CN117375568B - 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法 - Google Patents

体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117375568B
CN117375568B CN202311667199.9A CN202311667199A CN117375568B CN 117375568 B CN117375568 B CN 117375568B CN 202311667199 A CN202311667199 A CN 202311667199A CN 117375568 B CN117375568 B CN 117375568B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
resonant
region
metal layer
resonant region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202311667199.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117375568A (zh
Inventor
邹雅丽
杨新宇
汤正杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd filed Critical Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd
Priority to CN202311667199.9A priority Critical patent/CN117375568B/zh
Publication of CN117375568A publication Critical patent/CN117375568A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117375568B publication Critical patent/CN117375568B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法，结构包括：压电层，包括谐振区以及第一非谐振区和第二非谐振区；第一电极层，位于谐振区和第一非谐振区第一侧；第一钝化层，位于第二非谐振区、第一电极层顶部和边缘侧壁；第二电极层，位于谐振区和第二非谐振区第二侧；第二钝化层，位于第一非谐振区、第二电极层顶部和边缘侧壁；位于第一侧的第一金属层，或者，位于第二侧的第二金属层，第一金属层位于谐振区和第二非谐振区的第一钝化层表面、或者位于第一非谐振区和第二非谐振区的第一钝化层表面，第二金属层位于谐振区和第一非谐振区的第二钝化层表面、或者位于第一非谐振区和第二非谐振区的第二钝化层表面。所述体声波谐振装置的性能得到提升。

Description

体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法
技术领域
本发明涉及通信领域，尤其涉及一种体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法。
背景技术
无线通信设备的射频（Radio Frequency，简称RF）前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波（Surface Acoustic Wave，简称SAW）滤波器、压电体声波（Bulk Acoustic Wave，简称BAW）滤波器、微机电系统（Micro-Electro-Mechanical System，简称MEMS）滤波器、集成无源装置（Integrated Passive Devices，简称IPD）滤波器等。
当无线通信技术逐步演进，所使用的频段越来越多，同时随着载波聚合等频段叠加使用技术的应用，无线频段之间的相互干扰变得愈发严重。高性能的压电体声波滤波器技术可以解决频段间的相互干扰问题。随着5G时代的到来，无线移动网络引入了更高的通信频段，当前只有压电体声波滤波器技术可以解决高频段的滤波问题。
现有的压电体声波滤波器还有待改进。
发明内容
本发明提供一种体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法，以改进现有的压电体声波滤波器。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种体声波谐振装置，包括：压电层，所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧，所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区和第二非谐振区，所述第一非谐振区和第二非谐振区相互分立；第一电极层，所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面；第一钝化层，所述第一钝化层位于第二非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面；第二电极层，所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面，所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧的部分表面；第二钝化层，所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面；位于第一侧的第一金属层，或者，位于第二侧的第二金属层，所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，所述第一金属层、第一钝化层和第一电极层构成第一电容，所述第一金属层与所述第二电极层电连接，所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面，所述第二金属层、第二钝化层和第二电极层构成第二电容，所述第二金属层与所述第一电极层电连接。
可选的，所述第一金属层位于第一侧时，还包括：位于第二非谐振区内和第一钝化层内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层表面；位于第一通孔内的第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层和第二电极层。
可选的，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层表面的第一导电层，所述第一导电层与所述第二电极层相连接；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层电连接的第一连接层。
可选的，所述第一导电层的材料与第二电极层的材料相同。
可选的，所述第一连接层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
可选的，所述第二金属层位于第二侧时，还包括：位于第一非谐振区内和第二钝化层内的第二通孔，所述第二通孔底部暴露出所述第一电极层表面；位于第二通孔内的第二连接结构，所述第二连接结构电连接所述第二金属层和第一电极层。
可选的，所述第二连接结构包括：位于第二通孔侧壁表面和第一电极层表面的第二导电层；嵌入所述第二通孔并与所述第二导电层电连接的第二连接层。
可选的，所述第二连接结构还包括：位于第二导电层和第二连接层之间的第三导电层。
可选的，所述第二导电层的材料与第二电极层的材料相同；所述第三导电层的材料与第二金属层的材料相同。
可选的，所述第二金属层位于第二非谐振区上的部分第二钝化层表面。
可选的，所述第二连接层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
可选的，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接时，所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面；所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相邻的两边相接时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面。
可选的，所述第一钝化层的厚度小于压电层的厚度；所述第二钝化层的厚度小于压电层的厚度。
相应地，本发明技术方案还提供一种体声波谐振装置的形成方法，包括：提供压电层，所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧，所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区和第二非谐振区，所述第一非谐振区和第二非谐振区相互分立；形成位于压电层第一侧上的第一电极层和第一钝化层，所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面，所述第一钝化层位于第二非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面；形成位于压电层第二侧上的第二电极层和第二钝化层，所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面，所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧的部分表面，所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面；形成位于第一侧的第一金属层，或者，形成位于第二侧的第二金属层，所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，所述第一金属层、第一钝化层和第一电极层构成第一电容，所述第一金属层与所述第二电极层电连接，所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面，所述第二金属层、第二钝化层和第二电极层构成第二电容，所述第二金属层与所述第一电极层电连接。
可选的，所述第一金属层位于第一侧时，电连接所述第一金属层与所述第二电极层的方法包括：形成位于第二非谐振区内和第一钝化层内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层表面；在第一通孔内形成第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层与所述第二电极层。
可选的，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层表面的第一导电层，所述第一导电层与所述第二电极层相连接；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层电连接的第一连接层；所述第一导电层与所述第二电极层同步形成。
