JP5999295B1 - デュプレクサ - Google Patents

Abstract

小型化を図り得て、かつアイソレーションが良好なデュプレクサを提供する。圧電基板５上に複数の弾性波共振子を設けることにより、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４及び直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４を有するラダー型弾性波フィルタが構成されている。アンテナ端子１１とグラウンド電位との間に接続されているインダクタンス部品４を有する。送信フィルタＴｘが該ラダー型弾性波フィルタを有し、ラダー型回路構成において、送信端子１２に最も近い並列腕に設けられた並列腕共振子Ｐ１と、インダクタンス部品４との電磁界結合が、インダクタンス部品４と残りの並列腕共振子Ｐ２〜Ｐ４との電磁界結合より強くなるように、圧電基板５の短辺５ａの外側にインダクタンス部品４が配置されている、デュプレクサ１。

Description

本発明は、送信フィルタ及び受信フィルタを有するデュプレクサに関し、特に、送信フィルタがラダー型弾性波フィルタを有する、デュプレクサに関する。

従来、携帯電話機などにおいて、ラダー型弾性波フィルタを有するデュプレクサが広く用いられている。例えば、下記の特許文献１には、この種のデュプレクサの一例が開示されている。特許文献１に記載のデュプレクサでは、アンテナ端子に、送信フィルタと受信フィルタとが接続されている。送信フィルタは、複数の弾性表面波共振子を有するラダー型弾性波フィルタからなる。このラダー型弾性波フィルタの並列腕共振子とグラウンド端子との間に、アンテナ端子と電磁界結合する電磁界結合素子が設けられている。電磁界結合素子は、複数のコイル状パターンをビアホール電極を介して接続した構造を有している。

ＷＯ２０１０／０１３７７８Ａ１

特許文献１では、上記電磁界結合素子が、複数のコイル状パターンをビアホール電極を介して接続してなる構造を有していた。そのため、圧電基板において、上記電磁界結合素子を構成するために大きなスペースを必要としていた。よって、小型化が困難であった。

本発明の目的は、小型化を図ることができ、かつアイソレーションが良好なデュプレクサを提供することにある。

本発明の広い局面によれば、アンテナ端子と、送信端子と、受信端子と、前記アンテナ端子と、前記送信端子との間に接続されている送信フィルタと、前記アンテナ端子と、前記受信端子との間に接続されている受信フィルタと、一端が前記アンテナ端子に接続されており、他端がグラウンド電位に接続されるインダクタンス部品と、を備え、前記送信フィルタが、圧電基板と、前記圧電基板に構成された弾性波共振子からなる直列腕共振子と、前記圧電基板に構成された弾性波共振子からなる複数の並列腕共振子とを含むラダー型回路構成の弾性波フィルタを有し、前記複数の並列腕共振子の内、前記ラダー型回路構成において、前記送信端子に最も近い並列腕に設けられている並列腕共振子を、送信側並列腕共振子としたときに、前記送信側並列腕共振子が、残りの並列腕共振子よりも前記圧電基板の１つの辺との距離が近くに配置されており、該１つの辺の延びる方向が前記送信側並列腕共振子における弾性表面波の伝搬方向と平行とされており、前記インダクタンス部品と前記送信側並列腕共振子との電磁界結合が、前記インダクタンス部品と前記残りの並列腕共振子との電磁界結合より強くなるように、前記インダクタンス部品が前記１つの辺の外側に配置されている、デュプレクサが提供される。

本発明に係るデュプレクサのある特定の局面では、前記インダクタンス部品の長手方向が、前記圧電基板の前記１つの辺の外側において、該１つの辺に平行に延びるように配置されている。この場合には、電磁界結合により、受信フィルタの通過帯域におけるアイソレーションを効果的に高めることができる。

本発明に係るデュプレクサの他の特定の局面では、前記インダクタンス部品は、コイル巻回部を含み、該コイル巻回部の軸方向は、前記インダクタンス部品の実装面に対し垂直な方向である。この場合には、電磁界結合がより強くなるため、受信フィルタの通過帯域におけるアイソレーション特性をより一層改善することができる。

