JP2015170939A - 振動デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】振動片の接着剤の乾燥工程の作業効率を高めると共に、アニール処理によるエージング特性の低下を防止できる振動デバイスの製造方法。【解決手段】本発明に係る振動デバイスの製造方法は、パッケージ２０に振動片としての水晶振動素子１０を導電性接着剤１７によって接続する工程Ｓ１０１と、導電性接着剤１７を乾燥する乾燥工程Ｓ１０２と、導電性接着剤１７を含むパッケージ２０をアニール処理するアニール工程Ｓ１０５と、を含み、乾燥工程Ｓ１０２、およびアニール工程Ｓ１０５を、不活性ガス雰囲気中で連続して行う。【選択図】図２

Description

本発明は、振動片などが接着される振動デバイスの製造方法に関する。

例えば圧電振動子などの振動デバイスの製造方法において、振動片をパッケージに接着剤を用いて接着した後、接着剤を乾燥させるために加熱する乾燥工程と、接着剤やパッケージなどの脱ガスを行うアニール工程とを含む方法が開示されている。例えば、特許文献１において開示されている方法では、接着剤の乾燥工程の後に、換気工程を挟んで第１アニール工程と第２アニール工程の２回のアニール工程を有している。また、特許文献２において開示されている方法では、接着剤を乾燥させるための加熱を大気中で行う乾燥工程と、続いてアニール処理を大気中で行うアニール工程とを有している。

特開２００７−３３６３２０号公報 特開２００４−１７２７５２号公報

しかしながら、上述の従来方法によれば、特許文献１に記載されている方法では、換気工程を挟んで第１アニール工程と第２アニール工程の２回のアニール工程を有しているため作業効率が悪い。また、特許文献２に記載されている方法では、大気中においてアニール処理を行っているため、振動片、あるいは接着剤などの酸化による振動特性の低下、特にエージング特性の低下を生じる虞を有していた。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る振動デバイスの製造方法は、パッケージに振動片を接着剤によって接続する振動片接着工程と、前記接着剤を乾燥する乾燥工程と、前記接着剤を含む前記パッケージをアニール処理するアニール工程と、を含み、少なくとも前記乾燥工程から前記アニール工程を、不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする。

本適用例によれば、乾燥工程からアニール工程を、不活性ガス雰囲気中で行うことにより、接着剤が乾燥工程とアニール工程の間で酸素に触れ難くなり、接着剤の結合状態が安定する。また、一連の工程とすることで、接着剤の反応を効率的に促進させることができるため、付着ガスや、接着剤の乾燥（硬化）の未反応物がガス化した未反応ガスなどを排出する、所謂脱ガスも効率よく行うことができ、エージング特性を向上させた振動デバイスを提供することができる。

［適用例２］上記適用例に記載の振動デバイスの製造方法において、前記接着剤は、シリコーン系の接着剤を用いていることが好ましい。

本適用例によれば、乾燥工程およびアニール工程が、不活性ガス雰囲気中で一連の工程として連続して行われるため、シリコーン系接着剤のＳｉ分子が酸素と反応して起きる酸化劣化が起き難くなり、シリコーン系接着剤の接着特性を維持することができる。

［適用例３］上記適用例に記載の振動デバイスの製造方法において、前記乾燥工程は、５０℃以上１００℃以下の温度で行う予備乾燥工程と、前記予備乾燥工程後に、２００℃以上３００℃以下の温度で行う本乾燥工程と、を含んでいることが好ましい。

本適用例によれば、先ず予備乾燥工程において接着剤中の溶剤を除去した後、本乾燥工程において接着剤を乾燥（硬化）させることができる。これにより、溶剤を取り込んだまま接着剤が乾燥（硬化）してしまうことを防止することが可能となり、接着剤に含まれる溶剤を、より効率的に且つ確実に排出することが可能な接着剤の乾燥（硬化）とすることができる。