可选的，所述第二金属层位于第二侧时，电连接所述第二金属层与所述第一电极层的方法包括：形成位于第一非谐振区内和第二钝化层内的第二通孔，所述第二通孔暴露出所述第一电极层表面；在第二通孔内形成第二连接结构，所述第二连接结构电连接所述第二金属层与所述第一电极层。
可选的，所述第二连接结构包括：位于第二通孔侧壁表面和第一电极层表面的第二导电层；嵌入所述第二通孔并与所述第二导电层电连接的第二连接层。
可选的，所述第二连接结构还包括：位于第二导电层和第二连接层之间的第三导电层。
可选的，所述第二导电层与第二电极层同步形成；所述第三导电层与第二金属层同步形成。
可选的，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接时，所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面；所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相邻的两边相接时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面。
相应地，本发明技术方案还提供一种体声波谐振装置，包括：压电层，所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧，所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区相互分立；第一电极层，所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面；第一钝化层，位于第二非谐振区第一侧表面、第三非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面；第二电极层，所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面，所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧表面；第二钝化层，所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第三非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面；位于第一侧的第一金属层，以及位于第二侧的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层电连接，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第二非谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面；或者，所述第一金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面。
可选的，还包括：位于第二钝化层内、第三非谐振区内和第一钝化层内的第三通孔，所述第三通孔暴露出第一金属层表面；位于第三通孔内的第三连接结构，所述第三连接结构电连接所述第一金属层和所述第二金属层。
可选的，所述第三连接结构包括：位于第三通孔侧壁表面和第一金属层表面的第四导电层，所述第四导电层与所述第二金属层相连接；嵌入所述第三通孔并与所述第四导电层电连接的第三连接层。
可选的，所述第四导电层的材料与第二金属层的材料相同。
可选的，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形的一条边相接。
可选的，所述第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接，所述第一非谐振区与第二非谐振区相邻时，所述第一金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面。
可选的，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形连续的三条边相接，所述第一非谐振区位于第二非谐振区和第三非谐振区之间时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面；所述第三非谐振区位于第二非谐振区和第一非谐振区之间时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于第二非谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面。
可选的，所述第一钝化层的厚度小于压电层的厚度；所述第二钝化层的厚度小于压电层的厚度。
相应地，本发明技术方案还提供一种体声波谐振装置的形成方法，包括：提供压电层，所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧，所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区相互分立；形成位于压电层第一侧上的第一电极层和第一钝化层，所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面，所述第一钝化层位于第二非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面；形成位于压电层第二侧上的第二电极层和第二钝化层，所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面，所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧表面，所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面；形成位于第一侧的第一金属层，以及形成位于第二侧的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层电连接，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第二非谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面；或者，所述第一金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面。
可选的，电连接所述第一金属层与所述第二金属层的方法包括：在第二钝化层内、第三非谐振区内和第一钝化层内形成第三通孔，所述第三通孔暴露出第一金属层表面；在第三通孔内形成第三连接结构，所述第三连接结构电连接所述第一金属层和所述第二金属层。
可选的，所述第三连接结构包括：位于第三通孔侧壁表面和第一金属层表面的第四导电层，所述第四导电层与所述第二金属层相连接；嵌入所述第三通孔并与所述第四导电层电连接的第三连接层；所述第四导电层与所述第二金属层同时形成。
可选的，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形的一条边相接。
可选的，所述第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接，所述第一非谐振区与第二非谐振区相邻时，所述第一金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面。
可选的，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形连续的三条边相接，所述第一非谐振区位于第二非谐振区和第三非谐振区之间时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面；所述第三非谐振区位于第二非谐振区和第一非谐振区之间时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于第二非谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明的技术方案，通过使第一电极层、第一钝化层和第一金属层构成第一电容，使第二电极层、第二钝化层和第二金属层构成第二电容，将所述第一电容与谐振区并联，或者使所述第二电容与谐振区并联，或者使所述第一电容和第二电容与谐振区并联，以满足在谐振器上并联电容的目的。所述第一电容和第二电容为具有双层电极板和双层电极板之间介电层的纯电容结构，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
进一步，所述第一钝化层和第二钝化层的厚度小于压电层的厚度，使得所构成的第一电容和第二电容的面积缩小，能够缩小芯片尺寸。
附图说明
图1是一实施例中滤波器电路结构示意图；
图2至图6是本发明一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图；
图7和图8是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图；
图9和图10是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图；
图11和图12是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图；
图13和图14是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图；
图15和图16是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图；
图17和图18是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图；
图19是本发明一实施例中体声波谐振装置的局部电路结构示意图；
图20是本发明另一实施例中体声波谐振装置的局部电路结构示意图；
图21是本发明另一实施例中体声波谐振装置的局部电路结构示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，现有的压电体声波滤波器还有待改进。现结合具体的实施例进行分析说明。
图1是一实施例中滤波器电路结构示意图。
请参考图1，所述滤波器包括：串联的第一谐振器S1、第二谐振器S2和第三谐振器S3，与第一谐振器S1、第二谐振器S2和第三谐振器S3并联的第四谐振器T1。串联谐振器的导纳值较大的部分与并联谐振器导纳较小的部分形成滤波器的通带，串联谐振器的导纳最小值与并联谐振器的导纳最大值形成通带两侧的传输零点。串联谐振器的导纳最小值与并联谐振器的导纳最大值共同决定了滤波器通带的带宽。
在谐振器上并联电容可以减小该阶谐振器的机电耦合系数并增加并联谐振点的Q值（Qp），可达到提升带外抑制性，增强滚降的效果。如图1所示，在第一谐振器S1上并联电容C1。
