CN111010122A - 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 - Google Patents
电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111010122A CN111010122A CN201911027009.0A CN201911027009A CN111010122A CN 111010122 A CN111010122 A CN 111010122A CN 201911027009 A CN201911027009 A CN 201911027009A CN 111010122 A CN111010122 A CN 111010122A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resonator
- electrode
- gap
- layer
- thickness direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011800 void material Substances 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000969130 Atthis Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02125—Means for compensation or elimination of undesirable effects of parasitic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有至少一个空隙层，在所述间隙电极的厚度方向上，所述空隙层与所述间隙电极的顶面与底面均存在距离。所述间隙电极具有在谐振器的厚度方向上层叠设置且彼此并联连接的多个电极层，所述空隙层设置在对应的电极层之间。本发明还涉及一种具有上述谐振器的滤波器以及具有该滤波器或谐振器的电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器、一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该谐振器或者该滤波器的电子设备。
背景技术
电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
电子器件根据不同工作原理可以发挥不同的特性与优势，在所有电子器件中，利用压电效应(或逆压电效应)工作的器件是其中很重要一类，压电器件有着非常广泛的应用情景。薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
薄膜体声波谐振器的结构主体为由电极-压电薄膜-电极组成的“三明治”结构，即两层金属电极层之间夹一层压电材料。通过在两电极间输入正弦信号，FBAR利用逆压电效应将输入电信号转换为机械谐振，并且再利用压电效应将机械谐振转换为电信号输出。
通信技术的快速发展要求滤波器工作频率不断提高，例如5G通信频段(sub-6G)的频率在3GHz-6GHz,频率高于4G等通信技术。对于体声波谐振器和滤波器，高工作频率意味着薄膜厚度尤其是电极的薄膜厚度，要进一步减小；然而电极薄膜厚度的减小带来的主要负面效应为电学损耗增加导致的谐振器Q值降低，尤其是串联谐振点及其频率附近处的Q值降低；相应地，高工作频率体声波滤波器的性能也随着体声波谐振器的Q值降低而大幅恶化。
发明内容
为缓解或解决现有技术中的上述问题，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有至少一个空隙层，在所述间隙电极的厚度方向上，所述空隙层与所述间隙电极的顶面与底面均存在距离。
可选的，所述间隙电极具有在谐振器的厚度方向上层叠设置且彼此并联连接的多个电极层，所述空隙层设置在对应的电极层之间。
本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；
图2A为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层；
图2B为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层；
图2C为根据本发明的再一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层；
图2D为根据本发明的又一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层；
图2E为根据本发明的又一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层；
图3A为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中底电极设置有空隙层；
图3B为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中底电极设置有空隙层；
图4为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极和底电极均设置有空隙层；
图5为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中底电极设置有空隙层且该空隙层作为声学镜结构；
图6为体声波谐振器的频率-阻抗曲线图，其中实线对应于图2A中的体声波谐振器，虚线对应于电极中没有设置空隙层的体声波谐振器。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图。在图1中，各附图标记如下：
10：基底，可选材料为硅(高阻硅)、砷化镓、蓝宝石、石英等。
20：声学镜，在图2A-2C中为空腔20，也可采用布拉格反射层(例如参见图2D)及其他等效形式。
30：第一底电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
36：电极引脚，材料与第一底电极相同。
31：第二底电极，材料选择范围同第一底电极30，但具体材料不一定与第一底电极30相同。
40：压电薄膜层，可选氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料，也可包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料。
50：第一顶电极，材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
56：电极引脚，材料与第一顶电极相同。
60：位于顶电极之中的空气间隙，处于第一顶电极50和第二顶电极70之间。
70：第二底电极，材料选择范围同第一顶电极50，但具体材料不一定与第一顶电极50相同。
需要说明的是，空气间隙构成空隙层，但是本发明中，空隙层除了可以为空气间隙层之外，还可以是真空间隙层，也可以是填充了其他气体介质的空隙层。
图2A为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层。
如图2A所示，该谐振器具有双层顶电极50和70(即第一顶电极50与第二顶电极70)，顶电极70覆盖顶电极50的整个上表面同时在非电极引脚侧和引脚侧与顶电极50上表面保持接触，从而在顶电极70和50之间形成空气间隙60。
