JP6262774B2 - 積層された機能性構造体を有するデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 83
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
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Description
SCF(SCF=Stacked Crystal Filter =積層された基板を有するフィルタ(Filter mit gestapelten Substraten))が開示されており、これらのフィルタはBAW(BAW=Bulk Acoustic Wave=音響体積波(akustische Volumenwelle))で動作し、音響体積波が励起され得る1つの圧電材料から成る重なって積層された層(複数)を備える。ここで2つの圧電層は音響的に互いにカップリングされており、これによって特徴的な電気特性が生成される。
同様にカップリングされた圧電層(複数)を有する、音響体積波が伝播可能なHFフィルタ構造体(複数)が開示されている。
−1つの第1の担体を準備するステップと、
−この第1の担体上に1つの第1の機能性構造体を生成するステップと、
−この第1の機能性構造体を覆う1つの第1の薄膜カバーを生成するステップであって、当該第1の薄膜カバーが当該第1の機能性構造体に接触することなしに、当該第1の機能性構造体を覆うステップと、
−この第1の薄膜カバーの上に直に、またはこの第1の薄膜カバーの上方に、1つの第2の機能性構造体を生成するステップと、
を備える。
−1つの第1の部品を生成するステップと、1つの第2の部品を生成するステップと、当該第1および第2の部品を合体するステップとを備え、
−この第1の部品を生成するステップは、
−1つの第1の担体を準備するステップと、
−この第1の担体上に1つの第1の機能性構造体を生成するステップと、
−この第1の機能性構造体を覆う1つの第1の薄膜カバーを生成するステップであって、当該第1の薄膜カバーが当該第1の機能性構造体に接触することなしに、当該第1の機能性構造体を覆うステップと、
を備え。
−かつ上記の第2の部品を生成するステップは、
−1つの第2の担体を準備するステップと、
−この第2の担体上に1つの第2の機能性構造体を生成するステップと、
を備える。
AM : 音響ミラー
B : デバイス
DK : 貫通接続部
DS : 誘電体層
DSA : 薄膜カバー
DSA1: 第1の薄膜カバー
DSA2: 第2の薄膜カバー
EFI : 電極フィンガー
EL1 : MEMS電極
EL2 : MEMS電極
ELL : 電極層
FS1 : 第1の機能性構造体
FS2 : 第2の機能性構造体
H : 空洞
IDS : 櫛歯構造体
L : 薄膜カバーにおける孔部
M : メタライジング部
PM : 圧電材料
PS1 : 第1の平坦化層
PS2 : 第2の平坦化層
PSU : 圧電基板
TS : 担体基板
TS1 : 第1の担体基板
TS2 : 第2の担体基板
VS : 補強層
Claims (13)
- デバイス(B)であって、
1つの第1の機能性構造体(FS1),1つの第1の薄膜カバー(DSA1),および1つの第2の機能性構造体(FS2)を備え、
前記第1の薄膜カバー(DSA1)は、前記第1の機能性構造体(FS1)に接触することなく、前記第1の機能性構造体(FS1)を覆っており、
前記第2の機能性構造体(FS2)は、前記第1の薄膜カバー(DSA1)上に直に配設され、またはこの第1の薄膜カバーの上方に配設されている、
ことを特徴とするデバイス。 - 前記第1の機能性構造体(FS1)および前記第2の機能性構造体(FS2)は、SAW構造体,BAW構造体,GBAW構造体,およびMEMS構造体から選択されていることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 請求項1に記載のデバイスにおいて、
前記第1の機能性構造体(FS1)および前記第2の機能性構造体(FS2)は、実質的に同じ構造を有し、すなわちSAW構造体のタイプ,BAW構造体のタイプ,GBAW構造体のタイプ,およびMEMS構造体のタイプのグループから選択された、一つの同じタイプを有し、
前記第1の機能性構造体(FS1)および前記第2の機能性構造体(FS2)は、互いに同じ方向を有して真上に重なって配設されているか、または横方向にずれて重なって配設されており、あるいは、
前記第1の機能性構造体(FS1)および前記第2の機能性構造体(FS2)は、前記第1の機能性構造体(FS1)と前記第2の機能性構造体(FS2)との間の対称面に関して対称に配設され、かつ真上に重なって配設されるか、または横方向にずれて重なって配設されている、
ことを特徴とするデバイス。 - 前記第1の機能性構造体(FS1)は、1つの担体層(TS1)と前記第1薄膜カバー(DSA1)との間の1つの空洞(H)に配設されていることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第1の薄膜カバー(DSA1)上に、平坦な上面を有する1つの平坦化層(PS1)が配設されていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のデバイス。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、
前記第1の機能性構造体(FS1)および前記第2の機能性構造体(FS2)は、それぞれ1つの音響活性領域を備え、
前記音響活性領域は、音響的にデカップリングされている、
ことを特徴とするデバイス。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のデバイスにおいて、
前記第1の薄膜カバー(DSA1)を貫通する1つの貫通接続部(DK)を備え、
前記第1の機能性構造体(FS1)および前記第2の機能性構造体(FS2)は、それぞれ1つの導電性の電極を備え、当該電極は、前記貫通接続部(DK)の上で回路接続されている、
ことを特徴とするデバイス。 - 前記第1の機能性構造体(FS1)と前記第2の機能性構造体(FS2)とは、回路接続されており、かつ共に1つのバラン回路またはデュプレクサ回路の少なくとも一部であることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記第1の機能性構造体(FS1)と前記第2の機能性構造体(FS2)との間に配設され、かつ少なくとも前記第1の機能性構造体(FS1)または前記第2の機能性構造体(FS2)と回路接続されている、1つの回路素子をさらに備えることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のデバイス。
- 前記回路素子は、1つの静電容量素子またはインダクタンス素子であることを特徴とする、請求項9に記載のデバイス。
- デバイス(B)の製造方法であって、
1つの第1の担体(TS1)を準備するステップと、
前記第1の担体(TS1)上に1つの第1の機能性構造体(FS1)を生成するステップと、
前記第1の機能性構造体(FS1)を覆う1つの第1の薄膜カバー(DSA1)を生成するステップであって、当該第1の薄膜カバー(DSA1)が前記第1の機能性構造体(FS1)に接触することなしに、当該第1の機能性構造体を覆うステップと、
前記第1の薄膜カバー(DSA1)上に直に、または前記第1の薄膜カバーの上方に、1つの第2の機能性構造体(FS2)を生成するステップと、
を備えることを特徴とする、デバイスの製造方法。 - デバイス(B)の製造方法であって、
1つの第1の部品を生成するステップと、1つの第2の部品を生成するステップと、当該第1および第2の部品を合体するステップとを備え、
前記第1の部品を生成するステップは、
1つの第1の担体(TS1)を準備するステップと、
前記第1の担体(TS1)上に1つの第1の機能性構造体(FS1)を生成するステップと、
前記第1の機能性構造体(FS1)を覆う1つの第1の薄膜カバー(DSA1)を生成するステップであって、前記第1の薄膜カバー(DSA1)が前記第1の機能性構造体(FS1)に接触することなしに、当該第1の機能性構造体を覆うステップと、
を備え、
かつ前記第2の部品を生成するステップは、
1つの第2の担体(TS2)を準備するステップと、
前記第2の担体(TS2)上に1つの第2の機能性構造体(FS2)を生成するステップと、
を備えることを特徴とする、デバイスの製造方法。 - 請求項11または12に記載のデバイスの製造方法において、
前記第1の機能性構造体(FS1)上に、1つの第1の犠牲層(OS)が塗布され、
前記第1の犠牲層(OS)上に、前記第1の薄膜カバー(DSA1)が堆積され、
前記第1の薄膜カバー(DSA1)が堆積された後に、前記第1の犠牲層(OS)が除去される、
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013102206.5 | 2013-03-06 | ||
DE102013102206.5A DE102013102206B4 (de) | 2013-03-06 | 2013-03-06 | Bauelement mit gestapelten funktionalen Strukturen und Verfahren zur Herstellung |
PCT/EP2014/053860 WO2014135442A1 (de) | 2013-03-06 | 2014-02-27 | Bauelement mit gestapelten funktionalen strukturen und verfahren zur herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016515331A JP2016515331A (ja) | 2016-05-26 |
JP6262774B2 true JP6262774B2 (ja) | 2018-01-17 |
Family
ID=50239601
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015560628A Expired - Fee Related JP6262774B2 (ja) | 2013-03-06 | 2014-02-27 | 積層された機能性構造体を有するデバイスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9876158B2 (ja) |
JP (1) | JP6262774B2 (ja) |
DE (1) | DE102013102206B4 (ja) |
WO (1) | WO2014135442A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2014
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Publication number | Publication date |
---|---|
US9876158B2 (en) | 2018-01-23 |
DE102013102206A1 (de) | 2014-09-11 |
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US20150380634A1 (en) | 2015-12-31 |
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A977 | Report on retrieval |
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