然而，但是在传统的FBAR滤波器中，无法通过在谐振器上加入并联纯电容来提升滤波器性能，通常以并联的谐振器来代替电容的作用，因而，提升带外抑制性，增强滚降的效果不明显。
为了解决上述问题，本发明技术方案提供一种体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法，通过使第一电极层、第一钝化层和第一金属层构成第一电容，使第二电极层、第二钝化层和第二金属层构成第二电容，将所述第一电容与谐振区并联，或者使所述第二电容与谐振区并联，或者使所述第一电容和第二电容与谐振区并联，以满足在谐振器上并联电容的目的。所述第一电容和第二电容为具有双层电极板和双层电极板之间介电层的纯电容结构，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图2至图6是本发明一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图。
需要注意的是，本说明书中的“表面”、“上”、“下”，用于描述空间的相对位置关系，并不限定于是否直接接触。
请参考图2和图3，图2为图3第二面的俯视图，图3为图2沿剖面线AOA1方向的剖面结构示意图，提供压电层100，所述压电层100包括沿垂直于压电层100表面方向上相对的第一侧S1和第二侧S2，所述压电层100包括谐振区I以及与谐振区I相邻的第一非谐振区II和第二非谐振区III，所述第一非谐振区II和第二非谐振区III相互分立。
所述压电层100的材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氮化铝、氧化锌、氮化镓或锆钛酸铅压电陶瓷。
在本实施例中，所述谐振区I的投影形状为六边形。所述非谐振区为环绕所述谐振区I的区域。
在本实施例中，所述第一非谐振区II和第二非谐振区III分别与所述谐振区I的正六边形相邻的两边相接。
在其他实施例中，所述谐振区的形状可以为矩形或圆形等。
请参考图4，图4为在图3基础上的结构示意图，在压电层100第一侧S1上形成第一电极层101、第一钝化层102和第一金属层103，所述第一电极层101位于所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面，所述第一钝化层102位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第一电极层101顶部表面和第一电极层101边缘侧壁表面，所述第一金属层103位于第一非谐振区II上和第二非谐振区III上的第一钝化层102表面，所述第一金属层103、第一钝化层102和第一电极层101构成第一电容。
所述第一金属层103用于抑制体声波的横向扩散，提升谐振器的Q值（Qp）。
在本实施例中，所述第一钝化层102的厚度小于所述压电层100的厚度。从而第一电极层101、第一金属层103以及第一钝化层102构成的第一电容面积较小，能够缩小芯片尺寸。
所述第一电极层101的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
所述第一金属层103的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
在本实施例中，所述第一钝化层102的材料包括氧化硅。
所述第一电极层101、第一钝化层102和第一金属层103的形成方法包括：在压电层100第一侧S1上形成电极材料层（未图示）；去除部分电极材料层，在所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面形成所述第一电极层101；形成第一电极层101之后，在压电层100第一侧S1上形成第一钝化层102，所述第一钝化层102位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第一电极层101顶部表面和第一电极层101边缘侧壁表面；形成第一钝化层102之后，在第一钝化层102表面形成金属材料层（未图示）；去除部分所述金属材料层，在第一非谐振区II上和第二非谐振区III上的第一钝化层102表面形成所述第一金属层103。
请参考图5，在压电层100第一侧S1上形成承载结构（未图示）和位于承载结构内的空腔104，所述承载结构与所述压电层100第一侧S1相接合，至少位于谐振区I第一侧S1表面的所述第一电极层101位于所述空腔104内。
所述空腔104的形成方法包括：在第一金属层103上和第一钝化层102上形成牺牲层（未图示）；在牺牲层顶部表面和侧壁表面、第一钝化层102表面形成第一接合层（未图示）；提供承载基底（未图示），所述承载基底表面具有第二接合层（未图示）；将所述第二接合层朝向所述牺牲层和第一结合层进行接合，使所述第一接合层和第二接合层相接合，所述承载结构包括承载基底、第二接合层和第一接合层；后续在压电层100第二侧S2形成第二电极层、第二钝化层之后，去除所述牺牲层，形成所述空腔104。
请参考图5和图6，图6为图5第二侧S2的俯视图，图5为图6沿剖面线AOA1方向的剖面结构示意图，在压电层100第二侧S2上形成第二电极层105和第二钝化层107，所述第二电极层105位于所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2的部分表面，所述第二钝化层107位于第一非谐振区II第二侧S2表面、第二电极层105顶部表面和第二电极层105边缘侧壁表面；在所述第二非谐振区III内和第一钝化层102内形成第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层103与所述第二电极层105。
所述第一连接结构包括：第一导电层106以及位于第一导电层106表面的第一连接层108。
在本实施例中，所述第一导电层106与第二电极层105同时形成。
在其他实施例中，所述第一导电层与第二电极层能够不同时形成。
所述第二电极层105、第二钝化层106和第一连接结构的形成方法包括：在第二非谐振区III内和第一钝化层102内形成第一通孔（未图示），所述第一通孔自第二侧S2向第一侧S1延伸，所述第一通孔暴露出所述第一金属层103表面；在压电层100第二侧S2表面、第一通孔侧壁表面和底部表面形成电极材料层（未图示）；去除第一非谐振区II表面和部分第二非谐振区III的电极材料层，在所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面形成第二电极层105，在所述第一通孔侧壁表面和底部表面形成第一导电层106，所述第一导电层106与所述第一金属层103电连接；在第一非谐振区II第二侧S2表面、第二电极层105顶部表面和第二电极层105边缘侧壁表面形成第二钝化层107；在所述第一通孔内形成第一连接层108，所述第一连接层108嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层106电连接，所述第一连接结构电连接所述第一金属层103和第二电极层105。
所述第一非谐振区II第一侧S1的第一电极层101、第一金属层103以及第一电极层101和第一金属层103之间的第一钝化层102构成第一电容C1，所述第一连接结构电连接所述第一金属层103和第二电极层105，即在所述谐振区I上并联了第一电容C1，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
请参考图19，图19是本发明实施例中体声波谐振装置的局部电路示意图，第一电容C1并联在谐振器S1上。
所述第一导电层106的材料与第二电极层105的材料相同。所述第二电极层105的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
所述第一连接层108的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
在本实施例中，所述第二钝化层107的材料包括氧化硅。
在其他实施例中，所述第一导电层与第二电极层不同时形成；电连接所述第一金属层与所述第二电极层的方法包括：在第二非谐振区内、第二电极层内和第二钝化层内形成第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层表面；在第一通孔内形成第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层和第二电极层。
相应地，本发明实施例还提供一种体声波谐振装置，请继续参考图5和图6，包括：
空腔104；
压电层100，所述压电层100包括沿垂直于压电层100表面方向上相对的第一侧S1和第二侧S2，所述空腔104位于所述压电层100第一侧S1，所述压电层100包括谐振区I以及与谐振区I相邻的第一非谐振区II和第二非谐振区III，所述第一非谐振区II和第二非谐振区III相互分立；
第一电极层101，至少位于谐振区I的所述第一电极层101位于所述空腔104内，所述第一电极层101位于所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面；
位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第一电极层101顶部表面和第一电极层101边缘侧壁表面的第一钝化层102；
位于第一侧S1的第一金属层103，所述第一金属层103位于第一非谐振区II上和第二非谐振区III上的第一钝化层102表面；
第二电极层105，所述第二电极层105位于所述压电层100第二侧S2表面，所述第二电极层105位于所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面，所述第一金属层103与所述第二电极层105电连接；
位于第一非谐振区II第二侧S2表面、第二电极层105顶部表面和第二电极层105边缘侧壁表面的第二钝化层107。
在本实施例中，还包括：位于第二非谐振区III内和第一钝化层102内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层103表面；位于第一通孔内的第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层103和第二电极层105。
在本实施例中，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层103表面的第一导电层106；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层106电连接的第一连接层108。
在本实施例中，所述第一导电层106的材料与第二电极层105的材料相同。
在本实施例中，所述第一连接层108的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
在本实施例中，所述第一电极层101和第二电极层105的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