［適用例４］上記適用例に記載の振動デバイスの製造方法において、前記アニール工程は、２００℃以上３００℃以下の温度で行うことが好ましい。

本適用例によれば、乾燥工程からアニール工程への昇温時間を短縮することが可能となり、アニール工程の時間短縮を図ることができ、作業効率を向上させることができる。

［適用例５］上記適用例に記載の振動デバイスの製造方法において、前記アニール工程は、前記本乾燥工程の温度と同じ温度で行うことが好ましい。

本適用例によれば、乾燥工程からアニール工程への昇温時間が不要となり、アニール工程の時間をさらに短縮することができる。

［適用例６］上記適用例に記載の振動デバイスの製造方法において、前記不活性ガス雰囲気は、０〜２００×１０^-6の酸素濃度であることが好ましい。

本適用例によれば、不活性ガス雰囲気における酸素濃度を０〜２００×１０^-6（０〜２００ｐｐｍ）とすることにより、シリコーン系接着剤のＳｉ分子が酸素と反応して起きる酸化劣化を、さらに起き難くすることが可能となり、シリコーン系接着剤の接着特性を高めることができる。

振動デバイスの一例としての水晶振動子の概略構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は正断面図。 振動デバイスの一例としての水晶振動子の製造方法を示すフローチャート。 乾燥工程およびアニール工程における温度プロファイル。 導電性接着剤の主剤であるシリコーン系樹脂の耐熱劣化を示す分子構造図。 乾燥工程およびアニール工程における不活性ガス中の酸素濃度を示す図。 振動デバイスの一例としての水晶振動子のエージング特性を示すグラフ。

以下、本発明を添付図面に示した実施形態にもとづいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態では本発明に係る振動デバイスの製造方法を用いた振動デバイスとして、ＡＴカット振動片を用いた水晶振動子を一例として説明する。

（水晶振動子の構成）
先ず、本発明に係る振動デバイスの製造方法を用いた振動デバイスとして、ＡＴカット振動片を用いた水晶振動子を一例に、その構成について図１を参照しながら説明する。図１は、振動デバイスの一例としての水晶振動子の概略構成を示し、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は正断面図である。なお、図１（ａ）の平面図では、説明の便宜上シームリングおよび蓋体を省略している。

水晶振動子１は、セラミックシート等、シート状の絶縁材料から形成された底板２と搭載板８と壁板９とが積層されたパッケージ２０（絶縁容器）の凹部である収容部６に振動片としての水晶振動素子１０が収納され、その収容部６を金属製の蓋体（リッド）１６により封止された構成を備えている。なお、蓋体（リッド）１６は、例えばシーム溶接によりパッケージ２０に接続されている。また、水晶振動子１は、この構成に限らず、パッケージ２０の収容部６に水晶振動素子１０が収納され、パッケージ２０の開口端面をガラス封止によってセラミック等からなる蓋体１６が接合されている構成であってもよい。

パッケージ２０は、底板２、水晶振動素子１０の搭載部としての搭載板８、および外壁としての壁板９が、この順に積層されている。パッケージ２０は、平面視で略矩形の容器形状を有しており、略矩形の底板２の底面３に実装端子としての実装電極５が備えられている。実装電極５は、例えば下地金属として焼成されたタングステンのメタライズ層上にニッケル（Ｎｉ）メッキ、さらに金（Ａｕ）メッキを施した構成が用いられた導電性の金属層である。さらに、パッケージ２０には、底板２の底面３と表裏関係をなす他方面（他方の面）４側に、搭載板８および壁板９の開口部によって囲まれた凹部である収容部６が設けられている。なお、他方面４は、パッケージ２０に蓋体１６が接続される側の面であり、図示では便宜上底板２の一面を指している。そして、収容部６内に露出する搭載板８（搭載部８ａ）の露出面には、水晶振動素子１０と電気的に接続される２つの内部パッド１４が備えられている。各内部パッド１４は、夫々対応する実装電極５と導通しているが、図示は省略している。