本発明に係るデュプレクサの他の特定の局面では、前記送信側並列腕共振子と前記１つの辺との距離が、前記残りの並列腕共振子及び前記直列腕共振子と前記１つの辺の距離よりも短い。この場合には、電磁界結合がより強くなるため、受信フィルタの通過帯域におけるアイソレーション特性をより一層改善することができる。

本発明に係るデュプレクサの別の特定の局面では、前記インダクタンス部品と、前記圧電基板の前記１つの辺との間に他の電子部品素子が存在しない。この場合には、インダクタンス部品と送信側並列腕共振子との電磁界結合がより強くなる。そのため、受信フィルタの通過帯域におけるアイソレーション特性をより一層効果的に改善することができる。

本発明に係るデュプレクサの別の特定の局面では、前記送信側並列腕共振子と前記送信端子との距離が、前記アンテナ端子に最も距離が近い前記直列腕共振子と前記送信端子との距離より短い。この場合には、受信フィルタの通過帯域におけるアイソレーション特性をより一層効果的に改善することができる。

本発明に係るデュプレクサの他の特定の局面では、前記送信側並列腕共振子とグラウンド電位との間にインダクタが接続されていない。この場合には、送信側並列腕共振子とグラウンド電位との間にインダクタが接続されていないため、より一層の小型化を図ることができる。

本発明に係るデュプレクサの別の特定の局面では、前記圧電基板の前記１つの辺が、前記圧電基板の前記アンテナ端子との距離が最も短い辺とは異なる辺である。この場合には、デュプレクサを含む装置における設計の自由度を高めることができる。

本発明に係るデュプレクサのさらに他の特定の局面では、前記圧電基板において、前記受信フィルタも構成されており、前記圧電基板によりデュプレクサチップが構成されている。この場合には、より一層の小型化を図ることができる。

本発明に係るデュプレクサのさらに別の特定の局面では、モジュール基板をさらに備え、前記モジュール基板上に、前記インダクタンス部品が実装されている。

本発明に係るデュプレクサによれば、インダクタンス部品が、送信側並列腕共振子が近接されている圧電基板の１つの辺の外側において、該１つの辺に平行に延びるように配置されているため、デュプレクサの小型化を図ることが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るデュプレクサの平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係るデュプレクサの回路図である。 図３は、本発明の第２の実施形態に係るデュプレクサの平面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第２の実施形態のデュプレクサにおけるモジュール基板の上面の下の１層目及び２層目の上に設けられている電極構造を示す平面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、第２の実施形態のデュプレクサにおけるモジュール基板の３層目及び５層目の上に設けられている電極構造を示す平面図である。 図６は、第２の実施形態のデュプレクサのモジュール基板下面の電極構造を示す模式的平面図である。 図７は、比較例のデュプレクサの平面図である。 図８（ａ）〜図８（ｄ）は、比較例のデュプレクサの圧電基板の上面の下の１層目、２層目、３層目及び５層目の電極構造を示す平面図である。 図９は、比較例のデュプレクサの圧電基板の下面の電極構造を示す模式的平面図である。 図１０は、第１の実施形態、第２の実施形態及び比較例のアイソレーション特性を示す図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るデュプレクサの平面図である。デュプレクサ１は、モジュール基板２を有する。モジュール基板２上に、デュプレクサチップ３が実装されている。また、モジュール基板２上には、インダクタンス部品４が実装されている。インダクタンス部品４は、チップ型コイル部品からなり、長手方向を有する。

デュプレクサチップ３は、圧電基板５を有する。圧電基板５上に、送信フィルタＴｘ及び受信フィルタＲｘが構成されている。

より具体的には、圧電基板５は、ＬｉＴａＯ_３やＬｉＮｂＯ_３などの圧電単結晶からなる。

圧電基板５上に、図示の電極構造を形成することにより、送信フィルタＴｘ及び受信フィルタＲｘが構成されている。圧電基板５は、矩形形状であって、一対の短辺５ａ，５ｂと、一対の長辺５ｃ，５ｄとを有する。短辺５ａ側に寄せて送信フィルタＴｘが構成されている。短辺５ｂ側に寄せられて受信フィルタＲｘが構成されている。