在本实施例中，所述第一金属层103的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
在本实施例中，所述第一钝化层102的厚度小于所述压电层100的厚度；所述第二钝化层107的厚度小于所述压电层100的厚度。
在本实施例中，所述第一钝化层102和第二钝化层107的材料包括：氧化硅。
在本实施例中，所述压电层100的材料包括：钽酸锂、铌酸锂、石英、氮化铝、氧化锌、氮化镓或锆钛酸铅压电陶瓷。
在本实施例中，所述谐振区I的投影形状为六边形；所述第一非谐振区II和第二非谐振区III分别与所述谐振区I的正六边形相邻的两边相接。
图7和图8是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图。
请参考图7和图8，图7为图8第二侧S2的俯视图，图8为图7沿剖面线AA1方向的剖面结构示意图，所述体声波谐振装置包括：
空腔204；
压电层200，所述压电层200包括沿垂直于压电层200表面方向上相对的第一侧S1和第二侧S2，所述空腔204位于所述压电层200第一侧S1，所述压电层200包括谐振区I以及与谐振区I相邻的第一非谐振区II和第二非谐振区III，所述第一非谐振区II和第二非谐振区III相互分立；
第一电极层201，至少位于谐振区I的所述第一电极层201位于所述空腔204内，所述第一电极层201位于所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面；
位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第一电极层201顶部表面和第一电极层201边缘侧壁表面的第一钝化层202；
位于第一侧S1的第一金属层203，所述第一金属层203位于谐振区I上和第二非谐振区III上的第一钝化层202表面；
第二电极层205，所述第二电极层205位于所述压电层200第二侧S2表面，所述第二电极层205位于所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面，所述第一金属层203与所述第二电极层205电连接；
位于第一非谐振区II第二侧S2表面、第二电极层205顶部表面和第二电极层205边缘侧壁表面的第二钝化层206。
在本实施例中，还包括：位于第二非谐振区III内和第一钝化层202内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层203表面；位于第一通孔内的第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层203和第二电极层205。
在本实施例中，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层203表面的第一导电层208；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层208电连接的第一连接层207。
在本实施例中，所述第一导电层208的材料与第二电极层205的材料相同。
图7和图8的体声波谐振装置与图5和图6体声波谐振装置的区别在于，在本实施例中，所述谐振区I的投影形状为六边形；所述第一非谐振区II和第二非谐振区III分别与所述谐振区I的正六边形相对的两边相接。
所述谐振区I第一侧S1的第一电极层201、第一钝化层202以及第一金属层203构成第一电容，所述第一金属层203与所述第二电极层205电连接，即在所述谐振区I上并联了第一电容C1，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
图7和图8的形成过程请参考图5和图6，在此不再赘述。
图9和图10是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图。
请参考图9和图10，图9为图10第二侧S2的俯视图，图10为图9沿剖面线AOA1方向的剖面结构示意图，所述体声波谐振装置包括：
空腔303；
压电层300，所述压电层300包括沿垂直于压电层300表面方向上相对的第一侧S1和第二侧S2，所述空腔303位于所述压电层300第一侧S1，所述压电层300包括谐振区I以及与谐振区I相邻的第一非谐振区II和第二非谐振区III，所述第一非谐振区II和第二非谐振区III相互分立；
第一电极层301，至少位于谐振区I的所述第一电极层301位于所述空腔303内，所述第一电极层301位于所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面；
位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第一电极层301顶部表面和第一电极层301边缘侧壁表面的第一钝化层302；
第二电极层304，所述第二电极层304位于所述压电层300第二侧S2表面，所述第二电极层304位于所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面；
位于第一非谐振区II第二侧S2表面、第二电极层304顶部表面和第二电极层304边缘侧壁表面的第二钝化层305；
位于第二侧S2的第二金属层306，所述第二金属层306位于第一非谐振区II上和第二非谐振区III上的第二钝化层305表面，所述第二金属层306、第二钝化层305和第二电极层304构成第二电容, 所述第二金属层306与所述第一电极层301电连接。
在本实施例中，还包括：位于第一非谐振区II内和第二钝化层305内的第二通孔（未图示），所述第二通孔暴露出所述第一电极层301表面；位于第二通孔内的第二连接结构，所述第二连接结构电连接所述第二金属层306和第一电极层301。
在本实施例中，所述第二连接结构包括：位于第二通孔侧壁表面和第一电极层表面的第二导电层308；嵌入所述第二通孔并与所述第二导电层308电连接的第二连接层307。
在本实施例中，所述第二连接结构还包括：位于第二导电层308和第二连接层307之间的第三导电层（未图示）。
在本实施例中，所述第二导电层308的材料与第二电极层304同时形成，所述第三导电层的材料与第二金属层306同时形成，所述第二电极层304、第二连接结构和第二金属层306的形成方法包括：在第一非谐振区II内形成第二通孔，所述第二通孔暴露出所述第一电极层301表面；在第二通孔侧壁表面和底部表面、压电层300第二侧S2表面形成电极材料层（未图示）；去除所述第一非谐振区II表面的电极材料层，在所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面形成第二电极层304，在第二通孔侧壁表面和底部表面形成第二导电层308；在第一非谐振区II第二侧S2表面、第二电极层304顶部表面和第二电极层304边缘侧壁表面形成第二钝化层305；在第二钝化层305表面和第二导电层308表面形成金属材料层（未图示）；去除谐振区I上、部分第一非谐振区II上和部分第二非谐振区III上的金属材料层，在第一非谐振区II上和第二非谐振区III上的第二钝化层305表面形成第二金属层306，在第二导电层308表面形成第三导电层；形成第二金属层306之后，在第三导电层上形成第二连接层307。
在其他实施例中，能够不形成所述第三导电层。
在其他实施例中，所述第二导电层与第二电极层能够不同时形成，所述第三导电层与第二金属层能够不同时形成。
在本实施例中，所述第二导电层308的材料与第二电极层304的材料包括金属或金属氮化物；所述第三导电层的材料与第二金属层306的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
所述第二连接层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
所述第二金属层306、第二钝化层305以及第二电极层304构成第二电容C2，所述第二连接结构电连接所述第一电极层301与第二金属层306，即在所述谐振区I上并联了第二电容C2，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
在本实施例中，所述第二钝化层305的厚度小于所述压电层300的厚度，从而第二电极层304、第二金属层306以及第二钝化层305构成的第一电容面积较小，能够缩小芯片尺寸。
在本实施例中，所述谐振区I的投影形状为六边形；所述第一非谐振区II和第二非谐振区III分别与所述谐振区I的正六边形相邻的两边相接。
请参考图20，图20是本发明实施例中体声波谐振装置的局部电路示意图，第二电容C2并联在谐振器S1上。
图11和图12是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图。
请参考图11和图12，图11为图12第二侧S2的俯视图，图12为图11沿剖面线AA1方向的剖面结构示意图，所述体声波谐振装置包括：
空腔403；
压电层400，所述压电层400包括沿垂直于压电层400表面方向上相对的第一侧S1和第二侧S2，所述空腔403位于所述压电层400第一侧S1上，所述压电层400包括谐振区I以及与谐振区I相邻的第一非谐振区II和第二非谐振区III，所述第一非谐振区II和第二非谐振区III相互分立；
第一电极层401，至少谐振区I上的第一电极层401位于所述空腔403内，所述第一电极层401位于所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面；
位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第一电极层401顶部表面和第一电极层401边缘侧壁表面的第一钝化层402；
第二电极层404，所述第二电极层404位于所述压电层400第二侧S2表面，所述第二电极层404位于所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面；
位于第一非谐振区II第二侧S2表面、第二电极层404顶部表面和第二电极层404边缘侧壁表面的第二钝化层405；
位于第一侧S2的第二金属层406，所述第二金属层406位于谐振区I上和第一非谐振区II上的第二钝化层405表面，所述第二金属层406、第二钝化层405和第二电极层404构成第二电容，所述第二金属层406与所述第一电极层401电连接。
在本实施例中，还包括：位于第一非谐振区II内和第二钝化层305内的第二通孔（未图示），所述第二通孔暴露出所述第一电极层301表面；位于第二通孔内的第二连接结构，所述第二连接结构包括：位于第二通孔侧壁表面和第一电极层表面的第二导电层408；位于第二导电层408上的第二连接层407。所述第二金属层406通过第二连接结构与所述第一电极层401电连接。
在本实施例中，所述第二连接结构还包括：位于第二导电层408和第二连接层407之间的第三导电层（未图示）。
图11和图12中的体声波谐振装置与图9和图10中的体声波谐振装置的区别在于，在本实施例中，所述谐振区I的投影形状为六边形；所述第一非谐振区II和第二非谐振区III分别与所述谐振区I的正六边形相对的两边相接。
