CN114421914A - 体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置 - Google Patents

Abstract

一种体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中形成方法包括：形成压电层，压电层包括第一侧和第二侧；在第一侧形成第一电极层；在第一侧形成第一层；在第二侧形成第二电极层；形成至少一个边缘结构，位于第一电极层和第二电极层重合部水平方向上的边缘；形成至少一个频移层；在第一侧形成空腔，空腔位于第一层与压电层之间，嵌入第一层，压电层覆盖空腔，第一电极层的至少一端位于空腔内。通过在体声波谐振装置引入频移介质，位于谐振区边缘部内，位于边缘结构与压电层之间，加厚边缘结构与压电层之间介质厚度，从而降低寄生谐振频率，实现把寄生谐振移出滤波装置的通带区。

Description

体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置

本申请要求2021年9月8日提交中国专利局、申请号为2021110527957、发明名称为“体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，本发明涉及一种体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(SurfaceAcoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated PassiveDevices，IPD)滤波器等。

SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz至2.7GHz，BAW滤波器的使用频率一般为0.7GHz至7GHz。

与SAW谐振器相比，BAW谐振器的性能更好，但是由于工艺步骤复杂，BAW谐振器的制造成本比SAW谐振器高。然而，当无线通信技术逐步演进，所使用的频段越来越多，同时随着载波聚合等频段叠加使用技术的应用，无线频段之间的相互干扰变得愈发严重。高性能的BAW技术可以解决频段间的相互干扰问题。随着5G时代的到来，无线移动网络引入了更高的通信频段，当前只有BAW技术可以解决高频段的滤波问题。

图1示出了一种BAW滤波器电路100，包括由多个BAW谐振器组成的梯形电路，其中，f1、f2、f3、f4分别表示4种不同的频率。每个BAW谐振器内，谐振器压电层两侧的金属电极产生交替正负电压，压电层通过交替正负电压产生声波，该谐振器内的声波沿垂直于压电层的方向传播。为了形成谐振，声波需要在上金属电极的上表面和下金属电极的下表面产生全反射，形成驻声波。声波反射的条件是与上金属电极的上表面和下金属电极的下表面接触区域的声阻抗与金属电极的声阻抗有较大差别。

薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic wave Resonator，FBAR)是一种可以把声波能量局限在器件内的BAW谐振器，该谐振器的谐振区上方是空气或真空，下方存在一个空腔。空气和真空的声阻抗与金属电极的声阻抗差别较大，声波可以在上金属电极的上表面和下金属电极的下表面全反射，形成驻波。

图2示出了一种FBAR 200的结构示意图。所述FBAR 200包括：基底201，所述基底201包括空腔202；电极层203(即，下电极层)，位于所述基底201及所述空腔202上，覆盖所述空腔202；压电层204，位于所述基底201上，覆盖所述电极层203，所述压电层204包括凸起部204a，位于所述电极层203上方；电极层205(即，上电极层)，位于所述压电层204上，所述电极层205包括凸起部205a，位于所述凸起部204a上；以及边缘结构206，位于所述电极层205上，位于谐振区边缘部207中，用于提升所述边缘部207的声阻抗。需要说明的是，声波在谐振区内存在两种传播模态：纵向模态(longitudinal mode)和横向模态(transversemode)，其中，纵向模态下声波沿着压电层厚度的方向传播，声波在横向模态下沿着垂直于纵向模态传播方向传播。横向模态下，因为所述边缘部207的声阻抗大于谐振区中间部208的声阻抗，所述边缘部207的声阻抗大于非谐振区(即，所述边缘部207和所述中间部208以外的区域)的声阻抗，所以声波在所述边缘部207处反射，留在谐振区内，从而提高Q值。然而，引入所述边缘结构206会在所述边缘部207内产生寄生谐振(spurious resonance)，该寄生谐振出现在滤波器的通带区会提高滤波器的插入损耗(insertion loss)，降低滤波器的性能。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种体声波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置，可以降低寄生谐振的频率，从而实现把寄生谐振移出滤波装置的通带区。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种体声波谐振装置，包括：第一层，所述第一层包括空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内；压电层，位于所述第一电极层上，覆盖所述空腔，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧；第二电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上；至少一个边缘结构，位于所述第一电极层和所述第二电极层的重合部的边缘；以及至少一个频移层，位于至少一个所述边缘结构与所述压电层之间。

需要说明的是，谐振区边缘部内，位于边缘结构与压电层之间的频移介质用于加厚所述边缘结构与所述压电层之间的介质厚度，从而可以降低寄生谐振的频率，实现把寄生谐振移出滤波装置的通带区。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构包括第一边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上方，所述第一边缘结构包括第一围边部，所述第二电极层位于所述第一围边部内侧，所述第一围边部与所述第一电极层重合，其中，所述第二电极层上与所述第一电极层的重合部即第二电极层。在一些实施例中，所述第一围边部呈环状。

在一些实施例中，至少一个所述频移层包括第一频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构包括第二边缘结构，位于所述第一侧，所述压电层还位于所述第二边缘结构上方，所述第二边缘结构包括第二围边部，所述第二围边部位于所述空腔内，所述第一电极层位于所述第二围边部内侧，所述第二围边部与所述第二电极层重合，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层的重合部即第一电极层。在一些实施例中，所述第二围边部呈环状。

在一些实施例中，至少一个所述频移层包括第二频移层，位于所述第一侧，位于所述第二边缘结构上，所述压电层还位于所述第二频移层上，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构包括第三边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上方，所述第三边缘结构包括第三围边部，所述第三围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部的部分边缘。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构还包括第四边缘结构，位于所述第一侧，所述压电层还位于所述第四边缘结构上方，所述第四边缘结构包括第四围边部，所述第四围边部位于所述空腔内，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部的部分边缘。

在一些实施例中，至少一个所述频移层包括第三频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

在一些实施例中，至少一个所述频移层包括第四频移层，位于所述第一侧，位于所述第四边缘结构上，所述压电层还位于所述第四频移层上，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

在一些实施例中，所述第三围边部和所述第四围边部部分重合，形成环状围边。

在一些实施例中，所述第一层包括：中间层，所述中间层包括所述空腔，其中，所述中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

本发明实施例还提供一种体声波谐振装置的形成方法，包括：形成压电层，所述压电层包括第一侧及所述第一侧垂直方向上相对的第二侧；形成第一电极层，位于所述第一侧；形成第一层，位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一层与所述压电层之间，且嵌入所述第一层；形成第二电极层，位于所述第二侧；形成至少一个边缘结构，位于所述第一电极层和所述第二电极层重合部水平方向上的边缘；形成至少一个频移层，所述频移层位于至少一个所述边缘结构与所述压电层之间，用于降低引入至少一个所述边缘结构产生的寄生谐振的谐振频率；以及形成空腔，位于所述第一侧，所述空腔位于所述第一层与所述压电层之间，嵌入所述第一层，所述压电层覆盖所述空腔，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构关于所述压电层在垂直方向上呈非对称结构。

在一些实施例中，形成所述第一层包括：在所述压电层的第一侧上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分所述第一电极层，且所述牺牲层覆盖所述第一电极层的至少一端；在所述压电层的第一侧上形成第一键合层，所述第一键合层包覆所述牺牲层以及所述第一电极层；提供基底；在所述基底的一侧上形成第二键合层；键合所述第一键合层和所述第二键合层形成中间层，所述基底位于所述第一侧，所述中间层位于所述基底与所述压电层之间。

在一些实施例中，还包括：提供过渡衬底；基于所述过渡衬底形成所述压电层，所述过渡衬底位于所述第二侧。

在一些实施例中，还包括：形成所述第一层后，去除所述过渡衬底；去除所述过渡衬底后，形成所述第二电极层。

在一些实施例中，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第一边缘结构，位于所述第二侧，其中，形成所述第一边缘结构包括形成第一围边部，所述第二电极层位于所述第一围边部内侧，所述第一围边部与所述第一电极层重合，其中，所述第二电极层上与所述第一电极层的重合部即第二电极层。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第一频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，接触所述压电层，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第一填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第一填充层，形成第一频移层，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。

在一些实施例中，形成所述空腔包括：去除所述牺牲层，其中，去除所述牺牲层包括：湿法刻蚀所述牺牲层。

在一些实施例中，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第二边缘结构，位于所述第一侧，其中，形成所述第二边缘结构包括形成第二围边部，所述第一电极层位于所述第二围边部内侧，所述第二围边部与所述第二电极层重合，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层的重合部即第一电极层。

在一些实施例中，所述牺牲层覆盖所述第二围边部；所述中间层覆盖所述第二边缘结构。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第二频移层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第二边缘结构之间，接触所述压电层，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第二填充层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第二边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第二填充层，形成第二频移层，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第三边缘结构，位于所述第二侧，其中，形成所述第三边缘结构包括形成第三围边部，所述第三围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部的部分边缘。

在一些实施例中，形成至少一个所述边缘结构还包括：形成第四边缘结构，位于所述第一侧，其中，形成所述第四边缘结构包括形成第四围边部，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部的部分边缘。

在一些实施例中，所述牺牲层覆盖所述第四围边部；所述中间层覆盖所述第四边缘结构。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第三频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，接触所述压电层，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第三填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第三填充层，形成第三频移层，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第四频移层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第四边缘结构之间，接触所述压电层，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第四填充层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第四边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第四填充层，形成第四频移层，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

本发明实施例还提供一种滤波装置，包括但不限于：至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：功率放大装置与至少一个上述实施例提供的滤波装置；所述功率放大装置与所述滤波装置连接。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：低噪声放大装置与至少一个上述实施例提供的滤波装置；所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：多工装置，所述多工装置包括至少一个上述实施例提供的滤波装置。

附图说明

图1是一种BAW滤波器电路100的结构示意图；

图2是一种FBAR 200的结构示意图；

图3至图6是本发明实施例的一种体声波谐振装置300的形成方法各步骤结构示意图；

图7是本发明实施例的一种体声波谐振装置300的性能示意图；

图8是一种六方晶系晶粒的结构示意图；

图9(i)是一种正交晶系晶粒的结构示意图；

图9(ii)是一种四方晶系晶粒的结构示意图；

图9(iii)是一种立方晶系晶粒的结构示意图；

图10至图13是本发明实施例的一种体声波谐振装置400的形成方法各步骤结构示意图；

图14至图18是本发明实施例的一种体声波谐振装置500的形成方法各步骤结构示意图；

图19至图21是本发明实施例的一种体声波谐振装置600的形成方法各步骤结构示意图；

图22是一种无线通信装置700的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

如背景技术部分所述，在BAW谐振器的谐振区边缘部中引入边缘结构会在所述边缘部内产生寄生谐振，该寄生谐振出现在滤波装置的通带区会提高滤波装置的插入损耗，降低滤波装置的性能。

本发明的发明人发现在BAW谐振装置中引入频移介质，位于谐振区边缘部内，位于边缘结构与压电层之间，加厚所述边缘结构与所述压电层之间的介质厚度，可以降低寄生谐振的频率，从而实现把寄生谐振移出滤波装置的通带区。

本发明实施例提供一种体声波谐振装置，包括：第一层，所述第一层包括空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内；压电层，位于所述第一电极层上，覆盖所述空腔，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧；第二电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上；至少一个边缘结构，位于所述第一电极层和所述第二电极层的重合部的边缘；以及至少一个频移层，位于至少一个所述边缘结构与所述压电层之间。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构包括第一边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上方，所述第一边缘结构包括第一围边部，所述第二电极层位于所述第一围边部内侧，所述第一围边部与所述第一电极层重合，其中，所述第二电极层上与所述第一电极层的重合部即第二电极层。在一些实施例中，所述第一围边部呈环状。

在一些实施例中，至少一个所述频移层包括第一频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构包括第二边缘结构，位于所述第一侧，所述压电层还位于所述第二边缘结构上方，所述第二边缘结构包括第二围边部，所述第二围边部位于所述空腔内，所述第一电极层位于所述第二围边部内侧，所述第二围边部与所述第二电极层重合，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层的重合部即第一电极层。在一些实施例中，所述第二围边部呈环状。

在一些实施例中，至少一个所述频移层包括第二频移层，位于所述第一侧，位于所述第二边缘结构上，所述压电层还位于所述第二频移层上，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构包括第三边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上方，所述第三边缘结构包括第三围边部，所述第三围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部的部分边缘。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构还包括第四边缘结构，位于所述第一侧，所述压电层还位于所述第四边缘结构上方，所述第四边缘结构包括第四围边部，所述第四围边部位于所述空腔内，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部的部分边缘。

在一些实施例中，至少一个所述频移层包括第三频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

在一些实施例中，至少一个所述频移层包括第四频移层，位于所述第一侧，位于所述第四边缘结构上，所述压电层还位于所述第四频移层上，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

在一些实施例中，所述第三围边部和所述第四围边部部分重合，形成环状围边。

在一些实施例中，所述第一层包括：中间层，所述中间层包括所述空腔，其中，所述中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

本发明实施例还提供一种体声波谐振装置的形成方法，包括：形成压电层，所述压电层包括第一侧及所述第一侧垂直方向上相对的第二侧；形成第一电极层，位于所述第一侧；形成第一层，位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一层与所述压电层之间，且嵌入所述第一层；形成第二电极层，位于所述第二侧；形成至少一个边缘结构，位于所述第一电极层和所述第二电极层重合部水平方向上的边缘；形成至少一个频移层，所述频移层位于至少一个所述边缘结构与所述压电层之间，用于降低引入至少一个所述边缘结构产生的寄生谐振的谐振频率；以及形成空腔，位于所述第一侧，所述空腔位于所述第一层与所述压电层之间，嵌入所述第一层，所述压电层覆盖所述空腔，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内。

在一些实施例中，至少一个所述边缘结构关于所述压电层在垂直方向上呈非对称结构。

在一些实施例中，形成所述第一层包括：在所述压电层的第一侧上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分所述第一电极层，且所述牺牲层覆盖所述第一电极层的至少一端；在所述压电层的第一侧上形成第一键合层，所述第一键合层包覆所述牺牲层以及所述第一电极层；提供基底；在所述基底的一侧上形成第二键合层；键合所述第一键合层和所述第二键合层形成中间层，所述基底位于所述第一侧，所述中间层位于所述基底与所述压电层之间。

在一些实施例中，还包括：提供过渡衬底；基于所述过渡衬底形成所述压电层，所述过渡衬底位于所述第二侧。

在一些实施例中，还包括：形成所述第一层后，去除所述过渡衬底；去除所述过渡衬底后，形成所述第二电极层。

在一些实施例中，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第一边缘结构，位于所述第二侧，其中，形成所述第一边缘结构包括形成第一围边部，所述第二电极层位于所述第一围边部内侧，所述第一围边部与所述第一电极层重合，其中，所述第二电极层上与所述第一电极层的重合部即第二电极层。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第一频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，接触所述压电层，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第一填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第一填充层，形成第一频移层，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。在一些实施例中，形成所述空腔包括：去除所述牺牲层，其中，去除所述牺牲层包括：湿法刻蚀所述牺牲层。

在一些实施例中，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第二边缘结构，位于所述第一侧，其中，形成所述第二边缘结构包括形成第二围边部，所述第一电极层位于所述第二围边部内侧，所述第二围边部与所述第二电极层重合，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层的重合部即第一电极层。

在一些实施例中，所述牺牲层覆盖所述第二围边部；所述中间层覆盖所述第二边缘结构。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第二频移层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第二边缘结构之间，接触所述压电层，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第二填充层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第二边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第二填充层，形成第二频移层，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第三边缘结构，位于所述第二侧，其中，形成所述第三边缘结构包括形成第三围边部，所述第三围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部的部分边缘。

在一些实施例中，形成至少一个所述边缘结构还包括：形成第四边缘结构，位于所述第一侧，其中，形成所述第四边缘结构包括形成第四围边部，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部的部分边缘。

在一些实施例中，所述牺牲层覆盖所述第四围边部；所述中间层覆盖所述第四边缘结构。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第三频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，接触所述压电层，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第三填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第三填充层，形成第三频移层，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第四频移层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第四边缘结构之间，接触所述压电层，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

在一些实施例中，形成至少一个所述频移层包括：形成第四填充层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第四边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第四填充层，形成第四频移层，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

本发明实施例还提供一种滤波装置，包括但不限于：至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：功率放大装置与至少一个上述实施例提供的滤波装置；所述功率放大装置与所述滤波装置连接。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：低噪声放大装置与至少一个上述实施例提供的滤波装置；所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。

本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：多工装置，所述多工装置包括至少一个上述实施例提供的滤波装置。

图3至图21示出了本发明的多个具体实施例，所述多个具体实施例形成不同结构的谐振装置，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

图3至图6是本发明实施例的一种体声波谐振装置300的形成方法各步骤结构示意图。

如图3所示，提供过渡衬底311；在所述过渡衬底311一侧形成压电层306，所述压电层306包括第一侧306a及与所述第一侧306a垂直方向上相对的第二侧306b；在所述压电层306的第一侧306a上形成第一电极层305；在所述压电层306的第一侧306a上形成牺牲层312，所述牺牲层312覆盖部分所述第一电极层305，且所述牺牲层312覆盖所述第一电极层305的一端。

如图4所示，在所述压电层306的第一侧306a上形成第一键合层(未标示)，所述第一键合层包覆所述牺牲层312以及所述第一电极层305；提供基底301；在所述基底301一侧形成第二键合层(未标示)；将所述第一键合层和所述第二键合层进行键合，使得所述第一键合层和所述第二键合层形成中间层302。

如图5和图6所示，图6是图5的剖面A结构示意图，在键合之后，去除所述过渡衬底311；在去除所述过渡衬底311之后，在所述压电层306的第二侧306b形成第二电极层307；在所述压电层306的第二侧306b形成频移层309，接触所述压电层306，所述频移层309位于所述第二电极层307外侧；在所述频移层309一侧形成边缘结构308，所述频移层309位于所述压电层306与所述边缘结构308之间；在形成所述边缘结构308之后，去除所述牺牲层312，在所述中间层302内形成空腔303，所述第一电极层305的一端位于所述空腔303内。

本实施例中，所述边缘结构308包括：围边部308a，所述第二电极层307位于所述围边部308a中间(即内侧，朝向所述谐振装置300中轴线的一侧)，所述围边部308a与所述第一电极层305重合。

由图6可见，所述频移层309加厚所述第一电极层305和所述围边部308a之间的介质厚度，从而可以降低谐振区边缘部310内的寄生谐振的频率，从而实现将寄生谐振移出滤波装置的通带区。为了更直观地理解该有益效果，请参见图7，导纳(admittance)曲线311表示无频移层的BAW谐振装置的归一化导纳值，所述导纳曲线311包括寄生谐振312，导纳曲线313表示包括频移层的BAW谐振装置的归一化导纳值，所述导纳曲线313包括频率降低的寄生谐振314。需要说明的是，图7仅是示意性的，用于更直观地理解本发明实施例的有益效果，但并不等同本发明实施例的BAW谐振装置的实际性能。

本实施例中，所述基底301的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓、陶瓷。

本实施例中，所述中间层302的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述第一电极层305的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述压电层306为平层，还覆盖所述中间层302的上表面侧。本实施例中，所述压电层306的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述压电层306包括多个晶粒，多个所述晶粒包括第一晶粒和第二晶粒，其中，所述第一晶粒和所述第二晶粒是多个所述晶粒中的任意两个晶粒。所属技术领域的技术人员知晓晶粒的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图8所示，对于六方晶系的晶粒，例如氮化铝晶粒，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图9所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶粒，其中，a为晶系的宽，b为晶系的高，c为晶系的长，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶粒还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。

本实施例中，所述第一晶粒可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶粒可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶粒的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶粒的高。

本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。

本实施例中，所述压电层306包括多个晶粒，多个所述晶粒形成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。

需要说明的是，在平面上形成所述压电层306可以使所述压电层306不包括明显转向的晶粒，从而可以提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。

本实施例中，所述第二电极层307的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述第一电极层305上与所述第二电极层307重合的部分位于所述空腔303内；所述电极307上与所述电极305重合的部分位于所述空腔303上方。

本实施例中，所述边缘结构308的材料包括金属。本实施例中，所述边缘结构308的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述边缘结构308的材料和所述第二电极层307的材料相同。在另一个实施例中，压电层上的边缘结构的材料和上电极层的材料可以不同。

本实施例中，所述边缘结构308的厚度大于所述第二电极层307的厚度。在另一个实施例中，压电层上的边缘结构的厚度小于上电极层的厚度。在另一个实施例中，压电层上的边缘结构的厚度等于上电极层的厚度。

本实施例中，所述围边部308a的内侧为直面。在另一个实施例中，围边部的内侧可以为坡面。

本实施例中，所述频移层309的介质包括非金属材料。本实施例中，所述频移层309的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，压电层上的频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，压电层上的频移层的介质可以为空气，即空气层。

在另一个实施例中，当所述频移层的介质为真空或空气时，所述频移层的形成方法包括：形成填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述填充层，形成所述频移层，所述频移层与所述边缘结构重合。

请继续参考图5，本实施例中，所述围边部308a呈环状。本实施例中，所述围边部308a呈八边形。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的其他形状的围边部，例如六边形、五边形等，也可以应用于本发明实施例。

本实施例中，去除所述牺牲层312包括：湿法刻蚀所述牺牲层312。

图10至图13是本发明实施例的一种体声波谐振装置400的形成方法各步骤结构示意图。

如图10所示，提供过渡衬底411；在所述过渡衬底411一侧形成压电层408，所述压电层408包括第一侧408a及与所述第一侧408a垂直方向上相对的第二侧408b；在所述压电层408的第一侧408a上形成第一电极层405；在所述压电层408的第一侧408a形成频移层407，所述频移层407位于所述第一电极层405外侧；在所述频移层407一侧形成边缘结构406，所述频移层407位于所述压电层408与所述边缘结构406之间；在所述压电层408的第一侧408a形成牺牲层412，所述牺牲层412覆盖所述第一电极层405、部分所述频移层407以及部分所述边缘结构406。

如图11所示，在所述压电层408的第一侧408a形成第一键合层(未标示)，所述第一键合层包覆所述牺牲层412、所述频移层407以及所述边缘结构406；提供基底401；在所述基底401一侧形成第二键合层(未标示)；将所述第一键合层和所述第二键合层进行键合，使得所述第一键合层和所述第二键合层形成中间层402。

如图12和图13所示，图13是图12的剖面A结构示意图，在键合之后，去除所述过渡衬底411；在去除所述过渡衬底411之后，在所述压电层408的第二侧408b形成第二电极层409；在形成所述第二电极层409之后，去除所述牺牲层412，在所述中间层402内形成空腔403，所述第一电极层405位于所述空腔403内。

本实施例中，所述形成边缘结构406包括：形成围边部406a，所述第一电极层405位于所述围边部406a中间(即内侧，朝向所述谐振装置400中轴线的一侧)，及形成延伸部406b，所述延伸部406b的一端连接所述围边部406a。

本实施例中，所述牺牲层412覆盖所述围边部406a及部分所述延伸部406b。

由图12所见，所述频移层407加厚所述第二电极层409和所述围边部406a之间的介质厚度，从而可以降低谐振区边缘部410内的寄生谐振的频率，从而实现将寄生谐振移出滤波装置的通带区。

本实施例中，所述频移层407的介质包括非金属材料。本实施例中，所述频移层407的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，压电层上的频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，压电层上的频移层的介质可以为空气，即空气层。

在另一个实施例中，当所述频移层的介质为真空或空气时，所述频移层的形成方法包括：形成填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述填充层，形成所述频移层，所述频移层与所述边缘结构重合。

本实施例中，去除所述牺牲层412包括：湿法刻蚀所述牺牲层412。本实施例中，所述围边部406a位于所述空腔403内。

图14至图18是本发明实施例的一种体声波谐振装置500的形成方法各步骤结构示意图。

如图14所示，提供过渡衬底514；在所述过渡衬底514一侧形成压电层508，所述压电层508包括第一侧508a及与所述第一侧508a垂直方向上相对的第二侧508b；在所述压电层508的第一侧508a上形成第一电极层505；在所述压电层508的第一侧508a形成第一频移层507，所述第一频移层507位于所述第一电极层505部分边缘外侧；在所述第一频移层507一侧形成第一边缘结构506，所述第一频移层507位于所述压电层508与所述第一边缘结构506之间；在所述压电层508的第一侧508a形成牺牲层515，所述牺牲层515覆盖所述第一电极层505、部分所述第一频移层507以及部分所述第一边缘结构506。

如图15所示，在所述压电层508的第一侧508a形成第一键合层(未标示)，所述第一键合层包覆所述牺牲层515、所述第一频移层507以及所述第一边缘结构506；提供基底501；在所述基底501一侧形成第二键合层(未标示)；将所述第一键合层和所述第二键合层进行键合，使得所述第一键合层和所述第二键合层形成中间层502。

如图16至图18所示，图17是图16的剖面A结构示意图，图18是图16的剖面B结构示意图，在键合之后，去除所述过渡衬底514；在去除所述过渡衬底514之后，在所述压电层508的第二侧508b形成第二电极层509；在所述压电层508的第二侧508a形成第二频移层511，所述第二频移层511位于所述第二电极层509部分边缘外侧；在所述第二频移层511一侧形成所述第二边缘结构510，所述第二频移层511位于所述压电层508与所述第二边缘结构510之间；在形成所述第二边缘结构510之后，去除所述牺牲层515，在所述中间层502内形成空腔503，所述第一电极层505位于所述空腔503内。

本实施例中，形成所述第一边缘结构506包括：形成第一围边部506a，位于所述第一电极层505的部分边缘旁，所述第一电极层505位于所述第一围边部506a内侧(即，朝向所述谐振装置500中轴线的一侧)，及形成第一延伸部506b，所述第一延伸部506b的一端连接所述第一围边部506a。

本实施例中，所述牺牲层515覆盖所述第一围边部506a及部分所述第一延伸部506b。

本实施例中，形成所述第二边缘结构510包括：形成第二围边部510a，位于所述第二电极层509的部分边缘旁，所述第二电极层509位于所述第二围边部510a内侧；所述第一围边部506a与所述第二围边部510a具有重合部513，形成谐振区的围边，阻隔横向波泄漏。

由图17所见，所述第一频移层507加厚所述第二电极层509和所述第一围边部506a之间的介质厚度，所述第二频移层511加厚所述第一电极层505和所述第二围边部510a之间的介质厚度，从而可以降低谐振区边缘部512内的寄生谐振的频率，从而实现将寄生谐振移出滤波装置的通带区。

本实施例中，所述第一频移层507和所述第二频移层511的介质包括非金属材料。本实施例中，所述第一频移层507和所述第二频移层511的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，所述第一频移层和所述第二频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，所述第一频移层和所述第二频移层的介质可以为空气，即空气层。

在另一个实施例中，当所述第一频移层和所述第二频移层的介质为真空或空气时，所述第一频移层和所述第二频移层的形成方法包括：形成第一填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第一填充层，形成第一频移层，所述第一频移层与所述第三边缘结构重合；形成第二填充层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第二边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第二填充层，形成第二频移层，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

本实施例中，去除所述牺牲层515包括：湿法刻蚀所述牺牲层515。本实施例中，所述第一围边部506a位于所述空腔503内。

图19至图21是本发明实施例的一种体声波谐振装置600的形成方法各步骤结构示意图。

如图19所示，提供过渡衬底613；在所述过渡衬底613一侧形成压电层608，所述压电层608包括第一侧608a及与所述第一侧608a垂直方向上相对的第二侧608b；在所述压电层608的第一侧608a上形成第一电极层605；在所述压电层608的第一侧608a形成第一频移层607，所述第一频移层607位于所述第一电极层605外侧；在所述第一频移层607一侧形成第一边缘结构606，所述第一频移层607位于所述压电层608与所述第一边缘结构606之间；在所述压电层608的第一侧608a形成牺牲层614，所述牺牲层614覆盖所述第一电极层605、部分所述第一频移层607以及部分所述第一边缘结构606。

如图20所示，在所述压电层608的第一侧608a形成第一键合层(未标示)，所述第一键合层包覆所述牺牲层614、所述第一频移层607以及所述第一边缘结构606；在所述基底601一侧形成第二键合层(未标示)；将所述第一键合层和所述第二键合层进行键合，使得所述第一键合层和所述第二键合层形成中间层602。

如图21所示，在键合之后，去除所述过渡衬底613；在去除所述过渡衬底613之后，在所述压电层608的第二侧608b形成第二电极层609；在所述压电层608的第二侧608b形成第二频移层611，接触所述压电层608，所述第二频移层611位于所述第二电极层609外侧；在所述第二频移层611一侧形成第二边缘结构610，所述第二频移层609位于所述压电层608与所述第二边缘结构610之间；在形成所述第二边缘结构610之后，去除所述牺牲层614，在所述中间层602内形成空腔603，所述第一电极层605的一端位于所述空腔603内。

本实施例中，所述第一边缘结构606包括：第一围边部606a，所述第一围边部606a位于所述空腔603内，所述第一电极层605位于所述第一围边部606a中间(即内侧，朝向所述谐振装置600中轴线的一侧)，及延伸部606b，所述延伸部606b的一端连接所述第一围边部606a。

本实施例中，所述第二边缘结构610包括：第二围边部610a，位于所述第二电极层609的边缘旁，所述第二电极层609位于所述第二围边部610a内侧；所述第一围边部606a和所述第二围边部610a重合，形成围边。

由图21可见，所述第一频移层607加厚所述第一围边部606a和所述第二围边部610a之间的介质厚度，所述第二频移层611加厚所述第一围边部606a和所述第二围边部610a之间的介质厚度，从而可以降低谐振区边缘部612内的寄生谐振的频率，从而实现将寄生谐振移出滤波装置的通带区。

本实施例中，去除所述牺牲层614的工艺包括：湿法刻蚀工艺。

如图6所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置300包括：基底301；中间层302，位于所述基底301上，所述中间层302的上表面侧包括空腔303和凹槽304，其中，所述凹槽304位于所述空腔303的一侧并和所述空腔303相通，所述凹槽304的深度小于所述空腔303的深度；第一电极层305，所述第一电极层305的第一端305a位于所述空腔303内，所述第一电极层305的第二端305b位于所述凹槽304内，其中，所述凹槽304的深度等于所述第一电极层305的厚度；压电层306，位于所述第一电极层305及所述中间层302上，覆盖所述空腔303，其中，所述压电层306包括第一侧306a及所述第一侧306a相对的第二侧306b，所述第一电极层305及所述中间层302位于所述第一侧306a；第二电极层307，位于所述第二侧306b，位于所述压电层306上；边缘结构308，位于所述第二侧306b，位于所述压电层306上方，其中，所述边缘结构308包括围边部308a，所述第二电极层307位于所述围边部308a中间(即内侧，朝向所述谐振装置300中轴线的一侧)，所述围边部308a与所述第一电极层305重合；以及频移层309，位于所述第二侧306b，位于所述压电层306与所述边缘结构308之间，所述频移层309和所述边缘结构308重合。

需要说明的是，所述频移层309加厚所述第一电极层305和所述围边部308a之间的介质厚度，从而可以降低谐振区边缘部310内的寄生谐振的频率，从而实现将寄生谐振移出滤波装置的通带区。为了更直观地理解该有益效果，请参见图7，导纳(admittance)曲线311表示无频移层的BAW谐振装置的归一化导纳值，所述导纳曲线311包括寄生谐振312，导纳曲线313表示包括频移层的BAW谐振装置的归一化导纳值，所述导纳曲线313包括频率降低的寄生谐振314。需要说明的是，图7仅是示意性的，用于更直观地理解本发明实施例的有益效果，但并不等同本发明实施例的BAW谐振装置的实际性能。

本实施例中，所述基底301的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓、陶瓷。

本实施例中，所述中间层302的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述第一电极层305的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述压电层306为平层，还覆盖所述中间层302的上表面侧。本实施例中，所述压电层306的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述压电层306包括多个晶粒，多个所述晶粒包括第一晶粒和第二晶粒，其中，所述第一晶粒和所述第二晶粒是多个所述晶粒中的任意两个晶粒。所属技术领域的技术人员知晓晶粒的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图8所示，对于六方晶系的晶粒，例如氮化铝晶粒，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图9所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶粒，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶粒还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。

本实施例中，所述第一晶粒可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶粒可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶粒的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶粒的高。

本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。

本实施例中，所述压电层306包括多个晶粒，多个所述晶粒形成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。

需要说明的是，在平面上形成所述压电层306可以使所述压电层306不包括明显转向的晶粒，从而可以提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。

本实施例中，所述第二电极层307的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述第一电极层305上与所述第二电极层307重合的部分位于所述空腔303内；所述电极307上与所述电极305重合的部分位于所述空腔303上方。

本实施例中，所述边缘结构308的材料包括金属。本实施例中，所述边缘结构308的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述边缘结构308的材料和所述第二电极层307的材料相同。在另一个实施例中，压电层上的边缘结构的材料和上电极层的材料可以不同。

本实施例中，所述边缘结构308的厚度大于所述第二电极层307的厚度。在另一个实施例中，压电层上的边缘结构的厚度小于上电极层的厚度。在另一个实施例中，压电层上的边缘结构的厚度等于上电极层的厚度。

本实施例中，所述围边部308a的内侧为直面。在另一个实施例中，围边部的内侧可以为坡面。

本实施例中，所述频移层309的介质包括非金属材料。本实施例中，所述频移层309的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，压电层上的频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，压电层上的频移层的介质可以为空气，即空气层。

图5是本发明实施例的一种体声波谐振装置300的俯视结构示意图。

如图5所示，本实施例中，所述围边部308a呈环状。本实施例中，所述围边部308a呈八边形。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的其他形状的围边部，例如六边形、五边形等，也可以应用于本发明实施例。

如图13所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置400包括：基底401；中间层402，位于所述基底401上，所述中间层402的上表面侧包括空腔403和凹槽404，其中，所述凹槽404位于所述空腔403的一侧并和所述空腔403相通，所述凹槽404的深度小于所述空腔403的深度；第一电极层405，位于所述空腔403内；边缘结构406，包括围边部406a，所述围边部406a位于所述空腔403内，所述第一电极层405位于所述围边部406a中间(即内侧，朝向所述谐振装置400中轴线的一侧)，及延伸部406b，所述延伸部406b的一端连接所述围边部406a，所述延伸部406b的另一端位于所述凹槽404内；频移层407，位于所述边缘结构406上，与所述边缘结构406重合，其中，所述凹槽404的深度等于所述边缘结构406和所述频移层407的厚度之和；压电层408，位于所述第一电极层405、所述频移层407及所述中间层402上，覆盖所述空腔403，其中，所述压电层408包括第一侧408a及所述第一侧408a相对的第二侧408b，所述第一电极层405、所述频移层407及所述中间层402位于所述第一侧408a；以及第二电极层409，位于所述第二侧408b，位于所述压电层408上，所述围边部406a与所述第二电极层409重合。

需要说明的是，所述频移层407加厚所述第二电极层409和所述围边部406a之间的介质厚度，从而可以降低谐振区边缘部410内的寄生谐振的频率，从而实现将寄生谐振移出滤波装置的通带区。

本实施例中，所述基底401的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓、陶瓷。

本实施例中，所述中间层402的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述第一电极层405的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述边缘结构406的材料包括金属。本实施例中，所述边缘结构406的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述边缘结构406的材料和所述第一电极层405的材料相同。在另一个实施例中，压电层下的边缘结构的材料和下电极层的材料可以不同。

本实施例中，所述边缘结构406的厚度大于所述第一电极层405的厚度。在另一个实施例中，压电层下的边缘结构的厚度小于下电极层的厚度。在另一个实施例中，压电层下的边缘结构的厚度等于下电极层的厚度。

本实施例中，所述围边部406a的内侧为直面。在另一个实施例中，围边部的内侧可以为坡面。

本实施例中，所述频移层407的介质包括非金属材料。本实施例中，所述频移层407的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，压电层下的频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，压电层下的频移层的介质可以为空气，即空气层。

本实施例中，所述压电层408为平层，还覆盖所述中间层402的上表面侧。本实施例中，所述压电层408的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述压电层408包括多个晶粒，多个所述晶粒包括第一晶粒和第二晶粒，其中，所述第一晶粒和所述第二晶粒是多个所述晶粒中的任意两个晶粒。所属技术领域的技术人员知晓晶粒的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。

本实施例中，所述第一晶粒可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶粒可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶粒的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶粒的高。

本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。

本实施例中，所述压电层408包括多个晶粒，多个所述晶粒形成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。

需要说明的是，在平面上形成所述压电层408可以使所述压电层408不包括明显转向的晶粒，从而可以提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。

本实施例中，所述第二电极层409的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述第一电极层405上与所述第二电极层409重合的部分位于所述空腔403内；所述电极409上与所述电极405重合的部分位于所述空腔403上方。

图12是本发明实施例的一种体声波谐振装置400的俯视结构示意图。

如图12所示，本实施例中，所述围边部406a呈环状。本实施例中，所述围边部406a呈八边形。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的其他形状的围边部，例如，六边形、五边形等，也可以应用于本发明实施例。

如图17所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置500包括：基底501；中间层502，位于所述基底501上，所述中间层502的上表面侧包括空腔503和凹槽504，其中，所述凹槽504位于所述空腔503的一侧并和所述空腔503相通，所述凹槽504的深度小于所述空腔503的深度；第一电极层505，位于所述空腔503内；第一边缘结构506，包括第一围边部506a，所述第一围边部506a位于所述空腔503内，位于所述第一电极层505的部分边缘旁，所述第一电极层505位于所述第一围边部506a内侧(即，朝向所述谐振装置500中轴线的一侧)，及第一延伸部506b，所述第一延伸部506b的一端连接所述第一围边部506a，所述第一延伸部506b的另一端位于所述凹槽504内；第一频移层507，位于所述第一边缘结构506上，与所述第一边缘结构506重合，其中，所述凹槽504的深度等于所述第一边缘结构506和所述第一频移层507的厚度之和；压电层508，位于所述第一电极层505、所述第一频移层507、及所述中间层502上，覆盖所述空腔503，其中，所述压电层508包括第一侧508a及所述第一侧508a相对的第二侧508b，所述第一电极层505、所述第一频移层507、及所述中间层502位于所述第一侧508a；第二电极层509，位于所述第二侧508b，位于所述压电层508上；第二边缘结构510，位于所述第二侧508b，位于所述压电层508上方，其中，所述第二边缘结构510包括第二围边部510a，位于所述第二电极层509的部分边缘旁，所述第二电极层509位于所述第二围边部510a内侧；以及第二频移层511，位于所述第二侧508b，位于所述压电层508和所述第二边缘结构510之间，所述第二频移层511与所述第二边缘结构510重合；其中，所述第一围边部506a和所述第二围边部510a部分重合，形成围边。

需要说明的是，所述第一频移层507加厚所述第二电极层509和所述第一围边部506a之间的介质厚度，所述第二频移层511加厚所述第一电极层505和所述第二围边部510a之间的介质厚度，从而可以降低谐振区边缘部512内的寄生谐振的频率，从而实现将寄生谐振移出滤波装置的通带区。

本实施例中，所述基底501的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓、陶瓷。

本实施例中，所述中间层502的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述第一电极层505的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述第一边缘结构506的材料包括金属。本实施例中，所述第一边缘结构506的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述第一边缘结构506的材料和所述第一电极层505的材料相同。在另一个实施例中，压电层下的第一边缘结构的材料和下电极层的材料可以不同。

本实施例中，所述第一边缘结构506的厚度大于所述第一电极层505的厚度。在另一个实施例中，压电层下的第一边缘结构的厚度小于下电极层的厚度。在另一个实施例中，压电层下的第一边缘结构的厚度等于下电极层的厚度。

本实施例中，所述第一频移层507的介质包括非金属材料。本实施例中，所述第一频移层507的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，压电层下的第一频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，压电层下的第一频移层的介质可以为空气，即空气层。

本实施例中，所述压电层508为平层，还覆盖所述中间层502的上表面侧。本实施例中，所述压电层508的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述压电层508包括多个晶粒，多个所述晶粒包括第一晶粒和第二晶粒，其中，所述第一晶粒和所述第二晶粒是多个所述晶粒中的任意两个晶粒。所属技术领域的技术人员知晓晶粒的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。

本实施例中，所述第一晶粒可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶粒可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶粒的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶粒的高。

本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。

本实施例中，所述压电层508包括多个晶粒，多个所述晶粒形成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。

需要说明的是，在平面上形成所述压电层508可以使所述压电层508不包括明显转向的晶粒，从而可以提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。

本实施例中，所述第二电极层509的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述第一电极层505上与所述第二电极层509重合的部分位于所述空腔503内；所述电极509上与所述电极505重合的部分位于所述空腔503上方。

本实施例中，所述第二边缘结构510的材料包括金属。本实施例中，所述第二边缘结构510的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述第二边缘结构510的材料和所述第二电极层509的材料相同。在另一个实施例中，压电层上的第二边缘结构的材料和上电极层的材料可以不同。

本实施例中，所述第二边缘结构510的厚度大于所述第二电极层509的厚度。在另一个实施例中，压电层上的第二边缘结构的厚度小于上电极层的厚度。在另一个实施例中，压电层上的第二边缘结构的厚度等于上电极层的厚度。

本实施例中，所述第一围边部506a的内侧为直面，所述第二围边部510a的内侧为直面。在另一个实施例中，围边部的内侧可以为坡面。

本实施例中，所述第二频移层511的介质包括非金属材料。本实施例中，所述第二频移层511的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，压电层上的第二频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，压电层上的第二频移层的介质可以为空气，即空气层。

图16是本发明实施例的一种体声波谐振装置500的俯视结构示意图。

如图16所示，本实施例中，所述第一围边部506a与所述第二围边部510a具有重合部513，形成谐振区的围边，阻隔横向波泄漏。本实施例中，所述第一围边部506a和所述第二围边部510a形成的围边呈环状。本实施例中，所述第一围边部506a和所述第二围边部510a形成的围边呈八边形。需要说明的是，所属技术领域的技术人员知晓的其他形状的围边，例如，六边形、五边形等，也可以应用于本发明实施例。

图18是本发明实施例的一种体声波谐振装置500的剖面B结构示意图。图18示出了所述重合部513的剖面B结构。

如图21所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置600包括：基底601；中间层602，位于所述基底601上，所述中间层602的上表面侧包括空腔603和凹槽604，其中，所述凹槽604位于所述空腔603的一侧并和所述空腔603相通，所述凹槽604的深度小于所述空腔603的深度；第一电极层605，位于所述空腔603内；第一边缘结构606，包括第一围边部606a，所述第一围边部606a位于所述空腔603内，所述第一电极层605位于所述第一围边部606a中间(即内侧，朝向所述谐振装置600中轴线的一侧)，及延伸部606b，所述延伸部606b的一端连接所述第一围边部606a，所述延伸部606b的另一端位于所述凹槽604内；第一频移层607，位于所述第一边缘结构606上，与所述第一边缘结构606重合，其中，所述凹槽604的深度等于所述第一边缘结构606和第一频移层607的厚度之和；压电层608，位于所述第一电极层605、所述第一频移层607、及所述中间层602上，覆盖所述空腔603，其中，所述压电层608包括第一侧608a及所述第一侧608a相对的第二侧608b，所述第一电极层605、所述第一频移层607、及所述中间层602位于所述第一侧608a；第二电极层609，位于所述第二侧608b，位于所述压电层608上；第二边缘结构610，位于所述第二侧608b，位于所述压电层608上方，其中，所述第二边缘结构610包括第二围边部610a，位于所述第二电极层609的边缘旁，所述第二电极层609位于所述第二围边部610a内侧；以及第二频移层611，位于所述第二侧608b，位于所述压电层608和所述第二边缘结构610之间，所述第二频移层611与所述第二边缘结构610重合；其中，所述第一围边部606a和所述第二围边部610a重合，形成围边。

需要说明的是，所述第一频移层607加厚所述第一围边部606a和所述第二围边部610a之间的介质厚度，所述第二频移层611加厚所述第一围边部606a和所述第二围边部610a之间的介质厚度，从而可以降低谐振区边缘部612内的寄生谐振的频率，从而实现将寄生谐振移出滤波装置的通带区。

本实施例中，所述基底601的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓、陶瓷。

本实施例中，所述中间层602的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。

本实施例中，所述第一电极层605的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述第一边缘结构606的材料包括金属。本实施例中，所述第一边缘结构606的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述第一边缘结构606的材料和所述第一电极层605的材料相同。在另一个实施例中，压电层下的第一边缘结构的材料和下电极层的材料可以不同。

本实施例中，所述第一边缘结构606的厚度大于所述第一电极层605的厚度。在另一个实施例中，压电层下的第一边缘结构的厚度小于下电极层的厚度。在另一个实施例中，压电层下的第一边缘结构的厚度等于下电极层的厚度。

本实施例中，所述第一频移层607的介质包括非金属材料。本实施例中，所述第一频移层607的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，压电层下的第一频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，压电层下的第一频移层的介质可以为空气，即空气层。

本实施例中，所述压电层608为平层，还覆盖所述中间层602的上表面侧。本实施例中，所述压电层608的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。

本实施例中，所述压电层608包括多个晶粒，多个所述晶粒包括第一晶粒和第二晶粒，其中，所述第一晶粒和所述第二晶粒是多个所述晶粒中的任意两个晶粒。所属技术领域的技术人员知晓晶粒的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。

本实施例中，所述第一晶粒可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶粒可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶粒的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶粒的高。

本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。

在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。

本实施例中，所述压电层608包括多个晶粒，多个所述晶粒形成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。

需要说明的是，在平面上形成所述压电层608可以使所述压电层608不包括明显转向的晶粒，从而可以提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。

本实施例中，所述第二电极层609的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。

本实施例中，所述第一电极层605上与所述第二电极层609重合的部分位于所述空腔603内；所述电极609上与所述电极605重合的部分位于所述空腔603上方。

本实施例中，所述第二边缘结构610的材料包括金属。本实施例中，所述第二边缘结构610的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述第二边缘结构610的材料和所述第二电极层609的材料相同。在另一个实施例中，压电层上的第二边缘结构的材料和上电极层的材料可以不同。

本实施例中，所述第二边缘结构610的厚度大于所述第二电极层609的厚度。在另一个实施例中，压电层上的第二边缘结构的厚度小于上电极层的厚度。在另一个实施例中，压电层上的第二边缘结构的厚度等于上电极层的厚度。

本实施例中，所述第一围边部606a的内侧为直面，所述第二围边部610a的内侧为直面。在另一个实施例中，围边部的内侧可以为坡面。

本实施例中，所述第二频移层611的介质包括非金属材料。本实施例中，所述第二频移层611的介质包括但不限于以下至少之一：二氧化硅、碳氧化硅、氟氧化硅、聚合物。其中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在另一个实施例中，压电层上的第二频移层的介质可以为真空，即真空层。在另一个实施例中，压电层上的第二频移层的介质可以为空气，即空气层。

图22是一种无线通信装置700的结构示意图。如图22所示，所述无线通信装置700包括：射频前端装置710、基带处理装置730及天线750，所述射频前端装置710的第一端连接所述基带处理装置730，所述射频前端装置710的第二端连接所述天线750。其中，所述射频前端装置710包括：滤波装置711、滤波装置713、多工装置715、功率放大装置717及低噪声放大装置719；其中，所述滤波装置711与所述功率放大装置717电连接；其中，所述滤波装置713与所述低噪声放大装置719电连接；其中，所述多工装置715包括至少一个发射滤波装置(未图示)及至少一个接收滤波装置(未图示)。其中，所述滤波装置711包括至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置，所述滤波装置713包括至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置。其中，所述至少一个发射滤波装置包括至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置，或者，所述至少一个接收滤波装置包括至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置。

综上所述，本发明实施例提供的体声波谐振装置中引入频移介质，位于谐振区边缘部内，位于边缘结构与压电层之间，可以加厚边缘结构与压电层之间介质厚度，从而降低寄生谐振的频率，实现把寄生谐振移出滤波装置的通带区。

应该理解，此处的例子和实施例仅是示例性的，本领域技术人员可以在不背离本申请和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，做出各种修改和更正。

Claims (37)

1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：

第一层，所述第一层包括空腔；

第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内；

压电层，位于所述第一电极层上，覆盖所述空腔，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧；

第二电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上；

至少一个边缘结构，位于所述第一电极层和所述第二电极层的重合部的边缘；以及

至少一个频移层，位于至少一个所述边缘结构与所述压电层之间，用于降低引入至少一个所述边缘结构产生的寄生谐振的谐振频率。

2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述边缘结构包括第一边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上方，所述第一边缘结构包括第一围边部，所述第二电极层位于所述第一围边部内侧，所述第一围边部与所述第一电极层重合，其中，所述第二电极层上与所述第一电极层的重合部即第二电极层。

3.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一围边部呈环状。

4.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述频移层包括第一频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。

5.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述边缘结构包括第二边缘结构，位于所述第一侧，所述压电层还位于所述第二边缘结构上方，所述第二边缘结构包括第二围边部，所述第二围边部位于所述空腔内，所述第一电极层位于所述第二围边部内侧，所述第二围边部与所述第二电极层重合，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层的重合部即第一电极层。

6.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二围边部呈环状。

7.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述频移层包括第二频移层，位于所述第一侧，位于所述第二边缘结构上，所述压电层还位于所述第二频移层上，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

8.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述边缘结构包括第三边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上方，所述第三边缘结构包括第三围边部，所述第三围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部的部分边缘。

9.如权利要求8所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述边缘结构还包括第四边缘结构，位于所述第一侧，所述压电层还位于所述第四边缘结构上方，所述第四边缘结构包括第四围边部，所述第四围边部位于所述空腔内，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部的部分边缘。

10.如权利要求8所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述频移层包括第三频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

11.如权利要求9所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述频移层包括第四频移层，位于所述第一侧，位于所述第四边缘结构上，所述压电层还位于所述第四频移层上，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

12.如权利要求9所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第三围边部和所述第四围边部部分重合，形成环状围边。

13.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一层包括：中间层，所述中间层包括所述空腔，其中，所述中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。

14.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：

形成压电层，所述压电层包括第一侧及所述第一侧垂直方向上相对的第二侧；

形成第一电极层，位于所述第一侧；

形成第一层，位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一层与所述压电层之间，且嵌入所述第一层；

形成第二电极层，位于所述第二侧；

形成至少一个边缘结构，位于所述第一电极层和所述第二电极层重合部水平方向上的边缘；

形成至少一个频移层，所述频移层位于至少一个所述边缘结构与所述压电层之间，用于降低引入至少一个所述边缘结构产生的寄生谐振的谐振频率；以及

形成空腔，位于所述第一侧，所述空腔位于所述第一层与所述压电层之间，嵌入所述第一层，所述压电层覆盖所述空腔，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内。

15.如权利要求14所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，至少一个所述边缘结构关于所述压电层在垂直方向上呈非对称结构。

16.如权利要求14所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述第一层包括：在所述压电层的第一侧上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分所述第一电极层，且所述牺牲层覆盖所述第一电极层的至少一端；在所述压电层的第一侧上形成第一键合层，所述第一键合层包覆所述牺牲层以及所述第一电极层；提供基底；在所述基底的一侧上形成第二键合层；键合所述第一键合层和所述第二键合层形成中间层，所述基底位于所述第一侧，所述中间层位于所述基底与所述压电层之间。

17.如权利要求14所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，还包括：提供过渡衬底；基于所述过渡衬底形成所述压电层，所述过渡衬底位于所述第二侧。

18.如权利要求17所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述第一层后，去除所述过渡衬底；去除所述过渡衬底后，形成所述第二电极层。

19.如权利要求14所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第一边缘结构，位于所述第二侧，其中，形成所述第一边缘结构包括形成第一围边部，所述第二电极层位于所述第一围边部内侧，所述第一围边部与所述第一电极层重合，其中，所述第二电极层上与所述第一电极层的重合部即第二电极层。

20.如权利要求19所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述频移层包括：形成第一频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，接触所述压电层，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。

21.如权利要求19所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述频移层包括：形成第一填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第一边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第一填充层，形成第一频移层，所述第一频移层与所述第一边缘结构重合。

22.如权利要求16所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成所述空腔包括：去除所述牺牲层，其中，去除所述牺牲层包括：湿法刻蚀所述牺牲层。

23.如权利要求16所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第二边缘结构，位于所述第一侧，其中，形成所述第二边缘结构包括形成第二围边部，所述第一电极层位于所述第二围边部内侧，所述第二围边部与所述第二电极层重合，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层的重合部即第一电极层。

24.如权利要求23所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述牺牲层覆盖所述第二围边部；所述中间层覆盖所述第二边缘结构。

25.如权利要求23所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述频移层包括：形成第二频移层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第二边缘结构之间，接触所述压电层，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

26.如权利要求23所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述频移层包括：形成第二填充层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第二边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第二填充层，形成第二频移层，所述第二频移层与所述第二边缘结构重合。

27.如权利要求16所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述边缘结构包括：形成第三边缘结构，位于所述第二侧，其中，形成所述第三边缘结构包括形成第三围边部，所述第三围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部的部分边缘。

28.如权利要求27所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述边缘结构还包括：形成第四边缘结构，位于所述第一侧，其中，形成所述第四边缘结构包括形成第四围边部，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部的部分边缘。

29.如权利要求28所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述牺牲层覆盖所述第四围边部；所述中间层覆盖所述第四边缘结构。

30.如权利要求27所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述频移层包括：形成第三频移层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，接触所述压电层，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

31.如权利要求27所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述频移层包括：形成第三填充层，位于所述第二侧，位于所述压电层与所述第三边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第三填充层，形成第三频移层，所述第三频移层与所述第三边缘结构重合。

32.如权利要求28所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述频移层包括：形成第四频移层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第四边缘结构之间，接触所述压电层，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

33.如权利要求28所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，形成至少一个所述频移层包括：形成第四填充层，位于所述第一侧，位于所述压电层与所述第四边缘结构之间，接触所述压电层；去除所述第四填充层，形成第四频移层，所述第四频移层与所述第四边缘结构重合。

34.一种滤波装置，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至13其中之一所述的体声波谐振装置。

35.一种射频前端装置，其特征在于，包括：功率放大装置与至少一个如权利要求34所述的滤波装置；所述功率放大装置与所述滤波装置连接。

36.一种射频前端装置，其特征在于，包括：低噪声放大装置与至少一个如权利要求34所述的滤波装置；所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。

37.一种射频前端装置，其特征在于，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如权利要求34所述的滤波装置。

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