振動片としての水晶振動素子１０は、本実施形態ではＡＴカット水晶振動片を一例としている。水晶振動素子１０は、表裏の主面に励振電極１１が形成され、励振電極１１から延在された配線電極１２を介して２つの接続電極１３が設けられている。そして、水晶振動素子１０は、パッケージ２０を構成する搭載板８の収容部６内に設けられた内部パッド１４に導電性接着剤１７などを用いることにより電気的導通を取って接続固定されている。この導電性接着剤１７は、水晶振動素子１０の振動特性（電気的特性）を安定して維持するために、シリコーン系樹脂を基材とし、例えば銀（Ａｇ）などの導電体の細粒（フィラー）を混在させたシリコーン系導電接着剤が用いられている。

水晶振動素子１０が収納された収容部６は、パッケージ２０を構成する壁板９の上面に設けられているシームリング１５を介して蓋体１６がパッケージ２０（壁板９）とシーム溶接され封止されている。蓋体１６は、リッドとも呼ばれ、例えば、４２アロイ（鉄にニッケルが４２％含有された合金）やコバール（鉄、ニッケルおよびコバルトの合金）等の金属、セラミックス、あるいはガラスなどを用いて形成することができる。シームリング１５は、例えば、金属により蓋体１６を形成した場合には、コバール合金などを矩形の環状に型抜きして形成される。パッケージ２０および蓋体１６によって形成される凹部空間である収容部６は、水晶振動素子１０が動作するための空間となるため、減圧空間または窒素（Ｎ₂）などの不活性ガス雰囲気に密閉・封止することが好ましい。

なお、上述では、振動片としての水晶振動素子１０についてＡＴカット水晶振動片を一例としたが、ＡＴカット水晶振動片以外も適用することができる。例えば、音叉型水晶振動片、所謂ダブルＴ型のジャイロ素子や音叉型のジャイロ素子などにも適用することができる。また、振動片としての水晶振動素子１０は、水晶振動素子１０発振させる機能を少なくとも有し、水晶振動素子１０と、水晶振動素子１０と電気的に接続されている回路部とが、パッケージ２０内に収納されている水晶発振器にも適用可能である。同様に、ジャイロ素子を用いたジャイロセンサーなどのセンサーデバイスにも適用することができる。また、水晶以外の圧電体を素材とした、例えばタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。

（水晶振動子の製造方法）
次に、図２、および図３を参照しながら、本発明に係る振動デバイスとしての水晶振動子の製造方法の一例について説明する。図２は、振動デバイスの一例としての水晶振動子の製造方法を示すフローチャートである。図３は、乾燥工程（予備乾燥工程と本乾燥工程）およびアニール工程における温度プロファイルを示し、図３（ａ）は実施例１の温度プロファイル、図３（ｂ）は実施例２の温度プロファイルを示している。なお、本説明においては、前述の図１も併せて参照し、それぞれの構成部位では図１の符号を用いて説明する。

（製造工程の説明１）
水晶振動子の製造方法においては、先ず、パッケージ２０を構成するためのセラミックグリーンシートから形成されるパッケージ２０と、振動片としての水晶振動素子１０と、蓋体（リッド）１６とを別々に準備する。

次に、パッケージ２０の収容部６内に、水晶振動素子１０を搭載（マウント）する（振動片接着工程Ｓ１０１）。水晶振動素子１０は、パッケージ２０の搭載板８上の内部パッド１４に導電性接着剤１７などを用いることにより電気的導通を取って接続固定される。ここでは、搭載板８上の内部パッド１４に導電性接着剤１７を塗布し、水晶振動素子１０の接続電極１３が内部パッド１４と対向するように水晶振動素子１０を搭載する。この導電性接着剤１７は、水晶振動素子１０の振動特性（電気的特性）を安定して維持するために、シリコーン系樹脂を基材とし、例えば銀（Ａｇ）などの導電体の細粒（フィラー）を混在させたシリコーン系導電接着剤を用いる。

