JP2003007909A

JP2003007909A - 半導体装置の製造方法とそれによる半導体装置およびこれを用いた電子機器

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Publication number: JP2003007909A
Application number: JP2002113368A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiko Nemoto; 義彦根本
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-04-17
Filing date: 2002-04-16
Publication date: 2003-01-10
Anticipated expiration: 2022-04-16
Also published as: TW200401400A; TWI223391B; JP4020367B2

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単に貫通電極を有する半導体装置を得る。【解決手段】この発明の半導体装置の製造方法は、表
面の回路形成面に回路素子部２が形成された基板本体の
裏面に支持板を貼り付ける工程と、基板本体に第１の溝
部を形成する工程と、絶縁材料を用いて、半導体基板５
０の表面では絶縁膜１７を形成し、また第１の溝部では
孔を形成する工程と、電極部から孔の内壁に達する金属
配線パターン８を形成する工程と、孔の底面を所定量除
去する工程と、孔内に導電性材料を埋め込み貫通電極１
０を形成する工程と、第１の溝部内に第２の溝部を形成
する工程とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、基板本体の表面
の回路形成面から裏面に達する貫通電極を有する半導体
装置の製造方法、その半導体装置、およびその半導体装
置を組み込んだ電子機器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６３（ａ）〜図６３（ｇ）は貫通電極
を有する従来の半導体装置の各製造工程を示すそれぞれ
の断面図である。以下、この半導体装置の製造手順につ
いて図に基づいて説明する。先ず、図６３（ａ）に示す
ように、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子
部２０２を複数個配置した基板本体２０１を製造する。
次に、図６３（ｂ）に示すように、シリコンウエハで構
成された基板本体２０１の表面から１００μｍ弱の孔２
０３を複数形成する。その次に、孔２０３の内壁面に絶
縁膜を形成し、その後電気めっきの陰極となる金属膜を
絶縁膜上に堆積する。そして、これを陰極として図６２
（ｃ）に示すように孔２０３の内部を金属で埋めて貫通
電極２０４を形成する。次に、図６３（ｄ）に示すよう
に、基板本体２０１の裏面を貫通電極２０４の端面が露
出するまで削除し、また図６２（ｅ）に示すように、基
板本体２０１の裏面を選択的にエッチングする。その次
に、化学蒸着法（ＣＶＤ）により、図６２（ｆ）に示す
ように、基板本体２０１の裏面にＳｉＯ_２で構成された
絶縁膜２０５を堆積する。その後、写真製版法を用いて
絶縁膜２０５の貫通電極２０４の部分をエッチング除去
することで、図６３（ｇ）に示すように貫通電極２０４
が基板本体２０１を貫通した半導体装置集合体が製造さ
れ、最後にこの半導体装置集合体を複数個に分割するこ
とで半導体装置が製造される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記構成の貫通電極２
０４を有する半導体装置の製造方法では、貫通電極を形
成する前に、エッチング加工をしているが、このように
エッチング加工を用いた場合には、トレンチエッチング
加工できる孔２０３の深さの最大値は１００μｍ程度で
あり、従って図６３（ｄ）に示すように貫通電極２０４
の端面が露出するまで基板本体２０１の裏面を削除した
ときには、基板本体２０１の肉厚は極めて薄くならざる
を得ない。この状態からの後工程では、図６３（ｅ）〜
図６３（ｇ）に示すように、基板本体２０１の裏面のエ
ッチング処理工程、エッチング処理後の絶縁膜２０５の
形成工程、写真製版法により貫通電極２０４の部分の絶
縁膜２０５のエッチング除去工程が控えており、極薄化
した基板本体２０１がこれらのハンドリングで破損して
しまい、半導体装置の製品歩留まりが良くないという問
題点があった。

【０００４】この発明は、かかる問題点を解決すること
を課題とするものであって、半製品のハンドリングでの
破損を低減させ、貫通電極を有する半導体装置を歩留ま
り良く、かつ簡単に製造することができる半導体装置、
およびその製造方法を得ることを目的とする。また、そ
の製造方法で得られた半導体装置を組み入れた電子機器
を得ることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置の
製造方法は、表面の回路形成面に所定機能を有する回路
素子部を複数個形成した基板本体の裏面に支持板を貼り
付ける工程と、前記基板本体の回路素子部の周縁部ある
いは回路素子部内の所定部分のどちらか少なくとも一方
に前記支持板に達する第１の溝部を形成する工程と、絶
縁材料を用いて、前記第１の溝部にその底部が支持板が
露出する孔を形成する工程と、前記回路素子部に形成さ
れた電極部から前記孔の少なくとも内壁の一部に達する
金属配線パターンを形成する工程と、前記孔の底面を所
定量除去する工程と、前記孔内に前記回路形成面から突
出するように導電性材料を埋め込み貫通電極を形成する
工程と、前記回路素子部の周縁部に前記支持板に達する
第２の溝部を形成する工程と、前記支持板を除去して複
数個の半導体装置に分離する工程とを備えたものであ
る。

【０００６】また、この発明の半導体装置の製造方法で
は、第１の溝部を回路素子部の周縁部に形成し、第２の
溝部を第１の溝部の内部に形成したものである。

【０００７】この発明の半導体装置の製造方法では、基
板本体に支持板を貼り付ける前に、基板本体の裏面を所
定量除去する。

【０００８】この発明の半導体装置の製造方法では、第
１の溝部はダイシングソーを用いて形成される。

【０００９】この発明の半導体装置の製造方法では、第
１の溝部はリアクティブイオンエッチングによって形成
される。

【００１０】この発明の半導体装置の製造方法では、絶
縁材料を用いて、第１の溝部で支持板に達する孔を形成
する際に、同時に半導体基板の表面では絶縁膜を形成す
る。

【００１１】この発明の半導体装置の製造方法では、絶
縁材料は感光性ポリイミドあるいは感光性ガラスであ
り、孔は写真製版法（フォトリソグラフィー）により形
成される。

【００１２】この発明の半導体装置の製造方法では、第
２の溝部はダイシングソーを用いて形成される。

【００１３】この発明の半導体装置の製造方法では、直
径がほぼ３〜３０ｎｍの金属粒子を界面活性剤で覆い溶
液中に分散した独立分散超微粒子を、スピン塗布して半
導体基板の表面及び第１の溝部および第１の溝部に形成
した孔内部に被着して焼成した後、その焼成部の一部を
削除して、孔内部に埋め込む金属部分を形成する。

【００１４】この発明の半導体装置の製造方法では、孔
内の導電性材料の埋め込みは、ガス中蒸着法により生成
した金属超微粒子を、減圧室のステージ上に載置した半
導体基板上で、孔に指向したノズルから吹き付けるガス
デポジション法により行われる。

【００１５】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板は金属板であり、孔の底面の所定量の除去は腐蝕液
を用いたエッチング法で行われる。

【００１６】この発明の半導体装置の製造方法では、孔
内の金属の埋め込みは、支持板を陰極として電気めっき
を用いている。

【００１７】この発明の半導体装置の製造方法は、表面
の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を複数個形
成した基板本体の裏面に第１の支持板を貼り付ける工程
と、前記基板本体に前記第１の支持板に達する第１の溝
部を形成する工程と、絶縁材料を用いて、前記第１の溝
部にその底部が支持板が露出する孔を形成する工程と、
前記回路素子部に形成された電極部から前記孔の少なく
とも内壁の一部に達する金属配線パターンを形成する工
程と、前記孔の底面を所定量除去する工程と、前記孔内
に前記回路形成面から突出するように導電性材料を埋め
込み貫通電極を形成する工程と、前記回路素子部の周縁
部に前記第１の支持板に達する第２の溝部を形成する工
程と、前記半導体基板の回路形成面側に第２の支持板を
貼り付ける工程と、前記第１の支持板を除去する工程
と、前記貫通電極に触針して回路素子部の回路機能を検
査する工程と、第２の支持板を除去することで、複数個
の半導体装置に分離する工程とを備えたものである。

【００１８】この発明の半導体装置の製造方法では、第
１の溝部を回路素子部の周縁部に形成し、第２の溝部を
第１の溝部の内部に形成する。この発明の半導体装置の
製造方法では、孔の底面を所定量除去した後、電極部か
ら前記孔の底面まで達する金属配線パターンを形成す
る。

【００１９】この発明の半導体装置の製造方法では、回
路素子部間の第１の溝部内では第１の溝部に沿って二列
に並んだ孔を形成し、この二列の孔の間に第２の溝部を
形成する。

【００２０】この発明の半導体装置の製造方法では、回
路素子部間には二列に延びた第１の溝部をそれぞれ形成
し、各第１の溝部内に一列に並んだ孔を形成し、二列に
延びた第１の溝部の間に第２の溝部を形成する。

【００２１】この発明の半導体装置の製造方法では、半
導体基板の裏面に支持板を陽極接合により貼り付ける。

【００２２】この発明の半導体装置の製造方法では、基
板本体の裏面と支持板との間は接着材料で接着され、接
着後には硬化されて絶縁層となり、支持板の除去後には
半導体基板の裏面に残留する。

【００２３】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板を半導体基板の裏面に貼り付ける前に、半導体基板
の裏面に酸化膜を形成する。

【００２４】この発明の半導体装置の製造方法では、回
路素子部の内部に第１の溝部を設ける。

【００２５】この発明の半導体装置の製造方法は、支持
板に穴部を形成する工程と、この穴部に電極材料を充填
して第１の突起電極を形成する工程と、前記支持板の所
定位置に第１の突起電極と接続される第１の金属配線パ
ターンを形成する工程と、表面の回路形成面に所定機能
を有する回路素子部を複数個形成された基板本体の裏面
を接着材を用いて前記支持板上に貼り付ける工程と、回
路素子部間の基板本体の領域おいて前記第１の金属配線
パターンの手前の前記接着材で形成された絶縁層にまで
達する第１の溝部を形成し、基板本体を複数の半導体基
板に分割する工程と、絶縁材料を用いて、前記半導体基
板の表面では前記回路素子部の電極部を除いて絶縁膜を
形成し、また前記第１の溝部では支持板に達する孔を形
成する工程と、電極部から前記孔の少なくとも内壁の一
部に達するように、第２の金属配線パターンを形成する
工程と、前記孔の底面の絶縁層を除去して第１の金属配
線パターンを露出させる工程と、前記孔に金属を埋め込
み貫通電極を形成する工程と、前記第２の金属配線パタ
ーンの所定箇所に第２の突起電極を設ける工程と、前記
第１の溝部に沿って前記支持板に達する第２の溝部を設
ける工程と、前記支持板を除去する工程とを備えたもの
である。

【００２６】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板に穴部を形成し、この穴部に電極材料を充填して第
１の突起電極を形成する工程、あるいは前記第２の金属
配線パターンの所定箇所に第２の突起電極を設ける工程
を削除する。

【００２７】この発明の半導体装置の製造方法では、孔
の底面の絶縁層を除去して第１の金属配線パターンを露
出させた後、電極部から前記孔を通じて第１の金属配線
パターンと接続する第２の金属配線パターンを形成す
る。

【００２８】この発明の半導体装置の製造方法では、回
路形成面に突起電極を形成する工程を含む。

【００２９】この発明の半導体装置の製造方法では、裏
面に突起電極を形成する工程を含む。

【００３０】この発明の半導体装置の製造方法は、表面
の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を形成した
前記基板本体の裏面を所定厚に研削する工程と、支持板
基材の表面に中間膜および絶縁膜の順序で形成された支
持板の絶縁膜に、研削された前記基板本体の裏面を接合
する工程と、前記回路形成面から前記支持板基材に達す
る孔を形成し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形成する工程
と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形
成する工程と、前記中間膜が露出するまで研削して前記
貫通電極の端部を突出させる工程と、前記中間膜をエッ
チングにより除去して前記絶縁膜を露出させる工程とを
備えている。

【００３１】この発明の半導体装置の製造方法は、表面
の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を形成した
前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工程と、支持板
基材の表面に中間膜が形成された支持板の中間膜に、削
除された前記基板本体の裏面を接着剤により接合する工
程と、前記接着剤を硬化することで絶縁膜を形成する工
程と、前記回路形成面から前記支持板基材に達する孔を
形成し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形成する工程と、前
記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成する
工程と、前記中間膜が露出するまで研削して前記貫通電
極の端部を突出させる工程と、前記中間膜をエッチング
により除去して前記絶縁膜を露出させる工程とを備えて
いる。

【００３２】この発明の半導体装置の製造方法は、表面
の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を形成した
前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工程と、支持板
基材の表面に絶縁膜が形成された支持板の絶縁膜に、削
除された前記基板本体の裏面を接合する工程と、前記回
路形成面から前記支持板基材に達する孔を形成し、孔の
内側壁に貫通絶縁膜を形成する工程と、前記孔内に導電
性材料を埋め込み前記貫通電極を形成する工程と、前記
支持板基材を、前記貫通電極の端部を突出させ、かつ前
記絶縁膜を残して除去する工程とを備えている。

【００３３】この発明の半導体装置の製造方法は、表面
の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を形成した
前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工程と、支持板
基材の表面に、削除された前記基板本体の裏面を接着剤
により接合する工程と、前記接着剤を硬化することで絶
縁膜を形成する工程と、前記回路形成面から前記支持板
基材に達する孔を形成し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形
成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫
通電極を形成する工程と、前記支持板基材を、前記貫通
電極の端部が突出し、かつ前記絶縁膜を残して除去する
工程とを備えている。

【００３４】この発明の半導体装置の製造方法は、絶縁
膜である埋め込み酸化膜を有する前記基板本体の裏面を
所定厚に削除する工程と、支持板基材の表面に、削除さ
れた前記基板本体の裏面を接合する接合する工程と、前
記基板本体の表面から前記支持板基材に達する孔を形成
する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通
電極を形成する工程と、前記支持板基材を、前記貫通電
極の端部を突出させ、かつ前記絶縁膜を残して除去する
工程とを備えている。

【００３５】この発明の半導体装置の製造方法は、絶縁
膜である埋め込み酸化膜を有する前記基板本体の裏面を
所定厚に削除する工程と、前記基板本体の表面から前記
埋め込み酸化膜を超えて孔を形成する工程と、前記孔内
に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成する工程
と、前記基板本体の裏面を、前記貫通電極の端部を突出
させ、かつ前記埋め込み酸化膜を露出するように削除す
る工程とを備えている。

【００３６】この発明の半導体装置の製造方法では、基
板本体は、ＳＯＩウエハで構成されている。

【００３７】この発明の半導体装置の製造方法では、基
板本体は、極薄の半導体層を絶縁基板に貼った貼り合せ
型ＳＯＩウエハで構成されている。

【００３８】この発明の半導体装置の製造方法では、基
板本体は、ＴＦＴ基板である。

【００３９】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板基材は金属で構成され、支持板基材を陰極とする電
気めっきにより貫通電極を形成する。

【００４０】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板基材の表面に金属からなる中間膜を堆積した支持板
を形成し、前記中間膜を陰極とする電気めっきにより貫
通電極を形成する。

【００４１】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板基材は、貫通電極の端面を平坦化して研削し、その
後エッチングにより削除される。

【００４２】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板基材は、貫通電極が露出する手前で研削を停止し、
その後絶縁膜に達するまでエッチングにより削除され
る。

【００４３】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板基材は、エッチングにより削除される。

【００４４】この発明の半導体装置の製造方法では、接
合は、陽極接合である。

【００４５】この発明の半導体装置の製造方法では、接
着剤は、ポリイミド樹脂である。

【００４６】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板基材はシリコンウエハで構成され、中間膜はアルミ
ニウムで構成され、また絶縁膜はシリコン酸化膜で構成
されている。

【００４７】この発明の半導体装置の製造方法では、支
持板基材はアルミニウムで構成されている。

【００４８】この発明の電子機器は、複数個の半導体装
置を互いに突起電極が接続するように積層して構成され
る。

【００４９】この発明の電子機器は、半導体装置の少な
くとも一方の面に、少なくとも貫通電極および突起電極
の一方に受動素子を搭載した回路基板を接続して構成さ
れる。

【００５０】この発明の電子機器は、半導体装置の両面
が、少なくとも貫通電極および突起電極の一方に接続さ
れた第１の回路基板及び第２の回路基板により挟まれて
構成されている。

【００５１】この発明の電子機器は、半導体装置を回路
基板のコアに埋め込み、回路基板の両面に形成した配線
を少なくとも貫通電極および突起電極の一方に接続され
て構成されている。

【００５２】この発明の半導体装置は、所定機能を構成
する回路素子部を一主面上に形成した半導体基板におい
て、回路形成面からこの回路形成面の反対側の面に達す
る貫通孔を有し、この貫通孔に沿って導電路を有し、こ
の導電路の周囲を取り囲む絶縁材料を有するものにおい
て、隣接する前記導電路間にはこの絶縁材料以外介在し
ない。

【００５３】この発明の半導体装置は、回路形成面から
ほぼ垂直に延びて貫通した孔が形成された基板本体と、
前記孔を貫通しているとともに前記基板本体の両面の少
なくとも一方から端部が突出した貫通電極と、この貫通
電極の周面に形成された貫通絶縁膜と、前記基板本体か
ら前記貫通電極が突出した側の基板本体の面に前記貫通
絶縁膜と垂直に交差して形成された絶縁膜とを備えてい
る。

【００５４】この発明の半導体装置では、基板本体から
貫通し、基板本体から端部が突出した貫通電極の端面
は、基板本体の回路形成面とほぼ平行で、かつ平坦な面
である。

【００５５】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１ないし図１０
はこの発明の半導体装置の製造方法における各製造工程
での図である。以下、半導体装置１００の製造手順につ
いて図に基づいて説明する。先ず、基板本体１の表面の
回路形成面に所定機能を有する回路素子部２を複数個配
置する（第１の工程）。次に、図２に示すように、基板
本体１の回路形成面と反対側の裏面を所定厚さまで削除
する（第２の工程）。その後、図３に示すように基板本
体１の裏面に例えばアルミニウム金属板である支持板３
を貼り付ける（第３の工程）。この貼り付けは、基板本
体１を陽極、支持板３を陰極として電場を印加する陽極
接合により行われる。なお、支持板３を基板本体１の裏
面に貼り付ける前に、基板本体１の裏面に酸化膜である
酸化シリコンが形成されている。半導体基板の裏面は電
気的、化学的に安定化し、半導体装置は電気的な性能や
信頼性が向上する。次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）に
示すように、回路素子部２の領域以外の基板本体１の領
域おいて第１の支持板３に達する第１の溝部４を例えば
ダイシングを用いて格子状に形成する（第４の工程）。
この結果、基板本体１は複数の半導体基板５０に分割さ
れる。

【００５６】その次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示
すように、例えば絶縁材料として感光性ポリイミド樹脂
を用いて、半導体基板５０の表面では、回路素子部２で
電極部５を露出させるようにして絶縁膜６を形成し、ま
た第１の溝部４では支持板３に達する孔７を写真製版法
（フォトリソグラフィー）により形成する。なお、感光
性ポリイミド樹脂の代わりに感光性ガラスを用いてもよ
い（第５の工程）。次に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に
示すように、電極部５から孔７の少なくとも内壁の一部
に達するように、金属配線パターン８を形成する（第６
の工程）。

【００５７】引き続き、図７に示すように、露出した孔
７の底面の支持板３を例えばウエットエッチングにより
所定量除去する（第７の工程）。その後、図８に示すよ
うに例えばはんだのような導電性金属を、例えば第１の
支持板３を陰極として電気めっきによって孔７に金属配
線パターン８の表面から突出するように埋め込み、貫通
電極１０を形成する（第８の工程）。次に、図９（ａ）
及び図９（ｂ）に示すように、第１の溝部４の中心線上
に沿って第１の支持板３に達する第２の溝部９を例えば
ダイシングソーを用いて格子状に形成する（第９の工
程）。最後に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すよ
うに、第１の支持板３をウエットエッチングにより除去
して、周縁部において表面から裏面に達する貫通電極１
０を有する複数個の半導体装置１００が製造される（第
１０の工程）。このようにして製造された半導体装置１
００は、回路素子部２を一主面上に形成した半導体基板
５０において、回路形成面からこの回路形成面の反対側
の面に達する貫通孔７を有し、この貫通孔７に沿って導
電路である、金属配線パターン８および貫通電極１０を
有し、この導電路８、１０の周囲を取り囲む絶縁材料で
ある感光性ポリイミド樹脂を有するものにおいて、隣接
する導電路８、１０間にはこの絶縁材料以外介在しな
い。

【００５８】上記の実施の形態の半導体装置の製造方法
では、周縁部に貫通電極１０を有する半導体装置１００
を簡単に製造することができる。また、基板本体１に支
持板３を貼り付ける前に、基板本体１の裏面を所定量除
去するので、半導体基板５０上の孔７をより簡単に形成
することができる。また、基板本体１の裏面に酸化膜で
ある酸化シリコンが形成されているので、半導体基板５
０の裏面は電気的、化学的に安定化し、半導体装置１０
０は電気的な性能や信頼性が向上する。また、基板本体
１の裏面に支持板３を陽極接合により貼り付けるので、
接着剤等の異種材料が介在せず、耐薬品性等の工程中の
制約が少なくなる。

【００５９】また、第１の溝部４はダイシングソーを用
いて形成されるので、簡単に、かつ能率良く第１の溝部
４を形成することができる。また、回路素子部２間の第
１の溝部４内では第１の溝部４に沿って二列に並んだ孔
７を形成するので、周縁部の貫通電極１０は共通の第１
の溝部４で形成されるため、製造工程が簡単で、製造が
容易である。なお、第１の溝部４をリアクティブイオン
エッチングによって形成することもできるが、この場合
には、より寸法精度の高い第１の溝部４を形成すること
ができる。

【００６０】また、絶縁材料である感光性ポリイミドを
用いて、第１の溝部４で支持板３に達する孔７を形成す
る際に、同時に半導体基板１の表面では絶縁膜６を形成
するので、回路素子部２の保護形成膜を形成する工程を
わざわざ設ける必要性はない。また、感光性を有しない
絶縁材料と比較して工程を簡略化することができる。ま
た、第２の溝部９もダイシングソーを用いて形成される
ので、簡単に、第１の溝部４と同様に、能率良く第２の
溝部９を形成することができる。

【００６１】また、この実施の形態では、支持板３は金
属板であり、孔７の底面の所定量の除去は腐蝕液を用い
たエッチング法で行われており、半導体装置１００の裏
面から突出した貫通電極を簡単に形成することができ
る。その金属板はアルミニウム板であり、軽量であり、
かつ低コストで得ることができる。また、支持板３の除
去も腐蝕液を用いたエッチング法で行われているので、
支持板３を簡単に除去することができる。

【００６２】また、孔７内の金属の埋め込みは、支持板
３を陰極として電気めっきを用いて行われているので、
無電解めっきと比較して選択成長性が高く、孔７の部分
のみの埋め込みが可能となる。また、使用できる材料の
選択枝が広い。

【００６３】実施の形態２．図１１ないし図１３はこの
発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法の各工程を
示す図である。なお、この実施の形態及び他の各実施の
形態については、図１ないし図１０と同一及び同等部
材、部位については同一符号を付して説明する。この実
施の形態の製造工程は、上記第１の工程から上記第９の
工程までは実施の形態１と同一である。

【００６４】この実施の形態では、図９（ａ）、図９
（ｂ）に示した第９の工程の後に、図１１に示すように
半導体基板５０の回路形成面側に接着剤１１を用いて少
なくとも接着面側が絶縁体である第２の支持板１２を貼
り付ける。なお、第２の支持板１２の代わりに支持フィ
ルムを貼り付けてもよい。その後、図１２に示すよう
に、支持板３をウエットエッチングにより除去する。次
に、この半導体装置１００の中途製品を図１３に示すよ
うに反転させて貫通電極１０にプローブ針１３を触針し
て回路素子部２の回路機能を検査する。最後に、第２の
支持板１２を剥離もしくはその他の方法で除去すること
で、図１０に示した半導体装置１００が得られる。

【００６５】この発明の実施の形態に係る半導体装置の
製造方法によれば、第１の支持板３を除去した後も複数
の半導体装置１００は、第２の支持板１２により、個別
化せず、それだけハンドリングが容易となり、回路素子
部２の機能の検査を容易にすることができる。

【００６６】実施の形態３．図１４ないし図２１はこの
発明の実施の形態３の半導体装置の製造方法の各工程を
示す図である。この実施の形態では、図１４に示すよう
に基板本体１の裏面とアルミニウム金属板の第１の支持
板３との間に絶縁層１４が形成されている。この絶縁層
１４は、例えばポリイミド前駆体のような接着材料で構
成されており、この接着材料を用いて基板本体１の裏面
に第１の支持板３を接着させた後、この接着材料を熱硬
化させることで形成される。他の製造の各工程は、実施
の形態１の各工程と同じであり、この実施の形態では、
図２１に示すように、半導体基板５０の裏面に絶縁層１
４が形成された半導体装置３５０が得られる。

【００６７】この実施の形態では、基板本体１の裏面と
支持板３との間は接着材料で接着され、接着後には硬化
されて絶縁層１４となり、支持板３の除去後には半導体
基板５０の裏面に残留するので、接着材がそのまま半導
体装置３５０の安定した絶縁層を形成することになる。

【００６８】実施の形態４．図２２ないし図２８はこの
発明の実施の形態４の半導体装置の製造方法の各工程を
示す図である。この実施の形態の製造工程は、実施の形
態１における第３の工程まで、即ち基板本体１の裏面に
第１の支持板３を貼り付ける図３に示した工程までは、
実施の形態１と同じである。この実施の形態では、その
次に、図２２に示すように、回路素子部２を囲むように
支持板３に達する第１の溝部１５を例えばダイシングを
用いて形成する。

【００６９】その後、図２３に示すように、例えば絶縁
材料として感光性ポリイミド樹脂を用いて、半導体基板
５０の表面では、回路素子部２で電極部５を露出させる
ようにして絶縁膜１７を形成し、また第１の溝部１５で
は支持板３に達する孔１６をそれぞれ写真製版法（フォ
トリソグラフィー）により形成する。なお、感光性ポリ
イミド樹脂の代わりに感光性ガラスを用いてもよい。次
に、図２４に示すように、電極部５から孔１６の少なく
とも内壁の一部に達するように、絶縁膜１７上に金属配
線パターン８を形成する。

【００７０】引き続き、図２５に示すように、露出した
孔１６の底面の支持板３を例えばウエットエッチングに
より所定量除去する。その後、図２６に示すように例え
ばはんだのような導電性金属を、例えば支持板３を陰極
として電気めっきによって孔１６に絶縁膜１７の表面か
ら突出するように埋め込み、貫通電極１０を形成する。
次に、図２７に示すように、隣接した第１の溝部１５間
の中心線に沿って支持板３に達する格子状の第２の溝部
９を例えばダイシングソーを用いて形成する。そして、
最後に、図２８に示すように、支持板３をウエットエッ
チングにより除去することで、周縁部に表面から裏面に
達する貫通電極１０を有する半導体装置３００が得られ
る。

【００７１】この実施の形態によれば、回路素子部２間
には二列に延びた第１の溝部１５をそれぞれ形成し、各
第１の溝部１５内に一列に並んだ孔１６を形成するの
で、実施の形態１の半導体装置の製造方法と比較して、
第２の溝部９は基板本体１に形成されるので、基板本体
１を切断する従来の刃を使用することができる。また、
半導体装置３００の周縁部は半導体基板５０の一部であ
り、実施の形態１ないし３の半導体装置１００，２００
と比較して剛性が高く、それだけ、周縁部の貫通電極１
０をより保護することができる。

【００７２】実施の形態５．図２９ないし図４０はこの
発明の実施の形態５の半導体装置の製造方法の各工程を
示す図である。この実施の形態では、先ず、図２９に示
すようにアルミニウム金属板の支持板２０に穴部２１を
形成する。次に、図３０に示すように、この穴部２１に
電極材料を充填して第１の突起電極２３を形成する。そ
の後、図３１に示すように、支持板２０の所定位置に第
１の突起電極２３と接続された第１の金属配線パターン
２２を形成する。次に、図２に示した基板本体１を、図
３２に示すように、例えばポリイミド樹脂の接着材を用
いて第１の金属配線パターン２２上に貼り付ける。この
接着材は、熱硬化させることで絶縁層２４を形成する。

【００７３】次に、図３３に示すように、回路素子部１
間の基板本体１の領域おいて第１の金属配線パターン２
２の手前まで達する第１の溝部２５を例えばダイシング
を用いて格子状に形成する。この溝部２５の形成によ
り、基板本体１は複数の半導体基板５０に分割される。

【００７４】その次に、図３４に示すように、例えば絶
縁材料として感光性ポリイミド樹脂を用いて、半導体基
板５０の表面では、回路素子部２で電極部５を露出させ
るようにして絶縁膜６を形成し、また第１の溝部２５で
は支持板２０に達する孔２６を写真製版法（フォトリソ
グラフィー）により形成する。なお、感光性ポリイミド
樹脂の代わりに感光性ガラスを用いてもよい。次に、図
３５に示すように、電極部５から孔２６の少なくとも内
壁の一部に達するように、第２の金属配線パターン２７
を形成する。

【００７５】引き続き、図３６に示すように、孔２６の
底面の絶縁層２４を除去して第１の金属配線パターン２
７を露出させる。その後、図３７に示すように例えばは
んだのような導電性金属を孔２６に、例えば支持板２０
を陰極として電気めっきによって第２の金属配線パター
ン２７の表面から突出するように埋め込み貫通電極３０
を形成する。次に、図３８に示すように、第２の金属配
線パターン２７の所定箇所に第２の突起電極２８を設け
る。

【００７６】その次に、図３９示すように、第１の溝部
２５の中心線に沿って支持板２０に達する格子状の第２
の溝部２９を例えばダイシングソーを用いて形成する。
そして、最後に支持板２０をウエットエッチングにより
除去することで、表面側では貫通電極３０を通じて電気
的に接続された第２の突起電極２８が設けられ、裏面側
では貫通電極３０を通じて電気的に接続された第１の突
起電極２３が設けられた半導体装置４００が製造され
る。

【００７７】この実施の形態では、第１の突起電極２３
及び第２の突起電極２８を有する半導体装置４００を簡
単に製造することができる。

【００７８】実施の形態６．図４１は実施の形態６の製
造方法で製造された半導体装置５００であり、この半導
体装置５００では実施の形態５の第２の突起電極２８が
削除されている。図４２の半導体装置６００は実施の形
態５の第１の突起電極２３が削除された例であり、図４
３の半導体装置７００は半導体基板５０の回路形成面上
に第２の突起電極２８を設け、またその反対面上に第１
の突起電極２３を設けた例である。

【００７９】実施の形態７．図４４はこの発明の実施の
形態７の製造方法で製造された半導体装置８００の断面
図、図４５は図４４の要部拡大図である。この実施の形
態では、貫通電極３０が埋め込まれた孔２６の底面にあ
る絶縁層２４を除去して導電路である第１の金属配線パ
ターン２２を露出した後に、回路形成面の一部にある電
極を孔２６の内壁の少なくとも一部分に達するように導
電路である第２の金属配線パターン２７を形成してい
る。即ち、図４３に示した実施の形態６の半導体装置７
００と比較して、第１の金属配線パターン２２を露出す
る工程と、第２の金属配線パターン２７を形成する工程
とが入れ替わっている。また、孔２６に金属を埋め込み
貫通電極３０を形成する工程も無い。なお、図４６の半
導体装置９００は、回路素子部２間には二列に延びた第
１の溝部１５をそれぞれ形成し、各第１の溝部１５内に
一列に並んだ孔１６を形成して製造された半導体装置９
００の要部断面図である。

【００８０】なお、上記各実施の形態１〜７の半導体装
置の製造方法については、直径がほぼ３〜３０ｎｍの金
属粒子を界面活性剤で覆い溶液中に分散した独立分散超
微粒子を、スピン塗布して半導体基板の表面及び第１の
溝部に被着して焼成した後、その焼成部の一部を削除し
て、電極部を露出させ、また前記第１の溝部では孔を形
成するようにしてもよい。この場合には、廃水処理等の
環境への影響が少なく、またスピン塗布のため、半導体
装置の製造プロセスとの整合性が良い。

【００８１】また、孔内の導電性材料の金属を埋め込み
方法として、無電解めっきで行ってもよい。この場合に
は、埋め込み工程の時間が短く、また簡便である。ま
た、孔内の導電性材料として、導電性ペーストを用いて
もよい。この場合には、埋め込み工程が簡略できる。ま
た、孔内の導電性材料の埋め込みは、直径がほぼ３〜３
０ｎｍの金属粒子を界面活性剤で覆い溶液中に分散した
独立分散超微粒子をスクリーン印刷し焼成によって行う
こともできる。また、孔内の導電性材料の埋め込みは、
ガス中蒸着法により生成した金属超微粒子を、減圧室の
ステージ上に載置した半導体基板上で、孔に指向したノ
ズルから吹き付けるガスデポジション法により行うこと
もできる。この場合には、埋め込み工程の時間が短く、
また材料を無駄なく使用でき、環境への影響が少ない。

【００８２】また、金属膜を蒸着により半導体基板及び
第１の溝部の全面に形成し、この金属膜を陰極として電
気めっきにより孔に金属を埋め込んだ後金属配線パター
ンを形成することもできる。この場合には、孔に金属を
埋め込む電気めっきの際に、支持板として金属（導電
体）を用いる必要性がない。また、孔の底面を所定量除
去した後、電極部から前記孔の底面まで達する金属配線
パターンを形成するようにしてもよい。この場合には、
電気的接続の信頼性が向上する。

【００８３】また、回路素子部の内部にリアクティブイ
オンエッチングにより第１の溝部を設け、突起電極を半
導体装置の周縁部以外にも設けるようにしてもよい。

【００８４】実施の形態８．図４７は実施の形態１の製
造方法で製造された半導体装置１００を複数段に互いに
貫通電極１０が接続するように積層して構成された電子
機器の断面図でり、この実施の形態では、高集積、高機
能の電子機器を得ることができる。

【００８５】実施の形態９．図４８は実施の形態１の製
造方法で製造された半導体装置１００の貫通電極１０に
例えばチップコンデンサのような受動素子３１を搭載し
た小形の回路基板３２を接続して一体化した回路機能を
有する電子機器を示した図である。この場合には、従来
の所謂ハイブリッドＩＣに比べて小型化することができ
る。

【００８６】実施の形態１０．図４９は実施の形態１の
製造方法で製造された半導体装置１００の貫通電極１０
に表裏両面から電子部品３５を有する第１の回路基板３
３、及び電子部品３６を有する第２の回路基板３４を接
続した電子機器を示した図である。この場合には、三次
元的な接続構造となり、自由度が高く、高集積な電子機
器を得ることができる。

【００８７】実施の形態１１．図５０は実施の形態１の
製造方法で製造された半導体装置１００を回路基板４０
のコア４１に埋め込み、貫通電極１０の表裏両面に回路
基板４０の両面の配線層４２を接続した電子機器の部分
断面図である。この場合には、三次元的な接続構造とな
り、高自由度、高集積、小型化された電子機器を得るこ
とができる。また、配線遅延が少なくなるという効果も
ある。

【００８８】なお、実施の形態８ないし１１では、何れ
も実施の形態１の製造方法で製造された半導体装置１０
０を組み入れた電子機器について説明したが、実施の形
態１〜７の製造方法で製造された半導体装置２００，３
００，４００，５００，６００，７００，８００、およ
び後述する実施の形態１２〜１８の製造方法で製造され
る半導体装置にも適用できるのは勿論である。

【００８９】実施の形態１２．図５１（ａ）ないし図５
１（ｇ）はこの発明の実施の形態１２の半導体装置の製
造方法の各工程を示す図である。

【００９０】以下、この半導体装置の製造手順について
図に基づいて説明する。先ず、図５１（ａ）に示すよう
に、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子部２
１１を複数個配置した基板本体２１０を製造する。ま
た、シリコンウエハで構成された支持板基材２１２を予
め用意しておく（第１の工程）。次に、図５１（ｂ）に
示すように、シリコンウエハで構成された基板本体２１
０の回路形成面の反対側の裏面を、後工程のトレンチエ
ッチング工程で形成される孔２１３の深さよりも薄い厚
さまで研削する。一方、支持板基材２１２の表面には例
えばＡｌ膜を形成して中間膜２１４を形成し、さらにそ
の中間膜２１４の表面に、例えばＳｉＯ_２またはアルミ
ナで構成された絶縁膜２１５を形成して支持板２１７を
製造する（第２の工程）。

【００９１】その後、図５１（ｃ）に示すように、支持
板２１７と、薄く研磨された基板本体２１０とを陽極接
合する（第３の工程）。このとき、絶縁膜２１５の表面
にはＰＳＧ（Phosphosilicate Glass）もしくはＢＳＰ
ＳＧ（Brophosphosilicate Glass）と呼ばれる材料が付
着される。このようにすることで、絶縁膜２１５中に
は、リン、またはボロンがドープされ、絶縁膜２１５の
表面には電荷が誘起し易くなり、陽極接合が容易とな
る。また、絶縁膜の表面だけではなく、絶縁膜そのもの
をこれらの材料で構成することもできる。なお、先に説
明した実施の形態における陽極接合についても、絶縁膜
表面または絶縁膜そのものにＰＳＧもしくはＢＳＰＳＧ
の材料を用いることができる。

【００９２】次に、図５１（ｄ）に示すように、回路素
子部２１１からエッチングによって深さ１００μｍ程度
の支持板２１２に達するエッチング処理を行う（第４の
工程）。その次に、図５１（ｅ）に示すように、孔２１
３の内壁面に絶縁膜を形成し、その後電気めっきの陰極
となる金属膜を絶縁膜上に堆積する。そして、この金属
膜を陰極として電気めっきで孔２１３の内部に導電性材
料からなる貫通電極２１６を形成する。その後、図５１
（ｆ）に示すように、支持板２１２を除去し、また中間
膜２１４および貫通電極２１６の端面が同一面になるま
で、裏面を削除する（第５の工程）。このとき、貫通電
極２１６の端面は平坦化されている。

【００９３】最後に、図５１（ｇ）に示すように、中間
膜２１４をエッチングにより完全に除去して、基板本体
２１０の裏面から貫通電極２１６が突出した半導体装置
集合体を製造し、この半導体装置集合体を複数個に分割
して半導体装置を製造する（第６の工程）。この工程で
は、エッチング処理は、中間膜２１４のみに行われ、絶
縁膜２１５までは及ばず、結果として、絶縁膜２１５は
基板本体２１０の裏面に転写されたことになる。また、
エッチング処理される、支持板基材２１２、中間膜２１
４については、エッチングされ易い材料を選択して用い
ればよい。

【００９４】上記工程で製造された半導体装置では、製
造途中において、支持板基材２１２により基板本体２１
０は支持されており、従来必要とした、薄型化した後の
絶縁膜形成とその貫通電極の開口が不要となり、加工精
度の要求されない単純な工程（図５１（ｆ）、図５１
（ｇ）参照）のみで基板本体２１０の裏面から突出した
貫通電極２１６が形成でき、製造工程での基板本体２１
２の破損の発生は低減され、半導体装置の製品歩留まり
が向上する。また、基板本体２１０の裏面側には、絶縁
膜２１５が設けられているので、裏面側の削除時に、電
極材料が基板本体の裏面に残留し、それが基板本体中に
拡散し、期待しないエネルギー順位を形成して、半導体
装置の特性を劣化させるようなことを防止することがで
きる。

【００９５】また、支持板基材２１２と基板本体２１０
との接合には陽極接合が用いられており、支持板基材２
１２と基板本体２１０との間には異種材料が介在しない
ためエッチングによる孔２１３の形成が簡単になる。ま
た、支持板基材２１２にはＳｉ、中間膜２１４にはＡ
ｌ、絶縁膜２１５にはＳiＯ_２といった現在の半導体製
造工程で一般に用いられ、それだけ加工技術も高度に発
達し、確立している材料を使用しているため、製品の歩
留まりが向上するとともに、製造コストも低減される。

【００９６】図５２は図５１に示した方法により製造さ
れた半導体装置３５０の要部断面図である。基板本体２
１０の孔２１３は回路形成面に対してほぼ垂直に形成さ
れている。この孔２１３の垂直壁面には、貫通絶縁膜２
１８が形成されている。この孔２１３には貫通電極２１
６が貫通しており、この貫通電極２１６の両端部は突出
している。基板本体２１０の裏面側では、貫通電極２１
６の下端面を除いて絶縁膜２１５が形成されている。こ
の絶縁膜２１５と貫通絶縁膜２１８とは垂直に交差して
いる。実施の形態１２による半導体装置３５０では、貫
通電極２１６と基板本体２１０との間では、基板本体２
１０の裏面が露出するようなことはなく、絶縁性に問題
がなく、また貫通電極２１６の端面に絶縁膜２１５が乗
り上げるようなことは無く、貫通電極における接合性に
問題が生じない。また、基板本体２１０から貫通した複
数の貫通電極２１６の下端面は、基板本体２１０の回路
形成面とほぼ平行で、かつ平坦な面を有しており、さら
に基板本体２１０の絶縁膜２１５からのそれぞれの貫通
電極２１６の突出量はほぼ等しいので、半導体装置同士
を積層して電気的に接合したときの接合性が良い。

【００９７】実施の形態１３．図５３（ａ）ないし図５
３（ｇ）はこの発明の実施の形態１３の半導体装置の製
造方法の各工程を示す図である。以下、この半導体装置
の製造手順について図に基づいて説明する。先ず、図５
３（ａ）に示すように、表面の回路形成面に所定機能を
有する回路素子部２１１を複数個配置した基板本体２１
０を製造する。また、シリコンウエハで構成された支持
板基材２１２の表面にはＡｌ膜で構成された中間膜２１
４を形成する（第１の工程）。次に、図５３（ｂ）に示
すように、基板本体２１０の回路形成面と反対側の裏面
を、後工程のトレンチエッチング工程で形成される孔２
１３の深さよりも薄い厚さまで削除する。一方、表面に
Ａｌ膜の中間膜２１４が形成された支持板基材２１２で
は、その中間膜２１４の表面に、ポリイミド樹脂で構成
され、絶縁膜２２０となる接着剤を塗布し、支持板２２
１を形成する（第２の工程）。

【００９８】その後、図５３（ｃ）に示すように、支持
板２２１上に薄く研磨された基板本体２１０を上記接着
剤を硬化させることで接着する（第３の工程）。その
後、図５３（ｄ）〜図５３（ｇ）に示す手順で半導体装
置は製造されるが、その各工程は、実施の形態１２で述
べた図５１（ｄ）〜図５１（ｇ）と同様である。

【００９９】この実施の形態の半導体装置では、接着剤
であるポリイミド樹脂前駆体が実施の形態１２の半導体
装置で用いられた陽極接合の代わりとして使用されてい
る。陽極接合は技術的に高度でそれだけ工程コストも嵩
むことになるが、ポリイミド樹脂を用いることにより、
工程コストの低減を図ることができる。

【０１００】実施の形態１４．図５４（ａ）ないし図５
４（ｇ）はこの発明の実施の形態１４の半導体装置の製
造方法の各工程を示す図である。この実施の形態では、
実施の形態１２の半導体装置の製造方法と比較して、中
間膜２１４が形成されていない点、即ち実施の形態１２
の支持板２１７は支持板基材２１２に中間膜２１４およ
び絶縁膜２１５が積層されていたのに対して、実施の形
態１４の支持板２３０は支持板基材２１２の上面に絶縁
膜２１５が形成されている点で異なり、その結果図５４
（ｂ）〜図５４（ｆ）の工程が異なる。なお、この実施
の形態でも、基板本体２１０と支持板基材２１２との接
合は陽極接合であり、また、孔２１３の内壁面に絶縁膜
を形成し、その後電気めっきの陰極となる金属膜を絶縁
膜上に堆積し、この金属膜を陰極として電気めっきで孔
２１３の内部に貫通電極２１６を形成している。

【０１０１】この実施の形態では、研削加工の目途とな
る中間膜２１４が形成されていないため、基板本体２１
０の裏側の研削加工は、図５３（ｆ）に示すように、絶
縁膜２１５層に達しない状態で停止しなければならな
い。そのため、寸法のみにより研削程度を制御しなけれ
ばならず、高い研削加工精度が要求されるものの、中間
膜２１４を形成する工程が不要となる点で製造工程が簡
単化される。なお、支持板基材２１２としてＳｉウエハ
の代わりにＡｌを用いることもできる。これにより、簡
単にエッチングでき、実施の形態１２の半導体装置と同
じ作用、効果を得ることができる。また、支持板基材２
１２の裏面研削を裏面に貫通電極２１６が露出しない段
階で停止し、その後支持板基材２１２を完全にエッチン
グ除去して自動的に貫通電極２１６を基板本体２１０の
裏側から突出させるようにしてもよい。これによれば、
研削精度はそれほど高くなくてもよい。ただし、絶縁膜
２１５からの各貫通電極２１６の突出量は、図５４
（ｄ）のトレンチエッチングのエッチング深さとその均
一性に大きく依存することになり、各突出量の均一性が
劣り、また突出した貫通電極２１６の端面の平坦性の点
でも劣る。

【０１０２】なお、支持板が中間膜２１４および絶縁膜
２１５を共に形成していない支持板基材２１２のみの場
合でも貫通電極を有する半導体装置を製造することがで
きる。即ち、次の手順で半導体装置を製造することがで
きる。最初に、支持板基材２１２の表面に、図５１
（ｂ）で示された基板本体２１０の裏面をポリイミド樹
脂で接合し、その後ポリイミド樹脂を硬化して絶縁膜を
形成する。次に、回路形成面から支持板基材２１２に達
する孔２１３を形成し、孔２１３の内側壁に貫通絶縁膜
を形成する。その後、孔２１３内に導電性材料を埋め込
み貫通電極２１６を形成する。次に、支持板基材２１２
を、貫通電極２１６の端部が突出し、かつ絶縁膜２２０
を残して除去する。こうして、製造された集合体半導体
装置を複数に分割すればよい。

【０１０３】実施の形態１５．図５５（ａ）ないし図５
５（ｇ）はこの発明の実施の形態１５の半導体装置の各
製造工程を示す図である。この実施の形態では、実施の
形態１２の半導体装置の製造方法と比較して、埋め込み
酸化膜２４１を有するＳＯＩ（Silicon on Insulator）
ウエハで基板本体２４０を構成している点、および貫通
電極２１６を形成する際に、孔２１３の内壁面に絶縁膜
が形成されない点が異なる。

【０１０４】この実施の形態では、基板本体２４０の裏
面を、総厚数ミクロン程度の厚さになるまで機械研削、
化学的機械研磨、エッチング、あるいはこれらの併用に
よって加工し、埋め込み酸化膜２４１の片面を露出させ
る（図５５（ｂ）参照）。この後、基板本体２４０と支
持板基材２１２とを陽極接合により接合し（図５５
（ｃ）参照）、支持板基材２１２に達する孔２１３を形
成する（図５５（ｄ）参照）。次に、孔２１３の内壁面
に電気めっきの陰極となる金属膜を形成し、電気めっき
により貫通電極２１６を形成する（図５５（ｅ）参
照）。その後、貫通電極２１６の端面が露出するまで支
持板基材２１２を研削（図５５（ｆ）参照）する。次
に、支持板基材２１２をエッチングにより完全に除去し
て半導体装置集合体を製造し（図５５（ｇ）参照）、こ
の集合体を分割して半導体装置を製造する。なお、必要
に応じて中間膜２１４等を形成するようにしてもよい。

【０１０５】この実施の形態の半導体装置では、基板本
体２４０の埋め込み酸化膜２４１が、実施の形態１２の
絶縁膜２１５に相当するので、支持板基材２１２には絶
縁膜２１５を形成する工程が下記に述べるように不要で
あるため、製造工程が簡単になるだけでなく、貫通電極
２１６の絶縁性も向上する。また、基板本体２４０はＳ
ＯＩウエハで構成されているので、ＳＯＩウエハ自体が
従来のウエハと比較して高速動作するため、貫通電極を
用いた、素子相互の接続（積層実装）による電送路の短
縮と相俟って、より高速動作の電子機器を提供すること
ができる。

【０１０６】図５６は基板本体２１０がＳｉウエハで構
成された場合での貫通電極２１６が形成されたときの
図、図５７は基板本体２４０がＳＯＩウエハで構成され
た場合での貫通電極２１６が形成されたときの図であ
る。但し、両図は、基板本体２１０を用いた場合と、基
板本体２４０を用いた場合の違いを明確に示すための対
比図であり、実施の形態１２および実施の形態１５の半
導体装置と構成を異にしている。図５６のものの場合に
は、基板本体２１０は導電性を有するため、孔２１３の
内壁面に一旦絶縁膜２５０を形成した後、電気めっきの
陰極となる金属膜２５１をその上に堆積し、その後孔２
１３の内部に金属を埋め込み、貫通電極２１６を形成し
ている。一方、図５７のものの場合には、基板本体２４
０はＳＯＩウエハで構成されており、この基板本体２４
０の回路素子部２１１を含む半導体膜２５１は極めて薄
く、その下層に絶縁膜である埋め込み酸化膜２４１があ
り、さらにその下層の支持板基材２１２は最終的には除
去してしまうので、孔２１３の内壁面の絶縁膜は不要と
なる。

【０１０７】実施の形態１６．図５８（ａ）ないし図５
８（ｇ）はこの発明の実施の形態１６の半導体装置の各
製造工程を示す図である。この実施の形態では、実施の
形態１５の半導体装置の製造方法と比較して、基板本体
２６０をＳＯＩウエハの代わりに、極薄の半導体層を例
えば石英ガラスからなる絶縁基材２６１に貼った貼り合
せ型ＳＯＩである点が異なる。

【０１０８】この実施の形態の半導体装置では、基板本
体２６０の裏面を機械研削、化学的機械研磨、エッチン
グ、あるいはこれらの併用によって、基板本体２６０を
所定厚さに加工後、実施の形態１５と同様の手順に従っ
て、裏面から貫通電極２１６を突出させる。このものの
場合、エッチングの深さの限界程度まで、絶縁基材２６
１を厚くすることができるので、実施の形態１５の半導
体装置と比較して、各製造工程での半製品の取り扱いが
容易である。

【０１０９】実施の形態１７．図５９（ａ）ないし図５
９（ｇ）はこの発明の実施の形態１７の半導体装置の各
製造工程を示す図である。この実施の形態では、実施の
形態１６の半導体装置の製造方法と比較して、支持板基
材２７０としてＳｉウエハの代わりにＡｌを用いた点が
異なる。この実施の形態では、支持板基材２７０に金属
板を用いており、孔２１３形成後、孔２１３の内部は電
気めっきによって貫通電極２１６が形成される。孔２１
３の内壁面での絶縁膜、および電気めっきの陰極となる
金属膜の形成は不要であり、支持板基材２７０を陰極と
して電気めっきで孔２１３の内部を金属で埋めている。

【０１１０】図６０は支持板基材２１２がＳｉウエハで
構成された場合での貫通電極２１６が形成されたときの
図、図６１は支持板基材２７０が金属で構成された場合
での貫通電極２１６が形成されたときの図である。但
し、両図は、支持板基材２１２を用いた場合と、支持板
基材２７０を用いた場合の違いを明確に示すための対比
図であり、実施の形態１６および実施の形態１７の半導
体装置と構成を異にしている。図６０のものの場合に
は、孔２１３を含む全面に、一旦電気めっきの陰極とな
る金属膜２５１を形成し、孔２１３以外はめっき成長し
ないように、フォトレジスト２７２を形成しなければな
らないのに対して、図６１のものの場合には、金属膜２
５１、フォトレジスト２７２の形成工程が不要である。
なお、Ｓｉウエハの表面に例えばＣｕで構成された金属
からなる中間膜を体積した支持板を形成し、この中間膜
に達し、Ｓｉウエハに達しない孔を形成することで、中
間膜を陰極として電気めっきにより貫通電極を形成する
ようにしてもよい。

【０１１１】実施の形態１８．図６２（ａ）ないし図６
２（ｅ）はこの発明の実施の形態１８の半導体装置の製
造方法の各工程を示す図である。以下、この半導体装置
の製造手順について図に基づいて説明する。先ず、図６
２（ａ）に示すようにＳＯＩウエハ２６２に絶縁基材２
６１を貼り合わせて構成された基板本体２６０の回路形
成面に所定機能を有する回路素子部２１１を形成する
（第１の工程）。次に、図６２（ｂ）に示すように、回
路素子部２１１からエッチングによって絶縁基材２６１
に達する深さ１００μｍ程度の孔２１３を形成する（第
２の工程）。その次に、図６２（ｃ）に示すように、電
気めっきで孔２１３の内部に、孔側壁に絶縁膜を形成せ
ずして貫通電極２１６を形成する（第３の工程）。その
後、図６２（ｄ）に示すように、貫通電極２１６の端面
が露出するまで基板本体２６０の裏面を研削する（第４
の工程）。最後に、図６２（ｅ）に示すように、絶縁基
材２６１を所定の厚さまでエッチングにより除去して、
基板本体２６０の裏面から貫通電極２１６が突出した半
導体装置集合体を製造し、この半導体装置集合体を複数
個に分割して半導体装置を製造する（第５の工程）。

【０１１２】この半導体装置では、支持板基材を用いな
くても、貫通電極を有する半導体装置を製造する例であ
る。なお、上記実施の形態１６〜１８では、ＳＯＩウエ
ハ２６２に絶縁基材２６１を貼り合わせて構成された基
板本体２６０を用いて半導体装置を製造した場合につい
て説明したが、ＴＦＴ基板を用いても同様の効果を得る
ことができる。

【０１１３】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
装置の製造方法によれば、表面の回路形成面に所定機能
を有する回路素子部を複数個形成した基板本体の裏面に
支持板を貼り付ける工程と、前記基板本体の回路素子部
の周縁部あるいは回路素子部内の所定部分のどちらか少
なくとも一方に前記支持板に達する第１の溝部を形成す
る工程と、絶縁材料を用いて、前記第１の溝部にその底
部が支持板が露出する孔を形成する工程と、前記回路素
子部に形成された電極部から前記孔の少なくとも内壁の
一部に達する金属配線パターンを形成する工程と、前記
孔の底面を所定量除去する工程と、前記孔内に前記回路
形成面から突出するように導電性材料を埋め込み貫通電
極を形成する工程と、前記回路素子部の周縁部に前記支
持板に達する第２の溝部を形成する工程と、前記支持板
を除去して複数個の半導体装置に分離する工程とを備え
たので、製造途中において基材が薄くなるようなことは
なく、ハンドリングが容易となり、貫通電極を有する半
導体装置を簡単に製造することができる。

【０１１４】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、第１の溝部を回路素子部の周縁部に形成し、第
２の溝部を第１の溝部の内部に形成したので、機械加工
により製造することができる。

【０１１５】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、基板本体に支持板を貼り付ける前に、基板本体
の裏面を所定量除去するので、半導体基板の孔をより簡
単に形成することができる。

【０１１６】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、第１の溝部はダイシングソーを用いて形成され
るので、簡単に、かつ能率良く第１の溝部を形成するこ
とができる。

【０１１７】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、第１の溝部はリアクティブイオンエッチングに
よって形成されるので、寸法精度の高い第１の溝部を形
成することができる。

【０１１８】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、絶縁材料を用いて、第１の溝部で支持板に達す
る孔を形成する際に、同時に半導体基板の表面では絶縁
膜を形成するので、回路素子部の保護形成膜の形成する
工程をわざわざ設ける必要性はない。

【０１１９】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、絶縁材料は感光性ポリイミドあるいは感光性ガ
ラスであり、孔は写真製版法（フォトリソグラフィー）
により形成されるので、感光性を有しない絶縁材料と比
較して工程を簡略化することができる。

【０１２０】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、第２の溝部はダイシングソーを用いて形成され
るので、簡単に、かつ能率良く第２の溝部を形成するこ
とができる。

【０１２１】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、直径がほぼ３〜３０ｎｍの金属粒子を界面活性
剤で覆い溶液中に分散した独立分散超微粒子を、スピン
塗布して半導体基板の表面及び第１の溝部に形成した孔
内部に被着して焼成した後、その焼成部の一部を削除し
て、孔内部を埋め込む金属部分を形成するので、廃水処
理等の環境への影響が少なく、またスピン塗布のため、
半導体装置の製造プロセスとの整合性が良い。

【０１２２】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、孔内の導電性材料の埋め込みは、ガス中蒸着法
により生成した金属超微粒子を、減圧室のステージ上に
載置した半導体基板上で、孔に指向したノズルから吹き
付けるガスデポジション法により行われるので、請求項
９に係る工程と同様に埋め込み工程の時間が短く、また
材料を無駄なく使用でき、環境への影響が少ない。

【０１２３】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板は金属板であり、孔の底面の所定量の除
去は腐蝕液を用いたエッチング法で行われるので、半導
体装置の裏面の突起電極を簡単に形成することができ
る。

【０１２４】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、孔内の金属の埋め込みは、支持板を陰極として
電気めっきを用いて行われるので、無電解めっきと比較
して選択成長性が高く、孔部分のみの埋め込みが可能と
なる。また、使用できる材料の選択枝が広い。

【０１２５】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子
部を複数個形成された基板本体の裏面に第１の支持板を
貼り付ける工程と、前記基板本体に前記第１の支持板に
達する第１の溝部を形成する工程と、絶縁材料を用い
て、前記第１の溝部にその底部が第１の支持板が露出す
る孔を形成する工程と、前記回路素子部に形成された電
極部から前記孔の少なくとも内壁の一部に達する金属配
線パターンを形成する工程と、前記孔の底面を所定量除
去する工程と、前記孔内に前記回路形成面から突出する
ように導電性材料を埋め込み貫通電極を形成する工程
と、前記回路素子部の周縁部に前記第１の支持板に達す
る第２の溝部を形成する工程と、前記半導体基板の回路
形成面側に第２の支持板を貼り付ける工程と、前記第１
の支持板を除去する工程と、前記貫通電極に触針して回
路素子部の回路機能を検査する工程と、第２の支持板を
除去することで、複数個の半導体装置に分離する工程と
を備えたので、第１の支持板を除去した後も複数の半導
体装置は、第２の支持板により、個別化せず、それだけ
ハンドリングが容易となり、回路素子部の機能の検査を
容易にすることができる。

【０１２６】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、第１の溝部を回路素子部の周縁部に形成し、第
２の溝部を第１の溝部の内部に形成したので、基板本体
を切断する従来の刃を使用することができる。

【０１２７】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、孔の底面を所定量除去した後、電極部から前記
孔の底面まで達する金属配線パターンを形成するので、
電気的接続の信頼性が向上する。

【０１２８】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、回路素子部間の第１の溝部内では第１の溝部に
沿って二列に並んだ孔を形成し、この二列の孔の間に第
２の溝部を形成するので、周縁部の貫通電極は共通の第
１の溝部で形成されるため、製造工程が簡単で、製造が
容易である。

【０１２９】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、回路素子部間には二列に延びた第１の溝部をそ
れぞれ形成し、各第１の溝部内に一列に並んだ孔を形成
し、二列に延びた第１の溝部の間に第２の溝部を形成す
るので、請求項２２の半導体装置の製造方法と比較し
て、第２の溝部の形成は基板本体に設けられるので、基
板本体を切断する従来の刃を使用することができる。ま
た、半導体装置の周縁部は半導体基板であり、請求項２
２の半導体装置と比較して剛性が高く、それだけ、周縁
部の貫通電極をより保護することができる。

【０１３０】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、半導体基板の裏面に支持板を陽極接合により貼
り付けるので、接着剤等の異種材料が介在せず、耐薬品
性等の工程中の制約が少なくなる。

【０１３１】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、基板本体の裏面と支持板との間は接着材料で接
着され、接着後には硬化されて絶縁層となり、支持板の
除去後には半導体基板の裏面に残留するので、接着材が
そのままそのまま半導体装置の安定した絶縁層を形成す
ることになる。

【０１３２】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板を半導体基板の裏面に貼り付ける前に、
半導体基板の裏面に酸化膜を形成するので、半導体基板
の裏面は電気的、化学的に安定化し、半導体装置は電気
的な性能や信頼性が向上する。

【０１３３】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、回路素子部の内部に第１の溝部を設けるので、
貫通電極を半導体装置の周縁部以外にも設けることがで
きる。

【０１３４】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板に穴部を形成する工程と、この穴部に電
極材料を充填して第１の突起電極を形成する工程と、前
記支持板の所定位置に第１の突起電極と接続される第１
の金属配線パターンを形成する工程と、表面の回路形成
面に所定機能を有する回路素子部を複数個形成された基
板本体の裏面を接着材を用いて前記支持板上に貼り付け
る工程と、回路素子部間の基板本体の領域おいて前記第
１の金属配線パターンの手前の前記接着材で形成された
絶縁層にまで達する第１の溝部を形成し、基板本体を複
数の半導体基板に分割する工程と、絶縁材料を用いて、
前記半導体基板の表面では前記回路素子部の電極部を除
いて絶縁膜を形成し、また前記第１の溝部では支持板に
達する孔を形成する工程と、電極部から前記孔の少なく
とも内壁の一部に達するように、第２の金属配線パター
ンを形成する工程と、前記孔の底面の絶縁層を除去して
第１の金属配線パターンを露出させる工程と、前記孔に
金属を埋め込み貫通電極を形成する工程と、前記第２の
金属配線パターンの所定箇所に第２の突起電極を設ける
工程と、前記第１の溝部に沿って前記支持板に達する第
２の溝部を設ける工程と、前記支持板を除去する工程と
を備えたので、第１の突起電極及び第２の突起電極を有
する半導体装置を簡単に製造することができる。

【０１３５】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板に穴部を形成し、この穴部に電極材料を
充填して第１の突起電極を形成する工程、あるいは前記
第２の金属配線パターンの所定箇所に第２の突起電極を
設ける工程を削除するので、工程がそれだけ簡略化され
る。

【０１３６】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、孔の底面の絶縁層を除去して第１の金属配線パ
ターンを露出させた後、電極部から前記孔を通じて第１
の金属配線パターンと接続する第２の金属配線パターン
を形成するので、孔に金属を埋め込み貫通電極を形成す
る工程を削除することができる。

【０１３７】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、回路形成面に突起電極を形成する工程を含むの
で、回路形成面に突起電極を有する半導体装置を簡単に
得ることができる。

【０１３８】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、裏面に突起電極を形成する工程を含むので、回
路形成面に突起電極を有する半導体装置を簡単に得るこ
とができる。

【０１３９】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子
部を形成した前記基板本体の裏面を所定厚に研削する工
程と、支持板基材の表面に中間膜および絶縁膜の順序で
形成された支持板の絶縁膜に、研削された前記基板本体
の裏面を接合する工程と、前記回路形成面から前記支持
板基材に達する孔を形成し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を
形成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記
貫通電極を形成する工程と、前記中間膜が露出するまで
研削して前記貫通電極の端部を突出させる工程と、前記
中間膜をエッチングにより除去して前記絶縁膜を露出さ
せる工程とを備えているので、製造途中において、支持
板基材により基板本体は支持されており、従来必要とし
た、薄型化した後の絶縁膜形成とその貫通電極の開口が
不要となり、加工精度の要求されない単純な工程のみで
基板本体の裏面から突出した貫通電極が形成でき、製造
工程での基板本体の破損の発生は低減され、半導体装置
の製品歩留まりが向上する。また、基板本体の裏面側に
は、絶縁膜が設けられているので、裏面側の削除時に、
電極材料が基板本体の裏面に残留し、それが基板本体中
に拡散し、期待しないエネルギー順位を形成して、半導
体装置の特性を劣化させるようなことを防止することが
できる。また、支持板基材の中間膜は支持板を削除する
際の目途となり、絶縁膜の手前で確実に支持板の削除を
停止することができ、半導体装置の裏面には絶縁膜が確
実に形成される。

【０１４０】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子
部を形成した前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工
程と、支持板基材の表面に中間膜が形成された支持板の
中間膜に、削除された前記基板本体の裏面を接着剤によ
り接合する工程と、前記接着剤を硬化することで絶縁膜
を形成する工程と、前記回路形成面から前記支持板基材
に達する孔を形成し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形成す
る工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電
極を形成する工程と、前記中間膜が露出するまで研削し
て前記貫通電極の端部を突出させる工程と、前記中間膜
をエッチングにより除去して前記絶縁膜を露出させる工
程とを備えているので、製造途中において、支持板基材
により基板本体は支持されており、従来必要とした、薄
型化した後の絶縁膜形成とその貫通電極の開口が不要と
なり、加工精度の要求されない単純な工程のみで基板本
体の裏面から突出した貫通電極が形成でき、製造工程で
の基板本体の破損の発生は低減され、半導体装置の製品
歩留まりが向上する。また、基板本体の裏面側には、絶
縁膜が設けられているので、裏面側の削除時に、電極材
料が基板本体の裏面に残留し、それが基板本体中に拡散
し、期待しないエネルギー順位を形成して、半導体装置
の特性を劣化させるようなことを防止することができ
る。また、支持板基材の中間膜は支持板を削除する際の
目途となり、絶縁膜の手前で確実に支持板の削除を停止
することができ、半導体装置の裏面には絶縁膜が確実に
形成される。また、絶縁膜は、支持板と基板本体とを接
合する接着剤としても作用しており、接合工程が、その
まま絶縁膜形成工程を兼ねており、工程が簡単化され
る。

【０１４１】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子
部を形成した前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工
程と、支持板基材の表面に絶縁膜が形成された支持板の
絶縁膜に、削除された前記基板本体の裏面を接合する工
程と、前記回路形成面から前記支持板基材に達する孔を
形成し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形成する工程と、前
記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成する
工程と、前記支持板基材を、前記貫通電極の端部を突出
させ、かつ前記絶縁膜を残して除去する工程とを備えて
いるので、製造途中において、支持板基材により基板本
体は支持されており、従来必要とした、薄型化した後の
絶縁膜形成とその貫通電極の開口が不要となり、加工精
度の要求されない単純な工程のみで基板本体の裏面から
突出した貫通電極が形成でき、製造工程での基板本体の
破損の発生は低減され、半導体装置の製品歩留まりが向
上する。また、基板本体の裏面側には、絶縁膜が設けら
れているので、裏面側の削除時に、電極材料が基板本体
の裏面に残留し、それが基板本体中に拡散し、期待しな
いエネルギー順位を形成して、半導体装置の特性を劣化
させるようなことを防止することができる。また、支持
板基材の中間膜は支持板を削除する際の目途となり、絶
縁膜の手前で確実に支持板の削除を停止することがで
き、半導体装置の裏面には絶縁膜が確実に形成される。
また、支持板の裏面の削除の目途となる中間膜がないの
で、それだけ高い削除加工精度が要求されるものの、中
間膜を形成する工程が不要となり、製造工程が簡単化さ
れる。

【０１４２】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子
部を形成した前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工
程と、支持板基材の表面に、削除された前記基板本体の
裏面を接着剤により接合する工程と、前記接着剤を硬化
することで絶縁膜を形成する工程と、前記回路形成面か
ら前記支持板基材に達する孔を形成し、孔の内側壁に貫
通絶縁膜を形成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋
め込み前記貫通電極を形成する工程と、前記支持板基材
を、前記貫通電極の端部が突出し、かつ前記絶縁膜を残
して除去する工程とを備えているので、製造途中におい
て、支持板基材により基板本体は支持されており、従来
必要とした、薄型化した後の絶縁膜形成とその貫通電極
の開口が不要となり、加工精度の要求されない単純な工
程のみで基板本体の裏面から突出した貫通電極が形成で
き、製造工程での基板本体の破損の発生は低減され、半
導体装置の製品歩留まりが向上する。また、基板本体の
裏面側には、絶縁膜が設けられているので、裏面側の削
除時に、電極材料が基板本体の裏面に残留し、それが基
板本体中に拡散し、期待しないエネルギー順位を形成し
て、半導体装置の特性を劣化させるようなことを防止す
ることができる。また、絶縁膜は、支持板と基板本体と
を接合する接着剤としても作用しており、接合工程が、
そのまま絶縁膜形成工程を兼ねており、工程が簡単化さ
れる。また、支持板の裏面の削除の目途となる中間膜が
ないので、それだけ高い削除加工精度が要求されるもの
の、中間膜を形成する工程が不要となり、製造工程が簡
単化される。

【０１４３】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、絶縁膜である埋め込み酸化膜を有する前記基板
本体の裏面を所定厚に削除する工程と、支持板基材の表
面に、削除された前記基板本体の裏面を接合する接合す
る工程と、前記基板本体の表面から前記支持板基材に達
する孔を形成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め
込み前記貫通電極を形成する工程と、前記支持板基材
を、前記貫通電極の端部を突出させ、かつ前記絶縁膜を
残して除去する工程とを備えているので、製造途中にお
いて、支持板基材により基板本体は支持されており、従
来必要とした、薄型化した後の絶縁膜形成とその貫通電
極の開口が不要となり、加工精度の要求されない単純な
工程のみで基板本体の裏面から突出した貫通電極が形成
でき、製造工程での基板本体の破損の発生は低減され、
半導体装置の製品歩留まりが向上する。また、基板本体
の裏面側には、絶縁膜が設けられているので、裏面側の
削除時に、電極材料が基板本体の裏面に残留し、それが
基板本体中に拡散し、期待しないエネルギー順位を形成
して、半導体装置の特性を劣化させるようなことを防止
することができる。また、基板本体自身が絶縁膜を有し
ているので、支持板基材に絶縁膜を形成する工程が不要
であり、製造工程が簡単になるだけでなく、貫通電極の
絶縁性が向上する。

【０１４４】また、この発明の半導体装置の製造方法
は、絶縁膜である埋め込み酸化膜を有する前記基板本体
の裏面を所定厚に削除する工程と、前記基板本体の表面
から前記埋め込み酸化膜を超えて孔を形成する工程と、
前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成す
る工程と、前記基板本体の裏面を、前記貫通電極の端部
を突出させ、かつ前記埋め込み酸化膜を露出するように
削除する工程とを備えているので、従来必要とした、薄
型化した後の絶縁膜形成とその貫通電極の開口が不要と
なり、加工精度の要求されない単純な工程のみで基板本
体の裏面から突出した貫通電極が形成でき、製造工程で
の基板本体の破損の発生は低減され、半導体装置の製品
歩留まりが向上する。また、基板本体の裏面側には、絶
縁膜が設けられているので、裏面側の削除時に、電極材
料が基板本体の裏面に残留し、それが基板本体中に拡散
し、期待しないエネルギー順位を形成して、半導体装置
の特性を劣化させるようなことを防止することができ
る。また、支持板が用いられてなく、基板本体と支持板
との接合工程が不要となり、製造工程が簡単化される。
また、基板本体自身が絶縁膜を有しているので、支持板
基材に絶縁膜を形成する工程が不要となり、製造工程が
簡単になるだけでなく、貫通電極の絶縁性が向上する。

【０１４５】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、基板本体は、ＳＯＩウエハで構成されているの
で、ＳＯＩウエハによって形成した半導体素子は、通常
のウエハによる半導体素子と比較して高速動作し、より
高速動作の半導体装置を提供できる。

【０１４６】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、基板本体は、極薄の半導体層を絶縁基板に貼っ
た貼り合せ型ＳＯＩウエハで構成されているので、それ
だけ基板本体の剛性が高くなり、各製造工程での半製品
の取り扱いが容易となる。

【０１４７】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、基板本体は、ＴＦＴ基板であるので、張り合せ
型ＳＯＩよりも比較的簡単で低コストに絶縁基板上に極
薄の半導体素子を有する半導体装置を提供できる。

【０１４８】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板基材は金属で構成され、支持板基材を陰
極とする電気めっきにより貫通電極を形成するので、貫
通電極を孔内に形成する際に、内壁面に電気めっきの陰
極となる金属膜を形成する必要性がない。

【０１４９】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板基材の表面に金属からなる中間膜を堆積
した支持板を形成し、前記中間膜を陰極とする電気めっ
きにより貫通電極を形成するので、貫通電極を孔内に形
成する際に、内壁面に電気めっきの陰極となる金属膜を
形成する必要性がない。

【０１５０】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板基材は、貫通電極の端面を平坦化し、そ
の後エッチングにより削除されるので、貫通電極の端部
は基板本体から確実に突出するとともに、貫通電極を通
じての他の電気部品との電気的接合性がよい。

【０１５１】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板基材は、貫通電極が露出する手前で研削
を停止し、その後絶縁膜に達するまでエッチングにより
削除されるので、貫通電極の端部は基板本体から確実に
突出する。

【０１５２】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板基材は、エッチングにより削除されるの
で、貫通電極の端部は基板本体から確実に突出する。

【０１５３】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、接合は、陽極接合であるので、支持板基材と基
板本体との間には異種材料が介在しないためエッチング
による孔の形成が簡単になる。

【０１５４】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、接着剤は、ポリイミド樹脂であるので、技術的
に高度で工程コストが高い陽極接合と比較して、工程コ
ストを低減することができる。

【０１５５】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板基材はシリコンウエハで構成され、中間
膜はアルミニウムで構成され、また絶縁膜はシリコン酸
化膜で構成されているので、各材料ともに現在の半導体
製造工程で一般に用いられ、それだけ加工技術も高度に
発達し、確立している材料を使用しているため、製品の
歩留まりが向上するとともに、製造コストも低減され
る。

【０１５６】また、この発明の半導体装置の製造方法に
よれば、支持板基材はアルミニウムで構成され、現在の
半導体製造工程で一般に用いられ、それだけ加工技術も
高度に発達し、確立している材料を使用しているため、
製品の歩留まりが向上するとともに、製造コストも低減
される。

【０１５７】この発明の電子機器によれば、上記発明の
何れかに記載の半導体装置の製造方法で製造された複数
個の半導体装置を互いに突起電極が接続するように積層
して構成されているので、高集積、高機能の電子機器を
得ることができる。

【０１５８】また、この発明の電子機器によれば、上記
発明の何れかに記載の半導体装置の製造方法で製造され
た半導体装置の少なくとも一方の面に、少なくとも貫通
電極および突起電極の一方に受動素子を搭載した回路基
板を接続して構成されているので、従来の所謂ハイブリ
ッドＩＣに比べて小型化することができる。

【０１５９】また、この発明の電子機器によれば、上記
発明の何れかに記載の半導体装置の製造方法で製造され
た半導体装置の両面が、少なくとも貫通電極および突起
電極の一方に接続された第１の回路基板及び第２の回路
基板により挟まれて構成されているので、三次元的な接
続構造となり、自由度が高く、高集積な電子機器を得る
ことができる。

【０１６０】また、この発明の電子機器によれば、上記
発明の何れかに記載の半導体装置の製造方法で製造され
た半導体装置を回路基板のコアに埋め込み、回路基板の
両面に形成した配線を少なくとも貫通電極および突起電
極の一方に接続されて構成されているので、三次元的な
接続構造となり、高自由度、高集積、小型化された電子
機器を得ることができる。また、配線遅延が少なくなる
という効果もある。

【０１６１】また、この発明の半導体装置によれば、所
定機能を構成する回路素子部を一主面上に形成した半導
体基板において、回路形成面からこの回路形成面の反対
側の面に達する貫通孔を有し、この貫通孔に沿って導電
路を有し、この導電路の周囲を取り囲む絶縁材料を有す
るものにおいて、隣接する前記導電路間にはこの絶縁材
料以外介在しないので、信頼性の高い半導体装置を得る
ことができる。

【０１６２】また、この発明の半導体装置によれば、回
路形成面からほぼ垂直に延びて貫通した孔が形成された
基板本体と、前記孔を貫通しているとともに前記基板本
体の両面の少なくとも一方から端部が突出した貫通電極
と、この貫通電極の周面に形成された貫通絶縁膜と、前
記基板本体から前記貫通電極が突出した側の基板本体の
面に前記貫通絶縁膜と垂直に交差して形成された絶縁膜
とを備えているので、貫通電極と基板本体との間では、
基板本体の裏面が露出するようなことはなく、絶縁性に
問題がなく、また貫通電極の端面に絶縁膜が乗り上げる
ようなことは無く、貫通電極における接合性に問題が生
じない。

【０１６３】また、この発明の半導体装置によれば、基
板本体から貫通し、基板本体から端部が突出した貫通電
極の端面は、基板本体の回路形成面とほぼ平行で、かつ
平坦な面であるので、半導体装置同士を積層して電気的
に接合したときの接合性が良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
方法における製造途中の断面図である。

【図２】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
方法における製造途中の断面図である。

【図３】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
方法における製造途中の断面図である。

【図４】図４（ｂ）はこの発明の実施の形態１の半導
体装置の製造方法における製造途中の平面図、図４
（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

【図５】図５（ｂ）はこの発明の実施の形態１の半導
体装置の製造方法における製造途中の平面図、図５
（ａ）は図５（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

【図６】図６（ｂ）はこの発明の実施の形態１の半導
体装置の製造方法における製造途中の平面図、図６
（ａ）は図６（ｂ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。

【図７】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
方法における製造途中の断面図である。

【図８】図８（ｂ）はこの発明の実施の形態１の半導
体装置の製造方法における製造途中の平面図、図８
（ａ）は図８（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。

【図９】図９（ｂ）はこの発明の実施の形態１の半導
体装置の製造方法における製造途中の平面図、図９
（ａ）は図９（ｂ）のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。

【図１０】図１０（ｂ）はこの発明の実施の形態１の
半導体装置の製造方法における製造途中の平面図、図１
０（ａ）は図１０（ｂ）のＦ−Ｆ線に沿った断面図であ
る。

【図１１】この発明の実施の形態２の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図１２】この発明の実施の形態２の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図１３】この発明の実施の形態２の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図１４】この発明の実施の形態３の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図１５】この発明の実施の形態３の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図１６】この発明の実施の形態３の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図１７】この発明の実施の形態３の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図１８】この発明の実施の形態３の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図１９】この発明の実施の形態３の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２０】この発明の実施の形態３の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２１】この発明の実施の形態３の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２２】この発明の実施の形態４の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２３】この発明の実施の形態４の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２４】この発明の実施の形態４の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２５】この発明の実施の形態４の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２６】この発明の実施の形態４の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２７】この発明の実施の形態４の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２８】この発明の実施の形態４の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図２９】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３０】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３１】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３２】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３３】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３４】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３５】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３６】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３７】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３８】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図３９】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図４０】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図４１】この発明の実施の形態６の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図４２】この発明の実施の形態６の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図４３】この発明の実施の形態６の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図４４】この発明の実施の形態７の半導体装置の製
造方法における製造途中の断面図である。

【図４５】図４４の要部拡大図である。

【図４６】半導体装置の製造方法における別の例の製
造途中の断面図である。

【図４７】この発明の実施の形態８の電子機器の断面
図である。

【図４８】この発明の実施の形態９の電子機器の断面
図である。

【図４９】この発明の実施の形態１０の電子機器の断
面図である。

【図５０】この発明の実施の形態１１の電子機器の断
面図である。

【図５１】図５１（ａ）〜図５１（ｇ）はこの発明の
実施の形態１２の半導体装置の製造方法の各工程を示す
図である。

【図５２】図５１の製造方法により製造された半導体
装置の要部断面図である。

【図５３】図５３（ａ）〜図５３（ｇ）はこの発明の
実施の形態１３の半導体装置の製造方法の各工程を示す
図である。

【図５４】図５４（ａ）〜図５４（ｇ）はこの発明の
実施の形態１４の半導体装置の製造方法の各工程を示す
図である。

【図５５】図５５（ａ）〜図５５（ｇ）はこの発明の
実施の形態１５の半導体装置の製造方法の各工程を示す
図である。

【図５６】ウエハを用いた基板本体に貫通電極が設け
られている様子を示す図である。

【図５７】ＳＯＩウエハを用いた基板本体に貫通電極
が設けられている様子を示す図である。

【図５８】図５８（ａ）〜図５８（ｇ）はこの発明の
実施の形態１６の半導体装置の製造方法の各工程を示す
図である。

【図５９】図５９（ａ）〜図５９（ｇ）はこの発明の
実施の形態１７の半導体装置の製造方法の各工程を示す
図である。

【図６０】支持板基材がＳｉウエハで構成された場合
での貫通電極が形成されたときの図である。

【図６１】支持板基材が金属で構成された場合での貫
通電極が形成されたときの図である。

【図６２】図６２（ａ）〜図６２（ｇ）はこの発明の
実施の形態１８の半導体装置の製造方法の各工程を示す
図である。

【図６３】従来の半導体装置の製造方法の各工程を示
す図である。

【符号の説明】

１基板本体、２回路素子部、３第１の支持板、
４，１５，２５第１の溝部、６,１７絶縁膜、７，
１６孔、８金属配線パターン、９第２の溝部、１
０貫通電極（突起電極）、１１接着材、１２第２
の支持板、１３プローブ、１４，１７絶縁層、２０
支持板、２１穴部、２３第１の突起電極、２２第
１の金属配線パターン、２４絶縁層、２７第２の金
属配線パターン、２８第２の突起電極、３０導電
部、３１受動素子、３２回路基板、３３第１の回
路基板、３４第２の回路基板、３５，３６電子部
品、４０回路基板、４１コア、５０半導体基板、
１００，２００，３００，３５０，４００，５００，６
００，７００，８００，９００半導体装置、２１０，
２４０，２６０基板本体、２１２，２７０支持板基
材、２１１回路素子部、２１３孔、２１４中間
膜、２１５絶縁膜、２１７支持板、２１８貫通絶
縁膜、２１５絶縁膜、２２１，２３０支持板、２４
１埋め込み酸化膜、２５１金属膜、２６１絶縁基
材、２６２ＳＯＩウエハ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面の回路形成面に所定機能を有する回
路素子部を複数個形成した基板本体の裏面に支持板を貼
り付ける工程と、前記基板本体の回路素子部の周縁部あるいは回路素子部
内の所定部分のどちらか少なくとも一方に前記支持板に
達する第１の溝部を形成する工程と、絶縁材料を用いて、前記第１の溝部にその底部が支持板
が露出する孔を形成する工程と、前記回路素子部に形成された電極部から前記孔の少なく
とも内壁の一部に達する金属配線パターンを形成する工
程と、前記孔の底面を所定量除去する工程と、前記孔内に前記回路形成面から突出するように導電性材
料を埋め込み貫通電極を形成する工程と、前記回路素子部の周縁部に前記支持板に達する第２の溝
部を形成する工程と、前記支持板を除去して複数個の半導体装置に分離する工
程とを備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】第１の溝部を回路素子部の周縁部に形成
し、第２の溝部を第１の溝部の内部に形成した請求項１
に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】基板本体に支持板を貼り付ける前に、基
板本体の裏面を所定量除去する請求項１または請求項２
に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】第１の溝部はダイシングソーを用いて形
成される請求項１ないし請求項３の何れかに記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項５】第１の溝部はリアクティブイオンエッチ
ングによって形成される請求項１ないし請求項３の何れ
かに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】絶縁材料を用いて、第１の溝部で支持板
に達する孔を形成する際に、同時に半導体基板の表面で
は絶縁膜を形成する請求項１ないし請求項５の何れかに
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】絶縁材料は感光性ポリイミドあるいは感
光性ガラスであり、孔は写真製版法（フォトリソグラフ
ィー）により形成される請求項１ないし請求項６の何れ
かに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】第２の溝部はダイシングソーを用いて形
成される請求項１ないし請求項７の何れかに記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項９】直径がほぼ３〜３０ｎｍの金属粒子を界
面活性剤で覆い溶液中に分散した独立分散超微粒子を、
スピン塗布して半導体基板の表面及び第１の溝部に形成
した孔内部に被着して焼成した後、その焼成部の一部を
削除して、孔内部に埋め込む金属部分を形成する請求項
１ないし請求項８の何れかに記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項１０】孔内の導電性材料の埋め込みは、ガス
中蒸着法により生成した金属超微粒子を、減圧室のステ
ージ上に載置した半導体基板上で、孔に指向したノズル
から吹き付けるガスデポジション法により行われる請求
項１ないし請求項９の何れかに記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項１１】支持板は金属板であり、孔の底面の所
定量の除去は腐蝕液を用いたエッチング法で行われる請
求項１ないし請求項１０の何れかに記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項１２】孔内の金属の埋め込みは、支持板を陰
極として電気めっきを用いて行われる請求項１１に記載
の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】表面の回路形成面に所定機能を有する
回路素子部を複数個形成した基板本体の裏面に第１の支
持板を貼り付ける工程と、前記基板本体に前記第１の支持板に達する第１の溝部を
形成する工程と、絶縁材料を用いて、前記第１の溝部にその底部が支持板
が露出する孔を形成する工程と、前記回路素子部に形成された電極部から前記孔の少なく
とも内壁の一部に達する金属配線パターンを形成する工
程と、前記孔の底面を所定量除去する工程と、前記孔内に前記回路形成面から突出するように導電性材
料を埋め込み貫通電極を形成する工程と、前記回路素子部の周縁部に前記支持板に達する第２の溝
部を形成する工程と、前記半導体基板の回路形成面側に第２の支持板を貼り付
ける工程と、前記第１の支持板を除去する工程と、前記貫通電極に触針して回路素子部の回路機能を検査す
る工程と、第２の支持板を除去することで、複数個の半導体装置に
分離する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
【請求項１４】第１の溝部を回路素子部の周縁部に形
成し、第２の溝部を第１の溝部の内部に形成した請求項
１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】孔の底面を所定量除去した後、電極部
から前記孔の底面まで達する金属配線パターンを形成す
る請求項１ないし請求項１４の何れかに記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項１６】回路素子部間の第１の溝部内では第１
の溝部に沿って二列に並んだ孔を形成し、この二列の孔
の間に第２の溝部を形成する請求項２ないし請求項１
２、請求項１４および１５の何れかに記載の半導体装置
の製造方法。
【請求項１７】回路素子部間には二列に延びた第１の
溝部をそれぞれ形成し、各第１の溝部内に一列に並んだ
孔を形成し、二列に延びた第１の溝部の間に第２の溝部
を形成する請求項２ないし請求項１２、請求項１４およ
び１５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】半導体基板の裏面に支持板を陽極接合
により貼り付ける請求項１ないし請求項１７の何れかに
記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】基板本体の裏面と支持板との間は接着
材料で接着され、接着後には硬化されて絶縁層となり、
支持板の除去後には半導体基板の裏面に残留する請求項
１ないし請求項１７の何れかに記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項２０】支持板を半導体基板の裏面に貼り付け
る前に、半導体基板の裏面に酸化膜を形成する請求項１
ないし請求項１９の何れかに記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項２１】回路素子部の内部に第１の溝部を設け
る請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】支持板に穴部を形成する工程と、この穴部に電極材料を充填して第１の突起電極を形成す
る工程と、前記支持板の所定位置に第１の突起電極と接続される第
１の金属配線パターンを形成する工程と、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を複数
個形成した基板本体の裏面を接着材を用いて前記支持板
上に貼り付ける工程と、回路素子部間の基板本体の領域おいて前記第１の金属配
線パターンの手前の前記接着材で形成された絶縁層にま
で達する第１の溝部を形成し、基板本体を複数の半導体
基板に分割する工程と、絶縁材料を用いて、前記半導体基板の表面では前記回路
素子部の電極部を除いて絶縁膜を形成し、また前記第１
の溝部では支持板に達する孔を形成する工程と、電極部から前記孔の少なくとも内壁の一部に達するよう
に、第２の金属配線パターンを形成する工程と、前記孔の底面の絶縁層を除去して第１の金属配線パター
ンを露出させる工程と、前記孔に金属を埋め込み貫通電極を形成する工程と、前記第２の金属配線パターンの所定箇所に第２の突起電
極を設ける工程と、前記第１の溝部に沿って前記支持板に達する第２の溝部
を設ける工程と、前記支持板を除去する工程とを備えた半導体装置の製造
方法。
【請求項２３】支持板に穴部を形成し、この穴部に電
極材料を充填して第１の突起電極を形成する工程、ある
いは前記第２の金属配線パターンの所定箇所に第２の突
起電極を設ける工程を削除する請求項２２に記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項２４】孔の底面の絶縁層を除去して第１の金
属配線パターンを露出させた後、電極部から前記孔を通
じて第１の金属配線パターンと接続する第２の金属配線
パターンを形成する請求項２３に記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項２５】回路形成面に突起電極を形成する工程
を含む請求項２２ないし請求項２４の何れかに記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項２６】半導体基板の裏面に突起電極を形成す
る工程を含む請求項２２ないし請求項２５の何れかに記
載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】基板本体を貫通電極が貫通した半導体
装置の製造方法であって、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を形成
した前記基板本体の裏面を所定厚に研削する工程と、支持板基材の表面に中間膜および絶縁膜の順序で形成さ
れた支持板の絶縁膜に、研削された前記基板本体の裏面
を接合する工程と、前記回路形成面から前記支持板基材に達する孔を形成
し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成す
る工程と、前記中間膜が露出するまで研削して前記貫通電極の端部
を突出させる工程と、前記中間膜をエッチングにより除去して前記絶縁膜を露
出させる工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２８】基板本体を貫通電極が貫通した半導体
装置の製造方法であって、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を形成
した前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工程と、支持板基材の表面に中間膜が形成された支持板の中間膜
に、削除された前記基板本体の裏面を接着剤により接合
する工程と、前記接着剤を硬化することで絶縁膜を形成する工程と、前記回路形成面から前記支持板基材に達する孔を形成
し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成す
る工程と、前記中間膜が露出するまで研削して前記貫通電極の端部
を突出させる工程と、前記中間膜をエッチングにより除去して前記絶縁膜を露
出させる工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２９】基板本体を貫通電極が貫通した半導体
装置の製造方法であって、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を形成
した前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工程と、支持板基材の表面に絶縁膜が形成された支持板の絶縁膜
に、削除された前記基板本体の裏面を接合する工程と、前記回路形成面から前記支持板基材に達する孔を形成
し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成す
る工程と、前記支持板基材を、前記貫通電極の端部を突出させ、か
つ前記絶縁膜を残して除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項３０】基板本体を貫通電極が貫通した半導体
装置の製造方法であって、表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を形成
した前記基板本体の裏面を所定厚に削除する工程と、支持板基材の表面に、削除された前記基板本体の裏面を
接着剤により接合する工程と、前記接着剤を硬化することで絶縁膜を形成する工程と、前記回路形成面から前記支持板基材に達する孔を形成
し、孔の内側壁に貫通絶縁膜を形成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成す
る工程と、前記支持板基材を、前記貫通電極の端部が突出し、かつ
前記絶縁膜を残して除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項３１】基板本体を貫通電極が貫通した半導体
装置の製造方法であって、絶縁膜である埋め込み酸化膜を有する前記基板本体の裏
面を所定厚に削除する工程と、支持板基材の表面に、削除された前記基板本体の裏面を
接合する接合する工程と、前記基板本体の表面から前記支持板基材に達する孔を形
成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成す
る工程と、前記支持板基材を、前記貫通電極の端部を突出させ、か
つ前記絶縁膜を残して除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項３２】基板本体を貫通電極が貫通した半導体
装置の製造方法であって、絶縁膜である埋め込み酸化膜を有する前記基板本体の裏
面を所定厚に削除する工程と、前記基板本体の表面から前記埋め込み酸化膜を超えて孔
を形成する工程と、前記孔内に導電性材料を埋め込み前記貫通電極を形成す
る工程と、前記基板本体の裏面を、前記貫通電極の端部を突出さ
せ、かつ前記埋め込み酸化膜を露出するように削除する
工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項３３】基板本体は、ＳＯＩウエハで構成され
ている請求項３１または請求項３２に記載の半導体装置
の製造方法。
【請求項３４】基板本体は、極薄の半導体層を絶縁基
板に貼った貼り合せ型ＳＯＩウエハである請求項３１ま
たは請求項３２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３５】基板本体は、ＴＦＴ基板である請求項
３１または請求項３２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３６】支持板基材は金属で構成され、支持板
基材を陰極とする電気めっきにより貫通電極を形成する
請求項３１ないし請求項３５の何れかに記載の半導体装
置の製造方法。
【請求項３７】支持板基材の表面に金属からなる中間
膜を堆積した支持板を形成し、前記中間膜を陰極とする
電気めっきにより貫通電極を形成する請求項３１ないし
請求項３５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３８】支持板基材は、貫通電極の端面を研削
により平坦化し、その後エッチングにより削除される請
求項２７ないし請求項３１、請求項３３ないし請求項３
７の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３９】支持板基材は、貫通電極が露出する手
前で研削を停止し、その後絶縁膜に達するまでエッチン
グにより削除される請求項２７ないし請求項３１、請求
項３３ないし請求項３７の何れかに記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項４０】支持板基材は、エッチングにより削除
される請求項２７ないし請求項３１、請求項３３ないし
請求項３７の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４１】接合は、陽極接合である請求項２７、
２９、３１、請求項３３ないし請求項４０の何れかに記
載の半導体装置の製造方法。
【請求項４２】接着剤は、ポリイミド樹脂である請求
項２８または請求項３０に記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項４３】支持板基材はシリコンウエハで構成さ
れ、中間膜はアルミニウムで構成され、また絶縁膜はシ
リコン酸化膜で構成されている請求項２７に記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項４４】支持板基材はアルミニウムで構成され
ている請求項２８ないし請求項３１、請求項３３ないし
請求項４３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４５】請求項１ないし請求項４４の何れかに
記載の半導体装置の製造方法で製造された複数個の半導
体装置を互いに突起電極が接続するように積層して構成
された電子機器。
【請求項４６】請求項１ないし請求項４４の何れかに
記載の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置の
少なくとも一方の面に、少なくとも貫通電極および突起
電極の一方に受動素子を搭載した回路基板を接続して構
成された電子機器。
【請求項４７】請求項１ないし請求項４４の何れかに
記載の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置の
両面が、少なくとも貫通電極および突起電極の一方に接
続された第１の回路基板及び第２の回路基板により挟ま
れて構成された電子機器。
【請求項４８】請求項１ないし請求項４４の何れかに
記載の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置を
回路基板のコアに埋め込み、回路基板の両面に形成した
配線を少なくとも貫通電極および突起電極の一方に接続
されて構成された電子機器。
【請求項４９】所定機能を構成する回路素子部を一主
面上に形成した半導体基板において、回路形成面からこ
の回路形成面の反対側の面に達する貫通孔を有し、この
貫通孔に沿って導電路を有し、この導電路の周囲を取り
囲む絶縁材料を有するものにおいて、隣接する前記導電
路間にはこの絶縁材料以外介在しないことを特徴とする
半導体装置。
【請求項５０】回路形成面からほぼ垂直に延びて貫通
した孔が形成された基板本体と、前記孔を貫通している
とともに前記基板本体の両面の少なくとも一方から端部
が突出した貫通電極と、この貫通電極の周面に形成され
た貫通絶縁膜と、前記基板本体から前記貫通電極が突出
した側の基板本体の面に前記貫通絶縁膜と垂直に交差し
て形成された絶縁膜とを備えた半導体装置。
【請求項５１】基板本体から貫通し、基板本体から端
部が突出した貫通電極の端面は、基板本体の回路形成面
とほぼ平行で、かつ平坦な面である請求項５０に記載の
半導体装置。