CN112422101A - 一种电子器件及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种电子器件及其形成方法。在第一晶圆上制备发射端谐振结构和接收端封盖腔，在第二晶圆上制备发射端封盖腔和接收端谐振结构，从而在键合第一晶圆和第二晶圆之后，即可在发射区中形成发射端滤波器以及在接收区中形成接收端滤波器。本发明提供的形成方法，不仅可以简化器件的制备工艺，提高器件的精准性和稳定性，并且还有利于将发射端滤波器和接收端滤波器集成设置在同一芯片中，提高了器件的集成度，减小了器件的封装尺寸。

Description

一种电子器件及其形成方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种电子器件及其形成方法。
背景技术
针对含有不同频率滤波器的电子器件而言，通常是分别制备不同频率的滤波器，之后再进行集成以形成电子器件。例如，异频双工器件，其可将发射信号和接收信号相隔离，保证接收和发射能够各自完成而不相互影响，因而被广泛应用于移动通信领域。具体而言，双工器通常是由两组不同频率的滤波器（分别为发射端滤波器和接收端滤波器）组成，而体声波滤波器（BAW）因其工作频率高、体积小、插损小、高Q值以及半导体工艺兼容等优势而被大量采用。
针对体声波滤波器而言，其频率一般是由谐振结构的薄膜厚度决定，因此在电子器件中具有不同频率的发射端滤波器和接收端滤波器的薄膜参数即相应的存在差异，此时，在将发射端滤波器和接收端滤波器制备在同一晶圆上时即会导致滤波器的频率调整会受到其余滤波器的限制而难以精确调整。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电子器件的形成方法，以使得电子器件中具有不同频率的发射端滤波器和接收端滤波器可以各自进行精确的频率调整，并有利于实现电子器件的整体器件尺寸。
为此，本发明提供一种电子器件的形成方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，刻蚀所述第一晶圆以在第一晶圆的接收区中形成接收端封盖腔，并在所述第一晶圆的发射区中依次形成下电极、压电层、上电极和钝化层以形成发射端谐振结构，以及刻蚀所述第二晶圆以在第二晶圆的发射区中形成发射端封盖腔，并在所述第二晶圆的接收区中依次形成下电极、压电层、上电极和钝化层以形成接收端谐振结构；以及，键合所述第一晶圆和所述第二晶圆，以使所述第一晶圆中的接收端封盖腔封盖所述第二晶圆上的接收端谐振结构构成接收端滤波器，所述第二晶圆中的发射端封盖腔封盖所述第一晶圆上的发射端谐振结构构成发射端滤波器。
可选的，所述第一晶圆的发射区中还形成有空腔，所述发射端滤波器包括沿着第一晶圆指向第二晶圆的方向顺序排布的空腔、发射端谐振结构和发射端封盖腔；以及，所述第二晶圆的接收区中还形成有空腔，所述接收端滤波器包括沿着第二晶圆指向第一晶圆的方向顺序排布的空腔、接收端谐振结构和接收端封盖腔，使得所述接收端滤波器相对于所述发射端滤波器倒置。
可选的，在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆之后，所述接收端谐振结构中的膜层排布顺序相对于所述发射端谐振结构中的膜层排布顺序倒置。
可选的，所述第一晶圆的发射区中还形成有空腔，所述发射端谐振结构形成在空腔的上方，以及所述第一晶圆中的空腔和接收端封盖腔利用同一光罩在同一工艺中同时形成；和/或，所述第二晶圆的接收区中还形成有空腔，所述接收端谐振结构形成在空腔的上方，以及所述第二晶圆中的空腔和发射端封盖腔利用同一光罩在同一工艺中同时形成。
可选的，所述发射端谐振结构的形成方法还包括：基于第一刻蚀参数侧向刻蚀发射区中的上电极的端部，以使钝化层对应的端部悬空而构成悬空部。以及，所述接收端谐振结构的形成方法还包括：基于第二刻蚀参数侧向刻蚀接收区中的上电极的端部，以使钝化层对应的端部悬空而构成悬空部，其中所述第二刻蚀参数不同于所述第一刻蚀参数。