所述第二金属层406、第二钝化层405以及第二电极层404构成第二电容，所述第二连接结构电连接所述第一电极层401与第二金属层406，即在所述谐振区I上并联了第二电容，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
图11和图12的形成过程请参考图9和图10，在此不再赘述。
图13和图14是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图。
请参考图13和图14，图13为图14第二侧S2的俯视图，图14为图13沿剖面线AA1方向的剖面结构示意图，所述体声波谐振装置包括：
空腔504；
压电层500，所述压电层500包括沿垂直于压电层500表面方向上相对的第一侧S1和第二侧S2，所述空腔504位于所述压电层500第一侧S1上，所述压电层500包括谐振区I以及与谐振区I相邻的第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV，所述第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV相互分立；
第一电极层501，至少谐振区I上的第一电极层501位于所述空腔504内，所述第一电极层501位于所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面；
位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第三非谐振区IV第一侧S1表面、第一电极层501顶部表面和第一电极层501边缘侧壁表面的第一钝化层502；
第二电极层505，所述第二电极层505位于所述压电层500第二侧S2表面，所述第二电极层505位于所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面；
位于第一非谐振区II第二侧S2表面、第三非谐振区IV第二侧S2表面、第二电极层505顶部表面和第二电极层505边缘侧壁表面的第二钝化层506；
位于第一侧S1的第一金属层503，以及位于第二侧S2的第二金属层507，所述第一金属层503与所述第二金属层507电连接，
所述第一金属层503位于谐振区I上和第三非谐振区IV上的第一钝化层502表面，所述第二金属层507位于谐振区I上和第三非谐振区IV上的第二钝化层506表面。
在本实施例中，所述谐振区I的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV分别与所述正六边形的一条边相接。
在本实施例中，所述第二非谐振区III和第三非谐振区IV分别与所述正六边形相对的两边相接，所述第一非谐振区II与第二非谐振区III相邻。
在本实施例中，还包括：位于第三非谐振区IV内、第二钝化层506内和第一钝化层502内的第三通孔（未图示），所述第三通孔暴露出所述第一金属层503表面；位于第三通孔内的第三连接结构，所述第三连接结构电连接所述第一金属层503和第二金属层507。
在本实施例中，所述第三连接结构包括：位于第三通孔侧壁表面和第一金属层503表面的第四导电层509，所述第四导电层509与所述第二金属层507相连接；嵌入所述第三通孔并与所述第四导电层509电连接的第三连接层508。
在本实施例中，所述第四导电层509与第二金属层507同时形成。所述第四导电层509的材料与第二金属层507的材料相同。
在另一实施例中，所述第三连接结构还包括：位于第四导电层和第三连接层之间的第五导电层（未图示）。所述第四导电层的材料与第二电极层同时形成，所述第四导电层的材料与第二电极层的材料相同；所述第五导电层的材料与第二金属层同时形成，所述第五导电层的材料与第二金属层的材料相同。
形成所述第三连接结构、第二电极层505和第二金属层507的过程请参考图9和图10中的内容，在此不再赘述。
在本实施例中，所述第三连接层508的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
所述谐振区I上的第一电极层501、第一钝化层502以及第一金属层503构成第一电容C1，所述谐振区I上的第二电极层505、第二钝化层506以及第二金属层507构成第二电容C2，所述第三连接结构电连接所述第一金属层503和第二金属层507，即在所述谐振区I上并联了第一电容C1和第二电容C2，所述第一电容C1和第二电容C2串联，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
请参考图21，图21是本发明实施例中体声波谐振装置的局部电路示意图，第一电容C1和第二电容C2串联，同时第一电容C1和第二电容C2并联在谐振器S1上。
图13和图14的形成过程请参考图9和图10、图11和图12，在此不再赘述。
图15和图16是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图。
请参考图15和图16，图15为图16第二侧S2的俯视图，图16为图15沿剖面线AOA1方向的剖面结构示意图，所述体声波谐振装置包括：
空腔604；
压电层600，所述压电层600包括沿垂直于压电层600表面方向上相对的第一侧S1和第二侧S2，所述空腔604位于所述压电层600第一侧S1上，所述压电层600包括谐振区I以及与谐振区I相邻的第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV，所述第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV相互分立；
第一电极层601，至少谐振区I上的第一电极层601位于所述空腔604内，所述第一电极层601位于所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面；
位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第三非谐振区IV第一侧S1表面、第一电极层601顶部表面和第一电极层601边缘侧壁表面的第一钝化层602；
第二电极层605，所述第二电极层605位于所述压电层600第二侧S2表面，所述第二电极层605位于所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面；
位于第一非谐振区II第二侧S2表面、第三非谐振区IV第二侧S2表面、第二电极层605顶部表面和第二电极层605边缘侧壁表面的第二钝化层606；
位于第一侧S1的第一金属层603，以及位于第二侧S2的第二金属层607，所述第一金属层603与所述第二金属层607电连接，
所述第一金属层603位于第一非谐振区II上和第三非谐振区IV上的第一钝化层602表面，所述第二金属层607位于谐振区I上和第三非谐振区IV上的第二钝化层606表面。
在本实施例中，所述谐振区I的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV分别与所述正六边形的一条边相接。
在本实施例中，所述第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV分别与所述正六边形连续的三条边相接，所述第一非谐振区II位于第二非谐振区III和第三非谐振区IV之间。
在本实施例中，还包括：位于第三非谐振区IV内、第二钝化层606内和第一钝化层602内的第三通孔（未图示），所述第三通孔暴露出所述第一金属层603表面；位于第三通孔内的第三连接结构，所述第三连接结构电连接所述第一金属层603和第二金属层607。
在本实施例中，所述第三连接结构包括：位于第三通孔侧壁表面和第一金属层603表面的第四导电层609，所述第四导电层609与所述第二金属层607相连接；嵌入所述第三通孔并与所述第四导电层609电连接的第三连接层608。
在本实施例中，所述第四导电层609与第二金属层607同时形成。所述第四导电层609的材料与第二金属层607的材料相同。
在另一实施例中，所述第三连接结构还包括：位于第四导电层和第三连接层之间的第五导电层（未图示）。所述第四导电层的材料与第二电极层同时形成，所述第四导电层的材料与第二电极层的材料相同；所述第五导电层的材料与第二金属层同时形成，所述第五导电层的材料与第二金属层的材料相同。
形成所述第三连接结构、第二电极层605和第二金属层607的过程请参考图9和图10中的内容，在此不再赘述。
在本实施例中，所述第三连接层608的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
所述第一非谐振区II上的第一电极层601、第一钝化层602以及第一金属层603构成第一电容C1，所述谐振区I上的第二电极层605、第二钝化层606以及第二金属层607构成第二电容C2，所述第三连接结构电连接所述第一金属层603和第二金属层607，即在所述谐振区I上并联了第一电容C1和第二电容C2，所述第一电容C1和第二电容C2串联，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
图17和图18是本发明另一实施例中体声波谐振装置形成过程的结构示意图。
请参考图17和图18，图17为图18第二侧S2的俯视图，图18为图17沿剖面线AOA1方向的剖面结构示意图，所述体声波谐振装置包括：
空腔704；
压电层700，所述压电层700包括沿垂直于压电层700表面方向上相对的第一侧S1和第二侧S2，所述空腔704位于所述压电层700第一侧S1上，所述压电层700包括谐振区I以及与谐振区I相邻的第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV，所述第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV相互分立；
第一电极层701，至少谐振区I上的第一电极层701位于所述空腔704内，所述第一电极层701位于所述谐振区I第一侧S1表面和第一非谐振区II第一侧S1表面；
位于第二非谐振区III第一侧S1表面、第三非谐振区IV第一侧S1表面、第一电极层701顶部表面和第一电极层701边缘侧壁表面的第一钝化层702；
第二电极层705，所述第二电极层705位于所述压电层700第二侧S2表面，所述第二电极层705位于所述谐振区I第二侧S2表面和第二非谐振区III第二侧S2表面；
位于第一非谐振区II第二侧S2表面、第三非谐振区IV第二侧S2表面、第二电极层705顶部表面和第二电极层705边缘侧壁表面的第二钝化层706；
位于第一侧S1的第一金属层703，以及位于第二侧S2的第二金属层707，所述第一金属层703与所述第二金属层707电连接，
所述第一金属层703位于第一非谐振区II上和第三非谐振区IV上的第一钝化层702表面，所述第二金属层707位于第二非谐振区III上和第三非谐振区IV上的第二钝化层706表面。
在本实施例中，所述谐振区I的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV分别与所述正六边形的一条边相接。
在本实施例中，所述第一非谐振区II、第二非谐振区III和第三非谐振区IV分别与所述正六边形连续的三条边相接，所述第三非谐振区IV位于第二非谐振区III和第一非谐振区II之间。
在本实施例中，还包括：位于第三非谐振区IV内、第二钝化层706内和第一钝化层702内的第三通孔（未图示），所述第三通孔暴露出所述第一金属层703表面；位于第三通孔内的第三连接结构，所述第三连接结构电连接所述第一金属层703和第二金属层707。
在本实施例中，所述第三连接结构包括：位于第三通孔侧壁表面和第一金属层703表面的第四导电层709，所述第四导电层709与所述第二金属层707相连接；嵌入所述第三通孔并与所述第四导电层709电连接的第三连接层708。
在本实施例中，所述第四导电层709与第二金属层707同时形成。所述第四导电层709的材料与第二金属层707的材料相同。
在另一实施例中，所述第三连接结构还包括：位于第四导电层和第三连接层之间的第五导电层（未图示）。所述第四导电层的材料与第二电极层同时形成，所述第四导电层的材料与第二电极层的材料相同；所述第五导电层的材料与第二金属层同时形成，所述第五导电层的材料与第二金属层的材料相同。
形成所述第三连接结构、第二电极层705和第二金属层707的过程请参考图9和图10中的内容，在此不再赘述。
在本实施例中，所述第三连接层708的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
所述第一谐振区II上的第一电极层701、第一钝化层702以及第一金属层703构成第一电容C1，所述第三谐振区IV上的第二电极层705、第二钝化层706以及第二金属层707构成第二电容C2，所述第三连接结构电连接所述第一金属层703和第二金属层707，即在所述谐振区I上并联了第一电容C1和第二电容C2，所述第一电容C1和第二电容C2串联，能够有效减小所述体声波谐振装置的机电耦合系数，减小了体声波谐振装置谐振频率与反谐振频率之间的带宽，并增加并联谐振点的Q值，所述电容结构连接在体声波谐振装置电路中，使相邻干扰频段不易通过，达到近端带外抑制性增强的效果。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (34)

1.一种体声波滤波装置，其特征在于，包括：
压电层，所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧，所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区和第二非谐振区，所述第一非谐振区和第二非谐振区相互分立；
第一电极层，所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面；
第一钝化层，所述第一钝化层位于第二非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面；
第二电极层，所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面，所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧的部分表面；
第二钝化层，所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面；
位于第一侧的第一金属层，或者，位于第二侧的第二金属层，
所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，所述第一金属层、第一钝化层和第一电极层构成第一电容，所述第一金属层与所述第二电极层电连接，
所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面，所述第二金属层、第二钝化层和第二电极层构成第二电容，所述第二金属层与所述第一电极层电连接。
2.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一金属层位于第一侧时，还包括：位于第二非谐振区内和第一钝化层内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层表面；位于第一通孔内的第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层和第二电极层。
3.如权利要求2所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层表面的第一导电层，所述第一导电层与所述第二电极层相连接；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层电连接的第一连接层。
4.如权利要求3所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一导电层的材料与第二电极层的材料相同。
5.如权利要求3所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一连接层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
6.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二金属层位于第二侧时，还包括：位于第一非谐振区内和第二钝化层内的第二通孔，所述第二通孔底部暴露出所述第一电极层表面；位于第二通孔内的第二连接结构，所述第二连接结构电连接所述第二金属层和第一电极层。
7.如权利要求6所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二连接结构包括：位于第二通孔侧壁表面和第一电极层表面的第二导电层；嵌入所述第二通孔并与所述第二导电层电连接的第二连接层。
8.如权利要求7所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二连接结构还包括：位于第二导电层和第二连接层之间的第三导电层。
9.如权利要求8所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二导电层的材料与第二电极层的材料相同；所述第三导电层的材料与第二金属层的材料相同。
10.如权利要求7所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二连接层的材料包括金属或金属氮化物；所述金属包括：铜、铝、钨、钴、镍、钼、钨、钛、铂和钽中的一种或多种的组合；所述金属氮化物包括氮化钽和氮化钛中的一种或多种的组合。
11.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接时，所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面；所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相邻的两边相接时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面。
12.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一钝化层的厚度小于压电层的厚度；所述第二钝化层的厚度小于压电层的厚度。
13.一种体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，包括：
提供压电层，所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧，所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区和第二非谐振区，所述第一非谐振区和第二非谐振区相互分立；
形成位于压电层第一侧上的第一电极层和第一钝化层，所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面，所述第一钝化层位于第二非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面；
形成位于压电层第二侧上的第二电极层和第二钝化层，所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面，所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧的部分表面，所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面；
形成位于第一侧的第一金属层，或者，形成位于第二侧的第二金属层，
所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，所述第一金属层、第一钝化层和第一电极层构成第一电容，所述第一金属层与所述第二电极层电连接，
所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面，所述第二金属层、第二钝化层和第二电极层构成第二电容，所述第二金属层与所述第一电极层电连接。
14.如权利要求13所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一金属层位于第一侧时，电连接所述第一金属层与所述第二电极层的方法包括：形成位于第二非谐振区内和第一钝化层内的第一通孔，所述第一通孔暴露出所述第一金属层表面；在第一通孔内形成第一连接结构，所述第一连接结构电连接所述第一金属层与所述第二电极层。
15.如权利要求14所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一连接结构包括：位于第一通孔侧壁表面和第一金属层表面的第一导电层，所述第一导电层与所述第二电极层相连接；嵌入所述第一通孔并与所述第一导电层电连接的第一连接层；所述第一导电层与所述第二电极层同步形成。
16.如权利要求13所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二金属层位于第二侧时，电连接所述第二金属层与所述第一电极层的方法包括：形成位于第一非谐振区内和第二钝化层内的第二通孔，所述第二通孔暴露出所述第一电极层表面；在第二通孔内形成第二连接结构，所述第二连接结构电连接所述第二金属层与所述第一电极层。
17.如权利要求16所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二连接结构包括：位于第二通孔侧壁表面和第一电极层表面的第二导电层；嵌入所述第二通孔并与所述第二导电层电连接的第二连接层。
18.如权利要求17所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二连接结构还包括：位于第二导电层和第二连接层之间的第三导电层。