次に、導電性接着剤１７を乾燥（硬化）する乾燥工程Ｓ１０２と、導電性接着剤１７を含むパッケージ２０をアニール処理するアニール工程Ｓ１０５と、を一連の工程として連続して行う。以下、この工程における説明では、図３（ａ）に示す実施例１の温度プロファイルを適用した例について説明する。

ここでの乾燥工程Ｓ１０２は、導電性接着剤１７の予備乾燥工程Ｓ１０３と、本乾燥工程Ｓ１０４との二つの乾燥工程を有している。そして、導電性接着剤１７の本乾燥工程Ｓ１０４の後、アニール工程Ｓ１０５が行われる。乾燥工程Ｓ１０２からアニール工程Ｓ１０５までは、一連の工程として、例えば、窒素（Ｎ₂）ガスなどの不活性ガスが充填された高温処理槽内で、連続して行う。即ち、導電性接着剤１７上に水晶振動素子１０が搭載されたパッケージ２０は、高温処理槽内から取り出されることなく予備乾燥工程Ｓ１０３、本乾燥工程Ｓ１０４、およびアニール工程Ｓ１０５の一連の工程を経る。

予備乾燥工程Ｓ１０３では、例えば、図３（ａ）に示されているように、パッケージ２０を、窒素（Ｎ₂）ガスなどの不活性ガス雰囲気、且つ５０℃〜１００℃の温度範囲で、本実施例１では７５℃の温度環境下において１０分〜６０分の範囲内、本実施例１では３０分程度保持する。この予備乾燥工程Ｓ１０３では、主剤であるシリコーン樹脂が硬化しない温度環境下で、溶剤だけが蒸発（除去）する。これにより、硬化する際にシリコーン中に取り込まれてしまう溶剤を減少させることができ、後々この取り込まれた溶剤がパッケージ２０内に蒸散することによる水晶振動素子１０の振動特性（電気的特性）の劣化を減少させることが可能となる。

続く本乾燥工程Ｓ１０４では、例えば、図３（ａ）に示されているように、窒素（Ｎ₂）ガスなどの不活性ガス雰囲気である高温処理槽内を、２００℃〜３００℃の温度範囲内で、本実施例１では２２０℃に昇温し、この中でパッケージ２０を３０分〜１２０分の範囲内、本実施例１では６０分程度保持する。これにより、導電性接着剤１７の主剤であるシリコーン樹脂の硬化反応が促進されて導電性接着剤１７が硬化し、導電性接着剤１７の所定の導電特性を得ることができる。

続くアニール工程Ｓ１０５では、例えば、図３（ａ）に示されているように、窒素（Ｎ₂）ガスなどの不活性ガス雰囲気である高温処理槽内を、２００℃〜３００℃の温度範囲で、本実施例１では２８０℃に昇温し、この中でパッケージ２０を６０分〜１８０分の範囲内、本実施例１では１２０分程度保持する。これにより、導電性接着剤１７の乾燥（硬化）時の未反応物のガスや、パッケージ２０に付着している水分などを含む付着ガスを排出する、所謂ガス出し（脱ガス）処理を行うことができる。

上述のように、予備乾燥工程Ｓ１０３から本乾燥工程Ｓ１０４さらにアニール工程Ｓ１０５を、不活性ガス雰囲気中で行うことにより、各工程間で導電性接着剤１７が酸素に触れ難くなり、導電性接着剤１７の主剤であるシリコーン樹脂の酸化劣化を防止できる。これにより、導電性接着剤１７の結合状態が安定する。

また、上述した三つの工程を、不活性ガス雰囲気中で一連の工程として連続して行うことにより、昇温時間の短縮を図ることができることから効率よく導電性接着剤１７の硬化を行うことができる。また、予備乾燥工程Ｓ１０３により、導電性接着剤１７中に取り込まれる溶剤を減少させることができるため、効率よく導電性接着剤１７の脱ガス処理を行うことができる。

（シリコーン系樹脂の耐熱劣化）
ここで、上述で用いたシリコーン系導電性接着剤１７の主剤であるシリコーン系樹脂の耐熱劣化について、図４を参照しながら簡単に説明する。図４は、シリコーン系導電性接着剤１７の主剤であるシリコーン系樹脂の耐熱劣化を示す分子構造図であり、図４（ａ）は酸化劣化を示し、図４（ｂ）は主鎖シロキサンの解裂を示している。

シリコーン系樹脂（シリコーンゴム）の耐熱性は、一般の有機ゴムなどに比べて非常に優れており、１８０℃を超える温度環境下でも連続使用が可能である。しかしながら、シリコーン系樹脂にも、耐熱劣化が存在する。シリコーン系樹脂の耐熱劣化には、図４（ａ）に示す酸化劣化と、図４（ｂ）に示す主鎖シロキサンの解裂による劣化が知られている。

先ず、図４（ａ）を参照してシリコーン系樹脂の酸化劣化について説明する。シリコーン系樹脂の酸化劣化は、空気中（有酸素環境下）において、側鎖メチル基の酸化反応とシロキサン基の生成による硬化物の劣化を引き起こす（式（１））ことによって生じる。このシリコーン系樹脂の酸化劣化は、有酸素環境下（例えば、空気中）にて生じる反応であり、例えば窒素（Ｎ₂）ガス雰囲気中、あるいは真空中（低酸素濃度環境）などにおいては生じない。

次に、図４（ｂ）を参照してシリコーン系樹脂の主鎖シロキサンの解裂による劣化について説明する。シリコーン系樹脂の主鎖シロキサンの解裂は、無酸素環境下（例えば窒素（Ｎ₂）ガス雰囲気中、あるいは真空中）にて生じる反応であり、シロキサン結合の不均化結合反応（式（２））や環状シロキサンの脱離（式（３））が起こることによって生じる。この主鎖シロキサンの解裂により、シリコーン系樹脂の耐熱劣化が生じる。

このように、高温状態でのシリコーン樹脂は、無酸素環境下である窒素（Ｎ₂）ガス雰囲気中と、真空中（低酸素濃度環境）とにおいて、耐熱劣化を生じるが、温度条件と酸素濃度を適かうに管理することによって、予備乾燥工程Ｓ１０３、本乾燥工程Ｓ１０４、およびアニール工程Ｓ１０５は、真空中（低酸素濃度環境）でなく、不活性ガス雰囲気中で一連の工程として連続して行うことができる。

（不活性ガス雰囲気における酸素濃度）
上述したように、シリコーン系樹脂の酸化劣化は、有酸素環境下（例えば、空気中）にて生じる反応である。したがって、上述の予備乾燥工程Ｓ１０３、本乾燥工程Ｓ１０４、およびアニール工程Ｓ１０５では、窒素（Ｎ₂）ガスなどの不活性ガス雰囲気中にて行う。このときの、窒素（Ｎ₂）ガスなどの不活性ガス雰囲気における酸素濃度は、０〜２００×１０^-6の酸素濃度であることが好ましい。このように、不活性ガス雰囲気における酸素濃度を０〜２００×１０^-6（０〜２００ｐｐｍ）とすることにより、シリコーン系接着剤のＳｉ分子が酸素と反応して起きる酸化劣化を、さらに起き難くすることが可能となり、シリコーン系接着剤の接着特性の劣化を防止することができる。