当谐振器工作时，交变电场通过电极施加在压电层40上，由于声电能量耦合并相互转化，电极中会有电流通过，由于本实施例的顶电极具有双层电极并联结构，因此可以有效减小谐振器的电学损耗。在交变电场的激励下，压电层产生声波，当声波向上方传导至位于顶电极中的空气间隙60和电极层50的界面时声波能量会被反射回压电层40(因为空气和电极的声阻抗不匹配程度极大)，并不会进入电极层70。本发明中含有空气间隙的电极结构一方面可显著降低谐振器的电学损耗(表现为提升串联谐振频率处及其附近Q值的提高)，如图6所示，当谐振器使用如图2A所示的电极含空气间隙的结构时，在串联谐振频率点(5.9GHz)及其邻域阻抗从2.2欧姆降低到1.3欧姆。另一方面，空气间隙对顶电极70起到了声学隔离作用，从而基本避免电极层70对谐振器性能造成的负面影响(如谐振频率和机电耦合系数的改变)。
空气间隙的高度一般大于谐振器的典型振幅(约10nm)，例如空气间隙的高度在
的范围内，这有利于谐振器在大功率工作时顶电极70与谐振腔(此实施例为顶电极50、压电层40、底电极30组成的复合结构)的声学能量解耦。
图2B为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层。如图2B所示，顶电极50处于空气间隙60覆盖范围内的上表面覆盖有钝化层71，该钝化层71可防止顶电极50的上表面被空气间隙中的氧等元素氧化。
图2C为根据本发明的再一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层。图2C所示的体波谐振器结构中，顶电极50的部分上表面覆盖有钝化层71之外，顶电极70上表面同样覆盖有钝化层71，这对顶电极的保护更为全面。
图2D为根据本发明的又一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层。图2D所示的体波谐振器结构中，声学镜20采用了由高低声阻层交替堆叠构成的布拉格反射层形式，而不是例如图2A所示的空气腔形式。
图2E为根据本发明的又一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极设置有空隙层。图2E所示的体波谐振器结构中，声学镜空腔20在下电极30下表面和基底10上表面之间形成，而不是例如图2A所示的形成在基底内部的空气腔形式。该空气腔20具有向上拱起的弧形上表面形貌，从而导致空气间隙70形成于弯曲的第1上电极50和第2上电极70之间。
在图2A-2E所示的实施例中，顶电极70对应于附加电极或附加电极层。
图3A为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中底电极设置有空隙层。如图3A所示，底电极30和底电极31之间形成空气间隙61。
图3B为根据本发明的另一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中底电极设置有空隙层。如图3B所示，顶电极50的上表面覆盖有钝化层71，用以防止顶电极50被空气氧化。
在图3A-3B所示的实施例中，底电极30对应于附加电极或附加电极层。
图4为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中顶电极和底电极均设置有空隙层。如图4所示，该谐振器的上底电极均具有双层结构，并在在底电极30和底电极31之间形成空气间隙61，在顶电极50和顶电极70之间形成空气间隙60。在图4所示的实施例中，顶电极70和底电极30对应于附加电极。
图5为根据本发明的一个示例性实施例的沿图1中的A1-A2截得的剖面示意图，其中底电极设置有空隙层且该空隙层作为声学镜结构。如图5所示，当谐振器底电极具有空气间隙结构60时，可以此空气间隙代替原本位于基底中的空腔结构来充当声学反射层，此结构不仅可以简化工艺同时还能显著增加底电极30与基底10的接触面积，提高热量向基底的扩散效率，从而提高谐振器的功率容量。显然，图5中谐振器的顶电极同样可以采用含空气间隙的结构。在图5所示的实施例中，底电极30对应于附加电极或附加电极层。
在本发明中，在体声波谐振器的顶电极和/或底电极中设置空隙层。位于电极中的空气间隙可有效的反射声波，大幅降低进入远离压电薄膜(或压电层)一侧的附加电极的声波能量，从而有效抑制或消除所述附加电极由于参与声学振动所带来的负面效应。另外，围成空气间隙的两层(多层)电极可以构成并联电路结构，这可有效降低谐振器的电学损耗，提高谐振器的Q值，尤其是串联谐振点及其附近频率处的Q值。
因此，附加电极由于空气间隙的存在从而与谐振器谐振腔声学解耦(绝大部分声波在空气间隙处反射回谐振腔，不进入附加电极)，附加电极的存在和参数变化不影响谐振器除Q值外的其他关键参数(如谐振频率，机电耦合系数等)。
与空气间隙位于压电层和电极之间的结构相比，本发明由于避免了空气间隙带来的寄生串联电容，谐振器的机电耦合系数kt2不会恶化；与温度补偿夹层(如二氧化硅)位于两层电极中间的结构相比，本发明的空气间隙或真空间隙使得谐振器谐振频率不会变化，其他关键参数(Q值、机电耦合系数)不会恶化，串联谐振点及其附近频率处的Q值反而会得到提升。
在本发明中，设置了空隙层的电极为间隙电极。在图示的实施例中，间隙电极均为上下两层结构、仅设置一个空隙层，但本发明不限于此，例如，也可以是多层层叠的电极结构。
在本发明中，当声学镜结构设置于基底中且底电极中并未设置空隙层时，谐振器的有效区域为顶电极、压电层、底电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域。此时，空隙层在谐振器的俯视图中，可以与有效区域重叠，更进一步的，空隙层在横向方向上延伸过有效区域的面积的至少50％。
在本发明中，在底电极中设置有空隙层时，谐振器的有效区域为顶电极、底电极、压电层和底电极的空隙层在谐振器的厚度方向上的重叠区域。如图3A、3B和4所示，在谐振器的俯视图中，所述空隙层全面覆盖空腔20。这里的全面覆盖表示空隙层在横向方向上在各个角度完全延伸过空腔20的边缘。底电极中设置空隙层时，顶电极中也可以同时设置空隙层，或者不设置空隙层。
在本发明中，提到的数值范围除了可以为端点值之外，还可以为端点值之间的中值或者其他值，均在本发明的保护范围之内。
如本领域技术人员能够理解的，根据本发明的体声波谐振器可以用于形成滤波器。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有至少一个空隙层，在所述间隙电极的厚度方向上，所述空隙层与所述间隙电极的顶面与底面均存在距离。
2、根据1所述的谐振器，其中：
所述间隙电极具有一个空隙层。
3、根据1所述的谐振器，其中：
所述空隙层为空气间隙层或者真空间隙层。
4、根据1所述的谐振器，其中：
所述空隙层的厚度在
的范围内。
5、根据4所述的谐振器，其中：
所述空隙层的厚度在
的范围内。
6、根据1-5中任一项所述的谐振器，其中：
所述间隙电极具有在谐振器的厚度方向上层叠设置且彼此并联连接的多个电极层，所述空隙层设置在对应的电极层之间。
7、根据6所述的谐振器，其中：
在谐振器的一个平行于谐振器的厚度方向的截面中，位于对应空隙层的上下两侧的两个电极层的位于空隙层横向边缘的端部彼此电连接。
8、根据7所述的谐振器，其中：
在谐振器的一个平行于谐振器的厚度方向的截面中，所述两个电极层的引脚端彼此电连接以及所述两个电极层的非引脚端彼此电连接。
9、根据6所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括与空隙层的平面形状相同的间隙钝化层，所述间隙钝化层与所述空隙层层叠，所述间隙钝化层设置于对应的电极层的顶面，所述空隙层覆盖所述间隙钝化层的顶面。
10、根据6所述的谐振器，其中：
所述间隙电极仅具有两个电极层以及设置在两个电极层之间的仅一层空隙层。
