CN110729979B - 一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构 - Google Patents
一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110729979B CN110729979B CN201910937624.9A CN201910937624A CN110729979B CN 110729979 B CN110729979 B CN 110729979B CN 201910937624 A CN201910937624 A CN 201910937624A CN 110729979 B CN110729979 B CN 110729979B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- wafer
- ceramic substrate
- chip
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[Cu+2].[O-]S([O-])(=O)=O JZCCFEFSEZPSOG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000008040 ionic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/176—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of ceramic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02031—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of ceramic
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02047—Treatment of substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明属于声波滤波器技术领域，涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构；封装方法包括在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片；将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，针对外部引线制作出相应的导通孔；将芯片和金属图形正对后进行金属键合，并形成键合层金属，从导通孔连接至晶圆；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层再进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除以外的金属种子层；再制作外电极和外部电路结构，在外电极表面制作外部焊球。本发明通过金属键合，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及密封的效果能满足气密封的要求，保护了薄膜体声波滤波器件的工作面，使器件可以正常工作。
Description
技术领域
本发明属于声波滤波器技术领域，涉及薄膜体声波滤波器，尤其涉及一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构。
背景技术
目前，薄膜体声波滤波器(FBAR)的小型化封装均采用灌封树脂封装的封装形式。未来对于微型化的封装要求更高，灌封树脂对于污染问题很难控制。而薄膜体声波滤波器对工作表面要求很高，不能被污染。因此灌封树脂的封装形式难以满足实际使用需要。也有采用陶瓷外壳平行焊接的封装结构，即在外壳上制作出一个深腔结构，将裸芯片粘接于深腔内，并通过引线与外部电极电连接，然后向深腔内充入氮气以置换其内的空气，最后通过盖板将深腔封闭即可。虽然这样的封装结构满足器件不能被污染的要求，但至少存在以下两方面不足：(1)器件难以小型化，目前最小的陶瓷外壳为1.6mm*1.2mm且厚度都在1mm以上，在未来的移动设备中无法使用，仅能使用在基站中，应用场合受到很大影响；(2)加工效率低，由于每个器件需要分别加工，且为了使芯片处于洁净不被污染的环境存在氮气与空气的置换，故封装效率比较低下。
专利CN106301279A通过使用倒装焊将薄膜体声波滤波器裸芯片焊接在基板上，通过真空压力将膜层粘接在基板上，使得基板能够包裹裸芯片，让器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染以及达到密封的效果，保护了薄膜体声波滤波器的工作面，使器件可以正常工作，但是封装后器件尺寸总厚度较厚(0.6mm以上)，并且该封装方式的气密性较差；其方法仍需有改进之处。
另外，有公司在晶圆级封装方法中也有采用Si作为盖帽晶圆，例如申请人提出的专利CN109286385A，该专利通过将晶圆和封盖晶圆直接键合来对声表面波器件进行封装；但是该方法需要带活化功能的专用键合设备，且该方法对晶圆表面的颗粒度和平整度要求极高，如颗粒度和平整度较大就会导致键合强度不满足要求，在后续的减薄和深硅刻蚀时会导致两个晶圆分开。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种薄膜体声波滤波器晶圆级(WaferLevel Package，WLP)封装结构和工艺，本发明采用陶瓷基板作封盖材料。本封装工艺能够实现芯片剪切强度高、可靠性高、气密性好的特点。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法，所述封装方法包括以下步骤：
在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片，所有芯片的工作面朝向相同，所有芯片基于同一晶圆而连接成为整体；
进一步的，将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，并针对外部引线制作出相应的导通孔；
进一步的，将晶圆中的各个芯片和陶瓷基板的金属图形进行一一正对；
进一步的，将对准后的芯片和金属图形在键合压力为25～45KN、真空度为10-6～10-7mbar进行高温下280～450℃的金属键合，在陶瓷基板上形成键合层金属，并从导通孔连接至晶圆；
优选的，在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层50～500nm；
优选的，在陶瓷基板背向芯片的一面进行电镀，使通孔内填充满金属，并去除导通孔外的金属种子层；
进一步的，在陶瓷基板背向芯片的一面制作外电极和外部电路结构，并在外电极表面制作外部焊球。
优选的，金属图形采用包括金Au或铜Cu。