図５に、不活性ガス雰囲気における酸素濃度の例を示し、その酸素濃度において予備乾燥工程Ｓ１０３、本乾燥工程Ｓ１０４、およびアニール工程Ｓ１０５を行った水晶振動子１のエージングデータを図６に示す。図５において、酸素濃度を略１０００×１０^-6（１０００ｐｐｍ）に維持した場合のプロファイルを符号Ｈで示し、略酸素濃度を略０に維持した場合のプロファイルを符号Ｌで示している。また、図６（ａ）は、図５の符号Ｈプロファイルにて予備乾燥工程Ｓ１０３〜アニール工程Ｓ１０５を行った水晶振動子１のエージングデータであり、図６（ｂ）は、図５の符号Ｌのプロファイルにて予備乾燥工程Ｓ１０３〜アニール工程Ｓ１０５を行った水晶振動子１のエージングデータである。図６に示されているように、酸素濃度を略１０００×１０^-6（１０００ｐｐｍ）であっても、高温（８５℃）での加速エージングにおいても、殆んど周波数変化は生じず、良好な周波数特性が維持されていることがわかる。しかしながら、酸素濃度の管理ばらつきなどの余裕度を考慮して、酸素濃度を０〜２００×１０^-6（０〜２００ｐｐｍ）とすれば、高温（８５℃）での加速エージングにおいても、殆んど周波数変化は生じず、良好な周波数特性が確保できると規定した。

（製造工程の説明２）
図２に戻り、製造工程について説明する。
予備乾燥工程Ｓ１０３、本乾燥工程Ｓ１０４、およびアニール工程Ｓ１０５を経た水晶振動素子１０が接続されたパッケージ２０は、周波数調整工程Ｓ１０６に投入される。周波数調整工程Ｓ１０６では、例えばプラズマ法などを用い、励振電極１１の表面を研削することによって水晶振動素子１０の共振周波数を調整する。なお、周波数調整方法は、プラズマ法に限らず、例えばレーザー光を用いた方法、真空蒸着法を用いた方法などによっても行うことができる。

次に、周波数調整が終わったパッケージ２０は、収容部６を蓋体（リッド）１６によって封止する封止工程Ｓ１０７に投入される。封止工程Ｓ１０７では、水晶振動素子１０の収納された収容部６を、シームリング１５を介して蓋体（リッド）１６をパッケージ２０（壁板９）とシーム溶接することによって封止する。

以上の工程を経た後、図示しない検査工程を経て、振動デバイスとしての水晶振動子１が完成する。

（温度プロファイルの実施例２）
図３（ｂ）を参照して、予備乾燥工程Ｓ１０３、本乾燥工程Ｓ１０４、およびアニール工程Ｓ１０５における温度プロファイルの実施例２について説明する。実施例２の温度プロファイルは、本乾燥工程Ｓ１０４の温度と、アニール工程Ｓ１０５の温度とが、同じ温度に設定されている。

実施例２の温度プロファイルにおいても、予備乾燥工程Ｓ１０３では、実施例１と同じように、窒素（Ｎ₂）ガスなどの不活性ガス雰囲気、且つ５０℃〜１００℃の温度範囲で、本実施例２では７５℃の温度環境下において１０分〜６０分の範囲内にパッケージ２０を３０分程度保持する。

続く本乾燥工程Ｓ１０４およびアニール工程Ｓ１０５では、窒素（Ｎ₂）ガスなどの不活性ガス雰囲気である高温処理槽内を２００℃〜３００℃の範囲内の温度、本実施例２では２８０℃に昇温する。そして、この中で、本乾燥工程Ｓ１０４にあたる乾燥時間として６０分程度、アニール工程Ｓ１０５にあたる処理時間として１２０分程度、合計で１８０分程度パッケージ２０を保持する。これにより、導電性接着剤１７の本乾燥とアニール処理を連続して行うことができる。なお、本乾燥時間は３０分〜１２０分の範囲内、アニール処理時間は６０分〜１８０分の範囲内とすること、即ち合計の処理時間は、９０分〜３００分の範囲内とすることが好ましく、それぞれの処理を行うことができる。

実施例２の温度プロファイルのように、アニール工程Ｓ１０５および本乾燥工程Ｓ１０４の温度を同じ温度で行うことにより、本乾燥工程Ｓ１０４からアニール工程Ｓ１０５への昇温時間（図３（ａ）のｔ１）が不要となり、アニール工程Ｓ１０５の時間をさらに短縮することができ、処理の効率化を図ることができる。