19.如权利要求18所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二导电层与第二电极层同步形成；所述第三导电层与第二金属层同步形成。
20.如权利要求13所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接时，所述第一金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面；所述第一非谐振区和第二非谐振区分别与所述正六边形相邻的两边相接时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第二非谐振区上的第一钝化层表面，或者，所述第二金属层位于谐振区上和第一非谐振区上的第二钝化层表面。
21.一种体声波滤波装置，其特征在于，包括：
压电层，所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧，所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区相互分立；
第一电极层，所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面；
第一钝化层，位于第二非谐振区第一侧表面、第三非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面；
第二电极层，所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面，所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧表面；
第二钝化层，所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第三非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面；
位于第一侧的第一金属层，以及位于第二侧的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层电连接，
所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第二非谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面；
或者，所述第一金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面。
22.如权利要求21所述的体声波滤波装置，其特征在于，还包括：位于第二钝化层内、第三非谐振区内和第一钝化层内的第三通孔，所述第三通孔暴露出第一金属层表面；位于第三通孔内的第三连接结构，所述第三连接结构电连接所述第一金属层和所述第二金属层。
23.如权利要求22所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第三连接结构包括：位于第三通孔侧壁表面和第一金属层表面的第四导电层，所述第四导电层与所述第二金属层相连接；嵌入所述第三通孔并与所述第四导电层电连接的第三连接层。
24.如权利要求23所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第四导电层的材料与第二金属层的材料相同。
25.如权利要求21所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形的一条边相接。
26.如权利要求25所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接，所述第一非谐振区与第二非谐振区相邻时，所述第一金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面。
27.如权利要求25所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形连续的三条边相接，所述第一非谐振区位于第二非谐振区和第三非谐振区之间时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面；所述第三非谐振区位于第二非谐振区和第一非谐振区之间时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于第二非谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面。
28.如权利要求21所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一钝化层的厚度小于压电层的厚度；所述第二钝化层的厚度小于压电层的厚度。
29.一种体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，包括：
提供压电层，所述压电层包括沿垂直于压电层表面方向上相对的第一侧和第二侧，所述压电层包括谐振区以及与谐振区相邻的第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区相互分立；
形成位于压电层第一侧上的第一电极层和第一钝化层，所述第一电极层位于所述谐振区第一侧表面和第一非谐振区第一侧表面，所述第一钝化层位于第二非谐振区第一侧表面、第一电极层顶部表面和第一电极层边缘侧壁表面；
形成位于压电层第二侧上的第二电极层和第二钝化层，所述第二电极层位于所述压电层第二侧表面，所述第二电极层位于所述谐振区第二侧表面和第二非谐振区第二侧表面，所述第二钝化层位于第一非谐振区第二侧表面、第二电极层顶部表面和第二电极层边缘侧壁表面；
形成位于第一侧的第一金属层，以及形成位于第二侧的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层电连接，
所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面，或者，所述第二金属层位于第二非谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面；
或者，所述第一金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面。
30.如权利要求29所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，电连接所述第一金属层与所述第二金属层的方法包括：在第二钝化层内、第三非谐振区内和第一钝化层内形成第三通孔，所述第三通孔暴露出第一金属层表面；在第三通孔内形成第三连接结构，所述第三连接结构电连接所述第一金属层和所述第二金属层。
31.如权利要求30所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第三连接结构包括：位于第三通孔侧壁表面和第一金属层表面的第四导电层，所述第四导电层与所述第二金属层相连接；嵌入所述第三通孔并与所述第四导电层电连接的第三连接层；所述第四导电层与所述第二金属层同时形成。
32.如权利要求29所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述谐振区的投影图形为正六边形，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形的一条边相接。
33.如权利要求32所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形相对的两边相接，所述第一非谐振区与第二非谐振区相邻时，所述第一金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第二非谐振区上的第二钝化层表面。
34.如权利要求33所述的体声波滤波装置的形成方法，其特征在于，所述第一非谐振区、第二非谐振区和第三非谐振区分别与所述正六边形连续的三条边相接，所述第一非谐振区位于第二非谐振区和第三非谐振区之间时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面；所述第三非谐振区位于第二非谐振区和第一非谐振区之间时，所述第一金属层位于第一非谐振区上和第三非谐振区上的第一钝化层表面，所述第二金属层位于第二非谐振区上和第三非谐振区上的第二钝化层表面。
CN202311667199.9A 2023-12-07 2023-12-07 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法 Active CN117375568B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311667199.9A CN117375568B (zh) 2023-12-07 2023-12-07 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311667199.9A CN117375568B (zh) 2023-12-07 2023-12-07 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117375568A CN117375568A (zh) 2024-01-09
CN117375568B true CN117375568B (zh) 2024-03-12

Family

ID=89402639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311667199.9A Active CN117375568B (zh) 2023-12-07 2023-12-07 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117375568B (zh)

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108512520A (zh) * 2018-02-27 2018-09-07 贵州中科汉天下微电子有限公司 体声波谐振器与电容器的单片集成结构及其制造方法、滤波器、双工器以及射频通信模块
CN109687835A (zh) * 2018-12-18 2019-04-26 开元通信技术（厦门）有限公司 薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器
CN112003581A (zh) * 2020-08-18 2020-11-27 武汉衍熙微器件有限公司 体声波谐振器
WO2021077711A1 (zh) * 2019-10-23 2021-04-29 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