本发明还提出了一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装结构，包括晶圆以及陶瓷基板；在晶圆上包括多个芯片，所有芯片的工作面朝向一致；在陶瓷基板上包括多个金属图形和多个导通孔；在陶瓷基板上制备有键合层金属；陶瓷基板与晶圆之间通过金属键合连接，使得芯片与陶瓷基板的金属图形刚好一一正对；在陶瓷基板背向芯片的一面镀制有金属种子层，在金属种子层上设有外部电路布线结构和外部电极；晶圆通过键合层金属从导通孔与外部电极连接；外部电极的表面制作有外部焊球。
本发明的有益效果：
(1)本发明用金属键合的方式将薄膜体声波滤波器和陶瓷基板键合在一起，通过金属键合的方式，使器件内部与外部形成了隔绝的两个部分，从而保护裸芯片表面不被污染，保护了薄膜体声波滤波器件的工作面，使器件可以正常工作。
(2)本发明不需在薄膜体声波滤波器和陶瓷基板键合后，进行晶圆减薄和深硅刻蚀刻通孔，可避免在减薄和刻蚀孔时晶圆裂片的风险，并且可缩短工艺流程和封装时间，同时减少了封装成本。
(3)本发明可以在同一晶圆上一次性加工出多个器件，最后再切割成单个器件，因此比传统的单个封装工艺封装效率明显提高。
(4)本发明抛弃了原有技术中的陶瓷外壳，可以实现裸芯片的直接封装，WLP封装后的器件尺寸可以减少到0.8*0.6mm2，其厚度可达到0.25mm，大大降低了器件的尺寸，更有利于器件的小型化和集成化。
(5)本发明采用金属作为密封，采用金属键合实现密闭的腔体，从而实现真正意义上的气密性封装且实现了晶圆级封装。
附图说明
图1为本发明的封装方法的流程图；
图2为本发明的封装结构图；
图中，1、晶圆，2、芯片，3、键合金属层，4、导通孔，5、陶瓷基板，6、外部电极，7、外部焊球。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
如图1所示，一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法，所述封装方法包括以下步骤：
S1、在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片，所有芯片的工作面朝向相同，所有芯片基于同一晶圆而连接成为整体；
S2、将陶瓷基板表面制作多个与芯片形状匹配的金属图形，并针对外部引线制作出相应的导通孔；
可选的，将陶瓷基板为一个整体，一个金属图形对应一个晶圆，陶瓷基板上可以刻蚀出多个金属图形空腔，用于对应晶圆上的多个功能芯片。
S3、将晶圆中的各个芯片和陶瓷基板的金属图形进行一一正对；
S4、将对准后的芯片和金属图形在一定键合压力和温度下进行金属键合，在陶瓷基板上形成键合层金属，并从导通孔连接至晶圆；
本实施例中，键合压力选择为25～45KN，真空度选择为10-6～10-7mbar，温度选择为280～450℃。
在一种实施例中，键合压力为30KN，真空选择度为1.5×10-6mbar，温度选择为300℃。
在另一种实施例中，键合压力为28KN，真空选择度为1.5×10-6mbar，温度选择为350℃。
在另一种实施例中，键合压力为25KN，真空选择度为1.5×10-6mbar，温度选择为400℃。
S5、在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层；
作为一种可实现方式，本实施例提供一种磁控溅射法来镀制金属种子层，该方法具体包括：
将溅射功率设置为100w，磁控腔室的温度设置为30℃，陶瓷基板的表面温度设置有40℃，通过磁控溅射的方式，在陶瓷基板的背面形成厚度约为100nm的金属种子层。
S6、在陶瓷基板背向芯片的一面进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除导通孔外的金属种子层；
作为一种可实现方式，本实施例提供一种金属铜电镀法，该方法具体包括：
在导通孔内沉积金属铜，具体的过程可以采用以纯净的铜片为阳极，在电镀之前，将铜片表面的离子化合物和其他杂质去除，再依次使用丙酮、乙醇溶液以及去离子水进行超声清洗数分钟，并使用氮气烘干；将导通孔内的金属种子层作为阴极，并置于镀铜电镀液中，镀铜电镀液的一种配置方式可以包括：五水硫酸铜200g/L、硫酸20g/L、柠檬酸100～120g/L、氯离子70mg/L，在pH＝4.5～5.5、温度30～32℃，电流密度1.5～2.5A/dm2的条件下，电镀10～15分钟，即可得到比陶瓷基板略厚的镀制层。
S7、在陶瓷基板背向芯片的一面制作外电极和外部电路结构，并在外电极表面制作外部焊球。
本发明还提出了一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装结构，如图2所示，包括晶圆1以及陶瓷基板5；在晶圆1上包括多个芯片2，所有芯片2的工作面朝向一致；在陶瓷基板5上包括多个金属图形和多个导通孔4；在陶瓷基板5上制备有键合层金属3；陶瓷基板5与晶圆1之间通过金属键合连接，使得芯片2与陶瓷基板5的金属图形刚好一一正对；在陶瓷基板5背向芯片2的一面镀制有金属种子层，在金属种子层上设有外部电路布线结构和外部电极6；晶圆1通过键合层金属3从导通孔4与外部电极6连接；外部电极6的表面制作有外部焊球7。
优选的，金属种子层的厚度为50～500nm。
在本实施例中，金属种子层的厚度为100nm。
在本实施例中，金属图形采用包括金Au或铜Cu或者银Ag。
在一个实施例中，具体的，薄膜体声波滤波器晶圆级(WLP)封装结构，包括晶圆和陶瓷基板，在陶瓷基板上制备键合需要的金属图形和通孔(基板厂家提供)，把晶圆上的芯片与封盖陶瓷基板上的金属图形进行对准再键合，在键合后的盖帽陶瓷基板背面设有外部电路布线结构和外部电极，为方便电连接，在外部电极上还制作外部焊球，封盖陶瓷基板上制作有导通孔以将芯片的焊盘电路依次通过导通孔、外部电极和外部焊球实现电连接。这样封装后的器件即可直接通过外部焊球与PCB板实现电连接。
本封装结构采用硅晶圆，将陶瓷基板作为封盖材料。在280～450℃下，在真空度为10-6～10-7mbar和压力为25～45KN的条件下进行键合。本封装方法是在薄膜体声波器件的功能晶圆加工完成后，采用陶瓷基板(基板厂家提供)作为封盖材料，把晶圆的工作面和陶瓷基板进行金属图形对准，然后再进行金属扩散键合。扩散键合完成后再把导通孔金属化以实现内外电极的连接。
本发明可以大大降低器件封装后的尺寸，与其他的晶圆级封装形式相比，键合是硅晶圆和陶瓷基板材料直接进行金属键合，既能保证封装后的气密性要求，又能降低加工过程中的裂片率，还能缩短封装工艺流程，降低了加工成本，并可以提高器件的可靠性；该工艺无需将功能晶圆切割成单颗芯片，直接将整片包括多片功能芯片的功能晶圆直接与陶瓷基板封盖材料进行键合，也不会降低每片芯片的键合效果，大大提高效率，可以进行大批量生产。
可以理解的是，本发明中的薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构的部分特征可相互引用，本发明则不再赘述。
以上所举实施例，对本发明的目的、技术方案和优点进行了进一步的详细说明，所应理解的是，以上所举实施例仅为本发明的优选实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内对本发明所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1.一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤：