上述のような水晶振動子１の製造方法によれば、予備乾燥工程Ｓ１０３から本乾燥工程Ｓ１０４さらにアニール工程Ｓ１０５を、不活性ガス雰囲気中で行うことにより、各工程間で導電性接着剤１７が酸素に触れ難くなり、導電性接着剤１７の主剤であるシリコーン樹脂の酸化劣化を防止できる。これにより、導電性接着剤１７の結合状態が安定する。
また、上述した三つの工程を、不活性ガス雰囲気中で一連の工程として連続して行うことにより、昇温時間の短縮を図ることができることから効率よく導電性接着剤１７の硬化を行うことができる。また、予備乾燥工程Ｓ１０３により、導電性接着剤１７中に取り込まれる溶剤を減少させることができるため、効率よく導電性接着剤１７の脱ガスを行うことができる。

（水晶振動子の適用例）
本発明に係る製造方法によって製造された水晶振動子１は、種々の電子機器に適用することができる。水晶振動子１は、電子機器の一例としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターに適用することができる。パーソナルコンピューターは、キーボードを備えた本体部と、表示部を有する表示ユニットと、により構成されている。表示ユニットは、本体部に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューターには、水晶振動子１が内蔵されている。

また、水晶振動子１は、電子機器として、携帯電話機（ＰＨＳも含む）に適用することができる。携帯電話機は、複数の操作ボタン、受話口および送話口を備え、操作ボタンと受話口との間には、表示部が配置されている。このような携帯電話機には、水晶振動子１が内蔵されている。

また、水晶振動子１は、電子機器として、デジタルスチールカメラに適用することができる。デジタルスチールカメラは、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。デジタルスチールカメラにおけるケース（ボディー）の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっている。表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニットが設けられている。撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッターボタンを押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリーに転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラには、水晶振動子１が内蔵されている。

なお、上記水晶振動子１は、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類）、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどにも適用することができる。

また、本発明に係る製造方法によって製造された水晶振動子１は、移動体の一例としての自動車にも適用することができる。例えば、移動体としての自動車には、水晶振動子１を内蔵してタイヤなどを制御する電子制御ユニットが車体に搭載されている。また、水晶振動子１は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

１…振動デバイスとしての水晶振動子、２…底板、３…底面、４…他方面、５…実装電極、６…収容部、８…搭載板、８ａ…搭載部、９…壁板、１０…振動片としての水晶振動素子、１１…励振電極、１２…配線電極、１３…接続電極、１４…内部パッド、１５…シームリング、１６…蓋体（リッド）、１７…導電性接着剤、２０…パッケージ、Ｓ１０１…振動片接着工程、Ｓ１０２…乾燥工程、Ｓ１０３…予備乾燥工程、Ｓ１０４…本乾燥工程、Ｓ１０５…アニール工程、Ｓ１０６…周波数調整工程、Ｓ１０７…封止工程。

Claims (6)

1. パッケージに振動片を接着剤によって接続する振動片接着工程と、
   前記接着剤を乾燥する乾燥工程と、
   前記接着剤を含む前記パッケージをアニール処理するアニール工程と、を含み、
   少なくとも前記乾燥工程から前記アニール工程を、不活性ガス雰囲気中で行うことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
2. 前記接着剤は、シリコーン系の接着剤を用いていることを特徴とする請求項１に記載の振動デバイスの製造方法。
3. 前記乾燥工程は、
   ５０℃以上１００℃以下の温度で行う予備乾燥工程と、
   前記予備乾燥工程後に、２００℃以上３００℃以下の温度で行う本乾燥工程と、を含んでいることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の振動デバイスの製造方法。
4. 前記アニール工程は、２００℃以上３００℃以下の温度で行うことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動デバイスの製造方法。
5. 前記アニール工程は、前記本乾燥工程の温度と同じ温度で行うことを特徴とする請求項３に記載の振動デバイスの製造方法。
6. 前記不活性ガス雰囲気は、０〜２００×１０^-6の酸素濃度であることを特徴とする請求項１に記載の振動デバイスの製造方法。

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