送信フィルタＴｘ及び受信フィルタＲｘの構成を、図２の回路図を参照して説明する。

デュプレクサ１は、アンテナ端子１１と、送信端子１２と、受信端子１３とを有する。アンテナ端子１１は、デュプレクサ１外のアンテナＡＮＴに接続される。

アンテナ端子１１とグラウンド電位との間に、インピーダンス整合用のインダクタンス部品４が接続されている。アンテナ端子１１と送信端子１２との間に送信フィルタＴｘが接続されている。

送信フィルタＴｘは、ラダー型回路構成を有し、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４と、複数の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４とを有する。送信端子１２に近い側から直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、及び直列腕共振子Ｓ４が順に接続されている。また、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４の内、ラダー型回路構成において、送信端子１２に最も近い並列腕に設けられた並列腕共振子を、以下、適宜、送信側並列腕共振子Ｐ１と呼ぶこととする。

上記直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４と並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４とは、いずれも、弾性表面波共振子からなる。より具体的には、長方形形状の圧電基板５上に、ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に反射器を設けることにより、１つの弾性波共振子が構成されている。図１では、弾性波共振子が構成されている部分を略図的にＸを矩形の枠で囲んだ形状で示すこととする。なお、図１に示すように、アンテナ端子１１との間の距離が最も短い辺は、長辺５ｃである。アンテナ端子１１は長辺５ｃの中央部に配置されている。送信端子１２は、長辺５ｃに対向する長辺５ｄと、長辺５ｃと長辺５ｄとを結ぶ一方の短辺５ａとのコーナー部近傍に設けられている。受信端子１３は、長辺５ｄと、短辺５ａと対向する短辺５ｂとのコーナー部の近くに設けられている。言い換えれば、送信端子１２は、長辺５ｄ側において短辺５ａ側に寄せられて、受信端子１３は長辺５ｄ側において短辺５ｂ側に寄せられて設けられている。

図２に戻り、送信側並列腕共振子Ｐ１はグラウンド電位に接続されている。すなわち送信側並列腕共振子Ｐ１とグラウンド電位との間にインダクタが接続されていない。並列腕共振子Ｐ２〜Ｐ４のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間には、インダクタＬ１が接続されている。インダクタＬ１は、送信フィルタＴｘの高調波に発生する減衰極の周波数特性を調整するために設けられている。

なお、インダクタＬ１は、圧電基板５上に、配線などによりインダクタンス部分を設けることにより形成してもよい。あるいは、インダクタＬ１は、圧電基板５外において、前記モジュール基板２上に形成してもよい。また、インダクタＬ１は、モジュール基板２上に外付けのインダクタンス部品を実装することにより設けてもよい。

なお、送信側並列腕共振子Ｐ１のグラウンド電位側端部とグラウンド電位との間にインダクタを設けてもよい。

本実施形態のデュプレクサ１の特徴は、インピーダンス整合用のインダクタンス部品４が、送信側並列腕共振子Ｐ１と電磁界結合するように配置されていること、並びに該インダクタンス部品４がデュプレクサチップ３に対して外付けのインダクタンス部品からなることにある。

デュプレクサ１では、インダクタンス部品４が用いられているので、デュプレクサチップ３及びモジュール基板２において大きな面積を必要としない。特許文献１に記載のデュプレクサでは、モジュール基板内に、複数のコイル状パターンを設け、ビアホール電極で接続することにより、インダクタンスが構成されていた。そのため、モジュール基板の面積が大きくならざるを得なかった。また、電磁界結合させるために大きなインダクタンス値が必要であった。

これに対して、本実施形態では、大きな面積のコイル状配線パターンを、配線、ビア導体、グラウンド電極等が設けられている多層のモジュール基板２内に設ける必要がないため、モジュール基板２の面積を小さくすることができる。よって、デュプレクサ１では、小型化を効果的に進めることができる。また、送信フィルタＴｘの高調波に発生する減衰極の周波数特性を調整するために、コイル状配線パターンにより形成されるインダクタＬ１を多層のモジュール基板２の内部に設ける場合においても、電磁界結合により小さなインダクタンス値で高調波の減衰極の周波数特性を調整できるため、モジュール基板２を大型化することなく高調波の減衰極の周波数特性を調整することができる。