可选的，所述第一晶圆的发射区中还形成有发射端连接件，所述发射端连接件位于所述发射端谐振结构的侧边并与所述发射端谐振结构电性连接，所述第二晶圆的发射区中还形成有发射端键合柱，所述发射端键合柱与所述发射端连接件位置对应，以及在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述发射端键合柱和所述发射端连接件键合连接以形成发射端引出件；和/或，所述第二晶圆的接收区中还形成有接收端连接件，所述接收端连接件位于所述接收端谐振结构的侧边并与所述接收端谐振结构电性连接，所述第一晶圆的接收区中还形成有接收端键合柱，所述接收端键合柱与所述接收端连接件位置对应，以及在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述接收端键合柱和所述接收端连接件键合连接以形成接收端引出件。
可选的，在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆之后，还包括：减薄所述第一晶圆或第二晶圆，并刻蚀减薄后的晶圆以形成多个接触孔，所述多个接触孔暴露出所述发射端引出件和所述接收端引出件；在所述接触孔中形成导电插塞，并在对应的晶圆上形成接触垫，所述接触垫覆盖所述导电插塞以和所述导电插塞电性连接；以及，在所述接触垫上形成焊球。
可选的，在所述第一晶圆上还形成有第一键合环，所述第一键合环将所述发射区和所述接收区环绕在内，以及在所述第二晶圆上还形成有第二键合环，所述第二键合环和所述第一键合环的位置对应；以及，在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述第一键合环和所述第二键合环键合连接。
本发明的又一目的在于提供一种电子器件，包括相互键合的第一晶圆和第二晶圆；其中，在发射区中，所述第一晶圆上形成有发射端谐振结构，所述发射端谐振结构包括沿着第一晶圆指向第二晶圆的方向依次堆叠设置的下电极、压电层、上电极和钝化层，以及所述第二晶圆中形成有发射端封盖腔，所述发射端封盖腔封盖所述发射端谐振结构以构成发射端滤波器；以及，在接收区中，所述第一晶圆上形成有接收端封盖腔，所述第二晶圆上形成有接收端谐振结构，所述接收端谐振结构包括沿着第二晶圆指向第一晶圆的方向依次堆叠设置的下电极、压电层、上电极和钝化层，所述接收端封盖腔封盖所述接收端谐振结构以构成接收端滤波器。
可选的，所述发射区中的所述发射端谐振结构用于构成发射端滤波器，所述接收区中的所述接收端谐振结构用于构成接收端滤波器，并且所述接收端滤波器相对于所述发射端滤波器倒置。
可选的，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间还形成有密封环，所述密封环将所述发射端滤波器和所述接收端滤波器环绕在内。
在本发明提供的电子器件的形成方法中，在第一晶圆上制备发射端谐振结构和接收端封盖腔，并在第二晶圆上制备发射端封盖腔和接收端谐振结构，从而在键合第一晶圆和第二晶圆之后，即可以同时在发射区中形成发射端滤波器以及在接收区中形成接收端滤波器。可见，本发明提供的形成方法，不仅可以简化器件的制备工艺，并且还有利于将发射端滤波器和接收端滤波器集成设置在同一芯片中，提高了器件的集成度，减小了器件的封装尺寸，并有利于降低封装成本。此外，本发明中即使是将发射端滤波器和接收端滤波器集成设置在同一芯片中，仍然能够对发射端滤波器和接收端滤波器分别进行频率调整，提高器件的精准性和稳定性。
附图说明
图1为本发明一实施例中的电子器件的形成方法的流程示意图。
图2~图8为本发明一实施例中的电子器件的形成方法在其制备过程中的结构示意图。
其中，附图标记如下：100T-发射区；100R-接收区；110-第一晶圆；120-第二晶圆；200T-发射端谐振结构；200R-接收端谐振结构；210T/210R-下电极；220T/220R-压电层；230T/230R-上电极；240T/240R-钝化层；250 T/250R-空腔；300T-发射端封盖腔；300R-接收端封盖腔；410T-发射端第一引出件；420T-发射端第二引出件；410R-接收端第一引出件；420R-接收端第二引出件；500-牺牲层；610T/610R-第一连接件；620T/620R-第二连接件；710-第一键合环；720-第二键合环；700-密封环；810R-接收端键合柱；820T-发射端键合柱；910-接触孔；920-互连层；930-焊垫。
