CN112187213B - 双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及双工器技术领域，特别地涉及一种双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备。在该方法中，高频滤波器中共匹配单元中的并联谐振器和后级电路中的并联谐振器上抬高部的厚度被限定在合理的范围内，此限定条件下，在不影响低频滤波器插损时，可实现高频滤波器的插损最小恶化，并且在一定程度上增加了双工器设计的灵活性。
Description
技术领域
本发明涉及双工器技术领域，特别地涉及一种双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备。
背景技术
近年来的通信设备小型化和高性能趋势的加快，给射频前端提出了更高的挑战。在射频通信前端中，一方面要通过减小芯片和封装基板的尺寸来实现小型化，另一方面要通过减少损耗来源以及更好的谐振器配合设计来实现更好的性能。
普通的滤波器的一种典型结构如图1所示，图1是根据现有技术中的声波滤波器的一种结构的示意图。这种滤波器100中，输入端131和输出端132之间有电感121、122以及多个谐振器(通常称作串联谐振器)101～104，各串联谐振器的连接点与接地端之间的多个支路(通常称作并联支路)上分别设置有谐振器111～113(通常称作并联谐振器)，以及电感123～125。各并联谐振器上添加有质量负载层，使并联谐振器的频率和串联谐振器的频率具有差异从而形成滤波器的通带。
双工器是异频双工电台，其作用是将发射和接收讯号相隔离，保证接收和发射都能同时正常工作，双工器由两组不同频率的带通滤波器组成。双工器设计过程中，需要考虑高频滤波器中并联谐振器的抬高部次谐振频率对低频滤波器性能的影响，若高频滤波器的第一级谐振器电路中并联谐振器的抬高部次谐振频率落在低频滤波器的通带内，则会影响低频滤波器的匹配，进而影响低频滤波器的插损特性。
发明内容
本发明提供一种双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备，通过对高频滤波器中并联谐振器上的抬高部的厚度和宽度进行合理的设置，可以在不影响低频滤波器插损的情况下，实现高频滤波器的插损最小恶化。
本发明的一个方面，提供了一种双工器设计方法，所述双工器中的高频滤波器包括多级谐振器电路，各所述多级谐振器电路包括共匹配单元和后级电路，共匹配单元为靠近高频滤波器输入端的第一级谐振器电路，后级电路为高频滤波器中的除第一级谐振器电路以外的其他多级谐振器电路，所述方法包括以下步骤：所述后级电路中，在全部并联谐振器顶电极的边缘设置呈环形的第一抬高部，第一抬高部设计为第一厚度，该第一厚度使得并联谐振器的QP最大，QP为并联谐振器工作在并联谐振频率时的品质因数；所述共匹配单元中，在并联谐振器的顶电极的边缘设置呈环形的第二抬高部，第二抬高部的厚度设计为所述第一厚度，判断此时若具有该第二抬高部的并联谐振器的抬高部次谐振频率未落在所述双工器中的低频滤波器的通带内，则并联谐振器选用具有第一厚度的第二抬高部；若具有该第二抬高部的并联谐振器的抬高部次谐振频率全部或部分落在低频滤波器通带内，则改变第二抬高部的厚度或者删除第二抬高部，其中，当改变第二抬高部的厚度时，将其厚度改变为第二厚度，该第二厚度使得所述并联谐振器的抬高部次谐振频率全部移至低频滤波器通带外。
可选地，在确定第一抬高部和第二抬高部的厚度后，调整第一抬高部和/或第二抬高部的宽度至限定值，以进一步改善滤波器插损特性。
本发明的另一个方面，还提供了一种双工器，包括高频滤波器和低频滤波器，高频滤波器包括多级谐振器电路，各所述多级谐振器电路包括共匹配单元和后级电路，共匹配单元为靠近高频滤波器输入端的第一级谐振器电路，后级电路为高频滤波器中的除第一级谐振器电路以外的其他多级谐振器电路；后级电路中的并联谐振器的顶电极的边缘设有呈环形的第一抬高部，共匹配单元中的并联谐振器的顶电极的边缘设有呈环形的第二抬高部，第一抬高部和第二抬高部均为第一厚度，该第一厚度使具有第二抬高部的并联谐振器的抬高部次谐振频率未落在低频滤波器的通带内。
可选地，并联谐振器还包括导电层，导电层位于所述并联谐振器的压电层与顶电极之间或压电层与底电极之间，其中，导电层的厚度小于其相接触的顶电极或底电极的厚度。
可选地，第一厚度为0埃米至3000埃米。
可选地，第一厚度与其所在的并联谐振器的底电极、压电层和顶电极分别按照声速归一化为抬高部材料的厚度之和的比值为0.01至0.3，其中，该比值的计算公式为：
可选地，第一厚度与其所在的并联谐振器的底电极、压电层和顶电极分别按照声速归一化为抬高部材料的厚度之和的比值为0.03至0.25。
可选地，第一抬高部和/或第二抬高部的宽度为0微米至15微米。
本发明的又一个方面，还提供了一种双工器，包括高频滤波器和低频滤波器，高频滤波器包括多级谐振器电路，各所述多级谐振器电路包括共匹配单元和后级电路，共匹配单元为靠近高频滤波器输入端的第一级谐振器电路，后级电路为高频滤波器中的除第一级谐振器电路以外的其他多级谐振器电路；后级电路中的并联谐振器的顶电极的边缘设有呈环形的第一抬高部，共匹配单元中的并联谐振器的顶电极的边缘设有呈环形的第二抬高部，第一抬高部为第一厚度，第二抬高部为第二厚度，该第二厚度使具有第二抬高部的并联谐振器的抬高部次谐振频率全部落在低频滤波器通带外。
可选地，并联谐振器还包括导电层，导电层位于所述并联谐振器的压电层与顶电极之间或压电层与底电极之间，其中，导电层的厚度小于其相接触的顶电极或底电极的厚度。
可选地，第一厚度为0埃米到3000埃米。
可选地，第一厚度与所在并联谐振器的底电极、压电层和顶电极分别按照声速归一化为抬高部材料的厚度之和的比值为0.01至0.3。
可选地，第一厚度与所在并联谐振器的底电极、压电层和顶电极分别按照声速归一化为抬高部材料的厚度之和的比值为0.03至0.25。
可选地，第一抬高部和/或第二抬高部的宽度为0um至15um。
本发明的又一个方面，还提供了一种多工器，包括上述双工器。
本发明的又一个方面，还提供了一种通信设备，包括上述双工器。
附图说明
为了说明而非限制的目的，现在将根据本发明的优选实施例、特别是参考附图来描述本发明，其中：
图1是根据现有技术的一种滤波器拓扑结构的示意图；
图2为顶电极边缘设置有抬高部的薄膜体声波谐振器结构示意图；
图3为图2中PP，位置的截面图；
图4为当谐振器的抬高部厚度和宽度不同时，所述谐振器的并联谐振点阻抗的关系示意图；
图5为不同抬高部厚度的体声波谐振器对应的谐振器阻抗实部频率特性曲线示意图；
图6为不同抬高部宽度的体声波谐振器对应的谐振器阻抗实部频率特性曲线示意图；
图7为本发明实施方式提供的双工器拓扑结构示意图；
图8为本发明实施方式提供的双工器的另一种拓扑结构示意图；
图9为低频端滤波器天线端反射系数曲线对比示意图；
图10为低频滤波器的插损特性曲线对比示意图；
图11为本发明实施方式提供的双工器的又一种拓扑结构示意图；
图12为高频滤波器的插损特性曲线对比图；
图13为本发明实施方式提供的双工器设计方法的流程图。
具体实施方式
本发明实施方式中，对高频滤波器中并联谐振器上的抬高部的厚度和宽度进行可限定，可以在不影响低频滤波器插损的情况下，实现高频滤波器的插损最小恶化，以下具体加以说明。
图2为顶电极边缘设置有抬高部的薄膜体声波谐振器结构示意图。图3为图2中PP，位置的截面图。如图2和图3所示，具有抬高部的谐振器包括衬底601、声学镜602、底电极603、压电薄膜层604、顶电极605和抬高部606。衬底601可选材料为单晶硅、砷化镓、蓝宝石、石英等；声学镜602示意为一空腔，其也可采用布拉格反射层及其他等效形式。底电极603的材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜、钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等；压电薄膜层604可选单晶氮化铝、多晶氮化铝、氧化锌、PZT等材料并包含上述材料的一定原子比的稀土元素掺杂材料；顶电极605的材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜、钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等，顶电极605包含质量负载层；抬高部606的材料可选钼、钌、金、铝、镁、钨、铜、钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。
其中，抬高部606的厚度H定义为在厚度方向上抬高部顶面与顶电极605内侧顶面的高度差。W为谐振器抬高部的宽度。抬高部606位于顶电极605的上方，并且在顶电极605的边缘位置。谐振器工作在串联谐振频率Fs时的阻抗为串联谐振点阻抗，工作在串联谐振频率时的品质因数为QS；谐振器工作在并联谐振频率Fp时的阻抗为并联谐振点阻抗，工作在并联谐振频率时的品质因数为QP；谐振器最大Q值(Qmax)对应频率在串联谐振频率和并联谐振频率之间。应用高Q值谐振器设计的滤波器具有更低的插损和更高的滚降，所以若得到更好的滤波器性能需要谐振器的Q值更高。
谐振器Q值的大小主要由谐振器能量的损耗决定，当薄膜体声波谐振器工作在活塞模式(主模)时，同时会存在横向模式(寄生模式)，横向模式造成的声波泄漏是并联谐振时能量损耗的主要因素，即横向模式的声波能量泄漏越小，QP值越高。在厚度方向上声学镜602、底电极603、压电薄膜层604和顶电极605的重叠区域为谐振器有效区，横向模式的声波从谐振器有效区的一个边缘向另一个边缘传播，当有效区内部声阻抗与有效区边缘声阻抗不匹配程度增加时，其声波能量更容易限制在谐振器内部，其QP值也就越高。
图4为当谐振器的抬高部厚度和宽度不同时，所述谐振器的并联谐振点阻抗的关系示意图。谐振器抬高部的作用为改变谐振器有效区边缘的声阻抗，如图4所示，某一特定厚度范围内(例如0到
)随着抬高部的厚度增加，厚度为图中所示的H1、H2和H3，谐振器的并联谐振点阻抗先增大后减小；在一定抬高部厚度条件下，谐振器并联谐振点阻抗值随抬高部宽度增大呈现近似周期性变化，宽度为图中的W1和W2，每一周期具有一个峰值点，抬高部宽度一般设置在0至15um之间。
通过在谐振器的顶电极连接端和非连接端设置抬高部可有效提升谐振器QP值，在一定程度上改善了滤波器的滚降特性和插损特性，但是会在谐振器串联谐振频点以下对应频段产生抬高部次谐振。所述抬高部次谐振定义为两个设置有抬高部与不设置抬高部的相同面积的谐振器串联谐振频率对齐时，低于串联谐振频率的频率范围内上述两种谐振器的阻抗实部的差值大于某一指定值delta-Z对应的区域(例如delta-Z＝0.5ohm)。
图5为不同抬高部厚度的体声波谐振器对应的谐振器阻抗实部频率特性曲线示意图。图5中实线为顶电极连接端和非连接端不设置抬高部时(抬高部厚度H为0时)的谐振器的阻抗实部频率特性曲线；圆圈标记的实线为顶电极连接端和非连接端设置厚度为H1宽度为W1的抬高部的谐振器的阻抗实部频率特性曲线，其中A所示区域即为圆圈标记的实线所示的顶电极连接端和非连接端设置厚度为H1宽度为W2的抬高部的谐振器的抬高部次谐振；矩形标记的实线为顶电极连接端和非连接端设置厚度为H2宽度为W2的抬高部的谐振器的阻抗实部频率特性曲线，其中H2大于H1。由图5可知，随着抬高部厚度H的增加抬高部次谐振向低频端移动。
图6为不同抬高部宽度的体声波谐振器对应的谐振器阻抗实部频率特性曲线示意图。图6中实线为顶电极连接端和非连接端不设置抬高部时(抬高部宽度W为0时)的谐振器的阻抗实部频率特性曲线；圆圈标记的实线为顶电极连接端和非连接端设置抬高部厚度为H1宽度为W1的谐振器的阻抗实部频率特性曲线；矩形标记的实线为顶电极连接端和非连接端设置抬高部厚度为H1宽度为W2的谐振器的阻抗实部频率特性曲线，其中W2大于W1。由图6可知，抬高部宽度越大，抬高部次谐振阻抗峰值阻抗越大。
对于一个梯形滤波器结构，串联谐振器的Qmax、QS、以及串联谐振频点对应频率至滤波器通带左边沿对应频率之间的Q值对通带插损影响较大，QP其次；并联谐振器的QP和Qmax对通带插损影响较大，QS其次；即梯形滤波器中，串联谐振器和并联谐振器的性能要求不同，不同的谐振器抬高部设置对应不同的谐振器性能，通过对串并联谐振器的抬高部的厚度和宽度进行合理的设置，可提升滤波器的插损特性。进一步地，双工器设计过程中，同时要考虑高频滤波器中谐振器的抬高部次谐振频率对低频滤波器性能的影响，若高频滤波器的中第一级谐振器电路中的并联谐振器的抬高部次谐振落频率在低频滤波器的通带内，会影响低频滤波器的匹配，进而影响低频滤波器的插损特性；然而，高频滤波器中除第一级谐振器电路以外的其他谐振器电路中的并联谐振器的抬高部次谐振频率落在低频滤波器通带内时，其对低频滤波器的插损特性几乎是无影响的。因此，基于上述结论，本发明实施方式对双工器进行了重新设计，具体如下：
图7为本发明实施方式提供的双工器拓扑结构示意图。如图7所示，双工器拓扑结构800(第一实施例)包括低频滤波器和高频滤波器，低频滤波器和高频滤波器的一端与天线ANT连接，天线ANT还连接有接地电感LM，低频滤波器的另一端为信号输入(输出)端口T1，高频滤波器的另一端为信号输出(输入)端口T2。在高频滤波器中，输入端和输出端分别包括电感L1和电感L2，该高频滤波器包括4级谐振器电路，第一级谐振器电路(靠近天线ANT一端)为高频滤波器的共匹配单元，其余3级谐振器电路为高频滤波器的后级电路。共匹配单元中的并联谐振器P1-Hx-W2抬高部厚度和宽度分别设置为Hx和W2，后级电路中并联谐振器P2-H2-W2、并联谐振器P3-H2-W2和并联谐振器P4-H2-W2的抬高部厚度和宽度均设置为H2和W2。
图8为本发明实施方式提供的双工器的另一种拓扑结构示意图。图8所示的双工器拓扑结构900(第一对比例)与图7所示的双工器拓扑结构800相比，两者的不同之处在于：双工器拓扑结构900中高频滤波器的共匹配单元的并联谐振器的抬高部的厚度和宽度分别设置为H2和W2，即与共匹配单元中的并联谐振器为同一厚度和宽度。
图9为低频端滤波器天线端反射系数曲线对比示意图。图9中粗实线为双工器拓扑结构800中低频滤波器天线端的反射系数曲线，虚线为双工器拓扑结构900中低频滤波器天线端的发射系数曲线，细实线为双工器拓扑结构900的共匹配单元中并联谐振器的阻抗频率特性曲线，圆圈R标注位置为所述共匹配单元中并联谐振器的抬高部次谐振。由图9可知，当所述共匹配单元中并联谐振器的抬高部设置为H2-W2时，其抬高部次谐振频率落在了低频滤波器的通带内，从而导致对应频段反射系数严重恶化。
图10为低频滤波器的插损特性曲线对比示意图。图10中实线为双工器拓扑结构800中低频滤波器的插损特性，虚线为双工器拓扑结构900中低频滤波器的插损特性。由图10可知，当所述共匹配单元中并联谐振器的抬高部设置为H2-W2时，共匹配单元中并联谐振器的抬高部次谐振频率落在了低频滤波器通带内，从而导致对应频段反射系数严重恶化，进而导致对应频段插损特性恶化进1dB。
由图9和图10所示的内容可知，高频滤波器共匹配单元中并联谐振器的抬高部厚度Hx与后级电路中并联谐振器抬高部的厚度H2设置为相同时，如果共匹配单元中并联谐振器的抬高部的次谐振频率没有落在低频滤波器的通带内，那么共匹配单元中并联谐振器的抬高部厚度Hx可以选用厚度H2，即双工器拓扑结构900所示的结构；如果共匹配单元中并联谐振器的抬高部的次谐振频率落在了低频滤波器的通带内，此时对低频滤波器的性能影响较大，因此，需要继续调整抬高部厚度Hx的厚度，使共匹配单元中并联谐振器的抬高部的次谐振频率落在低频滤波器的通带之外。调节抬高部厚度Hx的方式为，将Hx减小至H1或增大至H3，使得所述并联谐振器的抬高部次谐振频率刚好全部移出低频滤波器通带外，此时，可以选定抬高部厚度Hx为H1或H3。
图11为本发明实施方式提供的双工器的又一种拓扑结构示意图。如图11所示，双工器拓扑结构901(第二对比例)与双工器拓扑结构900相比，两者的区别在于：在双工器拓扑结构901中，高频滤波器中的共匹配单元的并联谐振器的抬高部的厚度和宽度分别设置为H2和W1。
图12为高频滤波器的插损特性曲线对比图。图12中实线为双工器拓扑结构800中高频滤波器的插损特性，虚线为双工器拓扑结构901中高频滤波器的插损特性。双工器拓扑结构901的共匹配单元中的并联谐振器抬高部厚度设置为H2时，其抬高部的次谐振落在了低频滤波器通带内，为了减小所述抬高部次谐振频率对低频滤波器插损特性的影响，可通过减小抬高部的宽度来减小所述次谐振频率的强度(双工器拓扑结构901中共匹配单元谐振器抬高部宽度由H2-W2变为H2-W1)，进而减小所述抬高部次谐振频率对低频滤波器插损特性的影响。但是，由图4所示的并联谐振点阻抗的关系示意图可知，随着谐振器抬高部宽度的减小，谐振器的并联谐振频点阻抗也会随之减小，进而影响高频端滤波器的插损特性。为了实现高频滤波器共匹配单元中并联谐振器不影响低频滤波器插损的前提下，而尽可能减小高频滤波器插损的恶化的目的，可将所述高频滤波器的匹配单元中并联谐振器的抬高部厚度和宽度设置为H1-W2，通过减小抬高部厚度将抬高部次谐振频率向高频端移动，直到移出低频滤波器通带以外，再在当前抬高部厚度下选择合适的抬高部宽度实现较高的Rp值(例如H1-W2)。如图12所示，通过上述设置可在一定程度上提升高频滤波器的插损特性。
图13为本发明实施方式提供的双工器设计方法的流程图。如图13所示，首先，确定双工器的设计指标，高频滤波器中谐振器的层叠(包括材料和各膜层厚度)可根据设计指标进行确定；然后，在当前谐振器层叠条件下确定后级电路中并联谐振器上抬高部的厚度和宽度为H2-W2(抬高部厚度在
之间，抬高部宽度在0-15um之间)，抬高部为H2-W2时谐振器的QP最大。
判断共匹配单元中的并联谐振器抬高部为H2-W2时，其抬高部次谐振频率是否全部或部分落在低频滤波器通带内；如果抬高部次谐振频滤没有落在低频滤波器通带内，那么高频滤波器中共匹配单元的并联谐振器抬高部也设置为H2-W2；如果抬高部次谐振频滤全部或部分落在低频滤波器通带内，那么共匹配单元中的并联谐振器的抬高部厚度需要增大或减小，使其抬高部次谐振频率向低频滤波器通带的低频端或高频端移动，直到所述抬高部次谐振频率全部移至低频滤波器通带外，此时对应的抬高部为Hx-W2(例如Hx可为图4中的H1或H3，所述抬高部厚度为H1时，所述抬高部次谐振频率在低频滤波器通带的高频端，所述抬高部厚度为H3时，所述抬高部次谐振频率在低频滤波器通带的低频端)。当共匹配单元中并联谐振器的抬高部厚度调整完成后(调整至H1、H2或H3)，在对其宽度进行调整，选择合适的抬高部宽度实现较高的Rp值，可在一定程度上提升高频滤波器的插损特性。此双工器的设计方法可有效的减小双工器中高频滤波器的恶化，同时，在一定程度上增加了设计的灵活性。
本发明实施方式还提供一种多工器，该多工器包括上述双工器。通过对双工器中高频滤波器的谐振器抬高部的厚度和宽度进行合理的设置，可在不影响低频滤波器插损的前提下实现高频滤波器插损的最小恶化。
本发明实施方式还提供一种通信设备，该通信设备包括上述双工器。通过对双工器中高频滤波器的谐振器抬高部的厚度和宽度进行合理的设置，可在不影响低频滤波器插损的前提下实现高频滤波器插损的最小恶化。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，取决于设计要求和其他因素，可以发生各种各样的修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (16)
1.一种双工器设计方法，所述双工器中的高频滤波器包括多级谐振器电路，各所述多级谐振器电路包括共匹配单元和后级电路，共匹配单元为靠近高频滤波器输入端的第一级谐振器电路，后级电路为高频滤波器中的除第一级谐振器电路以外的其他多级谐振器电路，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
所述后级电路中，在全部并联谐振器顶电极的边缘设置呈环形的第一抬高部，第一抬高部设计为第一厚度，该第一厚度使得并联谐振器的QP最大，QP为并联谐振器工作在并联谐振频率时的品质因数；
所述共匹配单元中，在并联谐振器的顶电极的边缘设置呈环形的第二抬高部，第二抬高部的厚度设计为所述第一厚度，判断此时若具有该第二抬高部的并联谐振器的抬高部次谐振频率未落在所述双工器中的低频滤波器的通带内，则并联谐振器选用具有第一厚度的第二抬高部；若具有该第二抬高部的并联谐振器的抬高部次谐振频率全部或部分落在低频滤波器通带内，则改变第二抬高部的厚度或者删除第二抬高部，其中，当改变第二抬高部的厚度时，将其厚度改变为第二厚度，该第二厚度使得所述并联谐振器的抬高部次谐振频率全部移至低频滤波器通带外。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在确定第一抬高部和第二抬高部的厚度后，调整第一抬高部和/或第二抬高部的宽度至限定值，以进一步改善滤波器插损特性。
3.一种双工器，包括高频滤波器和低频滤波器，高频滤波器包括多级谐振器电路，各所述多级谐振器电路包括共匹配单元和后级电路，共匹配单元为靠近高频滤波器输入端的第一级谐振器电路，后级电路为高频滤波器中的除第一级谐振器电路以外的其他多级谐振器电路，其特征在于；
后级电路中的并联谐振器的顶电极的边缘设有呈环形的第一抬高部，共匹配单元中的并联谐振器的顶电极的边缘设有呈环形的第二抬高部，第一抬高部和第二抬高部均为第一厚度，该第一厚度使具有第二抬高部的并联谐振器的抬高部次谐振频率未落在低频滤波器的通带内。
4.根据权利要求3所述的双工器，其特征在于，并联谐振器还包括导电层，导电层位于所述并联谐振器的压电层与顶电极之间或压电层与底电极之间，其中，导电层的厚度小于其相接触的顶电极或底电极的厚度。
5.根据权利要求3所述的双工器，其特征在于，第一厚度为0埃米至3000埃米。
6.根据权利要求3所述的双工器，其特征在于，第一厚度与其所在的并联谐振器的底电极、压电层和顶电极分别按照声速归一化为抬高部材料的厚度之和的比值为0.01至0.3。
7.根据权利要求6所述的双工器，其特征在于，第一厚度与其所在的并联谐振器的底电极、压电层和顶电极分别按照声速归一化为抬高部材料的厚度之和的比值为0.03至0.25。
8.根据权利要求3所述的双工器，其特征在于，第一抬高部和/或第二抬高部的宽度为0微米至15微米。
9.一种双工器，包括高频滤波器和低频滤波器，高频滤波器包括多级谐振器电路，各所述多级谐振器电路包括共匹配单元和后级电路，共匹配单元为靠近高频滤波器输入端的第一级谐振器电路，后级电路为高频滤波器中的除第一级谐振器电路以外的其他多级谐振器电路，其特征在于；
后级电路中的并联谐振器的顶电极的边缘设有呈环形的第一抬高部，共匹配单元中的并联谐振器的顶电极的边缘设有呈环形的第二抬高部，第一抬高部为第一厚度，第二抬高部为第二厚度，该第二厚度使具有第二抬高部的并联谐振器的抬高部次谐振频率全部落在低频滤波器通带外。
10.根据权利要求9所述的双工器，其特征在于，并联谐振器还包括导电层，导电层位于所述并联谐振器的压电层与顶电极之间或压电层与底电极之间，其中，导电层的厚度小于其相接触的顶电极或底电极的厚度。
11.根据权利要求9所述的双工器，其特征在于，第一厚度为0埃米到3000埃米。
12.根据权利要求9所述的双工器，其特征在于，第一厚度与所在并联谐振器的底电极、压电层和顶电极分别按照声速归一化为抬高部材料的厚度之和的比值为0.01至0.3。
13.根据权利要求12所述的双工器，其特征在于，第一厚度与所在并联谐振器的底电极、压电层和顶电极分别按照声速归一化为抬高部材料的厚度之和的比值为0.03至0.25。
14.根据权利要求9所述的双工器，其特征在于，第一抬高部和/或第二抬高部的宽度为0um至15um。
15.一种多工器，其特征在于，包括如权利要求3至8中任一项所述的双工器或包括如权利要求9至14中任一项所述的双工器。
16.一种通信设备，其特征在于，包括如权利要求3至8中任一项所述的双工器或包括如权利要求9至14中任一项所述的双工器。
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Denomination of invention: Duplexer design method, duplexer, multiplexer and communication equipment Effective date of registration: 20210908 Granted publication date: 20210601 Pledgee: Tianjin TEDA Haihe intelligent manufacturing industry development fund partnership (L.P.) Pledgor: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Registration number: Y2021980009022 |
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