在同一片硅晶圆上加工形成多个芯片，所有芯片的工作面朝向相同，所有芯片基于同一晶圆而连接成为整体；
将陶瓷基板表面制作多个与芯片焊盘形状相匹配的金属图形，并针对外部引线制作出相应的导通孔；
将晶圆中的各个芯片和陶瓷基板的金属图形进行一一正对；
将对准后的芯片和金属图形在一定温度和键合压力下进行金属键合，金属键合的温度为280~450℃，其采用的键合压力为25~45KN、真空度为10-6~10-7mbar；在陶瓷基板上形成键合层金属，并从导通孔连接至晶圆；
在陶瓷基板背向芯片的一面镀制金属种子层；
在陶瓷基板背向芯片的一面进行电镀，使导通孔内填充满金属，并去除导通孔外的金属种子层；
在陶瓷基板背向芯片的一面制作外电极和外部电路结构，并在外电极表面制作外部焊球。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，金属图形采用包括金Au或铜Cu。
3.一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括晶圆（1）以及陶瓷基板（5）；在晶圆（1）上包括多个芯片（2），所有芯片（2）的工作面朝向一致；其特征在于，在陶瓷基板（5）上包括多个金属图形和多个导通孔（4）；在陶瓷基板（5）上制备有键合层金属（3）；陶瓷基板（5）与晶圆（1）之间通过金属键合连接，使得芯片（2）与陶瓷基板（5）的金属图形刚好一一正对；在陶瓷基板（5）背向芯片（2）的一面镀制有金属种子层，在金属种子层上设有外部电路布线结构和外部电极（6）；晶圆（1）通过键合层金属（3）从导通孔（4）与外部电极（6）连接；外部电极（6）的表面制作有外部焊球（7）；金属图形的厚度为1~4um。
4.根据权利要求3所述的一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，金属种子层的厚度为50~500nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910937624.9A CN110729979B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910937624.9A CN110729979B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110729979A CN110729979A (zh) | 2020-01-24 |
| CN110729979B true CN110729979B (zh) | 2022-09-09 |
Family
ID=69218584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910937624.9A Active CN110729979B (zh) | 2019-09-30 | 2019-09-30 | 一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110729979B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111555732B (zh) * | 2020-05-12 | 2022-07-12 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种薄膜体声波器件封装结构及其封装方法 |
| CN111654262B (zh) * | 2020-06-19 | 2023-09-08 | 北京航天微电科技有限公司 | 一种saw滤波器芯片的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构 |
| CN112583375A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-03-30 | 北京航天微电科技有限公司 | 一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法和封装器件 |
| CN113443602B (zh) * | 2021-06-02 | 2023-12-08 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 微机电系统芯片晶圆级封装结构及其制造工艺 |
| CN113411069A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-17 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种体声波滤波器装置及提升带外抑制的方法 |
| CN113691233A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-11-23 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种高可靠性晶圆级封装的声表滤波器结构及其制备方法 |
| CN114157260B (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-20 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种滤波器芯片晶圆级封装结构及封装工艺 |
| CN114640322B (zh) * | 2022-03-25 | 2023-05-12 | 电子科技大学 | 一种调控fbar滤波器中心频率的方法 |
| CN114640320A (zh) * | 2022-03-25 | 2022-06-17 | 电子科技大学 | 一种改善fbar滤波器性能的方法 |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7109635B1 (en) * | 2003-06-11 | 2006-09-19 | Sawtek, Inc. | Wafer level packaging of materials with different coefficients of thermal expansion |
| JP2009033333A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品 |
| CN102111116A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-06-29 | 张�浩 | 整合的晶圆级别封装体 |
| JP2012209662A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料、それを用いた弾性表面波デバイス接合ウエハ及びそれから切断された弾性表面波デバイス |
| CN105490662A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-13 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种声表面波滤波器及其制造方法 |