具体实施方式
承如背景技术所述，针对电子器件中的发射端滤波器和接收端滤波器而言，不同类别的滤波器的薄膜参数需要各自调整，以达到其各自对应的频率。而在将发射端滤波器和接收端滤波器的谐振结构均形成在同一晶圆上时，则不同类别的滤波器的薄膜参数即会受到限制而无法精准调整。例如，发射端滤波器和接收端滤波器的上电极的厚度不同，从而在对上电极进行侧向回刻蚀以使上电极上方的钝化层的端部悬空而构成悬空部时，则针对不同厚度的上电极而言其侧向回刻蚀的尺寸即难以控制，进而会影响器件的Q值。
对此，则可将发射端滤波器和接收端滤波器分别形成在两个晶圆上，并在两个晶圆上依次形成发射端滤波器和接收端滤波器的谐振结构之后，再另外提供两个晶圆，以一一封盖发射端滤波器和接收端滤波器的谐振结构，以对发射端滤波器和接收端滤波器进行封装。如此，虽然可以对发射端滤波器和接收端滤波器的频率分别进行调整，然而该方法需要利用至少4个晶圆，并分别对发射端滤波器和接收端滤波器进行封装在不同的芯片中，这不仅使得器件的制备工艺更加繁琐、增加了器件的制备成本、并且还降低了器件的集成度。
有鉴于此，本发明提供了一种电子器件的形成方法，不仅可以对发射端滤波器和接收端滤波器均进行精确的频率调整，并且还有利于提高器件的集成度，减低制备成本。具体可参考图1所示，所述形成方法包括：步骤S100，提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆的发射区中形成有发射端谐振结构，所述第一晶圆的接收区中形成有接收端封盖腔，以及所述第二晶圆的发射区中形成发射端封盖腔，所述第二晶圆的接收区中形成有接收端谐振结构；步骤S200，键合所述第一晶圆和所述第二晶圆，以使所述第一晶圆中的接收端封盖腔封盖所述第二晶圆上的接收端谐振结构构成接收端滤波器，所述第二晶圆中的发射端封盖腔封盖所述第一晶圆上的发射端谐振结构构成发射端滤波器。
以下结合图2~图8和具体实施例对本发明提出的电子器件及其形成方法作进一步详细说明，其中图2~图8为本发明一实施例中的电子器件的形成方法在其制备过程中的结构示意图。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。以及附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。
首先执行步骤S100，具体参考图2~图5所示，提供第一晶圆110和所述第二晶圆120。
重点参考图2所示，所述第一晶圆110的发射区100T中形成有发射端谐振结构200T，所述发射端谐振结构200T具体可用于构成发射端滤波器（例如，发射端的体声波滤波器）。进一步的，所述第一晶圆110的发射区100T中还形成有空腔250T，所述发射端谐振结构200T形成在所述空腔250T的上方。以及，所述第一晶圆110的接收区100R中形成有接收端封盖腔300R。
本实施例中，所述发射区100T中的空腔250T和所述接收端封盖腔300R可以在同一工艺中形成。具体的，可以利用同一光罩执行光刻工艺以同时在所述第一晶圆110中形成所述空腔250T和所述接收端封盖腔300R。进一步的，在形成所述空腔250T和所述接收端封盖腔300R之后，填充牺牲层500在所述空腔250T和所述接收端封盖腔300R中。具体的，可采用平坦化工艺将所述牺牲层500对准填充在所述空腔250T和所述接收端封盖腔300R中，如此，即有利于后续工艺中谐振结构的制备过程。
继续参考图2所示，在所述第一晶圆110上形成所述发射端谐振结构200T。所述发射端谐振结构200T包括依次形成在所述第一晶圆110上的下电极210T、压电层220T、上电极230T和钝化层240T。其中，下电极210T和上电极230T的材料例如均包括钼（Mo）；以及，所述压电层220T和所述钝化层240T的材料例如可包括氧化锌（ZnO）、氮化铝（AlN）和锆钛酸铅（PZT）中的至少一种。
本实施例中，所述发射端谐振结构200T的形成方法还包括：基于第一刻蚀参数侧向刻蚀所述上电极230T的端部，以使所述钝化层240T对应的端部悬空而构成悬空部，有利于提高滤波器的质量因子（Q值）。需要说明的是，由于第一晶圆110上仅形成有发射端滤波器的谐振结构，因此仅需要根据发射端滤波器的谐振结构其上电极230T的具体厚度对应设置侧向刻蚀参数，实现对上电极230T的回刻蚀尺寸的精确控制，保障所形成的滤波器的性能。
进一步的，在形成所述发射端谐振结构200T之后，还包括：在所述第一晶圆110的发射区100T中还形成有发射端连接件，所述发射端连接件位于所述发射端谐振结构200T的侧边并与所述发射端谐振结构200T电性连接。其中，所述发射端连接件包括第一连接件610T和第二连接件620T，所述第一连接件610T和所述下电极210T电性连接，所述第二连接件620T和所述上电极230T电性连接。本实施例中，所述下电极210T相对于其上方的膜层延伸出，并使所述第一连接件610T形成在所述下电极210T其延伸出的端部上；以及，附图2所示的剖面示意图中未明确体现出第二连接件620T和上电极230T之间的电性连接，然而本领域技术人员知晓第二连接件620T和上电极230T之间是可以通过其他互连结构实现电性连接。
本实施例中，在制备发射端谐振结构200T的下电极210T时，还同时在所述第一晶圆的发射区100T中形成与所述下电极210T相互分断的上电极引出部，并进一步使所述第二连接件620T形成在所述上电极引出部上。即，本实施例中，所述第一连接件610T和所述第二连接件620T分别形成在由同一导电材料层分断形成的下电极210T和上电极引出部上，从而使得所述第一连接件610T和所述第二连接件620T的高度一致或基本一致。后续在进行封装时，即有利于保证第一连接件610T和第二连接件620T均能够被电性引出。
进一步的，连接发射端谐振结构200T的第一连接件610T和第二连接件620T分别设置在所述发射端谐振结构200T的两侧，并均采用金属材料形成，例如可采用铝（Al）、金（Au）、铜（Cu）和钼（Mo）中的至少一种。如此，一方面可保证所述第一连接件610T和第二连接件620T的导电性能，另一方面在后续的键合过程中，则还可以利用所述第一连接件610T和第二连接件620T在所述发射端谐振结构200T的两侧实现辅助键合和支撑的作用，以避免后续封盖在所述发射端谐振结构200T上方的发射端封盖腔向下坍塌而抵触至谐振结构上。
以及，在所述第一晶圆110的接收区100R中还形成有接收端键合柱810R，所述接收端键合柱810R布置在所述接收端封盖腔300R的侧边并与所述第二晶圆120上的接收端连接件位置对应。本实施例中，具有至少两个接收端键合柱810R，以及至少两个接收端键合柱810R分别布置在所述接收端封盖腔300R的两侧，并且和第二晶圆120上的用于连接接收端谐振结构200R的第一连接件610R和第二连接件620R位置对应。在后续的键合工艺中，所述至少两个接收端键合柱810R即分别和接收端谐振结构200R两侧的第一连接件610R和第二连接件620R一一对应键合。
进一步的，所述接收端键合柱810R的底部还部分嵌入至所述第一晶圆110中。具体的，在制备所述接收端键合柱810R之前，可以在所述第一晶圆110的表面上形成至少一个凹槽以形成不平整的表面，之后再形成所述接收端键合柱810R时，即可使所述接收端键合柱810R填充所述凹槽以嵌入至所述第一晶圆110中，如此即有利于提高所述接收端键合柱810R在第一晶圆110上的附着强度。
继续参考图2所示，在所述第一晶圆110上还形成有第一键合环710，所述第一键合环710将所述发射区100T和所述接收区100R环绕在内。可以认为，一个键合环710环绕出一个电子器件，以及一个键合环710也对应一个半导体芯片。即，本实施例中，将电子器件的发射端滤波器和接收端滤波器均集成在同一半导体芯片内。
本实施例中，所述第一键合环710、所述接收端键合柱810R以及连接发射端谐振结构200T的第一连接件610T和第二连接件620T可以在同一工艺中采用相同材料制备形成。
之后，具体参考图3所示，在形成所述发射端谐振结构200T和其他膜层（例如，连接件、键合柱等）之后，即可去除空腔250T和接收端封盖腔300R中的牺牲层，以释放出所述空腔250T和所述接收端封盖腔300R。
接着重点参考图4所示，所述第二晶圆120的发射区100T中形成有发射端封盖腔300T。以及，所述第二晶圆120的接收区100R中形成有接收端谐振结构200R，具体可用于构成接收端滤波器（例如，接收端的体声波滤波器）。进一步的，所述第二晶圆120的接收区100R中还形成有空腔250R，所述接收端谐振结构200R形成在所述空腔250R的上方。
与所述第一晶圆110类似的，所述第二晶圆120中所述接收区100R中的空腔250R和所述发射端封盖腔300T可以在同一工艺中形成。具体的，可以利用同一光罩执行光刻工艺以同时在所述第二晶圆120中形成所述空腔250R和所述发射端封盖腔300T。进一步的，在形成所述空腔250R和所述接收端封盖腔300T之后，填充牺牲层500在所述空腔250R和所述发射端封盖腔300T中。
继续参考图4所示，所述第二晶圆120上的所述接收端谐振结构200R包括依次形成在所述第二晶圆120上的下电极210R、压电层220R、上电极230R和钝化层240R。其中，下电极210R和上电极230R的材料例如均包括钼（Mo）；以及，所述压电层220R和所述钝化层240R的材料例如可包括氧化锌（ZnO）、氮化铝（AlN）和锆钛酸铅（PZT）中的至少一种。
需要说明的是，在发射区100T中形成的发射端滤波器的频率和在所述接收区100R中形成的接收端滤波器的频率通常不同，为此，则可使所述发射端谐振结构200T中膜层厚度不同于接收端谐振结构200R中的膜层厚度。例如，可使所述发射端谐振结构200T中的上电极230T的厚度不同于接收端谐振结构200R中的上电极230R的厚度；和/或，使所述发射端谐振结构200T中的钝化层240T的厚度不同于接收端谐振结构200R中的钝化层240R的厚度等等。具体的，可使所述发射端谐振结构200T中膜层厚度大于接收端谐振结构200R中的膜层厚度。
进一步的，所述接收端谐振结构200R的形成方法还包括：基于第二刻蚀参数侧向刻蚀所述上电极230R的端部，以使所述钝化层240R对应的端部悬空而构成悬空部，有利于提高滤波器的质量因子（Q值）。需要说明的是，由于第二晶圆120上仅形成有接收端滤波器的谐振结构，因此仅需要根据接收端滤波器的谐振结构其上电极230R的具体厚度对应设置侧向刻蚀参数，实现对上电极230R的回刻蚀尺寸的精确控制，保障所形成的滤波器的性能。
本实施例中，所述发射端谐振结构200T中的上电极230T的厚度不同于接收端谐振结构200R中的上电极230R的厚度，基于此，则所述第二刻蚀参数相应的不同于所述第一刻蚀参数。例如，第二刻蚀参数中的刻蚀时间不同于第一刻蚀参数中的刻蚀时间；和/或，第二刻蚀参数中的刻蚀剂浓度不同于第一刻蚀参数中的刻蚀剂浓度等。以一具体示例为例，所述发射端谐振结构200T中的上电极230T的厚度大于接收端谐振结构200R中的上电极230R的厚度，则可使第一刻蚀参数中的刻蚀时间大于第二刻蚀参数中的刻蚀时间。
与所述第一晶圆110相对应的，所述第二晶圆120的接收区100R中还形成有接收端连接件，所述接收端连接件位于所述接收端谐振结构200R的侧边并与所述接收端谐振结构200R电性连接。具体的，所述接收端连接件包括第一连接件610R和第二连接件620R，所述第一连接件610R和所述下电极210R电性连接，所述第二连接件620R和所述上电极230R电性连接。以及，连接接收端谐振结构200R的第一连接件610R和第二连接件620R分别设置在所述接收端谐振结构200R的两侧。
其中，接收端谐振结构200R与对应的第一连接件610R和第二连接件620R之间的连接方式可参考发射端谐振结构200T与对应的第一连接件610T和第二连接件620T之间的连接方式；以及，接收端谐振结构200R中各个膜层的材料可以和所述发射端谐振结构200T中的各个膜层的材料相同，此处不再赘述。
继续参考图4所示，所述第二晶圆120的发射区100T中还形成有发射端键合柱820T，所述发射端键合柱820T布置在所述发射端封盖腔300T的侧边并与所述第一晶圆110上的发射端连接件位置对应。本实施例中，设置有至少两个发射端键合柱820T，以及至少两个发射端键合柱820T分别布置在所述发射端封盖腔300T的两侧，并和第一晶圆110上的用于连接发射端谐振结构200T的第一连接件610T和第二连接件620T位置对应。在后续的键合工艺中，所述至少两个发射端键合柱820T即分别和发射端谐振结构200T两侧的第一连接件610T和第二连接件620T一一对应键合。
同样的，所述发射端键合柱820T的底部也部分嵌入至所述第二晶圆120中，以提高所述发射端键合柱820T在第二晶圆120上的附着强度。体可参照第一晶圆110上的接收端键合柱810R的结构，此处不再赘述。
继续参考图4所示，在所述第二晶圆120上还形成有第二键合环720，并且所述第二晶圆120上的所述第二键合环720和所述第一晶圆110上的所述第一键合环710的位置对应，在键合工艺中，所述第一键合环710即和所述第二键合环720键合连接。此时，所述第二键合环720即相应的将所述发射区100T和所述接收区100R环绕在内。
之后，具体参考图5所示，在形成所述接收端谐振结构200R和其他膜层（例如，连接件、键合柱等）之后，即可去除空腔250R和发射端封盖腔300T中的牺牲层，以释放出空腔250R和所述发射端封盖腔300T。
接着执行步骤S200，具体参考图6所示，键合所述第一晶圆110和所述第二晶圆120，以使所述第一晶圆110中的接收端封盖腔300R封盖所述第二晶圆120上的接收端谐振结构200R以构成接收端滤波器，所述第二晶圆120中的发射端封盖腔300T封盖所述第一晶圆110上的发射端谐振结构200T以构成发射端滤波器。
本实施例中，所述发射端滤波器即包括沿着第一晶圆110指向第二晶圆120的方向顺序排布的空腔250T、发射端谐振结构200T和发射端封盖腔300T。以及，所述接收端滤波器包括沿着第二晶圆120指向第一晶圆110的方向顺序排布的空腔250R、接收端谐振结构200R和接收端封盖300R。即，所述接收端滤波器相对于所述发射端滤波器倒置。
继续参考图6所示，键合所述第一晶圆110和所述第二晶圆120后，所述接收区100R中的接收端谐振结构200R的膜层排布顺序相对于所述发射区100T中的发射端谐振结构200T的膜层排布顺序倒置。例如，本实施例中，所述发射端谐振结构200T中的下电极、压电层、上电极和钝化层为由下至上依次堆叠设置，而所述接收端谐振结构200R中的下电极、压电层、上电极和钝化层则是由上至下依次堆叠设置。
进一步的，键合所述第一晶圆110和所述第二晶圆120后，第一晶圆110上的第一键合环和所述第二晶圆120上的第二键合环键合连接，进而形成密封环700。如此，即可将发射端滤波器和接收端滤波器环绕在同一半导体芯片内。
以及，键合所述第一晶圆110和所述第二晶圆120后，所述第一晶圆110上的接收端键合柱和第二晶圆120上的所述接收端连接件键合连接以形成接收端引出件，所述第二晶圆120上的发射端键合柱和所述第一晶圆110上的发射端连接件键合连接以形成发射端引出件。具体的，在所述发射区100T中，第一晶圆110上的第一连接件和第二连接件分别键合连接第二晶圆120上的两个发射端键合柱，以分别形成发射端第一引出件410T和发射端第二引出件420T。以及，在所述接收区100R中，第二晶圆120上的第一连接件和第二连接件分别键合连接第一晶圆110上的两个接收端键合柱，以分别形成接收端第一引出件410R和接收端第二引出件420R。
本实施例中，利用第一键合环和第二键合环执行金属键合以形成密封环700，进而将所述第一晶圆110和所述第二晶圆120相互键合。并且，所述发射区100T中，发射端谐振结构200T两侧也同时利用连接件和键合柱进行金属键合，不仅提高了第一晶圆110和第二晶圆120之间的键合强度，还可利用键合形成的发射端引出件支撑在发射端谐振结构200T的两侧，提升器件的机械强度。同样的，在接收区100R中，接收端谐振结构200R两侧也同时利用连接件和键合柱进行金属键合，进一步提高了晶圆之间的键合强度，并且由此形成的接收端引出件也相应的支撑在接收端谐振结构200R的两侧。
进一步的方案中，所述电子器件的形成方法还包括步骤S300，具体参考图7所示，减薄所述第一晶圆110或第二晶圆120，并刻蚀减薄后的晶圆以形成多个接触孔910，所述多个接触孔910分别暴露出所述发射端谐振结构200T的发射端引出件（包括发射端第一引出件410T和发射端第二引出件420T），以及暴露出所述接收端谐振结构200R的接收端引出件（包括接收端第一引出件410R和接收端第二引出件420R）。
本实施例中，对所述第二晶圆120进行减薄并刻蚀，以将所述接触孔910形成在所述第二晶圆120中。然而在其他实施例中，也可以对所述第一晶圆110进行减薄并刻蚀，进而将所述接触孔形成在所述第一晶圆110中。
接着在步骤S400中，具体参考图8所示，在所述接触孔910中形成导电插塞920，并在对应的晶圆上形成接触垫930，所述接触垫930覆盖所述导电插塞920以和所述导电插塞920电性连接，以及在所述接触垫930上形成焊球940。
其中，所述发射端谐振结构200T的其中一个引出件（本实施例中为发射端第一引出件410T）和所述接收端谐振结构200R的其中一个引出件（本实施例中为接收端第一引出件410R）均电性连接至同一焊球940，以及该焊球940（即同时连接有发射端引出件和接收端引出件的焊球）则对应于天线端口。
进一步的方案中，所述电子器件的形成方法还包括：沿着所述密封环700切割键合后的键合结构，以形成具有电子器件的半导体芯片。本实施例中，即将电子器件中的发射端滤波器和接收端滤波器均集成在同一半导体芯片中。
基于如上所述的形成方法，本实施例还提供了一种电子器件，具体可参考图7和图8所示，所述电子器件包括：相互键合的第一晶圆110和第二晶圆120。
其中，在发射区100T中，所述第一晶圆110上形成有发射端谐振结构200T，所述第二晶圆120中形成有发射端封盖腔300T，所述发射端封盖腔300T封盖所述发射端谐振结构200T。由此，例如可在所述发射区100T中构成发射端滤波器。
以及，在接收区100R中，所述第一晶圆110上形成有接收端封盖腔300R，所述第二晶圆120上形成有接收端谐振结构200R，所述接收端封盖腔300R封盖所述接收端谐振结构200R。由此，例如可在所述接收区100R中构成接收端滤波器。
继续参考图7和图8所示，所述接收端滤波器相对于所述发射端滤波器倒置。具体的，所述接收端滤波器包括沿着第二晶圆120指向第一晶圆110的方向依次排布的空腔、谐振结构和封盖腔，然而发射端滤波器包括沿着第一晶圆110指向第二晶圆120的方向依次排布的空腔、谐振结构和封盖腔。更具体的，所述接收端滤波器中的接收端谐振结构200R相对于所述发射端滤波器中的发射端谐振结构200T倒置。
本实施例中，创造性的将发射端滤波器和接收端滤波器以相互倒置的方式集成在了同一半导体芯片中，不仅有利于精简了工艺流程，降低了工艺成本，同时还有效提高了器件的集成度，减小了器件的封装尺寸，并降低了封装成本。以及，即使是将发射端滤波器和接收端滤波器集成在了同一半导体芯片中，仍然可以实现对不同频率的滤波器分别进行精确的频率调整，避免发射端谐振结构和接收端谐振结构的制备工艺相互干扰，有效提高了制备工艺的灵活度，提高工艺精度。
需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第 二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或 多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。

Claims (10)

1.一种电子器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆和第二晶圆，刻蚀所述第一晶圆以在第一晶圆的接收区中形成接收端封盖腔，并在所述第一晶圆的发射区中依次形成下电极、压电层、上电极和钝化层以形成发射端谐振结构，以及刻蚀所述第二晶圆以在第二晶圆的发射区中形成发射端封盖腔，并在所述第二晶圆的接收区中依次形成下电极、压电层、上电极和钝化层以形成接收端谐振结构；以及，
键合所述第一晶圆和所述第二晶圆，以使所述第一晶圆中的接收端封盖腔封盖所述第二晶圆上的接收端谐振结构构成接收端滤波器，所述第二晶圆中的发射端封盖腔封盖所述第一晶圆上的发射端谐振结构构成发射端滤波器。
2.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆的发射区中还形成有空腔，所述发射端滤波器包括沿着第一晶圆指向第二晶圆的方向顺序排布的空腔、发射端谐振结构和发射端封盖腔；
以及，所述第二晶圆的接收区中还形成有空腔，所述接收端滤波器包括沿着第二晶圆指向第一晶圆的方向顺序排布的空腔、接收端谐振结构和接收端封盖腔，使得所述接收端滤波器相对于所述发射端滤波器倒置。
3.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆之后，所述接收端谐振结构中的膜层排布顺序相对于所述发射端谐振结构中的膜层排布顺序倒置。
4.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆的发射区中还形成有空腔，所述发射端谐振结构形成在空腔的上方，以及所述第一晶圆中的空腔和接收端封盖腔利用同一光罩在同一工艺中同时形成；和/或，
所述第二晶圆的接收区中还形成有空腔，所述接收端谐振结构形成在空腔的上方，以及所述第二晶圆中的空腔和发射端封盖腔利用同一光罩在同一工艺中同时形成。
5.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，所述发射端谐振结构的形成方法还包括：基于第一刻蚀参数侧向刻蚀发射区中的上电极的端部，以使钝化层对应的端部悬空而构成悬空部；
所述接收端谐振结构的形成方法还包括：基于第二刻蚀参数侧向刻蚀接收区中的上电极的端部，以使钝化层对应的端部悬空而构成悬空部，其中所述第二刻蚀参数不同于所述第一刻蚀参数。
6.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，所述第一晶圆的发射区中还形成有发射端连接件，所述发射端连接件位于所述发射端谐振结构的侧边并与所述发射端谐振结构电性连接，所述第二晶圆的发射区中还形成有发射端键合柱，所述发射端键合柱与所述发射端连接件位置对应，以及在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述发射端键合柱和所述发射端连接件键合连接以形成发射端引出件；和/或，
所述第二晶圆的接收区中还形成有接收端连接件，所述接收端连接件位于所述接收端谐振结构的侧边并与所述接收端谐振结构电性连接，所述第一晶圆的接收区中还形成有接收端键合柱，所述接收端键合柱与所述接收端连接件位置对应，以及在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述接收端键合柱和所述接收端连接件键合连接以形成接收端引出件。
7.如权利要求6所述的电子器件的形成方法，其特征在于，在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆之后，还包括：
减薄所述第一晶圆或第二晶圆，并刻蚀减薄后的晶圆以形成多个接触孔，所述多个接触孔暴露出所述发射端引出件和所述接收端引出件；
在所述接触孔中形成导电插塞，并在对应的晶圆上形成接触垫，所述接触垫覆盖所述导电插塞以和所述导电插塞电性连接；以及，
在所述接触垫上形成焊球。
8.如权利要求1所述的电子器件的形成方法，其特征在于，在所述第一晶圆上还形成有第一键合环，所述第一键合环将所述发射区和所述接收区环绕在内，以及在所述第二晶圆上还形成有第二键合环，所述第二键合环和所述第一键合环的位置对应；
在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时，所述第一键合环和所述第二键合环键合连接。
9.一种电子器件，其特征在于，包括：相互键合的第一晶圆和第二晶圆；以及，
在发射区中，所述第一晶圆上形成有发射端谐振结构，所述发射端谐振结构包括沿着第一晶圆指向第二晶圆的方向依次堆叠设置的下电极、压电层、上电极和钝化层，以及所述第二晶圆中形成有发射端封盖腔，所述发射端封盖腔封盖所述发射端谐振结构以构成发射端滤波器；
在接收区中，所述第一晶圆上形成有接收端封盖腔，所述第二晶圆上形成有接收端谐振结构，所述接收端谐振结构包括沿着第二晶圆指向第一晶圆的方向依次堆叠设置的下电极、压电层、上电极和钝化层，所述接收端封盖腔封盖所述接收端谐振结构以构成接收端滤波器。
10.如权利要求9所述的电子器件，其特征在于，所述第一晶圆和所述第二晶圆之间还形成有密封环，所述密封环将所述发射端滤波器和所述接收端滤波器环绕在内。
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