11、根据1所述的谐振器，其中：
所述底电极为间隙电极，且所述空隙层构成所述声学镜。
12、根据11所述的谐振器，其中：
顶电极、底电极、压电层和空隙层在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；且
所述谐振器还包括设置在基底的声学空腔，在谐振器的俯视图中，所述空隙层全面覆盖所述声学空腔。
13、根据1所述的谐振器，其中：
所述顶电极为间隙电极；
顶电极、压电层、底电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域形成谐振器的有效区域。
14、一种滤波器，包括根据1-13中任一项所述的体声波谐振器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的谐振器或者上述的滤波器。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (15)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极；
顶电极；和
压电层，设置在底电极与顶电极之间，
其中：
底电极和/或顶电极为间隙电极，所述间隙电极具有至少一个空隙层，在所述间隙电极的厚度方向上，所述空隙层与所述间隙电极的顶面与底面均存在距离。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述间隙电极具有一个空隙层。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述空隙层为空气间隙层或者真空间隙层。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述空隙层的厚度在
的范围内。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述空隙层的厚度在
的范围内。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中：
所述间隙电极具有在谐振器的厚度方向上层叠设置且彼此并联连接的多个电极层，所述空隙层设置在对应的电极层之间。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
在谐振器的一个平行于谐振器的厚度方向的截面中，位于对应空隙层的上下两侧的两个电极层的位于空隙层横向边缘的端部彼此电连接。
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
在谐振器的一个平行于谐振器的厚度方向的截面中，所述两个电极层的引脚端彼此电连接以及所述两个电极层的非引脚端彼此电连接。
9.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括与空隙层的平面形状相同的间隙钝化层，所述间隙钝化层与所述空隙层层叠，所述间隙钝化层设置于对应的电极层的顶面，所述空隙层覆盖所述间隙钝化层的顶面。
10.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述间隙电极仅具有两个电极层以及设置在两个电极层之间的仅一层空隙层。
11.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述底电极为间隙电极，且所述空隙层构成所述声学镜。
12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：
顶电极、底电极、压电层和空隙层在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；且
所述谐振器还包括设置在基底的声学空腔，在谐振器的俯视图中，所述空隙层全面覆盖所述声学空腔。
13.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述顶电极为间隙电极；
顶电极、压电层、底电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域形成谐振器的有效区域。
14.一种滤波器，包括根据权利要求1-13中任一项所述的体声波谐振器。
15.一种电子设备，包括根据权利要求14所述的滤波器或者根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2019110092623 | 2019-10-23 | ||
| CN201911009262 | 2019-10-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111010122A true CN111010122A (zh) | 2020-04-14 |
| CN111010122B CN111010122B (zh) | 2021-06-01 |
Family
ID=70111673
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911027013.7A Active CN111162748B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911027009.0A Active CN111010122B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911027015.6A Active CN111010123B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911267553.2A Active CN111082774B (zh) | 2019-10-23 | 2019-12-11 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911027013.7A Active CN111162748B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911027015.6A Active CN111010123B (zh) | 2019-10-23 | 2019-10-26 | 电极具有空隙层和凸起结构的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN201911267553.2A Active CN111082774B (zh) | 2019-10-23 | 2019-12-11 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (4) | EP4072013A4 (zh) |
| CN (4) | CN111162748B (zh) |
| WO (4) | WO2021077717A1 (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111585537A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-25 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 谐振器及滤波器 |
| CN111884617A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-11-03 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 谐振器及其制备方法 |
| WO2021077711A1 (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| WO2022143286A1 (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN114859575A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-08-05 | 武汉大学 | 一种基于逆压电效应的可调制微环光通信滤波器 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111600566B (zh) * | 2020-04-21 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器、体声波谐振器组件及其制造方法、电子设备 |
| CN111600569B (zh) * | 2020-04-29 | 2022-02-22 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN111740718A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-10-02 | 深圳市信维通信股份有限公司 | 一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置 |
| CN113872553A (zh) * | 2020-06-30 | 2021-12-31 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN112202415B (zh) * | 2020-09-25 | 2021-09-24 | 杭州星阖科技有限公司 | 一种体声波谐振器的制造工艺方法和体声波谐振器 |
| CN112187213B (zh) * | 2020-09-29 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备 |
| CN112311347B (zh) * | 2020-10-16 | 2024-05-24 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种可提高薄膜体声波谐振器品质因子q值的结构 |
| WO2022087843A1 (zh) * | 2020-10-27 | 2022-05-05 | 华为技术有限公司 | 谐振器及其制作方法、滤波器、电子设备 |
| CN112511129A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-03-16 | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器的气密封装结构及其制备方法 |
| WO2022183379A1 (zh) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | 天津大学 | 石英薄膜谐振器及其制造方法 |
| CN115133899A (zh) * | 2021-03-29 | 2022-09-30 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 具有钨电极的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN115276598A (zh) * | 2021-04-30 | 2022-11-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN113258901B (zh) * | 2021-06-28 | 2021-10-29 | 深圳汉天下微电子有限公司 | 声学谐振器及其制造方法以及包括该声学谐振器的滤波器 |
| CN115694398A (zh) * | 2021-07-29 | 2023-02-03 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN115694410A (zh) * | 2021-07-29 | 2023-02-03 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 具有多个底电极层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN115706571A (zh) * | 2021-08-10 | 2023-02-17 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 具有双压电层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN113810006A (zh) * | 2021-09-08 | 2021-12-17 | 常州承芯半导体有限公司 | 一种体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置 |
| CN114006595B (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-29 | 深圳新声半导体有限公司 | 体声波谐振器和体声波滤波器 |
| WO2024182183A1 (en) * | 2023-02-27 | 2024-09-06 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave structures with conductive bridge structures and fabrication methods thereof |
| CN117375568B (zh) * | 2023-12-07 | 2024-03-12 | 常州承芯半导体有限公司 | 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103401528A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-11-20 | 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 | 包含桥接器的固态安装块体声波共振器结构 |
| CN105048986A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-11 | 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 | 具有空气环及温度补偿层的声谐振器装置 |
| US20150349747A1 (en) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Avago Technologies General Ip ( Singapore) Pte. Ltd. | Capacitive coupled resonator device with air-gap separating electrode and piezoelectric layer |
| US20170077385A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | Triquint Semiconductor, Inc. | Air gap in baw top metal stack for reduced resistive and acoustic loss |
| US20170257076A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer |
| US20180026604A1 (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, duplexer, and method of fabricating piezoelectric thin film resonator |
| US20180062609A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer |
| US20190007021A1 (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator and fabrication method of the same, filter, and multiplexer |
| US20190007029A1 (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714917A (en) * | 1996-10-02 | 1998-02-03 | Nokia Mobile Phones Limited | Device incorporating a tunable thin film bulk acoustic resonator for performing amplitude and phase modulation |
| JP2000209063A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜圧電素子 |
| CN1418400A (zh) * | 2001-01-17 | 2003-05-14 | 株式会社东芝 | 弹性表面波器件 |
| JP2004222244A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器およびその製造方法 |
| US20070093229A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Takehiko Yamakawa | Complex RF device and method for manufacturing the same |
| JP2008011140A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器及びその製造方法 |
| KR101543812B1 (ko) * | 2007-08-14 | 2015-08-11 | 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드 | Ｂａｗ 구조체, ｂａｗ 구조의 형성 방법 및 ｂａｗ 구조를 포함하는 반도체 다이 |
| US8902023B2 (en) * | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US8248185B2 (en) * | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US8384497B2 (en) * | 2009-12-18 | 2013-02-26 | Hao Zhang | Piezoelectric resonator structure having an interference structure |
| CN101908865B (zh) * | 2010-08-20 | 2014-02-12 | 庞慰 | 体波谐振器及其加工方法 |
| FI20106063A (fi) * | 2010-10-14 | 2012-06-08 | Valtion Teknillinen | Akustisesti kytketty laajakaistainen ohutkalvo-BAW-suodatin |
| US9048812B2 (en) * | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
| US9571064B2 (en) * | 2011-02-28 | 2017-02-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame |
| US9083302B2 (en) * | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
| US9991871B2 (en) * | 2011-02-28 | 2018-06-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising a ring |
| US9590165B2 (en) * | 2011-03-29 | 2017-03-07 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride and temperature compensation feature |
| CN103684336B (zh) * | 2012-08-31 | 2017-01-11 | 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 | 包含具有内埋式温度补偿层的电极的谐振器装置 |
| US9608192B2 (en) * | 2013-03-28 | 2017-03-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature compensated acoustic resonator device |
| CN103607178B (zh) * | 2013-09-17 | 2016-10-05 | 诺思（天津）微系统有限公司 | 薄膜体波谐振器及提高其品质因数的方法 |
| JP6325799B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2018-05-16 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| US9520855B2 (en) * | 2014-02-26 | 2016-12-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonators having doped piezoelectric material and frame elements |
| US10404231B2 (en) * | 2014-02-27 | 2019-09-03 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Acoustic resonator device with an electrically-isolated layer of high-acoustic-impedance material interposed therein |
| US9634642B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-04-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising vertically extended acoustic cavity |
| DE102016124236B4 (de) * | 2016-12-13 | 2018-07-26 | Snaptrack, Inc. | BAW-Resonator |
| DE102018101442B4 (de) * | 2018-01-23 | 2019-09-12 | RF360 Europe GmbH | BAW-Resonator mit erhöhtem Gütefaktor |
| CN110166014B (zh) * | 2018-02-11 | 2020-09-08 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其制造方法 |
| US11271543B2 (en) * | 2018-02-13 | 2022-03-08 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave resonator |
| CN109167585B (zh) * | 2018-07-26 | 2022-10-28 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 体声波谐振器及其制作方法、滤波器 |
| CN109889177B (zh) * | 2018-12-26 | 2023-04-07 | 天津大学 | 具有掺杂隔离结构的体声波谐振器 |
| CN111162748B (zh) * | 2019-10-23 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN111130490A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-05-08 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 电极具有空隙层的体声波谐振器及制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN111082776B (zh) * | 2019-12-11 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN111245394B (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 电极具有空隙层与温补层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
-
2019
- 2019-10-26 CN CN201911027013.7A patent/CN111162748B/zh active Active
- 2019-10-26 CN CN201911027009.0A patent/CN111010122B/zh active Active
- 2019-10-26 CN CN201911027015.6A patent/CN111010123B/zh active Active
- 2019-12-11 CN CN201911267553.2A patent/CN111082774B/zh active Active
-
2020
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088707 patent/WO2021077717A1/zh unknown
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088662 patent/WO2021077712A1/zh unknown
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088660 patent/WO2021077711A1/zh unknown
- 2020-05-06 EP EP20879416.4A patent/EP4072013A4/en active Pending
- 2020-05-06 EP EP20879141.8A patent/EP4068627A4/en active Pending
- 2020-05-06 EP EP20879698.7A patent/EP4072014A4/en active Pending
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088665 patent/WO2021077715A1/zh unknown
- 2020-05-06 EP EP20879253.1A patent/EP4068628A4/en active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103401528A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-11-20 | 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 | 包含桥接器的固态安装块体声波共振器结构 |
| CN105048986A (zh) * | 2014-04-30 | 2015-11-11 | 安华高科技通用Ip(新加坡)公司 | 具有空气环及温度补偿层的声谐振器装置 |
| US20150349747A1 (en) * | 2014-05-29 | 2015-12-03 | Avago Technologies General Ip ( Singapore) Pte. Ltd. | Capacitive coupled resonator device with air-gap separating electrode and piezoelectric layer |
| US20170077385A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | Triquint Semiconductor, Inc. | Air gap in baw top metal stack for reduced resistive and acoustic loss |
| US20170257076A1 (en) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer |
| US20180026604A1 (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, duplexer, and method of fabricating piezoelectric thin film resonator |
| US20180062609A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer |
| US20190007021A1 (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator and fabrication method of the same, filter, and multiplexer |
| US20190007029A1 (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-03 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Piezoelectric thin film resonator, filter, and multiplexer |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021077711A1 (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-29 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN111585537A (zh) * | 2020-06-05 | 2020-08-25 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 谐振器及滤波器 |
| CN111585537B (zh) * | 2020-06-05 | 2024-02-20 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 谐振器及滤波器 |
| CN111884617A (zh) * | 2020-06-29 | 2020-11-03 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 谐振器及其制备方法 |
| WO2022143286A1 (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN114859575A (zh) * | 2022-03-28 | 2022-08-05 | 武汉大学 | 一种基于逆压电效应的可调制微环光通信滤波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021077711A1 (zh) | 2021-04-29 |
| CN111082774A (zh) | 2020-04-28 |
| EP4072014A4 (en) | 2024-06-26 |
| CN111010123A (zh) | 2020-04-14 |
| EP4072013A4 (en) | 2024-04-10 |
| CN111162748A (zh) | 2020-05-15 |
| EP4068627A4 (en) | 2024-01-10 |
| EP4068627A1 (en) | 2022-10-05 |
| WO2021077712A1 (zh) | 2021-04-29 |
| WO2021077715A1 (zh) | 2021-04-29 |
| WO2021077717A1 (zh) | 2021-04-29 |
| CN111082774B (zh) | 2021-03-12 |
| CN111010122B (zh) | 2021-06-01 |
| EP4068628A1 (en) | 2022-10-05 |
| EP4072013A1 (en) | 2022-10-12 |
| EP4068628A4 (en) | 2024-04-10 |
| CN111162748B (zh) | 2021-06-01 |
| EP4072014A1 (en) | 2022-10-12 |
| CN111010123B (zh) | 2021-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111010122B (zh) | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN111245394B (zh) | 电极具有空隙层与温补层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| US10284173B2 (en) | Acoustic resonator device with at least one air-ring and frame | |
| JP5926735B2 (ja) | 広帯域音響結合薄膜ｂａｗフィルタ | |
| CN111010130B (zh) | 带温补层和电学层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN111082776B (zh) | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| US20160079958A1 (en) | Acoustic resonator comprising vertically extended acoustic cavity | |
| CN111245393B (zh) | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| US20220216852A1 (en) | Loaded resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators | |
| EP4050795A1 (en) | Bulk acoustic resonator, filter, and electronic device | |
| CN111630776A (zh) | 具有提高的品质因数的baw谐振器 | |
| CN111010121A (zh) | 带不导电插入层的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN111404508A (zh) | 一种双层五边形电极的薄膜体声波谐振器 | |
| JPWO2008088010A1 (ja) | 薄膜圧電共振器および薄膜圧電フィルタ | |
| US11894827B2 (en) | Loaded series resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators | |
| CN111600569B (zh) | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| CN114553169A (zh) | 利用凸起结构降低声阻抗的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN111010124B (zh) | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Bulk acoustic wave resonator, filter and electronic equipment with electrode having gap layer Effective date of registration: 20210908 Granted publication date: 20210601 Pledgee: Tianjin TEDA Haihe intelligent manufacturing industry development fund partnership (L.P.) Pledgor: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Registration number: Y2021980009022 |
|
| PP01 | Preservation of patent right | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20210601 |