CN111654259A - 一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置。其中，体声波谐振装置包括：第一无源部，第一无源部包括第一基底及第一散热层，第一散热层位于第一基底上方；第一有源部，第一有源部包括第一压电层、第一电极层及第二电极层，其中，第一压电层位于第一无源部上方，第一压电层包括第一侧及第一侧相对的第二侧，第一无源部位于第一侧，第一电极层位于第一侧，第一电极层位于第一无源部和第一压电层之间，第二电极层位于第二侧；以及第一空腔，位于第一侧，位于第一无源部和第一压电层之间，第一电极层的至少一部分位于第一空腔上或第一空腔内。第一散热层可以提升体声波谐振装置的散热性能，或者可以灵活地调整体声波谐振装置的散热性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，本发明涉及一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置。
背景技术
无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、低噪声放大器、天线开关、射频滤波器、多工器等。其中，射频滤波器包括压电声表面(SurfaceAcoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated PassiveDevices，IPD)滤波器等。
SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz至2.7GHz，BAW滤波器的使用频率一般为0.7GHz至7GHz。
与SAW谐振器相比，BAW谐振器的性能更好，但是由于工艺步骤复杂，BAW谐振器的制造成本比SAW谐振器高。然而，当无线通信技术逐步演进，所使用的频段越来越多，同时随着载波聚合等频段叠加使用技术的应用，无线频段之间的相互干扰变得愈发严重。高性能的BAW技术可以解决频段间的相互干扰问题。随着5G时代的到来，无线移动网络引入了更高的通信频段，当前只有BAW技术可以解决高频段的滤波问题。
图1示出了一种BAW滤波器100，包括由多个BAW谐振器组成的梯形电路，其中，f1、f2、f3、f4分别表示4种不同的频率。每个BAW谐振器内，谐振器压电层两侧的金属产生交替正负电压，压电层通过交替正负电压产生声波，该谐振器内的声波垂直传播。为了形成谐振，声波需要在上金属电极的上表面和下金属电极的下表面产生全反射，以形成驻声波。声波反射的条件是与上金属电极的上表面和下金属电极的下表面接触区域的声阻抗与金属电极的声阻抗有较大差别。
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Wave Resonator，FBAR)是一种可以把声波能量局限在器件内的BAW谐振器，该谐振器的谐振区上方是空气，下方存在一个空腔，因为空气声阻抗与金属电极声阻抗差别较大，声波可以在上金属电极的上表面和下金属电极的下表面全反射，形成驻波。
图2示出了一种FBAR 200，包括：基底201，所述基底201上表面侧包括空腔202；电极层203，位于所述空腔202上方；压电层204，位于所述电极层203上；以及电极层205，位于所述压电层204上；其中，所述电极203和所述电极205重合的区域为谐振区206，所述谐振区206与所述基底201有重合部。需要说明的是，由于FBAR谐振区的上下均为空气，谐振区产生的热量主要向谐振区左右两侧传递进入基底，然后再通过基底散热，因此基底的散热能力对于FBAR的散热能力起到决定性的作用，从而导致提升或调整FBAR散热能力的空间有局限性。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种体声波谐振装置包括散热层，位于基底或中间层上，可以提升体声波谐振装置的散热性能，或者灵活地调整体声波谐振装置的散热性能(例如，提升Q值的同时，对散热性能进行补偿)。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种体声波谐振装置，包括：第一无源部，所述第一无源部包括第一基底及第一散热层，所述第一散热层位于所述第一基底上方；第一有源部，所述第一有源部包括第一压电层、第一电极层及第二电极层，其中，所述第一压电层位于所述第一无源部上方，所述第一压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述第一无源部位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第二电极层位于所述第二侧；以及第一空腔，位于所述第一侧，位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第一电极层的至少一部分位于所述第一空腔上或所述第一空腔内。
在一些实施例中，所述第一散热层的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。在一些实施例中，所述第一散热层的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一基底和所述第一压电层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一散热层和所述第一压电层之间，所述第一散热层还位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
在一些实施例中，所述第一散热层包括第一凹槽；所述第一电极层包括第一端及所述第一端相对的第二端，所述第一端位于所述第一空腔内，所述第二端位于所述第一凹槽内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一基底和所述第一电极层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一散热层和所述第一电极层之间，所述第一散热层还位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔上，所述第一压电层覆盖所述第一电极层。在一些实施例中，所述第一压电层包括第一突起部，位于所述第一电极层上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第二突起部，位于所述第一突起部上方。在一些实施例中，所述第一突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形；所述第二突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形。
在一些实施例中，所述第一空腔位于所述第一散热层和所述第一压电层之间，所述第一空腔位于所述第一散热层上。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一散热层上，所述第一电极层包括第三突起部，所述第三突起部位于所述第一空腔上；所述第一压电层覆盖所述第一空腔，所述第一压电层包括第四突起部，位于所述第三突起部上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第五突起部，位于所述第四突起部上方。在一些实施例中，所述第三突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形；所述第四突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形；所述第五突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。
在一些实施例中，所述第一无源部还包括：第一中间层，位于所述第一基底和所述第一散热层之间，位于所述第一基底上，所述第一散热层位于所述第一中间层上。
在一些实施例中，所述第一中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。在一些实施例中，所述第一中间层的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一中间层和所述第一压电层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
在一些实施例中，所述第一散热层包括第二凹槽；所述第一电极层包括第三端及所述第三端相对的第四端，所述第三端位于所述第一空腔内，所述第四端位于所述第二凹槽内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一中间层和所述第一电极层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔上，所述第一压电层覆盖所述第一电极层。在一些实施例中，所述第一压电层包括第六突起部，位于所述第一电极层上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第七突起部，位于所述第六突起部上。在一些实施例中，所述第六突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形；所述第七突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形。
本发明实施例还提供一种滤波装置，包括但不限于：至少一个上述实施例其中之一提供的所述体声波谐振装置。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：至少一个上述实施例提供的滤波装置；功率放大装置，与所述滤波装置连接。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：至少一个上述实施例提供的滤波装置；低噪声放大装置，与所述滤波装置连接。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：多工装置，所述多工装置包括至少一个上述实施例提供的滤波装置。
附图说明
图1是一种体声波滤波器100的结构示意图；
图2是一种FBAR 200的剖面A结构示意图；
图3是本发明实施例的一种体声波谐振装置300的剖面A结构示意图；
图4a是本发明实施例的一种体声波谐振装置400的剖面A结构示意图；
图4b是一种六方晶系晶体的结构示意图；
图4c(i)是一种正交晶系晶体的结构示意图；
图4c(ii)是一种四方晶系晶体的结构示意图；
图4c(iii)是一种立方晶系晶体的结构示意图；
图5是本发明实施例的一种体声波谐振装置500的剖面A结构示意图；
图6是本发明实施例的一种体声波谐振装置600的剖面A结构示意图；
图7是本发明实施例的一种体声波谐振装置700的剖面A结构示意图；
图8是本发明实施例的一种体声波谐振装置800的剖面A结构示意图；
图9是本发明实施例的一种体声波谐振装置900的剖面A结构示意图；
图10是本发明实施例的一种体声波谐振装置1000的剖面A结构示意图；
图11是本发明实施例的一种体声波谐振装置1100的剖面A结构示意图；
图12是本发明实施例的一种体声波谐振装置1200的剖面A结构示意图；
图13是本发明实施例的一种体声波谐振装置1300的剖面A结构示意图；
图14是本发明实施例的一种体声波谐振装置1400的剖面A结构示意图；
图15是本发明实施例的一种体声波谐振装置1500的剖面A结构示意图；
图16是本发明实施例的一种体声波谐振装置1600的剖面A结构示意图；
图17是本发明实施例的一种体声波谐振装置1700的剖面A结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
如背景技术部分所述，基底的散热能力对于体声波谐振装置的散热能力起到决定性的作用，从而导致提升或调整体声波谐振装置散热能力的空间有局限性。
本发明的发明人发现，体声波谐振装置包括散热层，位于基底或中间层上，可以提升体声波谐振装置的散热性能，或者灵活地调整体声波谐振装置的散热性能(例如，提升Q值的同时，对散热性能进行补偿)。
本发明实施例提供一种体声波谐振装置，包括：第一无源部，所述第一无源部包括第一基底及第一散热层，所述第一散热层位于所述第一基底上方；第一有源部，所述第一有源部包括第一压电层、第一电极层及第二电极层，其中，所述第一压电层位于所述第一无源部上方，所述第一压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述第一无源部位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第二电极层位于所述第二侧；以及第一空腔，位于所述第一侧，位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第一电极层的至少一部分位于所述第一空腔上或所述第一空腔内。
在一些实施例中，所述第一散热层的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。在一些实施例中，所述第一散热层的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一基底和所述第一压电层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一散热层和所述第一压电层之间，所述第一散热层还位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
在一些实施例中，所述第一散热层包括第一凹槽；所述第一电极层包括第一端及所述第一端相对的第二端，所述第一端位于所述第一空腔内，所述第二端位于所述第一凹槽内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一基底和所述第一电极层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一散热层和所述第一电极层之间，所述第一散热层还位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔上，所述第一压电层覆盖所述第一电极层。在一些实施例中，所述第一压电层包括第一突起部，位于所述第一电极层上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第二突起部，位于所述第一突起部上方。在一些实施例中，所述第一突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形；所述第二突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形。
在一些实施例中，所述第一空腔位于所述第一散热层和所述第一压电层之间，所述第一空腔位于所述第一散热层上。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一散热层上，所述第一电极层包括第三突起部，所述第三突起部位于所述第一空腔上；所述第一压电层覆盖所述第一空腔，所述第一压电层包括第四突起部，位于所述第三突起部上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第五突起部，位于所述第四突起部上方。在一些实施例中，所述第三突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形；所述第四突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形；所述第五突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。
在一些实施例中，所述第一无源部还包括：第一中间层，位于所述第一基底和所述第一散热层之间，位于所述第一基底上，所述第一散热层位于所述第一中间层上。
在一些实施例中，所述第一中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。在一些实施例中，所述第一中间层的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一中间层和所述第一压电层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
在一些实施例中，所述第一散热层包括第二凹槽；所述第一电极层包括第三端及所述第三端相对的第四端，所述第三端位于所述第一空腔内，所述第四端位于所述第二凹槽内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
在一些实施例中，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一中间层和所述第一电极层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
在一些实施例中，所述第一电极层位于所述第一空腔上，所述第一压电层覆盖所述第一电极层。在一些实施例中，所述第一压电层包括第六突起部，位于所述第一电极层上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第七突起部，位于所述第六突起部上。在一些实施例中，所述第六突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形；所述第七突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形。
需要说明的是，所述体声波谐振装置包括所述第一散热层，位于所述第一基底或所述第一中间层上，可以提升体声波谐振装置的散热性能，或者灵活地调整体声波谐振装置的散热性能(例如，提升Q值的同时，对散热性能进行补偿)。
本发明实施例还提供一种滤波装置，包括但不限于：至少一个上述实施例其中之一提供的所述体声波谐振装置。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：至少一个上述实施例提供的滤波装置；功率放大装置，与所述滤波装置连接。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：至少一个上述实施例提供的滤波装置；低噪声放大装置，与所述滤波装置连接。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：多工装置，所述多工装置包括至少一个上述实施例提供的滤波装置。
图3至图17示出了本发明的多个具体实施例，所述多个具体实施例提供的谐振装置的结构不同，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
图3是本发明实施例的一种体声波谐振装置300的剖面A结构示意图。
如图3所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置300，包括：基底301；空腔302，嵌入所述基底301；散热层303，位于所述基底301上，还位于所述空腔302两侧，其中，所述散热层303包括第一侧303a及所述第一侧303a相对的第二侧303b，所述基底301位于所述第一侧303a；电极层304，包括第一端304a及所述第一端304a相对的第二端304b，所述第一端304a位于所述空腔302内，所述第二端304b接触所述散热层303；压电层305，位于所述第二侧303b，位于所述电极层304上，覆盖所述空腔302；以及电极层306，位于所述第二侧303b，位于所述压电层305上；其中，谐振区307(即，所述电极层304和所述电极层306的重合区域)相对于所述空腔302悬空，与所述散热层303没有重合部，从而所述谐振区307的垂直于所述压电层305的垂直投影位于所述空腔302之内。
本实施例中，所述基底301的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述散热层303的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层303的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层303采用导热较所述基底301更好的材料，从而可以提升谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层304位于所述空腔302内。本实施例中，所述电极层304的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。在另一个是实施例中，下电极层位于空腔内，与散热层无接触。
本实施例中，所述压电层305为平层，还覆盖所述散热层303。本实施例中，所述压电层305的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述电极层306的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
图4a是本发明实施例的一种体声波谐振装置400的剖面A结构示意图。
如图4a所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置400，包括：基底401；中间层402，位于所述基底401上；空腔403，嵌入所述中间层402；散热层404，位于所述中间层402上，还位于所述空腔403两侧，其中，所述散热层404包括第一侧404a及所述第一侧404a相对的第二侧404b，所述中间层402位于所述第一侧404a；电极层405，包括第一端405a及所述第一端405a相对的第二端405b，所述第一端405a位于所述空腔403内，所述第二端405b接触所述散热层404；压电层406，位于所述第二侧404b，位于所述电极层405上，覆盖所述空腔403；以及电极层407，位于所述第二侧404b，位于所述压电层406上；其中，谐振区408(即，所述电极层405和所述电极层407的重合区域)相对于所述空腔403悬空，与所述散热层404没有重合部，从而所述谐振区408的垂直于所述压电层406的垂直投影位于所述空腔403之内。
需要说明的是，所述散热层404与所述中间层402的声阻抗不同，可以提升所述谐振区408和非谐振区声阻抗的区别，从而阻隔所述谐振区408产生的声波漏入所述非谐振区。
本实施例中，所述基底401的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述中间层402的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。本实施例中，所述中间层402的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。需要说明的是，所述中间层402的材料的导热性比所述基底401的材料的导热性低。
本实施例中，所述散热层404的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层404的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层404采用导热较所述基底401更好的材料，从而可以补偿谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层405位于所述空腔403内。本实施例中，所述电极层405的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。在另一个是实施例中，下电极层位于空腔内，与散热层无接触。
本实施例中，所述压电层406为平层，还覆盖所述散热层404。本实施例中，所述压电层406的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层406包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图4b所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图4c所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层406包括多个晶体，所述多个晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶格质量，半峰宽角度越小说明晶格质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层406可以使所述压电层406不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层407的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
图5是本发明实施例的一种体声波谐振装置500的剖面A结构示意图。
如图5所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置500，包括：基底501；中间层502，位于所述基底501上；空腔503，嵌入所述中间层502；散热层504，位于所述中间层502上，所述散热层504位于所述空腔503两侧，覆盖所述空腔503的侧壁及底部，其中，所述散热层504包括第一侧504a及所述第一侧504a相对的第二侧504b，所述中间层502位于所述第一侧504a，所述散热层504还包括凹槽505，所述凹槽505位于所述空腔503的一侧并和所述空腔503相通，所述凹槽505的深度小于所述空腔503的深度；电极层506，包括第一端506a及所述第一端506a相对的第二端506b，所述第一端506a位于所述空腔503内，所述第二端506b位于所述凹槽505内，所述凹槽505的深度等于所述电极层506的厚度；压电层507，位于所述第二侧504b，位于所述电极层506上，覆盖所述空腔503；以及电极层508，位于所述第二侧504b，位于所述压电层507上；其中，谐振区(即，所述电极层506和所述电极层508的重合区域)相对于所述空腔503悬空，与所述散热层504没有重合部，从而所述谐振区的垂直于所述压电层507的垂直投影位于所述空腔504之内。
需要说明的是，所述散热层504与所述中间层502的声阻抗不同，从而可以提升所述谐振区和非谐振区声阻抗的区别，以阻隔所述谐振区产生的声波漏入所述非谐振区。
本实施例中，所述基底501的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述中间层502的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。本实施例中，所述中间层502的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。需要说明的是，所述中间层502的材料的导热性比所述基底501的材料的导热性低。
本实施例中，所述散热层504的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层504的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层504采用导热较所述基底501更好的材料，从而可以补偿谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层506的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述压电层507为平层，还覆盖所述散热层504。本实施例中，所述压电层507的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层507包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层507包括多个晶体，所述多个晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层507可以使所述压电层507不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层508的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
图6是本发明实施例的一种体声波谐振装置600的剖面A结构示意图。
如图6所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置600，包括：基底601；散热层602，位于所述基底601上，所述散热层602包括第一侧602a及所述第一侧602a相对的第二侧602b，所述基底601位于所述第一侧602a，其中，所述散热层602还包括位于所述第二侧602b的空腔603及凹槽604，所述凹槽604位于所述空腔603的一侧并和所述空腔603相通，所述凹槽604的深度小于所述空腔603的深度；电极层605，包括第一端605a及所述第一端605a相对的第二端605b，所述第一端605a位于所述空腔603内，所述第二端605b位于所述凹槽604内，所述凹槽604的深度等于所述电极层605的厚度；压电层606，位于所述第二侧602b，位于所述电极层605上，覆盖所述空腔603；以及电极层607，位于所述第二侧602b，位于所述压电层606上；其中，谐振区(即，所述电极层605和所述电极层607的重合区域)相对于所述空腔603悬空，与所述散热层602没有重合部，从而所述谐振区的垂直于所述压电层606的垂直投影位于所述空腔603之内。
本实施例中，所述基底601的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述散热层602的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层602的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层602采用导热较所述基底601更好的材料，从而可以提升谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层605的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述压电层606为平层，还覆盖所述散热层602。本实施例中，所述压电层606的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层606包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层606包括多个晶体，所述多个晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层606可以使所述压电层606不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层607的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
图7是本发明实施例的一种体声波谐振装置700的剖面A结构示意图。
如图7所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置700，包括：基底701；中间层702位于所述基底701上；散热层703，位于所述中间层702上，所述散热层703包括第一侧703a及所述第一侧703a相对的第二侧703b，所述中间层702位于所述第一侧703a，其中，所述散热层703还包括位于所述第二侧703b的空腔704及凹槽705，所述凹槽705位于所述空腔704的一侧并和所述空腔704相通，所述凹槽705的深度小于所述空腔704的深度；电极层706，包括第一端706a及所述第一端706a相对的第二端706b，所述第一端706a位于所述空腔704内，所述第二端706b位于所述凹槽705内，所述凹槽705的深度等于所述电极层706的厚度；压电层707，位于所述第二侧703b，位于所述电极层706上，覆盖所述空腔704；以及电极层708，位于所述第二侧703b，位于所述压电层707上；其中，谐振区(即，所述电极层706和所述电极层708的重合区域)相对于所述空腔704悬空，与所述散热层703没有重合部，从而所述谐振区的垂直于所述压电层707的垂直投影位于所述空腔704之内。
需要说明的是，所述散热层703与所述中间层702的声阻抗不同，从而可以提升所述谐振区和非谐振区声阻抗的区别，以阻隔所述谐振区产生的声波漏入所述非谐振区。
本实施例中，所述基底701的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述中间层702的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。本实施例中，所述中间层702的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。需要说明的是，所述中间层702的材料的导热性比所述基底701的材料的导热性低。
本实施例中，所述散热层703的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层703的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层703采用导热较所述基底701更好的材料，从而可以补偿谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层706的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述压电层707为平层，还覆盖所述散热层703。本实施例中，所述压电层707的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层707包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层707包括多个晶体，所述多个晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层707可以使所述压电层707不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层708的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
图8是本发明实施例的一种体声波谐振装置800的剖面A结构示意图。
如图8所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置800，包括：基底801；空腔802，嵌入所述基底801；散热层803，位于所述基底801上，还位于所述空腔802两侧，其中，所述散热层803包括第一侧803a及所述第一侧803a相对的第二侧803b，所述基底801位于所述第一侧803a；电极层804，位于所述第二侧803b，位于所述散热层803上，覆盖所述空腔802；压电层805，位于所述第二侧803b，位于所述电极层804上，覆盖所述电极层804；以及电极层806，位于所述第二侧803b，位于所述压电层805上，覆盖所述压电层805；其中，谐振区(即，所述电极层804和所述电极层806的重合区域)与所述散热层803有重合部，位于所述空腔802左右两侧。
本实施例中，所述基底801的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述散热层803的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层803的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层803采用导热较所述基底801更好的材料，从而可以提升谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层804的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述压电层805的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述电极层806的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
图9是本发明实施例的一种体声波谐振装置900的剖面A结构示意图。
如图9所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置900，包括：基底901；中间层902，位于所述基底901上；空腔903，嵌入所述中间层902；散热层904，位于所述中间层902上，还位于所述空腔903两侧，其中，所述散热层904包括第一侧904a及所述第一侧904a相对的第二侧904b，所述中间层902位于所述第一侧904a；电极层905，位于所述第二侧904b，位于所述散热层904上，覆盖所述空腔903；压电层906，位于所述第二侧904b，位于所述电极层905上，覆盖所述电极层905；以及电极层907，位于所述第二侧904b，位于所述压电层906上，覆盖所述压电层906；其中，谐振区(即，所述电极层905和所述电极层907的重合区域)与所述散热层904有重合部，位于所述空腔903两侧。
需要说明的是，所述散热层904与所述中间层902的声阻抗不同，从而可以提升所述谐振区和非谐振区声阻抗的区别，以阻隔所述谐振区产生的声波漏入所述非谐振区。
本实施例中，所述基底901的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述中间层902的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。本实施例中，所述中间层902的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。需要说明的是，所述中间层902的材料的导热性比所述基底901的材料的导热性低。
本实施例中，所述散热层904的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层904的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层904采用导热较所述基底901更好的材料，从而可以补偿谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层905的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述压电层906的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述电极层907的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
图10是本发明实施例的一种体声波谐振装置1000的剖面A结构示意图。
如图10所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1000，包括：基底1010；空腔1020，嵌入所述基底1010；散热层1030，位于所述基底1010上，所述散热层1030位于所述空腔1020两侧，还覆盖所述空腔1020的侧壁及底部，其中，所述散热层1030包括第一侧1031及所述第一侧1031相对的第二侧1032，所述基底1010位于所述第一侧1031；电极层1040，位于所述第二侧1032，位于所述散热层1030上，覆盖所述空腔1020；压电层1050，位于所述第二侧1032，位于所述散热层1030上，覆盖所述电极层1040，其中，所述压电层1050包括突起部1051，位于所述电极层1040上方；以及电极层1060，位于所述第二侧1032，位于所述压电层1050上，其中，所述电极层1060包括突起部1061，位于所述突起部1051上方；其中，谐振区(即，所述电极层1040和所述电极层1060的重合区域)与所述散热层1030有重合部，位于所述空腔1020一侧。
本实施例中，所述基底1010的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述散热层1030的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层1030的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层1030采用导热较所述基底1010更好的材料，从而可以提升谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层1040的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述电极层1040的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，下电极层的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述压电层1050的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述突起部1051的突起高度h1等于或大于所述电极层1040的厚度。本实施例中，所述突起部1051的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述电极层1060的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1061的突起高度h2等于或大于所述电极层1040的厚度。本实施例中，所述突起部1061的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈矩形。
图11是本发明实施例的一种体声波谐振装置1100的剖面A结构示意图。
如图11所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1100，包括：基底1110；中间层1120，位于所述基底1110上；空腔1130，嵌入所述中间层1120；散热层1140，位于所述中间层1120上，所述散热层1140位于所述空腔1130两侧，还覆盖所述空腔1130的侧壁及底部，其中，所述散热层1140包括第一侧1141及所述第一侧1141相对的第二侧1142，所述中间层1120位于所述第一侧1141；电极层1150，位于所述第二侧1142，位于所述散热层1140上，覆盖所述空腔1130；压电层1160，位于所述第二侧1142，位于所述散热层1140上，覆盖所述电极层1150，其中，所述压电层1160包括突起部1161，位于所述电极层1150上方；以及电极层1170，位于所述第二侧1142，位于所述压电层1160上，所述电极层1170包括突起部1171，位于所述突起部1161上方；其中，谐振区(即，所述电极层1150和所述电极层1170的重合区域)与所述散热层1140有重合部，位于所述空腔1130一侧。
需要说明的是，所述散热层1140与所述中间层1120的声阻抗不同，从而可以提升所述谐振区和非谐振区声阻抗的区别，以阻隔所述谐振区产生的声波漏入所述非谐振区。
本实施例中，所述基底1110的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述中间层1120的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。本实施例中，所述中间层1120的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。需要说明的是，所述中间层1120的材料的导热性比所述基底1110的材料的导热性低。
本实施例中，所述散热层1140的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层1140的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层1140采用导热较所述基底1110更好的材料，从而可以补偿谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层1150的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述电极层1150的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，下电极层的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述压电层1160的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述突起部1161的突起高度h3等于或大于所述电极层1150的厚度。本实施例中，所述突起部1161的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述电极层1170的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1171的突起高度h4等于或大于所述电极层1150的厚度。本实施例中，所述突起部1171的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈矩形。
图12是本发明实施例的一种体声波谐振装置1200的剖面A结构示意图。
如图12所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1200，包括：基底1210；散热层1220，位于所述基底1210上，包括第一侧1221及所述第一侧1221相对的第二侧1222，所述基底1210位于所述第一侧1221，其中，所述散热层1220还包括位于所述第二侧1222的空腔1230；电极层1240，位于所述第二侧1222，位于所述散热层1220上，覆盖所述空腔1230；压电层1250，位于所述第二侧1222，位于所述散热层1220上，覆盖所述电极层1240，其中，所述压电层1250包括突起部1251，位于所述电极层1240上方；以及电极层1260，位于所述第二侧1222，位于所述压电层1250上，其中，所述电极层1260包括突起部1261，位于所述突起部1251上方；其中，谐振区(即，所述电极层1240和所述电极层1260的重合区域)与所述散热层1220有重合部，位于所述空腔1230一侧。
本实施例中，所述基底1210的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述散热层1220的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层1220的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层1220采用导热较所述基底1210更好的材料，从而可以提升谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层1240的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述电极层1240的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，下电极层的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述压电层1250的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述突起部1251的突起高度h5等于或大于所述电极层1240的厚度。本实施例中，所述突起部1251的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述电极层1260的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1261的突起高度h6等于或大于所述电极层1240的厚度。本实施例中，所述突起部1261的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈矩形。
图13是本发明实施例的一种体声波谐振装置1300的剖面A结构示意图。
如图13所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1300，包括：基底1310；中间层1320，位于所述基底1310上；散热层1330，位于所述中间层1320上，包括第一侧1331及所述第一侧1331相对的第二侧1332，所述中间层1320位于所述第一侧1331，其中，所述散热层1330包括位于所述第二侧1332的空腔1340；电极层1350，位于所述第二侧1332，位于所述散热层1330上，覆盖所述空腔1340；压电层1360，位于所述第二侧1332，位于所述散热层1330上，覆盖所述电极层1350，其中，所述压电层1360包括突起部1361，位于所述电极层1350上方；以及电极层1370，位于所述第二侧1332，位于所述压电层1360上，其中，所述电极层1370包括突起部1371，位于所述突起部1361上方；其中，谐振区(即，所述电极层1350和所述电极层1370的重合区域)与所述散热层1330有重合部，位于所述空腔1340一侧。
需要说明的是，所述散热层1330与所述中间层1320的声阻抗不同，从而可以提升所述谐振区和非谐振区声阻抗的区别，以阻隔所述谐振区产生的声波漏入所述非谐振区。
本实施例中，所述基底1310的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述中间层1320的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。本实施例中，所述中间层1320的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。需要说明的是，所述中间层1320的材料的导热性比所述基底1310的材料的导热性低。
本实施例中，所述散热层1330的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层1330的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层1330采用导热较所述基底1310更好的材料，从而可以补偿谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述电极层1350的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。本实施例中，所述电极层1350的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，下电极层的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述压电层1360的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述突起部1361的突起高度h7等于或大于所述电极层1350的厚度。本实施例中，所述突起部1361的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述电极层1370的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1371的突起高度h8等于或大于所述电极层1350的厚度。本实施例中，所述突起部1371的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈矩形。
图14是本发明实施例的一种体声波谐振装置1400的剖面A结构示意图。
如图14所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1400，包括：基底1410；散热层1420，位于所述基底1410上，包括第一侧1421及所述第一侧1421相对的第二侧1422，所述基底1410位于所述第一侧1421；反射层1430，位于所述第二侧1422，位于所述散热层1420上；电极层1440，位于所述第二侧1422，位于所述散热层1420上，其中，所述电极层1440包括突起部1441，位于所述反射层1430上；压电层1450，位于所述第二侧1422，位于所述散热层1420上，覆盖所述突起部1441，其中，所述压电层1450包括突起部1451，位于所述突起部1441上方；以及电极层1460，位于所述第二侧1422，位于所述压电层1450上，其中，所述电极层1460包括突起部1461，位于所述突起部1451上方；其中，谐振区(即，所述电极层1440和所述电极层1460的重合区域)位于所述反射层1430上方。
本实施例中，所述基底1410的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述散热层1420覆盖所述基底1410。本实施例中，所述散热层1420的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层1420的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层1420采用导热较所述基底1410更好的材料，从而可以提升谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述反射层1430为空腔，所述空腔1430的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，空腔的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述电极层1440的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1441的突起高度等于或大于所述空腔1430深度。本实施例中，所述突起部1441的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述压电层1450的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述突起部1451的突起高度等于或大于所述空腔1430的深度。本实施例中，所述突起部1451的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述电极层1460的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1461的突起高度等于或大于所述空腔1430的深度。本实施例中，所述突起部1461的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第三突起部的剖面A呈矩形。
图15是本发明实施例的一种体声波谐振装置1500的剖面A结构示意图。
如图15所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1500，包括：基底1510；中间层1520，位于所述基底1510上；散热层1530，位于所述中间层1520上，包括第一侧1531及所述第一侧1531相对的第二侧1532，所述中间层1520位于所述第一侧1531；反射层1540，位于所述第二侧1532，位于所述散热层1530上；电极层1550，位于所述第二侧1532，位于所述散热层1530上，其中，所述电极层1550包括突起部1551，位于所述反射层1540上；压电层1560，位于所述第二侧1532，位于所述散热层1530上，覆盖所述突起部1551，其中，所述压电层1560包括突起部1561，位于所述突起部1551上方；以及电极层1570，位于所述第二侧1532，位于所述压电层1560上，其中，所述电极层1570包括突起部1571，位于所述突起部1561上方；其中，谐振区(即，所述电极层1550和所述电极层1570的重合区域)位于所述反射层1540上方。
需要说明的是，所述散热层1530与所述中间层1520的声阻抗不同，从而可以提升所述谐振区和非谐振区声阻抗的区别，以阻隔所述谐振区产生的声波漏入所述非谐振区。
本实施例中，所述基底1510的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述中间层1520的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。本实施例中，所述中间层1520的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。需要说明的是，所述中间层1520的材料的导热性比所述基底1510的材料的导热性低。
本实施例中，所述散热层1530覆盖所述中间层1520。本实施例中，所述散热层1530的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层1530的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层1530采用导热较所述基底1510更好的材料，从而可以补偿谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述反射层1540为空腔，所述空腔1540的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，空腔的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述电极层1550的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1551的突起高度等于或大于所述空腔1540深度。本实施例中，所述突起部1551的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第一突起部的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述压电层1560的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述突起部1561的突起高度等于或大于所述空腔1540的深度。本实施例中，所述突起部1561的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第二突起部的剖面A呈矩形。
本实施例中，所述电极层1570的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1571的突起高度等于或大于所述空腔1540的深度。本实施例中，所述突起部1571的剖面A呈梯形。在另一个实施例中，第三突起部的剖面A呈矩形。
图16是本发明实施例的一种体声波谐振装置1600的剖面A结构示意图。
如图16所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1600，包括：基底1610；散热层1620，位于所述基底1610上，包括第一侧1621及所述第一侧1621相对的第二侧1622，所述基底1610位于所述第一侧1621；反射层1630，位于所述第二侧1622，位于所述散热层1620上；电极层1640，位于所述第二侧1622，位于所述散热层1620上，其中，所述电极层1640包括突起部1641，位于所述反射层1630上；压电层1650，位于所述第二侧1622，位于所述散热层1620上，覆盖所述突起部1641，其中，所述压电层1650包括突起部1651，位于所述突起部1641上方；以及电极层1660，位于所述第二侧1622，位于所述压电层1650上，其中，所述电极层1660包括突起部1661，位于所述突起部1651上方；其中，谐振区(即，所述电极层1640和所述电极层1660的重合区域)位于所述反射层1630上方。
本实施例中，所述基底1610的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述散热层1620覆盖所述基底1610。本实施例中，所述散热层1620的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层1620的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层1620采用导热较所述基底1610更好的材料，从而可以提升谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述反射层1630为空腔，所述空腔1630的剖面A呈拱形。
本实施例中，所述电极层1640的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1641的突起高度等于或大于所述空腔1630深度。本实施例中，所述突起部1441的剖面A呈拱形。
本实施例中，所述压电层1650的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述突起部1651的突起高度等于或大于所述空腔1630的深度。本实施例中，所述突起部1651的剖面A呈拱形。
本实施例中，所述电极层1660的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1661的突起高度等于或大于所述空腔1630的深度。本实施例中，所述突起部1661的剖面A呈拱形。
图17是本发明实施例的一种体声波谐振装置1700的剖面A结构示意图。
如图17所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1700，包括：基底1710；中间层1720，位于所述基底1710上；散热层1730，位于所述中间层1720上，包括第一侧1731及所述第一侧1731相对的第二侧1732，所述中间层1720位于所述第一侧1731；反射层1740，位于所述第二侧1732，位于所述散热层1730上；电极层1750，位于所述第二侧1732，位于所述散热层1730上，其中，所述电极层1750包括突起部1751，位于所述反射层1740上；压电层1760，位于所述第二侧1732，位于所述散热层1730上，覆盖所述突起部1751，其中，所述压电层1760包括突起部1761，位于所述突起部1751上方；以及电极层1770，位于所述第二侧1732，位于所述压电层1760上，其中，所述电极层1770包括突起部1771，位于所述突起部1761上方；其中，谐振区(即，所述电极层1750和所述电极层1770的重合区域)位于所述反射层1740上方。
需要说明的是，所述散热层1730与所述中间层1720的声阻抗不同，从而可以提升所述谐振区和非谐振区声阻抗的区别，以阻隔所述谐振区产生的声波漏入所述非谐振区。
本实施例中，所述基底1710的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃、砷化镓、氮化镓。
本实施例中，所述中间层1720的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。本实施例中，所述中间层1720的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。需要说明的是，所述中间层1720的材料的导热性比所述基底1710的材料的导热性低。
本实施例中，所述散热层1730覆盖所述中间层1720。本实施例中，所述散热层1730的厚度包括但不限于：0.1微米至5微米。本实施例中，所述散热层1730的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。需要说明的是，所述散热层1730采用导热较所述基底1710更好的材料，从而可以补偿谐振装置的散热性能。
本实施例中，所述反射层1740为空腔，所述空腔1740的剖面A呈拱形。
本实施例中，所述电极层1750的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1751的突起高度等于或大于所述空腔1740深度。本实施例中，所述突起部1751的剖面A呈拱形。
本实施例中，所述压电层1760的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氧化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述突起部1761的突起高度等于或大于所述空腔1740的深度。本实施例中，所述突起部1761的剖面A呈拱形。
本实施例中，所述电极层1770的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中，所述突起部1771的突起高度等于或大于所述空腔1740的深度。本实施例中，所述突起部1771的剖面A呈拱形。
本发明实施例还提供一种滤波装置，包括但不限于：至少一个上述实施例其中之一提供的所述体声波谐振装置。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：至少一个上述实施例提供的滤波装置；功率放大装置，与所述滤波装置连接。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：至少一个上述实施例提供的滤波装置；低噪声放大装置，与所述滤波装置连接。
本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括但不限于：多工装置，所述多工装置包括至少一个上述实施例提供的滤波装置。
综上所述，体声波谐振装置包括散热层，位于基底或中间层上，可以提升体声波谐振装置的散热性能，或者灵活地调整体声波谐振装置的散热性能(例如，提升Q值的同时，对散热性能进行补偿)。
应该理解，此处的例子和实施例仅是示例性的，本领域技术人员可以在不背离本申请和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，做出各种修改和更正。
Claims (29)
1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：
第一无源部，所述第一无源部包括第一基底及第一散热层，所述第一散热层位于所述第一基底上方；
第一有源部，所述第一有源部包括第一压电层、第一电极层及第二电极层，其中，所述第一压电层位于所述第一无源部上方，所述第一压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧，所述第一无源部位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一侧，所述第一电极层位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第二电极层位于所述第二侧；以及
第一空腔，位于所述第一侧，位于所述第一无源部和所述第一压电层之间，所述第一电极层的至少一部分位于所述第一空腔上或所述第一空腔内。
2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一散热层的材料包括以下至少之一：氮化铝、碳化硅、金刚石。
3.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一散热层的厚度包括：0.1微米至5微米。
4.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一基底和所述第一压电层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
5.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一散热层和所述第一压电层之间，所述第一散热层还位于所述第一空腔两侧。
6.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一空腔内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
7.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一散热层包括第一凹槽；所述第一电极层包括第一端及所述第一端相对的第二端，所述第一端位于所述第一空腔内，所述第二端位于所述第一凹槽内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
8.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一基底和所述第一电极层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
9.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一散热层和所述第一电极层之间，所述第一散热层还位于所述第一空腔两侧。
10.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一空腔上，所述第一压电层覆盖所述第一电极层。
11.如权利要求10所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一压电层包括第一突起部，位于所述第一电极层上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第二突起部，位于所述第一突起部上方。
12.如权利要求11所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形；所述第二突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形。
13.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔位于所述第一散热层和所述第一压电层之间，所述第一空腔位于所述第一散热层上。
14.如权利要求13所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一散热层上，所述第一电极层包括第三突起部，所述第三突起部位于所述第一空腔上；所述第一压电层覆盖所述第一空腔，所述第一压电层包括第四突起部，位于所述第三突起部上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第五突起部，位于所述第四突起部上方。
15.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第三突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形；所述第四突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形；所述第五突起部的形状包括以下至少之一：梯形、拱形、矩形。
16.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一无源部还包括：第一中间层，位于所述第一基底和所述第一散热层之间，位于所述第一基底上，所述第一散热层位于所述第一中间层上。
17.如权利要求16所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质、多晶硅。
18.如权利要求16所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一中间层的厚度包括：0.1微米至10微米。
19.如权利要求16所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一中间层和所述第一压电层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
20.如权利要求16所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一空腔内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
21.如权利要求16所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一散热层包括第二凹槽；所述第一电极层包括第三端及所述第三端相对的第四端，所述第三端位于所述第一空腔内，所述第四端位于所述第二凹槽内，所述第一压电层位于所述第一电极层上。
22.如权利要求16所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一空腔嵌入所述第一无源部，位于所述第一中间层和所述第一电极层之间，所述第一散热层位于所述第一空腔两侧。
23.如权利要求16所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层位于所述第一空腔上，所述第一压电层覆盖所述第一电极层。
24.如权利要求23所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一压电层包括第六突起部，位于所述第一电极层上方；所述第二电极层位于所述第一压电层上，所述第二电极层包括第七突起部，位于所述第六突起部上。
25.如权利要求24所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第六突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形；所述第七突起部的形状包括以下至少之一：梯形、矩形。
26.一种滤波装置，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至25其中之一所述的体声波谐振装置。
27.一种射频前端装置，其特征在于，包括：功率放大装置和至少一个如权利要求26所述的滤波装置；所述功率放大装置与所述滤波装置连接。
28.一种射频前端装置，其特征在于，包括：低噪声放大装置和至少一个如权利要求26所述的滤波装置；所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。
29.一种射频前端装置，其特征在于，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如权利要求26所述的滤波装置。
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