| CN205789958U (zh) * | 2016-01-29 | 2016-12-07 | 宜确半导体（苏州）有限公司 | 一种射频天线开关芯片 |
| CN106301279A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-04 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种薄膜体声波滤波器封装结构及封装方法 |
| CN106374840A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-01 | 中国电子科技集团公司第三十六研究所 | 一种射频下变频芯片 |
| CN206041948U (zh) * | 2016-07-27 | 2017-03-22 | 扬州大学 | 一种声表面波器件插片式封装结构 |
| CN106888001A (zh) * | 2017-03-08 | 2017-06-23 | 宜确半导体（苏州）有限公司 | 声波设备及其晶圆级封装方法 |
| CN107919862A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-17 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种声表面波器件气密性晶圆级封装结构和工艺 |
| CN108011608A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-08 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种应用于声表面波滤波器的晶圆级封装结构及封装工艺 |
| CN108233890A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-29 | 华天科技（昆山）电子有限公司 | Fbar滤波器封装结构及封装方法 |
| CN108512523A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-09-07 | 贵州中科汉天下微电子有限公司 | 压电声波器件的封装方法及封装结构 |
| CN109286385A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-01-29 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种声表面波器件晶圆级封装结构及其封装方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010114602A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Sand9, Inc. | Integration of piezoelectric materials with substrates |
| US8330559B2 (en) * | 2010-09-10 | 2012-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer level packaging |
-
2019
- 2019-09-30 CN CN201910937624.9A patent/CN110729979B/zh active Active
Patent Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7109635B1 (en) * | 2003-06-11 | 2006-09-19 | Sawtek, Inc. | Wafer level packaging of materials with different coefficients of thermal expansion |
| JP2009033333A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品 |
| CN102111116A (zh) * | 2010-11-24 | 2011-06-29 | 张�浩 | 整合的晶圆级别封装体 |
| JP2012209662A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料、それを用いた弾性表面波デバイス接合ウエハ及びそれから切断された弾性表面波デバイス |
| CN105490662A (zh) * | 2015-11-27 | 2016-04-13 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种声表面波滤波器及其制造方法 |
| CN205789958U (zh) * | 2016-01-29 | 2016-12-07 | 宜确半导体（苏州）有限公司 | 一种射频天线开关芯片 |
| CN206041948U (zh) * | 2016-07-27 | 2017-03-22 | 扬州大学 | 一种声表面波器件插片式封装结构 |
| CN106374840A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-01 | 中国电子科技集团公司第三十六研究所 | 一种射频下变频芯片 |
| CN106301279A (zh) * | 2016-10-31 | 2017-01-04 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种薄膜体声波滤波器封装结构及封装方法 |
| CN106888001A (zh) * | 2017-03-08 | 2017-06-23 | 宜确半导体（苏州）有限公司 | 声波设备及其晶圆级封装方法 |
| CN108512523A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-09-07 | 贵州中科汉天下微电子有限公司 | 压电声波器件的封装方法及封装结构 |
| CN108011608A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-08 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种应用于声表面波滤波器的晶圆级封装结构及封装工艺 |
| CN107919862A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-04-17 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种声表面波器件气密性晶圆级封装结构和工艺 |
| CN108233890A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-29 | 华天科技（昆山）电子有限公司 | Fbar滤波器封装结构及封装方法 |
| CN109286385A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-01-29 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种声表面波器件晶圆级封装结构及其封装方法 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Overlay as the key to drive wafer scale 3D integration;Steen, S.E.a 等;《Microelectronic Engineering》;20070831;第84卷(第5-8期);1412-1415 * |
| Three-dimensional wafer stacking via Cu-Cu bonding integrated with 65-nm strained-Si/low-k CMOS technology;P.R. Morrow 等;《IEEE Electron Device Letters》;20060501;第27卷(第5期);335-337 * |
| X波段铁氧体微带环行器阵列封装设计与仿真;陈永星 等;《磁性材料及器件》;20190515;第50卷(第3期);25-28+69 * |
| 基于晶圆级封装技术的声表面波滤波器;王祥邦 等;《电子与封装》;20190720;第19卷(第7期);1-3+32 * |
| 晶圆级封装对声表滤波器性能的影响;肖立 等;《压电与声光》;20160815;第38卷(第4期);628-632 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110729979A (zh) | 2020-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110729979B (zh) | 一种薄膜体声波滤波器晶圆级封装方法及其结构 | |
| US6165820A (en) | Package for electronic devices | |
| US7808060B2 (en) | MEMS microphone module and method thereof | |
| US6429508B1 (en) | Semiconductor package having implantable conductive lands and method for manufacturing the same | |
| TWI336912B (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| US6306680B1 (en) | Power overlay chip scale packages for discrete power devices | |
| US7157791B1 (en) | Semiconductor chip assembly with press-fit ground plane | |
| CN106783755B (zh) | 一种带镀铜围坝的陶瓷封装基板制备方法 | |
| US6562657B1 (en) | Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint | |
| US6660626B1 (en) | Semiconductor chip assembly with simultaneously electrolessly plated contact terminal and connection joint | |
| TWI476877B (zh) | 氣腔式封裝結構及方法 | |
| US6614110B1 (en) | Module with bumps for connection and support | |
| CN109286385A (zh) | 一种声表面波器件晶圆级封装结构及其封装方法 | |
| CN109244231B (zh) | 一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法 | |
| CN110649909B (zh) | 一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构 | |
| CN103035578B (zh) | 形成具有较大载体的重构晶片的半导体器件和方法 | |
| KR20010014945A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| CN103887256A (zh) | 一种高散热芯片嵌入式电磁屏蔽封装结构及其制作方法 | |
| WO2000019514A1 (fr) | Boitier de semiconducteur et procede correspondant de soudage de puce | |
| US7245023B1 (en) | Semiconductor chip assembly with solder-attached ground plane | |
| JP2006202974A (ja) | 電子装置及びその製造方法 | |
| TWI505381B (zh) | 半導體基板和在凸塊於導線上的部位形成保形焊料濕潤增強層的方法 | |
| CN114649226B (zh) | 使用具有尖牙设计的预成形掩模的选择性emi屏蔽 | |
| WO2021114140A1 (zh) | 滤波芯片封装方法及封装结构 | |
| CN217721145U (zh) | 一种薄膜体声波滤波器气密性晶圆级封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230906 Address after: 400060 Chongqing Nanping Nan'an District No. 14 Huayuan Road Patentee after: CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION NO.26 Research Institute Address before: 400060 Chongqing Nanping Nan'an District No. 14 Huayuan Road Patentee before: CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION NO.26 Research Institute Patentee before: University of Electronic Science and Technology of China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |