,
11…水晶片,
14a、14b…激励电极,
15a、15b…引出电极,
16a、16b…连接电极,
30…基础构件,
31…基体,
33a、33b…电极垫,
34a、34b…贯通电极,
35a~35d…外部电极,
36a、36b…导电性保持构件,
40…盖构件,
50…接合构件
Claims (12)
1.一种水晶振子,具备:
水晶振动元件,具有激励电极和与所述激励电极电连接的连接电极,
基础构件,具有电极垫,
导电性保持构件,将所述连接电极与所述电极垫连接,以及
盖构件,在与所述基础构件之间形成容纳所述水晶振动元件的内部空间;
所述导电性保持构件为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,
所述导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
2.根据权利要求1所述的水晶振子,其中,所述环氧基为缩水甘油基的一部分。
3.根据权利要求1或2所述的水晶振子,其中,所述电极垫的最表面含有金。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的水晶振子,其中,所述连接电极的最表面含有金。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的水晶振子,其中,进一步具备将所述基础构件与所述盖构件接合来密封所述内部空间的接合构件,
所述接合构件为树脂系粘接剂的固化物。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的水晶振子,其中,所述环氧化合物为有机硅化合物。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的水晶振子,其中,所述环氧化合物具有硅氧烷键。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的水晶振子,其中,所述环氧化合物具有1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷或者具有该1,3-双(3-环氧丙氧基丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷作为构成单元。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的水晶振子,其中,所述导电性粘接剂中的所述环氧化合物的含有率为0.5重量%~10.0重量%。
10.一种电子装置,具备:
电子部件,
基板,具有金属层,
导电性粘接部,将所述电子部件与所述基板的所述金属层连接;
所述导电性粘接部为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,
所述导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
11.一种电子部件,具备:
具有导电性的第一被粘部,
具有导电性的第二被粘部,
导电性粘接部,将所述第一被粘部与所述第二被粘部连接;
所述导电性粘接部为以有机硅树脂为主成分的导电性粘接剂的固化物,
所述导电性粘接剂中含有具有2个以上环氧基的环氧化合物。
12.根据权利要求11所述的电子部件,其中,所述第一被粘部为设置于具有机械振动部的振动元件的连接电极。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-138921 | 2019-07-29 | ||
JP2019138921 | 2019-07-29 | ||
PCT/JP2020/023184 WO2021019932A1 (ja) | 2019-07-29 | 2020-06-12 | 水晶振動子、電子部品及び電子装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114208034A true CN114208034A (zh) | 2022-03-18 |
Family
ID=74228563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080052583.6A Pending CN114208034A (zh) | 2019-07-29 | 2020-06-12 | 水晶振子、电子部件和电子装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220140815A1 (zh) |
JP (1) | JP7359210B2 (zh) |
CN (1) | CN114208034A (zh) |
WO (1) | WO2021019932A1 (zh) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04300984A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電性樹脂ペースト及び半導体装置 |
JP3791053B2 (ja) * | 1996-06-10 | 2006-06-28 | 株式会社デンソー | 導電性接着剤及び電子部品搭載装置 |
JP4030174B2 (ja) * | 1998-02-23 | 2008-01-09 | 三菱電機株式会社 | 導電性接着剤およびそれを用いてなる半導体装置 |
JP2002324432A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 異方導電材テープ |
JP4300984B2 (ja) | 2003-11-10 | 2009-07-22 | マックス株式会社 | 綴じ処理装置 |
CN101755025B (zh) * | 2007-08-10 | 2014-03-12 | 旭化成电子材料株式会社 | 粘合剂和接合体 |
JP6006096B2 (ja) * | 2012-11-22 | 2016-10-12 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 潤滑被膜用塗料組成物 |
JP2015170939A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 振動デバイスの製造方法 |
TWI653824B (zh) * | 2017-05-17 | 2019-03-11 | 日商村田製作所股份有限公司 | Method for manufacturing piezoelectric vibrating member |
US20200062911A1 (en) * | 2017-11-14 | 2020-02-27 | Takagi Chemicals, Inc. | Filler-Filled Highly Thermally Conductive Dispersion Composition Having Excellent Segregation Stability, Method for Producing Said Dispersion Composition, Filler-Filled Highly Thermally Conductive Material Using Said Dispersion Composition, Method for Producing Said Material, and Molded Article Obtained using Said Material |
-
2020
- 2020-06-12 WO PCT/JP2020/023184 patent/WO2021019932A1/ja active Application Filing
- 2020-06-12 CN CN202080052583.6A patent/CN114208034A/zh active Pending
- 2020-06-12 JP JP2021536650A patent/JP7359210B2/ja active Active
-
2022
- 2022-01-19 US US17/578,829 patent/US20220140815A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2021019932A1 (zh) | 2021-02-04 |
JP7359210B2 (ja) | 2023-10-11 |
WO2021019932A1 (ja) | 2021-02-04 |
US20220140815A1 (en) | 2022-05-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20150381184A1 (en) | Composite electronic component, oscillator, electronic apparatus, and mobile object | |
US11824521B2 (en) | Vibration substrate having a pair of holding portions and a beam portion connecting the holding portions, vibrator, and vibrator unit | |
JP2004129224A (ja) | 圧電部品およびその製造方法 | |
CN113765494B (zh) | 振子以及振荡器 | |
JP6488667B2 (ja) | 表面弾性波デバイス | |
US8525606B2 (en) | Vibrator element, vibrator, oscillator, and electronic device | |
US20220278268A1 (en) | Piezoelectric vibration element, piezoelectric resonator unit, and electronic device | |
US20220123705A1 (en) | Piezoelectric resonator unit and oscillator provided with the same | |
CN114208034A (zh) | 水晶振子、电子部件和电子装置 | |
JP2014165910A (ja) | 振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体 | |
US11689177B2 (en) | Electronic device and manufacturing method therefor | |
JP2010103805A (ja) | 屈曲振動片、屈曲振動子、および圧電デバイス | |
JP6860867B2 (ja) | 振動素子 | |
WO2021215040A1 (ja) | 圧電振動子 | |
WO2021220544A1 (ja) | 圧電振動子及びそれを備える圧電発振器 | |
JP7497754B2 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
WO2021220542A1 (ja) | 圧電振動子 | |
JP2011155339A (ja) | 圧電デバイス、電子機器及び圧電デバイスの製造方法 | |
US20220173709A1 (en) | Piezoelectric vibrator | |
JP7465458B2 (ja) | 圧電振動子 | |
WO2021095294A1 (ja) | 圧電振動子及びその製造方法 | |
US20220344577A1 (en) | Method For Manufacturing Vibration Device | |
US20220345107A1 (en) | Vibration Device | |
JP2017046330A (ja) | 弾性波素子および弾性波装置 | |
JP4350445B2 (ja) | 圧電共振子及びフィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |