CN111010119A - 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 - Google Patents
带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111010119A CN111010119A CN201910754085.5A CN201910754085A CN111010119A CN 111010119 A CN111010119 A CN 111010119A CN 201910754085 A CN201910754085 A CN 201910754085A CN 111010119 A CN111010119 A CN 111010119A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resonator
- layer
- spatial
- thickness direction
- bottom electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003334 KNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02039—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of a material from the crystal group 32, e.g. langasite, langatate, langanite
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/173—Air-gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与所述底电极对置，且具有电极连接部；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；在所述谐振器的厚度方向上的顶电极的边缘设置有复合环形结构，所述复合环形结构至少包括至少两层环形结构层，所述至少两层环形结构层在谐振器的厚度方向上至少在所述有效区域内部分重叠，且至少一层环形结构层为空间不连续结构层，所述空间不连续结构层在有效区域内设置有沿环形方向的空间不连续结构。本发明还涉及一种滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该滤波器的电子设备。
背景技术
体声波滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点，因此，被广泛应用在当代无线通讯系统中，是决定射频信号进出通讯系统质量的重要元器件。体声波滤波器的性能由构成它的体声波谐振器决定，如：体声波谐振器的谐振频率决定了滤波器的工作频率，有效机电耦合系数决定了滤波器的带宽，品质因数决定滤波器插入损耗。当滤波器结构一定时，其品质因数，特别是在串联谐振频率和并联谐振频率处的品质因数(或串并联阻抗)，会显著影响通带插入损耗。因此，如何提高谐振器的品质因数是高性能滤波器设计的一个重要问题。
体声波谐振器串联谐振频率处的品质因数(Qs)或阻抗(Rs)通常由电极损耗及材料损耗决定，而体声波谐振器并联谐振频率处的品质因数(Qp)或阻抗(Rp)通常受边界声波泄露影响。因此，当谐振器材料及重叠结构确定时，Qs(或Rs)的提升空间有限，但可以通过改变谐振器的边界结构来有效改善声波的边界泄露情况，从而提高谐振器的Qp(或Rp)。
图1为已知的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；图1A为已知的一个示例性实施例的体声波谐振器的沿图1中的1B-1B截得的示意性局部剖视图。在图1和图1A中，体声波谐振器包括基底110；声学镜120，声学镜为嵌入基底中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用；底电极130；压电层140；顶电极150；钝化层160；翼190；单环形结构170。底电极130沉积在声学镜的上表面，并覆盖声学镜。在图1和图1A中，谐振器的边界结构中设置了单层的环形结构170。
图2为已知的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；图2A为根据已知的一个示例性实施例的体声波谐振器的沿图1中的1B-1B截得的示意性局部剖视图。在上述图2和图2A中，体声波谐振器包括基底110；声学镜120，声学镜为嵌入基底中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用；底电极130；压电层140；顶电极150；钝化层160；翼190；底部环形结构170和顶层环形结构180，其中底部环形结构170与顶层环形结构180共同组成复合环形结构。底电极130沉积在声学镜的上表面，并覆盖声学镜。在图2和图2A中，谐振器的边界结构设置了底部环形结构170与顶层环形结构180共同组成复合环形结构。
但是，仍然存在进一步改善声波的边界泄露情况、从而提高谐振器的Qp(或Rp)的需求。
发明内容
为进一步提高体声波谐振器的并联谐振阻抗值，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置，且具有电极连接部；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
在所述谐振器的厚度方向上的顶电极的边缘设置有复合环形结构，所述复合环形结构至少包括至少两层环形结构层，所述至少两层环形结构层在谐振器的厚度方向上至少在所述有效区域内部分重叠，且至少一层环形结构层为空间不连续结构层，所述空间不连续结构层在有效区域内设置有沿环形方向的空间不连续结构。
可选的，所述空间不连续结构为环形结构。
可选的，所述谐振器还包括与顶电极相连的翼部或桥部。
可选的，在谐振器的厚度方向上，所述空间不连续结构仅位于所述有效区域内；或者在谐振器的厚度方向上，所述空间不连续结构覆盖所述翼部或所述桥部的至少一部分。
可选的，所述谐振器还包括所述空间不连续结构层还包括与所述空间不连续结构相连的延伸部。
可选的，所述延伸部覆盖所述翼部或所述桥部的至少一部分，或者所述延伸部覆盖所述翼部或所述桥部且延伸到所述翼部或者桥部之外。
可选的，上环形结构层和下环形结构层在谐振器的厚度方向上彼此相邻。
可选的，上环形结构层和下环形结构层在谐振器的厚度方向上彼此间隔开。
可选的，所述空间不连续结构层具有同一厚度。进一步可选的，所述空间不连续结构为一体结构。可选的，所述一体结构包括凹凸结构。可选的，所述凹凸结构包括锯齿形结构或矩槽齿形结构或波形结构或者条形曲折结构。
可选的，所述空间不连续结构为在环向方向上彼此间隔开且平行延伸的多个条形结构。
可选的，所述空间不连续结构的不同部分具有彼此不同的厚度，在环向方向上厚度存在高低分布。进一步的，所述空间不连续结构的不同部分具有彼此不同的第一厚度与第二厚度，在环向方向上第一厚度与第二厚度交替分布。
根据本发明的实施例的另一方面，提出了一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
根据本发明的实施例的还一方面，提出了一种电子设备，包括上述的滤波器或者体声波谐振器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为已知的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；
图1A为已知的一个示例性实施例的体声波谐振器的沿图1中的1B-1B截得的示意性局部剖视图；
图2为已知的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；
图2A为根据已知的一个示例性实施例的体声波谐振器的沿图1中的1B-1B截得的示意性局部剖视图；
图3为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的俯视示意图；
图3A为根据本发明的一个示例性实施例的沿图3中的1B-1B截得的示意性剖视图；
图4为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的局部立体示意图；
图5为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的局部立体示意图；
图6为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的局部立体示意图；
图7为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的局部立体示意图；
图8为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的局部立体示意图；
图9为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的局部立体示意图；
图10为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的局部立体示意图；
图11为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的局部立体示意图；
图12为体声波谐振器的频率-阻抗曲线示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
下面参照图描述根据本发明的一个实施例的体声波谐振器。需要指出的是，在本发明的实施例中，虽然以薄膜体声波谐振器为例进行说明，这些说明均可以适用于其他类型的体声波谐振器。
图3所示的实施例为体声波谐振结构的俯视图。体声波谐振器包括底电极，压电层，顶电极和复合环形结构。
图3A为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的沿图3中的1B-1B截得的示意性局部剖视图。体声波谐振器包括基底110和声学镜120，此声学镜位于基底的上表面或嵌于基底的内部，在图3A中声学镜为嵌入基底中的空腔所构成，但是任何其它的声学镜结构如布拉格反射器也同样适用。体声波谐振器还包括底电极130，压电层140、顶电极150、钝化层160、翼190、桥200、底部环形结构170及顶层环形结构180，其中底部环形结构170与顶层环形结构180共同组成复合环形结构。底电极130沉积在声学镜的上表面，并覆盖声学镜。可将底电极130边缘刻蚀成斜面，并且该斜面位于声学镜的外边，此外还可以为阶梯状、垂直状或是其它相似的结构。桥200跨越底电极的第二末端，桥第一末端位于声学镜内，第二末端位于底电极外侧。
声学镜120、底电极130、压电层140、顶电极150在谐振器的厚度方向上重叠的区域为谐振器的有效区域。如图3A所示，复合环形结构位于钝化层160上方。在翼190处，底部环形结构170位于顶电极末端且延伸至翼部边缘，顶层环形结构180也位于顶电极末端且延伸至翼部边缘。在桥200处，底部环形结构170位于顶电极之上，其第一末端位于桥内侧且延伸至桥外，顶层环形结构180也位于顶电极之上，其第一末端位于桥内侧且延伸至桥外。
下面示例性的简单说明根据本发明的体声波谐振器的部件的材料。
在本发明中，电极组成材料可以是金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)，钌(Ru)、铱(Ir)、钛钨(TiW)、铝(Al)、钛(Ti)、锇(Os)、镁(Mg)、金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)、钌(Ru)、铱(Ir)、锗(Ge)、铜(Cu)、铝(Al)、铬(Cr)、砷掺杂金等类似金属形成。
在本发明中，压电层材料可以为氮化铝(AlN)、掺杂氮化铝(doped ALN)氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料，其中掺杂ALN至少含一种稀土元素，如钪(Sc)、钇(Y)、镁(Mg)、钛(Ti)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
在本发明中，基底材料包括但不限于：单晶硅(Si)，砷化镓(GaAs)，蓝宝石，石英等。
在本发明中，钝化层为介电材料，介电材料可选择但不限于：二氧化硅(SiO2)，氮化硅(Si3N4)，碳化硅(SiC)，氮化铝(AlN)，氧化铝(Al2O3)等。
需要注意的是，顶层环形结构180并非规则结构，其立体结构可有多种变型。
如图4所示，顶层环形结构180在有效区域内存在条形曲折结构。此外，在图4中，顶层环形结构180具有延伸至翼部边缘的延伸部，该延伸部与条形曲折结构相连。如图4所示，延伸部可为彼此间隔开的多个部分，该多个部分的一侧均连接到条形曲折结构。
在本发明中，条形曲折结构，表示条形以弯曲的方式接连顺次形成凹部或者凸起。
如图5所示，顶部环形结构在有效区域的一侧为锯齿形，且全部延伸至翼部边缘。如图5所示，顶部环形结构包括在有效区域内的部分，其具有锯齿形状；以及覆盖整个翼部的部分。
在图4-图5中，条形曲折结构和锯齿形结构形成空间不连续结构。
需要指出的是，在本发明中，空间不连续是指：在谐振器的俯视图中，在有效区域内，沿着某一个环形方向形成的截面图中，形成有空隙，该截面可以为与谐振器的厚度方向平行形成的环形截面，也可以为与谐振器的厚度方向垂直的环形截面。
还需要指出的是，在本发明中，空间不连续可以是在整个环形方向上存在空间不连续，也可以是在环形方向上的一部分存在空间不连续。
在图4-图5中，空间不连续结构设置在顶部环形结构上。但是，其也可以设置在底部环形结构上。
如图6所示，底部环形结构在有效区域的一侧为锯齿形，顶部环形结构为规则图案。在图6中，锯齿形结构构成空间不连续结构。
图7所示实施例与图5所示实施例类似，区别在于仅仅在有效区域上加工顶部环形结构。
图8所示实施例与图5所示实施例类似，区别在于顶部环形结构仅延伸至翼部的部分区域，而没有覆盖全部的翼部。
如图9所示，在桥200处，顶部环形结构在有效区域的一侧为锯齿形，且全部延伸至桥外。顶部复合结构也可仅加工至有效区域内、或覆盖部分桥。
图10所示实施例与图5所示实施例类似，顶部环形结构在有效区域的一侧为突出矩形，且全部延伸至翼部边缘。
图8所示实施例中，顶部环形结构并非连续结构，顶部环形结构在有效区域内侧为间断矩形(可以认为是条形结构)，且矩形延伸至翼部边缘。此间断矩形也可为间断的其他形状。在图11中，所述空间不连续结构为在环向方向上彼此间隔开且平行延伸的多个条形结构。
在本发明的上述实施例中，空间不连续结构设置于钝化层上方，需要指出的是，空间不连续结构可以位于覆盖层(例如钝化层)上方，位于顶电极与覆盖层之间，位于压电层与顶电极之间，位于压电层与底电极之间，或者位于底电极与声学镜之间。
在本发明的示出的实施例中，顶部环形结构和底部环形结构在谐振器的厚度方向上彼此相邻。但是，本发明不限于此，虽然没有示出，顶部环形结构和底部环形结构在谐振器的厚度方向上也可彼此间隔开。
在本发明的实施例中，复合环形结构具有顶部环形结构和底部环形结构，但是，本发明不限于此，例如，复合环形结构还可以包括三层或者更多层的环形结构，只要其中的一个或多个层为空间不连续层即可。此外，复合环形结构的材料可以是金属或者介电材料或者两者的组合，如钼(Mo)、金(Au)、铂(Pt)、氮化铝(AlN)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、掺杂AlN等。
在以上实施例中，空间不连续结构(层)的厚度，其可以是具有同一厚度，空间不连续是由在环向方向上存在空隙或者间隔导致的，该空隙或者间隔体现在与谐振器的厚度方向平行形成的环形截面中。
但是本发明不限于此，空间不连续也可以由为在谐振器的厚度方向上空间不连续结构的厚度变化导致的，该空隙或者间隔也可以体现在与谐振器的厚度方向垂直的环形截面中。此时，所述空间不连续结构的不同部分具有彼此不同的厚度，在环向方向上厚度存在高低分布。具体的，所述空间不连续结构的不同部分可以具有彼此不同的第一厚度与第二厚度，在环向方向上第一厚度与第二厚度交替分布。在第一厚度小于第二厚度的情况下，第一厚度可以为零或者更低(相对于面凹入)。
在本发明中，基于空间不连续结构，不仅可以在沿谐振器径向方向上形成高低阻抗变换，还可以在沿谐振器周长方向或环形方向上形成高低阻抗变换，从而对平面内沿任意方向传播的兰姆波均能形成有效反射，将更多的声能限制在有效区域内，进一步增强了环形结构对声波的反射能力及转换能力，使得与压电层表面垂直的活塞声波模式得到进一步提高，表现在谐振器电性能上即有效提高了并联谐振阻抗Rp。
相比于传统的单层环形结构及阶梯型环形结构，由于本发明在谐振器的有效区域内存在空间不连续的图形布置，这种空间的不连续就会形成相应的高低声阻抗变换，从而在边界处形成一个横向的布拉格反射层，可以限制更多的沿谐振器边缘传播的兰姆波能量，从而进一步提高并联谐振阻抗Rp。另一方面，对于传统单层环形结构或者阶梯环形结构，环形结构部分可以等效为一个频率低于主谐振器频率的谐振器，当环形结构宽度较大时，环形结构的总体面积会增大，从而在串联谐振频率以下的位置形成一个明显谐振峰，如图12所示，这一谐振峰在滤波器应用中会影响带外抑制或者双工器匹配效果，因此希望尽量减小这一谐振峰；而采用本发明的谐振器环形结构，可以将环形结构沿谐振器周长方向分散为若干面积较小的部分，从而减小了环形结构等效谐振区域的面积，从而可以降低环形结构引起的谐振效果。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置，且具有电极连接部；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
在所述谐振器的厚度方向上的顶电极的边缘设置有复合环形结构，所述复合环形结构至少包括至少两层环形结构层，所述至少两层环形结构层在谐振器的厚度方向上至少在所述有效区域内部分重叠，且至少一层环形结构层为空间不连续结构层，所述空间不连续结构层在有效区域内设置有沿环形方向的空间不连续结构。
2、根据1所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构为环形结构。
3、根据1或2所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括与顶电极相连的翼部或桥部。
4、根据3所述的谐振器，其中：
在谐振器的厚度方向上，所述空间不连续结构仅位于所述有效区域内；或者
在谐振器的厚度方向上，所述空间不连续结构覆盖所述翼部或所述桥部的至少一部分。
5、根据4所述的谐振器，还包括：
所述空间不连续结构层还包括与所述空间不连续结构相连的延伸部。
6、根据5所述的谐振器，其中：
所述延伸部覆盖所述翼部或所述桥部的至少一部分，或者所述延伸部覆盖所述翼部或所述桥部且延伸到所述翼部或者桥部之外。
7、根据1-6中任一项所述的谐振器，其中：
上环形结构层和下环形结构层在谐振器的厚度方向上彼此相邻。
8、根据1-6中任一项所述的谐振器，其中：
上环形结构层和下环形结构层在谐振器的厚度方向上彼此间隔开。
9、根据1-8中任一项所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构层具有同一厚度。
10、根据1-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构为一体结构。
11、根据10所述的谐振器，其中：
所述一体结构包括凹凸结构。
12、根据11所述的谐振器，其中：
所述凹凸结构包括锯齿形结构或矩槽齿形结构或波形结构或者条形曲折结构。
13、根据9所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构为在环向方向上彼此间隔开且平行延伸的多个条形结构。
14、根据1-8中任一项所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构的不同部分具有彼此不同的第一厚度与第二厚度，在环向方向上第一厚度与第二厚度交替分布。
15、根据1所述的谐振器，其中：
所述谐振器具有覆盖层；
空间不连续结构层位于覆盖层上方，位于顶电极与覆盖层之间，位于压电层与顶电极之间，位于压电层与底电极之间，或者位于底电极与声学镜之间。
基于以上，本发明还提出了一种滤波器，包括多个上述的体声波谐振器。本发明还提出了一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的体声波谐振器。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (18)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置，且具有电极连接部；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
在所述谐振器的厚度方向上的顶电极的边缘设置有复合环形结构，所述复合环形结构至少包括至少两层环形结构层，所述至少两层环形结构层在谐振器的厚度方向上至少在所述有效区域内部分重叠，且至少一层环形结构层为空间不连续结构层，所述空间不连续结构层在有效区域内设置有沿环形方向的空间不连续结构。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构为环形结构。
3.根据权利要求1或2所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括与顶电极相连的翼部或桥部。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
在谐振器的厚度方向上，所述空间不连续结构仅位于所述有效区域内；或者
在谐振器的厚度方向上，所述空间不连续结构覆盖所述翼部或所述桥部的至少一部分。
5.根据权利要求4所述的谐振器，还包括：
所述空间不连续结构层还包括与所述空间不连续结构相连的延伸部。
6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：
所述延伸部覆盖所述翼部或所述桥部的至少一部分，或者所述延伸部覆盖所述翼部或所述桥部且延伸到所述翼部或者桥部之外。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：
上环形结构层和下环形结构层在谐振器的厚度方向上彼此相邻。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：
上环形结构层和下环形结构层在谐振器的厚度方向上彼此间隔开。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构层具有同一厚度。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构为一体结构。
11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：
所述一体结构包括凹凸结构。
12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：
所述凹凸结构包括锯齿形结构或矩槽齿形结构或波形结构或者条形曲折结构。
13.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构为在环向方向上彼此间隔开且平行延伸的多个条形结构。
14.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构的不同部分具有彼此不同的厚度，在环向方向上厚度存在高低分布。
15.根据权利要求14所述的谐振器，其中：
所述空间不连续结构的不同部分具有彼此不同的第一厚度与第二厚度，在环向方向上第一厚度与第二厚度交替分布。
16.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述谐振器具有覆盖层；
空间不连续结构层位于覆盖层上方，位于顶电极与覆盖层之间，位于压电层与顶电极之间，位于压电层与底电极之间，或者位于底电极与声学镜之间。
17.一种滤波器，包括根据权利要求1-16中任一项所述的体声波谐振器。
18.一种电子设备，包括根据权利要求17所述的滤波器或者根据权利要求1-16中任一项所述的体声波谐振器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910754085.5A CN111010119B (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 |
| PCT/CN2020/086557 WO2021027319A1 (zh) | 2019-08-15 | 2020-04-24 | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 |
| EP20852149.2A EP4016841A4 (en) | 2019-08-15 | 2020-04-24 | RESONATOR HAVING A COMPOSITE ANNULAR STRUCTURE, FILTER AND ELECTRONIC DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910754085.5A CN111010119B (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111010119A true CN111010119A (zh) | 2020-04-14 |
| CN111010119B CN111010119B (zh) | 2024-01-26 |
Family
ID=70111484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910754085.5A Active CN111010119B (zh) | 2019-08-15 | 2019-08-15 | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP4016841A4 (zh) |
| CN (1) | CN111010119B (zh) |
| WO (1) | WO2021027319A1 (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111934641A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-11-13 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其频率调整方法、滤波器、电子设备 |
| CN112187213A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-05 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备 |
| WO2021027319A1 (zh) * | 2019-08-15 | 2021-02-18 | 天津大学 | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 |
| CN117081535A (zh) * | 2023-08-14 | 2023-11-17 | 武汉敏声新技术有限公司 | 声波谐振器及滤波器 |
| EP4175171A4 (en) * | 2020-06-30 | 2024-01-03 | Rofs Microsystem (Tianjin) Co., Ltd | VOLUME ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, FILTER AND ELECTRONIC DEVICE |
| EP4148997A4 (en) * | 2020-05-07 | 2024-04-03 | Rofs Microsystem (Tianjin) Co., Ltd | VOLUME SOUND WAVE RESONATOR, FILTER, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR ADJUSTING AN ELECTROMECHANICAL COUPLING COEFFICIENT |
| WO2024130823A1 (zh) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | 见闻录(浙江)半导体有限公司 | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备 |
| WO2024159581A1 (zh) * | 2023-02-02 | 2024-08-08 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 压电薄膜体声波谐振器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117013978B (zh) * | 2022-12-14 | 2024-07-05 | 北京芯溪半导体科技有限公司 | 一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器和电子设备 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101908865A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-08 | 庞慰 | 体波谐振器及其加工方法 |
| US20120218058A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-08-30 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US20140203686A1 (en) * | 2013-01-22 | 2014-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resonator and fabricating method thereof |
| US20150280687A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte.Ltd. | Acoustic resonator comprising acoustic redistribution layers and lateral features |
| WO2017071902A1 (de) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | Snaptrack, Inc. | Schichtanordnung für ein volumenwellenbauelement |
| CN107733396A (zh) * | 2016-08-12 | 2018-02-23 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器 |
| CN109167585A (zh) * | 2018-07-26 | 2019-01-08 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 体声波谐振器及其制作方法、滤波器 |
| CN109889178A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-06-14 | 天津大学 | 体声波谐振器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI107660B (fi) * | 1999-07-19 | 2001-09-14 | Nokia Mobile Phones Ltd | Resonaattorirakenne |
| US8896395B2 (en) * | 2011-09-14 | 2014-11-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having multiple lateral features |
| CN108233889A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-06-29 | 湖北宙讯科技有限公司 | 谐振器 |
| CN111010119B (zh) * | 2019-08-15 | 2024-01-26 | 天津大学 | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 |
-
2019
- 2019-08-15 CN CN201910754085.5A patent/CN111010119B/zh active Active
-
2020
- 2020-04-24 WO PCT/CN2020/086557 patent/WO2021027319A1/zh unknown
- 2020-04-24 EP EP20852149.2A patent/EP4016841A4/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101908865A (zh) * | 2010-08-20 | 2010-12-08 | 庞慰 | 体波谐振器及其加工方法 |
| US20120218058A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-08-30 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US20140203686A1 (en) * | 2013-01-22 | 2014-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Resonator and fabricating method thereof |
| US20150280687A1 (en) * | 2014-03-31 | 2015-10-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte.Ltd. | Acoustic resonator comprising acoustic redistribution layers and lateral features |
| WO2017071902A1 (de) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | Snaptrack, Inc. | Schichtanordnung für ein volumenwellenbauelement |
| CN107733396A (zh) * | 2016-08-12 | 2018-02-23 | 三星电机株式会社 | 体声波谐振器 |
| CN109167585A (zh) * | 2018-07-26 | 2019-01-08 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 体声波谐振器及其制作方法、滤波器 |
| CN109889178A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-06-14 | 天津大学 | 体声波谐振器 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021027319A1 (zh) * | 2019-08-15 | 2021-02-18 | 天津大学 | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 |
| EP4148997A4 (en) * | 2020-05-07 | 2024-04-03 | Rofs Microsystem (Tianjin) Co., Ltd | VOLUME SOUND WAVE RESONATOR, FILTER, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR ADJUSTING AN ELECTROMECHANICAL COUPLING COEFFICIENT |
| EP4175171A4 (en) * | 2020-06-30 | 2024-01-03 | Rofs Microsystem (Tianjin) Co., Ltd | VOLUME ACOUSTIC WAVE RESONATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, FILTER AND ELECTRONIC DEVICE |
| CN111934641A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-11-13 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及其频率调整方法、滤波器、电子设备 |
| CN112187213A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-05 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备 |
| CN112187213B (zh) * | 2020-09-29 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备 |
| WO2022068766A1 (zh) * | 2020-09-29 | 2022-04-07 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备 |
| WO2024130823A1 (zh) * | 2022-12-23 | 2024-06-27 | 见闻录(浙江)半导体有限公司 | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备 |
| WO2024159581A1 (zh) * | 2023-02-02 | 2024-08-08 | 瑞声科技（南京）有限公司 | 压电薄膜体声波谐振器 |
| CN117081535A (zh) * | 2023-08-14 | 2023-11-17 | 武汉敏声新技术有限公司 | 声波谐振器及滤波器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4016841A4 (en) | 2022-10-19 |
| EP4016841A1 (en) | 2022-06-22 |
| CN111010119B (zh) | 2024-01-26 |
| WO2021027319A1 (zh) | 2021-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111010119B (zh) | 带复合环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN110061712B (zh) | 包括环形凸起梁檐结构的声学谐振器、滤波器和电子设备 | |
| EP4027517A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator with piezoelectric layer having insert structure, and filter and electronic device | |
| US20170155373A1 (en) | Surface acoustic wave (saw) resonator structure with dielectric material below electrode fingers | |
| US9035725B2 (en) | Acoustic wave device | |
| CN111355466B (zh) | 具有多梁檐空隙的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| US20210075401A1 (en) | Loaded resonators for adjusting frequency response of acoustic wave resonators | |
| CN111313857A (zh) | 设置有插入结构与温补层的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN113708739B (zh) | 一种声波滤波器 | |
| JP6594619B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ | |
| JP6556173B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| CN111245400A (zh) | 具有桥部插入结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN112425073A (zh) | 具有虚假模式抑制的高q baw谐振器 | |
| CN111193484A (zh) | 带粗糙面体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| JP6423782B2 (ja) | 圧電薄膜共振器およびフィルタ | |
| US10886893B2 (en) | Reduced-size guided-surface acoustic wave (SAW) devices | |
| CN111193485A (zh) | 具有粗糙面的体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN111193489A (zh) | 体声波谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN111010128A (zh) | 带环形结构的谐振器、滤波器及电子设备 | |
| JP2015095728A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ | |
| US20220286106A1 (en) | Electroacoustic resonator | |
| WO2020134804A1 (zh) | 顶电极连接部设有延伸结构的谐振器、滤波器和电子设备 | |
| CN115250104A (zh) | 体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN114553169A (zh) | 利用凸起结构降低声阻抗的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| WO2020140654A1 (zh) | 基于梁檐尺寸调整声学谐振器性能的装置和方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20240126 |
|
| PP01 | Preservation of patent right |