CN114204913A (zh) * 2022-02-16 2022-03-18 常州承芯半导体有限公司 体声波滤波装置及其形成方法、射频前端、通信装置
CN114257194A (zh) * 2020-09-21 2022-03-29 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器
CN114421914A (zh) * 2021-09-08 2022-04-29 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置
CN216531264U (zh) * 2021-12-10 2022-05-13 武汉敏声新技术有限公司 薄膜体声波谐振器及滤波器
EP4080764A1 (en) * 2019-12-16 2022-10-26 Rofs Microsystem (Tianjin) Co., Ltd Bulk acoustic resonator having electrode having gap layer and temperature compensation layer, filter, and electronic apparatus
WO2022227928A1 (zh) * 2021-04-27 2022-11-03 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶压电体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
CN115694412A (zh) * 2022-12-30 2023-02-03 成都频岢微电子有限公司 一种集成电容体声波谐振器、滤波器及制造方法
CN116488608A (zh) * 2023-05-25 2023-07-25 浙江星曜半导体有限公司 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法、滤波器
CN116996038A (zh) * 2022-04-25 2023-11-03 锐石创芯(重庆)科技有限公司 滤波器、多工器及射频前端模组
CN117134736A (zh) * 2023-10-26 2023-11-28 深圳新声半导体有限公司 一种集成电容的体声波谐振器及其制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7728485B2 (en) * 2008-05-30 2010-06-01 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave device and a method of its manufacturing
CN113810009B (zh) * 2021-09-22 2023-03-24 武汉敏声新技术有限公司 薄膜体声波谐振器及其制备方法、薄膜体声波滤波器
US11463070B2 (en) * 2022-01-18 2022-10-04 Shenzhen Newsonic Technologies Co., Ltd. FBAR structure and manufacturing method of same

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108512520A (zh) * 2018-02-27 2018-09-07 贵州中科汉天下微电子有限公司 体声波谐振器与电容器的单片集成结构及其制造方法、滤波器、双工器以及射频通信模块
CN109687835A (zh) * 2018-12-18 2019-04-26 开元通信技术（厦门）有限公司 薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器
WO2021077711A1 (zh) * 2019-10-23 2021-04-29 诺思(天津)微系统有限责任公司 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备
EP4080764A1 (en) * 2019-12-16 2022-10-26 Rofs Microsystem (Tianjin) Co., Ltd Bulk acoustic resonator having electrode having gap layer and temperature compensation layer, filter, and electronic apparatus
CN112003581A (zh) * 2020-08-18 2020-11-27 武汉衍熙微器件有限公司 体声波谐振器
CN114257194A (zh) * 2020-09-21 2022-03-29 中芯集成电路（宁波）有限公司上海分公司 薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器
WO2022227928A1 (zh) * 2021-04-27 2022-11-03 诺思(天津)微系统有限责任公司 单晶压电体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备
CN114421914A (zh) * 2021-09-08 2022-04-29 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置
CN216531264U (zh) * 2021-12-10 2022-05-13 武汉敏声新技术有限公司 薄膜体声波谐振器及滤波器
CN114204913A (zh) * 2022-02-16 2022-03-18 常州承芯半导体有限公司 体声波滤波装置及其形成方法、射频前端、通信装置
CN116996038A (zh) * 2022-04-25 2023-11-03 锐石创芯(重庆)科技有限公司 滤波器、多工器及射频前端模组
CN115694412A (zh) * 2022-12-30 2023-02-03 成都频岢微电子有限公司 一种集成电容体声波谐振器、滤波器及制造方法
CN116488608A (zh) * 2023-05-25 2023-07-25 浙江星曜半导体有限公司 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法、滤波器
CN117134736A (zh) * 2023-10-26 2023-11-28 深圳新声半导体有限公司 一种集成电容的体声波谐振器及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A DC Voltage Dependent Switchable Acoustically Coupled BAW Filter Based on BST-on-Silicon Composite Structure;Seyit Ahmet Sis等;《2012 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium Digest》;1-3 *
FBAR滤波器的设计与综合研究;曾卓恒;《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》(第01（2015）期);I135-1019 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN117375568A (zh) 2024-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102301590B (zh) 薄膜压电谐振器以及使用它的薄膜压电滤波器
KR100841166B1 (ko) 압전 박막 공진기 및 필터
CN104660211B (zh) 声波滤波器和双工器
US9595939B2 (en) Reactance filter having a steep edge
US20170155373A1 (en) Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers
WO2021143520A1 (zh) 一种滤波器、双工器、高频前端电路及通信装置
EP2003775A2 (en) Piezoelectric resonator and piezoelectric filter
US20050269904A1 (en) Thin film bulk acoustic resonator and method of manufacturing the same
JP2004158970A (ja) 薄膜圧電共振器を用いた帯域フィルタ
US20040130410A1 (en) Filter using film bulk acoustic resonator and transmission/reception switch
CN103560763A (zh) 片上集成型体波谐振器及其制造方法
JP2006345170A (ja) 薄膜圧電共振器
CN113541636B (zh) 一种声波谐振器及其制备方法
CN115037274B (zh) 声表面波谐振装置及其形成方法
WO2021203761A1 (zh) 滤波器和多工器以及通信设备
EP4372987A1 (en) Bulk acoustic wave resonator device and method for forming same, filtering device, and radio frequency front end device
US20240291460A1 (en) Bulk acoustic wave resonance device and method for forming same, filtering device, and radio frequency front end device
CN114421914A (zh) 体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置
CN110572138A (zh) 一种滤波装置及其制作方法
CN115694412A (zh) 一种集成电容体声波谐振器、滤波器及制造方法
CN114124021A (zh) 一种弹性波谐振器及多通带滤波器
CN117375568B (zh) 体声波谐振装置及体声波谐振装置的形成方法
CN111342806B (zh) 具有兰姆波谐振器的压电滤波器、双工器和电子设备
CN210273998U (zh) 一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件
CN113381722A (zh) 一种抑制能量泄露和寄生的高q值薄膜体声波谐振器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant