CN111082774B - 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 - Google Patents
电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 Download PDFInfo
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- 239000011800 void material Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 28
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 28
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 14
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 14
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- -1 or the like Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000969130 Atthis Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02125—Means for compensation or elimination of undesirable effects of parasitic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有空隙层，空隙层的靠近压电层的一侧设置有第一电极层，空隙层的远离压电层的一侧设置有第二电极层，所述空隙层在谐振器的厚度方向上设置于所述第一电极层与第二电极层之间，对应的第一电极层与第二电极层彼此电连接；所述第一电极层的电阻率大于所述第二电极层的电阻率；和/或所述第一电极层的声阻抗大于所述第二电极层的声阻抗。本发明还涉及一种具有上述谐振器的滤波器以及具有该滤波器或谐振器的电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该谐振器或者该滤波器的电子设备。
背景技术
电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类，压电器件有着非常广泛的应用情景。薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
薄膜体声波谐振器的结构主体为由电极-压电薄膜-电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号，FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。
通信技术的快速发展要求滤波器工作频率不断提高，例如5G通信频段(sub-6G)的频率在3GHz-6GHz,频率高于4G等通信技术。对于体声波谐振器和滤波器，高工作频率意味着薄膜厚度尤其是电极的薄膜厚度，要进一步减小；然而电极薄膜厚度的减小带来的主要负面效应为电学损耗增加导致的谐振器Q值降低，尤其是串联谐振点及其频率附近处的Q值降低；相应地，高工作频率体声波滤波器的性能也随着体声波谐振器的Q值降低而大幅恶化。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有空隙层，空隙层的靠近压电层的一侧设置有第一电极层，空隙层的远离压电层的一侧设置有第二电极层，所述空隙层在谐振器的厚度方向上设置于所述第一电极层与第二电极层之间，对应的第一电极层与第二电极层彼此电连接；
所述第一电极层的电阻率大于所述第二电极层的电阻率；和/或所述第一电极层的声阻抗大于所述第二电极层的声阻抗。
本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；
图2为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中靠近压电层的电极层为单层结构；
图3为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中靠近压电层的电极层为双层结构；
图4为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中远离压电层的电极层为双层结构；且
图5为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中间隙电极的两个电极层均为双层结构。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图，图2为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中靠近压电层的电极层为单层结构。在图1和2中，各附图标记如下：
10：基底，可选材料为硅(高阻硅)、砷化镓、蓝宝石、石英等。
20：声学镜，在图2-5中为空腔20，也可采用布拉格反射层及其他等效形式。
30：第一底电极(含引脚部)，采用低电阻率材料，具体的可选择铝，铜，金，银等或上述金属的合金。
31：第二底电极(含引脚部)，采用低声损耗(对应于高声阻抗)的材料，具体可选钼，钌，钛，钨，铂，铱，锇等，或上述金属的合金。
40：压电薄膜层，可选氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料，也可包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料。
50：第一顶电极(含引脚部56)，采用低声损耗(对应于高声阻抗)的材料，具体可选钼，钌，钛，钨，铂，铱，锇等，或上述金属的合金。
60/61：位于间隙电极之中的空气间隙。
70：第二底电极(含引脚部)，采用低电阻率材料，具体的可选择铝，铜，金，银等或上述金属的合金。
需要说明的是，空气间隙构成空隙层，但是本发明中，空隙层除了可以为空气间隙层之外，还可以是真空间隙层，也可以是填充了其他气体介质的空隙层。
空隙层可以设置在顶电极内，也可以设置在底电极内，或者设置在顶电极与底电极内。图1中示出了顶电极与底电极均设置空隙层的情形。
此外，图中未示出的是：在顶电极70还可覆盖钝化层用于防止电极被空气氧化。
在本发明中，设置了空隙层的电极为间隙电极。虽然没有示出，在底电极为间隙电极的情况下，其空隙层也可以代替声学镜空腔20而作为反射镜。
在本发明中，高声阻抗金属材料表示金属材料的声阻抗高于30兆瑞利(进一步的，大于50兆瑞利)，而低电学损耗金属材料，或低电阻率金属材料表示金属材料的电阻率低于3.5x10-8Ωm。
可选的，空气间隙的高度在
的范围内。进一步的，空气间隙的高度大于谐振器的典型振幅(约10nm)，例如空气间隙的高度在
的范围内，这有利于谐振器在大功率工作时顶电极70与谐振腔(此实施例为顶电极50、压电层40、底电极30组成的复合结构)的声学能量解耦。
当谐振器工作时，交变电场通过电极施加在压电层40上，由于声电能量耦合并相互转化，电极中会有电流通过，由于本实施例的顶电极具有双层电极并联结构，因此可以有效减小谐振器的电学损耗。在交变电场的激励下，压电层产生声波，当声波向上方传导至位于顶电极中的空气间隙60和电极层50的界面时声波能量会被反射回压电层40(因为空气和电极的声阻抗不匹配程度极大)，并不会进入电极层70。本发明中含有空气间隙的电极结构一方面可显著降低谐振器的电学损耗(表现为提升串联谐振频率处及其附近Q值的提高)。另一方面，空气间隙对顶电极70起到了声学隔离作用，从而基本避免顶电极70对谐振器性能造成的负面影响(如谐振频率和机电耦合系数的改变)。
在本发明中，在体声波谐振器的顶电极和/或底电极中设置空隙层。位于电极中的空气间隙可有效的反射声波，大幅降低进入远离压电薄膜(或压电层)一侧的附加电极的声波能量，从而有效抑制或消除所述附加电极由于参与声学振动所带来的负面效应。另外，围成空气间隙的上下电极层可以构成并联电路结构，这可有效降低谐振器的电学损耗，提高谐振器的Q值，尤其是串联谐振点及其附近频率处的Q值。
因此，附加电极(远离压电层的电极层)由于空气间隙的存在从而与谐振器谐振腔声学解耦(绝大部分声波在空气间隙处反射回谐振腔，不进入附加电极)，附加电极的存在和参数变化不影响谐振器除Q值外的其他关键参数(如谐振频率，机电耦合系数等)。
与空气间隙位于压电层和电极之间的结构相比，本发明由于避免了空气间隙带来的寄生串联电容，谐振器的机电耦合系数kt2不会恶化；与温度补偿夹层(如二氧化硅)位于两层电极中间的结构相比，本发明的空气间隙或真空间隙使得谐振器谐振频率不会变化，其他关键参数(Q值、机电耦合系数)不会恶化，串联谐振点及其附近频率处的Q值反而会得到提升。
在本发明中，当声学镜结构设置于基底中且底电极中并未设置空隙层时，谐振器的有效区域为顶电极、压电层、底电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域。
在本发明中，在底电极中设置有空隙层时，谐振器的有效区域为顶电极、底电极、压电层和底电极的空隙层在谐振器的厚度方向上的重叠区域。
在本发明中，通过使用不同材料电极共同形成空气间隙结构，可同时发挥多种材料的优点同时规避其缺点，一方面可利用其中一部份材料降低谐振器的阻抗，另一方面可利用另一部分材料降低声学损耗。
图3为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中靠近压电层的电极层为双层结构。
在图3所示的谐振器结构中，第二底电极分为双层，其中：靠近压电层的第二底电极层(对应于31)采用低声损耗材料(对应于高声阻抗材料)，具体可选钼，钌，钛，钨，铂，铱，锇等，或上述金属的合金；远离压电层的第二底电极层(对应于33)采用低电阻率材料，具体的可选择铝，铜，金，银等或上述金属的合金。类似的，在图3中，第一顶电极分为双层，其中靠近压电层的第一顶电极50采用低声损耗材料，具体可选钼，钌，钛，钨，铂，铱，锇等，或上述金属的合金。远离压电层的第一顶电极51，采用低电阻率材料，具体的可选择铝，铜，金，银等或上述金属的合金。此外，第一底电极30和第二顶电极70同样采用低电阻率材料，但具体材料不一定和第二底电极33以及第一顶电极51相同。图3的结构增加了低电阻材料的使用比例，从而可进一步降低谐振器的阻抗。
图4为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中远离压电层的电极层为双层结构。图4所示的谐振器结构中，第一底电极分为双层，其中靠近压电层的第一底电极32采用低声损耗材料，具体可选钼，钌，钛，钨，铂，铱，锇等，或上述金属的合金。远离压电层的第一底电极30，采用低电阻率材料，具体的可选择铝，铜，金，银等或上述金属的合金。类似的第二顶电极分为双层，其中靠近压电层的第二顶电极70采用低声损耗材料，具体可选钼，钌，钛，钨，铂，铱，锇等，或上述金属的合金。远离压电层的第二顶电极层71，采用低电阻率材料，具体的可选择铝，铜，金，银等或上述金属的合金。此外，第二底电极31和第一顶电极50同样采用低声损耗材料，但具体材料不一定和第一底电极32以及第一顶电极71相同。图4的结构可增强电极结构强度，防止构成空气间隙的电极发生贴合。
图5为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中间隙电极的两个电极层均为双层结构。图5的谐振器结构中第一和第二底电极以及第一和第二顶电极均采用双层材料结构，其中电极31和电极50采用低声损耗材料，具体可选钼，钌，钛，钨，铂，铱，锇等，或上述金属的合金，但电极31和50的材料不一定相同。电极33和电极51采用低电阻率材料，具体可选铝，铜，金，银等或上述金属的合金，或上述金属的合金，但电极33和电极51的材料不一定相同。电极32和电极70采用低声损耗材料，具体可选钼，钌，钛，钨，铂，铱，锇等，或上述金属的合金，但电极32和电极70的材料不一定相同。电极30和电极71采用低电阻率材料，具体可选铝，铜，金，银等或上述金属的合金，或上述金属的合金，但电极30和电极71的材料不一定相同。此外，还可以存在一些材料变化，例如电极30和电极32的材料也可以互换，同样的变化方式也可应用于电极70和电极71。
在本发明中，提到的数值范围除了可以为端点值之外，还可以为端点值之间的中值或者其他值，均在本发明的保护范围之内。
如本领域技术人员能够理解的，根据本发明的体声波谐振器可以用于形成滤波器。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有空隙层，空隙层的靠近压电层的一侧设置有第一电极层，空隙层的远离压电层的一侧设置有第二电极层，所述空隙层在谐振器的厚度方向上设置于所述第一电极层与第二电极层之间，对应的第一电极层与第二电极层彼此电连接；
所述第一电极层的电阻率大于所述第二电极层的电阻率；和/或所述第一电极层的声阻抗大于所述第二电极层的声阻抗。
2、根据1所述的谐振器，其中：
所述第一电极层的刚度大于所述第二电极层的刚度。
3、根据1所述的谐振器，其中：
所述空隙层为空气间隙层或者真空间隙层。
4、根据1所述的谐振器，其中：
所述空隙层的厚度在
的范围内。
5、根据4所述的谐振器，其中：
所述空隙层的厚度在
的范围内。
6、根据1-5中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一电极层的材料包括钼、钌、钛、钨、铂、铱或锇，或上述金属的合金；且
所述第二电极层的材料包括铝、铜、金或银，或上述金属的合金。
7、根据1-6中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一电极层包括在谐振器的厚度方向上叠置设置的第一子层和第二子层，其中第一子层比第二子层更靠近压电层。
8、根据7所述的谐振器，其中：
所述第一子层的电阻率大于所述第二子层的电阻率；和/或所述第一子层的声阻抗大于所述第二子层的声阻抗。
9、根据8所述的谐振器，其中：
所述第一子层的材料为钼、钌、钛、钨、铂、铱或锇，或上述金属的合金；且
所述第二子层的材料为铝、铜、金或银，或上述金属的合金。
10、根据9所述的谐振器，其中：
第二子层的材料与第二电极层的材料相同。
11、根据8所述的谐振器，其中：
第二子层的电阻率低于3.5x10-8Ωm，和/或第一子层的声阻抗高于30兆瑞利。
12、根据11所述的谐振器，其中：
第一子层的声阻抗高于50兆瑞利。
13、根据1所述的谐振器，其中：
第二电极层的电阻率低于3.5x10-8Ωm，和/或第一电极层的声阻抗高于30兆瑞利。
14、根据13所述的谐振器，其中：
第一电极层的声阻抗高于50兆瑞利。
15、根据1-14中任一项所述的谐振器，其中：
所述第二电极层包括在谐振器的厚度方向上叠置设置的第三子层和第四子层，其中第三子层比第四子层更靠近压电层。
16、根据15所述的谐振器，其中：
所述第三子层的电阻率与所述第四子层的电阻率不同；和/或所述第三子层的声阻抗与所述第四子层的声阻抗不同。
17、根据16所述的谐振器，其中：
所述第三子层与第四子层中的一层的材料为钼、钌、钛、钨、铂、铱或锇，或上述金属的合金；且
所述第三子层与第四子层中的另一层的材料为铝、铜、金或银，或上述金属的合金。
18、一种滤波器，包括根据1-17中任一项所述的体声波谐振器。
19、一种电子设备，包括根据18所述的滤波器或者根据1-17中任一项所述的谐振器。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (19)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有空隙层，空隙层的靠近压电层的一侧设置有第一电极层，空隙层的远离压电层的一侧设置有第二电极层，所述空隙层在谐振器的厚度方向上设置于所述第一电极层与第二电极层之间，对应的第一电极层与第二电极层彼此电连接；
所述第一电极层的电阻率大于所述第二电极层的电阻率；和/或所述第一电极层的声阻抗大于所述第二电极层的声阻抗。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一电极层的刚度大于所述第二电极层的刚度。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述空隙层为空气间隙层或者真空间隙层。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述空隙层的厚度在
的范围内。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述空隙层的厚度在
的范围内。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一电极层的材料包括钼、钌、钛、钨、铂、铱或锇，或上述金属的合金；且
所述第二电极层的材料包括铝、铜、金或银，或上述金属的合金。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中：
所述第一电极层包括在谐振器的厚度方向上叠置设置的第一子层和第二子层，其中第一子层比第二子层更靠近压电层。
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
所述第一子层的电阻率大于所述第二子层的电阻率；和/或所述第一子层的声阻抗大于所述第二子层的声阻抗。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述第一子层的材料为钼、钌、钛、钨、铂、铱或锇，或上述金属的合金；且
所述第二子层的材料为铝、铜、金或银，或上述金属的合金。
10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
第二子层的材料与第二电极层的材料相同。
11.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
第二子层的电阻率低于3.5x10-8Ωm，和/或第一子层的声阻抗高于30兆瑞利。
12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：
第一子层的声阻抗高于50兆瑞利。
13.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
第二电极层的电阻率低于3.5x10-8Ωm，和/或第一电极层的声阻抗高于30兆瑞利。
14.根据权利要求13所述的谐振器，其中：
第一电极层的声阻抗高于50兆瑞利。
15.根据权利要求1-5，8-14中任一项所述的谐振器，其中：
所述第二电极层包括在谐振器的厚度方向上叠置设置的第三子层和第四子层，其中第三子层比第四子层更靠近压电层。
16.根据权利要求15所述的谐振器，其中：
所述第三子层的电阻率与所述第四子层的电阻率不同；和/或所述第三子层的声阻抗与所述第四子层的声阻抗不同。
17.根据权利要求16所述的谐振器，其中：
所述第三子层与第四子层中的一层的材料为钼、钌、钛、钨、铂、铱或锇，或上述金属的合金；且
所述第三子层与第四子层中的另一层的材料为铝、铜、金或银，或上述金属的合金。
18.一种滤波器，包括根据权利要求1-17中任一项所述的体声波谐振器。
19.一种电子设备，包括根据权利要求18所述的滤波器或者根据权利要求1-17中任一项所述的谐振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2020/088707 WO2021077717A1 (zh) | 2019-10-23 | 2020-05-06 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| EP20879416.4A EP4072013A4 (en) | 2019-10-23 | 2020-05-06 | BULK WAVE RESONATOR WITH ELECTRODE WITH CAVITY LAYER, FILTER AND ELECTRONIC DEVICE |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911009262 | 2019-10-23 | ||
| CN2019110092623 | 2019-10-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111082774A CN111082774A (zh) | 2020-04-28 |
| CN111082774B true CN111082774B (zh) | 2021-03-12 |
Family
ID=70111673
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911027013.7A Active CN111162748B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911027009.0A Active CN111010122B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911027015.6A Active CN111010123B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911267553.2A Active CN111082774B (zh) | 2019-10-23 | 2019-12-11 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Family Applications Before (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911027013.7A Active CN111162748B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911027009.0A Active CN111010122B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911027015.6A Active CN111010123B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (4) | EP4072014A4 (zh) |
| CN (4) | CN111162748B (zh) |
| WO (4) | WO2021077712A1 (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111162748B (zh) * | 2019-10-23 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN111600566B (zh) * | 2020-04-21 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器、体声波谐振器组件及其制造方法、电子设备 |
| CN111600569B (zh) * | 2020-04-29 | 2022-02-22 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN111585537B (zh) * | 2020-06-05 | 2024-02-20 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 谐振器及滤波器 |
| CN111740718A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-02 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置 |
| CN113872553A (zh) * | 2020-06-30 | 2021-12-31 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN112202415B (zh) * | 2020-09-25 | 2021-09-24 | 杭州星阖科技有限公司 | 一种体声波谐振器的制造工艺方法和体声波谐振器 |
| CN112187213B (zh) * | 2020-09-29 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备 |
| CN112311347B (zh) * | 2020-10-16 | 2024-05-24 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子q值的结构 |
| WO2022087843A1 (zh) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 | 华为技术有限公司 | 谐振器及其制作方法、滤波器、电子设备 |
| CN112511129A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-16 | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器的气密封装结构及其制备方法 |
| CN114696774A (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
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| CN115133899A (zh) * | 2021-03-29 | 2022-09-30 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 具有钨电极的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
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| JP6510996B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2019-05-08 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| JP6535637B2 (ja) * | 2016-07-21 | 2019-06-26 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタ、デュプレクサ、及び圧電薄膜共振器の製造方法 |
| JP6668201B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-03-18 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ。 |
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-
2019
- 2019-10-26 CN CN201911027013.7A patent/CN111162748B/zh active Active
- 2019-10-26 CN CN201911027009.0A patent/CN111010122B/zh active Active
- 2019-10-26 CN CN201911027015.6A patent/CN111010123B/zh active Active
- 2019-12-11 CN CN201911267553.2A patent/CN111082774B/zh active Active
-
2020
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088662 patent/WO2021077712A1/zh unknown
- 2020-05-06 EP EP20879698.7A patent/EP4072014A4/en active Pending
- 2020-05-06 EP EP20879141.8A patent/EP4068627A4/en active Pending
- 2020-05-06 EP EP20879253.1A patent/EP4068628A4/en active Pending
- 2020-05-06 EP EP20879416.4A patent/EP4072013A4/en active Pending
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088665 patent/WO2021077715A1/zh unknown
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088707 patent/WO2021077717A1/zh unknown
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088660 patent/WO2021077711A1/zh unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4072014A4 (en) | 2024-06-26 |
| WO2021077717A1 (zh) | 2021-04-29 |
| CN111162748B (zh) | 2021-06-01 |
| EP4068627A1 (en) | 2022-10-05 |
| EP4072013A4 (en) | 2024-04-10 |
| WO2021077712A1 (zh) | 2021-04-29 |
| EP4072014A1 (en) | 2022-10-12 |
| EP4068628A1 (en) | 2022-10-05 |
| CN111010122A (zh) | 2020-04-14 |
| CN111010123A (zh) | 2020-04-14 |
| EP4068628A4 (en) | 2024-04-10 |
| CN111162748A (zh) | 2020-05-15 |
| CN111082774A (zh) | 2020-04-28 |
| WO2021077711A1 (zh) | 2021-04-29 |
| CN111010122B (zh) | 2021-06-01 |
| EP4068627A4 (en) | 2024-01-10 |
| EP4072013A1 (en) | 2022-10-12 |
| WO2021077715A1 (zh) | 2021-04-29 |
| CN111010123B (zh) | 2021-06-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Bulk acoustic wave resonator, filter and electronic equipment with electrode having gap layer Effective date of registration: 20210908 Granted publication date: 20210312 Pledgee: Tianjin TEDA Haihe intelligent manufacturing industry development fund partnership (L.P.) Pledgor: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Registration number: Y2021980009022 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20210312 |
|
| PP01 | Preservation of patent right |