なお、略直方体形状のチップ部品である上記インダクタンス部品４の長手方向は、上記短辺５ａの延びる方向に平行に延びるように配置されている。上記インダクタンス部品４の短手方向が、上記短辺５ａの延びる方向に平行に配置されると、インダクタンス部品の導電性を有する実装電極部（外部電極）が圧電基板の前記短辺５ａに対向して配置される。そのため、上記インダクタンス部品４に含まれるインダクタと、送信側並列腕共振子Ｐ１との間に、実装電極部が位置するため、電磁界結合が起こり難くなる。

また、上記インダクタンス部品４と、短辺５ａとの間には、他の電子部品素子が存在しないため、それによっても小型化を図ることが可能とされている。

上記インダクタンス部品４の一端は、図示しない配線によりアンテナ端子１１に接続されている。インダクタンス部品４は、圧電基板５の一方の短辺５ａの近くに設けられている。短辺５ａは、送信側並列腕共振子Ｐ１との間の距離が最も短い辺である。より具体的には、送信フィルタＴｘは、前述した複数の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４及び複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４を有する。これらの共振子の内、送信側並列腕共振子Ｐ１と短辺５ａとの距離が、残りの直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ４や並列腕共振子Ｐ２〜Ｐ４と短辺５ａとの間の距離よりも短い。従って、インダクタンス部品４を、短辺５ａの外側に配置することにより、インダクタンス部品４と、送信側並列腕共振子Ｐ１の容量との電磁界結合を効果的に強めることができる。それによって、デュプレクサ１では、送信フィルタＴｘにおける受信フィルタＲｘの通過帯域におけるアイソレーション特性を効果的に改善することができる。この点については、後程、具体的な実験例に基づいて、詳細に説明することとする。

また、上記送信側並列腕共振子Ｐ１と送信端子１２との距離は、アンテナ端子１１との間の距離が最も短い直列腕共振子Ｓ４と送信端子１２との間の距離よりも短い。従って、それによっても、上記電磁界結合を効果的に強めることが可能とされている。

短辺５ａは、アンテナ端子１１近傍の辺である長辺５ｃと異なる辺である。従って、アンテナ端子１１と、インダクタンス部品４との配置について、設計の自由度を高めることができる。もっとも、インダクタンス部品４が近接される辺は、アンテナ端子１１が近接している辺と同じ辺であってもよい。

また、インダクタンス部品４は、長辺５ｃと対向している長辺５ｄに近接されていてもよい。すなわち、送信側並列腕共振子Ｐ１に近接される限り、インダクタンス部品４が近接される圧電基板５の辺は特に限定されるものではない。

なお、インダクタンス部品４におけるコイル巻回部の軸方向は、本実施形態では、インダクタンス部品の実装面に対し垂直な方向とされている。それによって、コイル巻回部の軸方向から視て、インダクタンス部品４に含まれるコイルの中心開口部の内径が、インダクタンス部品４の長手方向で大きく、インダクタンス部品４の短手方向に小さくなるように設けられている。すなわち、コイル巻回部の軸方向から視て、インダクタンス部品４の長手方向に細長い形状に設けられている。インダクタンス部品４の長手方向と、送信側並列腕共振子Ｐ１の弾性表面波の伝搬方向とが平行に設けられている。このような構成では、細長いコイルの中心開口部から発生する磁束が、弾性表面波の伝搬方向にくし歯電極の電極指が並ぶ送信側並列腕共振子Ｐ１をより多く貫通するため、インダクタンス部品４と送信側並列腕共振子Ｐ１の電磁界結合が良好とされている。もっとも、インダクタンス部品４におけるコイル巻回部の軸方向はこれに限定されるものではない。

なお、受信フィルタＲｘは、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ２１，２２を縦続接続した回路構成を有する。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ２１とアンテナ端子１１との間には、弾性波共振子２３が接続されている。受信フィルタＲｘは、このような縦結合共振子型弾性表面波フィルタ２１，２２を用いたものに限らず、ラダー型弾性波フィルタにより構成されてもよい。なお、３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ２１，２２の一部が、３ＩＤＴ型を拡張した５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタに置き換えられた構成であってもよい。

また、本実施形態では、圧電基板５上に、送信フィルタＴｘ及び受信フィルタＲｘの双方が構成されていたが、送信フィルタＴｘのみが設けられていてもよい。すなわち、受信フィルタＲｘは他の圧電基板上に構成され、モジュール基板２上に実装されていてもよい。さらには、モジュール基板２上において受信フィルタＲｘが直接構成されていてもよい。

図３は、本発明の第２の実施形態に係るデュプレクサ３１の平面図である。デュプレクサ３１では、直列腕共振子Ｓ１と送信端子１２との距離が、送信側並列腕共振子Ｐ１と送信端子１２との距離よりも短い。その他の構成は、第２の実施形態は、第１の実施形態と同様である。デュプレクサ３１のように本発明においては、送信側並列腕共振子Ｐ１よりも、少なくとも１つの直列腕共振子がインダクタンス部品４や送信端子１２に物理的に近づけられていてもよい。

次に、図４（ａ），図４（ｂ）、図５（ａ），図５（ｂ）及び図６により、デュプレクサ３１におけるモジュール基板２内の電極構造を説明することとする。図４（ａ）及び図４（ｂ）が、モジュール基板２の上面の下の１層目、２層目の電極構造を示し、図５（ａ）及び図５（ｂ）が３層目、並びに５層目の電極構造を示し、図６がモジュール基板２の下面の電極構造を示す模式的平面図である。なお、４層目の電極構造は３層目と同一であるため、省略する。

図４（ａ）に示すように、モジュール基板２の上面の下の１層目には、アンテナ端子１１に接続される電極ランド１１ａ、送信側並列腕共振子Ｐ１のグラウンド電位側端部に接続される電極ランド３５ａ、送信端子１２に接続される電極ランド１２ａ、受信端子１３に接続される電極ランド１３ａが設けられている。また、コイル状配線パターン３３は、並列腕共振子Ｐ２〜Ｐ４とグラウンド電位との間に接続されるインダクタＬ１を構成するために設けられている。インダクタＬ１の下方にグラウンド電位に接続される電極ランド３６が配置され、インダクタＬ１の上方に送信フィルタＴｘの並列腕共振子及び直列腕共振子が配置されている。

アンテナ端子１１は、図４（ｂ）に示す電極ランド１１ｂ、図５（ａ）に示す電極ランド１１ｃ及び図５（ｂ）に示す電極ランド１１ｄにビアホール電極を介して電気的に接続されている。電極ランド１１ｄは、ビアホール電極を介して、図６に示す端子電極１１Ａに接続されている。

他方、送信端子１２は、図４（ａ）に示す電極ランド１２ａ、図４（ｂ）に示す電極ランド１２ｂ、図５（ａ）に示す電極ランド１２ｃ及び図５（ｂ）に示す電極ランド１２ｄに、ビアホール電極を介して電気的に接続されている。電極ランド１２ｄは、図６に示す端子電極１２Ａにビアホール電極を介して電気的に接続されている。

他方、インダクタンス部品４は、図４（ａ）に示す電極ランド３４ａ，３４ｄに電気的に接続されている。電極ランド３４ａは、図４（ｂ）に示した電極ランド３４ｂにビアホール電極を介して接続されている。この電極ランド３４ｂは、図５（ａ）に示す電極ランド３４ｃ及び図５（ｂ）に示す電極ランド１１ｄにビアホール電極を介して電気的に接続されている。従って、インダクタンス部品４の一端が、アンテナ端子１１に電気的に接続されることになる。

また、図４（ａ）に示した電極ランド３４ｄはビアホール電極を介して図４（ｂ）に示す電極ランド３４ｅに電気的に接続されている。電極ランド３４ｅはビアホール電極を介して図５（ａ）に示す電極ランド３６に電気的に接続されている。電極ランド３６はグラウンド電位に接続される電極ランドである。

また、受信端子１３は、図４（ａ），図４（ｂ）に示す電極ランド１３ａ，１３ｂ、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す電極ランド１３ｃ，１３ｄにビアホール電極を介して接続されている。さらに、電極ランド１３ｄは、ビアホール電極を介して図６に示す端子電極１３Ａに電気的に接続されている。

図７は、比較例のデュプレクサの平面図である。比較例のデュプレクサ１０１ではモジュール基板１０２上に、デュプレクサチップ１０３及び外付けのインダクタンス部品１０４が実装されている。デュプレクサチップ１０３は、第２の実施形態のデュプレクサチップとほぼ同様に構成されている。もっとも、インダクタンス部品１０４は、長方形形状の圧電基板１０５の長辺１０５ｃの外側に配置されている。すなわち、インダクタンス部品１０４とアンテナ端子との間の距離は、インダクタンス部品１０４と送信端子との間の距離よりも短い。図８（ａ）〜図８（ｄ）は、この比較例のデュプレクサ１０１におけるモジュール基板１０２の上面の下の１層目、２層目、３及び４層目、並びに５層目の各電極構造を示す模式的平面図である。図９は、モジュール基板１０２の下面の電極構造を示す模式的平面図である。図８（ａ）〜図８（ｄ）に示す電極ランド１１ｆ，１１ｇ，１１ｈ，１１ｉが、ビアホール電極を介して相互に接続されている。また、電極ランド１１ｉは、ビアホール電極を介して、図９に示すアンテナ端子１１に接続されている。また、電極ランド１２ｆ，１２ｇがビアホール電極を介して電気的に接続され、かつ図９の送信端子１２に接続されている。さらに、電極ランド１３ｆ〜１３ｉがビアホール電極を介して電気的に接続されている。電極ランド１３ｉが、図９に示す受信端子１３に接続されている。

上記第２の実施形態のデュプレクサ３１と同様にして、前述した第１の実施形態のデュプレクサ１を用意した。上記デュプレクサ１，３１，１０１として、Ｂａｎｄ２８Ｂのデュプレクサを構成した。この場合、送信フィルタＴｘの通過帯域は７１８ＭＨｚ〜７４８ＭＨｚであり、受信フィルタＲｘの通過帯域は７７３ＭＨｚ〜８０３ＭＨｚである。上記第１及び第２の実施形態のデュプレクサと、比較例のデュプレクサのアイソレーション特性を求めた。図１０に結果を示す。

図１０から明らかなように、第１の実施形態及び第２の実施形態によれば、比較例に比べ、受信フィルタＲｘの通過帯域である７７３〜８０３ＭＨｚにおけるアイソレーションが良好であることがわかる。また、受信フィルタＲｘの通過帯域において、比較例ではアイソレーションが最も小さい周波数位置でアイソレーションの大きさが４５．１ｄＢであったのに対し、第１の実施形態では、５３．８ｄＢ、第２の実施例では５１．１ｄＢと大幅に改善されていることがわかる。これは、上記インダクタンス部品４と送信側並列腕共振子Ｐ１の電磁界結合が良好であることによると考えられる。

なお、本発明の特徴は、上記のように、ラダー型弾性波フィルタからなる送信フィルタＴｘと受信フィルタＲｘとを有するデュプレクサにおいて、インダクタンス部品４と送信側並列腕共振子Ｐ１との電磁界結合が、インダクタンス部品４と残りの並列腕共振子Ｐ２〜Ｐ４との電磁界結合より強くなるように、外付けのインダクタンス部品４を送信側並列腕共振子Ｐ１に近い辺の外側に配置したことにある。従って、ラダー型弾性波フィルタからなる送信フィルタＴｘにおける段数や回路構成は、特に限定されるものではない。従って、並列腕共振子及び直列腕共振子の段数は特に限定されない。また、送信側並列腕共振子Ｐ１とグラウンド電位との間にインダクタを必ずしも接続する必要もなく、比較的大きなインダクタンス値を持つインダクタを必ずしも接続する必要もない。従来技術において、アンテナとデュプレクサとの整合回路にアンテナ整合インダクタが用いられていた。本発明では、アンテナ整合インダクタと、ラダー型送信フィルタの一部を構成する圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極を含む送信側並列腕共振子との電磁界結合を利用する。このような電磁界結合をデュプレクサに適用することで、アンテナとデュプレクサとを整合させる効果だけでなく、送信フィルタと、送信フィルタの通過帯域外の高域側に配置された通過帯域を有する受信フィルタとのアイソレーション特性を高める効果を持つデュプレクサが提供できる。さらに、送信側並列腕共振子Ｐ１とグラウンド電位との間に、インダクタが接続されない構成、またはインダクタンス値が比較的に小さなインダクタが接続される構成を用いることができるため、デュプレクサに配置されるインダクタの面積を低減できる効果を有する。

さらに、上記インダクタンス部品４としては、チップ型コイル部品を用いたが、他のチップ型インダクタンス部品を用いてもよい。

１…デュプレクサ
２…モジュール基板
３…デュプレクサチップ
４…インダクタンス部品
５…圧電基板
５ａ，５ｂ…短辺
５ｃ，５ｄ…長辺
１１…アンテナ端子
１１Ａ…端子電極
１１ａ〜１１ｄ…電極ランド
１２…送信端子
１２Ａ…端子電極
１２ａ〜１２ｄ…電極ランド
１３…受信端子
１３Ａ…端子電極
１３ａ〜１３ｄ…電極ランド
２１，２２…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
２３…弾性波共振子
３１…デュプレクサ
３３…コイル状配線パターン
３４ａ〜３４ｅ，３５ａ,３６…電極ランド
Ｌ１…インダクタ
Ｐ１〜Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ４…直列腕共振子

Claims (10)

1. アンテナ端子と、
   送信端子と、
   受信端子と、
   前記アンテナ端子と、前記送信端子との間に接続されている送信フィルタと、
   前記アンテナ端子と、前記受信端子との間に接続されている受信フィルタと、
   一端が前記アンテナ端子に接続されており、他端がグラウンド電位に接続されるインダクタンス部品と、
   を備え、
   前記送信フィルタが、圧電基板と、前記圧電基板に構成された弾性波共振子からなる直列腕共振子と、前記圧電基板に構成された弾性波共振子からなる複数の並列腕共振子とを含むラダー型回路構成の弾性波フィルタを有し、
   前記複数の並列腕共振子の内、前記ラダー型回路構成において、前記送信端子に最も近い並列腕に設けられている並列腕共振子を、送信側並列腕共振子としたときに、前記送信側並列腕共振子が、残りの並列腕共振子よりも前記圧電基板の１つの辺との距離が近くに配置されており、該１つの辺の延びる方向が前記送信側並列腕共振子における弾性表面波の伝搬方向と平行とされており、
   前記インダクタンス部品と前記送信側並列腕共振子との電磁界結合が、前記インダクタンス部品と前記残りの並列腕共振子との電磁界結合より強くなるように、前記インダクタンス部品が前記１つの辺の外側に配置されている、デュプレクサ 。
2. 前記インダクタンス部品の長手方向が、前記圧電基板の前記１つの辺の外側において、該１つの辺に平行に延びるように配置されている、請求項１に記載のデュプレクサ。
3. 前記インダクタンス部品は、コイル巻回部を含み、該コイル巻回部の軸方向は、前記インダクタンス部品の実装面に対し垂直な方向である、請求項１または２に記載のデュプレクサ。
4. 前記送信側並列腕共振子と前記１つの辺との距離が、前記残りの並列腕共振子及び前記直列腕共振子と前記１つの辺の距離よりも短い、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
5. 前記インダクタンス部品と、前記圧電基板の前記１つの辺との間に他の電子部品素子が存在しない、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
6. 前記送信側並列腕共振子と前記送信端子との距離が、前記アンテナ端子に最も距離が近い前記直列腕共振子と前記送信端子との距離より短い、請求項１〜５のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
7. 前記送信側並列腕共振子とグラウンド電位との間にインダクタが接続されていない、請求項１〜６のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
8. 前記圧電基板の前記１つの辺が、前記圧電基板の前記アンテナ端子との間の距離が最も短い辺とは異なる辺である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
9. 前記圧電基板において、前記受信フィルタも構成されており、前記圧電基板によりデュプレクサチップが構成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のデュプレクサ。
10. モジュール基板をさらに備え、前記モジュール基板上に、前記インダクタンス部品が実装されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載のデュプレクサ。

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